JP5071317B2 - Inspection and adjustment methods for sensor chips - Google Patents

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Description

本発明は、センサチップの電気的特性を検査・調整するセンサチップの検査・調整方法に関するものである。 The present invention relates to inspection and adjustment Seikata method of the sensor chip to examine and adjust the electrical characteristic of the sensor chip.

従来、例えば特許文献１に示されるように、湿度を検出する検出部と該検出部の検出信号を処理する回路部が１チップに構成された湿度センサを、１チップ毎に分割される前のウェハの状態で配置する検査室と、該検査室内において、回路部の電極パッドと直接接触される接触子としてのプローブと、該プローブと電気的に接続され、湿度センサの電気的特性を検査し、且つ電気的特性を調整するテスタと、検査室内が所定の湿度及び温度となるように調整する温湿度調整部と、を備える湿度センサの検査装置が提案されている。このように、特許文献１に示される検査装置は、温湿度調整部によって検査室内の温度と湿度を所定条件に調整することができるので、テスタによって、プロービングテスト（ＩＣチップの電気的な良否判定）だけでなく、湿度センサの電気的特性（感度、感度の温度特性、オフセット、及びオフセットの温度特性）の検査・調整を行うことができるようになっている。
特開２００６−２５０５７９号公報 Conventionally, as shown in, for example, Patent Document 1, a humidity sensor in which a detection unit for detecting humidity and a circuit unit for processing a detection signal of the detection unit are configured in one chip is divided into chips. An inspection room arranged in the state of a wafer, a probe as a contact that is in direct contact with an electrode pad of a circuit unit in the inspection room, and an electrical connection with the probe to inspect the electrical characteristics of the humidity sensor In addition, a humidity sensor inspection apparatus has been proposed that includes a tester that adjusts electrical characteristics, and a temperature and humidity adjustment unit that adjusts the inside of the inspection chamber to have a predetermined humidity and temperature. As described above, the inspection apparatus disclosed in Patent Document 1 can adjust the temperature and humidity in the inspection room to predetermined conditions by the temperature / humidity adjustment unit, so that the probing test (electrical pass / fail judgment of the IC chip) is performed by the tester. ) As well as electrical characteristics (sensitivity, temperature characteristics of sensitivity, offset, and temperature characteristics of offset) of the humidity sensor can be inspected and adjusted.
JP 2006-250579 A

ところで、特許文献１に示される検査装置は、回路部の電極パッドとプローブを直接接触させることで、回路部とテスタとを電気的に接続している。幾度もプローブを介して電気信号の送受信を行うと、導電体であるプローブに電荷の蓄積（寄生容量）が生じ、これにより、検査・調整を行うための電気信号に変動が生じ、電気的特性の検査・調整に誤差が生じる虞がある。   By the way, the inspection apparatus shown by patent document 1 has electrically connected the circuit part and the tester by making the electrode pad and probe of a circuit part contact directly. When electrical signals are transmitted and received many times through the probe, charge accumulation (parasitic capacitance) occurs in the probe, which is a conductor, and this causes fluctuations in the electrical signal for inspection and adjustment, resulting in electrical characteristics. There is a risk of errors in inspection and adjustment.

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、電気的特性の検査・調整の精度が向上された検査・調整方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an inspection-tone Seikata method accuracy of the inspection and adjustment is improved in electrical characteristics.

上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、センサ素子及び該センサ素子の検出信号を処理する回路部を有するセンシング部と、電磁波を送受信し、且つ電磁波を受信することで電力を生成する第１信号送受信部と、固有の識別ＩＤを有し、且つ回路部と第１信号送受信部との電気的な接続を制御する認証部と、が各センサチップの形成領域毎に設けられたウェハと、ウェハを配置する検査室と、検査室内を所定の測定環境に調整する環境調整部と、第１信号送受信部との間で電磁波の送受信を行う第２信号送受信部と、該第２信号送受信部と電気的に接続され、複数の異なる測定環境下において検出されたセンシング部の複数の検出信号に基づいてセンサチップの電気的特性を調整する調整用データを算出するテスタと、を有するセンサチップの検査・調整装置と、を備え、第２信号送受信部を介してテスタから第１信号送受信部に送信される電磁波として、第１信号送受信部に電力を生成するための電磁波と、選択ＩＤが付加された電磁波と、を有し、認証部は、自身が保有する識別ＩＤと選択ＩＤとが所定の対応関係にある場合に、第１信号送受信部とセンシング部を電気的に接続するセンサチップの検査・調整システムを利用して、センサチップの電気的特性を検査・調整するセンサチップの検査・調整方法であって、所定の測定環境下において、選択ＩＤを順次変更することで、各センシング部の検出信号を検出し、測定環境を少なくとも１回調整し、該環境下において各センシング部の検出信号を検出し、各センサチップにおける、異なる複数の測定環境下で検出されたセンシング部の検出信号に基づいて、各センサチップの電気的特性を調整する調整用データを算出し、各センサチップの保有する識別ＩＤに対応する前記選択ＩＤと前記調整用データとが付加された調整指示信号を各センサチップに順次送信し、調整用データに基づいて、センサチップの電気的特性を調整することを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, the invention according to claim 1 is configured to transmit / receive electromagnetic waves and receive electromagnetic waves with a sensing unit having a sensor element and a circuit unit for processing a detection signal of the sensor element. A first signal transmission / reception unit that generates power and an authentication unit that has a unique identification ID and controls electrical connection between the circuit unit and the first signal transmission / reception unit are provided for each sensor chip formation region. A provided wafer, an inspection room in which the wafer is arranged, an environment adjustment unit that adjusts the inspection room to a predetermined measurement environment, a second signal transmission / reception unit that transmits and receives electromagnetic waves between the first signal transmission / reception unit, A tester that is electrically connected to the second signal transmitting / receiving unit and calculates adjustment data for adjusting electrical characteristics of the sensor chip based on a plurality of detection signals of the sensing unit detected in a plurality of different measurement environments; The An electromagnetic wave for generating electric power in the first signal transmission / reception unit, as an electromagnetic wave transmitted from the tester to the first signal transmission / reception unit via the second signal transmission / reception unit, The authentication unit electrically connects the first signal transmitting / receiving unit and the sensing unit when the identification ID held by the authentication unit and the selection ID are in a predetermined correspondence relationship. using the inspection and adjustment system to Rousset Nsachippu, a sensor chip inspection and adjustment method of testing and adjusting the electrical characteristics of the sensor chip, under a predetermined measurement environment, and sequentially changing the selection ID The detection signal of each sensing unit is detected, the measurement environment is adjusted at least once, the detection signal of each sensing unit is detected under the environment, and a plurality of different measurement rings in each sensor chip are detected. Based on the detection signal of the sensing unit detected below, adjustment data for adjusting the electrical characteristics of each sensor chip is calculated, and the selection ID and the adjustment data corresponding to the identification ID held by each sensor chip And an adjustment instruction signal to which each of the sensor chips is sequentially transmitted to each sensor chip, and the electrical characteristics of the sensor chip are adjusted based on the adjustment data .

このように本発明によれば、第２信号送受信部を介すことで、テスタとセンサチップとを非接触で電気的に接続することができる。したがって、従来のように、ウェハに形成された各センサチップにおける回路部の電極パッドとプローブとを直接接触させなくともよく、プローブの寄生容量の影響を失くすことができる。これにより、電気的特性の検査・調整の精度が向上される。このように、上記した検査・調整方法は、電気的特性の検査・調整の精度が向上された検査・調整方法となっている。 As described above, according to the present invention, the tester and the sensor chip can be electrically connected in a non-contact manner through the second signal transmitting / receiving unit. Therefore, unlike the prior art, it is not necessary to directly contact the electrode pad of the circuit portion and the probe in each sensor chip formed on the wafer, and the influence of the parasitic capacitance of the probe can be lost. This improves the accuracy of inspection / adjustment of electrical characteristics. Thus, the inspection / adjustment method described above is an inspection / adjustment method with improved accuracy of inspection / adjustment of electrical characteristics.

請求項２に記載のように、センサ素子としては、感温素子を採用することができる。この場合、環境調整部は、検査室内の環境が所定の温度となるように調整する。   As described in claim 2, a temperature sensitive element can be adopted as the sensor element. In this case, the environment adjustment unit adjusts the environment in the examination room to a predetermined temperature.

請求項３に記載のように、センサ素子としては、感圧素子を採用することができる。この場合、環境調整部は、検査室内の環境が所定の温度と圧力になるように調整する。   As described in claim 3, a pressure sensitive element can be employed as the sensor element. In this case, the environment adjustment unit adjusts the environment in the examination room so as to have a predetermined temperature and pressure.

請求項４に記載のように、センサ素子としては、感湿素子を採用することができる。この場合、環境調整部は、検査室内の環境が所定の温度と湿度になるように調整する。   As described in claim 4, a moisture sensitive element can be employed as the sensor element. In this case, the environment adjustment unit adjusts the environment in the examination room so as to have a predetermined temperature and humidity.

請求項５に記載のように、センサ素子としては、磁電変換素子を採用することができる。この場合、環境調整部は、検査室内の環境が所定の温度と磁場になるように調整する。   As described in claim 5, a magnetoelectric conversion element can be employed as the sensor element. In this case, the environment adjustment unit adjusts the environment in the examination room so as to have a predetermined temperature and magnetic field.

請求項６に記載のように、第１信号送受信部としては、アンテナが好ましい。これによれば、電磁波をアンテナで受信することで、その電磁エネルギーを電力に変換し、センサチップを駆動させる駆動電力を得ることができる。これによりセンサチップの給電を非接触で行うことができる。また、第１信号送受信部が、センサチップの周縁に設けられているので、電磁波の指向性に依らず、電磁波を受信することができる。   As described in claim 6, the first signal transmitting / receiving unit is preferably an antenna. According to this, by receiving the electromagnetic waves with the antenna, the electromagnetic energy can be converted into electric power, and driving power for driving the sensor chip can be obtained. As a result, the sensor chip can be fed without contact. Moreover, since the 1st signal transmission / reception part is provided in the periphery of the sensor chip, it can receive electromagnetic waves irrespective of the directivity of electromagnetic waves.

以下、本発明を、センサ素子として感圧素子を採用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る検査・調整システムの概略構成を示すブロック図である。図２は、多数のセンサチップの形成領域が設けられたウェハを示す平面図である。図３は、センサチップの概略構成を示すブロック図である。図４及び図５は、電気的特性の検査・調整方法を示すフロー図である。 Hereinafter, an embodiment in which the present invention employs a pressure-sensitive element as a sensor element will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an inspection / adjustment system according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view showing a wafer provided with a number of sensor chip formation regions. FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the sensor chip. 4 and 5 are flow charts showing a method for inspecting and adjusting electrical characteristics.

図１及び図２に示すように、検査・調整システム１００は、要部として、多数のセンサチップの形成領域１０（以下、センサチップの形成領域１０を、単にセンサチップ１０と示す）が設けられたウェハ１１と、該ウェハ１１を配置する検査室２０、センサチップ１０の第１アンテナ１６と電磁波によって電気的に接続される第２アンテナ３０、検査室２０の内部空間２０ａを所定の測定環境に調整する環境調整部４０、及びセンシング部１５の検出信号に基づいて、センサチップ１０の調整用データを算出するテスタ５０を備える検査・調整装置６０と、を有している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the inspection / adjustment system 100 is provided with a large number of sensor chip formation regions 10 (hereinafter, the sensor chip formation region 10 is simply referred to as a sensor chip 10) as a main part. The wafer 11, the inspection chamber 20 in which the wafer 11 is disposed, the second antenna 30 electrically connected to the first antenna 16 of the sensor chip 10 by electromagnetic waves, and the internal space 20 a of the inspection chamber 20 are set in a predetermined measurement environment. An environment adjustment unit 40 to adjust and an inspection / adjustment device 60 including a tester 50 that calculates adjustment data for the sensor chip 10 based on detection signals from the sensing unit 15.

図２に示すように、１枚のウェハ１１には多数のセンサチップ１０が設けられており、各センサチップ１０は、図３に示すように、基板１２と、圧力を測定する感圧素子１３及び該感圧素子１３の検出信号を処理する回路部１４を有するセンシング部１５（図３に示す破線で囲まれた部位）と、電磁波の送受信を行い、且つ電磁波を受信することで給電を行う第１アンテナ１６と、固有の識別ＩＤを有し、且つ第１アンテナ１６とセンシング部１５との電気的な接続を制御する認証部１７と、を備えている。センサチップ１０が起動された状態において、第１アンテナ１６が電磁波を受信すると、該電磁波が第１アンテナ１６によって電流（電気信号）に変換され、該電気信号が第１アンテナ１６から認証部１７に出力される。後述するように、該電気信号に、認証部１７が保有している識別ＩＤと一致する選択ＩＤが付加されている場合、認証部１７によって第１アンテナ１６とセンシング部１５とが電気的に接続され、該電気信号が認証部１７からセンシング部１５に出力される。そして、該電気信号にセンシング部１５への動作指示が付加されている場合、該動作指示に従って、センシング部１５が動作される。動作指示にセンシング部１５の検出信号を検出する指示が付加されている場合、センシング部１５によって検出信号が検出され、該検出信号がセンシング部１５から第１アンテナ１６に出力され、該検出信号が第１アンテナ１６によって後述する第２アンテナ３０に送信される。なお、本実施形態では、図３に示すように、第１アンテナ１６が基板１２の一辺に配置される例を示した。しかしながら、第１アンテナ１６を、基板１２の外縁に沿うように配置しても良い。これにより、センサチップ１０に送信される電磁波の指向性に依らずに、電磁波を第１アンテナ１６によって受信することができる。   As shown in FIG. 2, a large number of sensor chips 10 are provided on one wafer 11, and each sensor chip 10 includes a substrate 12 and a pressure-sensitive element 13 that measures pressure as shown in FIG. 3. And a sensing unit 15 (a part surrounded by a broken line shown in FIG. 3) having a circuit unit 14 for processing a detection signal of the pressure-sensitive element 13 to transmit / receive electromagnetic waves and to receive power by receiving electromagnetic waves. The first antenna 16 includes an authentication unit 17 that has a unique identification ID and controls electrical connection between the first antenna 16 and the sensing unit 15. When the first antenna 16 receives an electromagnetic wave in a state where the sensor chip 10 is activated, the electromagnetic wave is converted into a current (electric signal) by the first antenna 16, and the electric signal is transmitted from the first antenna 16 to the authentication unit 17. Is output. As will be described later, when the selection signal that matches the identification ID held by the authentication unit 17 is added to the electrical signal, the authentication unit 17 electrically connects the first antenna 16 and the sensing unit 15. Then, the electrical signal is output from the authentication unit 17 to the sensing unit 15. When an operation instruction to the sensing unit 15 is added to the electrical signal, the sensing unit 15 is operated according to the operation instruction. When an instruction to detect the detection signal of the sensing unit 15 is added to the operation instruction, the detection signal is detected by the sensing unit 15, the detection signal is output from the sensing unit 15 to the first antenna 16, and the detection signal is The signal is transmitted to the second antenna 30 described later by the first antenna 16. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, an example in which the first antenna 16 is disposed on one side of the substrate 12 has been described. However, the first antenna 16 may be disposed along the outer edge of the substrate 12. Thereby, the first antenna 16 can receive the electromagnetic wave without depending on the directivity of the electromagnetic wave transmitted to the sensor chip 10.

認証部１７は、自身が保有している識別ＩＤと、第２アンテナ３０及び第１アンテナ１６を介してテスタ５０から送信される指示信号に含まれる選択ＩＤとが一致するか否かを監視するものである。そして、識別ＩＤと選択ＩＤとが一致した場合には、第１アンテナ１６とセンシング部１５とを電気的に接続し、一致しない場合には、第１アンテナ１６とセンシング部１５との電気的な接続を遮断する。したがって、選択ＩＤが付加された指示信号を、第２アンテナ３０及び第１アンテナ１６を介してテスタ５０から各センサチップ１０の認証部１７に送信することで、選択ＩＤと一致する識別ＩＤを有する唯１つの認証部１７を備えるセンサチップ１０におけるセンシング部１５とテスタ５０とを電気的に接続することができる。これにより、ウェハ１１に多数形成されたセンサチップ１０のうち、選択ＩＤと一致する識別ＩＤを備えたセンサチップ１０のみを、検査・調整対象とすることができる。   The authentication unit 17 monitors whether the identification ID held by the authentication unit 17 matches the selection ID included in the instruction signal transmitted from the tester 50 via the second antenna 30 and the first antenna 16. Is. If the identification ID and the selection ID match, the first antenna 16 and the sensing unit 15 are electrically connected. If they do not match, the first antenna 16 and the sensing unit 15 are electrically connected. Disconnect the connection. Therefore, the instruction signal to which the selection ID is added is transmitted from the tester 50 to the authentication unit 17 of each sensor chip 10 via the second antenna 30 and the first antenna 16, thereby having an identification ID that matches the selection ID. The sensing unit 15 and the tester 50 in the sensor chip 10 including only one authentication unit 17 can be electrically connected. As a result, among the sensor chips 10 formed on the wafer 11 in a large number, only the sensor chip 10 having the identification ID that matches the selection ID can be set as the inspection / adjustment target.

検査室２０は、ウェハ１１を自身の内部空間２０ａに配置するものである。本実施形態では、内部空間２０ａの温度と圧力が調整されるので、検査室２０として、耐熱性及び耐圧性を有する容器を採用することができる。検査室２０は、ウェハ１１を搭載する支持台（図示略）を有しており、該支持台によって、ウェハ１１が第２アンテナ３０と相対するように、内部空間２０ａに配置される。検査室２０には、後述する圧力調整部４２が圧力供給管７０を介して接続され、内部空間２０ａが密閉状態となっている。   The inspection room 20 arranges the wafer 11 in its own internal space 20a. In this embodiment, since the temperature and pressure of the internal space 20a are adjusted, a container having heat resistance and pressure resistance can be adopted as the inspection chamber 20. The inspection chamber 20 has a support base (not shown) on which the wafer 11 is mounted, and the wafer 11 is arranged in the internal space 20 a by the support base so as to face the second antenna 30. A pressure adjusting unit 42, which will be described later, is connected to the inspection chamber 20 via a pressure supply pipe 70, and the internal space 20a is in a sealed state.

第２アンテナ３０は、センサチップ１０の第１アンテナ１６との間で電磁波の送受信を行うものである。第２アンテナ３０には、後述するテスタ５０が配線７１を介して電気的に接続されており、配線７１と第２アンテナ３０を介すことで、テスタ５０と第１アンテナ１６とが、非接触で電気的に接続されるようになっている。第２アンテナ３０から第１アンテナ１６への電磁波の送信は、テスタ５０の制御部５１によって制御される。   The second antenna 30 transmits and receives electromagnetic waves with the first antenna 16 of the sensor chip 10. A tester 50 to be described later is electrically connected to the second antenna 30 via a wiring 71, and the tester 50 and the first antenna 16 are not in contact with each other through the wiring 71 and the second antenna 30. It is designed to be connected electrically. Transmission of electromagnetic waves from the second antenna 30 to the first antenna 16 is controlled by the control unit 51 of the tester 50.

環境調整部４０は、内部空間２０ａの環境を所定の測定環境に調整するものである。図１に示すように、本実施形態に係る環境調整部４０は、ヒータ及び温度計を備える温度調整部４１と、開閉弁４３、圧力ポンプ４４、及び圧力計を備える圧力調整部４２と、を有している。温度調整部４１は、検査室２０の壁面に設けられ、圧力ポンプ４４は、圧力供給管７０を介して内部空間２０ａと接続されている。環境調整部４０には、後述するテスタ５０が配線７２を介して電気的に接続されており、該テスタ５０の制御部５１によって、温度計及び圧力計の値が監視され、内部空間２０ａの環境が所定の測定環境となるように、温度調整部４１におけるヒータの駆動及び圧力調整部４２における開閉弁４３の開度が制御される。例えば、非駆動状態のヒータに制御部５１から駆動信号が入力されると、ヒータが駆動し、検査室２０の壁面を介してヒータの熱が内部空間２０ａに伝達され、内部空間２０ａの温度が上昇する。また、閉状態の開閉弁４３に制御部５１から開信号が入力されると、開閉弁４３が開状態となり、圧力供給管７０を介して圧力ポンプ４４と内部空間２０ａが連通され、内部空間２０ａの圧力が変動する。   The environment adjustment unit 40 adjusts the environment of the internal space 20a to a predetermined measurement environment. As shown in FIG. 1, the environment adjustment unit 40 according to this embodiment includes a temperature adjustment unit 41 including a heater and a thermometer, and a pressure adjustment unit 42 including an on-off valve 43, a pressure pump 44, and a pressure gauge. Have. The temperature adjustment unit 41 is provided on the wall surface of the examination chamber 20, and the pressure pump 44 is connected to the internal space 20 a via the pressure supply pipe 70. A tester 50, which will be described later, is electrically connected to the environment adjustment unit 40 via a wiring 72, and the values of the thermometer and the pressure gauge are monitored by the control unit 51 of the tester 50, and the environment of the internal space 20a is monitored. Is controlled to drive the heater in the temperature adjustment unit 41 and the opening degree of the on-off valve 43 in the pressure adjustment unit. For example, when a drive signal is input to the non-driven heater from the control unit 51, the heater is driven, and the heat of the heater is transmitted to the internal space 20a through the wall surface of the examination room 20, and the temperature of the internal space 20a is increased. To rise. When an open signal is input from the control unit 51 to the open / close valve 43 in the closed state, the open / close valve 43 is opened, and the pressure pump 44 and the internal space 20a are communicated with each other via the pressure supply pipe 70. The pressure of fluctuates.

テスタ５０は、第２アンテナ３０及び環境調整部４０を制御する制御部５１と、センシング部１５の検出信号、及び測定環境下での規定の電気的特性値を記憶する記憶部５２と、センシング部１５の検出信号及び規定の電気的特性値に基づいて、センサチップ１０の電気的特性（感度、感度の温度特性、オフセット、及びオフセットの温度特性）を調整するために必要な調整用データを算出する算出部５３と、を有している。   The tester 50 includes a control unit 51 that controls the second antenna 30 and the environment adjustment unit 40, a storage unit 52 that stores a detection signal of the sensing unit 15 and a prescribed electrical characteristic value under a measurement environment, and a sensing unit. Based on the 15 detection signals and the prescribed electrical characteristic value, adjustment data necessary for adjusting the electrical characteristics (sensitivity, temperature characteristic of sensitivity, offset, and temperature characteristic of offset) of the sensor chip 10 is calculated. And a calculation unit 53.

次に、上記したセンサチップ１０の電気的特性を検査・調整する検査・調整方法を、図４及び図５に示すフローに基づいて説明する。先ず、検査室２０の内部空間２０ａに、図示しない支持台によって、ウェハ１１を第２アンテナ３０と相対するように配置し、内部空間２０ａを密閉状態とする（ステップ１０）。以上が、配置工程である。   Next, an inspection / adjustment method for inspecting / adjusting the electrical characteristics of the sensor chip 10 will be described based on the flow shown in FIGS. First, the wafer 11 is placed in the internal space 20a of the inspection chamber 20 so as to face the second antenna 30 by a support stand (not shown), and the internal space 20a is sealed (step 10). The above is the arrangement process.

配置工程終了後、制御部５１から環境調整部４０に、内部空間２０ａを所定の測定環境に調整するように、第１環境調整信号が伝達される（ステップ２０）。内部空間２０ａの環境は、初め、室温且つ大気圧に調整される。以上が、第１環境調整工程である。   After the arrangement process is completed, a first environment adjustment signal is transmitted from the control unit 51 to the environment adjustment unit 40 so as to adjust the internal space 20a to a predetermined measurement environment (step 20). The environment of the internal space 20a is first adjusted to room temperature and atmospheric pressure. The above is the first environment adjustment step.

第１環境調整工程終了後、配線７１及び第２アンテナ３０を介して、テスタ５０からウェハ１１における各センサチップ１０の第１アンテナ１６に、先ず、センサチップ１０を起動するための電磁波（起動信号）が送信され、それに続いて、選択ＩＤ、及びセンシング部１５の検出信号（第１検出信号）を検出する指示が付加された第１検査指示信号が送信される。各センサチップ１０の第１アンテナ１６が、起動信号を受信すると、第１アンテナ１６の共振により駆動電力（交流電流）が生成され、これにより認証部１７及びセンシング部１５が動作可能状態となる。そして、各センサチップ１０の第１アンテナ１６が、第１検査指示信号を受信すると、該第１検査指示信号が第１アンテナ１６から認証部１７に出力される。すると、各々の認証部１７は、自身が保有している識別ＩＤと第１検査指示信号に含まれる選択ＩＤとが一致するか否かを認証する。ウェハ１１に形成されたセンサチップ１０は、それぞれ固有の識別ＩＤを有しているので、上記した第１検査指示信号に含まれる選択ＩＤと一致する識別ＩＤを有する認証部１７は唯１つである。したがって、第１検査指示信号に付加された選択ＩＤと一致する識別ＩＤを有する認証部１７においてのみ選択ＩＤと識別ＩＤとの一致が認証され、該認証部１７を介して第１アンテナ１６とセンシング部１５とが電気的に接続される。これにより、第１検査指示信号が認証部１７からセンシング部１５に出力される。すると、第１検査指示信号に付加された指示に従って、センシング部１５は、感圧素子１３によって内部空間の圧力を測定し、且つ該圧力を回路部１４によって処理することで第１検出信号を検出する。そして、該第１検出信号が、センシング部１５から第１アンテナ１６に出力され、第１アンテナ１６によって、第１検出信号が第２アンテナ３０に送信される。第２アンテナ３０に送信された第１検出信号を、配線７１を介してテスタ５０が受信すると、テスタ５０の記憶部５２に、第１検査指示信号に付加された選択ＩＤとともに第１検出信号が記憶される（ステップ３０）。そして、上記した測定環境下（室温且つ大気圧）において、起動信号と、選択ＩＤが順次変化された第１検査指示信号をウェハ１１における各センサチップ１０の第１アンテナ１６に送信することで、各センサシップ１０におけるセンシング部１５の第１検出信号を検出し、且つ該第１検出信号を選択ＩＤとともに、記憶部５２に記憶させる（ステップ４０）。これにより、全てのセンサチップ１０におけるセンシング部１５の第１検出信号が、選択ＩＤとともに、記憶部５２に記憶される。以上が、第１検出工程である。   After the first environmental adjustment process, first, an electromagnetic wave (start signal) for starting the sensor chip 10 from the tester 50 to the first antenna 16 of each sensor chip 10 on the wafer 11 via the wiring 71 and the second antenna 30. ) Is transmitted, and subsequently, the first inspection instruction signal to which the selection ID and the instruction to detect the detection signal (first detection signal) of the sensing unit 15 are added is transmitted. When the first antenna 16 of each sensor chip 10 receives the activation signal, drive power (alternating current) is generated due to resonance of the first antenna 16, and the authentication unit 17 and the sensing unit 15 become operable. Then, when the first antenna 16 of each sensor chip 10 receives the first inspection instruction signal, the first inspection instruction signal is output from the first antenna 16 to the authentication unit 17. Then, each authentication unit 17 authenticates whether or not the identification ID possessed by itself matches the selection ID included in the first inspection instruction signal. Since each sensor chip 10 formed on the wafer 11 has a unique identification ID, there is only one authentication unit 17 having an identification ID that matches the selection ID included in the first inspection instruction signal. is there. Accordingly, only the authentication unit 17 having the identification ID that matches the selection ID added to the first inspection instruction signal authenticates the match between the selection ID and the identification ID, and senses the first antenna 16 via the authentication unit 17. The unit 15 is electrically connected. As a result, the first inspection instruction signal is output from the authentication unit 17 to the sensing unit 15. Then, in accordance with the instruction added to the first inspection instruction signal, the sensing unit 15 detects the first detection signal by measuring the pressure in the internal space by the pressure sensitive element 13 and processing the pressure by the circuit unit 14. To do. Then, the first detection signal is output from the sensing unit 15 to the first antenna 16, and the first detection signal is transmitted to the second antenna 30 by the first antenna 16. When the tester 50 receives the first detection signal transmitted to the second antenna 30 via the wiring 71, the first detection signal is stored in the storage unit 52 of the tester 50 together with the selection ID added to the first inspection instruction signal. Stored (step 30). Then, in the measurement environment (room temperature and atmospheric pressure), by transmitting the start signal and the first inspection instruction signal in which the selection ID is sequentially changed to the first antenna 16 of each sensor chip 10 on the wafer 11, The first detection signal of the sensing unit 15 in each sensorship 10 is detected, and the first detection signal is stored in the storage unit 52 together with the selection ID (step 40). Thereby, the 1st detection signal of the sensing part 15 in all the sensor chips 10 is memorize | stored in the memory | storage part 52 with selection ID. The above is the first detection step.

第１検出工程終了後、テスタ５０の制御部５１から環境調整部４０に、内部空間２０ａを新たな測定環境に調整するように、第２環境調整信号が送信される（ステップ５０）。これにより、内部空間２０ａの環境が、室温且つ大気圧から室温且つ高気圧に調整される。以上が、第２環境調整工程である。   After the first detection step, a second environment adjustment signal is transmitted from the control unit 51 of the tester 50 to the environment adjustment unit 40 so as to adjust the internal space 20a to a new measurement environment (step 50). Thereby, the environment of the internal space 20a is adjusted from room temperature and atmospheric pressure to room temperature and high pressure. The above is the second environment adjustment step.

第２環境調整工程終了後、配線７１及び第２アンテナ３０を介して、テスタ５０からウェハ１１における各センサチップ１０の第１アンテナ１６に、起動信号と、選択ＩＤ、及び感圧素子１３の検出信号（第２検出信号）を検出する指示が付加された第２検査指示信号が送信される。これにより、室温且つ高気圧におけるセンシング部１５の第２検出信号が、第２検査指示信号に付加された選択ＩＤとともに、テスタ５０の記憶部５２に記憶される（ステップ６０）。そして、上記した測定環境下（室温且つ高気圧）において、起動信号と選択ＩＤが順次変化された第２検査指示信号を、配線７１及び第２アンテナ３０を介して、テスタ５０からウェハ１１における各センサチップ１０に送信することで、各センサチップ１０におけるセンシング部１５の第２検出信号を検出し、且つ該第２検出信号を選択ＩＤとともに、記憶部５２に記憶させる（ステップ７０）。これにより、全てのセンサチップ１０におけるセンシング部１５の第２検出信号が、選択ＩＤとともに、記憶部５２に記憶される。以上が、第２検出工程である。   After completion of the second environment adjustment step, the activation signal, the selection ID, and the pressure sensitive element 13 are detected from the tester 50 to the first antenna 16 of each sensor chip 10 on the wafer 11 via the wiring 71 and the second antenna 30. A second inspection instruction signal to which an instruction for detecting a signal (second detection signal) is added is transmitted. Thereby, the second detection signal of the sensing unit 15 at room temperature and high atmospheric pressure is stored in the storage unit 52 of the tester 50 together with the selection ID added to the second inspection instruction signal (step 60). Then, in the above measurement environment (room temperature and high atmospheric pressure), the second inspection instruction signal in which the start signal and the selection ID are sequentially changed is sent from the tester 50 to each sensor on the wafer 11 via the wiring 71 and the second antenna 30. By transmitting to the chip 10, the second detection signal of the sensing unit 15 in each sensor chip 10 is detected, and the second detection signal is stored in the storage unit 52 together with the selection ID (step 70). Thereby, the 2nd detection signal of the sensing part 15 in all the sensor chips 10 is memorize | stored in the memory | storage part 52 with selection ID. The above is the second detection step.

第２検出工程終了後、テスタ５０の制御部５１から環境調整部４０に、内部空間２０ａを新たな測定環境に調整するように、第３環境調整信号が送信される（ステップ８０）。これにより、内部空間２０ａの環境が、室温且つ高気圧から高温且つ大気圧に調整される。以上が、第３環境調整工程である。   After the second detection step, a third environment adjustment signal is transmitted from the control unit 51 of the tester 50 to the environment adjustment unit 40 so as to adjust the internal space 20a to a new measurement environment (step 80). Thereby, the environment of the internal space 20a is adjusted from room temperature and high pressure to high temperature and atmospheric pressure. The above is the third environment adjustment step.

第３環境調整工程終了後、配線７１及び第２アンテナ３０を介して、テスタ５０からウェハ１１における各センサチップ１０の第１アンテナ１６に、起動信号と、選択ＩＤ、及び感圧素子１３の検出信号（第３検出信号）を検出する指示が付加された第３検査指示信号が送信される。これにより、高温且つ大気圧におけるセンシング部１５の第３検出信号が、第３検査指示信号に付加された選択ＩＤとともに、テスタ５０の記憶部５２に記憶される（ステップ９０）。そして、上記した測定環境下（高温且つ大気圧）において、起動信号と選択ＩＤが順次変化された第３検査指示信号を、配線７１及び第２アンテナ３０を介して、テスタ５０からウェハ１１における各センサチップ１０に送信することで、各センサチップ１０におけるセンシング部１５の第３検出信号を検出し、且つ該第３検出信号を選択ＩＤとともに、記憶部５２に記憶させる（ステップ１００）。これにより、全てのセンサチップ１０におけるセンシング部１５の第３検出信号が、選択ＩＤとともに、記憶部５２に記憶される。以上が、第３検出工程である。   After completion of the third environment adjustment step, the activation signal, the selection ID, and the pressure sensitive element 13 are detected from the tester 50 to the first antenna 16 of each sensor chip 10 on the wafer 11 via the wiring 71 and the second antenna 30. A third inspection instruction signal to which an instruction for detecting a signal (third detection signal) is added is transmitted. Accordingly, the third detection signal of the sensing unit 15 at high temperature and atmospheric pressure is stored in the storage unit 52 of the tester 50 together with the selection ID added to the third inspection instruction signal (step 90). Then, in the above measurement environment (high temperature and atmospheric pressure), the start signal and the third inspection instruction signal in which the selection ID is sequentially changed are transmitted from the tester 50 to the wafer 11 via the wiring 71 and the second antenna 30. By transmitting to the sensor chip 10, the third detection signal of the sensing unit 15 in each sensor chip 10 is detected, and the third detection signal is stored in the storage unit 52 together with the selection ID (step 100). Thereby, the 3rd detection signal of the sensing part 15 in all the sensor chips 10 is memorize | stored in the memory | storage part 52 with selection ID. The above is the third detection step.

第３検出工程終了後、上記したステップで記憶部５２に記憶された各センサチップ１０の第１〜第３検出信号、及び上記した測定環境下における規定の電気的特性値に基づいて、全てのセンサチップ１０における電気的特性の調整に必要な調整用データを算出する（ステップ１１０）。感圧素子１３における感度の調整及びオフセットの調整に必要な調整用データは、第１検出信号、第２検出信号、室温且つ大気圧における規定の電気的特性値、及び室温且つ高気圧における規定の電気的特性値に基づいて、算出部５３によって算出される。そして、感圧素子１３における感度の温度特性の調整及びオフセットの温度特性の調整に必要な調整用データは、第１検出信号、第３検出信号、室温且つ大気圧における規定の電気的特性値、及び高温且つ大気圧における規定の電気的特性値に基づいて、算出部５３によって算出される。以上が、算出工程である。   After completion of the third detection step, all the first to third detection signals of the sensor chips 10 stored in the storage unit 52 in the above-described steps and all of the specified electrical characteristic values in the above-described measurement environment are used. Adjustment data necessary for adjusting the electrical characteristics of the sensor chip 10 is calculated (step 110). Adjustment data necessary for sensitivity adjustment and offset adjustment in the pressure-sensitive element 13 includes a first detection signal, a second detection signal, specified electrical characteristic values at room temperature and atmospheric pressure, and specified electricity at room temperature and atmospheric pressure. It is calculated by the calculation unit 53 based on the target characteristic value. The adjustment data necessary for adjusting the temperature characteristics of the sensitivity in the pressure-sensitive element 13 and adjusting the temperature characteristics of the offset are the first detection signal, the third detection signal, the specified electrical characteristic values at room temperature and atmospheric pressure, And the calculation part 53 calculates based on the electrical characteristic value prescribed | regulated in high temperature and atmospheric pressure. The above is the calculation process.

算出工程終了後、選択ＩＤ、及び調整用データを回路部１４のメモリ（図示略）に記憶する指示が付加された調整指示信号を、テスタ５０からウェハ１１における各センサチップ１０に、順次送信する（ステップ１２０）。これにより、全てのセンサチップ１０における回路部１４のメモリに、調整用データが書き込まれ、センサチップ１０の電気的特性が調整される。以上が、調整工程である。以上のステップを経ることで、センサチップ１０の電気的特性の検査・調整を終了する。   After completion of the calculation process, an adjustment instruction signal to which a selection ID and an instruction to store adjustment data in a memory (not shown) of the circuit unit 14 are added is sequentially transmitted from the tester 50 to each sensor chip 10 on the wafer 11. (Step 120). Thereby, the adjustment data is written in the memory of the circuit unit 14 in all the sensor chips 10, and the electrical characteristics of the sensor chips 10 are adjusted. The above is the adjustment process. Through the above steps, the inspection / adjustment of the electrical characteristics of the sensor chip 10 is completed.

次に、本実施形態で示した検査・調整方法の効果を説明する。上記したように、配線７１及び第２アンテナ３０を介すことで、テスタ５０とセンサチップ１０の第１アンテナ１６とが、非接触で電気的に接続される構成となっている。したがって、従来のように、回路部の電極パッドとプローブとを接触させなくともよく、プローブの寄生容量の影響を失くすことができる。これにより、電気的特性の検査・調整の精度が向上される。このように、上記した検査・調整方法は、電気的特性の検査・調整の精度が向上された検査・調整方法となっている。 Next, the effect of the test-tone Seikata method shown in this embodiment. As described above, the tester 50 and the first antenna 16 of the sensor chip 10 are electrically connected in a non-contact manner through the wiring 71 and the second antenna 30. Therefore, unlike the prior art, it is not necessary to contact the electrode pad of the circuit portion and the probe, and the influence of the parasitic capacitance of the probe can be lost. This improves the accuracy of inspection / adjustment of electrical characteristics. Thus, the inspection / adjustment method described above is an inspection / adjustment method with improved accuracy of inspection / adjustment of electrical characteristics.

また、第２アンテナ３０を介してテスタ５０から第１アンテナ１６に送信される検査指示信号及び調整指示信号には選択ＩＤが付加されており、認証部１７は、自身が保有する固有の識別ＩＤと選択ＩＤとが一致した場合に、第１アンテナ１６と回路部１４とを電気的に接続する。したがって、ウェハ１１に多数形成されたセンサチップ１０のうち、選択ＩＤと一致する識別ＩＤを備えたセンサチップ１０のみを、テスタ５０と非接触で電気的に接続することができる。これにより、従来のように、ウェハに形成された各センサチップにおける回路部の電極パッドとプローブとを高精度に接触させなくとも良い。   Further, a selection ID is added to the inspection instruction signal and the adjustment instruction signal transmitted from the tester 50 to the first antenna 16 via the second antenna 30, and the authentication unit 17 has a unique identification ID held by itself. And the selection ID match, the first antenna 16 and the circuit unit 14 are electrically connected. Therefore, among the sensor chips 10 formed on the wafer 11, only the sensor chip 10 having the identification ID that matches the selection ID can be electrically connected to the tester 50 without contact. As a result, unlike the prior art, it is not necessary to contact the electrode pads of the circuit portion and the probes in each sensor chip formed on the wafer with high accuracy.

また、センサチップ１０は電磁波を送受信する第１アンテナ１６を有しているので、センサチップ１０がウェハ１１から１枚のチップ毎に分割され、パッケージ化された状態であっても、電磁波を介すことで、センサチップ１０の電気的特性の検査・調整を行うことができる。これにより、センサチップ１０の検査・調整を行うための新たな端子や、該端子とセンサチップ１０とを接続するための新たなワイヤボンディングを設けなくとも良く、コストを削減することができる。   In addition, since the sensor chip 10 includes the first antenna 16 that transmits and receives electromagnetic waves, even if the sensor chip 10 is divided from the wafer 11 into one chip and packaged, the electromagnetic waves are not transmitted. By doing so, the electrical characteristics of the sensor chip 10 can be inspected and adjusted. Thereby, it is not necessary to provide a new terminal for inspecting and adjusting the sensor chip 10 and a new wire bonding for connecting the terminal and the sensor chip 10, and the cost can be reduced.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本実施形態では、センサ素子として、感圧素子１３を採用した例を示した。しかしながら、センサ素子としては上記例に限定されず、例えば感温素子を採用することができる。この場合、環境調整部４０は温度調整部を有しており、内部空間２０ａの環境が所定の温度となるように調整される。また、センサ素子としては、感湿素子を採用することもできる。この場合、環境調整部４０は温度調整部と湿度調整部を有しており、内部空間２０ａの環境が所定の温度と湿度になるように調整される。また、センサ素子としては、磁電変換素子を採用することもできる。この場合、環境調整部４０は温度調整部と磁界発生部（例えばヘルムホルツコイル）を有しており、内部空間２０ａの環境が所定の温度と磁場になるように調整される。   In this embodiment, the example which employ | adopted the pressure sensitive element 13 as a sensor element was shown. However, the sensor element is not limited to the above example, and for example, a temperature sensitive element can be employed. In this case, the environment adjustment unit 40 includes a temperature adjustment unit, and is adjusted so that the environment of the internal space 20a becomes a predetermined temperature. Moreover, a moisture sensitive element can also be employ | adopted as a sensor element. In this case, the environment adjustment unit 40 includes a temperature adjustment unit and a humidity adjustment unit, and is adjusted so that the environment of the internal space 20a becomes a predetermined temperature and humidity. Moreover, a magnetoelectric conversion element can also be employ | adopted as a sensor element. In this case, the environment adjustment unit 40 includes a temperature adjustment unit and a magnetic field generation unit (for example, a Helmholtz coil), and is adjusted so that the environment of the internal space 20a becomes a predetermined temperature and magnetic field.

本実施形態では、３つの異なる測定環境下において、センシング部１５の検出信号を検出し、該検出信号、及び該測定環境下における規定の電気的特性値に基づいて調整用データを算出する例を示した。しかしながら、例えば、感圧素子１３における感度の調整及びオフセットの調整に必要な調整用データのみを算出するのであれば、室温且つ大気圧及び室温且つ高気圧において、センシング部１５の検出信号を検出し、該検出信号、及び２つの異なる測定環境下における規定の電気的特性値に基づいて調整用データを算出しても良い。すなわち、少なくとも２つの測定環境下におけるセンシング部１５の検出信号を検出することができれば良い。   In the present embodiment, an example in which the detection signal of the sensing unit 15 is detected under three different measurement environments, and the adjustment data is calculated based on the detection signal and a specified electrical characteristic value in the measurement environment. Indicated. However, for example, if only adjustment data necessary for adjusting the sensitivity and adjusting the offset in the pressure-sensitive element 13 is calculated, the detection signal of the sensing unit 15 is detected at room temperature and atmospheric pressure, and at room temperature and high atmospheric pressure. The adjustment data may be calculated on the basis of the detection signal and specified electrical characteristic values in two different measurement environments. That is, it is only necessary to detect the detection signal of the sensing unit 15 under at least two measurement environments.

本実施形態では、第１アンテナ１６が起動信号との共振により駆動電力を得る方法（電波方式）を説明した。しかしながら、駆動電力を得る方法は上記例に限定されず、例えば電磁誘導方式を採用しても良い。   In the present embodiment, the method (radio wave method) in which the first antenna 16 obtains driving power by resonance with the activation signal has been described. However, the method for obtaining the driving power is not limited to the above example, and for example, an electromagnetic induction method may be adopted.

第１実施形態に係る検査・調整システムの概略構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an inspection / adjustment system according to a first embodiment. FIG. 多数のセンサチップの形成領域が設けられたウェハを示す平面図である。It is a top view which shows the wafer provided with the formation area of many sensor chips. センサチップの概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of a sensor chip. 電気的特性の検査・調整方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the test | inspection and adjustment method of an electrical property. 電気的特性の検査・調整方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the test | inspection and adjustment method of an electrical property.

符号の説明Explanation of symbols

１０・・・センサチップ
１１・・・ウェハ
１５・・・センシング部
１６・・・第１アンテナ
１７・・・認証部
２０・・・検査室
３０・・・第２アンテナ
４０・・・環境調整部
５０・・・テスタ
６０・・・検査・調整装置
１００・・・検査・調整システム DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Sensor chip 11 ... Wafer 15 ... Sensing part 16 ... 1st antenna 17 ... Authentication part 20 ... Inspection room 30 ... 2nd antenna 40 ... Environment adjustment part 50 ... Tester 60 ... Inspection / adjustment device 100 ... Inspection / adjustment system

Claims (6)

センサ素子及び該センサ素子の検出信号を処理する回路部を有するセンシング部と、電磁波を送受信し、且つ電磁波を受信することで電力を生成する第１信号送受信部と、固有の識別ＩＤを有し、且つ前記回路部と前記第１信号送受信部との電気的な接続を制御する認証部と、が各センサチップの形成領域毎に設けられたウェハと、
前記ウェハを配置する検査室と、前記検査室内を所定の測定環境に調整する環境調整部と、前記第１信号送受信部との間で電磁波の送受信を行う第２信号送受信部と、該第２信号送受信部と電気的に接続され、複数の異なる測定環境下において検出された前記センシング部の複数の検出信号に基づいて各センサチップの電気的特性を調整する調整用データを算出するテスタと、を有するセンサチップの検査・調整装置と、を備え、
前記第２信号送受信部を介して前記テスタから前記第１信号送受信部に送信される電磁波として、前記第１信号送受信部に電力を生成するための電磁波と、選択ＩＤが付加された電磁波と、を有し、
前記認証部は、自身が保有する前記識別ＩＤと前記選択ＩＤとが所定の対応関係にある場合に、前記第１信号送受信部と前記センシング部を電気的に接続するセンサチップの検査・調整システムを利用して、前記センサチップの電気的特性を検査・調整するセンサチップの検査・調整方法であって、
所定の前記測定環境下において、前記選択ＩＤを順次変更することで、各センシング部の検出信号を検出し、
前記測定環境を少なくとも１回調整し、該環境下において各センシング部の検出信号を検出し、
各センサチップにおける、異なる複数の前記測定環境下で検出された前記センシング部の検出信号に基づいて、各センサチップの電気的特性を調整する調整用データを算出し、
各センサチップの保有する識別ＩＤに対応する前記選択ＩＤと前記調整用データとが付加された調整指示信号を各センサチップに順次送信し、前記調整用データに基づいて、前記センサチップの電気的特性を調整することを特徴とするセンサチップの検査・調整方法。 A sensor unit and a sensing unit having a circuit unit for processing a detection signal of the sensor element, a first signal transmitting / receiving unit that transmits / receives electromagnetic waves and generates electric power by receiving electromagnetic waves, and has a unique identification ID And an authentication unit that controls electrical connection between the circuit unit and the first signal transmission / reception unit, and a wafer provided for each formation region of each sensor chip,
An inspection room in which the wafer is placed, an environment adjustment unit that adjusts the inspection room to a predetermined measurement environment, a second signal transmission / reception unit that transmits and receives electromagnetic waves between the first signal transmission / reception unit, and the second A tester that is electrically connected to the signal transmitting / receiving unit and calculates adjustment data for adjusting the electrical characteristics of each sensor chip based on a plurality of detection signals of the sensing unit detected in a plurality of different measurement environments; A sensor chip inspection / adjustment device having
As an electromagnetic wave transmitted from the tester to the first signal transmission / reception unit via the second signal transmission / reception unit, an electromagnetic wave for generating power in the first signal transmission / reception unit, an electromagnetic wave to which a selection ID is added, Have
Wherein the authentication unit, when said selection ID and the identification ID itself held in a predetermined relationship, inspection and adjustment of electrical connection to Rousset Nsachippu said sensing portion and said first signal transmitting and receiving unit A sensor chip inspection / adjustment method for inspecting / adjusting the electrical characteristics of the sensor chip using a system ,
Under the predetermined measurement environment, the detection signal of each sensing unit is detected by sequentially changing the selection ID,
Adjusting the measurement environment at least once, and detecting a detection signal of each sensing unit under the environment;
Based on the detection signals of the sensing units detected under a plurality of different measurement environments in each sensor chip, calculating adjustment data for adjusting the electrical characteristics of each sensor chip,
An adjustment instruction signal to which the selection ID corresponding to the identification ID held by each sensor chip and the adjustment data are added is sequentially transmitted to each sensor chip. Based on the adjustment data, an electrical signal of the sensor chip is transmitted. A sensor chip inspection / adjustment method characterized by adjusting characteristics . 前記センサ素子は、感温素子であり、
前記環境調整部は、前記検査室内の環境が所定の温度となるように調整することを特徴とする請求項１に記載のセンサチップの検査・調整方法。 The sensor element is a temperature sensitive element,
2. The sensor chip inspection / adjustment method according to claim 1, wherein the environment adjustment unit adjusts the environment in the inspection room to a predetermined temperature. 前記センサ素子は、感圧素子であり、
前記環境調整部は、前記検査室内の環境が所定の温度と圧力になるように調整することを特徴とする請求項１に記載のセンサチップの検査・調整方法。 The sensor element is a pressure sensitive element,
2. The sensor chip inspection / adjustment method according to claim 1, wherein the environment adjustment unit adjusts the environment in the inspection room to have a predetermined temperature and pressure. 前記センサ素子は、感湿素子であり、
前記環境調整部は、前記検査室内の環境が所定の温度と湿度になるように調整することを特徴とする請求項１に記載のセンサチップの検査・調整方法。 The sensor element is a moisture sensitive element,
2. The sensor chip inspection / adjustment method according to claim 1, wherein the environment adjustment unit adjusts the environment in the inspection room to a predetermined temperature and humidity. 3. 前記センサ素子は、磁電変換素子であり、
前記環境調整部は、前記検査室内の環境が所定の温度と磁場になるように調整することを特徴とする請求項１に記載のセンサチップの検査・調整方法。 The sensor element is a magnetoelectric conversion element,
2. The sensor chip inspection / adjustment method according to claim 1, wherein the environment adjustment unit adjusts the environment in the inspection room to have a predetermined temperature and magnetic field. 前記第１信号送受信部はアンテナであり、
前記第１信号送受信部が、前記センサチップの周縁に設けられていることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載のセンサチップの検査・調整方法。 The first signal transmitting / receiving unit is an antenna;
6. The sensor chip inspection / adjustment method according to claim 1, wherein the first signal transmission / reception unit is provided at a periphery of the sensor chip .
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