JP5048355B2 - Oscillator circuit - Google Patents
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Description
本発明は、LC共振回路を備えるコルピッツ型の発振回路に関するものである。 The present invention relates to a Colpitts type oscillation circuit including an LC resonance circuit.
コルピッツ型の発振回路は、図5に示すように構成されている。INV1,INV2は電源VDDと接地GNDが接続されたCMOSインバータ、X1は水晶振動子、Rfは帰還抵抗、Cg,Cdは共振用のキャパシタである。 The Colpitts type oscillation circuit is configured as shown in FIG. INV1 and INV2 are CMOS inverters connected to the power supply VDD and the ground GND, X1 is a crystal resonator, Rf is a feedback resistor, and Cg and Cd are resonance capacitors.
この発振回路では、帰還抵抗Rfによって、初期ではCMOSインバータINV1の入力側および出力側は同じ電圧であるが、その後、CMOSインバータINV1の入力側の信号が反転増幅されてノードN1に現れると、このノードN1の電圧変動がキャパシタCdを充電又は放電し、この動作が起因となって、水晶振動子X1の固有振動数でのインダクタンス成分とキャパシタCg,Cdによる並列共振回路が共振し、水晶振動子X1の固有振動数での発振が起こる。このような構成の水晶発振回路は、特許文献1に記載されている。
上記のような発振回路では、CMOSインバータINV1の帰還バイアス電圧は、出力対称性(デューティ比)を50%にするために、VDD/2の電圧に設定される。また、次段のバッファとしてのCMOSインバータINV2のスレッショルド電圧も出力対称性を50%にするために、VDD/2の電圧に設定される。この場合、電源電圧VDDの投入時に、以下の手順(a)〜(c)によって自励発振が起こる。図6に波形図を示した。 In the oscillation circuit as described above, the feedback bias voltage of the CMOS inverter INV1 is set to a voltage of VDD / 2 in order to make the output symmetry (duty ratio) 50%. Further, the threshold voltage of the CMOS inverter INV2 as a buffer in the next stage is also set to a voltage of VDD / 2 in order to make the output symmetry 50%. In this case, when the power supply voltage VDD is turned on, self-excited oscillation occurs according to the following procedures (a) to (c). FIG. 6 shows a waveform diagram.
(a)電源電圧VDDの投入時の電源ノイズにより、CMOSインバータINV1の電源電圧VDDにノイズが入り、ノードN1の電圧(出力電圧)が揺らされる。
(b)ノードN1の電圧が揺れることにより、CMOSインバータINV2の出力が反転する。この時、CMOSインバータINV2の動作時に大きい貫通電流が流れる事により、さらに電源電圧VDDにノイズが乗る結果となる。
(c)以上の(a)、(b)の動作が繰り返されることにより、自励発振が引き起こされる。
(a) Due to power supply noise when the power supply voltage VDD is turned on, noise enters the power supply voltage VDD of the CMOS inverter INV1, and the voltage (output voltage) of the node N1 is fluctuated.
(b) When the voltage at the node N1 fluctuates, the output of the CMOS inverter INV2 is inverted. At this time, a large through current flows during the operation of the CMOS inverter INV2, resulting in further noise on the power supply voltage VDD.
(c) By repeating the operations (a) and (b) above, self-excited oscillation is caused.
以上より、水晶振動子X1の固有振動数と異なる周波数の自励発振が引き起こされることとなるため、この発振回路を使用した機器などに誤動作を発生させる問題があった。 As described above, self-excited oscillation having a frequency different from the natural frequency of the crystal unit X1 is caused, and thus there is a problem of causing malfunction in a device using the oscillation circuit.
そこで、CMOSインバータINV1を構成する2個のMOSトランジスタのサイズ比を調整したり、次段のCMOSインバータINV2のスレッショルド電圧を調整すること等により、CMOSインバータINV1の帰還バイアス電圧が、VDD/2の電圧よりもノイズのレベル以上に高く(または低く)なるようにし、帰還バイアス電圧とCMOSインバータINV2のスレッショルド電圧との間に大きな電圧差をつけることが行われている。 Therefore, the feedback bias voltage of the CMOS inverter INV1 is set to VDD / 2 by adjusting the size ratio of the two MOS transistors constituting the CMOS inverter INV1 or adjusting the threshold voltage of the CMOS inverter INV2 in the next stage. The voltage is made higher (or lower) than the noise level and a large voltage difference is made between the feedback bias voltage and the threshold voltage of the CMOS inverter INV2.
これにより、電源電圧VDDの投入時の電源ノイズによってCMOSインバータINV1の帰還バイアスの電位(出力電圧)が揺らされても、その出力電圧(ノードN1の電圧)と次段のCMOSインバータINV2のスレッショルド電圧との間に十分な電圧差が確保され、CMOSインバータINV2の出力が変化(反転)せず、自励発振が引き起こされないようにすることができる。この時のCMOSインバータINV2の出力は、そのスレッショルド電圧がVDD/2であるとき、CMOSインバータINV1の帰還バイアス電圧がVDD/2より高く設定されていれば“L”(=GND)、低く設定されていれば“H”(=VDD)となる。 Thus, even when the feedback bias potential (output voltage) of the CMOS inverter INV1 is fluctuated by power supply noise when the power supply voltage VDD is turned on, the output voltage (voltage of the node N1) and the threshold voltage of the next-stage CMOS inverter INV2 A sufficient voltage difference is ensured between the two and the output of the CMOS inverter INV2 does not change (invert), and self-excited oscillation is not caused. At this time, when the threshold voltage is VDD / 2, the output of the CMOS inverter INV2 is set to “L” (= GND) and low if the feedback bias voltage of the CMOS inverter INV1 is set higher than VDD / 2. If it is, it becomes “H” (= VDD).
しかし、上記の方法では、CMOSインバータINV1の帰還バイアス電圧がずれることにより、出力対称性が悪くなるという問題点があった。 However, the above method has a problem in that the output symmetry is deteriorated due to the deviation of the feedback bias voltage of the CMOS inverter INV1.
本発明の目的は、上記問題点を解決するため、自励発振が起こらず、出力対称性を確保できるようにした発振回路を提供することである。 In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide an oscillation circuit in which self-excited oscillation does not occur and output symmetry can be secured.
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、第1の電源と第2の電源が接続されるインバータ、該インバータの入力側と前記第2の電源との間に接続される第1のキャパシタ、前記インバータの出力側と前記第2の電源との間に接続される第2のキャパシタ、前記インバータの入出力間に並列接続される帰還抵抗および振動子とを有し、且つ前記インバータの出力側の帰還バイアス電圧が前記第1の電源の電圧と前記第2の電源の電圧の中間電圧に設定される発振回路本体と、該発振回路本体で発振された発振出力信号を検出する発振検出回路とを備え、前記発振回路本体に、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出しないとき、前記インバータの出力側電圧を前記中間電圧より高い電圧にプルアップし、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出したとき、前記プルアップを解除する電圧印加回路を設けた発振回路において、前記発振検出回路は、前記発振回路本体から出力する発振信号を積分する第1の時定数の積分回路と、該積分回路に積分された電荷を放電する第2の時定数の放電回路とを備え、前記第2の時定数は前記第1の時定数より大きく設定され、所定値に達した前記積分回路の積分電圧を、前記発振出力信号を検出した信号とすることを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、第1の電源と第2の電源が接続されるインバータ、該インバータの入力側と前記第2の電源との間に接続される第1のキャパシタ、前記インバータの出力側と前記第2の電源との間に接続される第2のキャパシタ、前記インバータの入出力間に並列接続される帰還抵抗および振動子とを有し、且つ前記インバータの出力側の帰還バイアス電圧が前記第1の電源の電圧と前記第2の電源の電圧の中間電圧に設定される発振回路本体と、該発振回路本体で発振された発振出力信号を検出する発振検出回路とを備え、前記発振回路本体に、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出しないとき、前記インバータの出力側電圧を前記中間電圧より低い電圧にプルダウンし、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出したとき、前記プルダウンを解除する電圧印加回路を設けた発振回路において、前記発振検出回路は、前記発振回路本体から出力する発振信号を積分する第1の時定数の積分回路と、該積分回路に積分された電荷を放電する第2の時定数の放電回路とを備え、前記第2の時定数は前記第1の時定数より大きく設定され、所定値に達した前記積分回路の積分電圧を、前記発振出力信号を検出した信号とすることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載の発振回路において、前記電圧印加回路は、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出しないときONし、検出したときOFFするスイッチ素子であることを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1乃至3のいずれか1つに記載の発振回路において、
前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出しないとき、前記発振回路本体の出力信号の出力を禁止する出力制御回路を備えることを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項4に記載の発振回路において、前記出力制御回路は、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出したとき、所定時間遅延の後に前記発振回路本体の出力信号の出力禁止を解除することを特徴とする。
In order to achieve the above object, an invention according to
According to a second aspect of the present invention, there is provided an inverter connected to the first power source and the second power source, a first capacitor connected between the input side of the inverter and the second power source, and an output of the inverter A feedback capacitor and a feedback resistor and a vibrator connected in parallel between the input and output of the inverter, and a feedback bias voltage on the output side of the inverter Comprises an oscillation circuit body that is set to an intermediate voltage between the voltage of the first power supply and the voltage of the second power supply, and an oscillation detection circuit that detects an oscillation output signal oscillated by the oscillation circuit body, In the oscillation circuit body, when the oscillation detection circuit does not detect the oscillation output signal, the output voltage of the inverter is pulled down to a voltage lower than the intermediate voltage, and the oscillation detection circuit detects the oscillation output signal. Can, in the oscillation circuit provided with a voltage application circuit for releasing the pull, the oscillation detection circuit includes an integration circuit of the first time constant for integrating the oscillation signal outputted from the oscillation circuit body, integral to the integrating circuit A discharge circuit having a second time constant for discharging the generated charge, wherein the second time constant is set to be larger than the first time constant, and the integration voltage of the integration circuit that has reached a predetermined value The oscillation output signal is a detected signal .
According to a third aspect of the present invention, in the oscillation circuit according to the first or second aspect, the voltage application circuit is a switch element that is turned on when the oscillation detection circuit does not detect the oscillation output signal and is turned off when the oscillation output signal is detected. Oh, wherein the Rukoto.
The invention according to claim 4 is the oscillation circuit according to any one of
When the oscillation detecting circuit does not detect the oscillation output signal, characterized by Rukoto an output control circuit for prohibiting the output of the output signal of the oscillating circuit body.
According to a fifth aspect of the present invention, in the oscillation circuit according to the fourth aspect, when the oscillation detection circuit detects the oscillation output signal, the output control circuit outputs an output signal of the oscillation circuit body after a predetermined time delay. and features that you release the output prohibition.
本発明によれば、インバータの帰還バイアス電圧を発振出力信号が出力しない電源投入時にプルアップし、又はプルダウンさせることにより、該インバータの出力電圧と次段インバータのスレッショルド電圧との間に所定の電圧差を持たせることができるので、当該インバータの出力電圧が、電源投入時の微小な電源ノイズなどの影響を受けて揺れても、次段インバータのスレッショルド電圧を横切るような動作が無くなり、自励発振を引き起こさない。また、通常動作での発振時は前記した帰還バイアス電圧のプルアップ又はプルダウンは解除されるので、出力対称性50%の発振波形を得ることができる。また、出力制御回路を設けることにより、外部へは安定した出力対称性50%の発振波形のみを出力させることができる。 According to the present invention, by pulling up or pulling down the feedback bias voltage of the inverter at the time of power-on when the oscillation output signal is not output, a predetermined voltage is generated between the output voltage of the inverter and the threshold voltage of the next inverter. Since there is a difference, even if the output voltage of the inverter fluctuates due to the influence of minute power supply noise when the power is turned on, there is no operation that crosses the threshold voltage of the next inverter, and self-excitation Does not cause oscillation. Further, since the pull-up or pull-down of the feedback bias voltage described above is canceled during oscillation in normal operation, an oscillation waveform with 50% output symmetry can be obtained. Also, by providing an output control circuit, only a stable oscillation waveform with 50% output symmetry can be output to the outside.
<第1の実施例>
図1は本発明の第1の実施例の発振回路の構成を示す回路図、図2はその動作波形図である。1Aは発振回路本体であり、図5で説明したCMOSインバータINV1,INV2、水晶振動子X1、帰還抵抗Rf、キャパシタCg,Cdに加えて、ノードN1に入力側が接続されたCMOSインバータINV3、ソースが電源VDDに接続されゲートがCMOSインバータINV1の入力側に接続されたPMOSトランジスタMP1、ソースがトランジスタMP1のドレインに接続されドレインがノードN1に接続されたPMOSトランジスタMP2を有する。CMOSインバータINV1の帰還バイアス電圧は、当該CMOSインバータINV1を構成するトランジスタのサイズ比によって、VDD/2に設定されている。トランジスタMP1,MP2は電圧印加回路を構成する。なお、CMOSインバータINV1,2,3には正電源としてVDDが、接地としてGNDが接続されるが、ここでは図示を省略した。
<First embodiment>
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
2は発振検出回路であり、CMOSインバータINV3の出力側に片端が接続された抵抗R1、その抵抗R1の他端と接地GNDとの接続されたキャパシタC1、およびそのキャパシタC1に並列接続された抵抗R2からなる。キャパシタC1と抵抗R1,R2の共通接続点であるノードN3は、トランジスタMP2のゲートに接続されている。なお、キャパシタC1と抵抗R1は積分回路を構成し、キャパシタC1と抵抗R2は放電回路を構成し、後者の時定数は前者の時定数より大きく設定されている。
3は出力制御回路であり、遅延回路DL1とアンド回路AND1からなり、アンド回路AND1の一方の入力側はCMOSインバータINV2の出力であるノードN2に、他方の入力側は遅延回路DL1を経由して発振検出回路2のノードN3に接続されている。
さて、電源投入直後は、キャパシタC1の電荷が抵抗R2により放電されていて、ノードN3は“L”(=GND)となっている。このため、ノードN3の電圧がゲートに印加するトランジスタMP2はON状態となる。 Immediately after the power is turned on, the charge of the capacitor C1 is discharged by the resistor R2, and the node N3 is “L” (= GND). For this reason, the transistor MP2 to which the voltage of the node N3 is applied to the gate is turned on.
よって、電源投入時は、トランジスタMP1がCMOSインバータINV1のPMOSトランジスタ(図示せず)に並列接続されるので、ノードN1の電圧が、投入された電源電圧VDD側にプルアップされて、帰還バイアス電圧であるVDD/2よりも高電圧に設定される。この高電圧は、CMOSインバータINV2のスレッショルド電圧よりも高くなり、電源投入時の微小な電源ノイズなどによりノードN1の電圧が揺れても、当該CMOSインバータINV2のスレッショルド電圧より低下しないために、CMOSインバータINV2の出力電圧は変化しない。つまり、自励発振を起こさない。また、“L”となっているノードN3に接続された遅延回路DL1を経由して接続されたアンド回路AND1の出力は、“L”に固定され、出力端子OUTの出力電圧は発振出力停止状態となる。 Therefore, when the power is turned on, the transistor MP1 is connected in parallel to the PMOS transistor (not shown) of the CMOS inverter INV1, so that the voltage at the node N1 is pulled up to the supplied power supply voltage VDD side, and the feedback bias voltage Is set to a voltage higher than VDD / 2. This high voltage becomes higher than the threshold voltage of the CMOS inverter INV2, and even if the voltage at the node N1 fluctuates due to minute power supply noise at the time of power-on, the voltage does not drop below the threshold voltage of the CMOS inverter INV2. The output voltage of INV2 does not change. That is, self-excited oscillation does not occur. Further, the output of the AND circuit AND1 connected via the delay circuit DL1 connected to the node N3 which is “L” is fixed to “L”, and the output voltage of the output terminal OUT is in the oscillation output stop state. It becomes.
上記構成における遅延回路DL1は、公知・周知の構成を有するものであるが、具体的な構成例について、図4を参照しつつ説明する。図4に示された構成例は、CMOSインバータINVを必要とされる遅延時間に応じて、2N段直列接続したものである。なお、Nは1,2,3,・・・で表される整数である。 The delay circuit DL1 having the above configuration has a known and well-known configuration. A specific configuration example will be described with reference to FIG. In the configuration example shown in FIG. 4, 2N stages of CMOS inverters INV are connected in series according to the required delay time. N is an integer represented by 1, 2, 3,.
水晶振動子X1のインダクタンス成分とキャパシタCg,Cdによる並列共振回路が共振して水晶発振が始まると、VDD/2より高い電圧に帰還バイアス電圧が引き上げられたCMOSインバータINV1が動作を始める。このCMOSインバータINV1の出力電圧がCMOSインバータINV2で反転されると、その波形は、“H”の時間の長い波形となる。CMOSインバータINV3の出力信号の波形も同様であり、この出力信号が抵抗R1を経由してキャパシタC1に充電され始める。 When the parallel resonance circuit including the inductance component of the crystal resonator X1 and the capacitors Cg and Cd resonates and crystal oscillation starts, the CMOS inverter INV1 in which the feedback bias voltage is raised to a voltage higher than VDD / 2 starts to operate. When the output voltage of the CMOS inverter INV1 is inverted by the CMOS inverter INV2, the waveform becomes a waveform having a long “H” time. The waveform of the output signal of the CMOS inverter INV3 is the same, and this output signal starts to be charged into the capacitor C1 via the resistor R1.
キャパシタC1の電圧(ノードN3)が、所定値にまで充電されると、トランジスタMP2はOFFとなり、ノードN1のプルアップが解除され、帰還バイアス電圧がVDD/2の電圧へと戻る。これによって、CMOSインバータINV2の発振出力(ノードN2)の波形は、出力対称性が50%となる。 When the voltage of the capacitor C1 (node N3) is charged to a predetermined value, the transistor MP2 is turned off, the pull-up of the node N1 is released, and the feedback bias voltage returns to the voltage of VDD / 2. As a result, the output symmetry of the waveform of the oscillation output (node N2) of the CMOS inverter INV2 is 50%.
このとき、ノードN3の“H”の電圧は、遅延回路DL1で所定の遅延を受けた後に、アンド回路AND1の一方の入力側に入力するので、そのアンド回路AND1がゲートを開き、ノードN2の発振波形が、出力対称性50%となった時点から少し遅れて、出力端子OUTに出力される。このように、出力端子OUTからは安定した出力対称性50%の発振波形が出力される。 At this time, the “H” voltage of the node N3 is input to one input side of the AND circuit AND1 after receiving a predetermined delay in the delay circuit DL1, so that the AND circuit AND1 opens the gate, and the node N2 The oscillation waveform is output to the output terminal OUT with a slight delay from the time when the output symmetry becomes 50%. Thus, a stable oscillation waveform with 50% output symmetry is output from the output terminal OUT.
<第2の実施例>
図3は本発明の第2の実施例の発振回路の構成を示す回路図である。1Bは発振回路本体であり、図1で説明したCMOSインバータINV1,INV2、INV3、水晶振動子X、帰還抵抗Rf、キャパシタCg,Cdに加えて、CMOSインバータINV4、ソースがGNDに接続されゲートがCMOSインバータINV1の入力側に接続されたNMOSトランジスタMN1、ソースがトランジスタMN1のドレインに接続されドレインがノードN1に接続されゲートがCMOSインバータINV4の出力に接続されたNMOSトランジスタMN2を有する。CMOSインバータINV4の入力は発振検出回路2のノードN3に接続されている。トランジスタMN1,MN2は電圧印加回路を構成する。なお、発振検出回路2と出力制御回路3は図1に示したものと同じである。
<Second embodiment>
FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the oscillation circuit according to the second embodiment of the present invention.
本実施例では、電源投入直後は、キャパシタC1の電荷が抵抗R2により放電されいて、ノードN3は“L”(=GND)となっている。このため、CMOSインバータINV4の出力電圧がゲートに印加するトランジスタMN2はON状態となる。 In this embodiment, immediately after the power is turned on, the charge of the capacitor C1 is discharged by the resistor R2, and the node N3 is “L” (= GND). For this reason, the transistor MN2 to which the output voltage of the CMOS inverter INV4 is applied to the gate is turned on.
よって、電源投入時は、トランジスタMN1がCMOSインバータINV1のNMOSトランジスタ(図示せず)に並列接続されるので、ノードN1の電圧がGND側にプルダウンされ、VDD/2よりも低電圧に設定される。この低電圧は、CMOSインバータINV2のスレッショルド電圧よりも低くなり、電源投入時の微小な電源ノイズなどによりノードN1の電圧が揺れても、当該CMOSインバータINV2のスレッショルド電圧を超えないために、CMOSインバータINV2の出力は変化しない。つまり、自励発振を起こさない。また、“L”となっているノードN3に接続された遅延回路DL1を経由して接続されたアンド回路AND1の出力は、“L”に固定され、出力端子OUTの出力電圧は発振出力停止状態となる。 Therefore, when the power is turned on, the transistor MN1 is connected in parallel to the NMOS transistor (not shown) of the CMOS inverter INV1, so that the voltage at the node N1 is pulled down to the GND side and set to a voltage lower than VDD / 2. . This low voltage is lower than the threshold voltage of the CMOS inverter INV2, and even if the voltage of the node N1 fluctuates due to a minute power supply noise at the time of turning on the power, the threshold voltage of the CMOS inverter INV2 is not exceeded. The output of INV2 does not change. That is, self-excited oscillation does not occur. Further, the output of the AND circuit AND1 connected via the delay circuit DL1 connected to the node N3 which is “L” is fixed to “L”, and the output voltage of the output terminal OUT is in the oscillation output stop state. It becomes.
水晶振動子X1のインダクタンス成分とキャパシタCg,Cdによる並列共振回路が共振して水晶発振が始まると、帰還バイアス電圧がトランジスタMN1,MN2によってVDD/2の電圧より低い電圧に引き下げられたCMOSインバータINV1が動作を始める。このCMOSインバータINV1の出力がCMOSインバータINV2で反転されると、その波形は、“L”の時間の長い波形となる。CMOSインバータINV3の出力信号の波形も同様であり、この出力信号が抵抗R1を経由してキャパシタC1に充電され始める。 When the parallel resonance circuit including the inductance component of the crystal resonator X1 and the capacitors Cg and Cd resonates and crystal oscillation starts, the feedback bias voltage is lowered to a voltage lower than the voltage VDD / 2 by the transistors MN1 and MN2, and the CMOS inverter INV1 Begins to work. When the output of the CMOS inverter INV1 is inverted by the CMOS inverter INV2, the waveform becomes a waveform having a long “L” time. The waveform of the output signal of the CMOS inverter INV3 is the same, and this output signal starts to be charged into the capacitor C1 via the resistor R1.
キャパシタC1の電圧(ノードN3)が、CMOSインバータINV4のスレッショルド電圧を超えるレベルにまで充電されると、そのCMOSインバータINV4の出力が“L”となり、トランジスタMN2がOFFとなり、ノードN1のプルダウンが解除されて、帰還バイアス電圧がVDD/2の電圧へと戻る。これによって、CMOSインバータINV2の発振出力(ノードN2)の波形は、出力対称性が50%となる。 When the voltage of the capacitor C1 (node N3) is charged to a level exceeding the threshold voltage of the CMOS inverter INV4, the output of the CMOS inverter INV4 becomes “L”, the transistor MN2 is turned OFF, and the pull-down of the node N1 is released. Thus, the feedback bias voltage returns to the voltage of VDD / 2. As a result, the output symmetry of the waveform of the oscillation output (node N2) of the CMOS inverter INV2 is 50%.
このとき、ノードN3の“H”の電圧は遅延回路DL1で所定の遅延を受けた後に、アンド回路AND1の一方の入力側に入力するので、そのアンド回路AND1がゲートを開き、ノードN2の発振波形が、出力対称性50%となった時点から少し遅れて、出力端子OUTに出力される。このように、出力端子OUTからは安定した出力対称性50%の発振波形が出力される。 At this time, the “H” voltage of the node N3 is input to one input side of the AND circuit AND1 after receiving a predetermined delay in the delay circuit DL1, so that the AND circuit AND1 opens the gate and the oscillation of the node N2 The waveform is output to the output terminal OUT with a slight delay from the time when the output symmetry becomes 50%. Thus, a stable oscillation waveform with 50% output symmetry is output from the output terminal OUT.
<その他の実施例>
なお、以上説明した第1および第2の実施例において、水晶発振子X1はこれに限られず、セラミック振動子等のように、固有の振動数で固有のインダクタンスを呈する振動子であればよい。また、各回路を構成するトランジスタは、電界効果トランジスタ以外にバイポーラトランジスタであってもよい。
<Other examples>
In the first and second embodiments described above, the crystal oscillator X1 is not limited to this, and may be a vibrator that exhibits a specific inductance at a specific frequency, such as a ceramic vibrator. Further, the transistors constituting each circuit may be bipolar transistors in addition to the field effect transistors.
Claims (5)
前記発振検出回路は、前記発振回路本体から出力する発振信号を積分する第1の時定数の積分回路と、該積分回路に積分された電荷を放電する第2の時定数の放電回路とを備え、前記第2の時定数は前記第1の時定数より大きく設定され、所定値に達した前記積分回路の積分電圧を、前記発振出力信号を検出した信号とすることを特徴とする発振回路。 An inverter connected to the first power source and the second power source, a first capacitor connected between the input side of the inverter and the second power source, an output side of the inverter and the second power source; And a feedback resistor and a vibrator connected in parallel between the input and output of the inverter, and the feedback bias voltage on the output side of the inverter is the voltage of the first power supply. And an oscillation circuit body set to an intermediate voltage between the voltages of the second power supply and an oscillation detection circuit for detecting an oscillation output signal oscillated by the oscillation circuit body, the oscillation circuit body including the oscillation detection When the circuit does not detect the oscillation output signal, it pulls up the output side voltage of the inverter to a voltage higher than the intermediate voltage, and when the oscillation detection circuit detects the oscillation output signal, the pull-up is canceled. In the oscillation circuit provided with a voltage application circuit,
The oscillation detection circuit includes an integration circuit having a first time constant that integrates an oscillation signal output from the oscillation circuit main body, and a discharge circuit having a second time constant that discharges electric charges integrated in the integration circuit. The oscillation circuit is characterized in that the second time constant is set to be larger than the first time constant, and the integration voltage of the integration circuit that has reached a predetermined value is a signal obtained by detecting the oscillation output signal .
前記発振検出回路は、前記発振回路本体から出力する発振信号を積分する第1の時定数の積分回路と、該積分回路に積分された電荷を放電する第2の時定数の放電回路とを備え、前記第2の時定数は前記第1の時定数より大きく設定され、所定値に達した前記積分回路の積分電圧を、前記発振出力信号を検出した信号とすることを特徴とする発振回路。 An inverter connected to the first power source and the second power source, a first capacitor connected between the input side of the inverter and the second power source, an output side of the inverter and the second power source; And a feedback resistor and a vibrator connected in parallel between the input and output of the inverter, and the feedback bias voltage on the output side of the inverter is the voltage of the first power supply. And an oscillation circuit body set to an intermediate voltage between the voltages of the second power supply and an oscillation detection circuit for detecting an oscillation output signal oscillated by the oscillation circuit body, the oscillation circuit body including the oscillation detection When the circuit does not detect the oscillation output signal, the output side voltage of the inverter is pulled down to a voltage lower than the intermediate voltage, and when the oscillation detection circuit detects the oscillation output signal, the pull-down is released. In the oscillation circuit provided with a voltage application circuit,
The oscillation detection circuit includes an integration circuit having a first time constant that integrates an oscillation signal output from the oscillation circuit main body, and a discharge circuit having a second time constant that discharges electric charges integrated in the integration circuit. The oscillation circuit is characterized in that the second time constant is set to be larger than the first time constant, and the integration voltage of the integration circuit that has reached a predetermined value is a signal obtained by detecting the oscillation output signal .
前記電圧印加回路は、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出しないときONし、検出したときOFFするスイッチ素子であることを特徴とする発振回路。 The oscillation circuit according to claim 1 or 2,
The voltage application circuit includes an oscillation circuit the oscillation detection circuit is turned ON when not detecting the oscillation output signal, characterized by Oh Rukoto switch element to OFF when the detected.
前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出しないとき、前記発振回路本体の出力信号の出力を禁止する出力制御回路を備えることを特徴とする発振回路。 The oscillation circuit according to any one of claims 1 to 3,
When the oscillation detecting circuit does not detect the oscillation output signal, an oscillation circuit, wherein Rukoto an output control circuit for prohibiting the output of the output signal of the oscillating circuit body.
前記出力制御回路は、前記発振検出回路が前記発振出力信号を検出したとき、所定時間遅延の後に前記発振回路本体の出力信号の出力禁止を解除することを特徴とする発振回路。 The oscillation circuit according to claim 4 ,
The output control circuit, when the oscillation detecting circuit detects the oscillation output signal, an oscillation circuit, wherein that you cancel the output disable output signal of the oscillation circuit body after a predetermined time delay.
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