JP5079858B2 - Ｌｅｄ駆動回路 - Google Patents

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Description

本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を駆動するＬＥＤ駆動回路に関する。
ＬＥＤは低消費電流で長寿命などの特徴を有し、表示装置だけでなく照明器具等にもその用途が広がりつつある。なお、ＬＥＤ照明器具では、所望の照度を得るために、複数個のＬＥＤを使用する場合が多い。
また、ＬＥＤは定格電流値を越える電流を流すと寿命が短くなるため、ＬＥＤを定電流で駆動するか、電流制限をかけてＬＥＤに一定以上の電流が流れないようにしなければならない。
一般的な照明器具は商用ＡＣ１００Ｖ電源を使用することが多く、白熱球などに代えてＬＥＤ照明器具を使用する場合などを考慮すると、ＬＥＤ照明器具も一般的な照明器具と同様に商用ＡＣ１００Ｖ電源を使用する構成であることが望ましい。
ここで、ＬＥＤ照明器具に用いることができる従来のＬＥＤ駆動回路の一構成例（特許文献１参照）を図２０に示す。図２０に示す従来のＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤを定電流で駆動するＬＥＤ駆動回路であって、ブリッジダイオード２と、抵抗Ｒ２０＿２と、定電流回路Ａ２０とによって構成されている。定電流回路Ａ２０は、ＮＰＮトランジスタＱ２０と、抵抗Ｒ２０＿１と、ツェナーダイオードＺＤ２０からなる。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の出力側には、複数のＬＥＤの直列接続体であるＬＥＤモジュール３、ＮＰＮトランジスタＱ２０、及び抵抗Ｒ２０＿１が、ブリッジダイオード２の正極側出力端からＬＥＤモジュール３、ＮＰＮトランジスタＱ２０、抵抗Ｒ２０＿１の順に直列接続されている。ブリッジダイオード２とＬＥＤモジュール３との接続点に抵抗Ｒ２０＿２の一端が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２０のベースに抵抗Ｒ２０＿２の他端及びツェナーダイオードＺＤ２０のカソードが接続され、抵抗Ｒ２０＿１とブリッジダイオード２との接続点にツェナーダイオードＺＤ２０のアノードが接続される。
このような構成によると、商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られる。定電流回路Ａ２０では、ＮＰＮトランジスタＱ２０のベース電位はツェナーダイオードＺＤ２０のツェナー電圧ＶＺでクランプされ一定であるので、ＮＰＮトランジスタＱ２０のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥＱ２０とすると、抵抗Ｒ２０＿１の両端電圧は（ＶＺ−ＶＢＥＱ２０）となり、抵抗Ｒ２０＿１の抵抗値をＲ２０＿１とすると、抵抗Ｒ２０＿１に流れる電流は（ＶＺ−ＶＢＥＱ２０）／Ｒ２０＿１で一定となる。すなわち、ＬＥＤモジュール３に流れる電流は（ＶＺ−ＶＢＥＱ２０）／Ｒ２０＿１で一定となる。
特開２０００−２６０５７８号公報（第１図） 特開２００７−２５８２２７号公報 特開平１１−３０７８１５号公報
一般的に、ツェナーダイオードの電圧の温度特性は正（温度が高くなると電圧が上がる）であり、トランジスタのベース-エミッタ間電圧の温度特性は負（温度が高くなると電圧が下がる）であり、抵抗の温度特性は正（温度が高くなると抵抗値が上がる）であるので、定電流回路Ａ１の温度特性は正（温度が高くなると定電流値が上がる）となってしまう。したがって、図２０に示す従来のＬＥＤ駆動回路では、温度が上昇するとＬＥＤに一定以上の電流が流れるおそれがある。
そして、図２０に示す従来のＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３やＬＥＤ駆動回路が高温になってしまっても、過熱保護を行うための部品や回路が設けられていないため、周囲温度が異常に高温になったりＬＥＤモジュール３のアノード端子−カソード端子間のショートなどが生じたりする場合、最悪ＬＥＤモジュール３やＬＥＤ駆動回路の破壊に至ってしまうおそれがある。また、負荷が白熱電球の場合は最終的にフィラメントが切れてオープンモードとなるが、ＬＥＤモジュール３及びＬＥＤ駆動回路を構成する部品は半導体であるためショートモードとなってしまうことが考えられる。ＬＥＤモジュール３又はＬＥＤ駆動回路を構成する部品がショートするような最悪の場合でも発煙、発火ということがないようにしなければならない。
尚、一般的な保護素子や温度検出素子としてポジスタなど各種素子があるが、いずれの素子も定格電圧や定格電力が低く、直流の定電圧を生成せずに商用電源を直接ＬＥＤ駆動回路に接続して脈流電流でＬＥＤを駆動させる場合、その使用に制限がある。
本発明は、上記の状況に鑑み、脈流電流でＬＥＤを駆動させ、過熱保護機能を有するＬＥＤ駆動回路を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係るＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、定電流回路と、前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続される構成とする。さらに、前記過熱保護部が、前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び第１の定電流源と、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される第２の定電流源とを備え、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記第２の定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにする。或いは、前記過熱保護部が、前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び抵抗素子と、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源とを備え、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにする。或いは、前記過熱保護部が、前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び第１の抵抗素子と、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される第2の抵抗素子とを備え、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記正の温度特性を持った抵抗及び前記第２の抵抗素子を流れる電流の値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにする。
また、上記目的を達成するために本発明に係るＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、定電流回路と、前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続される構成とする。さらに、前記過熱保護部が、ＮＰＮトランジスタと、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる負の温度特性を持った抵抗とを備え、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタ及びコレクタが、前記定電流回路から出力される定電流が流れる経路に接続されているようにする。
また、上記目的を達成するために本発明に係るＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、定電流回路と、前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続される構成とする。さらに、前記定電流回路のオン/オフを切り替えるスイッチ回路を備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路と前記スイッチ回路とが直列接続され、前記過熱保護部が前記スイッチ回路を制御するようにする。この場合、例えば、前記過熱保護部が、前記スイッチ回路の制御端子にバイアス電流を供給するバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのベースに一端が接続される負の温度特性を持った抵抗とを備え、前記負の温度特性を持った抵抗の抵抗値に応じて前記バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧が可変するようにしてもよく、或いは、前記過熱保護部が、前記スイッチ回路の制御端子に供給されるバイアス電流を引き抜くＮＰＮトランジスタと、前記ＮＰＮトランジスタのベースに一端が接続される正の温度特性を持った抵抗とを備え、前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値に応じて前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧が可変するようにしてもよい。さらに、前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、前記バイポーラトランジスタ又は前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにしてもよく、或いは、前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、前記バイポーラトランジスタ又は前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにしてもよい。
また、上記目的を達成するために本発明に係るＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、定電流回路と、前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続される構成とする。さらに、前記過熱保護部が、前記定電流回路に供給されるバイアス電流を引き抜くＮＰＮトランジスタと、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる正の温度特性を持った抵抗とを備えるようにする。さらに、例えば、前記過熱保護部が前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにしてもよく、或いは、前記過熱保護部が前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記正の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であるようにしてもよい。これらの場合、前記過熱保護部が、前記正の温度特性を持った抵抗とは別の抵抗である正の温度特性を持った別抵抗を備え、前記正の温度特性を持った別抵抗が、前記定電流回路にバイアス電流を供給する経路に設けられているようにしてもよい。
また、前記定電流回路が、例えば、第１の抵抗と、ツェナーダイオードと、前記第１の抵抗の一端がエミッタに接続され、前記ツェナーダイオードの一端がベースに接続される第１のバイポーラトランジスタとを備えるようにしてもよく、或いは、第１のバイポーラトランジスタと、第２のバイポーラトランジスタと、前記第２のバイポーラトランジスタのベースに一端が接続される第１の抵抗と、前記第１のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる第２の抵抗とを備え、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタと前記第２のバイポーラトランジスタのベースとが互いに接続され、前記第１のバイポーラトランジスタのベースと前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタとが互いに接続されるようにしてもよい。
また、前記スイッチ回路が、例えば、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備えるようにしてもよい。
また、前記定電流回路のオン/オフを切り替えるスイッチ回路を備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路と前記スイッチ回路とが直列接続され、前記過熱保護部が前記スイッチ回路を制御するように、前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備えるようにした場合、前記過熱保護部が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートにバイアス電流を供給する経路に設けられる正の温度特性を持った抵抗と、前記サイリスタ又はトライアックのゲートと前記整流回路の負極側出力端との間に設けられる抵抗素子とを備えるようにしてもよい。さらに、前記過熱保護部が、前記抵抗素子に並列接続される容量を備えるようにしてもよい。
また、前記定電流回路のオン/オフを切り替えるスイッチ回路を備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路と前記スイッチ回路とが直列接続され、前記過熱保護部が前記スイッチ回路を制御するように、前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備えるようにした場合、前記過熱保護部が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートに一端が接続される正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗の他端と前記整流回路の負極側出力端との間に設けられる抵抗素子とを備えるようにしてもよい。さらに、前記過熱保護部が、前記正の温度特性を持った抵抗とは別の抵抗である正の温度特性を持った別抵抗を備え、前記正の温度特性を持った別抵抗が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートにバイアス電流を供給する経路に設けられているようにしてもよい。
また、前記過熱保護部が、前記定電流回路が所定温度以上になったときに前記定電流回路の出力を制限するようにしてもよい。
また、前記過熱保護部が、前記ＬＥＤを内蔵したＬＥＤモジュールが所定温度以上になったときに前記定電流回路の出力を制限するようにしてもよい。
本発明に係るＬＥＤ駆動回路によると、ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、定電流回路と、前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続されるので、脈流電流でＬＥＤを駆動させ、過熱保護機能を発揮することができる。
は、本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の一構成例を示す図である。 は、本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の他の構成例を示す図である。 は、本発明の第８実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第９実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、定電流回路の構成例を示す図である。 は、定電流回路の構成例を示す図である。 は、定電流回路の構成例を示す図である。 は、定電流回路の構成例を示す図である。 は、スイッチ回路の構成例を示す図である。 は、スイッチ回路の構成例を示す図である。 は、本発明の第１０実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第１１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第１２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第１３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、従来のＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第１４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第１５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。 は、本発明の第１６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す図である。
本発明に係るＬＥＤ駆動回路の実施形態について図面を参照して以下に説明する。本発明に係るＬＥＤ駆動回路は、例えば照明機器や電光表示機器に使用される。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図１に示す。図１に示す本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ１及びＢ１と、ＰＮＰトランジスタＱ１と、抵抗Ｒ１と、ＮＴＣサーミスタなどの負の温度特性を持つ抵抗（以下、負温度特性抵抗という）ＲＮ１とによって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ１の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ１の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタがＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、ＰＮＰトランジスタＱ１のコレクタが抵抗Ｒ１を介して定電流回路Ａ１のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。さらに、負温度特性抵抗ＲＮ１がＰＮＰトランジスタＱ１のベース−エミッタ間に設けられ、定電流回路Ｂ１がＰＮＰトランジスタＱ１のベースとブリッジダイオード２の他方の出力端との間に設けられる。
ＰＮＰトランジスタＱ１は、定電流回路Ｂ１によって駆動され、定電流回路Ａ１のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流を供給する。図１に示す本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ１の出力制限を、ＰＮＰトランジスタＱ１が抵抗Ｒ１を介して定電流回路Ａ１のバイアス電流端子Ｔ３に供給するバイアス電流を制限することによって行っている。このため、ＰＮＰトランジスタＱ１の負担が軽くなり、ＰＮＰトランジスタＱ１に比較的小さなトランジスタを用いて定電流回路Ａ１の出力制限を行うことができる。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ１で設定された値（定電流回路Ａ１の定電流値）となる。
ここで、図１に示す本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、負温度特性抵抗ＲＮ１の抵抗値が減少するので、ＰＮＰトランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧が減少し、定電流回路Ａ１のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流も減少するので、定電流回路Ａ１の定電流値も制限される。そして、図１に示す本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＰＮＰトランジスタＱ１はオフ状態になり、定電流回路Ａ１のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ１はオフ状態になる。
負温度特性抵抗ＲＮ１は、ＰＮＰトランジスタＱ１のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、定電流回路Ｂ１は、ＰＮＰトランジスタＱ１にベース電流を供給する回路であり、定電流回路Ｂ１の定電流値は定電流回路Ａ１のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＰＮＰトランジスタＱ１のｈパラメータ）であるので、その定電流値を適切な値に設定すれば、過熱保護動作によりＰＮＰトランジスタＱ１がオフ状態になることを考慮しても定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図２に示す。図２に示す本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ２及びＢ２と、ＰＮＰトランジスタＱ２と、抵抗Ｒ２と、負温度特性抵抗ＲＮ２とによって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードがＰＮＰトランジスタＱ２のエミッタに接続され、ＰＮＰトランジスタＱ２のコレクタが定電流回路Ａ２の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ２の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、ＰＮＰトランジスタＱ２のコレクタが抵抗Ｒ２を介して定電流回路Ａ２のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。さらに、負温度特性抵抗ＲＮ２がＰＮＰトランジスタＱ２のベース−エミッタ間に設けられ、定電流回路Ｂ２がＰＮＰトランジスタＱ２のベースとブリッジダイオード２の他方の出力端との間に設けられる。
ＰＮＰトランジスタＱ２は、定電流回路Ｂ２によって駆動される。商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ２で設定された値（定電流回路Ａ２の定電流値）となる。
ここで、図２に示す本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、負温度特性抵抗ＲＮ２の抵抗値が減少するので、ＰＮＰトランジスタＱ２のベース−エミッタ間電圧が減少し、定電流回路Ａ２の定電流値も制限される。そして、図２に示す本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＰＮＰトランジスタＱ２はオフ状態になり、定電流回路Ａ２はオフ状態になる。
負温度特性抵抗ＲＮ２は、ＰＮＰトランジスタＱ２のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、定電流回路Ｂ２は、ＰＮＰトランジスタＱ２にベース電流を供給する回路であり、定電流回路Ｂ２の定電流値は定電流回路Ａ２の出力電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＰＮＰトランジスタＱ２のｈパラメータ）であるので、その定電流値を適切な値に設定すれば、過熱保護動作によりＰＮＰトランジスタＱ２がオフ状態になることを考慮しても定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図３に示す。図３に示す本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ３と、ＰＮＰトランジスタＱ３と、抵抗Ｒ３＿１及び３＿２と、負温度特性抵抗ＲＮ３とによって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ３の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ３の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、ＰＮＰトランジスタＱ３のエミッタがＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、ＰＮＰトランジスタＱ３のコレクタが抵抗Ｒ３＿１を介して定電流回路Ａ３のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。さらに、負温度特性抵抗ＲＮ３がＰＮＰトランジスタＱ３のベース−エミッタ間に設けられ、抵抗３＿２がＰＮＰトランジスタＱ３のベースとブリッジダイオード２の他方の出力端との間に設けられる。
ＰＮＰトランジスタＱ３は、負温度特性抵抗ＲＮ３と抵抗Ｒ３＿２とによって駆動され、定電流回路Ａ３のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流を供給する。図３に示す本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ３の出力制限を、ＰＮＰトランジスタＱ３が抵抗Ｒ３＿１を介して定電流回路Ａ３のバイアス電流端子Ｔ３に供給するバイアス電流を制限することによって行っている。このため、ＰＮＰトランジスタＱ３の負担が軽くなり、ＰＮＰトランジスタＱ３に比較的小さなトランジスタを用いて定電流回路Ａ３の出力制限を行うことができる。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ３で設定された値（定電流回路Ａ３の定電流値）となる。
ここで、図３に示す本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、負温度特性抵抗ＲＮ３の抵抗値が減少するので、ＰＮＰトランジスタＱ３のベース−エミッタ間電圧が減少し、定電流回路Ａ３のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流も減少するので、定電流回路Ａ３の定電流値も制限される。そして、図３に示す本発明の第３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＰＮＰトランジスタＱ３はオフ状態になり、定電流回路Ａ３のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ３はオフ状態になる。
負温度特性抵抗ＲＮ３は、ＰＮＰトランジスタＱ３のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、抵抗３＿２は、ＰＮＰトランジスタＱ３にベース電流を供給しており、抵抗３＿２を流れる電流は定電流回路Ａ３のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＰＮＰトランジスタＱ３のｈパラメータ）であるので、抵抗３＿２を流れる電流を適切な値に設定すれば、過熱保護動作によりＰＮＰトランジスタＱ３がオフ状態になることを考慮しても定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
尚、図１に示す構成から図３に示す構成への変形と同様の変形を図２に示す構成に対して行うこと、すなわち、定電流回路Ｂ２の代わりに適切な抵抗値の抵抗を設けることも可能である。
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図４に示す。図４に示す本発明の第４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ４と、ＮＰＮトランジスタＱ４と、抵抗Ｒ４＿１及び４＿２と、負温度特性抵抗ＲＮ４とによって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ４の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ４の定電流端子Ｔ２がＮＰＮトランジスタＱ４のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ４のエミッタがブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、ＬＥＤモジュール３のカソードが抵抗Ｒ４＿１を介して定電流回路Ａ４のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。さらに、抵抗４＿２がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ４のベースとの間に設けられ、負温度特性抵抗ＲＮ４がＮＰＮトランジスタＱ４のベース−エミッタ間に設けられる。
ＮＰＮトランジスタＱ４は、抵抗Ｒ４＿２と負温度特性抵抗ＲＮ４とによって駆動される。商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ４で設定された値（定電流回路Ａ４の定電流値）となる。
ここで、図４に示す本発明の第４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、負温度特性抵抗ＲＮ４の抵抗値が減少するので、ＮＰＮトランジスタＱ４のベース−エミッタ間電圧が減少し、定電流回路Ａ４の定電流値も制限される。そして、図４に示す本発明の第４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ４はオフ状態になり、定電流回路Ａ４はオフ状態になる。
負温度特性抵抗ＲＮ４は、ＮＰＮトランジスタＱ４のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、抵抗４＿２は、ＮＰＮトランジスタＱ４にベース電流を供給しており、抵抗４＿２を流れる電流は定電流回路Ａ４の出力電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ４のｈパラメータ）であるので、抵抗４＿２を流れる電流を適切な値に設定すれば、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ４がオフ状態になることを考慮しても定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図５に示す。図５に示す本発明の第５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ５及びＢ５と、スイッチ回路Ｃ５と、抵抗Ｒ５＿１及びＲ５＿２と、ＮＰＮトランジスタＱ５と、負温度特性抵抗ＲＮ５とによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ５は、制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流が所定値以上であれば、接点端子Ｔ４−接点端子Ｔ５間が導通状態になり、制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流が所定値未満であれば、接点端子Ｔ４−接点端子Ｔ５間が非導通状態になる回路である。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ５の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ５の定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ５の接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ５の接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ５＿１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ５＿１の他端が定電流回路Ａ５のバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ５＿２の一端に接続され、抵抗Ｒ５＿２の他端がＮＰＮトランジスタＱ５のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ５のエミッタがスイッチ回路Ｃ５の制御端子Ｔ６に接続される。さらに、定電流回路Ｂ５がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ５のベースとの間に設けられ、負温度特性抵抗ＲＮ５がＮＰＮトランジスタＱ５のベースとブリッジダイオード２の他方の出力端との間に設けられる。
ＮＰＮトランジスタＱ５は、定電流回路Ｂ５によって駆動され、スイッチ回路Ｃ５の制御端子Ｔ６にバイアス電流を供給する。図５に示す本発明の第５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ５の出力制限を、スイッチ回路Ｃ５のバイアス電流を制限することによって行っている。このため、ＮＰＮトランジスタＱ５の負担が軽くなり、ＮＰＮトランジスタＱ５に比較的小さなトランジスタを用いて定電流回路Ａ５の出力制限を行うことができる。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ５で設定された値（定電流回路Ａ５の定電流値）となる。
ここで、図５に示す本発明の第５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、負温度特性抵抗ＲＮ５の抵抗値が減少するので、ＮＰＮトランジスタＱ５のベース−エミッタ間電圧が減少し、スイッチ回路Ｃ５の制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流も減少するので、定電流回路Ａ５の定電流値も制限される。そして、図５に示す本発明の第５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ５はオフ状態になり、スイッチ回路Ｃ５の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ５はオフ状態になる。
負温度特性抵抗ＲＮ５は、ＮＰＮトランジスタＱ５のベースに接続されているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、定電流回路Ｂ５は、ＮＰＮトランジスタＱ５にベース電流を供給する回路であり、定電流回路Ｂ５の定電流値はスイッチ回路Ｃ５の制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ５のｈパラメータ）であるので、その定電流値を適切な値に設定すれば、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ５がオフ状態になることを考慮しても定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第６実施形態＞
本発明の第６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図６に示す。図６に示す本発明の第６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ６及びＢ６と、スイッチ回路Ｃ６と、抵抗Ｒ６＿１及びＲ６＿２と、ＮＰＮトランジスタＱ６と、ＰＴＣサーミスタなどの正の温度特性を持つ抵抗（以下、正温度特性抵抗という）ＲＰ６とによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ６は、制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流が所定値以上であれば、接点端子Ｔ４−接点端子Ｔ５間が導通状態になり、制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流が所定値未満であれば、接点端子Ｔ４−接点端子Ｔ５間が非導通状態になる回路である。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ６の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ６の定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ６の接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ６の接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ６＿１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ６＿１の他端が定電流回路Ａ６のバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ６＿２の一端に接続され、抵抗Ｒ６＿２の他端がスイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６及びＮＰＮトランジスタＱ６のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ６のエミッタがブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、定電流回路Ｂ６がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ６のベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ６がＮＰＮトランジスタＱ６のベース−エミッタ間に設けられる。
定電流回路Ｂ６から正温度特性抵抗ＲＰ６へ電流が流れているが、常温ではＮＰＮトランジスタＱ６はオフ状態となるような定電流回路Ｂ６の定電流値及び正温度特性抵抗ＲＰ６の抵抗値を設定する。また、ＬＥＤモジュール３のカソードから抵抗Ｒ６＿１及びＲ６＿２を介してスイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ６で設定された値（定電流回路Ａ６の定電流値）となる。
ここで、図６に示す本発明の第６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ６の抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ６のベース−エミッタ間電圧が増加し、ＮＰＮトランジスタＱ６がスイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流を減少させるので、定電流回路Ａ６の定電流値も制限される。そして、図６に示す本発明の第６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ６はスイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流を全て引き抜き、スイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ６はオフ状態になる。
図６に示す本発明の第６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ６の出力制限を、スイッチ回路Ｃ６のバイアス電流を制限することによって行っている。このため、ＮＰＮトランジスタＱ６の負担が軽くなり、ＮＰＮトランジスタＱ６に比較的小さなトランジスタを用いて定電流回路Ａ６の出力制限を行うことができる。
正温度特性抵抗ＲＰ６は、ＮＰＮトランジスタＱ６のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、定電流回路Ｂ６は、ＮＰＮトランジスタＱ６にベース電流を供給する回路であり、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ６がオン状態になったときにＮＰＮトランジスタＱ６がスイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流を全て引き抜くようにするためには、スイッチ回路Ｃ６の制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ６のｈパラメータ）以上の電流を供給できればよいので、その定電流値を適切な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第７実施形態＞
本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の一構成例を図７Ａに示す。図７Ａに示す本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ７Ａと、スイッチ回路Ｃ７Ａと、抵抗Ｒ７＿１Ａ〜Ｒ７＿３Ａと、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａと、正温度特性抵抗ＲＰ７Ａとによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ７Ａは、制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流が所定値以上であれば、接点端子Ｔ４−接点端子Ｔ５間が導通状態になり、制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流が所定値未満であれば、接点端子Ｔ４−接点端子Ｔ５間が非導通状態になる回路である。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ７Ａの定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ７Ａの定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ７Ａの接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ７Ａの接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ７＿１Ａの一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ７＿１Ａの他端が定電流回路Ａ７Ａのバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ７＿２Ａの一端に接続され、抵抗Ｒ７＿２Ａの他端がスイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６及びＮＰＮトランジスタＱ７Ａのコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａのエミッタがブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、抵抗Ｒ７＿３ＡがＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ７Ａのベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ７ＡがＮＰＮトランジスタＱ７Ａのベース−エミッタ間に設けられる。
抵抗Ｒ７＿３Ａから正温度特性抵抗ＲＰ７Ａへ電流が流れているが、常温ではＮＰＮトランジスタＱ７Ａはオフ状態となるような抵抗Ｒ７＿３Ａの抵抗値及び正温度特性抵抗ＲＰ７Ａの抵抗値を設定する。また、ＬＥＤモジュール３のカソードから抵抗Ｒ７＿１Ａ及びＲ７＿２Ａを介してスイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ７Ａで設定された値（定電流回路Ａ７Ａの定電流値）となる。
ここで、図７Ａに示す本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ７Ａの抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａのベース−エミッタ間電圧が増加し、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａがスイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流を減少させるので、定電流回路Ａ７Ａの定電流値も制限される。そして、図７Ａに示す本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａはスイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流を全て引き抜き、スイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ７Ａはオフ状態になる。
図７Ａに示す本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ７Ａの出力制限を、スイッチ回路Ｃ７Ａのバイアス電流を制限することによって行っている。このため、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａの負担が軽くなり、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａに比較的小さなトランジスタを用いて定電流回路Ａ７Ａの出力制限を行うことができる。
正温度特性抵抗ＲＰ７Ａは、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａのベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、抵抗Ｒ７＿３Ａは、ＮＰＮトランジスタＱ７Ａにベース電流を供給しており、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ７Ａがオン状態になったときにＮＰＮトランジスタＱ７Ａがスイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流を全て引き抜くようにするためには、スイッチ回路Ｃ７Ａの制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ７Ａのｈパラメータ）以上の電流を供給できればよいので、抵抗Ｒ７＿３Ａを流れる電流を適切な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
次に、本発明の第７実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の他の構成例を図７Ｂに示す。図６に示す構成から図７Ａに示す構成への変形と同様の変形を図５に示す構成に対して行うことにより、すなわち、定電流回路Ｂ５の代わりに抵抗Ｒ７＿３Ｂを用いることにより、図７Ｂに示す構成となる。抵抗Ｒ７＿３Ｂは、ＮＰＮトランジスタＱ７Ｂにベース電流を供給しており、抵抗Ｒ７＿３Ｂを流れる電流はスイッチ回路Ｃ７Ｂの制御端子Ｔ６に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ７Ｂのｈパラメータ）であるので、抵抗Ｒ７＿３Ｂを流れる電流を適切な値に設定すれば、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ７Ｂがオフ状態になることを考慮しても定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第８実施形態＞
本発明の第８実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図８に示す。図８に示す本発明の第８実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ８及びＢ８と、抵抗Ｒ８と、ＮＰＮトランジスタＱ８と、正温度特性抵抗ＲＰ８とによって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ８の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ８の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ８の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ８の他端が定電流回路Ａ８のバイアス電流端子Ｔ３及びＮＰＮトランジスタＱ８のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ８のエミッタがブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、定電流回路Ｂ８がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ８のベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ８がＮＰＮトランジスタＱ８のベース−エミッタ間に設けられる。
定電流回路Ｂ８から正温度特性抵抗ＲＰ８へ電流が流れているが、常温ではＮＰＮトランジスタＱ８はオフ状態となるような定電流回路Ｂ８の定電流値及び正温度特性抵抗ＲＰ８の抵抗値を設定する。また、ＬＥＤモジュール３のカソードから抵抗Ｒ８を介して定電流回路Ａ８のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ８で設定された値（定電流回路Ａ８の定電流値）となる。
ここで、図８に示す本発明の第８実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ８の抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ８のベース−エミッタ間電圧が増加し、ＮＰＮトランジスタＱ８が定電流回路Ａ８のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を減少させるので、定電流回路Ａ８の定電流値も制限される。そして、図８に示す本発明の第８実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ８は定電流回路Ａ８のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を全て引き抜き、定電流回路Ａ８のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ８はオフ状態になる。
図８に示す本発明の第８実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ８の出力制限をＮＰＮトランジスタＱ８が直接行うので、ＮＰＮトランジスタＱ８の負担がやや重くなるが、回路規模を小さくすることができる。
正温度特性抵抗ＲＰ８は、ＮＰＮトランジスタＱ８のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、定電流回路Ｂ８は、ＮＰＮトランジスタＱ８にベース電流を供給する回路であり、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ８がオン状態になったときにＮＰＮトランジスタＱ８が定電流回路Ａ８のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を全て引き抜くようにするためには、定電流回路Ａ８のバイアス制御端子Ｔ３に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ８のｈパラメータ）以上の電流を供給できればよいので、その定電流値を適切な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第９実施形態＞
本発明の第９実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図９に示す。図９に示す本発明の第９実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ９及びＢ９と、抵抗Ｒ９と、ＮＰＮトランジスタＱ９と、正温度特性抵抗ＲＰ９＿１及びＲＰ９＿２とによって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ９の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ９の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ９の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ９の他端が正温度特性抵抗ＲＰ９＿２を介して定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３及びＮＰＮトランジスタＱ９のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ９のエミッタがブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、定電流回路Ｂ９がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ９のベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ９＿１がＮＰＮトランジスタＱ９のベース−エミッタ間に設けられる。
定電流回路Ｂ９から正温度特性抵抗ＲＰ９＿１へ電流が流れているが、常温ではＮＰＮトランジスタＱ９はオフ状態となるような定電流回路Ｂ９の定電流値及び正温度特性抵抗ＲＰ９＿１の抵抗値を設定する。また、ＬＥＤモジュール３のカソードから抵抗Ｒ９及び正温度特性抵抗Ｒ９＿２を介して定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ９で設定された値（定電流回路Ａ９の定電流値）となる。
ここで、図９に示す本発明の第９実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ９＿１の抵抗値及び正温度特性抵抗ＲＰ９＿２の抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ９のベース−エミッタ間電圧が増加し、ＮＰＮトランジスタＱ９が定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を減少させるので、定電流回路Ａ９の定電流値も制限される。また、定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流は、増加した正温度特性抵抗Ｒ９＿２の抵抗値によっても制限される。そして、図９に示す本発明の第９実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ９は定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を全て引き抜き、定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ９はオフ状態になる。
図９に示す本発明の第９実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流に対して正温度特性抵抗Ｒ９＿２によって制限をかけた上で、そのバイアス電流をＮＰＮトランジスタＱ９が直接引抜くので、より急峻に定電流回路Ａ９の出力制限がかかる。
正温度特性抵抗ＲＰ９＿１は、ＮＰＮトランジスタＱ９のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、定電流回路Ｂ９は、ＮＰＮトランジスタＱ９にベース電流を供給する回路であり、過熱保護動作によりＮＰＮトランジスタＱ９がオン状態になったときにＮＰＮトランジスタＱ９が定電流回路Ａ９のバイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を全て引き抜くようにするためには、定電流回路Ａ９のバイアス制御端子Ｔ３に供給されるバイアス電流の１／ｈＦＥ（ただし、ｈＦＥはＮＰＮトランジスタＱ９のｈパラメータ）以上の電流を供給できればよいので、その定電流値を適切な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、正温度特性抵抗ＲＰ９＿２は、正温度特性抵抗ＲＰ９＿２と抵抗９とで分圧した脈流電圧が印加されるので、定格電力、定格電圧内の抵抗値に設定する必要がある。
尚、図６に示す構成から図７Ａに示す構成への変形と同様の変形を図８及び図９に示す構成に対して行うこと、すなわち、定電流回路Ｂ８や定電流回路Ｂ９の代わりに適切な抵抗値の抵抗を設けることも可能である。
＜定電流回路の構成例＞
ここで、ＬＥＤモジュールに定電流を供給してＬＥＤモジュールを駆動する定電流回路、すなわち上述した第１〜９実施形態における定電流回路Ａ１〜Ａ６、Ａ７Ａ、Ａ７Ｂ、Ａ８、及びＡ９の一構成例を図１０に示す。図１０に示す定電流回路は、ＮＰＮトランジスタＱ１０と、抵抗Ｒ１０と、ツェナーダイオードＺＤ１０と、定電流端子Ｔ１及びＴ２と、バイアス電流端子Ｔ３とによって構成されている。
ＮＰＮトランジスタＱ１０のベースにツェナーダイオードＺＤ１０のカソードとバイアス電流端子Ｔ３とが接続され、ＮＰＮトランジスタＱ１０のコレクタに定電流端子Ｔ１が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ１０のエミッタに抵抗Ｒ１０を介してツェナーダイオードＺＤ１０のアノードと定電流端子Ｔ２とが接続されている。
また、ＬＥＤモジュールに定電流を供給してＬＥＤモジュールを駆動する定電流回路、すなわち上述した第１〜９実施形態における定電流回路Ａ１〜Ａ６、Ａ７Ａ、Ａ７Ｂ、Ａ８、及びＡ９の他の構成例を図１１に示す。図１１に示す定電流回路は、ＰＮＰトランジスタＱ１１と、抵抗Ｒ１１と、ツェナーダイオードＺＤ１１と、定電流端子Ｔ１及びＴ２と、バイアス電流端子Ｔ３とによって構成されている。
ＰＮＰトランジスタＱ１１のベースにツェナーダイオードＺＤ１１のアノードとバイアス電流端子Ｔ３とが接続され、ＰＮＰトランジスタＱ１１のエミッタに抵抗Ｒ１１を介してツェナーダイオードＺＤ１１のカソードと定電流端子Ｔ１とが接続され、ＰＮＰトランジスタＱ１１のコレクタに定電流端子Ｔ２が接続されている。
図１０に示す定電流回路の定電流値、図１１に示す定電流回路の定電流値はともに（ＶＺ−ＶＢＥ）／Ｒで表される。ただし、ＶＺはツェナーダイオードＺＤ１０又はＺＤ１１のツェナー電圧、ＶＢＥはＮＰＮトランジスタＱ１０又はＰＮＰトランジスタＱ１１のベース−エミッタ間電圧、Ｒは抵抗Ｒ１０又はＲ１１の抵抗値を示している。
図１０に示す定電流回路、図１１に示す定電流回路は、後述する第１０〜１３実施形態においても用いることができる。
次に、負温度特性抵抗又は正温度特性抵抗へ電流を流す定電流回路、すなわち上述した第１、２、５、６、８、９実施形態における定電流回路Ｂ１、Ｂ２、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ８、及びＢ９の一構成例を図１２に示す。図１２に示す定電流回路は、ＮＰＮトランジスタＱ１２＿１及びＱ１２＿２と、抵抗Ｒ１２＿１及びＲ１２＿２とによって構成されている。
ＮＰＮトランジスタＱ１２＿１のベースにＮＰＮトランジスタＱ１２＿２のエミッタ及び抵抗Ｒ１２＿２の一端が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ１２＿１のコレクタにＮＰＮトランジスタＱ１２＿２のベース及び抵抗Ｒ１２＿１の一端が接続され、抵抗Ｒ１２＿１の他端とＮＰＮトランジスタＱ１２＿２のコレクタに一方の定電流端子が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ１２＿１のエミッタと抵抗Ｒ１２＿２の他端に他方の定電流端子が接続されている。
また、負温度特性抵抗又は正温度特性抵抗へ電流を流す定電流回路、すなわち上述した第１、２、５、６、８、９実施形態における定電流回路Ｂ１、Ｂ２、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ８、及びＢ９の他の構成例を図１３に示す。図１３に示す定電流回路は、ＰＮＰトランジスタＱ１３＿１及びＱ１３＿２と、抵抗Ｒ１３＿１及びＲ１３＿２とによって構成されている。
ＰＮＰトランジスタＱ１３＿１のベースにＰＮＰトランジスタＱ１３＿２のエミッタ及び抵抗Ｒ１３＿２の一端が接続され、ＰＮＰトランジスタＱ１３＿１のコレクタにＰＮＰトランジスタＱ１３＿２のベース及び抵抗Ｒ１３＿１の一端が接続され、ＰＮＰトランジスタＱ１３＿１のエミッタと抵抗Ｒ１３＿２の他端に一方の定電流端子が接続され、抵抗Ｒ１３＿１の他端とＰＮＰトランジスタＱ１３＿２のコレクタに他方の定電流端子が接続されている。
図１２に示す定電流回路の定電流値、図１３に示す定電流回路の定電流値はともにＶＢＥ／Ｒで表される。ただし、ＶＢＥは各トランジスタのベース−エミッタ間電圧、Ｒは各抵抗の抵抗値を示している。
尚、図１０又は図１１に示す定電流回路は、バイアス電流端子Ｔ３と定電流端子Ｔ１又はＴ２とを適当な抵抗値の抵抗を介して接続すれば、負温度特性抵抗又は正温度特性抵抗へ電流を流す定電流回路、すなわち上述した第１〜９実施形態における定電流回路Ｂ１、Ｂ２、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ８、及びＢ９として使用することができる。
また、図１２又は図１３に示す定電流回路は、例えば、ＮＰＮトランジスタ１２＿２又はＰＮＰトランジスタ１３＿２のベースに接続されるバイアス電流端子を設ければ、ＬＥＤモジュールに定電流を供給してＬＥＤモジュールを駆動する定電流回路、すなわち上述した第１〜９実施形態における定電流回路Ａ１〜Ａ６、Ａ７Ａ、Ａ７Ｂ、Ａ８、及びＡ９やとして使用することができる。さらに、後述する第１０〜１３実施形態においても用いることができる。
＜スイッチ回路の構成例＞
ここで、上述した第５〜７実施形態におけるスイッチ回路Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７Ａ、及びＣ７Ｂの一構成例を図１４に示す。図１４に示すスイッチ回路は、サイリスタＴＴＹ１４と、抵抗Ｒ１４と、接点端子Ｔ４及びＴ５と、制御端子Ｔ６とによって構成されている。サイリスタＴＴＹ１４のゲートに制御端子Ｔ６と抵抗Ｒ１４の一端が接続され、サイリスタＴＴＹ１４のアノードに接点端子Ｔ４が接続され、サイリスタＴＴＹ１４のカソードと抵抗Ｒ１４の他端とに接点端子Ｔ５が接続されている。
また、上述した第５〜７実施形態におけるスイッチ回路Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７Ａ、及びＣ７Ｂの他の構成例を図１５に示す。図１５に示すスイッチ回路は、トライアックＴＲＩ１５と、抵抗Ｒ１５と、接点端子Ｔ４及びＴ５と、制御端子Ｔ６とによって構成されている。トライアックＴＲＩ１５のゲートに制御端子Ｔ６と抵抗Ｒ１５の一端が接続され、トライアックＴＲＩ１５のアノードに接点端子Ｔ４が接続され、トライアックＴＲＩ１５のカソードと抵抗Ｒ１５の他端とに接点端子Ｔ５が接続されている。
＜第１０実施形態＞
本発明の第１０実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図１６に示す。図１６に示す本発明の第１０実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ１６と、スイッチ回路Ｃ１６と、抵抗Ｒ１６＿１〜Ｒ１６＿３と、正温度特性抵抗ＲＰ１６とによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ１６は、図１４又は図１５に示す構成とする。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ１６の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ１６の定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ１６の接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ１６の接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ１６＿１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ１６＿１の他端が定電流回路Ａ１６のバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ１６＿２の一端に接続され、抵抗Ｒ１６＿２の他端が正温度特性抵抗ＲＰ１６を介してスイッチ回路Ｃ１６の制御端子Ｔ６及び抵抗Ｒ１６＿３の一端に接続され、抵抗Ｒ１６＿３の他端がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。
ＬＥＤモジュール３のカソードから、抵抗Ｒ１６＿１及びＲ１６＿２と正温度特性抵抗ＲＰ１６とを介してスイッチ回路Ｃ１６の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ１６で設定された値（定電流回路Ａ１６の定電流値）となる。
ここで、図１６に示す本発明の第１０実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ１６の抵抗値が増加するので、スイッチ回路Ｃ１６内のサイリスタまたはトライアックの位相角が遅れ、定電流回路Ａ１６の定電流値が制限される。そして、図１６に示す本発明の第１０実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、スイッチ回路Ｃ１６内のサイリスタまたはトライアックのゲート電流が不足するためスイッチ回路Ｃ１６がオフ状態となり、定電流回路Ａ１６もオフ状態となる。
＜第１１実施形態＞
本発明の第１１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図１７に示す。図１７に示す本発明の第１１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ１７と、スイッチ回路Ｃ１７と、抵抗Ｒ１７＿１〜Ｒ１７＿３と、正温度特性抵抗ＲＰ１７と、容量ＣＡＰ１７とによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ１７は、図１４又は図１５に示す構成とする。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ１７の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ１７の定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ１７の接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ１７の接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ１７＿１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ１７＿１の他端が定電流回路Ａ１７のバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ１７＿２の一端に接続され、抵抗Ｒ１７＿２の他端が正温度特性抵抗ＲＰ１７を介してスイッチ回路Ｃ１７の制御端子Ｔ６、抵抗Ｒ１７＿３の一端、及び容量ＣＡＰ１７の一端に接続され、抵抗Ｒ１７＿３の他端及び容量ＣＡＰ１７の他端がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。
ＬＥＤモジュール３のカソードから、抵抗Ｒ１７＿１及びＲ１７＿２と正温度特性抵抗ＲＰ１７とを介してスイッチ回路Ｃ１７の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ１７で設定された値（定電流回路Ａ１７の定電流値）となる。
ここで、図１７に示す本発明の第１１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ１７の抵抗値が増加するので、スイッチ回路Ｃ１７内のサイリスタまたはトライアックの位相角が正温度特性抵抗ＲＰ１７の抵抗値と容量ＣＡＰ１７の容量値によって遅れ、定電流回路Ａ１７の定電流値が制限される。そして、図１７に示す本発明の第１１実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、スイッチ回路Ｃ１７内のサイリスタまたはトライアックの位相角が１８０°回るためスイッチ回路Ｃ１７がオフ状態となり、定電流回路Ａ１７もオフ状態となる。
＜第１２実施形態＞
本発明の第１２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図１８に示す。図１８に示す本発明の第１２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ１８と、スイッチ回路Ｃ１８と、抵抗Ｒ１８＿１〜Ｒ１８＿３と、正温度特性抵抗ＲＰ１８とによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ１８は、図１４又は図１５に示す構成とする。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ１８の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ１８の定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ１８の接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ１８の接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ１８＿１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ１８＿１の他端が定電流回路Ａ１８のバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ１８＿２の一端に接続され、抵抗Ｒ１８＿２の他端が正温度特性抵抗ＲＰ１８の一端及び抵抗Ｒ１８＿３の一端に接続され、正温度特性抵抗ＲＰ１８の他端がスイッチ回路Ｃ１８の制御端子Ｔ６に接続され、抵抗Ｒ１８＿３の他端がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。
ＬＥＤモジュール３のカソードから、抵抗Ｒ１８＿１及びＲ１８＿２と正温度特性抵抗ＲＰ１８とを介してスイッチ回路Ｃ１８の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ１８で設定された値（定電流回路Ａ１８の定電流値）となる。
ここで、図１８に示す本発明の第１２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ１８の抵抗値が増加するので、スイッチ回路Ｃ１８内のサイリスタまたはトライアックの位相角が遅れ、定電流回路Ａ１８の定電流値が制限される。そして、図１８に示す本発明の第１２実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、スイッチ回路Ｃ１８内のサイリスタまたはトライアックのゲート電流が不足するためスイッチ回路Ｃ１８がオフ状態となり、定電流回路Ａ１８もオフ状態となる。
＜第１３実施形態＞
本発明の第１３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図１９に示す。図１９に示す本発明の第１３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ１９と、スイッチ回路Ｃ１９と、抵抗Ｒ１９＿１〜Ｒ１９＿３と、正温度特性抵抗ＲＰ１９＿１及びＲ１９＿２とによって構成されている。尚、スイッチ回路Ｃ１９は、図１４又は図１５に示す構成とする。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ１９の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ１９の定電流端子Ｔ２がスイッチ回路Ｃ１９の接点端子Ｔ４に接続され、スイッチ回路Ｃ１９の接点端子Ｔ５がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。また、抵抗Ｒ１９＿１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、抵抗Ｒ１９＿１の他端が定電流回路Ａ１９のバイアス電流端子Ｔ３及び抵抗Ｒ１９＿２の一端に接続され、抵抗Ｒ１９＿２の他端が正温度特性抵抗ＲＰ１９＿１を介して正温度特性抵抗ＲＰ１９＿２の一端及び抵抗Ｒ１９＿３の一端に接続され、正温度特性抵抗ＲＰ１９＿２の他端がスイッチ回路Ｃ１９の制御端子Ｔ６に接続され、抵抗Ｒ１９＿３の他端がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。
ＬＥＤモジュール３のカソードから、抵抗Ｒ１９＿１及びＲ１９＿２と正温度特性抵抗ＲＰ１９＿１及びＲＰ１９＿２とを介してスイッチ回路Ｃ１９の制御端子Ｔ６にバイアス電流が供給される。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ１９で設定された値（定電流回路Ａ１９の定電流値）となる。
ここで、図１９に示す本発明の第１３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ１９＿１及びＲＰ１９＿２の抵抗値が増加するので、スイッチ回路Ｃ１９内のサイリスタまたはトライアックの位相角が遅れ、定電流回路Ａ１９の定電流値が制限される。そして、図１９に示す本発明の第１３実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、スイッチ回路Ｃ１９内のサイリスタまたはトライアックのゲート電流が不足するためスイッチ回路Ｃ１９がオフ状態となり、定電流回路Ａ１９もオフ状態となる。
＜第１４実施形態＞
本発明の第１４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図２１に示す。図２１に示す本発明の第１４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ２１、Ｂ２１＿１、及びＢ２１＿２と、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１及びＱ２１＿２と、抵抗Ｒ２１と、正温度特性抵抗ＲＰ２１によって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ２１の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ２１の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１のコレクタがＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１のエミッタが抵抗Ｒ２１を介して定電流回路Ａ２１のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。また、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１のベースとＬＥＤモジュール３のカソード間に定電流回路Ｂ２１＿１が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿２のコレクタがＮＰＮトランジスタＱ２１＿１のベースに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿２のエミッタが定電流端子Ｔ２と同様にブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、定電流回路Ｂ２１＿２がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ２１＿２のベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ２１がＮＰＮトランジスタＱ２１＿２のベース−エミッタ間に設けられる。
ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１は、定電流回路Ｂ２１＿１とＮＰＮトランジスタＱ２１＿２によって制御され、定電流回路Ａ２１のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流を供給する。図２１に示す本発明の第１４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給し、ＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ２１の出力制限を、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿２がＮＰＮトランジスタＱ２１＿１のベース電流を制御して、定電流回路Ａ２１のバイアス電流端子Ｔ３に供給するバイアス電流を制限することによって行っている。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ２１で設定された値（定電流回路Ａ２１の定電流値）となる。
ここで、図２１に示す本発明の第１４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ２１の抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿２のベース−エミッタ間電圧が上昇し、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１のベース電流が減少し、バイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流も減少するので、定電流回路Ａ２１の定電流値も制限される。そして、図２１に示す本発明の第１４実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿１はオフ状態になり、定電流回路Ａ２１のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ２１はオフ状態になる。
正温度特性抵抗ＲＰ２１は、ＮＰＮトランジスタＱ２１＿２のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第１５実施形態＞
本発明の第１５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図２２に示す。図２２に示す本発明の第１５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ２２及びＢ２２と、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１及びＱ２２＿２と、抵抗Ｒ２２＿１及びＲ２２＿２と、正温度特性抵抗ＲＰ２２によって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ２２の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ２２の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１のコレクタがＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１のエミッタが抵抗Ｒ２２＿１を介して定電流回路Ａ２２のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。また、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１のベースとＬＥＤモジュール３のカソード間に抵抗Ｒ２２＿２が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿２のコレクタがＮＰＮトランジスタＱ２２＿１のベースに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿２のエミッタが定電流端子Ｔ２と同様にブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、定電流回路Ｂ２２がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ２２＿２のベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ２２がＮＰＮトランジスタＱ２２＿２のベース−エミッタ間に設けられる。
ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１は、抵抗Ｒ２２＿２とＮＰＮトランジスタＱ２２＿２によって制御され、定電流回路Ａ２２のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流を供給する。図２２に示す本発明の第１５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給し、ＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ２２の出力制限を、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿２がＮＰＮトランジスタＱ２２＿１のベース電流を制御して、定電流回路Ａ２２のバイアス電流端子Ｔ３に供給するバイアス電流を制限することによって行っている。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ２２で設定された値（定電流回路Ａ２２の定電流値）となる。
ここで、図２２に示す本発明の第１５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ２２の抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿２のベース−エミッタ間電圧が上昇し、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１のベース電流が減少し、バイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流も減少するので、定電流回路Ａ２２の定電流値も制限される。そして、図２２に示す本発明の第１５実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿１はオフ状態になり、定電流回路Ａ２２のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ２２はオフ状態になる。
正温度特性抵抗ＲＰ２２は、ＮＰＮトランジスタＱ２２＿２のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
＜第１６実施形態＞
本発明の第１６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を図２３に示す。図２３に示す本発明の第１６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路は、ブリッジダイオード２と、定電流回路Ａ２３と、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１及びＱ２３＿２と、抵抗Ｒ２３＿１〜Ｒ２３＿３と、正温度特性抵抗ＲＰ２３によって構成されている。
ブリッジダイオード２の入力側には商用ＡＣ１００Ｖ電源１が接続され、ブリッジダイオード２の一方の出力端にＬＥＤモジュール３のアノードが接続され、ＬＥＤモジュール３のカソードが定電流回路Ａ２３の定電流端子Ｔ１に接続され、定電流回路Ａ２３の定電流端子Ｔ２がブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のコレクタがＬＥＤモジュール３のカソードに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のエミッタが抵抗Ｒ２３＿１を介して定電流回路Ａ２３のバイアス電流端子Ｔ３に接続される。また、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のベースとＬＥＤモジュール３のカソード間に抵抗Ｒ２３＿２が接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のコレクタがＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のベースに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のエミッタが定電流端子Ｔ２と同様にブリッジダイオード２の他方の出力端に接続される。さらに、抵抗２３＿３がＬＥＤモジュール３のカソードとＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のベースとの間に設けられ、正温度特性抵抗ＲＰ２３がＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のベース−エミッタ間に設けられる。
ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１は、抵抗Ｒ２３＿２とＮＰＮトランジスタＱ２３＿２によって制御され、定電流回路Ａ２３のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流を供給する。図２３に示す本発明の第１６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤモジュール３に定電流を供給し、ＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ａ２３の出力制限を、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２がＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のベース電流を制御して、定電流回路Ａ２３のバイアス電流端子Ｔ３に供給するバイアス電流を制限することによって行っている。
商用ＡＣ１００Ｖ電源１から出力されるＡＣ電圧がブリッジダイオード２によって全波整流され、約１４１Ｖピークの脈流電圧が得られ、その脈流電圧がＬＥＤモジュール３に印加されるので、ＬＥＤモジュール３に流れる電流も脈流となるが、その脈流電流のピーク値は定電流回路Ａ２３で設定された値（定電流回路Ａ２３の定電流値）となる。
ここで、図２３に示す本発明の第１６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が上昇すると、正温度特性抵抗ＲＰ２３の抵抗値が増加するので、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のベース−エミッタ間電圧が上昇し、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のベース電流が減少し、バイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流も減少するので、定電流回路Ａ２３の定電流値も制限される。そして、図２３に示す本発明の第１６実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の周囲温度が予め設定した設定温度以上に上昇すると、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１はオフ状態になり、定電流回路Ａ２３のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流が供給されなくなるので、定電流回路Ａ２３はオフ状態になる。
正温度特性抵抗ＲＰ２３は、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のベース−エミッタ間に設けられているので、その抵抗値を適当な値に設定すれば、定格電力の小さな素子、耐圧の大きくない素子でも問題なく使用できる。
また、抵抗２３＿３は、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２にベース電流を供給しており、抵抗２３＿２を流れる電流により、定電流回路Ａ２３のバイアス電流端子Ｔ３にバイアス電流を供給しているＮＰＮトランジスタＱ２３＿１を制御している。抵抗２３＿３の抵抗値を適切な値に設定すれば、過熱保護動作設置温度に達していなくても、ＬＥＤモジュール３等が異常な状態（ショートや半ショート）となり、正常動作範囲以上の電圧が定電流回路Ａ２３に印加される状態となった場合、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿２のベース−エミッタ間電圧が上昇し、ＮＰＮトランジスタＱ２３＿１のベース−エミッタ間電圧が減少し、バイアス電流端子Ｔ３に供給されるバイアス電流を減少させ、定電流回路Ａ２３の定電流値を制限する過電圧保護動作回路として使用できる。
＜その他＞
図１４に示すスイッチ回路において、サイリスタＴＴＹ１４をフォトサイリスタに代えることができ、図１５に示すスイッチ回路において、トライアックＴＲＩ１５をフォトトライアックに代えることができる。その際、入力側カソード配線は適切にＧＮＤに接続するものとする。
また、本発明に係るＬＥＤ駆動回路の入力電圧は日本国内の商用電源電圧１００Ｖに限定されない。本発明に係るＬＥＤ駆動回路の回路定数を適切な値にすれば、海外での商用電源電圧又は降圧した交流電圧を本発明に係るＬＥＤ駆動回路の入力電圧として用いることができる。
また、本発明に係るＬＥＤ駆動回路に電流ヒューズなどの保護素子を付加することで、より安全なＬＥＤ駆動装置を提供することができる。
また、図１０〜図１５を除く図１〜図１９及び図２１〜図２３の正または負の温度特性を持つ抵抗へ電流を供給する定電流回路や抵抗の一端は、ＬＥＤモジュールのカソードだけでなく、その電流値や抵抗値を適切に設定することによりＬＥＤモジュールのアノードに接続することもできる。
例えば図１で言えば負温度特性抵抗ＲＮ１の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに、図５で言えば定電流回路Ｂ５の一端がＬＥＤモジュール３のカソードに接続されているが、それぞれＬＥＤモジュール３のアノードに接続することができる。
これにより、定電流回路Ａ１〜Ａ１９またはスイッチ回路Ｃ５〜Ｃ１９のオン/オフまたは制限を、定電流回路Ａ１〜Ａ１９が立ち上がるかなり前から確実に行うことができる。
また、図１０〜図１３の定電流回路及び図１４〜図１５のスイッチ回路を適切に選択、接続することにより、過熱保護機能付きＬＥＤ駆動回路をブリッジダイオードとＬＥＤモジュールのアノードとの間に接続することもできる。
尚、過熱保護部は、温度により抵抗値が大きく変化するサーミスタ等を利用し、過熱時の電流制限を行うもので、発熱部やその近接部にサーミスタ等を配置することにより、過熱を検出する。又、白熱電球等では、交流電源の後に調光回路を設け、調光を行うものもあるが、本発明の回路においても、同様に調光回路を設けることにより調光することが可能となる。
上述した実施形態には以下の構成（＃１）〜（＃２７）が含まれている。
（＃１） ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、定電流回路と、前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続されることを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
（＃２） 前記過熱保護部が、ＰＮＰトランジスタと、前記ＰＮＰトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる負の温度特性を持った抵抗とを備える（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃３） 前記ＰＮＰトランジスタのエミッタ及びコレクタが、前記定電流回路から出力される定電流が流れる経路に接続されている（＃２）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃４） 前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、前記ＰＮＰトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記負の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃２）又は（＃３）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃５） 前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、前記ＰＮＰトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記負の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記負の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃２）又は（＃３）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃６） 前記過熱保護部が、ＮＰＮトランジスタと、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる負の温度特性を持った抵抗とを備え、前記ＮＰＮトランジスタのエミッタ及びコレクタが、前記定電流回路から出力される定電流が流れる経路に接続されている（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃７） 前記定電流回路のオン/オフを切り替えるスイッチ回路を備え、前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路と前記スイッチ回路とが直列接続され、前記過熱保護部が前記スイッチ回路を制御する（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃８） 前記過熱保護部が、前記スイッチ回路の制御端子にバイアス電流を供給するバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのベースに一端が接続される負の温度特性を持った抵抗とを備え、前記負の温度特性を持った抵抗の抵抗値に応じて前記バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧が可変する（＃７）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃９） 前記過熱保護部が、前記スイッチ回路の制御端子に供給されるバイアス電流を引き抜くＮＰＮトランジスタと、前記ＮＰＮトランジスタのベースに一端が接続される正の温度特性を持った抵抗とを備え、前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値に応じて前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧が可変する（＃７）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１０） 前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、前記バイポーラトランジスタ又は前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃８）又は（＃９）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１１） 前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、前記バイポーラトランジスタ又は前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃８）又は（＃９）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１２） 前記過熱保護部が、前記定電流回路に供給されるバイアス電流を引き抜くＮＰＮトランジスタと、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる正の温度特性を持った抵抗とを備える（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１３） 前記過熱保護部が前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃１２）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１４） 前記過熱保護部が前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記正の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃１２）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１５） 前記過熱保護部が、前記正の温度特性を持った抵抗とは別の抵抗である正の温度特性を持った別抵抗を備え、前記正の温度特性を持った別抵抗が、前記定電流回路にバイアス電流を供給する経路に設けられている（＃１２）〜（＃１４）のいずれか１つに記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１６） 前記過熱保護部が、前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び第１の定電流源と、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される第２の定電流源とを備え、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記第２の定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１７） 前記過熱保護部が、前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び抵抗素子と、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源とを備え、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１８） 前記過熱保護部が、前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び第１の抵抗素子と、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される第2の抵抗素子とを備え、前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記正の温度特性を持った抵抗及び前記第２の抵抗素子を流れる電流の値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃１９） 前記定電流回路が、第１の抵抗と、ツェナーダイオードと、前記第１の抵抗の一端がエミッタに接続され、前記ツェナーダイオードの一端がベースに接続される第１のバイポーラトランジスタとを備える（＃１）〜（＃１８）のいずれか１つに記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２０） 前記定電流回路が、第１のバイポーラトランジスタと、第２のバイポーラトランジスタと、前記第２のバイポーラトランジスタのベースに一端が接続される第１の抵抗と、前記第１のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる第２の抵抗とを備え、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタと前記第２のバイポーラトランジスタのベースとが互いに接続され、前記第１のバイポーラトランジスタのベースと前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタとが互いに接続される（＃１）〜（＃１７）のいずれか１つに記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２１） 前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備える（＃７）〜（＃１１）のいずれか１つに記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２２） 前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備え、前記過熱保護部が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートにバイアス電流を供給する経路に設けられる正の温度特性を持った抵抗と、前記サイリスタ又はトライアックのゲートと前記整流回路の負極側出力端との間に設けられる抵抗素子とを備える（＃７）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２３） 前記過熱保護部が、前記抵抗素子に並列接続される容量を備える（＃２２）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２４） 前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備え、前記過熱保護部が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートに一端が接続される正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗の他端と前記整流回路の負極側出力端との間に設けられる抵抗素子とを備える（＃７）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２５） 前記過熱保護部が、前記正の温度特性を持った抵抗とは別の抵抗である正の温度特性を持った別抵抗を備え、前記正の温度特性を持った別抵抗が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートにバイアス電流を供給する経路に設けられている（＃２４）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２６） 前記過熱保護部は、前記定電流回路が所定温度以上になったときに前記定電流回路の出力を制限することを特徴とする（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
（＃２７） 前記過熱保護部は、前記ＬＥＤを内蔵したＬＥＤモジュールが所定温度以上になったときに前記定電流回路の出力を制限することを特徴とする（＃１）に記載のＬＥＤ駆動回路。
１ 商用ＡＣ１００Ｖ電源
２ ブリッジダイオード
３ ＬＥＤモジュール
Ａ１〜Ａ６ 定電流回路
Ａ７Ａ、Ａ７Ｂ 定電流回路
Ａ８、Ａ９ 定電流回路
Ａ１６〜Ａ１９ 定電流回路
Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３ 定電流回路
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ８、Ｂ９ 定電流回路
Ｂ２１＿１、Ｂ２１＿２、Ｂ２２ 定電流回路
Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７Ａ、Ｃ７Ｂ スイッチ回路
Ｃ１６〜Ｃ１９ スイッチ回路
ＣＡＰ１７ 容量
Ｑ１〜Ｑ３ ＰＮＰトランジスタ
Ｑ４〜Ｑ６ ＮＰＮトランジスタ
Ｑ７Ａ、Ｑ７Ｂ ＮＰＮトランジスタ
Ｑ８、Ｑ９ ＮＰＮトランジスタ
Ｑ１０、Ｑ１２＿１、Ｑ１２＿２ ＮＰＮトランジスタ
Ｑ１１、Ｑ１３＿１、Ｑ１３＿２ ＰＮＰトランジスタ
Ｑ２１＿１〜Ｑ２３＿１ ＮＰＮトランジスタ
Ｑ２１＿２〜Ｑ２３＿２ ＮＰＮトランジスタ
Ｒ１、Ｒ２ 抵抗
Ｒ３＿１〜Ｒ６＿１ 抵抗
Ｒ３＿２〜Ｒ６＿２ 抵抗
Ｒ７＿１Ａ〜Ｒ７＿３Ａ 抵抗
Ｒ７＿１Ｂ〜Ｒ７＿３Ｂ 抵抗
Ｒ８〜Ｒ１１ 抵抗
Ｒ１２＿１、Ｒ１３＿１ 抵抗
Ｒ１２＿２、Ｒ１３＿２ 抵抗
Ｒ１４、Ｒ１５ 抵抗
Ｒ１６＿１〜Ｒ１９＿１ 抵抗
Ｒ１６＿２〜Ｒ１９＿２ 抵抗
Ｒ１６＿３〜Ｒ１９＿３ 抵抗
Ｒ２１ 抵抗
Ｒ２２＿１、Ｒ２３＿１ 抵抗
Ｒ２２＿２、Ｒ２３＿２ 抵抗
Ｒ２３＿３ 抵抗
ＲＮ１〜ＲＮ５、ＲＮ７Ｂ 負温度特性抵抗
ＲＰ６、ＲＰ７Ａ、ＲＰ８ 正温度特性抵抗
ＲＰ９＿１、ＲＰ９＿２ 正温度特性抵抗
ＲＰ１６〜ＲＰ１８ 正温度特性抵抗
ＲＰ１９＿１、ＲＰ１９＿２ 正温度特性抵抗
ＲＰ２１、ＲＰ２２、ＲＰ２３ 正温度特性抵抗
ＴＲＩ１５ トライアック
ＴＴＹ１４ サイリスタ
ＺＤ１０、ＺＤ１１ ツェナーダイオード

Claims (22)

  1. ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、
    交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、
    定電流回路と、
    前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続され、
    前記過熱保護部が、
    前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、
    前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び第１の定電流源と、
    前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、
    前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される第２の定電流源とを備え、
    前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記第２の定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であることを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
  2. ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、
    交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、
    定電流回路と、
    前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続され、
    前記過熱保護部が、
    前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、
    前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び抵抗素子と、
    前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、
    前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源とを備え、
    前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であることを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
  3. ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、
    交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、
    定電流回路と、
    前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続され、
    前記過熱保護部が、
    前記定電流回路のバイアス電流端子にバイアス電流を供給するＮＰＮバイポーラトランジスタと、
    前記ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに接続される、前記バイアス電流を制御するための、制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタ及び第１の抵抗素子と、
    前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベースに一端が接続された正の温度特性を持った抵抗と、
    前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される第2の抵抗素子とを備え、
    前記制御用ＮＰＮバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記正の温度特性を持った抵抗及び前記第２の抵抗素子を流れる電流の値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積であることを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
  4. ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、
    交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、
    定電流回路と、
    前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続され、
    前記過熱保護部が、
    ＮＰＮトランジスタと、
    前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる負の温度特性を持った抵抗とを備え、
    前記ＮＰＮトランジスタのエミッタ及びコレクタが、前記定電流回路から出力される定電流が流れる経路に接続されていることを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
  5. ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、
    交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、
    定電流回路と、
    前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続され、
    前記定電流回路のオン/オフを切り替えるスイッチ回路を備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路と前記スイッチ回路とが直列接続され、
    前記過熱保護部が前記スイッチ回路を制御することを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
  6. 前記過熱保護部が、
    前記スイッチ回路の制御端子にバイアス電流を供給するバイポーラトランジスタと、
    前記バイポーラトランジスタのベースに一端が接続される負の温度特性を持った抵抗とを備え、
    前記負の温度特性を持った抵抗の抵抗値に応じて前記バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧が可変する請求項５に記載のＬＥＤ駆動回路。
  7. 前記過熱保護部が、
    前記スイッチ回路の制御端子に供給されるバイアス電流を引き抜くＮＰＮトランジスタと、
    前記ＮＰＮトランジスタのベースに一端が接続される正の温度特性を持った抵抗とを備え、
    前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値に応じて前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧が可変する請求項５に記載のＬＥＤ駆動回路。
  8. 前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、
    前記バイポーラトランジスタ又は前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である請求項６又は請求項７に記載のＬＥＤ駆動回路。
  9. 前記過熱保護部が前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、
    前記バイポーラトランジスタ又は前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記負の温度特性を持った抵抗又は前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である請求項６又は請求項７に記載のＬＥＤ駆動回路。
  10. ＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、
    交流電圧を脈流電圧に変換する整流回路と、
    定電流回路と、
    前記定電流回路の出力制限を行う過熱保護部とを備え、
    前記整流回路の出力側に、前記ＬＥＤと前記定電流回路とが直列接続され、
    前記過熱保護部が、
    前記定電流回路に供給されるバイアス電流を引き抜くＮＰＮトランジスタと、
    前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる正の温度特性を持った抵抗とを備えることを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
  11. 前記過熱保護部が前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される定電流源を備え、
    前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記定電流源の定電流値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である請求項１０に記載のＬＥＤ駆動回路。
  12. 前記過熱保護部が前記正の温度特性を持った抵抗に直列接続される抵抗素子を備え、
    前記ＮＰＮトランジスタのベース−エミッタ間電圧の値が、前記正の温度特性を持った抵抗及び前記抵抗素子を流れる電流の値と前記正の温度特性を持った抵抗の抵抗値との積である請求項１０に記載のＬＥＤ駆動回路。
  13. 前記過熱保護部が、前記正の温度特性を持った抵抗とは別の抵抗である正の温度特性を持った別抵抗を備え、
    前記正の温度特性を持った別抵抗が、前記定電流回路にバイアス電流を供給する経路に設けられている請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
  14. 前記定電流回路が、第１の抵抗と、ツェナーダイオードと、前記第１の抵抗の一端がエミッタに接続され、前記ツェナーダイオードの一端がベースに接続される第１のバイポーラトランジスタとを備える請求項１〜１３のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
  15. 前記定電流回路が、第１のバイポーラトランジスタと、第２のバイポーラトランジスタと、前記第２のバイポーラトランジスタのベースに一端が接続される第１の抵抗と、前記第１のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間に設けられる第２の抵抗とを備え、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタと前記第２のバイポーラトランジスタのベースとが互いに接続され、前記第１のバイポーラトランジスタのベースと前記第２のバイポーラトランジスタのエミッタとが互いに接続される請求項１、２、４〜１３のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
  16. 前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備える請求項５〜９のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
  17. 前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備え、
    前記過熱保護部が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートにバイアス電流を供給する経路に設けられる正の温度特性を持った抵抗と、前記サイリスタ又はトライアックのゲートと前記整流回路の負極側出力端との間に設けられる抵抗素子とを備える請求項５に記載のＬＥＤ駆動回路。
  18. 前記過熱保護部が、前記抵抗素子に並列接続される容量を備える請求項１７に記載のＬＥＤ駆動回路。
  19. 前記スイッチ回路が、サイリスタ又はトライアックと、前記サイリスタ又はトライアックのゲート−カソード間に設けられる第１の抵抗とを備え、
    前記過熱保護部が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートに一端が接続される正の温度特性を持った抵抗と、前記正の温度特性を持った抵抗の他端と前記整流回路の負極側出力端との間に設けられる抵抗素子とを備える請求項５に記載のＬＥＤ駆動回路。
  20. 前記過熱保護部が、前記正の温度特性を持った抵抗とは別の抵抗である正の温度特性を持った別抵抗を備え、
    前記正の温度特性を持った別抵抗が、前記サイリスタ又はトライアックのゲートにバイアス電流を供給する経路に設けられている請求項１９に記載のＬＥＤ駆動回路。
  21. 前記過熱保護部は、前記定電流回路が所定温度以上になったときに前記定電流回路の出力を制限することを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
  22. 前記過熱保護部は、前記ＬＥＤを内蔵したＬＥＤモジュールが所定温度以上になったときに前記定電流回路の出力を制限することを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
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