JP5110870B2 - キャリア移動度の計算方法 - Google Patents
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Description
M. Brandbyge, J.−L. Mozos, P. Ordejon, J. Taylor, K. Stokbro, Phys. Rev. B. 65, 165401 (2002)
本実施の形態では、例えば「アプライド サーフェイス サイエンス(Applied Surface Science)」、244(2005)p30−33で使用されているTight−Binding量子分子動力学計算ソフトウェアColors−Exciteを用いる。そして、正孔移動度または電子移動度を計算するモデルとしてバルクモデルや表面モデルを対象とする。前記モデルについて半経験的量子分子動力学計算法のTight−Binding量子分子動力学計算ソフトウェアColors−Exciteを用いて構造最適化する際、原子のイオン化ポテンシャルや2原子間相互作用を密度汎関数(Density Functional Theory:DFT)計算の結果に基づいて決定し、Tight−Binding量子分子動力学計算の初期入力パラメータ(初期条件)とする。得られた分子軌道エネルギーが妥当であるかどうかは最高被占分子軌道準位、最低空分子軌道準位、および最高被占分子軌道−最低空分子軌道バンドギャップが実測データと同等かどうかで判断し、その誤差範囲はそれぞれ最高被占分子軌道準位及び最低空分子軌道準位が−0.2eV以上0.2eV以下(好ましくは−0.02eV以上0.02eV以下)、バンドギャップが−0.1eV以上0.1eV以下(好ましくは−0.01eV以上0.01eV以下)の範囲に収まるようにする。誤差範囲をこのように設定することで適当な分子軌道エネルギーを得ることができる。
Claims (6)
- 半経験的量子分子動力学計算法により、第1の膜及び第2の膜の電子密度を計算し、
最高被占分子軌道から最低空分子軌道に電子が一つ励起された励起状態について、前記第1の膜及び第2の膜の正孔又は電子が移動する確率をモンテカルロ法によって求め、
前記確率を評価指数として、前記第1の膜の正孔移動度及び電子移動度の実測値と、前記第1の膜の評価指数との比からパラメータを算出し、
前記パラメータと、前記第2の膜の評価指数と、正孔濃度又は電子濃度と、電荷素量とを用いて下記式(1)より前記第2の膜の正孔移動度又は電子移動度を求めることを特徴とするキャリア移動度の計算方法。
- 請求項1において、
前記第1の膜及び前記第2の膜は、有機エレクトロルミネセンス素子の電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層のいずれか一を構成する分子膜であることを特徴とするキャリア移動度の計算方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記半経験的量子分子動力学計算法で得られた前記第1の膜及び前記第2の膜の最高被占分子軌道準位、最低空分子軌道準位、及び該最高被占分子軌道と該最低空分子軌道とのバンドギャップが、実測値又は第一原理計算法により得られた値についてそれぞれ−0.2eV以上0.2eV以下、−0.2eV以上0.2eV以下、−0.1eV以上0.1eV以下の誤差範囲に入るように前記半経験的量子分子動力学計算法の初期条件を決定することを特徴とするキャリア移動度の計算方法。 - 請求項3において、
前記第一原理計算法として、非経験的分子軌道法又は密度汎関数法を用いることを特徴とするキャリア移動度の計算方法。 - 請求項4において、
前記非経験的分子軌道法として、ハートリー・フォック法、電子相関を考慮に入れた二次摂動法(MP2)、電子相関を考慮に入れた四次摂動法(MP4)、又は電子相関及び励起状態を考慮に入れた電子配置間相互作用を求める方法(QCISD法)を採用し、基底関数として6−31G(d)、6−31G(d,p)、6−311G(d,p)、またはLanL2DZのいずれかを用いて、前記半経験的量子分子動力学計算法の初期条件を調整することを特徴とするキャリア移動度の計算方法。 - 請求項4において、
前記密度汎関数法を用いた計算において、基底関数として6−31G(d)、6−31G(d,p)、6−311G(d,p)、またはLanL2DZのいずれかを用いて、前記半経験的量子分子動力学計算法の初期条件を調整することを特徴とするキャリア移動度の計算方法。
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