JP5099347B2 - Light modulator - Google Patents

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

本発明は、光導波路素子に関し、特に、基板の厚さが15μm以下である光導波路素子に関する。   The present invention relates to an optical waveguide device, and more particularly to an optical waveguide device having a substrate thickness of 15 μm or less.

従来、光通信分野や光計測分野において、光波を制御する手段として、光スイッチや光変調器など、電気光学効果を有する基板に光導波路を形成した光導波路素子が多用されている。
光導波路素子の処理速度を高速化するには、光導波路を伝搬する光波と光波を制御する電気信号との速度整合を行なうこと、また、高速駆動が可能な電源を確保するため、光導波路素子の駆動電圧を低電圧化することなどが求められる。
Conventionally, in the optical communication field and the optical measurement field, an optical waveguide element in which an optical waveguide is formed on a substrate having an electro-optic effect, such as an optical switch or an optical modulator, is often used as a means for controlling an optical wave.
In order to increase the processing speed of the optical waveguide device, the optical waveguide device is used to perform speed matching between the light wave propagating through the optical waveguide and the electric signal for controlling the light wave, and to secure a power source capable of high-speed driving. Therefore, it is required to reduce the driving voltage of the above.

特許文献1では、図1に示すような断面形状を有する光導波路素子に対し、薄い電極膜厚で速度整合条件と低電極伝搬損失を達成しつつ、同時に駆動電圧Vπ・L(Vπは半波長電圧,Lは駆動電圧が印加される電極(作用部)の長さ)を低減可能とすることが開示されている。
特開2004−219600号公報
In Patent Document 1, for an optical waveguide element having a cross-sectional shape as shown in FIG. 1, while achieving a speed matching condition and a low electrode propagation loss with a thin electrode film thickness, a driving voltage Vπ · L (Vπ is a half wavelength) It is disclosed that the voltage L can reduce the length of the electrode (action part) to which the drive voltage is applied.
JP 2004-219600 A

特許文献1によると、電気光学効果を有する基板1に光導波路2を形成し、該光導波路2を伝搬する光波を制御する信号電極3と接地電極4を、図1に示すように配置した場合には、接地電極4と信号電極3とのギャップGに対する信号電極3の幅Wの比率W/Gが0.8以上とすることにより電極伝搬損失及び低膜厚電極による速度整合の実現並びに低駆動電圧化が可能であることが開示されていた。また好ましくは、基板本体1の厚さTが20μm以下とすることにより更に上記効果が顕著となる。しかしながら、特許文献1に開示の技術を利用すると、電極の幅Wが大きくなる場合には、信号線路のインピーダンスが低下し、インピーダンス不整合を発生させることとなる。   According to Patent Document 1, when an optical waveguide 2 is formed on a substrate 1 having an electro-optic effect, and a signal electrode 3 and a ground electrode 4 for controlling a light wave propagating through the optical waveguide 2 are arranged as shown in FIG. The ratio W / G of the width W of the signal electrode 3 to the gap G between the ground electrode 4 and the signal electrode 3 is set to 0.8 or more, so that the electrode propagation loss and the speed matching with the low-thickness electrode can be realized, It has been disclosed that a drive voltage can be achieved. Preferably, the above-described effect becomes more remarkable when the thickness T of the substrate body 1 is 20 μm or less. However, when the technique disclosed in Patent Document 1 is used, when the width W of the electrode is increased, the impedance of the signal line is lowered, and impedance mismatch is generated.

他方、速度整合を図るため、光導波路素子の基板を薄板化することが行なわれている。一般的に、基板を薄板化すると、光の閉じ込めが強くなる。このため、基板の厚い光導波路素子と比較し、シングルモードを維持するために必要な光導波路の幅は狭くなる。即ち、基板の厚さが100μm以上である場合には、シングルモードを維持する光導波路の幅は、6〜10μm程度である。しかし、基板の厚さが15μm以下の光導波路素子の場合には、光導波路の幅は6μm以下でもシングルモードで導波することが可能となる。   On the other hand, in order to achieve speed matching, the substrate of the optical waveguide element is thinned. Generally, when the substrate is thinned, light confinement becomes stronger. For this reason, the width of the optical waveguide required to maintain the single mode is narrower than that of the optical waveguide element having a thick substrate. That is, when the thickness of the substrate is 100 μm or more, the width of the optical waveguide that maintains the single mode is about 6 to 10 μm. However, in the case of an optical waveguide element having a substrate thickness of 15 μm or less, it is possible to guide in a single mode even if the width of the optical waveguide is 6 μm or less.

基板の厚さが15μm以下となる光導波路素子において、駆動電圧を低減するためには信号電極と接地電極との距離を小さくすることが望ましい。しかしながら、電極間距離であるギャップGを小さくすると、光導波路と電極との間が近接し、光導波路を伝搬する光波は電極に吸収又は散乱され、光伝搬損失が増加する原因ともなる。しかも、ギャップGが小さくなると信号線路のインピーダンスもさらに低下することとなる。
また、複数の光導波路の間隔が狭くなると、方向性結合器と同様に光波の乗り移り、所謂、クロストークが発生する原因となる。
In an optical waveguide device having a substrate thickness of 15 μm or less, it is desirable to reduce the distance between the signal electrode and the ground electrode in order to reduce the drive voltage. However, when the gap G, which is the distance between the electrodes, is reduced, the optical waveguide and the electrodes are close to each other, and light waves propagating through the optical waveguide are absorbed or scattered by the electrodes, which causes an increase in light propagation loss. Moreover, when the gap G is reduced, the impedance of the signal line is further reduced.
Further, when the interval between the plurality of optical waveguides is narrowed, the light wave is transferred as in the case of the directional coupler, and so-called crosstalk occurs.

本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、電気光学効果を有する基板の厚みが15μm以下の場合でも、駆動電圧Vπを低減し、光損失を抑制すると共に、インピーダンス整合を図ることが可能な光導波路素子を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to solve the above-described problems, and even when the thickness of the substrate having the electro-optic effect is 15 μm or less, the drive voltage Vπ is reduced, the optical loss is suppressed, and the impedance matching is performed. An optical waveguide device capable of achieving the above is provided.

上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、電気光学効果を有する材料で構成され、厚さが15μm以下の基板と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、該制御電極は、該光導波路を挟んで配置される信号電極と接地電極とから構成され、該信号電極の幅Wと該信号電極と該接地電極との間のギャップGとの比W/Gが0.7以下であり、該信号電極の幅Wは、15μm以下であり、該信号電極と接地電極との間のギャップGは、18μm以上であることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is made of a material having an electro-optic effect, having a thickness of 15 μm or less, and a high refractive index material doped into the substrate from the surface of the substrate. In an optical waveguide device having an optical waveguide to be formed and a control electrode for modulating and controlling a light wave propagating through the optical waveguide, the control electrode includes a signal electrode and a ground electrode arranged with the optical waveguide interposed therebetween. The ratio W / G between the width W of the signal electrode and the gap G between the signal electrode and the ground electrode is 0.7 or less, and the width W of the signal electrode is 15 μm or less Ri, the gap G between the signal electrode and the ground electrode is characterized der Rukoto than 18 [mu] m.

請求項2に係る発明は、請求項1に記載の光導波路素子において、該光導波路の端部と該端部に最も近い位置にある該制御電極の端部との距離dは、2μm以上であることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the optical waveguide element according to claim 1, wherein the distance d between the end of the optical waveguide and the end of the control electrode located closest to the end is 2 μm or more. It is characterized by being.

請求項1に係る発明により、電気光学効果を有する材料で構成され、厚さが15μm以下の基板と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、該制御電極は、該光導波路を挟んで配置される信号電極と接地電極とから構成され、該信号電極の幅Wと該信号電極と該接地電極との間のギャップGとの比W/Gが0.7以下であるため、マイクロ波の実効屈折率を下げ、光波とマイクロ波との速度整合を図ることができ、駆動電圧の低減を図りながら、インピーダンス整合を実現することが可能となる。さらに、信号電極の幅Wは、15μm以下であるため、インピーダンス整合をより容易に実現することが可能となる。   According to the invention of claim 1, a substrate made of a material having an electro-optic effect and having a thickness of 15 μm or less, and an optical waveguide formed by doping a high refractive index material into the substrate from the surface of the substrate, An optical waveguide element having a control electrode for modulating and controlling a light wave propagating through the optical waveguide, wherein the control electrode is composed of a signal electrode and a ground electrode arranged with the optical waveguide interposed therebetween, and the signal electrode Since the ratio W / G between the width W of the signal and the gap G between the signal electrode and the ground electrode is 0.7 or less, the effective refractive index of the microwave is lowered, and the speed matching between the light wave and the microwave is achieved. Therefore, impedance matching can be realized while reducing the driving voltage. Furthermore, since the width W of the signal electrode is 15 μm or less, impedance matching can be realized more easily.

さらに請求項1に係る発明により、信号電極と接地電極との間のギャップGは、18μm以上であるため、35〜55Ωの好適なインピーダンスを実現することが可能となる。Further, according to the first aspect of the present invention, since the gap G between the signal electrode and the ground electrode is 18 μm or more, a suitable impedance of 35 to 55Ω can be realized.

請求項2に係る発明により、光導波路の端部と該端部に最も近い位置にある該制御電極の端部との距離dは、2μm以上であるため、電極による光波の吸収・散乱を抑制し、光損失の増加を抑えることが可能となる。   According to the invention of claim 2, since the distance d between the end of the optical waveguide and the end of the control electrode located closest to the end is 2 μm or more, the absorption and scattering of light waves by the electrode are suppressed. As a result, an increase in optical loss can be suppressed.

以下、本発明を好適例を用いて詳細に説明する。
図2は、本発明の光導波路素子の一例を示す図である。
本発明の光導波路素子は、電気光学効果を有する材料で構成され、厚さTが15μm以下の基板1と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路2と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、該制御電極は、該光導波路2を挟んで配置される信号電極3と接地電極4とから構成され、該信号電極の幅Wと該信号電極と該接地電極との間のギャップGとの比W/Gが0.7以下であることを特徴とする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail using preferred examples.
FIG. 2 is a diagram showing an example of the optical waveguide device of the present invention.
The optical waveguide device of the present invention is made of a material having an electro-optic effect, and has a substrate 1 having a thickness T of 15 μm or less, and an optical waveguide formed by doping a high refractive index material into the substrate from the surface of the substrate 2 and a control electrode for modulating and controlling a light wave propagating through the optical waveguide, the control electrode includes a signal electrode 3 and a ground electrode 4 arranged with the optical waveguide 2 interposed therebetween. And the ratio W / G between the width W of the signal electrode and the gap G between the signal electrode and the ground electrode is 0.7 or less.

この構成により駆動電圧の低減を図りながら、インピーダンス整合を実現することが可能となる。しかも、光波とマイクロ波との速度整合、電極による光損失の低減、並びにクロストークの抑制にも効果的である。   With this configuration, it is possible to achieve impedance matching while reducing the drive voltage. In addition, it is effective for speed matching between light waves and microwaves, reduction of light loss due to electrodes, and suppression of crosstalk.

電気光学効果を有する基板1としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、及びこれらの組み合わせが利用可能である。特に、電気光学効果の高いニオブ酸リチウム(LN)やタンタル酸リチウム(LT)結晶が好適に利用される。   As the substrate 1 having an electro-optic effect, for example, lithium niobate, lithium tantalate, and combinations thereof can be used. In particular, lithium niobate (LN) or lithium tantalate (LT) crystals having a high electro-optic effect are preferably used.

光導波路の形成方法としては、Tiなどの高屈折率材料を熱拡散法やプロトン交換法などで、基板表面から基板内にドープすることにより形成することができる。
なお、本発明における高屈折率材料とは、基板を構成する材料より高屈折率な材料を意味するだけでなく、基板内に特定材料をドープすることで、該ドープした領域の屈折率が他の領域よりも高屈折率となるものである場合には、当該特定材料も高屈折率材料に含むものである。
The optical waveguide can be formed by doping a high refractive index material such as Ti into the substrate from the substrate surface by a thermal diffusion method or a proton exchange method.
Note that the high refractive index material in the present invention means not only a material having a higher refractive index than the material constituting the substrate, but also by doping a specific material into the substrate so that the refractive index of the doped region is other than that. In the case where the refractive index is higher than that of the region, the specific material is also included in the high refractive index material.

図2のように、光導波路2を伝搬する光波を変調制御するため、光導波路2を挟むように制御電極が配置される。
制御電極は、Ti・Auの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより、基板1の表面又は裏面などに形成することが可能である。また、制御電極は、変調信号(AC信号又はDC信号)を伝搬する信号電極と該信号電極の周囲に配置される接地電極から構成される。
As shown in FIG. 2, the control electrode is disposed so as to sandwich the optical waveguide 2 in order to control the modulation of the light wave propagating through the optical waveguide 2.
The control electrode can be formed on the front surface or the back surface of the substrate 1 by forming a Ti / Au electrode pattern, a gold plating method, or the like. The control electrode includes a signal electrode that propagates a modulation signal (AC signal or DC signal) and a ground electrode that is disposed around the signal electrode.

本発明の光導波路素子においては、基板1と制御電極との間にSiO2などのバッファ層を形成していない。バッファ層が存在することで、光導波路を伝搬する光波が制御電極により吸収又は散乱されることを効果的に防止したり、また、制御電極から印加されるマイクロ波と光導波路内を導波する光波との速度整合にも寄与する。しかしながら、本発明では、バッファ層が存在することによる駆動電圧の増加を懸念し、電極による吸収又は散乱を光導波路と電極との配置関係で回避し、速度整合については、基板を薄板化することで補っている。   In the optical waveguide device of the present invention, a buffer layer such as SiO 2 is not formed between the substrate 1 and the control electrode. The presence of the buffer layer effectively prevents the light wave propagating through the optical waveguide from being absorbed or scattered by the control electrode, and also guides the microwave applied from the control electrode and the inside of the optical waveguide. It also contributes to velocity matching with light waves. However, in the present invention, there is concern about an increase in driving voltage due to the presence of the buffer layer, absorption or scattering by the electrode is avoided by the arrangement relationship between the optical waveguide and the electrode, and the substrate is thinned for speed matching. It supplements with.

本発明の光導波路素子では、図2に示す光導波路の端部と該端部に最も近い位置にある該制御電極の端部との距離dは、2μm以上とすることにより、電極による光波の吸収・散乱を抑制し、光損失の増加を抑えている。距離dが2μm未満の場合には、電極による光損失の影響が顕著となる。また、距離dが大きくなると駆動電圧が増加する原因ともなるため、留意が必要である。   In the optical waveguide device of the present invention, the distance d between the end portion of the optical waveguide shown in FIG. 2 and the end portion of the control electrode closest to the end portion is set to 2 μm or more, so Absorption and scattering are suppressed, and an increase in light loss is suppressed. When the distance d is less than 2 μm, the influence of light loss due to the electrodes becomes significant. Also, it should be noted that the driving voltage increases as the distance d increases.

図2に示す光導波路素子の信号電極と接地電極とのギャップGについては、後述するように、好適なインピーダンスの範囲である35〜55Ωを実現するには、18μm以上とすることが好ましい。   The gap G between the signal electrode and the ground electrode of the optical waveguide element shown in FIG. 2 is preferably 18 μm or more in order to realize a suitable impedance range of 35 to 55Ω, as will be described later.

次に、光導波路素子の信号電極の幅Wについては、本発明のように、W/Gを0.7以下とすることにより、ギャップGの低下に伴うインピーダンスの低下をWの低下によるインピーダンスの増加で補うことで、インピーダンス整合を実現している。特に、信号電極の幅Wを15μm以下とすることにより、より効果的にインピーダンスを高めることができる。ただし、光導波路間のクロストークを防止するためには、伝搬する光波の波長の約5倍程度の距離を確保することが必要である。このため、通常、通信で使用される波長1.5μmの光波の場合には、安全率を20%確保して、光導波路間の距離は9μm以上となる。仮に、上記距離dを2μm、光導波路の幅3μmとすると、電極の幅Wは2μm以上が必要となる。   Next, with respect to the width W of the signal electrode of the optical waveguide element, by reducing W / G to 0.7 or less as in the present invention, the impedance decrease due to the decrease in the gap G can be reduced. By compensating for the increase, impedance matching is realized. In particular, the impedance can be increased more effectively by setting the width W of the signal electrode to 15 μm or less. However, in order to prevent crosstalk between the optical waveguides, it is necessary to secure a distance of about 5 times the wavelength of the propagating light wave. For this reason, in the case of a light wave having a wavelength of 1.5 μm that is usually used for communication, a safety factor of 20% is secured and the distance between the optical waveguides is 9 μm or more. If the distance d is 2 μm and the optical waveguide width is 3 μm, the electrode width W needs to be 2 μm or more.

光制御素子の制御電極の高さは、15μm以上に設定することで、マイクロ波の実効屈折率を下げ、光波とマイクロ波との速度整合も併せて実現できる。   By setting the height of the control electrode of the light control element to 15 μm or more, the effective refractive index of the microwave can be lowered, and speed matching between the light wave and the microwave can be realized.

次に、本発明の光導波路素子について、比率W/Gとインピーダンス整合との関係を調べるため、図2示す光導波路素子について、以下の条件の下でシミュレーションを行った。
・基板の材料:ニオブ酸リチウム
・基板の厚さ:15μm
・光導波路の幅:3μm
・制御電極(信号電極及び接地電極)の高さ:18〜30μm
・光導波路の位置:信号電極と接地電極との中間
・信号電極の幅W:2〜16μm
・信号電極と接地電極との間のギャップG:15〜20μm
Next, in order to investigate the relationship between the ratio W / G and impedance matching for the optical waveguide element of the present invention, a simulation was performed on the optical waveguide element shown in FIG. 2 under the following conditions.
・ Substrate material: Lithium niobate ・ Substrate thickness: 15 μm
・ Optical waveguide width: 3μm
Control electrode (signal electrode and ground electrode) height: 18-30 μm
-Position of optical waveguide: intermediate between signal electrode and ground electrode-Width W of signal electrode: 2-16 μm
・ Gap G between signal electrode and ground electrode: 15 to 20 μm

信号電極の幅W及び信号電極と接地電極との間のギャップGとを変化させた場合の、インピーダンス値を、図3に示す。
W及びGの単位は「μm」であり、図3の表の枠内の数字であるインピーダンス値の単位は「Ω」である。
枠内の数字で、「32〜40」と数値範囲で示したものは、下限値が制御電極の高さが30μmの場合のインピーダンス値であり、上限値が制御電極の高さが20μmの場合のインピーダンス値である。
また、枠内の数字が、単一の値として示したものは、制御電極の高さが20μmの場合のインピーダンス値である。
FIG. 3 shows impedance values when the width W of the signal electrode and the gap G between the signal electrode and the ground electrode are changed.
The unit of W and G is “μm”, and the unit of impedance value, which is a number in the frame of the table of FIG. 3, is “Ω”.
The numbers in the frame, indicated by the numerical range of “32 to 40”, are the impedance values when the lower limit value is 30 μm and the upper limit value is 20 μm when the control electrode height is 20 μm. Impedance value.
Moreover, what the number in a frame showed as a single value is an impedance value in case the height of a control electrode is 20 micrometers.

図3より、インピーダンス整合が可能な範囲(インピーダンス値35〜55Ω)は、制御電極の高さ20〜30μmで変化させた場合で、比率W/Gが0.7以下に存在することが容易に理解される。しかも、ギャップGが18μm以上の場合には、制御電極の高さが20〜30μmの範囲で変化しても、常に、好適なインピーダンス値(35〜55Ω)を実現することが可能である。なお、制御電極の高さが18μmの場合であっても、比率W/Gが0.7以下であり、ギャップGが18以上の場合には、好適なインピーダンス値を実現できることが確認されている。   From FIG. 3, the impedance matching range (impedance value of 35 to 55Ω) is easily changed when the control electrode height is 20 to 30 μm, and the ratio W / G is easily present at 0.7 or less. Understood. In addition, when the gap G is 18 μm or more, it is possible to always achieve a suitable impedance value (35 to 55Ω) even if the height of the control electrode changes in the range of 20 to 30 μm. Even when the height of the control electrode is 18 μm, it has been confirmed that when the ratio W / G is 0.7 or less and the gap G is 18 or more, a suitable impedance value can be realized. .

本発明によれば、電気光学効果を有する基板の厚みが15μm以下の場合でも、駆動電圧Vπを低減し、光損失を抑制すると共に、インピーダンス整合を図ることが可能な光導波路素子を提供することができる。   According to the present invention, there is provided an optical waveguide device capable of reducing the driving voltage Vπ, suppressing optical loss, and achieving impedance matching even when the thickness of the substrate having the electro-optic effect is 15 μm or less. Can do.

特許文献1に開示された光導波路素子の各パラメータを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows each parameter of the optical waveguide element disclosed by patent document 1. FIG. 本発明の光導波路素子の各パラメータを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows each parameter of the optical waveguide element of this invention. 比率W/Gに対するインピーダンス値を示す表である。It is a table | surface which shows the impedance value with respect to ratio W / G.

1 基板
2 光導波路
3 信号電極
4 接地電極
1 Substrate 2 Optical waveguide 3 Signal electrode 4 Ground electrode

Claims (2)

電気光学効果を有する材料で構成され、厚さが15μm以下の基板と、
該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路と、
該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、
該制御電極は、該光導波路を挟んで配置される信号電極と接地電極とから構成され、
該信号電極の幅Wと該信号電極と該接地電極との間のギャップGとの比W/Gが0.7以下であり、
該信号電極の幅Wは、15μm以下であり、
該信号電極と接地電極との間のギャップGは、18μm以上であることを特徴とする光導波路素子。
A substrate made of a material having an electro-optic effect and having a thickness of 15 μm or less;
An optical waveguide formed by doping a high refractive index material into the substrate from the surface of the substrate;
In an optical waveguide device having a control electrode for modulating and controlling a light wave propagating through the optical waveguide,
The control electrode is composed of a signal electrode and a ground electrode arranged with the optical waveguide interposed therebetween,
The ratio W / G between the width W of the signal electrode and the gap G between the signal electrode and the ground electrode is 0.7 or less;
Width W of the signal electrode state, and are less than 15μm,
Gap G, an optical waveguide device characterized der Rukoto than 18μm between the signal electrode and the ground electrode.
請求項1に記載の光導波路素子において、該光導波路の端部と該端部に最も近い位置にある該制御電極の端部との距離dは、2μm以上であることを特徴とする光導波路素子。   2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein a distance d between an end portion of the optical waveguide and an end portion of the control electrode closest to the end portion is 2 μm or more. element.
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