JP5074978B2 - Manufacturing method of glass substrate of cover glass for portable device - Google Patents

Manufacturing method of glass substrate of cover glass for portable device Download PDF

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Description

本発明は、例えば携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant)などの携帯端末装置の表示画面の保護に用いられるガラス基材(カバーガラス)や携帯機器の本体に用いられるガラス基材及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a glass substrate (cover glass) used for protecting a display screen of a portable terminal device such as a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant), a glass substrate used for a main body of a portable device, and a method for manufacturing the same. .

携帯電話やPDAなどの携帯端末装置やその他の携帯機器において、ディスプレイに衝撃や外力が加わることを防止するために、保護板が配設されている(例えば、特許文献1)。近年、携帯端末装置や携帯機器の薄型化に伴い、撓みを抑えつつ、しかも薄板であっても強度のある化学強化ガラスを使った保護板が提案されている(例えば、特許文献2)。
特開2004−299199号公報 特開2007−99557号公報
In mobile terminal devices such as mobile phones and PDAs, and other mobile devices, a protective plate is provided in order to prevent an impact or external force from being applied to the display (for example, Patent Document 1). 2. Description of the Related Art In recent years, a protective plate using chemically strengthened glass that has strength even if it is a thin plate has been proposed with a reduction in thickness of portable terminal devices and portable devices (for example, Patent Document 2).
JP 2004-299199 A JP 2007-99557 A

特許文献2に記載された従来の加工方法では、ガラス端面の表面粗さが粗く、ガラス端面の面取り加工した面に数十μm〜数百μm程度のマイクロクラックが存在することによって、ガラス基材に求められる機械的強度が得られないという問題がある。   In the conventional processing method described in Patent Document 2, the glass end surface has a rough surface roughness, and the glass end surface is chamfered to have a microcrack of about several tens μm to several hundreds μm. However, there is a problem that the mechanical strength required for the above cannot be obtained.

この問題を解決するために、本出願人は、先行出願(特願2007−325542号)において、ガラス基板上に所望形状のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにしてガラス基板をエッチングすることにより、所望形状のガラス基板を得ることを提供している。   In order to solve this problem, in the prior application (Japanese Patent Application No. 2007-325542), the present applicant forms a resist pattern of a desired shape on a glass substrate, and etches the glass substrate using the resist pattern as a mask. Thus, it is provided to obtain a glass substrate having a desired shape.

しかしながら、この方法においては、図7に示すように、エッチングがガラス基板41の対向する両主表面41a,41bから等方的に進行するために、主表面41a側からのエッチングと、主表面41b側からのエッチングとにより形成された端面41cにおける頂部41dが形成される。この頂部41dは、端面41cにおいて極端に突出する部分である。このような頂部41dを持つガラス基材は、取り扱いの最中に破損したり、チッピングが生じたりすることがあり、破損やチッピングが発生することによりその部分が劈開の起点となってガラス基材の強度を低下させるという問題がある。   However, in this method, as shown in FIG. 7, since etching proceeds isotropically from both main surfaces 41a and 41b of the glass substrate 41 facing each other, etching from the main surface 41a side and main surface 41b are performed. A top portion 41d of the end surface 41c formed by etching from the side is formed. The top 41d is a portion that protrudes extremely on the end face 41c. A glass substrate having such a top 41d may be broken during handling or chipping, and the breakage or chipping may cause the portion to become the starting point of cleavage. There is a problem of lowering the strength.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、端面において極端に突出する部分がないために安全で、しかも機械的強度が高い携帯機器用カバーガラスのガラス基材及びその製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and provides a glass base material for a cover glass for a portable device that is safe and has high mechanical strength because there is no extremely projecting portion on the end face, and a method for manufacturing the same. For the purpose.

本発明の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法は、板状のガラス基板の一方及び他方の主表面のそれぞれに形成したレジストパターンをマスクとして、前記ガラス基板のエッチングが可能なエッチャントで前記ガラス基板の一方及び他方の主表面のそれぞれから前記ガラス基板をエッチングすることにより所望の形状に切り抜いてガラス基材を得る工程と、前記ガラス基材の端面における前記主表面の面方向外側へ突出する頂部に対して、該ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加える工程と、前記ガラス基材の端面に対して熱エネルギーを局所的に加えた後、イオン交換処理により前記ガラス基材表面を化学強化する工程と、を具備することを特徴とする。
The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices of the present invention is an etchant capable of etching the glass substrate using a resist pattern formed on each of one and the other main surfaces of the plate-like glass substrate as a mask. Etching the glass substrate from each of one and the other main surfaces of the glass substrate to obtain a glass substrate by cutting into a desired shape, and to the outside in the surface direction of the main surface at the end surface of the glass substrate A step of locally applying thermal energy that can soften the glass substrate surface to the protruding top , and after locally applying thermal energy to the end surface of the glass substrate, the ion exchange treatment And a step of chemically strengthening the surface of the glass substrate .

この方法によれば、エッチングにより所望の形状に切り抜かれたガラス基材の端面に対して、ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加えるので、前記ガラス基材の主表面と端面との間に丸みが形成されるので、端面において極端に突出する部分がなく、しかも高い機械的強度を示すことができるガラス基材を得ることができる。   According to this method, since the heat energy that can soften the glass substrate surface is locally applied to the end surface of the glass substrate that has been cut into a desired shape by etching, the main surface and the end surface of the glass substrate. Since a roundness is formed between the glass substrate and the glass substrate, there can be obtained a glass substrate that does not have an extremely projecting portion on the end face and can exhibit high mechanical strength.

本発明の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法においては、前記ガラス基材の端面に対して熱エネルギーを局所的に加えた後、化学強化する前に、前記ガラス基材の端面に局所的に熱エネルギーを加えたガラス基材に対して、前記熱エネルギーを加えることにより生じた熱歪を緩和させるアニール処理を施すことが好ましい。
In the manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices of the present invention, after applying thermal energy locally to the end surface of the glass substrate, before chemically strengthening, the end surface of the glass substrate It is preferable to subject the glass substrate to which heat energy has been locally applied to an annealing treatment to alleviate the thermal strain generated by applying the heat energy .

本発明の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法においては、前記熱エネルギーは、放電源、加熱源、光源の何れかより発生したエネルギーであって、前記ガラス基材の端面に対して局所的に、加熱処理、放電加工処理、光照射処理の何れかを行うことが好ましい。
In the method for manufacturing a glass substrate of a cover glass for a portable device according to the present invention, the thermal energy is energy generated from any one of a discharge source, a heating source, and a light source, and is relative to an end surface of the glass substrate. It is preferable to perform any one of heat treatment, electric discharge machining treatment, and light irradiation treatment locally .

本発明の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法においては、前記ガラス基材の端面に高温の部材を接近させて、輻射熱により加熱処理を施すことが好ましい。
In the manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices of this invention, it is preferable to make a high temperature member approach the end surface of the said glass substrate, and to heat-process by radiant heat.

本発明のガラス基材は、板状のガラス基板の主表面に形成したレジストパターンをマスクとして、前記ガラス基板のエッチングが可能なエッチャントで前記ガラス基板をエッチングすることにより所望の形状に切り抜いてガラス基材を得て、このガラス基材の端面に対して、ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加えることにより得られるので、端面において極端に突出する部分がないために安全で、しかも高い機械的強度を示すことができる。   The glass substrate of the present invention is formed by etching the glass substrate with an etchant capable of etching the glass substrate, using the resist pattern formed on the main surface of the plate-like glass substrate as a mask, and cutting the glass substrate into a desired shape. Since it is obtained by locally applying thermal energy that can soften the glass substrate surface to the end surface of this glass substrate, there is no part that protrudes extremely on the end surface. In addition, high mechanical strength can be exhibited.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
本発明の実施の形態に係るガラス基材は、板状のガラス基板の主表面に形成したレジストパターンをマスクとして、前記ガラス基板のエッチングが可能なエッチャントで前記ガラス基板をエッチングすることにより所望の形状に切り抜いてガラス基材を得て、このガラス基材の端面に対してガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加えることにより得られる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
The glass substrate according to the embodiment of the present invention is obtained by etching the glass substrate with an etchant capable of etching the glass substrate using a resist pattern formed on the main surface of the plate-like glass substrate as a mask. It is obtained by cutting out into a shape to obtain a glass substrate, and locally applying thermal energy that can soften the glass substrate surface to the end face of the glass substrate.

図1(a)は、ガラス基板をエッチングして所望形状に切り抜いて得られたガラス基材の一部を示す図である。図1(a)に示すガラス基材1は、対向する一対の主表面11,12と、端面13とを有する。ガラス基板の主表面11,12にそれぞれレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとしてガラス基板をエッチングすると、エッチングがガラス基板の対向する両主表面11,12からそれぞれ等方的に進行するために、主表面11側からのエッチングと、主表面12側からのエッチングとにより端面13に頂部14が形成される。このエッチングにおいては、断面視において、主表面11側及び主表面12側からガラス基板内部に向ってそれぞれ略円弧を描くようにエッチングが進行するので、ガラス基材が切り抜かれる際には、ガラス基板の中央の厚さ付近で前記円弧が交差した端面形状となり、図1(a)に示すように、頂部14は端面13において最も突出する部分となる。   Fig.1 (a) is a figure which shows a part of glass base material obtained by etching a glass substrate and cutting out to a desired shape. The glass substrate 1 shown in FIG. 1A has a pair of opposing main surfaces 11 and 12 and an end surface 13. When a resist pattern is formed on each of the main surfaces 11 and 12 of the glass substrate and the glass substrate is etched using the resist pattern as a mask, the etching proceeds isotropically from both the main surfaces 11 and 12 facing the glass substrate. Further, the top portion 14 is formed on the end face 13 by etching from the main surface 11 side and etching from the main surface 12 side. In this etching, since the etching proceeds so as to draw a substantially circular arc from the main surface 11 side and the main surface 12 side to the inside of the glass substrate in a cross-sectional view, when the glass substrate is cut out, the glass substrate In the vicinity of the center thickness, the arcs intersect with each other. As shown in FIG. 1A, the top portion 14 is the most protruding portion of the end surface 13.

ガラス基板をエッチングするエッチング方法は、湿式エッチング(ウェットエッチング)、乾式エッチング(ドライエッチング)どちらでも構わない。加工コストを低くする点からは、ウェットエッチングが好ましい。ウェットエッチングに使用するエッチャントは、ガラス基材を食刻できるものであれば、何でも良い。好ましくは、フッ酸を主成分とする酸性溶液や、フッ酸に、硫酸、硝酸、塩酸、ケイフッ酸のうち少なくとも一つの酸を含む混酸などを用いることができる。また、ドライエッチングに使用するエッチャントは、ガラス基材を食刻できるものであれば何でも良いが、例えばフッ素系ガスを使用することができる。   The etching method for etching the glass substrate may be either wet etching (wet etching) or dry etching (dry etching). Wet etching is preferable from the viewpoint of reducing the processing cost. The etchant used for wet etching may be anything as long as it can etch a glass substrate. Preferably, an acidic solution mainly containing hydrofluoric acid or a mixed acid containing at least one acid among sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, and silicic hydrofluoric acid can be used. The etchant used for dry etching is not particularly limited as long as it can etch a glass substrate. For example, a fluorine-based gas can be used.

エッチング工程において用いるレジスト材料としては、レジストパターンをマスクにしてガラスをエッチングする際に使用するエッチャントに対して耐性を有する材料であればよい。ガラスは大抵、フッ酸を含む水溶液のウェットエッチングや、フッ素系ガスのドライエッチングにより食刻されるので、例えば、フッ酸耐性に優れたレジスト材料などを用いることができる。また、レジスト材をガラス基材から剥離するための剥離液としては、KOHやNaOHなどのアルカリ溶液を用いることが好ましい。なお、レジスト材、エッチャント、剥離液の種類は、被エッチング材料であるガラス基板の材料に応じて適宜選択することができる。   The resist material used in the etching process may be any material having resistance to an etchant used when etching glass using a resist pattern as a mask. Since glass is usually etched by wet etching of an aqueous solution containing hydrofluoric acid or dry etching of a fluorine-based gas, for example, a resist material having excellent resistance to hydrofluoric acid can be used. In addition, as a stripping solution for stripping the resist material from the glass substrate, an alkaline solution such as KOH or NaOH is preferably used. Note that the types of the resist material, the etchant, and the stripping solution can be appropriately selected according to the material of the glass substrate that is the material to be etched.

このように、エッチングによりガラス基材1を得た後に、このガラス基材1の端面に対して、ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加える。ここで、ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加えるとは、ガラス基材1全体ではなく、エッチングにより生じた頂部14、端面13と主表面11の頂部、端面13と主表面12の頂部(稜線)を突出させないために必要な領域に処理を施すことをいう。ガラス基材1全面にこのような処理を行うと、ガラス基材が歪んだり、面ダレなどを起こすので、このようなガラス基材の歪みや、面ダレが生じない状態での処理を目的とする。   Thus, after obtaining the glass substrate 1 by etching, heat energy that can soften the glass substrate surface is locally applied to the end surface of the glass substrate 1. Here, locally applying heat energy that can soften the glass substrate surface is not the entire glass substrate 1 but the top 14, the end surface 13 and the top of the main surface 11, and the end surface 13 and the main surface generated by etching. It means that processing is performed on a necessary area so that the top (ridge line) of 12 does not protrude. If such a treatment is performed on the entire surface of the glass substrate 1, the glass substrate is distorted or surface sagging occurs. Therefore, the purpose of the processing in a state in which such glass substrate distortion or surface sagging does not occur is intended. To do.

上述のように、ガラス基材1の端面13に対して、ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加えて得られるガラス基材は、図1(b)に示すように、主表面11,12と端面13’とで構成される頂部14’、端面13’で構成される頂部14’’には、丸みが形成された端部形状を有する。より具体的には、この頂部14’は、UL−1439に準拠するシャープエッジテストで表面から2層が切断されないエッジである。また、頂部14’は、面取り寸法を、主表面11,12における湾曲面の開始点から端面13’までの距離(Y)、端面13’における外側に凸となる湾曲面の開始点から主表面11,12までの距離(X)であらわしたときに、それぞれ、距離(X)、距離(Y)は10μm〜100μmとなる形状が好ましい。   As described above, the glass substrate obtained by locally applying thermal energy that can soften the glass substrate surface to the end surface 13 of the glass substrate 1, as shown in FIG. The top portion 14 ′ constituted by the surfaces 11 and 12 and the end face 13 ′ and the top portion 14 ″ constituted by the end face 13 ′ have end shapes in which roundness is formed. More specifically, the top portion 14 ′ is an edge where two layers are not cut from the surface in a sharp edge test according to UL-1439. Further, the top portion 14 ′ has a chamfered dimension from the start point of the curved surface on the main surfaces 11 and 12 to the end surface 13 ′ (Y), from the start point of the curved surface protruding outward on the end surface 13 ′ to the main surface. When the distance (X) up to 11 and 12 is expressed, it is preferable that the distance (X) and the distance (Y) are 10 μm to 100 μm, respectively.

また、ガラス基材1の端面に対して、ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加えた場合、熱エネルギーの条件によっては、図1(c)に示すように、ガラス基材1の表面張力により端面に隣接する主表面11,12に隆起部分15が形成され、ガラス基材の厚みが増加することがある。この主表面の隆起部分15にキズや衝撃が集中し、破損が生じ易くなるため、隆起部分15を含めたガラス基材の板厚t’と、熱エネルギーの影響を受けていない領域の板厚tとの差(t’−t)は、50μm以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、10μm以下が望ましい。上記板厚t,t’は、例えば、スピンドル並行断面φ3.5mmのヘッドを持ったマイクロメータにより測定することができる。t’は、隆起部分15が形成されたガラス基材1の最大板厚とし、tは、最大板厚t’の位置より内側で急激な厚み変化がなくなるまで離れた距離Rで測定された最大板厚とする。例えば、スピンドル並行断面φ3.5mmであれば、距離Rを5mmと設定することができる。   Moreover, when the thermal energy which can soften the glass base material surface with respect to the end surface of the glass base material 1 is applied locally, depending on the thermal energy conditions, as shown in FIG. As a result of the surface tension of 1, the raised portions 15 are formed on the main surfaces 11 and 12 adjacent to the end face, and the thickness of the glass substrate may increase. Since scratches and impacts are concentrated on the raised portion 15 of the main surface and breakage is likely to occur, the thickness t ′ of the glass substrate including the raised portion 15 and the thickness of the region not affected by thermal energy. The difference from t (t′−t) is preferably 50 μm or less. More preferably, it is 10 μm or less. The plate thicknesses t and t 'can be measured by, for example, a micrometer having a head having a spindle parallel section of 3.5 mm. t ′ is the maximum thickness of the glass substrate 1 on which the raised portion 15 is formed, and t is the maximum measured at a distance R that is far away from the position of the maximum thickness t ′ until there is no sudden thickness change. The plate thickness. For example, if the spindle parallel section φ3.5 mm, the distance R can be set to 5 mm.

上記熱エネルギーは、ガラス基材表面が軟化し得るエネルギーであればよく、放電源、加熱源、光源の何れかより発生したエネルギーを利用することができる。これらエネルギーを利用した処理としては、加熱処理、放電加工処理、光照射処理が挙げられる。   The thermal energy may be any energy that can soften the glass substrate surface, and energy generated from any one of a discharge source, a heating source, and a light source can be used. Examples of the treatment using these energies include heat treatment, electric discharge machining treatment, and light irradiation treatment.

加熱処理は、ガラス基材1の端面13に対して、熱源であるバーナーなどを用いて加熱処理を行う処理をいう。例えば、図2(a)に示すように、ステンレス鋼などで構成されたプレート2上に、ガラス基材1の端面13がプレート2から延在するようにガラス基材1を載置し、このガラス基材1及び火炎手段であるバーナー(例えば、ブタンガスφ10の集中炎)3を相対的に移動させて(例えば、5mm/秒〜9mm/秒)、図2(b)に示すガラス基材1のX部を加熱する。この場合の処理では、まず、プレート2上にガラス基材1を載置し、次いで、プレート2を400℃程度(350℃〜徐冷点温度の範囲)に加熱する。その後、ガラス基材1及びバーナー3を相対的に移動させながらガラス基材1のX部を加熱して、エッチングにより端面13に形成された頂部14を丸める。最後に、10分〜20分程度でガラス基材1を室温に降温する。ここでは、プレート2の材料にステンレス鋼を用いているが、耐熱合金、グラファイト、セラミックスなどを用いても良い。また、ここでは、ブタンガスバーナーを用いているが、LNG(液化天然ガス)バーナー、LPG(液化石油ガス)バーナー、アセチレンガスバーナー、酸素ガスバーナーなどを用いても良い。   The heat treatment refers to a treatment in which heat treatment is performed on the end surface 13 of the glass substrate 1 using a burner that is a heat source. For example, as shown in FIG. 2A, the glass substrate 1 is placed on the plate 2 made of stainless steel or the like so that the end surface 13 of the glass substrate 1 extends from the plate 2. The glass substrate 1 shown in FIG. 2B is moved relatively (for example, 5 mm / second to 9 mm / second) by a glass substrate 1 and a burner (for example, a concentrated flame of butane gas φ10) 3 as a flame means. The X part of is heated. In the treatment in this case, first, the glass substrate 1 is placed on the plate 2, and then the plate 2 is heated to about 400 ° C. (in the range of 350 ° C. to annealing point temperature). Then, X part of the glass base material 1 is heated, moving the glass base material 1 and the burner 3 relatively, and the top part 14 formed in the end surface 13 is rounded by etching. Finally, the glass substrate 1 is cooled to room temperature in about 10 to 20 minutes. Here, stainless steel is used as the material of the plate 2, but heat-resistant alloy, graphite, ceramics, or the like may be used. Here, a butane gas burner is used, but an LNG (liquefied natural gas) burner, an LPG (liquefied petroleum gas) burner, an acetylene gas burner, an oxygen gas burner, or the like may be used.

ただし、一般的にガラスの軟化点温度は600℃以上と高く、熱エネルギーを局所的に加えた局所加熱部が急冷に晒されると、非局所加熱部との収縮量の差により破損が生じる。このため、あらかじめプレート2を250℃以上徐冷点以下の高温にしておく、いわゆるプレヒートを実施することにより、この破損を防ぐことができる。   However, generally, the softening point temperature of glass is as high as 600 ° C. or higher, and when a locally heated portion to which heat energy is locally applied is exposed to rapid cooling, breakage occurs due to a difference in shrinkage from the non-locally heated portion. For this reason, this damage can be prevented by carrying out so-called preheating, in which the plate 2 is preliminarily heated to a temperature not lower than 250 ° C. and not higher than the annealing point.

また、加熱処理により、処理が施された箇所と、そうでない箇所との境界で大きな熱歪が発生し、引張応力が加わり、このままの状態ではわずかな衝撃で容易に破壊が起こる可能性がある。このため、除冷点近傍で放電加工処理後のガラス基材1に対して熱歪を緩和させるアニール処理を施すことが好ましい。アニール処理の条件としては、徐冷点温度〜+10℃で、1分〜30分である。代表的な、アルミノシリケートガラスの徐冷点温度は、例えば500℃である。   In addition, due to the heat treatment, a large thermal strain occurs at the boundary between the treated part and the non-treated part, and tensile stress is applied. In this state, there is a possibility that breakage easily occurs with a slight impact. . For this reason, it is preferable to perform the annealing process which relieves a thermal distortion with respect to the glass base material 1 after an electrical discharge machining process in the vicinity of a cooling point. As conditions for the annealing treatment, the annealing temperature is from + 10 ° C. to 1 minute to 30 minutes. A typical annealing temperature of aluminosilicate glass is, for example, 500 ° C.

放電加工処理は、ガラス基材1の端面13に対して、放電源からのアーク放電により熱エネルギーを加える処理をいう。詳しくは、放電現象(電極間に高電圧をかけることで、空気中での絶縁が破れる現象)を利用して熱エネルギーを加える処理をいう。例えば、図3に示すように、プレート2上に載置したガラス基材1の端面13を含む領域を、先端を鋭利に研磨した2本の高融点金属棒4の間に配置し、この高融点金属棒4間に1000V程度の高電圧を印加する。これにより、高融点金属棒4の間にプルーム5と呼ばれる放電エリアが生じて、この放電エリアのガラス基材1の端面13が熱エネルギーにより加熱される。このとき、ガラス基材1及び高融点金属棒4を相対的に移動させながらガラス基材1の端面13を加熱して、エッチングにより端面13に形成された頂部14及び端面13と主表面11,12の頂部(稜線)を丸める。なお、放電加工処理においては、高温領域がプルーム5のみに限定されるので、プルーム5の領域外でガラス基材が歪んだり、面ダレなどを起こすことはない。   The electric discharge machining process is a process of applying thermal energy to the end surface 13 of the glass substrate 1 by arc discharge from a discharge source. Specifically, it refers to a process of applying thermal energy using a discharge phenomenon (a phenomenon in which insulation in air is broken by applying a high voltage between electrodes). For example, as shown in FIG. 3, a region including the end surface 13 of the glass substrate 1 placed on the plate 2 is disposed between two refractory metal rods 4 whose tips are sharply polished. A high voltage of about 1000 V is applied between the melting point metal rods 4. As a result, a discharge area called plume 5 is generated between the refractory metal rods 4, and the end face 13 of the glass substrate 1 in this discharge area is heated by thermal energy. At this time, the end surface 13 of the glass substrate 1 is heated while relatively moving the glass substrate 1 and the refractory metal rod 4, and the top portion 14 and the end surface 13 formed on the end surface 13 by etching and the main surface 11, Round 12 tops (ridges). In the electric discharge machining process, the high temperature region is limited to the plume 5 only, so that the glass base material is not distorted outside the plume 5 region, and no surface sagging occurs.

ただし、一般的にガラスの軟化点温度は600℃以上と高く、熱エネルギーを局所的に加えた局所加熱部が急冷に晒されると非局所加熱部との収縮量の差により破損が生じる。このため、あらかじめプレート2を250℃以上徐冷点以下の高温にしておく、いわゆるプレヒートを実施することにより、この破損を防ぐことができる。さらに、放電加工処理により、処理が施された箇所と、そうでない箇所との境界で大きな熱歪が発生し、引張応力が加わり、このままの状態ではわずかな衝撃で容易に破壊が起こる可能性がある。このため、除冷点近傍で放電加工処理後のガラス基材1に対してアニール処理を施すことが好ましい。アニール処理の条件としては、徐冷点温度〜+10℃で、1分〜30分である。代表的な、アルミノシリケートガラスの徐冷点温度は、例えば500℃である。 However, generally the softening point temperature of the glass is as high as 600 ° C. or higher, breakage due to the difference in contraction amount between the locally localized heating portion is exposed and the non-local heating portion quench application of heat energy arising. For this reason, this damage can be prevented by carrying out so-called preheating, in which the plate 2 is preliminarily heated to a temperature not lower than 250 ° C. and not higher than the annealing point. Furthermore, due to the electrical discharge machining treatment, a large thermal strain is generated at the boundary between the treated area and the non-treated area, and tensile stress is applied. In this state, there is a possibility that breakage easily occurs with a slight impact. is there. For this reason, it is preferable to anneal the glass substrate 1 after the electric discharge machining treatment in the vicinity of the cooling point. As conditions for the annealing treatment, the annealing temperature is from + 10 ° C. to 1 to 30 minutes. A typical annealing temperature of aluminosilicate glass is, for example, 500 ° C.

光照射処理は、ガラス基材1の端面13に対して、光源であるレーザなどを用いてレーザ光を利用してガラス基材1の加熱処理を行う処理をいう。レーザ光は、ガラスを軟化することができる波長を有する光であればよく、例えば、光源としては、炭酸ガスレーザ、YAGレーザを用いることができる。   The light irradiation process refers to a process in which the glass substrate 1 is heat-treated with respect to the end surface 13 of the glass substrate 1 using a laser beam or the like using a laser beam. The laser light may be light having a wavelength that can soften the glass. For example, a carbon dioxide laser or a YAG laser can be used as the light source.

また、上記熱エネルギーによる加熱により、ガラス中イオン成分の揮発が発生し、最表面の組成が変動する場合がある。この場合、ガラス中のイオン成分の揮発によりガラスの密度が減少するので、端面13での強度が未処理領域に比べて弱くなる傾向がある。そこで、ガラス基材に対して局所的に熱エネルギーを加え、アニール処理を行った後に、化学強化をガラス基材1に施すことにより、発生する圧縮応力で、アニールでは取りきれなかった引張応力の相対的低減と、密度変化による端面強度とを補填することができ、ガラス基材として十分な強度を得ることができる。ここで、化学強化とは、ガラスを構成するアルカリ金属イオンを、それよりもサイズが大きいアルカリ金属イオンで、イオン交換により置換することで強化することをいう。   Moreover, volatilization of the ionic component in glass occurs by the heating by the said heat energy, and the composition of the outermost surface may fluctuate. In this case, since the density of the glass decreases due to volatilization of the ionic component in the glass, the strength at the end face 13 tends to be weaker than that in the untreated region. Therefore, after applying thermal energy locally to the glass substrate and performing an annealing treatment, the glass substrate 1 is subjected to chemical strengthening to generate a compressive stress, which is a tensile stress that cannot be removed by annealing. The relative reduction and the end face strength due to the density change can be compensated, and a sufficient strength as a glass substrate can be obtained. Here, chemical strengthening means strengthening by replacing the alkali metal ions constituting the glass with alkali metal ions having a size larger than that by ion exchange.

また、イオン交換処理条件としては、硝酸カリウム(KNO)の単塩、硝酸ナトリウム(NaNO)の単塩、及び硝酸カリウムと硝酸ナトリウムを任意の重量比で混合した混合塩を使用しても良く、温度は350℃〜450℃、時間は1時間〜20時間の範囲で選択すれば良い。 In addition, as ion exchange treatment conditions, a single salt of potassium nitrate (KNO 3 ), a single salt of sodium nitrate (NaNO 3 ), and a mixed salt obtained by mixing potassium nitrate and sodium nitrate at an arbitrary weight ratio may be used. The temperature may be selected in the range of 350 ° C. to 450 ° C. and the time in the range of 1 hour to 20 hours.

なお、熱エネルギーによる局所的加熱処理、アニール処理と化学強化処理の順序については、化学強化処理よりも熱エネルギーによる局所的加熱処理、アニール処理を後にすると化学強化で発生した圧縮応力が熱緩和してしまうので、熱エネルギーによる局所的加熱処理、アニール処理の後に、化学強化処理を施すことが好ましい。   Regarding the order of local heat treatment by thermal energy, annealing treatment and chemical strengthening treatment, compressive stress generated by chemical strengthening is thermally relaxed after local heat treatment and annealing treatment by thermal energy rather than chemical strengthening treatment. Therefore, it is preferable to perform a chemical strengthening treatment after the local heat treatment with heat energy and the annealing treatment.

エッチング後のガラス基材の端面に対して施す加熱処理については、図4に示すように、断面略コの字形状の加熱ブロック6の凹部にガラス基材1の端面を含む領域を挿入して(加熱ブロック6に対して距離2mm程度に近づける)、加熱ブロック6を加熱(1000℃程度)することにより凹部に加熱雰囲気と赤外線輻射の集中域を作成し、ガラス基材1の端面を加熱ブロック6に接近させて、輻射熱(400℃程度)に晒して、端面に対して間接的に加熱処理を用いても良い。この場合には、加熱ブロックはガラス基材1よりも長く作製し、2〜10秒程度ガラス基材の端部を凹部内に静置させてエッチングにより端面13に形成された頂部14及び端面13と主表面11,12の頂部(稜線)を丸める。レーザまた、赤外線ヒータなどで加熱して加熱雰囲気を作る加熱ブロック6の材料としては、窒化ケイ素などを挙げることができる。   About the heat processing performed with respect to the end surface of the glass base material after an etching, as shown in FIG. 4, the area | region containing the end surface of the glass base material 1 is inserted in the recessed part of the heating block 6 of a cross-sectional substantially U shape. (Close to the heating block 6 at a distance of about 2 mm), by heating the heating block 6 (about 1000 ° C.), a heating atmosphere and a concentrated area of infrared radiation are created in the recess, and the end face of the glass substrate 1 is heated to the heating block 6 6 may be exposed to radiant heat (about 400 ° C.) to indirectly heat the end face. In this case, the heating block is made longer than the glass substrate 1, and the top portion 14 and the end surface 13 formed on the end surface 13 by etching after leaving the end portion of the glass substrate in the recess for about 2 to 10 seconds. And the top part (ridgeline) of the main surfaces 11 and 12 is rounded. Examples of the material of the heating block 6 that creates a heating atmosphere by heating with a laser or an infrared heater include silicon nitride.

このようなガラス基材1は、頂部14及び端面13と主表面11,12の頂部(稜線)が極端に突出する部分がなく、丸みを帯びているので、取り扱い中や搬送中に破損したり、チッピングが生じにくいものである。また、本発明に係るガラス基材は、板状のガラス基板の主表面にレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンをマスクとして、前記ガラス基板のエッチングが可能なエッチャントで前記ガラス基板をエッチングすることにより所望の形状に切り抜かれたものであり、かつ、ガラス基材1の端面13’は、溶解ガラス面で構成されてなり、該端面13’における表面粗さ(算術平均粗さRa)が10nm以下となっている。このように、本発明に係るガラス基材は、エッチングにより外形を形成しているので、端面13’が非常に高い平滑性を有し、溶解ガラス面で構成されており、機械加工で形成された端面に必ず存在するマイクロクラックのない状態となり、高い機械的強度を発揮する。   Such a glass substrate 1 has no top portion (ridge line) protruding from the top portion 14 and the end surface 13 and the main surfaces 11 and 12 and is rounded, so that it may be damaged during handling or transportation. Chipping is less likely to occur. In the glass substrate according to the present invention, after forming a resist pattern on the main surface of a plate-like glass substrate, the glass substrate is etched with an etchant capable of etching the glass substrate using the resist pattern as a mask. The end surface 13 ′ of the glass substrate 1 is made of a molten glass surface, and the surface roughness (arithmetic average roughness Ra) at the end surface 13 ′ is cut. It is 10 nm or less. Thus, since the glass substrate according to the present invention forms an outer shape by etching, the end face 13 'has a very high smoothness and is composed of a molten glass surface, which is formed by machining. It will be in a state without any microcracks that are always present on the end face, and exhibit high mechanical strength.

なお、ガラス基材の機械的強度は、3点抗折強度(3点曲げ強さ)で5000kgf/cm以上が好ましく、さらに好ましくは、7000kgf/cm以上、最も好ましくは、10000kgf/cm以上であることが望ましい。 The mechanical strength of the glass substrate is preferably 5000 kgf / cm 2 or more, more preferably 7000 kgf / cm 2 or more, and most preferably 10000 kgf / cm 2 in terms of three-point bending strength (three-point bending strength). The above is desirable.

ガラス基材1としては、溶融ガラスから直接シート状に成形したもの、あるいは、ある厚さに成形されたガラス体を所定の厚さに切り出し、主表面を研磨して所定の厚さに仕上げたものなどを使用することができる。好ましくは、溶融ガラスから直接シート状に成形したものを使用することが好ましい。なぜなら、溶融ガラスから直接シート状に成形したガラス基板の主表面は、熱間成形された表面であり、極めて高い平滑性を有し、マイクロクラックのない表面状態を有するからである。溶融ガラスから直接シート状に成形する方法としては、ダウンドロー法、フロート法などが挙げられる。中でも、ダウンドロー法が好ましい。上述の高平滑性等の効果に加え、エッチング工程による外形加工を行う場合、ガラス基板の両主表面に形成されたレジストパターンをマスクにして、ガラス基材を両主表面からエッチングする際に、両主表面から均等にエッチングすることができるので、寸法精度もよく、ガラス基材の端面の断面形状も良好となるからである。ガラス基材1の厚さは、0.3mm以上1.3mm以下であることが好ましい。   As the glass substrate 1, a glass body molded directly from a molten glass or a glass body molded to a certain thickness is cut out to a predetermined thickness, and the main surface is polished to a predetermined thickness. Things can be used. It is preferable to use what was directly molded into a sheet form from molten glass. This is because the main surface of the glass substrate molded directly from molten glass into a sheet is a hot-molded surface, and has a very high smoothness and a surface state without microcracks. Examples of a method for directly forming a sheet from molten glass include a downdraw method and a float method. Of these, the downdraw method is preferred. In addition to the effects such as high smoothness described above, when performing external processing by an etching process, using the resist pattern formed on both main surfaces of the glass substrate as a mask, when etching the glass substrate from both main surfaces, This is because etching can be performed uniformly from both main surfaces, so that the dimensional accuracy is good and the cross-sectional shape of the end face of the glass substrate is also good. The thickness of the glass substrate 1 is preferably 0.3 mm or greater and 1.3 mm or less.

ダウンドロー法によるガラス板成形が可能なガラスとしては、SiO、Al、LiO及び/又はNaOを含有したアルミノシリケートガラスが挙げられる。特に、アルミノシリケートガラスは、62重量%〜75重量%のSiO、5重量%〜15重量%のAl、4重量%〜10重量%のLiO、4重量%〜12重量%のNaO、及び5.5重量%〜15重量%のZrOを含有することが好ましく、さらに、NaO/ZrOの重量比が0.5〜2.0であり、さらにAl/ZrOの重量比が0.4〜2.5である組成とすることが好ましい。 Examples of the glass that can be formed into a glass plate by the downdraw method include aluminosilicate glass containing SiO 2 , Al 2 O 3 , Li 2 O and / or Na 2 O. In particular, the aluminosilicate glass is composed of 62 wt% to 75 wt% SiO 2 , 5 wt% to 15 wt% Al 2 O 3 , 4 wt% to 10 wt% Li 2 O, 4 wt% to 12 wt%. of Na 2 O, and 5.5 wt% preferably contains ZrO 2 of 15 wt%, further, the weight ratio of Na 2 O / ZrO 2 is 0.5 to 2.0, further Al 2 O 3 / weight ratio of ZrO 2 it is preferred that the composition is 0.4 to 2.5.

SiOは、ガラス骨格を形成する主要成分である。携帯端末、特に携帯電話用カバーガラスは、人肌に触れたり、水や雨水などが接触したりするなど非常に厳しい環境下で使用されるが、このような環境化においても十分な化学的耐久性を要する必要がある。SiOの割合は、前記化学的耐久性や、溶融温度を考慮すると、62重量%〜75重量%であることが好ましい。 SiO 2 is a main component that forms a glass skeleton. Mobile devices, especially cover glasses for mobile phones, are used in extremely harsh environments such as touching human skin and contact with water and rainwater. It is necessary to have sex. The ratio of SiO 2 is preferably 62% by weight to 75% by weight in consideration of the chemical durability and the melting temperature.

Alは、ガラス表面のイオン交換性能を向上させるため含有される。Alの割合は、化学的耐久性や、耐失透性を考慮して、5重量%〜15重量%であることが好ましい。 Al 2 O 3 is contained in order to improve the ion exchange performance on the glass surface. The proportion of Al 2 O 3 is preferably 5% by weight to 15% by weight in view of chemical durability and devitrification resistance.

LiOは、ガラス表層部でイオン交換処理浴中の主としてNaイオンとイオン交換されることにより、ガラスを化学強化する際の必須成分である。LiOの割合は、イオン交換性能や、耐失透性と化学的耐久性を考慮して、4重量%〜10重量%であることが好ましい。 Li 2 O is an essential component for chemically strengthening glass by being ion-exchanged mainly with Na ions in the ion-exchange treatment bath at the glass surface layer. The ratio of Li 2 O is preferably 4% by weight to 10% by weight in consideration of ion exchange performance, devitrification resistance and chemical durability.

NaOは、ガラス表層部でイオン交換処理浴中のKイオンとイオン交換されることにより、ガラスを化学強化する際の必須成分である。NaOの割合は、前記機械的強度や、耐失透性、化学的耐久性を考慮して、4重量%〜12重量%であることが好ましい。 Na 2 O is an essential component when the glass is chemically strengthened by ion exchange with K ions in the ion exchange treatment bath at the glass surface layer. The ratio of Na 2 O is preferably 4% by weight to 12% by weight in consideration of the mechanical strength, devitrification resistance, and chemical durability.

ZrOは、機械的強度を高める効果がある。ZrOの割合は、化学的耐久性や、均質なガラスを安定して製造することを考慮して、5.5重量%〜15重量%であることが好ましい。 ZrO 2 has the effect of increasing the mechanical strength. The ratio of ZrO 2 is preferably 5.5% by weight to 15% by weight in consideration of chemical durability and stable production of homogeneous glass.

なお、アルミノシリケートガラスの代わりに、他の多成分系ガラスを用いても良い。また、ガラス基材として必要な透明性が確保されるのであれば、結晶化ガラスを用いても良い。   Note that other multicomponent glass may be used instead of aluminosilicate glass. Further, crystallized glass may be used as long as the transparency necessary for the glass substrate is ensured.

次に、ガラス基材として、携帯電話の表示画面の保護に用いられる携帯電話用カバーガラスを例にとり、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。   Next, taking as an example a cover glass for a mobile phone used for protecting a display screen of a mobile phone as an example of a glass substrate, an example performed to clarify the effect of the present invention will be described.

(実施例1)
まず、SiOを63.5重量%、Alを8.2重量%、LiOを8.0重量%、NaOを10.4重量%、ZrOを11.9重量%含むアルミノシリケートガラスをダウンドロー法により、板厚0.5mmの板状のガラス基板(シート状ガラス)に成形した。このダウンドロー法により形成されたシート状ガラスの主表面の表面粗さ(算術平均粗さRa)を、原子間力顕微鏡により調べたところ0.2nmであった。
Example 1
First, SiO 2 is 63.5% by weight, Al 2 O 3 is 8.2% by weight, Li 2 O is 8.0% by weight, Na 2 O is 10.4% by weight, and ZrO 2 is 11.9% by weight. The aluminosilicate glass contained was formed into a plate-like glass substrate (sheet-like glass) having a plate thickness of 0.5 mm by the downdraw method. The surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) of the main surface of the sheet-like glass formed by this downdraw method was 0.2 nm when examined by an atomic force microscope.

次いで、シート状ガラスの両主表面上にネガ型の耐フッ酸性レジストを厚さ32μmでコーティングし、この耐フッ酸性レジストに対して100℃で30分のベーキング処理(プリベーク)を施した。次いで、所定のパターンを有するフォトマスクを介して耐フッ酸性レジストに対し両面から300mJ/cm2のエネルギーで露光し、露光後の耐フッ酸性レジストを、現像液(NaCO溶液)を用いて現像してシート状ガラス上の被エッチング領域以外の領域に耐フッ酸性レジストを残存させたレジストパターンを形成した。さらに、レジストパターンが形成されたシート状ガラスを、250℃で30分のベーキング処理(ポストベーク)を施した。 Next, a negative type acid-resistant acid resist was coated on both main surfaces of the sheet glass with a thickness of 32 μm, and this acid-resistant resist was baked (prebaked) at 100 ° C. for 30 minutes. Next, the hydrofluoric acid resistant resist is exposed to energy of 300 mJ / cm 2 from both sides through a photomask having a predetermined pattern, and the hydrofluoric acid resistant resist after the exposure is used with a developer (Na 2 CO 3 solution). Development was performed to form a resist pattern in which the hydrofluoric acid resistant resist remained in a region other than the region to be etched on the sheet-like glass. Further, the sheet-like glass on which the resist pattern was formed was baked (post-baked) at 250 ° C. for 30 minutes.

次いで、エッチャントとしてフッ酸(15重量%)と硫酸(24重量%)の混酸水溶液(40℃)を用いて、レジストパターンをマスクにして、シート状ガラスを両主表面側から被エッチング領域を第1エッチングして所定の形状(コーナー面取りされた四角形状(大きさ50mm×40mm))に切り抜いた。その後、NaOH溶液を用いてガラス上に残存した耐フッ酸性レジストを膨潤させてガラスから剥離し、リンス処理を行った。   Next, using a mixed acid aqueous solution (40 ° C.) of hydrofluoric acid (15% by weight) and sulfuric acid (24% by weight) as an etchant, using the resist pattern as a mask, sheet-like glass is etched from both main surface sides. 1-etching was performed to cut out a predetermined shape (square shape with chamfered corners (size: 50 mm × 40 mm)). Thereafter, the hydrofluoric acid resistant resist remaining on the glass was swollen using a NaOH solution, peeled off from the glass, and rinsed.

次いで、図2に示す装置を用いて、エッチング後のガラス基材の端面に対して火炎処理を行った。ここでは、ガラス基材を載置したプレートを固定し、プレートを430℃に予熱し、4.2mm/秒の速度でバーナーを移動することにより火炎処理を行った。このガラス基材に対して、硝酸ナトリウム(NaNO)と硝酸カリウム(KNO)の比率(NaNO:KNO)を、重量比4:6で混合した熔融塩中で、380℃、2時間浸漬して、イオン交換処理して化学強化を行った。このようにして、実施例1の携帯電話用カバーガラスを作製した。 Next, using the apparatus shown in FIG. 2, flame treatment was performed on the end surface of the glass substrate after etching. Here, the plate on which the glass substrate was placed was fixed, the plate was preheated to 430 ° C., and the flame treatment was performed by moving the burner at a speed of 4.2 mm / sec. Immersion at 380 ° C. for 2 hours in a molten salt in which the ratio of sodium nitrate (NaNO 3 ) and potassium nitrate (KNO 3 ) (NaNO 3 : KNO 3 ) was mixed at a weight ratio of 4: 6 with respect to this glass substrate Then, the chemical strengthening was performed by ion exchange treatment. In this manner, the cover glass for a mobile phone of Example 1 was produced.

得られた携帯電話用カバーガラスについて、図1(b)に示す面取り寸法(距離(X)、距離(Y)の平均値)と、図1(c)に示すt’−tの値(厚み変化量)を調べた。その結果を下記表1に示す。また、得られた携帯電話用カバーガラスについて、抗折強度測定及びシャープエッジテストを行った。その結果を下記表1に示す。   About the obtained mobile phone cover glass, the chamfer dimension (average value of distance (X) and distance (Y)) shown in FIG. 1B and the value of t′-t (thickness) shown in FIG. Change). The results are shown in Table 1 below. Moreover, the bending strength measurement and the sharp edge test were performed about the obtained cover glass for mobile phones. The results are shown in Table 1 below.

なお、抗折強度測定は、図5(a)に示すように、ガラス基材1(携帯電話用カバーガラス)を一定距離に配置された2支持体(支点)25,26上に置き、支持体25,26間の中央の1点に荷重体27を介して荷重を加えて、破壊したときの最大曲げ応力を測定することにより行った。この3点曲げ強さは、支点間距離、基板幅、基板厚さに依存するため、次式により規格化を行った。
σ=(3PL)/(2wt2
ここで、σは3点曲げ強さ(kgf/cm2)を示し、Pはガラス基材(携帯電話用カバーガラス)が破壊したときの最大荷重(kgf)を示し、Lは支持体25,26間距離(cm)を示し、wは図5(b)に示すようにガラス基材(携帯電話用カバーガラス)幅(cm)を示し、tは図5(b)に示すようにガラス基材(携帯電話用カバーガラス)の厚さ(cm)を示す。
As shown in FIG. 5A, the bending strength measurement is performed by placing a glass substrate 1 (mobile phone cover glass) on two supports (fulcrum points) 25 and 26 arranged at a fixed distance. A load was applied to one central point between the bodies 25 and 26 via a load body 27, and the maximum bending stress when the fracture occurred was measured. Since the three-point bending strength depends on the distance between the fulcrums, the substrate width, and the substrate thickness, normalization was performed using the following equation.
σ = (3PL) / (2 wt 2 )
Here, σ indicates a three-point bending strength (kgf / cm 2 ), P indicates a maximum load (kgf) when the glass substrate (cover glass for a mobile phone) breaks, L indicates a support 25, 26 indicates a distance (cm) between 26, w indicates a glass substrate (mobile phone cover glass) width (cm) as shown in FIG. 5 (b), and t indicates a glass substrate as shown in FIG. 5 (b). The thickness (cm) of the material (cover glass for mobile phone) is shown.

シャープエッジテストは、エクセル株式会社製シャープエッジテスターSET−50とテープキットTC−3を用い、UL−1439(機器の縁の鋭さの判定)に準拠した方法により行った。なお、テープキットTC−3は、図6に示すように、直径12.7mmのヘッド34に積層された、指の柔らかさを想定した3層のテープ31〜33を持つキットであり、シャープエッジテスターSET−50はそれを被測定エッジに一定荷重で押し付けるためのツールである。具体的には、シャープエッジテスターSET−50に取り付けられたテープキットTC−3を一定荷重(図6における矢印方向:6.67N)で被測定エッジ(ガラス基材(携帯電話用カバーガラス)のエッジ部)に接触させる。その荷重を保ったまま、エッジ部に沿ってテープキットTC−3を往復100mm(片道50mm)移動させる。   The sharp edge test was conducted by using a sharp edge tester SET-50 manufactured by Excel Corporation and a tape kit TC-3 by a method based on UL-1439 (determination of the sharpness of the edge of the device). As shown in FIG. 6, the tape kit TC-3 is a kit having three layers of tapes 31 to 33 on the head 34 having a diameter of 12.7 mm and assuming the softness of fingers. The tester SET-50 is a tool for pressing it against the edge to be measured with a constant load. Specifically, the tape kit TC-3 attached to the sharp edge tester SET-50 is measured with a constant load (arrow direction in FIG. 6: 6.67N) of the edge to be measured (glass substrate (cover glass for mobile phone)). The edge part). While maintaining the load, the tape kit TC-3 is moved back and forth 100 mm (one way 50 mm) along the edge portion.

(実施例2)
火炎処理における予熱温度を380℃とし、移動速度を7.2mm/秒、火炎処理後に、510℃、1分のアニール処理を行ったこと以外は実施例1と同様にして実施例2の携帯電話用カバーガラスを得た。得られた携帯電話用カバーガラスについて、面取り寸法、厚み変化量を調べ、抗折強度測定及びシャープエッジテストを行った。その結果を下記表1に併記する。
(Example 2)
The mobile phone of Example 2 was the same as Example 1 except that the preheating temperature in the flame treatment was 380 ° C., the moving speed was 7.2 mm / second, and the annealing treatment was performed at 510 ° C. for 1 minute after the flame treatment. A cover glass was obtained. The obtained cover glass for a mobile phone was examined for chamfer dimensions and thickness variation, and subjected to bending strength measurement and sharp edge test. The results are also shown in Table 1 below.

(実施例3)
火炎処理の代わりにCO2レーザを用いたレーザ照射処理を行い、予熱温度を450℃とし、移動速度を40mm/秒とすること以外は実施例1と同様にして実施例3の携帯電話用カバーガラスを得た。なお、レーザ照射処理後に、510℃、1分のアニール処理を実施した。得られた携帯電話用カバーガラスについて、面取り寸法、及び厚み変化量を調べ、抗折強度測定及びシャープエッジテストを行った。その結果を下記表1に併記する。
(Example 3)
A mobile phone cover of Example 3 in the same manner as in Example 1 except that laser irradiation treatment using a CO 2 laser is performed instead of flame treatment, the preheating temperature is set to 450 ° C., and the moving speed is set to 40 mm / second. Glass was obtained. Note that after the laser irradiation treatment, annealing treatment was performed at 510 ° C. for 1 minute. About the obtained cover glass for mobile phones, the chamfer dimension and the thickness change amount were examined, and the bending strength measurement and the sharp edge test were performed. The results are also shown in Table 1 below.

(実施例4)
火炎処理の代わりに、図4の装置を用いた間接加熱を行い、予熱温度を400℃とし、加熱ブロックはガラス基材1よりも長く作製し、加熱ブロックの温度を1000℃、ガラス基材の端部を凹部内に5秒静置すること以外は実施例1と同様にして実施例4の携帯電話用カバーガラスを得た。なお、加熱ブロックによる間接加熱後に、510℃、1分のアニール処理を実施した。得られた携帯電話用カバーガラスについて、面取り寸法、厚み変化量を調べ、抗折強度測定及びシャープエッジテストを行った。その結果を下記表1に併記する。
Example 4
Indirect heating using the apparatus of FIG. 4 is performed instead of the flame treatment, the preheating temperature is 400 ° C., the heating block is made longer than the glass substrate 1, the temperature of the heating block is 1000 ° C., and the glass substrate A cover glass for a mobile phone of Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the end part was left in the recess for 5 seconds. In addition, after the indirect heating by a heating block, annealing treatment was performed at 510 ° C. for 1 minute. The obtained cover glass for a mobile phone was examined for chamfer dimensions and thickness variation, and subjected to bending strength measurement and sharp edge test. The results are also shown in Table 1 below.

(実施例5)
火炎処理の代わりに、図3の装置を用いた放電加工処理を行い、予熱温度を300℃とし、移動速度を2.0mm/秒とすること以外は実施例1と同様にして実施例5の携帯電話用カバーガラスを得た。なお、放電加工処理後に、510℃、1分のアニール処理を実施した。得られた携帯電話用カバーガラスについて、面取り寸法、及び厚み変化量を調べ、抗折強度測定及びシャープエッジテストを行った。その結果を下記表1に併記する。
(Example 5)
The electric discharge machining process using the apparatus shown in FIG. 3 is performed instead of the flame process, the preheating temperature is set to 300 ° C., and the moving speed is set to 2.0 mm / sec. A cover glass for a mobile phone was obtained. Note that after the electric discharge machining treatment, annealing treatment was performed at 510 ° C. for 1 minute. About the obtained cover glass for mobile phones, the chamfer dimension and the thickness change amount were examined, and the bending strength measurement and the sharp edge test were performed. The results are also shown in Table 1 below.

(比較例)
実施例1におけるエッチング後のガラス基材を比較例の携帯電話用カバーガラスとした。得られた携帯電話用カバーガラスについて、面取り量を調べ、抗折強度測定及びシャープエッジテストを行った。その結果を下記表1に併記する。

Figure 0005074978
(Comparative example)
The glass substrate after etching in Example 1 was used as a cover glass for a mobile phone of a comparative example. About the obtained cover glass for mobile phones, the chamfering amount was examined, and the bending strength measurement and the sharp edge test were performed. The results are also shown in Table 1 below.
Figure 0005074978

表1から分かるように、実施例1〜実施例5の携帯電話用カバーガラスは、面取り寸法が何れも10μm以上と大きいので頂部が鋭利でなく丸みを帯びた形状となっており、また、隆起部分の高さが小さいので、この隆起部分に対するキズや衝撃が集中することを抑制でき3点抗折強度(3点曲げ強さ)が5000kgf/cm以上で機械的強度が高いものであった。これは、火炎加工、レーザ加工、放電加工、など熱エネルギーを利用した加熱処理により取り扱い時に生じる鋭利頂点部分でのクラックが平滑化され、且つ、頂部に丸みが形成されたため取り扱い時に新たにクラックが生じ難くなり劈開の起点となるものがなく、さらに端部が平滑な状態で化学強化により表面に圧縮応力層が形成されているので、3点抗折強度(3点曲げ強さ)が高くなると考えられる。特に、火炎加工を実施した実施例1に対して、火炎加工後に熱歪を緩和させるアニール処理を行った実施例2では機械的強度の向上が見られ、3点抗折強度(3点曲げ強さ)が7000kgf/cm以上と非常に高い機械的強度が得られた。また、実施例3〜5のように、レーザ照射処理、間接加熱処理、放電加工処理後に、熱歪を緩和させるアニール処理を行った場合も、3点抗折強度(3点曲げ強さ)が7000kgf/cm以上と機械的強度が非常に高いものであった。また、頂部が丸みを帯びた形状のために、シャープエッジテストは全て合格であった。 As can be seen from Table 1, the cover glass for mobile phones of Examples 1 to 5 has a chamfered dimension of 10 μm or more, so that the top is not sharp but rounded, Since the height of the portion is small, it is possible to suppress the concentration of scratches and impacts on the raised portion, and the three-point bending strength (three-point bending strength) is 5000 kgf / cm 2 or more and the mechanical strength is high. . This is because the crack at the sharp apex that occurs during handling by heat treatment using thermal energy such as flame machining, laser machining, electric discharge machining, etc. is smoothed, and the top is rounded, so a new crack is created during handling. Since there is nothing that becomes difficult to occur and becomes the starting point of cleavage, and a compressive stress layer is formed on the surface by chemical strengthening in a state where the end is smooth, when the three-point bending strength (three-point bending strength) becomes high Conceivable. In particular, in contrast to Example 1 in which flame processing was performed, in Example 2 in which annealing treatment for relaxing thermal strain was performed after flame processing, mechanical strength was improved, and three-point bending strength (three-point bending strength) And a very high mechanical strength of 7000 kgf / cm 2 was obtained. In addition, as in Examples 3 to 5, the three-point bending strength (three-point bending strength) is also obtained when annealing is performed to reduce thermal strain after laser irradiation processing, indirect heating processing, and electric discharge machining processing. The mechanical strength was very high at 7000 kgf / cm 2 or more. In addition, because of the rounded shape at the top, all the sharp edge tests passed.

一方、比較例の携帯電話用カバーガラスは、頂部が鋭利であり、シャープエッジテストで不合格であった。また、3点抗折強度(3点曲げ強さ)も5000kgf/cmを遥かに下回るものであった。これは、火炎加工などの熱エネルギーを利用した加熱処理がないために頂部が鋭利であり、取り扱い時に鋭利頂点にクラックが生じ、劈開の起点となるものがあるため、3点抗折強度(3点曲げ強さ)が低くなると考えられる。 On the other hand, the cover glass for mobile phones of the comparative example had a sharp top and failed the sharp edge test. Also, the three-point bending strength (three-point bending strength) was far below 5000 kgf / cm 2 . This is because the top portion is sharp because there is no heat treatment using thermal energy such as flame processing, and cracks are generated at the sharp apex during handling, and there are those that become the starting point of cleavage. The point bending strength is considered to be low.

本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材料や処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented with appropriate modifications. For example, the materials, processing procedures, and the like in the above-described embodiment are merely examples, and various modifications can be made within the scope of the effects of the present invention. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

(a)〜(c)は、本発明の実施の形態に係るガラス基材の一部を示す図である。(A)-(c) is a figure which shows a part of glass base material which concerns on embodiment of this invention. (a),(b)は、本発明の実施の形態に係るガラス基材の製造方法で使用する火炎処理装置を示す図である。(A), (b) is a figure which shows the flame treatment apparatus used with the manufacturing method of the glass base material concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るガラス基材の製造方法で使用する放電処理装置を示す図である。It is a figure which shows the discharge treatment apparatus used with the manufacturing method of the glass base material which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るガラス基材の製造方法で使用する間接加熱処理装置を示す図である。It is a figure which shows the indirect heat processing apparatus used with the manufacturing method of the glass base material which concerns on embodiment of this invention. 抗折強度測定装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a bending strength measuring apparatus. シャープエッジテストを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a sharp edge test. ガラス基材のエッジを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the edge of a glass base material.

符号の説明Explanation of symbols

1 ガラス基材
2 プレート
3 バーナー
4 高融点金属棒
5 プルーム
6 加熱ブロック
11,12 主表面
13 端面
14 頂部
25,26 支持体
27 荷重体
31〜33 テープ
34 ヘッド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass base material 2 Plate 3 Burner 4 High melting-point metal rod 5 Plume 6 Heating block 11,12 Main surface 13 End surface 14 Top part 25,26 Support body 27 Load body 31-33 Tape 34 Head

Claims (4)

板状のガラス基板の一方及び他方の主表面のそれぞれに形成したレジストパターンをマスクとして、前記ガラス基板のエッチングが可能なエッチャントで前記ガラス基板の一方及び他方の主表面のそれぞれから前記ガラス基板をエッチングすることにより所望の形状に切り抜いてガラス基材を得る工程と、前記ガラス基材の端面における前記主表面の面方向外側へ突出する頂部に対して、該ガラス基材表面が軟化し得る熱エネルギーを局所的に加える工程と、前記ガラス基材の端面に対して熱エネルギーを局所的に加えた後、イオン交換処理により前記ガラス基材表面を化学強化する工程と、を具備することを特徴とする携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法。   Using the resist pattern formed on one and the other main surfaces of the plate-like glass substrate as a mask, the glass substrate is etched from each of the one and the other main surfaces of the glass substrate with an etchant capable of etching the glass substrate. Etching to obtain a glass substrate by cutting into a desired shape, and heat that can soften the surface of the glass substrate relative to the top of the end surface of the glass substrate that protrudes outward in the surface direction of the main surface A step of locally applying energy, and a step of chemically strengthening the glass substrate surface by ion exchange treatment after locally applying thermal energy to the end face of the glass substrate. The manufacturing method of the glass base material of the cover glass for portable devices. 前記ガラス基材の端面に対して熱エネルギーを局所的に加えた後、化学強化する前に、前記ガラス基材の端面に局所的に熱エネルギーを加えたガラス基材に対して、前記熱エネルギーを加えることにより生じた熱歪を緩和させるアニール処理を施すことを特徴とする請求項1に記載の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法。   After the thermal energy is locally applied to the end surface of the glass base material and before chemical strengthening, the thermal energy is applied to the glass base material to which the thermal energy is locally applied to the end surface of the glass base material. The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices of Claim 1 which performs the annealing process which relieve | moderates the thermal strain produced by adding. 前記熱エネルギーは、放電源、加熱源、光源の何れかより発生したエネルギーであって、前記ガラス基材の端面に対して局所的に、加熱処理、放電加工処理、光照射処理の何れかを行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法。   The thermal energy is energy generated from any one of a discharge source, a heating source, and a light source, and is locally applied to the end surface of the glass substrate, and is any one of heat treatment, electric discharge machining treatment, and light irradiation treatment. The manufacturing method of the glass base material of the cover glass for portable devices of Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned. 前記加熱処理は、前記ガラス基材の端面に高温の部材を接近させて、輻射熱により加熱処理を施すことを特徴とする請求項3記載の携帯機器用カバーガラスのガラス基材の製造方法。   The said heat processing makes a high temperature member approach the end surface of the said glass base material, and heat-processes by radiant heat, The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices of Claim 3 characterized by the above-mentioned.
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