JP5084830B2 - ポリマー層の表面をパターニングするための装置および方法 - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 29
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 3
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 claims 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004166 bioassay Methods 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
- G11B9/1472—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the form
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/002—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by perturbation of the physical or electrical structure
- G11B11/007—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by perturbation of the physical or electrical structure with reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as defined in G11B9/14
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
2000年3月のP.Vettiger等による「The millipede−more than 1,000 tips for future AFM data storage」、IBM社 Journal Research Development、Vol.44、No.3 超顕微法((Ultramicroscopy)42〜44(1992年)262
2つの表面の接着は、その上の凹凸をそれぞれ結合(インターロック)することによって調節できることが知られている。図2を参照すると、本発明の実施形態が使用可能な可逆的接着の応用例が示されている。ポリマー層1の第2の表面1bは、本発明の実施形態に従って、図1を参照しながら前述したように、複数の突出部4がその上に作成されるように構造化される。図2に示される例では、突出部4は関連付けられた負の電荷を有する。
ある種の粒子は、それらのサイズに基づいて、具体的に言えばナノメートル・スケールで、分離できることが望ましい。図3を参照すると、ある種の粒子のサイズ選択分離に関して、本発明の実施形態がどのように適用可能であるかが示されている。図3に示された例では、分離される粒子は同様に帯電している。
本発明の実施形態には、図4を参照しながら説明するような、印刷時のインクの転写に関する応用例も見ることができる。単なる例として、この領域における本発明の応用例は、関連付けられた正の電荷を有するインク分子9に関して説明される。同様に、この方法は、双極子、四極子などの高位電荷分布を伴う分子に対しても有効である。またこの方法は、双極静電相互作用を効果的に提供するイメージ電荷効果により、非帯電分子に対しても有効である。
Claims (20)
- ポリマー層の表面上に構造体を形成するための装置であって、
導電体を備える基板と、
前記基板上に第1の表面が設けられたポリマー層と、
前記装置の使用時に、前記ポリマー層の第2の表面と相互に作用し合う少なくとも1つの電極と、を備え、
前記装置の使用時に、前記少なくとも1つの電極に対し前記基板からの第1の電位を印加し、前記ポリマー層の前記第2の表面の少なくとも1つの選択された領域に電荷を注入し、それによって、前記ポリマー層の前記第2の表面上に前記ポリマー層の電荷誘導による突出部が形成されるように動作可能なことを特徴とする装置。 - 前記少なくとも1つの電極が、前記ポリマー層の前記第2の表面と接触していることによってその表面と相互に作用し合う、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電極が前記ポリマー層の前記第2の表面と接触するようになると、それが該表面に対して走査されるか、又は前記少なくとも1つの電極に負荷力が印加されるか、あるいはその両方によって、摩擦電気効果により電荷が前記第2の表面の前記少なくとも1つの選択された領域に注入される、請求項2に記載の装置。
- 接触しないことによって、前記少なくとも1つの電極が前記ポリマー層の前記第2の表面と相互に作用し合う、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電極と前記ポリマー層の前記第2の表面との間の距離が少なくとも1nmである、請求項4に記載の装置。
- 前記装置が、前記電荷誘導による突出部が形成されている領域内で前記ポリマー層の前記第2の表面と相互に作用し合っている前記少なくとも1つの電極に、第2の電位を与えるように動作可能であり、前記第2の電位は、前記第1の電位とは反対の極性を有しており、前記第2の表面の前記少なくとも1つの選択された領域を帯電していない中性状態に戻す、前記請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 熱、紫外線照射、又はそれらの組み合わせを前記ポリマー層に印加し、これにより前記電荷誘導による突出部が除去されるように動作可能である、前記請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ポリマー層を100℃から200℃の温度まで加熱する手段を備える、請求項7に記載の装置。
- 前記ポリマー層がポリスチレン−r−ベンゾシクロブテン30%ランダム共重合体、PS−30%−BCBを備える、前記請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ポリマー層が、架橋性の非導電性重合体を備える、前記請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電極が、パターン化された構造を有する表面を介して、前記ポリマー層の前記第2の表面と相互に作用し合し、パターン化された複数の位置で電荷を注入し電荷誘導による突出部を形成することを特徴とする、前記請求項1から10のいずれか一項に記載の装置。
- ポリマー層の表面上に構造体を形成するための方法であって、前記ポリマー層の第1の表面が、導電体を備える基板上に設けられており、前記方法は、
少なくとも1つの電極と前記ポリマー層の第2の表面とを相互に作用させるステップと、
前記少なくとも1つの電極に対し前記基板からの第1の電位を印加し、前記ポリマー層の前記第2の表面の少なくとも1つの選択された領域に電荷を注入し、それによって前記ポリマー層の前記第2の表面上に、前記ポリマー層の電荷誘導による突出部を形成させるステップと、
を備えた方法。 - 前記少なくとも1つの電極が、前記ポリマー層の前記第2の表面と接触していることによってその表面と相互に作用し合う、請求項12に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの電極が前記ポリマー層の前記第2の表面と接触するようになると、前記ポリマー層の前記第2の表面に対して前記少なくとも1つの電極を走査するステップ又は、前記少なくとも1つの電極に負荷力を印加するステップあるいはその両方をさらに備え、これよって、摩擦電気効果により電荷が前記第2の表面の前記少なくとも1つの選択された領域に注入される、請求項13に記載の方法。
- 接触しないことによって、前記少なくとも1つの電極が前記ポリマー層の前記第2の表面と相互に作用し合う、請求項12に記載の方法。
- 前記突出部が形成されている領域内で前記ポリマー層の前記第2の表面と相互に作用し合っている、前記少なくとも1つの電極に、第2の電位を印加するステップをさらに備え、前記第2の電位は、前記第1の電位とは反対の極性を有しており、前記第2の表面の前記少なくとも1つの選択された領域を帯電していない中性状態に戻すようにされている、請求項12から15のいずれか一項に記載の方法。
- 熱、紫外線照射、又はそれらの組み合わせを前記ポリマー層に印加し、これにより前記電荷誘導による突出部が除去されるステップを更に備えた、請求項12から16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ポリマー層がポリスチレン−r−ベンゾシクロブテン30%ランダム共重合体、PS−30%−BCBを備える、請求項12から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ポリマー層が、架橋性の非導電性重合体を備える、請求項12から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの電極が、パターン化された構造を有する表面を介して、前記ポリマー層の前記第2の表面と相互に作用し合し、パターン化された複数の位置で電荷を注入し電荷誘導による突出部を形成することを特徴とする、請求項12から19のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06118094 | 2006-07-28 | ||
EP06118094.9 | 2006-07-28 | ||
PCT/IB2007/052869 WO2008012734A2 (en) | 2006-07-28 | 2007-07-18 | Device and method for patterning a surface of a polymer layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009544498A JP2009544498A (ja) | 2009-12-17 |
JP5084830B2 true JP5084830B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=38846967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009521398A Expired - Fee Related JP5084830B2 (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-18 | ポリマー層の表面をパターニングするための装置および方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100059383A1 (ja) |
EP (1) | EP2047470A2 (ja) |
JP (1) | JP5084830B2 (ja) |
CN (1) | CN101496106A (ja) |
WO (1) | WO2008012734A2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
PL3222795T3 (pl) * | 2016-03-23 | 2023-01-02 | Li & Co AG | Element okładzinowy ścienny lub podłogowy |
CN112895408B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-05-20 | 杭州电子科技大学 | 基于相场模型的聚合物表面微结构可控成形机理研究方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02153365A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 原版複製方法 |
JPH04143942A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-18 | Canon Inc | トラック形成方法 |
US6713238B1 (en) * | 1998-10-09 | 2004-03-30 | Stephen Y. Chou | Microscale patterning and articles formed thereby |
EP1297387A2 (en) * | 2000-06-30 | 2003-04-02 | President And Fellows of Harvard College | Electric microcontact printing method and apparatus |
US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
EP1512048B1 (en) * | 2001-05-16 | 2007-03-07 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
WO2004049323A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Griffith University | Nano-fabricated data storage device and operation and production methods therefor |
-
2007
- 2007-07-18 JP JP2009521398A patent/JP5084830B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-18 CN CN200780027920.0A patent/CN101496106A/zh active Pending
- 2007-07-18 US US12/375,417 patent/US20100059383A1/en not_active Abandoned
- 2007-07-18 EP EP07805193A patent/EP2047470A2/en not_active Withdrawn
- 2007-07-18 WO PCT/IB2007/052869 patent/WO2008012734A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009544498A (ja) | 2009-12-17 |
CN101496106A (zh) | 2009-07-29 |
US20100059383A1 (en) | 2010-03-11 |
WO2008012734A3 (en) | 2008-04-03 |
WO2008012734A2 (en) | 2008-01-31 |
EP2047470A2 (en) | 2009-04-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20110826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110826 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111027 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120814 |
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RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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