JP5094670B2 - エッチング装置、マイクロマシーン製造方法 - Google Patents
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Description
このエッチング装置100は、真空槽111を有しており、真空槽111の天井には、複数の誘電体ドーム124が設けられている。各誘電体ドーム124の内部には、それぞれアンテナ125が配置されており、各アンテナ125は、誘電体ドーム124内に配置された状態で、真空槽111の内部に突き出されている。
本発明の第二の課題は、パターン精度が高いエッチング技術を提供することにある。
また、本発明は、前記エッチング室に配置され、前記エッチング対象物が配置される基板電極と、前記基板電極に接続された交流電源と、前記ラジカル生成室内の各前記外側ドームの外部に反応性ガスを導入する反応性ガス導入系とを有するエッチング装置である。
また、本発明は、前記基板電極に配置された前記エッチング対象物を加熱する加熱装置を有するエッチング装置である。
また、本発明は、基板上に犠牲層が配置され、前記犠牲層上にパターニングされた構造層が配置され、前記構造層間に前記犠牲層が露出されたエッチング対象物の前記犠牲層をエッチングするマイクロマシーン製造方法であって、ラジカル生成室の内部とエッチング室の内部との間に接地電位に接続したフィルタを配置し、前記エッチング室内にエッチング対象物を配置しておき、前記ラジカル生成室内に突出された複数の外側ドームと、各前記外側ドームの内側にそれぞれ配置された内側ドームとの間の隙間に還元性ガスと酸化性ガスとを含有するエッチングガスを導入し、前記隙間に充満するエッチングガスに、各前記内側ドームの内側に配置されたアンテナからマイクロ波を照射してエッチングガスプラズマを形成し、前記エッチングガスプラズマ中で生成されたラジカルと前記エッチングガスプラズマとを、前記外側ドームに設けられた放出孔から前記ラジカル生成室内に放出させ、前記ラジカル生成室内部の前記外側ドームの外側に反応性ガスを導入し、前記外側ドームの外側の前記エッチングガスプラズマのエネルギーで前記反応性ガスのラジカルを生成し、前記還元性ガスのラジカルと、前記酸化性ガスのラジカルと、前記反応性ガスのラジカルとを、前記フィルタの小孔を通過させて前記ラジカル生成室から前記エッチング室内に移動させ、前記ラジカルを前記犠牲層に接触させ、前記犠牲層をエッチング除去するマイクロマシーン製造方法である。
また、本発明は、前記犠牲層のエッチングは前記エッチング対象物を加熱しながら行なうマイクロマシーン製造方法である。
また、本発明は、前記反応性ガスには化学構造中にフッ素原子を有するフッ素系ガスを用いるマイクロマシーン製造方法である。
また、本発明は、前記隙間内に、化学構造中に窒素原子を有する補助ガスを導入し、前記エッチングガスに前記補助ガスを含有させるマイクロマシーン製造方法である。
還元性ガスイオンによってエッチング対象物表面の酸化物を除去しながらラジカルによるエッチングを行なうので、エッチング速度が速い。
真空槽11の壁面(ここでは天井)にはラジカル放出装置12が設けられており、真空槽11内部の反対側の壁面(ここでは底壁)には、ラジカル放出装置12と対面する位置に、基板電極21が設けられている。
内側ドーム25の内側にはアンテナ24が配置されている。
外側ドーム26と内側ドーム25の間は所定距離だけ離間しており、外側ドーム26と内側ドーム25の間には隙間27が形成されている。
外側ドーム26には複数の放出孔28が形成されており、放出孔28によって、隙間27は外側ドーム26の外部雰囲気に接続されている。
ラジカル生成室3には反応性ガス導入系14が接続されており、外側ドーム26の周囲の雰囲気に反応性ガスを導入するように構成されている。
ガス供給系13と反応性ガス導入系14は、それぞれ流量制御装置を有しており、還元性ガスと酸化性ガスと補助ガスは、それぞれ流量制御しながら隙間27に導入される。
真空槽11の外部には、高周波電源17が配置されている。
隙間27内で形成されたプラズマは、放出孔28から外側ドーム26の外部に放出されて、このエネルギーで反応性ガスは解離する。
従って、還元性ガスと酸化性ガスと補助ガスのラジカルはエッチング室4内に進入し、基板電極21上に配置されたエッチング対象物22の表面と接触する。
このエッチング対象物22は、基板55上に、パターニングされた第一の構造層51を有しており、基板55上と第一の構造層51には有機物薄膜から成る犠牲層54が配置されており、第一の構造層51は犠牲層54によって埋設されている。
犠牲層54の表面上であって、第二の構造層52の上方位置には、第二の構造層52よりも幅広で、第二の構造層52の上端部を覆う第三の構造層53が配置されている。
第三の構造層53はパターニングされており、第三の構造層53の間に下層の犠牲層54の表面が露出されている。
エッチング対象物22が配置された基板電極21は金属製であり、交流電源19に接続されている。
還元性ガスは、水素ガス、気体の水、炭素を化学構造中に含むガス等であり、キャリアガスと共にエッチング室4に導入してもよい。
また、上記実施例では、犠牲層54に有機薄膜を用いたが、フッ素系の反応性ガスと反応した反応生成物が気体であり、反応性ガスのラジカルに対して第一〜第三の構造層51〜53よりもエッチング速度が速い物質であればよい。
4……エッチング室
10……エッチング装置
11……真空槽
13……ガス供給系
14……反応性ガス導入系
20……マイクロ波放出装置
21……基板電極
22……エッチング対象物
23……マイクロマシーン
24……アンテナ
25……内側ドーム
26……外側ドーム
27……隙間
28……放出孔
32a,32b……小孔
38……加熱装置
51〜53……構造層
54……犠牲層
Claims (7)
- ラジカル生成室と、
前記ラジカル生成室の内部に突き出され、ガス噴出孔が形成された複数の外側ドームと、
各前記外側ドームの内側にそれぞれ配置された内側ドームと、
前記外側ドームと前記内側ドームの間の隙間に、還元性ガスと酸化性ガスを供給するガス供給系と、
各前記内側ドームの内側に配置され、前記外側ドームと前記内側ドームによって二重に覆われ、覆われた前記内側ドームとその外側の前記外側ドームの間の前記隙間にマイクロ波を照射するアンテナと、
各前記外側ドームに形成され、前記隙間と前記外側ドームの外部雰囲気とを接続する複数の放出孔と、
エッチング対象物が配置されるエッチング室と、
前記ラジカル生成室の内部と前記エッチング室の内部との間に配置され、複数の小孔が形成され、接地電位に接続されたフィルタとを有するエッチング装置。 - 前記エッチング室に配置され、前記エッチング対象物が配置される基板電極と、
前記基板電極に接続された交流電源と、
前記ラジカル生成室内の各前記外側ドームの外部に反応性ガスを導入する反応性ガス導入系とを有する請求項1記載のエッチング装置。 - 前記基板電極に配置された前記エッチング対象物を加熱する加熱装置を有する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のエッチング装置。
- 基板上に犠牲層が配置され、前記犠牲層上にパターニングされた構造層が配置され、前記構造層間に前記犠牲層が露出されたエッチング対象物の前記犠牲層をエッチングするマイクロマシーン製造方法であって、
ラジカル生成室の内部とエッチング室の内部との間に接地電位に接続したフィルタを配置し、前記エッチング室内にエッチング対象物を配置しておき、
前記ラジカル生成室内に突出された複数の外側ドームと、各前記外側ドームの内側にそれぞれ配置された内側ドームとの間の隙間に還元性ガスと酸化性ガスとを含有するエッチングガスを導入し、前記隙間に充満するエッチングガスに、各前記内側ドームの内側に配置されたアンテナからマイクロ波を照射してエッチングガスプラズマを形成し、
前記エッチングガスプラズマ中で生成されたラジカルと前記エッチングガスプラズマとを、前記外側ドームに設けられた放出孔から前記ラジカル生成室内に放出させ、
前記ラジカル生成室内部の前記外側ドームの外側に反応性ガスを導入し、前記外側ドームの外側の前記エッチングガスプラズマのエネルギーで前記反応性ガスのラジカルを生成し、
前記還元性ガスのラジカルと、前記酸化性ガスのラジカルと、前記反応性ガスのラジカルとを、前記フィルタの小孔を通過させて前記ラジカル生成室から前記エッチング室内に移動させ、前記ラジカルを前記犠牲層に接触させ、前記犠牲層をエッチング除去するマイクロマシーン製造方法。 - 前記犠牲層のエッチングは前記エッチング対象物を加熱しながら行なう請求項4記載のマイクロマシーン製造方法。
- 前記反応性ガスには化学構造中にフッ素原子を有するフッ素系ガスを用いる請求項4又は請求項5のいずれか1項記載のマイクロマシーン製造方法。
- 前記隙間内に、化学構造中に窒素原子を有する補助ガスを導入し、前記エッチングガスに前記補助ガスを含有させる請求項4乃至請求項6のいずれか1項記載のマイクロマシーン製造方法。
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