JP5074539B2 - インプリントリソグラフィ - Google Patents
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Description
上式で、Iλ1は信号強度、Zは隣接する格子42、44の離隔距離、Anは信号の各々の高調波で異なる定数である。Anの値は、格子の間及び下の層の組成と、格子の形状と線の幅によって決定される。An定数のサイズは、第2高調波より高い次数では、信号に重大な影響がない程度に十分に小さい。それ故、実際の大半のケースでは、信号Zは正弦波に近く、より高い高調波項は比較的小さい。
上式で、Iλ2は信号強度、Zは隣接する格子42、44の離隔距離、Bnは信号の各々の高調波で異なる定数、Xは隣接する格子のX方向の相対位置、Cnは格子の間及び下の層の組成と、格子の形状と線の幅によって決定される値を有する定数である。
(1)インプリントテンプレートに対するリソグラフィ基板の位置を決定する方法であって、
前記基板上のアラインメント格子と、前記インプリントテンプレート上のアラインメント格子が複合回折格子を形成するように、前記インプリントテンプレートに隣接させて前記基板を位置決めするステップと、
第1の波長の放射と、前記第1の波長より長い第2の波長の放射とを含むアラインメント放射ビームを生成するステップと、
前記アラインメント放射ビームを前記複合回折格子に誘導するステップと、
前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動を提供するステップと、
前記横方向の相対移動中に前記複合格子から回折した放射を検出するステップと、
前記第2の波長の検出された放射を用いて前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の離隔距離に関する情報を得るステップと、
前記第1の波長の検出された放射を用いて前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の前記横方向の位置に関する情報を得るステップとを含む方法。
(2)前記第1の波長が、1次回折次数のかなりの放射の量が前記アラインメント格子間で伝搬する程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して十分に短い、上記(1)に記載の方法。
(3)前記第1の波長が、前記1次回折次数のかなりの放射の量が前記アラインメント格子間で伝搬する程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して各々十分に短い複数の波長のうちの1つであり、前記検出器が前記複数の波長を検出するように配置される、上記(2)に記載の方法。
(4)前記第2の波長が、前記1次回折次数のかなりの放射の量が前記アラインメント格子間で伝搬しない程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して十分に長い、上記(1)から(3)のいずれか1項に記載の方法。
(5)前記第2の波長が、前記1次回折次数のかなりの放射の量が前記アラインメント格子間で伝搬しない程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して各々十分に長い複数の波長のうちの1つであり、前記検出器が前記複数の波長を検出するように配置される、上記(4)に記載の方法。
(6)前記基板アラインメント格子のピッチが、前記インプリントテンプレートアラインメント格子のピッチと同じである、上記(1)から(5)のいずれか1項に記載の方法。
(7)前記インプリントテンプレートと前記基板との間の前記横方向の相対移動が、前記基板を横方向に移動させることで達成される、上記(1)から(6)のいずれか1項に記載の方法。
(8)前記アラインメント放射ビームが、前記インプリントテンプレートアラインメント格子から戻った放射がたどる前記光路と前記基板アラインメント格子から戻った放射がたどる前記光路との差より長いコヒーレンス長を有する、上記(1)から(7)のいずれか1項に記載の方法。
(9)前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の前記離隔距離に関する情報を用いて、前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動中の前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の実質的に一定の離隔距離が維持される、上記(1)から(8)のいずれか1項に記載の方法。
(10)前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動中の前記基板と前記インプリントテンプレートとの間の前記離隔距離の変化が測定され、前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の横方向の位置を決定する時に前記変化が考慮される、上記(1)から(8)のいずれか1項に記載の方法。
(11)前記アラインメント放射ビームが別の複合格子の方へ誘導され、前記方法がその複合格子に対して繰り返される、上記(1)から(10)のいずれか1項に記載の方法。
(12)前記インプリントテンプレートアラインメント格子が、前記アラインメント放射ビームの幅より大きい、上記(1)から(11)のいずれか1項に記載の方法。
(13)前記第1の波長が可視波長で、前記第2の波長が赤外波長である、上記(1)から(12)のいずれか1項に記載の方法。
(14)前記インプリントテンプレートに対する前記基板の整列位置を決定するために使用される、上記(1)から(13)のいずれか1項に記載の方法。
(15)インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、
前記インプリントテンプレートによってインプリントする基板を保持するように構成された基板テーブルと、
第1の波長と第2の波長とを含む放射を含むアラインメント放射ビームを生成するように構成されたアラインメント放射ビーム源と、
前記インプリントテンプレート上に提供されたアラインメント格子と、前記基板上に提供されたアラインメント格子から回折したアラインメント放射の強度を検出するように配置された検出器であって、前記第1の波長と前記第2の波長とを区別するように構成された検出器と、
前記回折した第2の波長の検出された強度に関連する信号を受信し、前記信号を用いて前記基板に対する前記インプリントテンプレートの横方向の移動中の前記インプリントテンプレートアラインメント格子と前記基板アラインメント格子との間の一定又は実質的に一定の離隔距離を維持するように構成されたコントローラとを備えるリソグラフィ装置。
(16)前記検出器によって出力された信号を受信し、前記信号を用いて前記インプリントテンプレートに対する前記基板の整列位置を決定するように構成されたプロセッサをさらに備える、上記(15)に記載のリソグラフィ装置。
(17)前記アラインメント放射ビームを前記インプリントテンプレート上の異なる場所に向けて誘導するように配置されたビーム誘導装置をさらに備える、上記(15)又は(16)に記載のリソグラフィ装置。
(18)前記検出器が、格子又はプリズムと、検出器アレイとを備える、上記(15)から(17)のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
(19)前記検出器が、一連の波長選択ビームスプリッタと、関連する一連の検出器とを備える、上記(15)から(17)のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
(20)複数のアラインメント格子を備えたインプリントテンプレートと、対応するピッチを有する複数のアラインメント格子を備えた基板とをさらに備える、上記(15)から(19)のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
(21)インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、
前記インプリントテンプレートによってインプリントする基板を保持するように構成された基板テーブルと、
第1の波長と第2の波長とを含む放射を含むアラインメント放射ビームを生成するように構成されたアラインメント放射ビーム源と、
前記インプリントテンプレート上のアラインメント格子と前記基板上のアラインメント格子から回折したアラインメント放射の強度を検出するように配置された検出器であって、前記第1の波長と前記第2の波長とを区別するように構成された検出器と、
前記検出器によって出力された信号を受信し、前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の前記横方向の位置を決定するように構成されたプロセッサであって、前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動中の前記基板と前記インプリントテンプレートとの間の離隔距離の変化を考慮するように構成されたプロセッサとを備えるリソグラフィ装置。
Claims (16)
- インプリントテンプレートに対するリソグラフィ基板の位置を決定する方法であって、
前記基板上のアラインメント格子と、前記インプリントテンプレート上のアラインメント格子とが複合回折格子を形成するように、前記インプリントテンプレートに隣接させて前記基板を位置決めすることと、
第1の波長の放射と、前記第1の波長より長い第2の波長の放射とを含むアラインメント放射ビームを生成することと、
前記アラインメント放射ビームを前記複合回折格子に誘導することと、
前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動を提供することと、
前記横方向の相対移動中に前記複合格子から回折した放射を検出することと、
前記第2の波長の検出された放射を用いて前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の離隔距離に関する情報を得ることと、
前記第1の波長の検出された放射を用いて前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の前記横方向の位置に関する情報を得ることと、を含む、
方法。 - 前記第1の波長が、1次回折次数の放射のかなりの量が前記アラインメント格子間で伝搬する程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して十分に短い、
請求項1に記載の方法。 - 前記第1の波長が、前記1次回折次数の放射のかなりの量が前記アラインメント格子間で伝搬する程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して各々十分に短い複数の波長のうちの1つであり、前記検出器が、前記複数の波長を検出する、
請求項2に記載の方法。 - 前記第2の波長が、前記1次回折次数の放射のかなりの量が前記アラインメント格子間で伝搬しない程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して十分に長い、
請求項1から3の何れか一項に記載の方法。 - 前記第2の波長が、前記1次回折次数の放射のかなりの量が前記アラインメント格子間で伝搬しない程度に、前記インプリントテンプレートアラインメント格子及び前記基板アラインメント格子のピッチに対して各々十分に長い複数の波長のうちの1つであり、前記検出器が、前記複数の波長を検出する、
請求項4に記載の方法。 - 前記基板アラインメント格子のピッチが、前記インプリントテンプレートアラインメント格子のピッチと同じである、
請求項1から5の何れか一項に記載の方法。 - 前記アラインメント放射ビームが、前記インプリントテンプレートアラインメント格子から戻ってきた放射がたどる前記光路と前記基板アラインメント格子から戻ってきた放射がたどる前記光路との差より長いコヒーレンス長を有する、
請求項1から6の何れか一項に記載の方法。 - 前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の前記離隔距離に関する情報を用いて、前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動中の前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の実質的に一定の離隔距離が維持される、
請求項1から7の何れか一項に記載の方法。 - 前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動中の前記基板と前記インプリントテンプレートとの間の前記離隔距離の変化が測定され、前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の横方向の位置を決定する時に前記変化が考慮される、
請求項1から8の何れか一項に記載の方法。 - 前記第1の波長が可視波長で、前記第2の波長が赤外波長である、
請求項1から9の何れか一項に記載の方法。 - 前記インプリントテンプレートに対する前記基板の整列位置を決定するために使用される、
請求項1から10の何れか一項に記載の方法。 - インプリントテンプレートを保持するインプリントテンプレートホルダと、
前記インプリントテンプレートによってインプリントする基板を保持する基板テーブルと、
第1の波長の放射と、前記第1の波長より長い第2の波長の放射と、を含むアラインメント放射ビームを生成するアラインメント放射ビーム源と、
前記インプリントテンプレート上に提供されたアラインメント格子と、前記基板上に提供されたアラインメント格子とから回折したアラインメント放射の強度を検出する検出器であって、前記第1の波長と前記第2の波長とを区別する検出器と、
前記検出器によって出力された信号を受信し、前記信号を用いて前記インプリントテンプレートに対する前記基板の整列位置を決定するプロセッサと、備え、
前記プロセッサは、前記第1の波長の検出された放射を用いて前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の前記横方向の位置を決定するとともに、前記第2の波長の検出された放射を用いて前記基板アラインメント格子と前記インプリントテンプレートアラインメント格子との間の離隔距離を算出する、
リソグラフィ装置。 - 前記検出器が、格子又はプリズムと、検出器アレイと、を備える、
請求項12に記載のリソグラフィ装置。 - 前記検出器が、一連の波長選択ビームスプリッタと、関連する一連の検出器と、を備える、
請求項12に記載のリソグラフィ装置。 - 前記回折した第2の波長の検出された強度に関連する信号を受信し、前記信号を用いて前記基板に対する前記インプリントテンプレートの横方向の移動中の前記インプリントテンプレートアラインメント格子と前記基板アラインメント格子との間の一定又は実質的に一定の離隔距離を維持するコントローラをさらに備える、
請求項12から14の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記プロセッサは、前記検出器によって出力された信号を受信し、前記インプリントテンプレートアラインメント格子に対する前記基板アラインメント格子の前記横方向の位置を決定するプロセッサであって、前記インプリントテンプレートと前記基板との間の横方向の相対移動中の前記基板と前記インプリントテンプレートとの間の離隔距離の変化を考慮する、
請求項12から14の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14985309P | 2009-02-04 | 2009-02-04 | |
US61/149,853 | 2009-02-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010183075A JP2010183075A (ja) | 2010-08-19 |
JP5074539B2 true JP5074539B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=42397447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010016184A Active JP5074539B2 (ja) | 2009-02-04 | 2010-01-28 | インプリントリソグラフィ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8248608B2 (ja) |
JP (1) | JP5074539B2 (ja) |
NL (1) | NL2003871A (ja) |
TW (1) | TWI418950B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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NL2005975A (en) | 2010-03-03 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL2006454A (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-07 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography method and apparatus. |
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NL2003347A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-16 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
-
2009
- 2009-11-26 NL NL2003871A patent/NL2003871A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-12-18 TW TW098143710A patent/TWI418950B/zh active
-
2010
- 2010-01-28 JP JP2010016184A patent/JP5074539B2/ja active Active
- 2010-02-02 US US12/698,418 patent/US8248608B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010183075A (ja) | 2010-08-19 |
TWI418950B (zh) | 2013-12-11 |
NL2003871A (en) | 2010-08-05 |
TW201033751A (en) | 2010-09-16 |
US20100195102A1 (en) | 2010-08-05 |
US8248608B2 (en) | 2012-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100402 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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