JP5099468B2 - Film forming apparatus and electronic component manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、原料粉末(微粒子)を気体に混合してなるエアロゾルを基板に向けて噴射して絶縁性又は導電性の膜を形成する成膜装置及びその成膜装置を使用した電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming an insulating or conductive film by injecting an aerosol formed by mixing raw material powder (fine particles) into a gas toward a substrate, and manufacturing an electronic component using the film forming apparatus. Regarding the method.
近年、携帯電話及びノート型パソコン等の電子機器に使用される電子部品のより一層の小型化及び高性能化が要求されているとともに、それらの電子部品を回路基板(プリント基板)上に高密度に実装することが要求されている。通常、携帯電話及びノート型パソコン等の電子機器に使用されるキャパシタ等の受動素子はチップ状に形成されており、回路基板の表面上に実装される。しかし、より一層の高密度化のために、回路基板にキャパシタ等の受動素子を内蔵することが提案されている。 In recent years, there has been a demand for further miniaturization and higher performance of electronic components used in electronic devices such as mobile phones and notebook computers, and high density of these electronic components on a circuit board (printed circuit board). Is required to be implemented. Usually, a passive element such as a capacitor used in an electronic device such as a mobile phone and a notebook personal computer is formed in a chip shape and mounted on the surface of a circuit board. However, in order to further increase the density, it has been proposed to incorporate passive elements such as capacitors in the circuit board.
ところで、セラミックキャパシタを回路基板内に内蔵することは、セラミックを焼成するときの高温に回路基板を構成する樹脂(例えばエポキシ樹脂)が耐えられないため、極めて困難である。この問題を解消すべく、特許文献1、特許文献2及び特許文献3には、減圧された成膜室内に基板を配置し、セラミック粉末(セラミック微粒子)とキャリアガスとを混合してなるエアロゾルを基板に向けて噴射して、基板上にセラミック微粒子を堆積させることによりセラミック膜を形成するエアロゾルデポジッション法が開示されている。 By the way, it is extremely difficult to incorporate the ceramic capacitor in the circuit board because a resin (for example, epoxy resin) constituting the circuit board cannot withstand high temperatures when the ceramic is fired. In order to solve this problem, Patent Document 1, Patent Document 2 and Patent Document 3 describe an aerosol in which a substrate is placed in a decompressed film forming chamber and ceramic powder (ceramic fine particles) and a carrier gas are mixed. An aerosol deposition method is disclosed in which a ceramic film is formed by spraying toward a substrate and depositing ceramic fine particles on the substrate.
エアロゾルデポジッション法では、セラミック微粒子が基板と衝突する際に基板の表面の汚れや水分が除去されて基板表面が活性化されるとともに、セラミック微粒子同士の衝突によりセラミック微粒子の表面も活性化される。その結果、セラミック微粒子と基板、及びセラミック微粒子同士が強く結合して、基板上に組織が緻密なセラミック膜が形成される。エアロゾルデポジッション法では原料粉末としてセラミック以外の絶縁性材料又は導電性材料の粉末を使用することが可能であるだけでなく、異なる材料からなる複数種類の粉末を混合して使用することも可能である。このため、エアロゾルデポジッション法は、複合材を形成する方法としても注目されている。前述の特許文献1〜3には、エアロゾルデポジッション法により膜を形成するためのエアロゾルデポジッション成膜装置の構成も記載されている。また、特許文献4には、アルミナの微粒子を基板に噴き付けてアルミナ膜を形成することが記載されている。
しかしながら、従来のエアロゾルデポジッション成膜装置では、基板に対する膜の密着強度が十分ではなく、厚い膜を形成しようとすると剥離が発生しやすいという問題点がある。 However, the conventional aerosol deposition film forming apparatus has a problem that the adhesion strength of the film to the substrate is not sufficient, and peeling tends to occur when a thick film is formed.
本発明は、基板に対する密着強度が高く、組織が緻密で均一な厚膜の形成が可能なエアロゾルデポジッション成膜装置、及びその成膜装置を使用した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an aerosol deposition film forming apparatus capable of forming a thick film having a high adhesion strength to a substrate and a dense structure, and an electronic component manufacturing method using the film forming apparatus. And
本発明の一観点によれば、原料粉末とキャリアガスとを混合してエアロゾルを発生するエアロゾル発生部と、成膜室と、前記成膜室内に配置された基板搭載部と、整流ガスを供給する整流ガス供給部と、前記エアロゾル発生部で生成されたエアロゾルを前記基板搭載部に搭載された基板に向けて噴射して膜を形成するエアロゾル噴射部と、前記エアロゾル噴射部の周囲に配置され、前記エアロゾル噴射部から噴射されたエアロゾルの周囲に前記エアロゾルの噴射方向と同じ方向に前記整流ガス供給部から供給される整流ガスを噴射する整流ガス噴射部とを有し、前記エアロゾル発生部で発生したエアロゾルを前記エアロゾル噴射部に送る配管の途中に、前記エアロゾルの流速を調整するためのアシストガスを供給する配管が接続されている成膜装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, an aerosol generating unit that generates an aerosol by mixing raw material powder and a carrier gas, a film forming chamber, a substrate mounting unit disposed in the film forming chamber, and a rectifying gas are supplied. A rectifying gas supply unit, an aerosol generated by the aerosol generation unit toward a substrate mounted on the substrate mounting unit to form a film, and an aerosol injection unit disposed around the aerosol injection unit A rectifying gas injection unit that injects the rectified gas supplied from the rectifying gas supply unit in the same direction as the aerosol injection direction around the aerosol injected from the aerosol injection unit , and the aerosol generation unit in the middle of the pipe for sending the generated aerosol to the aerosol jetting portion, formed of a pipe for supplying an assist gas for adjusting the flow rate of the aerosol is connected Apparatus is provided.
従来のエアロゾルデポジッション成膜装置では、エアロゾル噴射部から噴射したエアロゾルが基板に到達するまでの間に広がって速度が低下し、それが膜の密着性が低下する原因となっている。そこで、本発明の成膜装置においては、エアロゾル噴射部の周囲に整流ガス噴射部を配置し、エアロゾル噴射部から噴射されたエアロゾルの周囲に、整流ガス噴射部から整流ガスを噴射する。これにより、エアロゾルの広がりや速度の低下が抑制され、エアロゾル中の微粒子の基板面に対する衝突力の低下が回避される。その結果、密着性が高く、組織が緻密で均一な膜の形成が可能となり、膜厚を厚くしても剥離等の不具合の発生が回避される。 In the conventional aerosol deposition film forming apparatus, the aerosol sprayed from the aerosol spraying part spreads until it reaches the substrate, the speed decreases, and this causes the film adhesion to decrease. Therefore, in the film forming apparatus of the present invention, the rectifying gas injection unit is disposed around the aerosol injection unit, and the rectification gas is injected from the rectification gas injection unit around the aerosol injected from the aerosol injection unit. Thereby, the spread of the aerosol and the decrease in velocity are suppressed, and the decrease in the collision force of the fine particles in the aerosol against the substrate surface is avoided. As a result, it is possible to form a uniform film with high adhesion and a dense structure, and even when the film thickness is increased, occurrence of defects such as peeling is avoided.
本発明の他の観点によれば、減圧雰囲気内に基板を配置する工程と、前記基板に向けて原料粉末とキャリアガスとを混合してなるエアロゾルを噴射するとともに、前記エアロゾルの周囲に前記エアロゾルの噴射方向と同じ方向に整流ガスを噴射して、前記基板上に膜を形成する工程とを有し、前記エアロゾルが通る配管の途中に、前記エアロゾルの流速を調整するためのアシストガスを供給する電子部品の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the step of disposing a substrate in a reduced-pressure atmosphere, spraying an aerosol formed by mixing raw material powder and a carrier gas toward the substrate, and surrounding the aerosol around the aerosol And a step of forming a film on the substrate by supplying a rectifying gas in the same direction as the injection direction, and supplying an assist gas for adjusting the flow velocity of the aerosol in the middle of the pipe through which the aerosol passes An electronic component manufacturing method is provided.
本発明の電子部品の製造方法においては、エアロゾルの周囲に整流ガスを噴射するので、エアロゾルの広がりや速度の低下が抑制され、密着性が高く、組織が緻密な膜の形成が可能となる。本発明の方法によれば、高温での熱処理を行うことなくセラミック膜やその他の誘電体膜又は導電体膜などを形成することができるので、高温に晒すことができない樹脂等の膜を有する基板上にセラミックキャパシタやその他の電子部品を製造することができる。 In the electronic component manufacturing method of the present invention, since the rectifying gas is injected around the aerosol, the spread of the aerosol and the decrease in the speed are suppressed, and a film having high adhesion and a dense structure can be formed. According to the method of the present invention, since a ceramic film or other dielectric film or conductor film can be formed without performing a heat treatment at a high temperature, a substrate having a film of a resin or the like that cannot be exposed to a high temperature. Ceramic capacitors and other electronic components can be manufactured on top.
本願発明者等は、従来のエアロゾルデポジッション成膜装置で成膜した膜の密着強度がが十分でない原因について検討した。以下に、その結果について説明する。 The inventors of the present application examined the cause of insufficient adhesion strength of a film formed by a conventional aerosol deposition film forming apparatus. The results will be described below.
図1は、従来のエアロゾルデポジッション成膜装置の噴射ノズルと基板上に形成された膜とを示す模式図である。また、図2は噴射ノズルから噴射されたエアロゾルを示す模式図である。なお、図中の符号13は、エアロゾル中の微粒子を示している。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a spray nozzle of a conventional aerosol deposition film forming apparatus and a film formed on a substrate. FIG. 2 is a schematic diagram showing the aerosol ejected from the ejection nozzle. In addition, the code |
図1に示すように、エアロゾルは、噴射ノズル11から成膜室内に配置された基板12に向けて例えば100kPaの圧力で噴射される。一方、成膜室内の圧力は、噴射されたエアロゾルの速度を減速させないために、例えば約200Paに減圧されている。従って、噴射ノズル11から噴射されたエアロゾルとその周囲との間には大きな気圧差があり、図2に示すように気圧差に応じた横方向の力Hが働いて、噴射ノズル11から離れるほどエアロゾルは広がり、基板面に垂直な方向の速度が低下する。
As shown in FIG. 1, the aerosol is injected from the
図1に示すように、エアロゾルの中心部の微粒子13は基板12の表面にほぼ垂直に衝突して、基板12に対する密着強度が高く且つ組織が緻密な膜14を形成する。しかし、エアロゾルの周辺部の微粒子13は、基板12に対し斜めに衝突するため、衝突力が垂直方向と水平方向とに分散される。従って、エアロゾル周辺部の微粒子13の基板12に対する衝突力P1は、エアロゾル中央部の微粒子13の基板12に対する衝突力PよりもΔPだけ小さくなる。このため、基板12に対する密着強度が低く且つ組織の緻密性も低い部分が形成され、膜の厚さを厚くしようとすると、密着強度及び緻密性が低い部分で剥離が発生する。
As shown in FIG. 1, the
これらのことから、本願発明者等は、基板に対する密着強度が高く組織が緻密で均一な膜を形成するためには、噴射ノズルから噴射されたエアロゾルの広がりを抑制する必要があるとの結論に到達した。前述した特許文献2には、噴射ノズルと基板との間にエアロゾルの中心部のみが通る開口部を有するマスクを配置し、このマスクによりエアロゾルの周辺部の微粒子を排除することが提案されている。しかし、エアロゾルはマスクの開口部を通過した後にも圧力差により広がるので、特許文献2に記載された成膜装置では膜の密着強度及び緻密性を高める効果が十分であるとはいえない。 From these, the inventors of the present application conclude that it is necessary to suppress the spread of the aerosol injected from the injection nozzle in order to form a uniform film with high adhesion strength to the substrate and a dense structure. Reached. Patent Document 2 described above proposes that a mask having an opening through which only the central portion of the aerosol passes is disposed between the spray nozzle and the substrate, and fine particles in the peripheral portion of the aerosol are eliminated by this mask. . However, since the aerosol spreads due to the pressure difference even after passing through the opening of the mask, it cannot be said that the film forming apparatus described in Patent Document 2 is sufficiently effective in increasing the adhesion strength and the denseness of the film.
(第1の実施形態)
図3は、本発明の第1の実施形態に係るエアロゾルデポジッション成膜装置の構成を示す模式図である。この図3に示すように、本実施形態のエアロゾルデポジッション成膜装置は、メカニカルブースター27を介して真空ポンプ26に接続される成膜室21と、エアロゾルを発生するエアロゾル発生部31とにより構成されている。
(First embodiment)
FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the aerosol deposition film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the aerosol deposition film forming apparatus of this embodiment includes a
成膜室21には基板24が搭載されるステージ23と、このステージ23を水平方向(XY方向)及び垂直方向(Z方向)に駆動するステージ駆動部25とが設けられている。本実施形態においては、ステージ駆動部25によりステージ23が水平方向又は垂直方向に一定の速度で移動される。成膜室21内には、ステージ23に搭載された基板24に向けてエアロゾルを噴射する噴射ノズル22が配置されている。この噴射ノズル22の構造については後述する。
The
成膜室21の内部空間は、真空ポンプ26及びメカニカルブースター27により減圧される。真空ポンプ26としては、例えばロータリーポンプ又はダイヤフラム式ポンプを用いることができる。なお、成膜室21とメカニカルブースター27との間、又はメカニカルブースター27と真空ポンプ26との間に、成膜室21内に噴射された原料粉末のうち膜の形成に寄与しなかった分を回収する集塵機を設けてもよい。
The internal space of the
エアロゾル発生部31内には原料粉末32が格納される。セラミック膜を形成する場合には、原料粉末32として例えばAl2O3(アルミナ)、MgO及びBaTiO3等のセラミック粉末(セラミック微粒子)を使用する。また、導電体膜を形成する場合には、原料粉末32として例えばCu、Au及びAl等の金属粉末(金属微粒子)を使用する。原料粉末32の平均粒径は、例えば10nm〜1μmとする。原料粉末32として、異なる材料からなる複数種類の微粒子を混合したものを使用してもよい。
The
本実施形態の成膜装置では、エアロゾル発生部31に、エアロゾルの生成を促進するための加振器33が取り付けられている。この加振器33によりエアロゾル発生部31に超音波振動又は機械的振動を加えて原料粉末32を飛散させ、エアロゾルの生成を促進する。また、エアロゾル発生部31には、原料粉末32の乾燥を促進するためのヒータ(図示せず)が設けられている。このエアロゾル発生部31の内部空間は、配管44及び開閉バルブ44aを介してメカニカルブースター27に接続されている。
In the film forming apparatus of the present embodiment, a
エアロゾル発生部31内には、配管41、開閉バルブ41a及びマスフローコントローラ41bを介してキャリアガスが供給される。このキャリアガスは、エアロゾル発生部31内で原料粉末32と混合されてエアロゾルとなる。エアロゾル発生部31で生成されたエアロゾルは、配管42及び開閉バルブ42aを通って成膜室21内の噴射ノズル22に送られる。エアロゾル発生部31内において、配管41の先端はエアロゾル発生部31の底部近傍に配置され、配管42の先端はエアロゾル発生部31の上部近傍に配置されている。
Carrier gas is supplied into the
また、噴射ノズル22には、配管43、開閉バルブ43a及びマスフローコントローラ43bを介して整流ガスが供給される。この整流ガスは、噴射ノズル22から噴射されたエアロゾルの広がりを防止するために、後述するようにエアロゾルの周囲に噴射される。
Further, the rectifying gas is supplied to the
キャリアガス及び整流ガスは、例えばAr(アルゴン)、He(ヘリウム)、Ne(ネオン)、Xe(キセノン)、Kr(クリプトン)及びN(窒素)などの不活性ガスや、酸素又は空気を使用することができる。本実施形態では、キャリアガス及び整流ガスをいずれもガスボンベ34から供給しているが、キャリアガス及び整流ガスをそれぞれ個別のガスボンベから供給してもよく、キャリアガス及び整流ガスとして相互に異なるガスを使用してもよい。また、ガスボンベ34の替わりに、コンプレッサー(圧縮機)を使用してもよい。例えば、液体窒素から発生したガスをコンプレッサーにより圧縮してキャリアガス又は整流ガスとしてもよい。窒素ガス又は酸素ガスを用いる場合は、空気中からそれらのガスを抽出してもよい。
As the carrier gas and the rectifying gas, for example, an inert gas such as Ar (argon), He (helium), Ne (neon), Xe (xenon), Kr (krypton), and N (nitrogen), oxygen, or air is used. be able to. In this embodiment, both the carrier gas and the rectifying gas are supplied from the
図4(a)は噴射ノズル22の断面図、図4(b)は同じくその噴射ノズル22を図4(a)の矢印Aで示す方向から見たときの平面図である。図4(b)に示すように、本実施形態の噴射ノズル22の先端には、スリット状に開口されたエアロゾル噴射口(エアロゾル噴射部)51と、このエアロゾル噴射口51を囲む環状に形成された整流ガス噴射口(整流ガス噴射部)52とが設けられている。エアロゾル噴射口51は、図4(a)に示すように、噴射ノズル22の中心軸に沿って形成された孔51aを介して図3に示す配管42と接続され、整流ガス噴射口52は孔51aの周囲に設けられた孔52aを介して図3に示す配管43と接続される。
4A is a cross-sectional view of the
以下、上述した構成の本実施形態のエアロゾルデポジッション成膜装置を使用した成膜方法について説明する。 Hereinafter, a film forming method using the aerosol deposition film forming apparatus of the present embodiment having the above-described configuration will be described.
まず、図3に示すように、エアロゾル発生部31内に、原料粉末32を入れる。原料粉末32は、予め十分に除湿しておくことが好ましい。その後、バルブ41a,42a,43aを閉じた状態でバルブ44aを開き、メカニカルブースター27及び真空ポンプ26を稼動させる。これにより、成膜室21及びエアロゾル発生部31の内部が排気されて減圧雰囲気となる。このとき、ヒータによりエアロゾル発生器31を加熱して、原料粉末32中の水分をより完全に除去することが好ましい。
First, as shown in FIG. 3, the
次に、バルブ44aを閉じた後、加振器33を稼動してエアロゾル発生部31を振動させる。また、バルブ41a,42a,43aを開いて、ガスボンベ34からエアロゾル発生部31内にキャリアガスを供給するとともに、噴射ノズル22に整流ガスを供給する。
Next, after closing the
エアロゾル発生部31内に供給されたキャリアガスと加振器33による振動とによりエアロゾル発生部31内で原料粉末32が飛散してキャリアガスと混合され、エアロゾルが生成される。このエアロゾルは、配管42を介して噴射ノズル22に送られ、エアロゾル噴射口51(図4(b)参照)から基板24に向けて噴射される。この場合に、キャリアガスの圧力及び流量を調整して、エアロゾルの噴射速度を例えば50m/s〜1000m/sの範囲内に設定する。
The
一方、ガスボンベ34から配管43を介して噴射ノズル22に整流ガスが供給され、噴射ノズル22の整流ガス噴射口52(図4(b)参照)から整流ガスが噴射される。整流ガスの噴射速度は、エアロゾルの噴射速度とほぼ同じとすることが好ましい。
On the other hand, the rectifying gas is supplied from the
図5は、噴射ノズル22から噴射されるエアロゾル及び整流ガスを示す模式図である。この図5に示すように、エアロゾル噴射口51から噴射されるエアロゾル(図中矢印55で示す)と、整流ガス噴射口52からエアロゾルの周囲に噴射される整流ガス(図中矢印56で示す)との圧力差が小さいため、エアロゾルの広がりが小さく、原料粉末(微粒子)53は基板24の表面にほぼ垂直に衝突する。その結果、密着強度が高く組織が緻密で均一な膜29が形成され、膜厚を厚くしても剥離の発生が防止される。
FIG. 5 is a schematic diagram showing aerosol and rectifying gas injected from the
以下、本実施形態の成膜装置を使用したセラミックキャパシタの製造方法について、図6(a)〜(f)に示す断面図を参照して説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing a ceramic capacitor using the film forming apparatus of the present embodiment will be described with reference to cross-sectional views shown in FIGS.
まず、図6(a)に示すように、基板61を用意する。基板61としては、回路基板又は半導体基板等を使用することができる。ここでは、基板61として、表面にSiO2からなる絶縁膜(図示せず)が形成されたシリコン基板(ウェハ)を使用するものとする。なお、SiO2膜に替えて、表面にポリイミドからなる絶縁膜が形成されたシリコン基板を使用してもよい。
First, as shown in FIG. 6A, a
次に、図6(b)に示すように、基板61上に、セラミックキャパシタの下部電極となる導電体膜62を形成する。この導電体膜62は、例えば下層が厚さ0.08μmのCr(クロム)層、上層が厚さ2μmのCu(銅)層の2層構造の積層膜からなる。Cr層及びCu層は、例えばスパッタ法により形成される。
Next, as shown in FIG. 6B, a
その後、導電体膜62の上に所定のパターンのレジスト膜(図示せず)を形成し、そのレジスト膜をマスクとして導電体膜62をウェットエッチングして、図6(c)に示すように、下部電極63を形成する。このとき同時に、導電体膜62を利用して、基板61上に下部電極63と電気的に接続された引出配線又はその他の配線等を形成してもよい。
Thereafter, a resist film (not shown) having a predetermined pattern is formed on the
次に、図3に示す成膜装置を使用し、室温下で、図6(d)に示すように基板61及び下部電極63の上に例えば厚さが5μmのセラミック膜(誘電体膜)64を形成する。このセラミック膜形成工程では、前述したようにエアロゾルの周囲に整流ガスを噴射して、密着強度が高く且つ組織が緻密で膜厚が均一なセラミック膜64を形成する。ここでは、セラミック膜64の原料として、アルミニウムアルコキシドを用いて表面にアルミニウム皮膜を形成したBaTiO3微粒子からなる粉末を使用する。このBaTiO3微粒子の平均粒径は、例えば0.5μmである。
Next, a ceramic film (dielectric film) 64 having a thickness of, for example, 5 μm is formed on the
なお、セラミック膜64は基板61上の全面に形成する必要はなく、例えば下部電極63及びその周囲の領域上のみに形成してもよい。
The
次に、フォトレジストを使用してセラミック膜64の上に所定のパターンのレジスト膜(図示せず)を形成する。そして、このレジスト膜をマスクとしてウェットエッチングを施して、図6(e)に示すように、セラミック膜64を所定の形状にパターニングする。このウェットエッチングは、例えばエッチング液として濃度が5wt%のフッ硝酸水溶液を使用し、温度が23℃の条件でセラミック膜64及びレジスト膜が形成された基板61をエッチング液中に約5分間浸漬することにより行われる。
Next, a resist film (not shown) having a predetermined pattern is formed on the
次に、スパッタ法により基板61の上側全面にCuを約2μmの厚さに堆積させて、導電体膜(図示せず)を形成する。そして、この導電体膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図6(f)に示すように、セラミック膜64の上に上部電極65を形成する。このとき同時に、導電体膜を利用して、基板61上に上部電極65と電気的に接続された引出配線又はその他の配線等を形成してもよい。このようにして、基板61上に、下部電極63、セラミック膜64(誘電体膜)及び上部電極65からなるセラミックキャパシタが形成される。
Next, Cu is deposited to a thickness of about 2 μm on the entire upper surface of the
従来の低温プロセスであるスパッタ法又はゾルゲル法によるセラミック膜の形成では、セラミック膜の誘電率を高めるために、セラミック膜形成後に少なくとも400℃以上の温度で熱処理をする必要があり、基板やその上に形成された誘電体膜等に熱的なダメージを与えるおそれがある。これに対し、上述した本実施形態の製造方法によれば、室温下でセラミック膜64を形成するので、基板やその上に形成された誘電体膜等に熱的ダメージを与えることを確実に回避できる。
In forming a ceramic film by sputtering or sol-gel method, which is a conventional low-temperature process, it is necessary to perform heat treatment at a temperature of at least 400 ° C. after the ceramic film is formed in order to increase the dielectric constant of the ceramic film. There is a risk of thermally damaging the dielectric film or the like formed on the substrate. On the other hand, according to the manufacturing method of the present embodiment described above, since the
なお、上述したセラミックキャパシタの製造方法では、エッチング法を使用してセラミック膜64を所定の形状にパターニングしたが、セラミック膜64のパターニングはリフトオフ法により行ってもよい。すなわち、下部電極63が形成された基板61の上にフォトレジスト膜を形成し、そのフォトレジスト膜に所定の形状の開口部を形成した後、図3に示す成膜装置を使用してセラミック膜を形成する。その後、開口部内のセラミック膜を残し、それ以外の領域のセラミック膜をレジスト膜と共に除去する。このようにして、所定の形状のセラミック膜64を容易に形成することができる。
In the above-described ceramic capacitor manufacturing method, the
また、レジストを用いずにマスク法によりセラミック膜を形成してもよい。すなわち、下部電極63が形成された基板の上に、所定の形状の開口部を有するメタルマスクを配置する。その後、図3に示す成膜装置を使用してセラミック膜64を形成した後、メタルマスクを取り外す。このようにして、所定の形状のセラミック膜64を容易に形成することができる。
Further, the ceramic film may be formed by a mask method without using a resist. That is, a metal mask having an opening having a predetermined shape is disposed on the substrate on which the
更に、上述したセラミックキャパシタの製造方法では下部電極及び上部電極となる導電体膜をスパッタ法により形成しているが、これらの導電体膜もエアロゾルデポジッション法により形成してもよい。 Furthermore, in the above-described method for manufacturing a ceramic capacitor, the conductor film to be the lower electrode and the upper electrode is formed by the sputtering method. However, these conductor films may also be formed by the aerosol deposition method.
上述した第1の実施形態では本発明の成膜装置をセラミックキャパシタの製造に適用した場合について説明したが、本発明の成膜装置は、導電性又は絶縁性の膜により構成されるセラミックキャパシタ以外の電子部品、例えばコイルや抵抗素子等の製造に適用することもできる。 In the first embodiment described above, the case where the film forming apparatus of the present invention is applied to the manufacture of a ceramic capacitor has been described. However, the film forming apparatus of the present invention is other than a ceramic capacitor constituted by a conductive or insulating film. It can also be applied to the manufacture of electronic parts such as coils and resistance elements.
また、上述した第1の実施形態の成膜装置では、図4(b)に示すようにエアロゾル噴射口51の形状をスリット状(長方形)としたが、図7(a),(b)に示すように、エアロゾル噴射口51の形状を円形としてもよい。この図7(a),(b)に示すエアロゾル噴射ノズル22では、整流ガス噴射口52がエアロゾル噴射口51を囲む同心円状に形成されている。
Moreover, in the film-forming apparatus of 1st Embodiment mentioned above, although the shape of the
(第2の実施形態)
図8は本発明の第2の実施形態のエアロゾルデポジッション成膜装置の構成を示す模式図である。この第2の実施形態の成膜装置が第1の実施形態の成膜装置と異なる点は、配管44内にアシストガスを注入するための配管45が設けられていることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施形態の成膜装置と同様であるので、図8において図3と同一物には同一符号を付して重複する部分の説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of an aerosol deposition film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. The film forming apparatus according to the second embodiment is different from the film forming apparatus according to the first embodiment in that a
本実施形態の成膜装置においては、エアロゾル発生部31と噴射ノズル22との間の配管44に配管45が接続されており、この配管45を介して配管44内のエアロゾルが流れる方向にアシストガスを注入するようになっている。このアシストガスは、開閉バルブ45a及びマスフローコントローラ(図示せず)を介してガスボンベ(図示せず)から供給される。アシストガスは、キャリアガスと同じガスを使用してもよいし、キャリアガスと異なるガスを使用してもよい。
In the film forming apparatus of this embodiment, a
本実施形態においては、アシストガスによりエアロゾルの流速が制御されるので、エアロゾルの噴射速度の安定性が向上するという利点がある。 In this embodiment, since the flow velocity of the aerosol is controlled by the assist gas, there is an advantage that the stability of the aerosol injection speed is improved.
(第3の実施形態)
図9(a)は本発明の第3の実施形態のエアロゾルデポジッション成膜装置の噴射ノズルを示す断面図、図9(b)は同じくその噴射ノズルを噴射口側から見たときの平面図である。この第3の実施形態の成膜装置が第1の実施形態の成膜装置と異なる点は、噴射ノズルに設けられたエアロゾル噴射口及び整流ガス噴射口の形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施形態の成膜装置と同様であるので、図9(a),(b)において図4(a),(b)と同一物には同一符号を付して重複する部分の説明は省略する。
(Third embodiment)
FIG. 9A is a cross-sectional view showing an injection nozzle of an aerosol deposition film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a plan view when the injection nozzle is viewed from the injection port side. It is. The film forming apparatus according to the third embodiment is different from the film forming apparatus according to the first embodiment in that the shapes of the aerosol injection port and the rectifying gas injection port provided in the injection nozzle are different. Is basically the same as the film forming apparatus of the first embodiment. Therefore, in FIGS. 9 (a) and 9 (b), the same components as those in FIGS. Description of the parts to be performed is omitted.
本実施形態の成膜装置で使用する噴射ノズル71では、図9(b)に示すように、3本のスリット状のエアロゾル噴射口72a,72b,72cが相互に平行に且つ近接して配置されており、それらのエアロゾル噴射口72a,72b,72cを囲むようにして4本のスリット状の整流ガス噴射口73a,73b,73c,73dが配置されている。
In the
本実施形態の成膜装置においては、3組のエアロゾル発生部が設けられており、それらのエアロゾル発生部から各エアロゾル噴射口72a,72b,72cにそれぞれ異なる原料粉末を含んだエアロゾルが供給される。それらの原料粉末は、噴射ノズル71から基板までの間で混合されて基板上に堆積し、3種類の材料からなる複合材料膜が形成される。このように、本実施形態の成膜装置においては、事前に均一に混合することが困難な複数種類の原料粉末を使用して、緻密で均質な複合材料膜を形成することができる。
In the film forming apparatus of the present embodiment, three sets of aerosol generators are provided, and aerosols containing different raw material powders are supplied from the aerosol generators to the respective
また、本実施形態の成膜装置では、整流ガス噴射口73a,73b,73c,73dがそれぞれ独立している。一般的な使い方ではこれらの整流ガス噴射口73a,73b,73c,73dから噴射する整流ガスの流速を同じに設定するが、各整流ガス噴射口73a,73b,73c,73dから噴射する整流ガスの流速を変化させてもよい。例えば、図10に模式的に示すように、整流ガス噴射口72aから噴射する整流ガスの流速を、整流ガス噴射口73bから噴射する整流ガスの流速よりも速くすると、エアロゾルは図10に矢印75で示す方向に曲がる。整流ガス噴射口73a,73bから噴射する整流ガスの流速を経時的に変化させることによりエアロゾルを一定の方向に走査することが可能になり、噴射ノズル71及び基板の位置を固定したまま、基板上の広い範囲に膜を形成することができる。
In the film forming apparatus of this embodiment, the rectifying
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。 Hereinafter, various aspects of the present invention will be collectively described as supplementary notes.
(付記1)原料粉末とキャリアガスとを混合してエアロゾルを発生するエアロゾル発生部と、
成膜室と、
前記成膜室内に配置された基板搭載部と、
整流ガスを供給する整流ガス供給部と、
前記エアロゾル生成部で生成されたエアロゾルを前記基板搭載部に搭載された基板に向けて噴射して膜を形成するエアロゾル噴射部と、
前記エアロゾル噴射部の周囲に配置され、前記整流ガス供給部から供給される整流ガスを前記エアロゾル噴射部から噴射されたエアロゾルの周囲に噴射する整流ガス噴射部と
を有することを特徴とする成膜装置。
(Appendix 1) An aerosol generating unit that generates an aerosol by mixing raw material powder and a carrier gas;
A deposition chamber;
A substrate mounting portion disposed in the film forming chamber;
A rectifying gas supply unit for supplying the rectifying gas;
An aerosol injection unit that forms a film by injecting the aerosol generated by the aerosol generation unit toward a substrate mounted on the substrate mounting unit;
And a rectifying gas injection unit that is arranged around the aerosol injection unit and injects the rectification gas supplied from the rectification gas supply unit around the aerosol injected from the aerosol injection unit. apparatus.
(付記2)前記整流ガス噴射部が、前記エアロゾル噴射部の周囲に環状に設けられていることを特徴とする付記1に記載の成膜装置。 (Additional remark 2) The said rectification | straightening gas injection part is cyclically | annularly provided around the said aerosol injection part, The film-forming apparatus of Additional remark 1 characterized by the above-mentioned.
(付記3)更に、前記成膜室内を減圧状態に維持する減圧装置を有することを特徴とする付記1に記載の成膜装置。 (Additional remark 3) Furthermore, it has a pressure-reduction apparatus which maintains the said film-forming chamber in a pressure-reduced state, The film-forming apparatus of Additional remark 1 characterized by the above-mentioned.
(付記4)前記キャリアガス及び前記整流ガスが同一のガス供給源から供給されることを特徴とする付記1に記載の成膜装置。 (Supplementary note 4) The film forming apparatus according to supplementary note 1, wherein the carrier gas and the rectifying gas are supplied from the same gas supply source.
(付記5)前記エアロゾル噴射部を複数有し、各エアロゾル噴射部にはそれぞれ異なる原料粉末を含むエアロゾルが供給されることを特徴とする付記1に記載の成膜装置。 (Additional remark 5) The film-forming apparatus of Additional remark 1 characterized by having two or more said aerosol injection parts, and each aerosol injection part is supplied with the aerosol containing a different raw material powder.
(付記6)前記整流ガス噴射部が前記エアロゾル噴射部の周囲に複数配置されていることを特徴とする付記1に記載の成膜装置。 (Supplementary note 6) The film forming apparatus according to supplementary note 1, wherein a plurality of the rectifying gas injection units are arranged around the aerosol injection unit.
(付記7)前記エアロゾル発生部で発生したエアロゾルを前記エアロゾル噴射部に送る配管の途中に、前記エアロゾルの流速を調整するためのアシストガスを供給する配管が接続されていることを特徴とする付記1に記載の成膜装置。 (Additional remark 7) The piping which supplies the assist gas for adjusting the flow velocity of the said aerosol is connected in the middle of the piping which sends the aerosol which generate | occur | produced in the said aerosol generation part to the said aerosol injection part. 2. The film forming apparatus according to 1.
(付記8)減圧雰囲気内に基板を配置する工程と、
前記基板に向けて原料粉末とキャリアガスとを混合してなるエアロゾルを噴射するとともに、前記エアロゾルの周囲に整流ガスを噴射して、前記基板上に膜を形成する工程と
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
(Appendix 8) Arranging a substrate in a reduced-pressure atmosphere;
And spraying an aerosol formed by mixing raw material powder and a carrier gas toward the substrate, and spraying a rectifying gas around the aerosol to form a film on the substrate. Manufacturing method for electronic parts.
(付記9)前記原料粉末として、セラミックの微粒子を使用することを特徴とする付記8に記載の電子部品の製造方法。 (Supplementary note 9) The method of manufacturing an electronic component according to supplementary note 8, wherein ceramic fine particles are used as the raw material powder.
(付記10)前記原料粉末として、導電性の微粒子を使用することを特徴とする付記8に記載の電子部品の製造方法。 (Supplementary note 10) The method for manufacturing an electronic component according to supplementary note 8, wherein conductive fine particles are used as the raw material powder.
11,22,71…噴射ノズル、
12,24,61…基板、
13…微粒子、
14,29…膜、
21…成膜室、
23…ステージ、
25…ステージ駆動部、
26…真空ポンプ、
27…メカニカルブースター、
31…エアロゾル発生部、
32,53…原料粉末、
33…加振器、
34…ガスボンベ、
41,42,43,44,45…配管、
51,72a,72b,72c…エアロゾル噴射口、
52,73a,73b,73c,73d…整流ガス噴射口、
62…導電体膜、
63…下部電極、
64…セラミック膜、
65…上部電極。
11, 22, 71 ... injection nozzle,
12, 24, 61 ... substrate,
13 ... fine particles,
14, 29 ... membrane,
21 ... deposition chamber,
23 ... stage,
25. Stage drive unit,
26 ... vacuum pump,
27 ... Mechanical booster,
31 ... Aerosol generator,
32, 53 ... Raw material powder,
33 ... Exciter,
34 ... Gas cylinder,
41, 42, 43, 44, 45 ... piping,
51, 72a, 72b, 72c ... aerosol injection port,
52, 73a, 73b, 73c, 73d ... Rectification gas injection port,
62 ... Conductor film,
63 ... lower electrode,
64: Ceramic membrane,
65: Upper electrode.
Claims (5)
成膜室と、
前記成膜室内に配置された基板搭載部と、
整流ガスを供給する整流ガス供給部と、
前記エアロゾル発生部で生成されたエアロゾルを前記基板搭載部に搭載された基板に向けて噴射して膜を形成するエアロゾル噴射部と、
前記エアロゾル噴射部の周囲に配置され、前記エアロゾル噴射部から噴射されたエアロゾルの周囲に前記エアロゾルの噴射方向と同じ方向に前記整流ガス供給部から供給される整流ガスを噴射する整流ガス噴射部とを有し、
前記エアロゾル発生部で発生したエアロゾルを前記エアロゾル噴射部に送る配管の途中に、前記エアロゾルの流速を調整するためのアシストガスを供給する配管が接続されていることを特徴とする成膜装置。 An aerosol generating unit for generating an aerosol by mixing raw material powder and a carrier gas;
A deposition chamber;
A substrate mounting portion disposed in the film forming chamber;
A rectifying gas supply unit for supplying the rectifying gas;
An aerosol injecting unit that injects the aerosol generated by the aerosol generating unit toward a substrate mounted on the substrate mounting unit to form a film;
A rectifying gas injection unit that is arranged around the aerosol injection unit and injects the rectification gas supplied from the rectification gas supply unit around the aerosol injected from the aerosol injection unit in the same direction as the injection direction of the aerosol; Have
A film forming apparatus , wherein a pipe for supplying an assist gas for adjusting a flow rate of the aerosol is connected to a middle of a pipe for sending the aerosol generated in the aerosol generating section to the aerosol injecting section .
前記基板に向けて原料粉末とキャリアガスとを混合してなるエアロゾルを噴射するとともに、前記エアロゾルの周囲に前記エアロゾルの噴射方向と同じ方向に整流ガスを噴射して、前記基板上に膜を形成する工程とを有し、
前記エアロゾルが通る配管の途中に、前記エアロゾルの流速を調整するためのアシストガスを供給することを特徴とする電子部品の製造方法。 Placing the substrate in a reduced pressure atmosphere;
An aerosol formed by mixing raw material powder and carrier gas is sprayed toward the substrate, and a rectifying gas is sprayed around the aerosol in the same direction as the aerosol spraying direction to form a film on the substrate. and a step of,
A method for manufacturing an electronic component, comprising supplying an assist gas for adjusting a flow rate of the aerosol in a middle of a pipe through which the aerosol passes .
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