JP5028526B2 - Thermally assisted magnetic head and method of assembling the thermally assisted magnetic head - Google Patents

Thermally assisted magnetic head and method of assembling the thermally assisted magnetic head Download PDF

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Description

本発明は、磁気記録媒体に光照射しながら磁気記録を行う熱アシスト磁気ヘッドおよび熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法に関する。   The present invention relates to a thermally assisted magnetic head that performs magnetic recording while irradiating a magnetic recording medium with light, and a method for assembling the thermally assisted magnetic head.

近年、1Tb/in2以上の記録密度を実現する記録方式として、熱アシスト磁気記録方式が提案されている(非特許文献1)。従来の磁気記録装置では、記録密度が1Tb/in2以上になると、熱揺らぎによる記録情報の消失が問題となる。これを防ぐには、磁気記録媒体の保磁力を上げる必要があるが、記録ヘッドから発生させることができる磁界の大きさには限りがあるため、保磁力を上げすぎると媒体に記録ビットを形成することが不可能となる。これを解決するために、熱アシスト磁気記録方式では、記録の瞬間、媒体を光で加熱して保磁力を低下させる。これにより、高保磁力媒体への記録が可能となり、1Tb/in2以上の記録密度実現が可能となる。In recent years, a heat-assisted magnetic recording system has been proposed as a recording system that achieves a recording density of 1 Tb / in 2 or more (Non-Patent Document 1). In the conventional magnetic recording apparatus, when the recording density is 1 Tb / in 2 or more, loss of recorded information due to thermal fluctuation becomes a problem. To prevent this, it is necessary to increase the coercive force of the magnetic recording medium, but since the magnitude of the magnetic field that can be generated from the recording head is limited, if the coercive force is increased too much, a recording bit is formed on the medium. It becomes impossible to do. In order to solve this, in the heat-assisted magnetic recording system, the coercive force is lowered by heating the medium with light at the moment of recording. As a result, recording on a high coercive force medium becomes possible, and a recording density of 1 Tb / in 2 or more can be realized.

熱アシスト磁気記録装置において、照射する光のスポット径は、記録ビットと同程度の大きさ(数10nm)にする必要がある。なぜなら、光スポット径がそれよりも大きいと、隣接トラックの情報を消去してしまうからである。このような微小な領域を加熱するためには、近接場光を用いる。近接場光は、光波長以下の微小物体近傍に存在する局在した電磁場(波数が虚数成分を持つ光)であり、径が光波長以下の微小開口や金属の散乱体を用いて発生させる。例えば、高効率な近接場光発生器として三角形の形状をした金属散乱体を用いた近接場光発生器が提案されている(非特許文献2)。金属散乱体に光を入射させると、金属散乱体中にプラズモン共鳴が励起され、三角形の頂点に強い近接場光が発生する。この近接場光発生器を用いることにより、光を数10nm以下の領域に高効率に集めることが可能になる。   In the heat-assisted magnetic recording apparatus, the spot diameter of the irradiated light needs to be the same size (several tens of nm) as the recording bit. This is because information on adjacent tracks is erased if the light spot diameter is larger than that. Near-field light is used to heat such a minute region. Near-field light is a localized electromagnetic field (light having wavenumber having an imaginary component) existing in the vicinity of a minute object having a wavelength equal to or smaller than the light wavelength, and is generated using a minute aperture or a metal scatterer having a diameter equal to or smaller than the light wavelength. For example, a near-field light generator using a triangular metal scatterer has been proposed as a highly efficient near-field light generator (Non-Patent Document 2). When light is incident on the metal scatterer, plasmon resonance is excited in the metal scatterer, and strong near-field light is generated at the apex of the triangle. By using this near-field light generator, light can be collected with high efficiency in a region of several tens of nm or less.

熱アシスト磁気記録を実現するためには、磁界を印加するための磁極近傍の媒体を光で加熱する必要がある。そのためには、例えば導波路を磁極脇に形成し、光源である半導体レーザの光を、磁極の先端近傍にまで導く。このとき、半導体レーザは、非特許文献3に記載されているように、例えばサスペンションの根元に置いて、そこから浮上スライダまで光ファイバなどの導波路を用いて光を導くようにする。若しくは、半導体レーザをスライダの上に配置し、出射光が磁極脇に形成した導波路に導入されるようにする。   In order to realize the heat-assisted magnetic recording, it is necessary to heat the medium near the magnetic pole for applying the magnetic field with light. For this purpose, for example, a waveguide is formed on the side of the magnetic pole, and the light of the semiconductor laser as the light source is guided to the vicinity of the tip of the magnetic pole. At this time, as described in Non-Patent Document 3, the semiconductor laser is placed, for example, at the base of the suspension and guides light from there to a flying slider using a waveguide such as an optical fiber. Alternatively, a semiconductor laser is disposed on the slider so that the emitted light is introduced into a waveguide formed beside the magnetic pole.

また、半導体レーザを導波路に位置決めする方法として、特許文献1に記載されているように、記録に用いるスライダ中の導波路の横にアライメント用の導波路を1本形成し、まずそのアライメント用の導波路に対し、記録に用いる光を入射させながら半導体レーザをアライメントし、つぎにアライメント用導波路と記録用の導波路の間の距離だけ半導体レーザを動かす方法がある。   As a method for positioning the semiconductor laser in the waveguide, as described in Patent Document 1, one alignment waveguide is formed next to the waveguide in the slider used for recording. There is a method in which a semiconductor laser is aligned while light used for recording is incident on the waveguide, and then the semiconductor laser is moved by a distance between the alignment waveguide and the recording waveguide.

特開2008−59694号公報JP 2008-59694 A

H. Saga, H. Nemoto, H. Sukeda, and M. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, Part 1, pp.1839 (1999)H. Saga, H. Nemoto, H. Sukeda, and M. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, Part 1, pp.1839 (1999) Technical Digest of 6th international conference on near field optics and related techniques, the Netherlands, Aug. 27−31, 2000, p.55Technical Digest of 6th international conference on near field optics and related techniques, the Netherlands, Aug. 27-31, 2000, p.55 Kenji Kato et al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, pp.5102−5106 (2003)Kenji Kato et al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, pp. 5102-5106 (2003)

半導体レーザから浮上スライダまで光を導くための導波路(光源とスライダ間の導波路)、もしくはスライダ上に置いた半導体レーザの位置は、磁極脇に形成した導波路(スライダ中の導波路)に対して正確に合わせないと、光源とスライダ間の導波路とスライダ中の導波路間との光の結合効率、もしくは半導体レーザとスライダ中の導波路間の光の結合効率が低下してしまう。その結果、スライダ中の導波路に導入される光強度が低下し、媒体の上昇温度が低下してしまう。   The waveguide for guiding light from the semiconductor laser to the flying slider (the waveguide between the light source and the slider) or the position of the semiconductor laser placed on the slider is the waveguide formed on the side of the magnetic pole (the waveguide in the slider) If it is not accurately matched, the light coupling efficiency between the waveguide between the light source and the slider and the waveguide in the slider, or the light coupling efficiency between the semiconductor laser and the waveguide in the slider is lowered. As a result, the light intensity introduced into the waveguide in the slider decreases, and the temperature rise of the medium decreases.

光源とスライダ間の導波路、もしくはスライダ上に置く半導体レーザの位置を正確に決める方法の一つとして、位置決め用のマーク(アライメントマーク)をスライダ上面(浮上面と反対側の面)に形成し、そのマークを基準にして位置を決める方法が考えられる。このアライメントマークは、顕微鏡で観察可能なように、スライダ上面方向から見た大きさが数μm以上になるようにする必要がある。またアライメントマークが見えやすいように、周辺部と反射率が異なる材料(例えば金属など)でアライメントマークを形成する必要がある。ハードディスクドライブの作製工程を考えると、このようなアライメントマークを形成するためには、ヘッド加工プロセス途中において、アライメントマークを形成する部分に、数μmの厚さの膜を堆積させる必要がある。しかし、このような厚膜を形成することは、作製コストおよび作製時間の増大を招く。また、アライメントマークとスライダ中の導波路の材料や寸法が互いに異なる場合、アライメントマークとスライダ中の導波路は別々に作製する必要があるが、アライメントマークとスライダ中の導波路の相対的な位置がずれる可能性もあり、もしずれてしまうと、光源とスライダ間の導波路、もしくはスライダ上に置く半導体レーザの位置がずれてしまう。   A positioning mark (alignment mark) is formed on the slider upper surface (the surface opposite to the air bearing surface) as one method of accurately determining the position of the waveguide between the light source and the slider, or the semiconductor laser placed on the slider. A method of determining the position based on the mark can be considered. This alignment mark needs to be several μm or more in size when viewed from the slider upper surface direction so that it can be observed with a microscope. Further, it is necessary to form the alignment mark with a material (for example, metal) having a reflectance different from that of the peripheral portion so that the alignment mark can be easily seen. Considering the manufacturing process of the hard disk drive, in order to form such an alignment mark, it is necessary to deposit a film having a thickness of several μm on the portion where the alignment mark is to be formed during the head machining process. However, forming such a thick film causes an increase in manufacturing cost and manufacturing time. Also, if the alignment mark and the waveguide material in the slider are of different materials and dimensions, the alignment mark and the waveguide in the slider must be prepared separately, but the relative position of the alignment mark and the waveguide in the slider If there is a shift, the waveguide between the light source and the slider, or the position of the semiconductor laser placed on the slider will shift.

第2の方法として、光源とスライダ間の導波路もしくはスライダ上の半導体レーザから光を放出させ、かつスライダ中の導波路の出射光をモニターしながらアライメントする方法(アクティブアライメント)が考えられる。しかし、一つ一つ出射光をモニターしながらアライメントすると、アライメント作業に時間がかかるだけでなく、レーザに電流を供給するための配線を接続する作業に時間がかかる。その結果コストが増大する。またアライメント作業中に半導体レーザが破損する可能性もあり、レーザ破損分コストが上昇する。   As a second method, there can be considered a method (active alignment) in which light is emitted from a waveguide between the light source and the slider or a semiconductor laser on the slider and the emission light from the waveguide in the slider is monitored. However, if alignment is performed while monitoring the emitted light one by one, not only does the alignment work take time, but it takes time to connect the wiring for supplying current to the laser. As a result, the cost increases. In addition, there is a possibility that the semiconductor laser is damaged during the alignment operation, and the cost of laser damage increases.

第3の方法として、特許文献1に記載されているように、記録に用いるスライダ中の導波路の横にアライメント用の導波路を1本形成し、まずそのアライメント用の導波路に対して記録に用いる光を入射させながら半導体レーザをアライメントし、つぎにアライメント用導波路と記録用の導波路の間の距離だけ半導体レーザを動かす方法もある。しかし、このように記録に用いる光をアライメント中に点灯した状態で、半導体レーザやスライダを動かすと、生じたサージノイズなどにより半導体レーザが破損する可能性がある。また、半導体レーザに必要な電力をサスペンション上に形成された電線を通して供給する場合、アライメント前に半導体レーザをサスペンションに固定する必要があるが、サスペンションがついているため、半導体レーザが載った台の固定が難しくなる。また、アライメント用導波路と記録用の導波路の間の距離だけ半導体レーザを動かす際、アライメント用導波路と記録用の導波路の距離は分かっても、記録用導波路のある方向はきちんと決まっていないため、位置がずれてしまう可能性がある(アライメント用導波路と記録用導波路を結ぶベクトルを考えたとき、ベクトルの長さは分かっても、方向は分からない)。   As a third method, as described in Patent Document 1, one alignment waveguide is formed beside the waveguide in the slider used for recording, and recording is first performed on the alignment waveguide. There is also a method in which the semiconductor laser is aligned while the light used for is incident, and then the semiconductor laser is moved by a distance between the alignment waveguide and the recording waveguide. However, if the semiconductor laser or the slider is moved in such a state that the light used for recording is lit during the alignment, the semiconductor laser may be damaged due to the generated surge noise. In addition, when supplying the power necessary for the semiconductor laser through the electric wire formed on the suspension, it is necessary to fix the semiconductor laser to the suspension before alignment. Becomes difficult. When the semiconductor laser is moved by the distance between the alignment waveguide and the recording waveguide, the direction in which the recording waveguide is located is determined even if the distance between the alignment waveguide and the recording waveguide is known. Therefore, there is a possibility that the position is shifted (when considering a vector connecting the alignment waveguide and the recording waveguide, the direction is unknown even though the length of the vector is known).

本発明の目的は、光源とスライダ間の導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路との位置合わせを、高精度に行うことができる熱アシスト磁気ヘッドを提供することである。
本発明の他の目的は、光源とスライダ間の導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路の位置合わせを、記録用のレーザを点灯することなく行うことにより、低コストな熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a thermally assisted magnetic head capable of highly accurately aligning a waveguide between a light source and a slider or a semiconductor laser placed on the slider and a waveguide in the slider. .
Another object of the present invention is to reduce the cost by aligning the waveguide between the light source and the slider or the semiconductor laser placed on the slider and the waveguide in the slider without turning on the recording laser. It is to provide a method for assembling a heat-assisted magnetic head.

本発明の熱アシスト磁気ヘッドは、スライダ中の記録用の光を伝送するための導波路の脇に、アライメント用の導波路を有する。スライダの浮上面と反対側の面に固定される、光源からの光を導入する導波路を支持する支持部材の、前記導波路の出射端の両脇に前記アライメント用の導波路と対応する位置にアライメントマークを有する。前記支持部材は、前記アライメントマークが前記アライメント用導波路に対応するように位置決めされてスライダに接着固定される。   The heat-assisted magnetic head of the present invention has an alignment waveguide on the side of the waveguide for transmitting recording light in the slider. Positions corresponding to the alignment waveguides on both sides of the output end of the waveguide of a support member for supporting the waveguide for introducing light from the light source, which is fixed to the surface opposite to the air bearing surface of the slider Have an alignment mark. The support member is positioned and bonded and fixed to the slider so that the alignment mark corresponds to the alignment waveguide.

前記支持部材を前記スライダに接着固定する際、アライメント用導波路の浮上面側の端から、記録に用いる光とは別の光を入射させ、その反対側(スライダ上面側の端)が光るようにする。この発光点の像を観察することにより、記録用導波路の光が入射する位置を決定する。例えば、2つのアライメント用導波路と記録用導波路の光が入射する位置がトラック幅方向に一直線上に並び、かつ記録用導波路が2つのアライメント用導波路の中点に位置するように、アライメント用導波路を形成した場合、観察された2つの発光点の中点が、記録用導波路の位置となる。このようにして、記録用導波路の位置を決定した後、その位置に、光源からスライダまで光を伝送するための導波路の出射点や、半導体レーザの出射点が重なるように位置合わせを行うことにより、光源からスライダまで光を伝送するための導波路や、半導体レーザを最適な位置(最も効率よく光が結合する位置)に配置することが出来る。   When the support member is bonded and fixed to the slider, light different from the light used for recording is incident from the end on the air bearing surface side of the alignment waveguide, and the opposite side (end on the slider upper surface side) emits light. To. By observing the image of this light emitting point, the position where the light of the recording waveguide is incident is determined. For example, the positions where the light of the two alignment waveguides and the recording waveguide are incident are aligned in a straight line in the track width direction, and the recording waveguide is positioned at the midpoint of the two alignment waveguides. When the alignment waveguide is formed, the midpoint between the two observed emission points is the position of the recording waveguide. After determining the position of the recording waveguide in this manner, alignment is performed so that the emission point of the waveguide for transmitting light from the light source to the slider and the emission point of the semiconductor laser overlap each other. Thus, the waveguide for transmitting light from the light source to the slider and the semiconductor laser can be arranged at the optimum position (the position where the light is most efficiently coupled).

アライメント用導波路へは、スライダを置いた台座の中に設置した光ファイバやマイクロレンズ(分布屈折率レンズを含む)を用いて光を入射させる。このとき、アライメント用導波路に光が必ず入射するようにするためには、スライダを台座に置いたときの、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離(ずれ量)の最大値を±dmaxとしたとき、アライメント用導波路に入射する光のスポット径Diが、2dmax以上になるようにすれば良い。Light is incident on the alignment waveguide using an optical fiber or a microlens (including a distributed refractive index lens) installed in a pedestal on which a slider is placed. At this time, in order to ensure that light is incident on the alignment waveguide, the maximum value of the distance (shift amount) between the reference point on the pedestal and the reference point on the slider side when the slider is placed on the pedestal is set. When ± d max is set, the spot diameter Di of the light incident on the alignment waveguide may be set to 2d max or more.

アライメント用導波路に結合する光の強度を高めるために、アライメント用導波路の入射端に、導波路の入射側のモードフィールド径を大きくするための構造を形成しても良い。例えば、導波路のコアの幅を変化させたり、コアの屈折率と、クラッドの屈折率の中間の屈折率を有する材料で出来た層を入れたりすることで、モードフィールド径を大きくすると良い。   In order to increase the intensity of light coupled to the alignment waveguide, a structure for increasing the mode field diameter on the incident side of the waveguide may be formed at the incident end of the alignment waveguide. For example, the mode field diameter may be increased by changing the width of the core of the waveguide or by inserting a layer made of a material having a refractive index intermediate between the refractive index of the core and the refractive index of the cladding.

上記アライメント用に用いる光の波長は、記録用に用いる光の波長と同一でなくても良い。   The wavelength of light used for the alignment need not be the same as the wavelength of light used for recording.

記録用導波路とアライメント用導波路の距離の距離は、短すぎると記録用導波路に入射する光がアライメント用導波路にも結合してしまい、記録に用いる光の強度が低下してしまう。これを防ぐためには、アライメント用導波路と記録用導波路の距離は、最低でも入射ビームの半径以上にする必要がある。また、スライダが回転して置かれたときの、回転量を検知するためには、アライメント用導波路と記録用導波路の距離は、100μm以上にすると良い。   If the distance between the recording waveguide and the alignment waveguide is too short, light incident on the recording waveguide is also coupled to the alignment waveguide, and the intensity of light used for recording is reduced. In order to prevent this, the distance between the alignment waveguide and the recording waveguide needs to be at least the radius of the incident beam. In order to detect the amount of rotation when the slider is rotated, the distance between the alignment waveguide and the recording waveguide is preferably 100 μm or more.

アライメント用導波路に入射する光の強度分布は、中心付近において強度の変化量が小さく、あるスポット径Di以上で急激に小さくなるような分布になるようにすると良い。このような分布は、例えば、スライダを載せる台座の上面に直径がDiに等しい開口のついた遮光膜を形成し、スポット径がDiよりも大きな光を開口に入射させることにより作り出すことが出来る。入射光の分布をこのようにすることにより、スライダの位置ずれにより生じる、アライメント用導波路に入射する光の強度変化を小さくし、かつ周辺部のバックグランド光の影響を小さくすることが出来る。   The intensity distribution of the light incident on the alignment waveguide is preferably a distribution in which the amount of change in intensity is small near the center and becomes abruptly smaller than a certain spot diameter Di. Such a distribution can be created, for example, by forming a light-shielding film with an opening having a diameter equal to Di on the upper surface of the pedestal on which the slider is placed, and allowing light having a spot diameter larger than Di to enter the opening. By making the distribution of the incident light in this way, it is possible to reduce the intensity change of the light incident on the alignment waveguide caused by the displacement of the slider and to reduce the influence of the background light in the peripheral portion.

周辺に生じるバックグランド光の影響を抑えるために、アライメント用導波路の途中に45度ミラーを2箇所入れたり、アライメント用導波路を曲線状に曲げたりして、アライメント用導波路の出射点の中心と、入射点の中心がずれるようにしても良い。このようにすれば、バックグランド光とアライメント用導波路からの出射光が像の中で重ならないので、アライメント用導波路からの出射光を区別することが出来る。   In order to suppress the influence of the background light generated in the periphery, two 45 degree mirrors are inserted in the middle of the alignment waveguide, or the alignment waveguide is bent in a curved shape so that the exit point of the alignment waveguide is The center may be shifted from the center of the incident point. In this way, since the background light and the light emitted from the alignment waveguide do not overlap in the image, the light emitted from the alignment waveguide can be distinguished.

また、周辺に生じるバックグランド光の影響を抑えるためには、アライメント用導波路の途中に45度ミラーを形成することにより、光をスライダの側面から入れられるようにしても良い。アライメント用導波路に結合しなかった光(バックグランド光)は、スライダ浮上面に対し平行な方向に進むので、観察光学系に入射しなくなる。   Further, in order to suppress the influence of background light generated in the periphery, a 45-degree mirror may be formed in the middle of the alignment waveguide so that light can enter from the side surface of the slider. Since the light (background light) that has not been coupled to the alignment waveguide travels in a direction parallel to the slider air bearing surface, it does not enter the observation optical system.

アライメント用導波路から出射する光は、スライダの上に、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せた状態で、観察しても良い。このとき、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せるためのマウント上に中心に開口の開いたアライメントマークを形成して置くと、開口を通過する光が最大となるようにマウントの位置を調整すると、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを最適な位置に設置することが出来る。開口を通過する光の強度は、フォトダイオードなどの光検出器を用いて検出することができる。   You may observe the light radiate | emitted from the waveguide for alignment in the state which mounted the waveguide and semiconductor laser for transmitting the light from a light source on a slider. At this time, if an alignment mark having an opening at the center is formed on a waveguide for transmitting light from a light source or a mount for mounting a semiconductor laser, the light passing through the opening is maximized. If the position of the mount is adjusted, a waveguide or a semiconductor laser for transmitting light from the light source can be installed at an optimum position. The intensity of light passing through the opening can be detected using a photodetector such as a photodiode.

また、スライダの上に、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せた状態で、アライメント用導波路に光を入射させ、マウント上のアライメントマークに当たり戻ってきた光を検出することで、位置合わせを行っても良い。アライメント用導波路の出射点にアライメントマークが存在すると、アライメントマークからの反射光強度が変化する。この変化を検出することで、マウントのずれを検知することが出来る。このためのアライメントマークは、例えば、マウント表面に、マウントとは異なる材料のマークを埋め込むことにより作製する。また、マウントマークは、マウント表面に形成した溝であっても良い。特に、アライメント用の光源の波長をλとしたとき、スライダの上面からアライメントマークの溝の底部までの距離dが、d=λx(2n+1)/4 (n=0以上の整数)となるようにすると、スライダ上面(導波路の出口における端面)における反射光と、アライメントマークの溝の底部における反射光が干渉し、アライメント用導波路に戻る光の強度が弱くなる。したがって、戻り光が最も弱くなるように合わせると、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを最適位置に配置することが出来る。   In addition, with a waveguide or a semiconductor laser for transmitting light from the light source placed on the slider, light is incident on the alignment waveguide, and the light returned to the alignment mark on the mount is detected. Thus, alignment may be performed. If an alignment mark exists at the exit point of the alignment waveguide, the intensity of reflected light from the alignment mark changes. By detecting this change, the displacement of the mount can be detected. The alignment mark for this purpose is produced, for example, by embedding a mark of a material different from that of the mount on the mount surface. The mount mark may be a groove formed on the mount surface. In particular, when the wavelength of the light source for alignment is λ, the distance d from the upper surface of the slider to the bottom of the groove of the alignment mark is d = λx (2n + 1) / 4 (n = 0 or greater integer). By doing so, the reflected light at the slider upper surface (the end face at the exit of the waveguide) interferes with the reflected light at the bottom of the groove of the alignment mark, and the intensity of the light returning to the alignment waveguide is weakened. Therefore, when the return light is adjusted to become the weakest, the waveguide and the semiconductor laser for transmitting the light from the light source can be arranged at the optimum position.

戻り光を検知する場合、バックグランド光の検出を除くために、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せたマウントを振動数fで水平方向に振動させ、検出器で検出される光強度の内、周波数fで振動する成分を抜き出すことにより、アライメントマークからの反射光成分を抜き出しても良い。   When detecting the return light, in order to exclude the detection of background light, the wave guide for transmitting the light from the light source and the mount on which the semiconductor laser is mounted are vibrated in the horizontal direction at the frequency f and detected by the detector The reflected light component from the alignment mark may be extracted by extracting the component that vibrates at the frequency f in the light intensity.

また、戻り光を検知する場合、左右2つのアライメントマークからの戻り光強度が等しくなるように光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せたマウントの傾きを合わせると、スライダに対し水平になるようにマウントを設置することができる。これはつぎの原理に基づく。
(1)アライメント用導波路の端面からの反射光とアライメントマークからの反射光は互いに干渉するため、スライダ上面からアライメントマークまでの距離が変化すると、導波路側に戻る光の強度は変化する。このとき、マウントが傾くと、スライダ上面からアライメントマークまでの距離は、それぞれのアライメントマークにおいて異なる。そのため、導波路側に戻る光の強度は、2つのアライメントマークで異なる。
(2)マウントの傾きが大きい場合、アライメントマークからの反射光は、斜めに進む。このとき、導波路に結合する光強度は、スライダ上面からアライメントマークまでの距離に依存するので、導波路に結合する光強度は、2つのアライメントマークで異なる。
In addition, when detecting return light, if the inclination of the mount for mounting the waveguide or the semiconductor laser for transmitting the light from the light source is adjusted so that the return light intensities from the two left and right alignment marks are equal, The mount can be set to be horizontal. This is based on the following principle.
(1) Since the reflected light from the end face of the alignment waveguide and the reflected light from the alignment mark interfere with each other, the intensity of the light returning to the waveguide side changes when the distance from the slider upper surface to the alignment mark changes. At this time, when the mount is inclined, the distance from the upper surface of the slider to the alignment mark is different for each alignment mark. Therefore, the intensity of the light returning to the waveguide side differs between the two alignment marks.
(2) When the inclination of the mount is large, the reflected light from the alignment mark travels obliquely. At this time, since the light intensity coupled to the waveguide depends on the distance from the slider upper surface to the alignment mark, the light intensity coupled to the waveguide differs between the two alignment marks.

なお、アライメント用導波路から出射する光の強度は、2つのアライメントマークで、等しいとは限らない。これを補正するために、マウントをスライダの上に載せる前に、アライメント用導波路から出射する光の強度を測定しておき、それを元に光検出器の信号強度を補正するか、もしくは片側の光源の光強度を上げ下げすることにより補正すると良い。   The intensity of light emitted from the alignment waveguide is not necessarily equal between the two alignment marks. To correct this, measure the intensity of the light emitted from the alignment waveguide before mounting the mount on the slider, and correct the signal intensity of the photodetector based on it, or Correction may be made by increasing or decreasing the light intensity of the light source.

アライメントマークは、半球状の溝や、四角錘の形状をした溝など深さが場所により異なる溝を用いても良い。このとき、アライメントマークからの反射光は等方的に進まない。したがって、アライメント用導波路に結合する反射光の強度は、スライダ上面からアライメントマークまでの距離に依存する。したがって、2つのアライメントマークにおける戻り光強度を検出検出することにより、導波路マウントの傾きを検知することが出来る。また、スライダ上面からアライメントマークまでの距離により、強度が変化することを利用して、スライダ上面からアライメントマークまでの絶対的な距離を決めても良い。   The alignment mark may be a groove having a different depth depending on the location, such as a hemispherical groove or a square pyramid-shaped groove. At this time, the reflected light from the alignment mark does not travel isotropically. Therefore, the intensity of the reflected light coupled to the alignment waveguide depends on the distance from the slider upper surface to the alignment mark. Therefore, the inclination of the waveguide mount can be detected by detecting and detecting the return light intensity at the two alignment marks. Further, the absolute distance from the slider upper surface to the alignment mark may be determined by utilizing the fact that the strength changes depending on the distance from the slider upper surface to the alignment mark.

戻り光を検知する場合、異なる波長を持つ複数の光をアライメントマークに入れても良い。それぞれの波長の戻り光を分離して検出することにより、スライダ上面からアライメントマークまでの絶対的な距離を知ることが出来る。   When detecting the return light, a plurality of lights having different wavelengths may be put in the alignment mark. By separating and detecting the return light of each wavelength, the absolute distance from the slider upper surface to the alignment mark can be known.

アライメント用導波路の本数は3本以上にしても良い。例えば4本配置すると、スライダに対するマウントの傾きを2方向に対し検出することが出来る。   The number of alignment waveguides may be three or more. For example, if four are arranged, the tilt of the mount relative to the slider can be detected in two directions.

透過光強度や反射光強度を測定しながらアライメントを行う場合、アライメント用の光は、記録に用いる光の波長より短い波長を有する光を用いても良い。このように短波長の光を用いる場合、アライメント用導波路の出射端における光スポット径を小さくすることが出来るので、位置に対する分解能が向上する。また、アライメント用導波路の出射面に微小開口や散乱体を形成することで、出射光のスポット径を小さくしても良い。   When alignment is performed while measuring transmitted light intensity or reflected light intensity, the alignment light may be light having a wavelength shorter than the wavelength of light used for recording. When light having a short wavelength is used in this way, the light spot diameter at the exit end of the alignment waveguide can be reduced, so that the resolution with respect to the position is improved. Further, the spot diameter of the emitted light may be reduced by forming a minute aperture or a scatterer on the exit surface of the alignment waveguide.

光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せたマウント側にアライメントマークを形成することに替えて、マウント側にアライメント用導波路を形成し、マウント側のアライメント用導波路に結合した光を検出することで、アライメントを行っても良い。また、マウント上のアライメント用導波路に光を導入し、逆にスライダ中のアライメント用導波路に結合する光の強度を検出することで、アライメントを行っても良い。   Instead of forming an alignment mark on the mount side on which the waveguide for transmitting light from the light source or the semiconductor laser is mounted, an alignment waveguide is formed on the mount side and coupled to the alignment waveguide on the mount side The alignment may be performed by detecting the light that has been detected. Alternatively, the alignment may be performed by introducing light into the alignment waveguide on the mount and detecting the intensity of the light coupled to the alignment waveguide in the slider.

本発明によれば、光源からスライダに光を伝送するための導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路との位置合わせを、高精度に実現することができる。また、光源からスライダに光を伝送するための導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路との位置合わせを、記録用レーザを点灯することなく行うことができるので、熱アシスト磁気ヘッドの組み立てを低コストで実現することができる。   According to the present invention, alignment between a waveguide for transmitting light from a light source to a slider or a semiconductor laser placed on the slider and the waveguide in the slider can be realized with high accuracy. In addition, the alignment of the waveguide for transmitting light from the light source to the slider or the semiconductor laser placed on the slider and the waveguide in the slider can be performed without turning on the recording laser. Assembling of the magnetic head can be realized at low cost.

実施例1による熱アシスト磁気ヘッドの断面図である。2 is a cross-sectional view of a thermally assisted magnetic head according to Embodiment 1. FIG. 実施例1による熱アシスト磁気ヘッドの一部を示す図で、(a)はスライダの上面から流出端を見た図、(b)はスライダの流出端側から見た図である。2A and 2B are diagrams illustrating a part of a thermally-assisted magnetic head according to a first embodiment, in which FIG. 3A is a view of the outflow end from the upper surface of the slider, and FIG. 実施例1による熱アシスト磁気ヘッドの近接場光発生素子及び主磁極の部分斜視図である。FIG. 3 is a partial perspective view of a near-field light generating element and a main pole of the thermally-assisted magnetic head according to Example 1. アライメント用導波路に光を入射する方法を示す図で、(a)は光ファイバを利用する場合、(b)はマイクロレンズを利用する場合を示す図である。It is a figure which shows the method which injects light into the waveguide for alignment, (a) is a figure which shows the case where an optical fiber is utilized, (b) shows the case where a microlens is utilized. 幅が変化したアライメント用導波路を示す図である。It is a figure which shows the waveguide for alignment from which the width | variety changed. 導波路幅とモードフィールド径の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a waveguide width and a mode field diameter. アライメント用導波路の入射端部のクラッドの屈折率を変えた場合を示す図である。It is a figure which shows the case where the refractive index of the clad of the incident end part of the waveguide for alignment is changed. 実施例1による熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a method for assembling the thermally-assisted magnetic head according to the first embodiment. 導波路マウント上に形成されたアライメントマークを示す図で、(a)は側面図、(b)は浮上面側から見た図である。It is a figure which shows the alignment mark formed on the waveguide mount, (a) is a side view, (b) is the figure seen from the air bearing surface side. スライダの位置が回転した場合を示す図で、(a)はスライダを浮上面と反対側から見た図、(b)はアライメント用導波路と記録用導波路の距離と中心線からのずれ量の関係を示す図である。FIG. 6A is a diagram showing a case where the position of the slider is rotated. FIG. 5A is a diagram of the slider viewed from the side opposite to the air bearing surface. FIG. It is a figure which shows the relationship. アライメント用導波路と記録用導波路が同一線上に存在しない場合を示す図である。It is a figure which shows the case where the waveguide for alignment and the waveguide for recording do not exist on the same line. 入射光の強度分布をガウシアン分布でなくした場合を示す図で、(a)は強度分布を示す図、(b)は光の導入方法を示す図である。It is a figure which shows the case where intensity distribution of incident light is not Gaussian distribution, (a) is a figure which shows intensity distribution, (b) is a figure which shows the introduction method of light. アライメント用導波路の入射端側の中心軸と出射端側の中心軸がずれた場合を示す図で、(a)はミラーを2箇所設けた場合、(b)は導波路を曲線状に曲げた場合を示す。FIG. 5 is a diagram showing a case where the central axis on the incident end side and the central axis on the output end side of the alignment waveguide are deviated from each other. FIG. Indicates the case. 光をスライダ側面から導入する場合の図で、(a)はミラーを設けた場合、(b)は導波路を曲線状に曲げた場合を示す。In the case where light is introduced from the side surface of the slider, (a) shows a case where a mirror is provided, and (b) shows a case where the waveguide is bent in a curved shape. 透過光強度を検出しながら位置合わせを行う方法を示す図である。It is a figure which shows the method of aligning while detecting the transmitted light intensity. 透過光強度を検出しながら位置合わせを行う場合のアライメントマークの形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the alignment mark in the case of aligning while detecting the transmitted light intensity. 反射光強度を検出しながら位置合わせを行う方法を示す図である。It is a figure which shows the method of aligning while detecting reflected light intensity. アライメントマークとして溝を利用した場合を示す図である。It is a figure which shows the case where a groove | channel is utilized as an alignment mark. 導波路マウントが傾いた場合を示す図である。It is a figure which shows the case where a waveguide mount inclines. 溝の形状を示す図で、(a)は半球状の溝、(b)は四角錘の形状をした溝を示す。It is a figure which shows the shape of a groove | channel, (a) shows a hemispherical groove | channel, (b) shows the groove | channel which carried out the shape of the square weight. アライメント用導波路を4本形成した場合を示す図である。It is a figure which shows the case where four alignment waveguides are formed. アライメント用導波路の出射端に微小開口を形成した場合を示す図である。It is a figure which shows the case where minute opening is formed in the output end of the waveguide for alignment. 光源からスライダへ光を伝送するための導波路の横に、アライメント用導波路を形成した場合を示す図で、(a)は側面図、(b)は浮上面側から見た図である。It is a figure which shows the case where the waveguide for alignment is formed beside the waveguide for transmitting light from a light source to a slider, (a) is a side view, (b) is the figure seen from the air bearing surface side. 光源からスライダへ光を伝送するための導波路の横に、アライメント用導波路を形成した場合でアライメント用導波路が光源近くまで延びた場合を示す図である。It is a figure which shows the case where the alignment waveguide is extended near the light source when the alignment waveguide is formed beside the waveguide for transmitting light from the light source to the slider. 実施例2による熱アシスト磁気ヘッドの断面図である。6 is a cross-sectional view of a heat-assisted magnetic head according to Embodiment 2. FIG. 実施例2による熱アシスト磁気ヘッドをスライダの流出端側から見た図である。FIG. 6 is a diagram of a heat-assisted magnetic head according to Example 2 as viewed from the outflow end side of a slider. 実施例2による熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a method for assembling a thermally-assisted magnetic head according to a second embodiment. 実施例3による熱アシスト磁気ヘッドを示す図で、(a)は側面図、(b)は媒体対向面側から見た斜視図である。FIG. 7A is a side view of a heat-assisted magnetic head according to a third embodiment, and FIG. 実施例3による熱アシスト磁気ヘッドの変形例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a modification of the thermally-assisted magnetic head according to the third embodiment. 熱アシスト磁気ヘッドを搭載した記録再生装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the recording / reproducing apparatus carrying a heat-assisted magnetic head.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1、図2及び図3に、実施例1による熱アシスト磁気ヘッド100の構成を示す。図1はサスペンションのフレクシャー40に取り付けた熱アシスト磁気ヘッド100を記録トラック方向に切断した断面図で、垂直磁気記録媒体14も合わせて示す図である。図2(a)はスライダの上面(浮上面の反対側)の流出端側を示す図で、図2(b)は図2(a)のA−A線断面図である。図3は主磁極2及び近接場光発生素子1近傍の斜視図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1, 2 and 3 show the configuration of the thermally-assisted magnetic head 100 according to the first embodiment. FIG. 1 is a cross-sectional view of a heat-assisted magnetic head 100 attached to a suspension flexure 40 cut in the recording track direction, and also shows a perpendicular magnetic recording medium 14. FIG. 2A is a view showing the outflow end side of the upper surface of the slider (opposite the air bearing surface), and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 3 is a perspective view of the vicinity of the main magnetic pole 2 and the near-field light generating element 1.

光源としては波長780nmの半導体レーザを用い、それをサスペンション13の根元付近に設置した(図30の符号41参照)。光源からスライダ5まで光を伝送させるために、ポリマー導波路10(図ではコア部を示す)を用いた。ポリマー導波路10は導波路用マウント(支持部材)24に形成された溝に配置した。ポリマー導波路10のコアの幅W10は8μm,コアの周辺部(クラッド)11の厚さは30μm,導波路下面から導波路コアの中心までの距離W15は10μmとした。導波路用マウント24はスライダ5の上面に配置し、ポリマー導波路10から出射する光は、スライダ5の上面に垂直な方向に出射するように、ポリマー導波路10の端面には45度ミラー12を形成した。本実施例では、光源からスライダ5まで光を伝送させるための導波路として、ポリマー導波路10を用いたが、光ファイバやプラスチックファイバなど他の導波路を用いても良い。A semiconductor laser having a wavelength of 780 nm was used as the light source, and was installed near the base of the suspension 13 (see reference numeral 41 in FIG. 30). In order to transmit light from the light source to the slider 5, the polymer waveguide 10 (in the figure, the core portion is shown) was used. The polymer waveguide 10 was disposed in a groove formed in the waveguide mount (support member) 24. Core width W 10 of the polymer waveguide 10 is 8 [mu] m, the distance W 15 of the thickness of the peripheral portion of the core (cladding) 11 30 [mu] m, from the waveguide bottom surface to the center of the waveguide core is set to 10 [mu] m. The waveguide mount 24 is disposed on the upper surface of the slider 5, and the 45 ° mirror 12 is disposed on the end surface of the polymer waveguide 10 so that light emitted from the polymer waveguide 10 is emitted in a direction perpendicular to the upper surface of the slider 5. Formed. In the present embodiment, the polymer waveguide 10 is used as a waveguide for transmitting light from the light source to the slider 5, but other waveguides such as an optical fiber and a plastic fiber may be used.

浮上スライダ5中には、光を媒体対向面17の反対側から媒体対向面17まで導くための記録用導波路3(図ではコア部を示す)を形成した。スライダ中の記録用導波路3のコアの材質はTa25とし、クラッド部15の材質はAl23とした。記録トラックの方向と垂直な方向のコア幅W1は600nm,記録トラックの方向と平行な方向のコア幅W2は300nmとした(図3参照)。導波路3の材質は、コアの屈折率がクラッドの屈折率よりも大きければ良く、例えば、クラッドの材質をAl23にし、コアの材質をTiO2にしても良い。またクラッドの材質をSiO2にし、コアの材質をTa25,TiO2,SiOxy,GeドープSiO2にしても良い。In the flying slider 5, a recording waveguide 3 (a core portion is shown in the figure) for guiding light from the opposite side of the medium facing surface 17 to the medium facing surface 17 was formed. The material of the core of the recording waveguide 3 in the slider was Ta 2 O 5, and the material of the cladding 15 was Al 2 O 3 . The core width W 1 in the direction perpendicular to the recording track direction was 600 nm, and the core width W 2 in the direction parallel to the recording track direction was 300 nm (see FIG. 3). The waveguide 3 may be made of a material having a refractive index of the core larger than that of the clad. For example, the clad material may be Al 2 O 3 and the core material may be TiO 2 . The clad material may be SiO 2 and the core material may be Ta 2 O 5 , TiO 2 , SiO x N y , or Ge-doped SiO 2 .

導波路3下部(出射端)には、径が数10nmの光スポットを発生させるために光照射部として近接場光発生素子1を形成した。近接場光発生素子1としては、高効率に近接場光を発生させるために、図3に示すように、三角形の形状をした導電性の散乱体を用いた。散乱体の材質は金とし、散乱体の長さSyは100nm、高さShは150nmとした。y方向に偏光した光を散乱体に入射させると、散乱体中にプラズモン共鳴が発生し、散乱体頂点56に強い近接場光が発生する。   The near-field light generating element 1 was formed as a light irradiating portion in order to generate a light spot having a diameter of several tens of nanometers at the lower part (outgoing end) of the waveguide 3. As the near-field light generating element 1, in order to generate near-field light with high efficiency, a conductive scatterer having a triangular shape is used as shown in FIG. The material of the scatterer was gold, the length Sy of the scatterer was 100 nm, and the height Sh was 150 nm. When light polarized in the y direction is incident on the scatterer, plasmon resonance occurs in the scatterer, and strong near-field light is generated at the scatterer vertex 56.

磁界は、主磁極2と磁極8とコイル7からなる書込ヘッドを有する磁気ヘッド部6のコイル7を用いて発生させ、その磁界を主磁極2によって近接場光発生素子1近傍に導いた。磁極8が、導波路3のコア近傍に存在すると、磁極8の存在により、導波路中を伝播する光の強度が減衰してしまう(クラッド部に染み出たエバネッセント光が磁極にぶつかり、光が磁極により吸収もしく散乱されてしまう)。そこで、磁極8と導波路3の距離は、なるべく大きくなるようにし、近接場光発生素子近くで主磁極2との距離が短くなるようにした。近接場光が発生する頂点56と主磁極2の距離は10〜30nmとなるようにした。近接場光発生素子1を導波路3の中心に配置する場合、近接場光発生素子近くで主磁極2は導波路コア3の中に入り込むことになるが、そのときの主磁極2により吸収もしく散乱(反射)される光をなるべく小さくするためには、導波路コア3に入り込む部分の主磁極2の長さW16はなるべく短くすると良い。ただし主磁極2の長さW16を短くすると磁界強度が低下してしまうので、短すぎても良くない。本実施例ではW16は200nmとした。主磁極先端部における磁極の幅は、y方向の幅W17を200nm、x方向の幅W18を100nmとした。The magnetic field was generated using the coil 7 of the magnetic head unit 6 having a write head composed of the main magnetic pole 2, the magnetic pole 8 and the coil 7, and the magnetic field was guided to the vicinity of the near-field light generating element 1 by the main magnetic pole 2. If the magnetic pole 8 exists in the vicinity of the core of the waveguide 3, the presence of the magnetic pole 8 attenuates the intensity of light propagating through the waveguide (evanescent light that has oozed into the clad portion hits the magnetic pole, and light is emitted. It is absorbed or scattered by the magnetic pole). Therefore, the distance between the magnetic pole 8 and the waveguide 3 is made as large as possible, and the distance from the main magnetic pole 2 is shortened near the near-field light generating element. The distance between the vertex 56 where the near-field light is generated and the main magnetic pole 2 was set to 10 to 30 nm. When the near-field light generating element 1 is arranged at the center of the waveguide 3, the main magnetic pole 2 enters the waveguide core 3 near the near-field light generating element. However, the main magnetic pole 2 at that time also absorbs the main magnetic pole 2. In order to make the scattered (reflected) light as small as possible, the length W 16 of the main magnetic pole 2 entering the waveguide core 3 is preferably as short as possible. However, if the length W 16 of the main magnetic pole 2 is shortened, the magnetic field strength is lowered, so that it is not necessary to be too short. In this embodiment, W 16 is 200 nm. The width of the magnetic pole at the front end of the main magnetic pole was 200 nm for the width W 17 in the y direction and 100 nm for the width W 18 in the x direction.

書込ヘッドの脇には、図1に示すように、磁気再生素子4を含む再生ヘッドを形成した。本実施例では、磁気再生素子4としてGiant Magneto Resistive(GMR)素子又はTunneling Magneto Resistive(TMR)素子を利用した。磁気再生素子4の周辺には、磁界の漏れを防ぐための磁気シールド9を形成した。なお、上記実施例では、主磁極2が導波路3の中に入り込むように形成したが、中に入り込んだ主磁極2により光強度が低下しないように、主磁極2をコア外側に配置しても良い。例えば、コアの側面に接するように主磁極2を配置しても良い。このとき、近接場光発生素子1の位置は導波路3の中心にある必要はなく、主磁極側に寄せて配置しても良い。記録ディスク14としては、垂直記録媒体を用いた。媒体に光を照射しながら磁界を印加することで、記録層14′に記録マークを書き込んだ。   A reproducing head including a magnetic reproducing element 4 was formed on the side of the write head as shown in FIG. In this embodiment, a Giant Magneto Resistive (GMR) element or a Tunneling Magneto Resistive (TMR) element is used as the magnetic reproducing element 4. A magnetic shield 9 is formed around the magnetic reproducing element 4 to prevent magnetic field leakage. In the above embodiment, the main magnetic pole 2 is formed so as to enter the waveguide 3. However, the main magnetic pole 2 is disposed outside the core so that the light intensity is not reduced by the main magnetic pole 2 entering the waveguide 3. Also good. For example, the main magnetic pole 2 may be disposed so as to contact the side surface of the core. At this time, the position of the near-field light generating element 1 does not need to be at the center of the waveguide 3 and may be arranged close to the main magnetic pole side. As the recording disk 14, a perpendicular recording medium was used. Recording marks were written on the recording layer 14 'by applying a magnetic field while irradiating the medium with light.

上記光源とスライダ間の導波路10から出射する光が、スライダ中の導波路3に効率良く結合するためには、お互いの位置を正確に合わせる必要がある。このとき、導波路3の中心位置を知る必要がある。この導波路3の中心位置を知る手段として、図2に示すように、スライダ中の導波路3の横に、アライメント用導波路16を2本形成した。導波路3から導波路16までの距離W5およびW’5は、W5=W’5=200μmとなるようにした。導波路3の中心とアライメント用の導波路16の中心は、一直線上に配置されるように作製した。アライメントを行う際は、このアライメント用導波路16のスライダ上面側の出射端18の反対側の端から、記録に用いる光とは別の光19を入射させる。このとき、アライメント用導波路16のスライダ上面側の出射端18から光が出射し、明るく光る。この光った点を目印に、導波路3の位置を知ることが出来る。すなわち、2つの発光点の中点が、導波路3の中心位置になる。このように、アライメント用マークとして導波路16を用いると、次の利点がある。
(1)アライメントマークが発光するため、アライメントマークの位置が分かりやすい。特に、スライダ上面の画像を取得し、画像解析によりアライメントマーク位置を決める場合、非常にコントラストの高い画像を得ることが出来るので、アライメントマークの位置を正確に決めることが出来る。
(2)アライメントマーク自身が発光するため、アライメントマークの寸法が小さくてもアライメントマークの位置を決めることが出来る。通常のアライメントマークの場合、画像観察において、アライメントマークを明確に観察するためには、アライメントマークの大きさを数μm以上にする必要がある。このように大きなマークをハードディスクドライブのスライダ上面に形成するためには、厚い膜を形成する必要があるが、そのような厚い膜を形成することはコスト増大につながる。これに対して、本実施例のようにアライメントマークが発光する場合、膜厚は薄くてもよく、1μm以下にすることも可能である。
(3)記録用導波路3のコアと同じ材料でアライメン用導波路16を作製することができる。すなわち、導波路3とアライメント用導波路16を作製するための成膜は、分けて行う必要はなく、同時に行うことができる。その結果、作製時間の短縮および、材料費削減が可能になる。
(4)アライメント用導波路16を加工するためのリソグラフィにおいて、記録用導波路3のコア部とアライメント用導波路16のコア部を同時に露光することが出来る。すなわち、記録用導波路3のコア部とアライメント用導波路16のコア部を同一のマスクで露光することが出来る。その結果、作製時に生じる、導波路3とアライメント用導波路16のずれ量を小さくすることが出来、最終的なアライメント精度を高めることが出来る。
In order for the light emitted from the waveguide 10 between the light source and the slider to be efficiently coupled to the waveguide 3 in the slider, it is necessary to align the positions of each other accurately. At this time, it is necessary to know the center position of the waveguide 3. As means for knowing the center position of the waveguide 3, as shown in FIG. 2, two alignment waveguides 16 are formed beside the waveguide 3 in the slider. The distances W 5 and W ′ 5 from the waveguide 3 to the waveguide 16 were set such that W 5 = W ′ 5 = 200 μm. The center of the waveguide 3 and the center of the alignment waveguide 16 were produced so as to be arranged on a straight line. When performing alignment, light 19 different from the light used for recording is incident from the end opposite to the emission end 18 on the slider upper surface side of the alignment waveguide 16. At this time, light is emitted from the emission end 18 on the slider upper surface side of the alignment waveguide 16 and shines brightly. The position of the waveguide 3 can be known by using the illuminated point as a mark. That is, the midpoint between the two light emitting points is the center position of the waveguide 3. Thus, the use of the waveguide 16 as an alignment mark has the following advantages.
(1) Since the alignment mark emits light, the position of the alignment mark is easy to understand. In particular, when an image on the upper surface of the slider is acquired and the alignment mark position is determined by image analysis, an image with very high contrast can be obtained, so that the position of the alignment mark can be determined accurately.
(2) Since the alignment mark itself emits light, the position of the alignment mark can be determined even if the size of the alignment mark is small. In the case of a normal alignment mark, the size of the alignment mark needs to be several μm or more in order to clearly observe the alignment mark during image observation. In order to form such a large mark on the upper surface of the slider of the hard disk drive, it is necessary to form a thick film. However, forming such a thick film leads to an increase in cost. On the other hand, when the alignment mark emits light as in this embodiment, the film thickness may be thin, and it may be 1 μm or less.
(3) The alignment waveguide 16 can be made of the same material as the core of the recording waveguide 3. That is, the film formation for producing the waveguide 3 and the alignment waveguide 16 need not be performed separately, but can be performed simultaneously. As a result, the production time can be shortened and the material cost can be reduced.
(4) In lithography for processing the alignment waveguide 16, the core portion of the recording waveguide 3 and the core portion of the alignment waveguide 16 can be exposed simultaneously. That is, the core portion of the recording waveguide 3 and the core portion of the alignment waveguide 16 can be exposed with the same mask. As a result, it is possible to reduce the amount of deviation between the waveguide 3 and the alignment waveguide 16 that occurs at the time of fabrication, and to increase the final alignment accuracy.

本実施例では、アライメント用導波路16のコアの材質はTa25とし、クラッドの材質はAl23とした。記録トラックの方向と垂直な方向のコア幅W3は600nm,記録トラックの方向と平行な方向のコア幅W4は300nmとした。アライメント用導波路16の材質は、コアの屈折率がクラッドの屈折率よりも大きければ良く、例えば、クラッドの材質をAl23にし、コアの材質をTiO2にしても良い。またクラッドの材質をSiO2にし、コアの材質をTa25,TiO2,SiOxy,GeドープSiO2にしても良い。In this embodiment, the core material of the alignment waveguide 16 is Ta 2 O 5 and the clad material is Al 2 O 3 . The core width W 3 in the direction perpendicular to the direction of the recording track was 600 nm, and the core width W 4 in the direction parallel to the direction of the recording track was 300 nm. The alignment waveguide 16 may be made of any material as long as the refractive index of the core is larger than the refractive index of the clad. For example, the clad material may be Al 2 O 3 and the core material may be TiO 2 . The clad material may be SiO 2 and the core material may be Ta 2 O 5 , TiO 2 , SiO x N y , or Ge-doped SiO 2 .

図4は、アライメント用導波路16に光を導入するための方法を示す。図4(a)に示す例では、アライメント用導波路16に入れる光19は、光ファイバ21を用いて導入した。光源としては、波長670nmの半導体レーザを用いた。光ファイバ21は台座20の中に埋め込まれるように配置し、その台座20の上にスライダ5を置くことで、光をアライメント用導波路16に導入した。スライダ5と台座20の位置合わせは、台座上に設けた基準点にスライダ側の基準点(スライダの角など)を合わせることにより行った。このとき、アライメント用導波路16と光ファイバー21の位置がずれる可能性がある。光ファイバ21の位置がずれても、アライメント用導波路16に光が導入されるようにするには、スライダ5を台座20に置いたとき、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離(ずれ量)の最大値が±dmaxであるとき、光ファイバ21の出射位置おける光スポット径Di(中心強度の1/e2となる位置での直径)が、2dmax以上になるようにすれば良い。この例では、ずれ量の最大値は±7μmであったので、光ファイバ21のスポット径Diは16μmとなるようにした。図4(b)の例では、光19をアライメント用導波路16に導入するために、マイクロレンズ22を用いた。スライダ5を載せるための台座20は光透過性を有するもので作製し、その中にマイクロレンズ22を入れた。マイクロレンズ22の焦点にアライメント用導波路16の中心が位置するように、マイクロレンズ22の位置を調整した。このとき、マイクロレンズ22の焦点とアライメント用導波路16の中心がずれてもアライメント用導波路16に光が入るようにするためには、スライダ5を台座20に置いたとき、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離(ずれ量)の最大値が±dmaxであるとき、焦点における光スポット径Diが、2dmax以上になるようにすれば良い。この例では、ずれ量の最大値は±7μmであったので、焦点におけるスポット径は16μmとなるようにした。なお、マイクロレンズ22としては、球面レンズを用いても良いが、円筒状の分布屈折率レンズを用いても良い。FIG. 4 shows a method for introducing light into the alignment waveguide 16. In the example shown in FIG. 4A, the light 19 that enters the alignment waveguide 16 is introduced using the optical fiber 21. As a light source, a semiconductor laser having a wavelength of 670 nm was used. The optical fiber 21 is disposed so as to be embedded in the pedestal 20, and the light is introduced into the alignment waveguide 16 by placing the slider 5 on the pedestal 20. The alignment of the slider 5 and the pedestal 20 was performed by aligning a reference point (slider corner, etc.) on the slider side with a reference point provided on the pedestal. At this time, the alignment waveguide 16 and the optical fiber 21 may be misaligned. In order to introduce light into the alignment waveguide 16 even when the position of the optical fiber 21 is shifted, when the slider 5 is placed on the pedestal 20, the distance between the reference point on the pedestal and the reference point on the slider side When the maximum value of (deviation amount) is ± d max , the light spot diameter Di (the diameter at the position where the central intensity is 1 / e 2 ) at the emission position of the optical fiber 21 is 2d max or more. Just do it. In this example, since the maximum value of the deviation amount is ± 7 μm, the spot diameter Di of the optical fiber 21 is set to 16 μm. In the example of FIG. 4B, the micro lens 22 is used to introduce the light 19 into the alignment waveguide 16. A pedestal 20 on which the slider 5 is placed is made of a material having optical transparency, and a microlens 22 is placed therein. The position of the microlens 22 was adjusted so that the center of the alignment waveguide 16 was positioned at the focal point of the microlens 22. At this time, in order to allow light to enter the alignment waveguide 16 even if the focal point of the microlens 22 is shifted from the center of the alignment waveguide 16, when the slider 5 is placed on the pedestal 20, a reference on the pedestal is used. When the maximum value of the distance (shift amount) between the point and the reference point on the slider side is ± d max , the light spot diameter Di at the focal point may be set to 2 d max or more. In this example, the maximum deviation amount is ± 7 μm, so the spot diameter at the focal point is set to 16 μm. As the microlens 22, a spherical lens may be used, but a cylindrical distributed refractive index lens may be used.

アライメント用導波路16に結合する光の量をなるべく大きくするためには、アライメント用導波路16の入射端側のモードフィールド径(導波路中の光スポット径)がなるべく大きくなるようにするのが良い。そのために、本実施例では、図2(b)に示すように、入射端側の導波路幅W7が出射端側の導波路幅W3よりも大きくなるようにすることで、入射端側のモードフィールド径を大きくした。入射端側の導波路幅W7は2μmとした。また、図5に示すように、入射端側の導波路の幅を逆に小さくすることにより、入射端側のモードフィールド径を大きくしても良い。すなわち、一般にモードフィールド径は、導波路の幅を小さくする程小さくなるが、図6に示すように、ある値(W)よりも小さくすると、モードフィールド径は逆に大きくなる。したがって、入射端側の導波路幅W7をWよりも小さくすることにより、入射端側のアライメント用導波路16のモードフィールド径を大きくすることが出来る。本実施例では、入射端側の導波路幅W7を150nmとした。In order to increase the amount of light coupled to the alignment waveguide 16 as much as possible, the mode field diameter (light spot diameter in the waveguide) on the incident end side of the alignment waveguide 16 should be as large as possible. good. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 2B, the waveguide width W 7 on the incident end side is made larger than the waveguide width W 3 on the output end side, so that the incident end side Increased the mode field diameter. The waveguide width W 7 on the incident end side is 2 μm. In addition, as shown in FIG. 5, the mode field diameter on the incident end side may be increased by conversely reducing the width of the waveguide on the incident end side. That is, in general mode field diameter becomes smaller the smaller the width of the waveguide, as shown in FIG. 6, when less than a certain value (W 0), mode field diameter increases conversely. Accordingly, the mode field diameter of the alignment waveguide 16 on the incident end side can be increased by making the waveguide width W 7 on the incident end side smaller than W 0 . In this embodiment, the waveguide width W 7 on the incident end side is set to 150 nm.

アライメント用導波路16の入射端側のモードフィールド径をさらに広げるために、IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 11, No. 1, 2005, p232中の図2に記載されているようなスポット径変換器をアライメント用導波路16の入射端側に形成しても良い。本実施例では、アライメント用導波路16のコアの材料をTa25(屈折率=2.18)とし、クラッド15の材料をAl23(屈折率=1.63)とした。図7に示すように、導波路入口付近においてコアの幅が小さくなるようにし、Ta25のコア周辺に、アライメント用導波路16のコアの屈折率と、クラッド15の屈折率の中間の屈折率を有する材料で出来た層25を形成した。中間屈折率層25の材料はSiOxyとし、SiOxyのOとNの比率は、SiOxyの屈折率がAl23の屈折率よりも0.05大きくなるように調整した。アライメント用波路16のコアの幅は、幅W3を600nm、W4を300nm、入射端側の幅W7を150nmとした。中間屈折率層25の幅W12は10μm、幅W13は5μm、長さW14は200μmとした。In order to further increase the mode field diameter on the incident end side of the alignment waveguide 16, as described in FIG. 2 in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 11, No. 1, 2005, p232 A spot diameter converter may be formed on the incident end side of the alignment waveguide 16. In this embodiment, the core material of the alignment waveguide 16 is Ta 2 O 5 (refractive index = 2.18), and the cladding 15 is Al 2 O 3 (refractive index = 1.63). As shown in FIG. 7, the width of the core is made small near the entrance of the waveguide, and around the core of Ta 2 O 5 , there is an intermediate between the refractive index of the core of the alignment waveguide 16 and the refractive index of the cladding 15. A layer 25 made of a material having a refractive index was formed. The material of the intermediate refractive index layer 25 is SiO x N y, and the ratio of SiO x N y to O and N is such that the refractive index of SiO x N y is 0.05 larger than the refractive index of Al 2 O 3. It was adjusted. The width of the core of the alignment guide 16 has a width W 3 600 nm, the W 4 300 nm, the width W 7 of the entrance end side and 150 nm. The width W 12 of the intermediate refractive index layer 25 is 10 μm, the width W 13 is 5 μm, and the length W 14 is 200 μm.

上記実施例では、光源としては波長670nmの半導体レーザを用いたが、別の波長のレーザ光を用いても良く、例えば、波長633nmのHe−Neレーザや、波長488nmのArレーザ、波長445nm、785nm、890nm、1.3μm、1.5μmの半導体レーザなどを用いても良い。   In the above embodiment, a semiconductor laser with a wavelength of 670 nm was used as the light source, but laser light with a different wavelength may be used, for example, a He-Ne laser with a wavelength of 633 nm, an Ar laser with a wavelength of 488 nm, a wavelength of 445 nm, A semiconductor laser having a wavelength of 785 nm, 890 nm, 1.3 μm, or 1.5 μm may be used.

上記アライメント用導波路16から出射する光のスポット径は、小さいほうが精度の高いアライメントが出来る(観察したときの点の大きさが小さくなるので、位置を精度良く決めることが出来る)。そのために、図5に示すように、出射端18の幅Wを狭めることにより、光スポット径を小さくしても良い。ただし、図6に示すように、幅を小さくしすぎると、逆にスポット径が大きくなってしまう。したがって、幅Wはモードフィールド径が最小となる幅Wより大きくする必要がある。本実施例では、幅Wは0.3μmとした。The smaller the spot diameter of the light emitted from the alignment waveguide 16, the higher the accuracy of alignment (the smaller the size of the spot when observed, the more accurately the position can be determined). Therefore, as shown in FIG. 5, the light spot diameter may be reduced by narrowing the width W 8 of the emission end 18. However, as shown in FIG. 6, if the width is made too small, the spot diameter becomes conversely large. Accordingly, the width W 8 needs to be larger than the width W 0 at which the mode field diameter is minimized. In this embodiment, the width W 8 was 0.3 [mu] m.

図8にアライメント手順を示す。スライダ5を台座20上に配置し、アライメント用導波路16に光を入射させた。アライメント用導波路16の出射端18から出る光を、観察用光学系29(像を拡大するためのレンズとCCDカメラを組み合わせもの)で観察し、測定された2点の位置から記録用導波路3の位置を求めた。一方、スライダ上に載せるポリマー導波路10は、図9に示すように、ポリマー導波路用マウント(支持部材)24上に配置した。ポリマー導波路10の出射端に形成したミラー12から出射する光のスポット位置が分かるように、出射端の両側にアライメントマーク23を形成した。本実施例では、マウント24の材質はSiOとし、そのマウント上に導波路10を配置するための溝を形成し、その中に導波路10を配置した。マウント24の材質は、Siや、プラスチック、金属であっても良い。光出射位置の両側に配置するアライメントマーク23としては、1辺の長さが3μmの正方形の形状をした金属のマークをSiO表面に埋め込むように作製した。金属の材質は、クロムとした。材質は、周りの材質(SiO)と異なれば何でも良く、金、銀、銅、アルミ、チタン等であっても良い。また、別の材質のマークを埋め込む代わりに、溝を形成しても良い。2つのアライメントマーク23と導波路10の距離W6、W’6はW6=W’6=200μmとした。以上のようなアライメントマークを、図8に示すように、観察光学系29を使い観察し、ポリマー導波路10の端部の位置(光が出射する位置)を決めた。導波路マウント24はホルダ28に真空吸着などにより固定し、ホルダ28の位置はピエゾステージにより動かせるようにした。導波路3の端部の位置とポリマー導波路10の端部の位置を決めた後、ピエゾステージを用いて、ホルダ28を動かし、導波路3の端部とポリマー導波路10の端部が重なるようにした。その後、紫外線硬化接着剤を利用して、ポリマー導波路用マウント24とスライダ5を固定した。上記方法では、導波路10側を動かしたが、スライダ5の方を動かしても良い。FIG. 8 shows the alignment procedure. The slider 5 was placed on the pedestal 20 and light was incident on the alignment waveguide 16. The light exiting from the exit end 18 of the alignment waveguide 16 is observed by an observation optical system 29 (a combination of a lens for enlarging an image and a CCD camera), and the recording waveguide is measured from two measured positions. The position of 3 was determined. On the other hand, the polymer waveguide 10 placed on the slider was disposed on a polymer waveguide mount (support member) 24 as shown in FIG. Alignment marks 23 were formed on both sides of the emission end so that the spot position of the light emitted from the mirror 12 formed at the emission end of the polymer waveguide 10 can be seen. In this embodiment, the mount 24 is made of SiO 2 , a groove for arranging the waveguide 10 is formed on the mount, and the waveguide 10 is arranged therein. The material of the mount 24 may be Si, plastic, or metal. As the alignment marks 23 arranged on both sides of the light emitting position, a metal mark having a square shape with a side length of 3 μm was prepared so as to be embedded in the SiO 2 surface. The metal material was chromium. The material may be anything as long as it is different from the surrounding material (SiO 2 ), and may be gold, silver, copper, aluminum, titanium, or the like. Further, a groove may be formed instead of embedding a mark of another material. The distances W 6 and W ′ 6 between the two alignment marks 23 and the waveguide 10 were W 6 = W ′ 6 = 200 μm. The alignment marks as described above were observed using an observation optical system 29, as shown in FIG. 8, and the position of the end of the polymer waveguide 10 (the position where light was emitted) was determined. The waveguide mount 24 is fixed to the holder 28 by vacuum suction or the like, and the position of the holder 28 can be moved by a piezo stage. After the position of the end of the waveguide 3 and the position of the end of the polymer waveguide 10 are determined, the holder 28 is moved using a piezo stage so that the end of the waveguide 3 and the end of the polymer waveguide 10 overlap. I did it. Thereafter, the polymer waveguide mount 24 and the slider 5 were fixed using an ultraviolet curing adhesive. In the above method, the waveguide 10 side is moved, but the slider 5 may be moved.

上記アライメントでは、ポリマー導波路10の端部の位置(光が出射する位置)を、ポリマー導波路10の脇に形成したアライメントマークを観察することにより決めたが、導波路10に光を入射させ、導波路10の端部から出射する光を観察することで、ポリマー導波路10の端部の位置(光が出射する位置)を決めても良い。導波路マウント24上に形成したアライメントマーク23を用いる場合、アライメントマーク23とポリマー導波路10の端部の位置(光が出射する位置)がずれる可能性があり、ずれた場合、ポリマー導波路10の端部の位置を正確に決めることが困難になる。これに対し、ポリマー導波路10に実際に光を入れて、光が出射する場所を観察すれば、光が出射する位置を直接知ることが出来る。したがって、導波路マウント24上に形成したアライメントマーク23と導波路10の端部の位置との位置ずれによる、位置合わせ精度低下がなくなる。ただし、アライメント時に記録用レーザを部品ごとに点灯する必要があり、アライメント作業に要する時間が増えるデメリットも有する。   In the above alignment, the position of the end of the polymer waveguide 10 (the position where the light is emitted) is determined by observing the alignment mark formed on the side of the polymer waveguide 10, but the light is incident on the waveguide 10. The position of the end of the polymer waveguide 10 (the position where the light is emitted) may be determined by observing the light emitted from the end of the waveguide 10. When the alignment mark 23 formed on the waveguide mount 24 is used, the position of the alignment mark 23 and the end of the polymer waveguide 10 (position where light is emitted) may be shifted. It becomes difficult to accurately determine the position of the end portion. On the other hand, if light is actually put into the polymer waveguide 10 and the place where the light is emitted is observed, the position where the light is emitted can be directly known. Therefore, the alignment accuracy is not lowered due to the displacement between the alignment mark 23 formed on the waveguide mount 24 and the position of the end of the waveguide 10. However, it is necessary to turn on the recording laser for each component at the time of alignment, which has a demerit that increases the time required for the alignment work.

上記スライダ中の導波路3の脇に形成するアライメント用導波路16と導波路3の距離W5は、短すぎると導波路3を伝わる記録用の光の強度が、アライメント用導波路16の影響により小さくなってしまう。すなわち、スライダ中の導波路3に入射する光が、効率よく導波路3に結合するためには、導波路3の入口側のモードフィールド径を大きくする必要がある(モードフィールド径が小さいと、入射光の位置がわずかにずれたとき、結合効率が大きく低下する)。そのために、図5に示すように、導波路3の入口側の幅W7を小さくしたり、図7に示すような、低屈折率層25を設ける等の方法により、入口側のモードフィールド径を広げる必要がある。このとき、導波路3に入射する光のスポット径もそれに合わせて大きくする必要がある。ここで、もし導波路3とアライメント用導波路16の距離が近すぎると、記録用の光がアライメント用導波路16にも入射してしまい、導波路3から出射する光の強度が低下してしまう。これを防ぐためには、アライメント用導波路16と導波路3の距離W5は、最低でも入射ビームの半径以上にする必要がある。例えば、入射ビームの半径が2μmであるとき、距離W5は、最低でも2μm以上にする必要がある。また、スライダ5の向きを、アライメント用導波路16を元に調整する場合は、アライメント用導波路16と導波路3の距離W5は、さらに大きくする必要がある。すなわち、2つのアライメント用導波路16の中点に導波路3が位置するとして合わせても、図10(a)のように、スライダ5が、スライダ上面に平行な面内において回転して置かれている可能性もある(図10(a)は、スライダ5の上面を見た図)。このように、スライダ5が回転した状態で接着されると、導波路3に導入される光の偏光方向が回転してしまう。近接場光発生素子は偏光依存性を有するため、偏光方向がずれると、強度の低下を招く。また、スライダ5が回転した状態で接着されると、スライダ5の浮上が不安定になる。このような偏光および浮上安定性への影響を考慮すると、回転量θは1度以下に抑える必要がある。回転量θは、図10(a)に示すように、変位量aを測定することで知ることが出来る。図10(b)は、θが1度であるときの、W5と変位量aの関係を示す。このように、アライメント用導波路16と導波路3の距離W5が大きいほど、変位量aは大きくなる。ここで、変位量aが観察光学系の分解能より小さいと、その変位量を測定することができない。今、10Xの対物レンズ(開口数=0.25)で、青色の光(波長0.45μm)を観察する場合、その分解能は450/0.25=1.8μmとなる。したがって、θ=1度の回転量を検出するためには、変位量aは1.8μm以上である必要があり、そのためには、アライメント用導波路16と導波路3の距離W5は、100μm以上にするのが好ましい。If the distance W 5 between the alignment waveguide 16 formed on the side of the waveguide 3 in the slider and the waveguide 3 is too short, the intensity of the recording light transmitted through the waveguide 3 is affected by the alignment waveguide 16. Will become smaller. That is, in order for light incident on the waveguide 3 in the slider to be efficiently coupled to the waveguide 3, it is necessary to increase the mode field diameter on the entrance side of the waveguide 3 (if the mode field diameter is small, When the position of the incident light is slightly shifted, the coupling efficiency is greatly reduced). Therefore, as shown in FIG. 5, the mode field diameter on the entrance side is reduced by reducing the width W 7 on the entrance side of the waveguide 3 or by providing a low refractive index layer 25 as shown in FIG. Need to spread. At this time, the spot diameter of the light incident on the waveguide 3 needs to be increased accordingly. Here, if the distance between the waveguide 3 and the alignment waveguide 16 is too short, the recording light enters the alignment waveguide 16 and the intensity of the light emitted from the waveguide 3 decreases. End up. In order to prevent this, the distance W 5 between the alignment waveguide 16 and the waveguide 3 must be at least the radius of the incident beam. For example, when the radius of the incident beam is 2 μm, the distance W 5 needs to be at least 2 μm. Further, when the orientation of the slider 5 is adjusted based on the alignment waveguide 16, the distance W 5 between the alignment waveguide 16 and the waveguide 3 needs to be further increased. That is, even if the waveguide 3 is positioned at the midpoint between the two alignment waveguides 16, the slider 5 is rotated in a plane parallel to the slider upper surface as shown in FIG. (FIG. 10A is a view of the upper surface of the slider 5). Thus, if the slider 5 is bonded in a rotated state, the polarization direction of the light introduced into the waveguide 3 is rotated. Since the near-field light generating element has polarization dependency, if the polarization direction is deviated, the intensity is reduced. Further, when the slider 5 is bonded in a rotated state, the slider 5 becomes unstable in floating. Considering such influence on polarization and flying stability, the rotation amount θ needs to be suppressed to 1 degree or less. The rotation amount θ can be known by measuring the displacement amount a as shown in FIG. FIG. 10B shows the relationship between W 5 and the displacement amount a when θ is 1 degree. Thus, the greater the distance W 5 between the alignment waveguide 16 and the waveguide 3, the greater the displacement amount a. Here, if the displacement amount a is smaller than the resolution of the observation optical system, the displacement amount cannot be measured. Now, when observing blue light (wavelength 0.45 μm) with a 10 × objective lens (numerical aperture = 0.25), the resolution is 450 / 0.25 = 1.8 μm. Therefore, in order to detect the rotation amount of θ = 1 degree, the displacement amount a needs to be 1.8 μm or more. For this purpose, the distance W 5 between the alignment waveguide 16 and the waveguide 3 is 100 μm or more. Is preferable.

上記実施例では、2つのアライメント用導波路16と導波路3の距離は、W5=W’5としたが、W5とW’5が互いに異なるようにしても良い。例えば、W5=100μm、W’5=200μmとした場合、2つの点18(光が出射する点)を結んだ直線を1:2に分割する点を導波路3の位置とすれば良い。また、2つのアライメント用導波路は、導波路3の両脇ではなく、導波路3の片側に2つ形成しても良い。また、上記実施例では、記録用導波路3とアライメント用導波路16は一直線上にあるとしたが、図11に示すように、スライダの長手方向(y方向)にずれても良い。記録用導波路3とアライメント用導波路16のずれ量がbで、2つのアライメント用導波路16と導波路3の距離がW5=W’5である場合、2つの点18(光が出射する点)の中点からbだけy方向にずらした位置を、記録用の導波路3の位置とすれば良い。In the above embodiment, the distance between the two alignment waveguides 16 and the waveguide 3 is W 5 = W ′ 5 , but W 5 and W ′ 5 may be different from each other. For example, when W 5 = 100 μm and W ′ 5 = 200 μm, a point that divides a straight line connecting two points 18 (light emitting points) into 1: 2 may be the position of the waveguide 3. Two alignment waveguides may be formed not on both sides of the waveguide 3 but on one side of the waveguide 3. In the above embodiment, the recording waveguide 3 and the alignment waveguide 16 are on a straight line. However, as shown in FIG. 11, they may be displaced in the longitudinal direction (y direction) of the slider. When the amount of deviation between the recording waveguide 3 and the alignment waveguide 16 is b and the distance between the two alignment waveguides 16 and the waveguide 3 is W 5 = W ′ 5 , two points 18 (light is emitted) The position shifted from the midpoint by b in the y direction may be the position of the recording waveguide 3.

上記実施例では、入射光は、スライダ5の下側(媒体対向面側)に配置した光ファイバ21またはマイクロレンズ22を用いてアライメント用導波路16に導入したが、このとき入射光の強度分布は、図12(a)の点線に示すようなガウシアン分布となる。このとき、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離(ずれ量)が大きくなると、アライメント用導波路16に入射する光の強度が小さくなってしまう。このことは、入射光のビーム径Diをずれ量の最大値dmaxの2倍よりも十分大きくすることにより防ぐことが出来るが、このとき、アライメント用導波路16に結合しない光がバックグランド光として多く発生してしまう。このバックグランド光が、観察光学系に入射すると、出射端18における光の像のコントラストが低下してしまう。これを防ぐために入射光の強度分布が、図12(a)中の実線のように、中心付近において強度の変化量が小さく、直径Di以上で急激に小さくなるような分布になるようにすると良い。このような分布は、例えば、図12(b)に示すように、台座20の上面に直径W20がDiに等しい開口のついた遮光膜59を形成し、スポット径がW20よりも大きな光を開口に入射させることにより作り出すことが出来る。入射光の分布をこのようにすることにより、スライダ5の位置ずれによるアライメント用導波路16に入射する光の強度の変化を小さくし、かつ周辺部のバックグランド光の影響を小さくすることが出来る。本実施例では、出射端面におけるビーム径が30μmとなる分布屈折率レンズ60で光を集光し、その端面に、開口径16μmの開口を有する遮光膜59を形成した。これによりDi=16μmとなる、図12(a)の実線のような分布を作り出すことが出来る。In the above embodiment, the incident light is introduced into the alignment waveguide 16 using the optical fiber 21 or the microlens 22 disposed on the lower side (medium facing surface side) of the slider 5. Is a Gaussian distribution as shown by the dotted line in FIG. At this time, if the distance (shift amount) between the reference point on the pedestal and the reference point on the slider side increases, the intensity of light incident on the alignment waveguide 16 decreases. This can be prevented by making the beam diameter Di of the incident light sufficiently larger than twice the maximum deviation value d max , but at this time, the light that is not coupled to the alignment waveguide 16 is not reflected in the background light. As many will occur. When this background light enters the observation optical system, the contrast of the light image at the exit end 18 is lowered. In order to prevent this, the intensity distribution of the incident light should be such that the amount of change in intensity is small in the vicinity of the center and rapidly becomes smaller than the diameter Di as indicated by the solid line in FIG. . For example, as shown in FIG. 12B, such a distribution is obtained by forming a light-shielding film 59 having an opening having a diameter W 20 equal to Di on the upper surface of the pedestal 20 and having a spot diameter larger than W 20. Can be made to enter the aperture. By making the distribution of the incident light in this way, the change in the intensity of the light incident on the alignment waveguide 16 due to the displacement of the slider 5 can be reduced, and the influence of the background light in the peripheral portion can be reduced. . In this embodiment, light is collected by the distributed refractive index lens 60 having a beam diameter of 30 μm at the emission end face, and a light shielding film 59 having an opening with an opening diameter of 16 μm is formed on the end face. As a result, it is possible to create a distribution as shown by a solid line in FIG. 12A where Di = 16 μm.

上記バックグランド光の影響を防ぐために、図13に示すように、アライメント用導波路16を途中で曲げて、アライメント用導波路16の出射点18の中心と、入射点の中心がずれるようにしても良い。このように中心がずれていれば、入射光19とアライメント用導波路16からの出射光61とが像の中で重ならないので、アライメント用導波路16からの出射光61を区別することが出来る。図13(a)の例では、アライメント用導波路16の途中に45度ミラー27を2箇所形成することで、出射点18の中心と、入射点の中心をずらした。また、図13(b)の例では、アライメント用導波路16を曲線状に曲げることで、出射点18の中心と、入射点の中心をずらした。入射位置と出射位置とのずれ量W9は、入射ビームの半径以上にするのが好ましく、本実施例では、入射ビームの半径が8μmであったので、ずれ量W9は10μmとした。In order to prevent the influence of the background light, as shown in FIG. 13, the alignment waveguide 16 is bent halfway so that the center of the exit point 18 of the alignment waveguide 16 is shifted from the center of the incident point. Also good. If the centers are shifted in this way, the incident light 19 and the outgoing light 61 from the alignment waveguide 16 do not overlap in the image, and therefore the outgoing light 61 from the alignment waveguide 16 can be distinguished. . In the example of FIG. 13A, the center of the emission point 18 and the center of the incident point are shifted by forming two 45-degree mirrors 27 in the alignment waveguide 16. In the example of FIG. 13B, the center of the emission point 18 and the center of the incident point are shifted by bending the alignment waveguide 16 in a curved shape. The shift amount W 9 between the incident position and the output position is preferably greater than or equal to the radius of the incident beam. In this embodiment, the radius of the incident beam was 8 μm, so the shift amount W 9 was set to 10 μm.

バックグランド光の影響を抑えるためには、図14のようにアライメント導波路16を途中で折り曲げても良い。このように折り曲げることにより、アライメント用導波路16に結合しなかった光(バックグランド光)は、スライダ浮上面に対し平行な方向に進むので、観察光学系に入射しない。図14(a)の例では、アライメント用導波路16の途中に45度ミラー27を形成することで、光路を90度曲げた。入射光19は、光ファイバ21をスライダ側面に近づけることで、アライメント用導波路16に導入した。図14(b)の例では、アライメント用導波路16を曲線状に曲げることで、スライダ上面に光が出射するようにした。曲げる部分の曲率半径は100μmとした。   In order to suppress the influence of background light, the alignment waveguide 16 may be bent halfway as shown in FIG. By bending in this way, light (background light) that has not been coupled to the alignment waveguide 16 travels in a direction parallel to the slider air bearing surface, and thus does not enter the observation optical system. In the example of FIG. 14A, the optical path is bent 90 degrees by forming a 45-degree mirror 27 in the middle of the alignment waveguide 16. Incident light 19 was introduced into the alignment waveguide 16 by bringing the optical fiber 21 closer to the slider side surface. In the example of FIG. 14B, the alignment waveguide 16 is bent into a curved shape so that light is emitted to the upper surface of the slider. The radius of curvature of the bent portion was 100 μm.

上記アライメントでは、アライメント用導波路16から出射する光を、導波路用マウント24をスライダ上に載せる前に観察したが、図15に示すように、導波路用マウント24を載せた状態で観察しても良い。すなわち、導波路用マウント24上に、アライメントマーク23を形成し、それを上部の観察光学系で観察すると同時に、スライダ中のアライメント用導波路16から出射する光も上部観察光学系で観察する。導波路用マウント上のアライメントマーク23と、アライメント用導波路16の位置関係が適切になるように位置合わせを行い、位置が確定した段階で導波路用マウント24をスライダ5に接着する。この例では、図16に示すように導波路用マウント24の上に、中心に開口の開いた2つのアライメントマーク23を形成した。導波路用マウント24の材質はSiO2とし、アライメントマーク23の材質はクロムとした。アライメントマーク23の形状は、1辺の長さが10ミクロンの正方形とし、その中心に1辺の長さが1μmの正方形の開口を形成した。アライメントマーク23とポリマー導波路10の距離W6、W’6はW6=W’6=200μm、スライダ中の導波路3とアライメント用導波路16の距離W5、W’5はW5=W’5=200μmとした。アライメント用導波路16からの出射光および、アライメントマーク23は、検出器30で観察した(レンズ31で結像させた後、その像をCCD素子等の光検出器32で検出した)。導波路用マウント24はホルダ28に真空吸着などにより固定し、ホルダ28の位置をピエゾ素子を用いて動かした。検出した画像において、アライメント用導波路16から出射する光の位置と、導波路用マウント24上のアライメントマーク23が重なるように、導波路マウント14の位置を調整した。このとき、検出される光量が最も大きくなる(アライメントマーク23を透過する光が最も大きくなる)ように合わせると、最適な位置に合わせることが出来る。In the alignment described above, the light emitted from the alignment waveguide 16 was observed before the waveguide mount 24 was placed on the slider. However, as shown in FIG. May be. That is, the alignment mark 23 is formed on the waveguide mount 24 and observed by the upper observation optical system, and at the same time, the light emitted from the alignment waveguide 16 in the slider is also observed by the upper observation optical system. Alignment is performed so that the positional relationship between the alignment mark 23 on the waveguide mount and the alignment waveguide 16 is appropriate, and the waveguide mount 24 is bonded to the slider 5 when the position is determined. In this example, as shown in FIG. 16, two alignment marks 23 having an opening at the center are formed on the waveguide mount 24. The waveguide mount 24 is made of SiO 2 and the alignment mark 23 is made of chrome. The shape of the alignment mark 23 was a square with a side of 10 microns, and a square opening with a side of 1 μm was formed at the center. The distances W 6 and W ′ 6 between the alignment mark 23 and the polymer waveguide 10 are W 6 = W ′ 6 = 200 μm, and the distances W 5 and W ′ 5 between the waveguide 3 in the slider and the alignment waveguide 16 are W 5 = W ′ 5 = 200 μm. The light emitted from the alignment waveguide 16 and the alignment mark 23 were observed by a detector 30 (after being imaged by a lens 31, the image was detected by a photodetector 32 such as a CCD element). The waveguide mount 24 was fixed to the holder 28 by vacuum suction or the like, and the position of the holder 28 was moved using a piezo element. In the detected image, the position of the waveguide mount 14 was adjusted so that the position of the light emitted from the alignment waveguide 16 and the alignment mark 23 on the waveguide mount 24 overlapped. At this time, if the detected light quantity is maximized (the light transmitted through the alignment mark 23 is maximized), the optimum position can be obtained.

上記アライメントでは、アライメント用導波路16から出射する光をCCD素子を用いて観察したが、フォトダイオードなどの光検出器32で検出しても良い。光検出器32で検出される光量が最大となるように導波路10の位置を移動させると、最適な位置に合わせることが出来る。   In the alignment described above, light emitted from the alignment waveguide 16 is observed using a CCD element, but may be detected by a photodetector 32 such as a photodiode. If the position of the waveguide 10 is moved so that the amount of light detected by the photodetector 32 is maximized, it can be adjusted to the optimum position.

上記実施例では、マウント24の材質は可視光において光透過性のあるSiO2としたが、Si等の別の材料であっても良い。Siの場合、可視光は透過しないが、アライメントに用いる光として波長980nmなど長波長の光を用いれば、光は導波路用マウント24を透過することが出来るので、導波路用マウント24越しに、アライメント用導波路16からの出射光および、アライメントマーク23を観察することが出来る。In the above embodiment, the material of the mount 24 is SiO 2 that is transparent to visible light. However, another material such as Si may be used. In the case of Si, visible light is not transmitted. However, if light having a long wavelength such as a wavelength of 980 nm is used as light used for alignment, light can be transmitted through the waveguide mount 24. The light emitted from the alignment waveguide 16 and the alignment mark 23 can be observed.

上記アライメントでは、導波路用マウント24を透過する光を検出したが、図17に示すように、導波路用マウント24上のアライメントマーク23で反射した光を検出することにより、位置合わせを行っても良い。この例では、SiO2の導波路用マウント24の下部に、1辺の大きさが1μmの正方形の形状をしたアライメントマーク23を形成した。アライメントマーク23の材質はアルミニウムとした。アライメントマーク23とポリマー導波路10の距離W6、W’6はW6=W’6=200μm、スライダ中の導波路3とアライメント用導波路16の距離W5、W’5はW5=W’5=200μmとした。アライメントに用いる光19には、波長633nmの光を用い、入射光は光ファイバ21で導入した。アライメント用導波路16から出射した光は、導波路用マウント24の表面もしくはアライメントマーク23に当たり、アライメント用導波路16に戻る。この戻ってくる反射光62をビームスプリッタ63で分離し、フォトダイオードなどの光検出器32で検出した。アライメント用導波路16とアライメントマーク23の位置が一致すると、アライメントマーク23に当たり戻ってくる反射光の強度が大きくなる。したがって、光検出器32で検出される光が最大となるように、位置合わせを行うと、導波路10を最適位置に設置することが出来る。In the above alignment, the light transmitted through the waveguide mount 24 is detected. However, as shown in FIG. 17, alignment is performed by detecting the light reflected by the alignment mark 23 on the waveguide mount 24. Also good. In this example, an alignment mark 23 having a square shape with a side of 1 μm is formed below the SiO 2 waveguide mount 24. The alignment mark 23 is made of aluminum. The distances W 6 and W ′ 6 between the alignment mark 23 and the polymer waveguide 10 are W 6 = W ′ 6 = 200 μm, and the distances W 5 and W ′ 5 between the waveguide 3 in the slider and the alignment waveguide 16 are W 5 = W ′ 5 = 200 μm. The light 19 used for alignment was light having a wavelength of 633 nm, and the incident light was introduced through the optical fiber 21. The light emitted from the alignment waveguide 16 hits the surface of the waveguide mount 24 or the alignment mark 23 and returns to the alignment waveguide 16. The returned reflected light 62 was separated by a beam splitter 63 and detected by a photodetector 32 such as a photodiode. When the alignment waveguide 16 and the alignment mark 23 are in the same position, the intensity of the reflected light returning to the alignment mark 23 increases. Therefore, if the alignment is performed so that the light detected by the photodetector 32 is maximized, the waveguide 10 can be installed at the optimum position.

上記のように反射光強度を検出する場合、導波路用マウント24上のアライメントマークは、図18に示すように、導波路用マウント24表面に形成した溝33であっても良い。特に、アライメント用の光源の波長をλとしたとき、スライダ5の上面からアライメントマークの溝33の底部までの距離dが、d=λx(2n+1)/4 (n=0以上の整数)となるようにすると、スライダ5上面(導波路16の出口における端面)における反射光と、アライメントマークの溝33の底部における反射光が干渉し、アライメント用導波路16に戻る光の強度が弱くなる。したがって、戻り光が最も弱くなるように合わせると、導波路10を最適位置に配置することが出来る。   When the reflected light intensity is detected as described above, the alignment mark on the waveguide mount 24 may be a groove 33 formed on the surface of the waveguide mount 24 as shown in FIG. In particular, when the wavelength of the light source for alignment is λ, the distance d from the upper surface of the slider 5 to the bottom of the groove 33 of the alignment mark is d = λx (2n + 1) / 4 (n = 0 or greater integer) As a result, the reflected light on the upper surface of the slider 5 (the end face at the exit of the waveguide 16) interferes with the reflected light on the bottom of the groove 33 of the alignment mark, and the intensity of the light returning to the alignment waveguide 16 becomes weaker. . Therefore, when the return light is adjusted so as to be weakest, the waveguide 10 can be arranged at the optimum position.

上記のように反射光強度を検出する場合、光検出器32には、アライメントマーク23からの反射光の他に、スライダ5の底面で反射した光など、バックグランド光も入射する。このようにバックグランド光が入射すると、検出信号の信号/ノイズ比が低下する。このバックグランド光による影響を除去するために、導波路用マウント24の位置を変調させても良い。すなわち、導波路用マウント24のホルダ28の位置を、ピエゾ素子を用いて周波数fでx方向に正弦波状に振動させる。このとき、アライメントマーク23で反射してアライメント用導波路16に戻る光の強度は周波数fで振動する。これに対し、アライメントマーク23に当たらない部分からの反射光は、強度が変化しない。したがって、検出器32で検出される光強度の内、周波数fで振動する成分を抜き出すことにより、アライメントマーク23からの反射光成分を抜き出すことが出来る。この例では、ホルダ28の振動の振幅は1μm、周波数fは1kHzとし、周波数1kHzで振動する成分を、ロックインアンプで抽出した。この振動成分が最も大きくなるように合わせると、導波路10を最適位置に配置することが出来る。位置合わせを行った後は、ホルダ28の振動を止め、導波路ホルダ24をスライダ5に固定した。なお、上記の例では、導波路10側を振動させたが、スライダ5およびその台座20の方を振動させても良い。   When the reflected light intensity is detected as described above, background light such as light reflected from the bottom surface of the slider 5 enters the photodetector 32 in addition to the reflected light from the alignment mark 23. When background light is incident in this way, the signal / noise ratio of the detection signal decreases. In order to remove the influence of the background light, the position of the waveguide mount 24 may be modulated. That is, the position of the holder 28 of the waveguide mount 24 is vibrated in a sine wave shape in the x direction at a frequency f using a piezoelectric element. At this time, the intensity of the light reflected by the alignment mark 23 and returning to the alignment waveguide 16 vibrates at the frequency f. On the other hand, the intensity of the reflected light from the portion not hitting the alignment mark 23 does not change. Therefore, by extracting the component that vibrates at the frequency f from the light intensity detected by the detector 32, the reflected light component from the alignment mark 23 can be extracted. In this example, the vibration amplitude of the holder 28 is 1 μm, the frequency f is 1 kHz, and a component that vibrates at a frequency of 1 kHz is extracted by a lock-in amplifier. When the vibration components are adjusted so as to be the largest, the waveguide 10 can be arranged at the optimum position. After the alignment, the vibration of the holder 28 was stopped and the waveguide holder 24 was fixed to the slider 5. In the above example, the waveguide 10 side is vibrated, but the slider 5 and its pedestal 20 may be vibrated.

上記のように反射光強度を検出する場合、図19に示すように、導波路用マウント24の傾きを検知することも可能である。すなわち、導波路用マウント24が傾くと、次の理由によりアライメント導波路16側に戻る光62の強度が、2つのアライメントマーク23(A,B)において異なるようになる。アライメント用導波路16の端面からの反射光64とアライメントマーク23からの反射光65は互いに干渉するため、スライダ上面からアライメントマーク23(A,B)までの距離(DaおよびDb)が変化すると、アライメント用導波路16側に戻る光62の強度は変化する。   When the reflected light intensity is detected as described above, it is possible to detect the inclination of the waveguide mount 24 as shown in FIG. That is, when the waveguide mount 24 is tilted, the intensity of the light 62 returning to the alignment waveguide 16 side differs between the two alignment marks 23 (A, B) for the following reason. Since the reflected light 64 from the end face of the alignment waveguide 16 and the reflected light 65 from the alignment mark 23 interfere with each other, when the distance (Da and Db) from the slider upper surface to the alignment mark 23 (A, B) changes, The intensity of the light 62 returning to the alignment waveguide 16 side changes.

導波路用マウント24が傾くと、スライダ上面からアライメントマークまでの距離は、それぞれのアライメントマーク23(A,B)において異なる(DaとDbの値が異なる)。そのため、アライメント用導波路16側に戻る光62の強度は、アライメントマークAとBで異なる。   When the waveguide mount 24 is inclined, the distance from the slider upper surface to the alignment mark is different in each alignment mark 23 (A, B) (values of Da and Db are different). Therefore, the intensity of the light 62 returning to the alignment waveguide 16 side differs between the alignment marks A and B.

また、導波路用マウント24の傾きが大きい場合、アライメントマーク23からの反射光65は斜めに進む。このとき、アライメント用導波路16に結合する光強度は、スライダ上面からアライメントマーク23までの距離(DaおよびDb)に依存するので、アライメント用導波路16に結合する光強度は、アライメントマークAとBで異なる。   When the inclination of the waveguide mount 24 is large, the reflected light 65 from the alignment mark 23 travels obliquely. At this time, since the light intensity coupled to the alignment waveguide 16 depends on the distances (Da and Db) from the slider upper surface to the alignment mark 23, the light intensity coupled to the alignment waveguide 16 is the same as that of the alignment mark A. Different in B.

したがって、アライメント用導波路16側に戻る光62の強度が、アライメントマークAとBで等しくなるように合わせると、傾きφが0になるように、導波路用マウント24を設置することが出来る。なお、アライメント用導波路16の出射端18から出射する光の強度は、アライメントマークAとBで等しいとは限らない。なぜならスライダ5を台座20に置いたときの、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離(ずれ量)により、アライメント用導波路16に導入される光の量が変化するので、2つのアライメント用導波路16に導入される光の量が等しいとは限らないからである。これを補正するために、導波路用マウント24をスライダ5の上に載せる前に、アライメント用導波路16の出射端18から出射する光の強度を測定しておき、それを元に光検出器32の信号強度を補正すると良い。例えば、導波路用マウント24をスライダ5の上に載せる前、アライメント用導波路16の出射端18から出射する光の強度が、アライメントマークAおよびBにおいて、PA,PBであるとする。A側,B側それぞれの光検出器32の信号強度がSA,SBであるとき、B側の信号強度をPA/PB倍して、SAと(SB・PA/PB)を比較することで、アライメント用導波路16の出射端18から出射する光の強度差を補正することが出来る。また、検出器32の信号強度を補正することに替えて、入射光19の強度(光源の光強度)を変えることで調整しても良い。すなわち、アライメント用導波路16の出射端18から出射する光の強度が、アライメントマークAおよびBにおいて、等しくなるように光源の強度を調整すれば良い。   Therefore, when the intensity of the light 62 returning to the alignment waveguide 16 side is matched so that the alignment marks A and B are equal, the waveguide mount 24 can be installed so that the inclination φ becomes zero. The intensity of light emitted from the emission end 18 of the alignment waveguide 16 is not necessarily equal between the alignment marks A and B. This is because the amount of light introduced into the alignment waveguide 16 changes depending on the distance (shift amount) between the reference point on the base and the reference point on the slider side when the slider 5 is placed on the base 20. This is because the amount of light introduced into the alignment waveguide 16 is not necessarily equal. In order to correct this, before placing the waveguide mount 24 on the slider 5, the intensity of the light emitted from the emission end 18 of the alignment waveguide 16 is measured, and the photodetector is used as the basis. 32 signal strengths may be corrected. For example, before the waveguide mount 24 is placed on the slider 5, it is assumed that the intensity of light emitted from the emission end 18 of the alignment waveguide 16 is PA and PB in the alignment marks A and B. When the signal intensity of the photodetector 32 on each of the A side and B side is SA and SB, the signal intensity on the B side is multiplied by PA / PB, and SA and (SB / PA / PB) are compared. It is possible to correct a difference in intensity of light emitted from the emission end 18 of the alignment waveguide 16. Further, instead of correcting the signal intensity of the detector 32, adjustment may be made by changing the intensity of the incident light 19 (light intensity of the light source). That is, the intensity of the light source may be adjusted so that the intensity of the light emitted from the emission end 18 of the alignment waveguide 16 is equal in the alignment marks A and B.

上記アライメントでは、平らなアライメントマークを用いたが、図20に示すように、深さが場所により異なる溝33を用いても良い。例えば図20(a)の例では、半球状の溝33を形成した。直径d1は1μmとした。図20(b)の例では四角錘の形状をした溝33を形成した。この溝33は、SiO2の異方性エッチングを利用して作製した。溝33の幅d2は1μmとした。このような形状の溝33を利用した場合、アライメントマークからの反射光65は等方的に進まない。したがって、アライメント用導波路16に結合する反射光の強度は、スライダ上面からアライメントマークの溝33までの距離Dに依存する。したがって、A,B、2つのアライメントマーク23における戻り光強度62を検出することにより、導波路用マウント24の傾きを検知することが出来る。なお、上記の例では溝を用いたが、突起を用いても良い。In the above alignment, a flat alignment mark is used. However, as shown in FIG. 20, a groove 33 having a different depth depending on the location may be used. For example, in the example of FIG. 20A, the hemispherical groove 33 is formed. The diameter d1 was 1 μm. In the example of FIG. 20B, a groove 33 having a square pyramid shape is formed. This groove 33 was produced by using anisotropic etching of SiO 2 . The width d2 of the groove 33 was 1 μm. When the groove 33 having such a shape is used, the reflected light 65 from the alignment mark does not travel isotropically. Therefore, the intensity of the reflected light coupled to the alignment waveguide 16 depends on the distance D from the slider upper surface to the alignment mark groove 33. Therefore, the inclination of the waveguide mount 24 can be detected by detecting the return light intensity 62 at the A, B, and two alignment marks 23. In the above example, a groove is used, but a protrusion may be used.

上記のように反射光強度を検出する方法を用いて、導波路用マウント24のz方向の絶対的な位置を調整しても良い。すなわち、つぎの方法によりz方向の絶対的な位置を調整することが出来る。
方法1:上記深さが場所により異なる溝を用いた場合、導波路用マウント24のz方向の位置が変わるとアライメント用導波路16に戻る光62の強度が変わる。したがって、戻り光強度の絶対的な値の大小により、z方向の絶対的な位置を決めることが出来る。
方法2:アライメントマークの形状が平らな場合、アライメント用導波路16の出射端面からの反射光64とアライメントマーク23からの反射光65は互いに干渉するため、スライダ上面からアライメントマーク23までの距離(d)が変化すると、アライメント用導波路16側に戻る光62の強度Iは変化する。このとき、強度Iと距離dの間にはI=I0cos2(2dπ/λ)となる関係がある(I0は定数,λは波長)。このように周期性があるので、強度Iを検出するだけではdの値は決まらない。dの絶対値を決めるために、アライメント用導波路16に複数の波長の光を導入し、戻り光65をフィルタ等を用いて波長ごとに分離する。このとき、各波長の戻り光強度は、距離dに対し異なる周期で変化する。したがって、各波長の戻り光強度を測定することにより、距離dの絶対値を知ることが出来る。このように距離dの絶対値を知ることにより、導波路用マウント24とスライダ5の間の接着剤の厚さを正確に調整することができる(接着剤の厚さは、マウント24をスライダ5の方向に押しつけるとき、押し付け加重を調整することにより行う)。
The absolute position in the z direction of the waveguide mount 24 may be adjusted using the method of detecting the reflected light intensity as described above. That is, the absolute position in the z direction can be adjusted by the following method.
Method 1: When grooves having different depths are used depending on the location, the intensity of the light 62 returning to the alignment waveguide 16 changes when the position of the waveguide mount 24 in the z direction changes. Therefore, the absolute position in the z direction can be determined based on the magnitude of the absolute value of the return light intensity.
Method 2: When the shape of the alignment mark is flat, the reflected light 64 from the exit end face of the alignment waveguide 16 and the reflected light 65 from the alignment mark 23 interfere with each other, so the distance from the slider upper surface to the alignment mark 23 ( When d) changes, the intensity I of the light 62 returning to the alignment waveguide 16 side changes. At this time, there is a relationship of I = I 0 cos 2 (2dπ / λ) between the intensity I and the distance d (I 0 is a constant, and λ is a wavelength). Since there is periodicity in this way, the value of d cannot be determined simply by detecting the intensity I. In order to determine the absolute value of d, light of a plurality of wavelengths is introduced into the alignment waveguide 16, and the return light 65 is separated for each wavelength using a filter or the like. At this time, the return light intensity of each wavelength varies with a different period with respect to the distance d. Therefore, the absolute value of the distance d can be known by measuring the return light intensity of each wavelength. Thus, by knowing the absolute value of the distance d, the thickness of the adhesive between the waveguide mount 24 and the slider 5 can be accurately adjusted (the thickness of the adhesive can be adjusted with respect to the mount 24 and the slider 5). When pressing in the direction of, it is done by adjusting the pressing weight).

上記実施例1では、アライメント用導波路16の本数は2本としたが、3本以上にしても良い。例えば、図21の例では、記録用導波路3を含む直線上に2個形成し、記録用導波路3からスライダの長手方向(y方向)にずれた直線上に2個形成した。このようにアライメント用導波路16を形成して反射光強度を検出すると、導波路用マウント24のスライダ5に対する傾きを、x方向だけでなく、y方向に対しても検知することが出来る。   In the first embodiment, the number of alignment waveguides 16 is two, but may be three or more. For example, in the example of FIG. 21, two are formed on a straight line including the recording waveguide 3 and two are formed on a straight line shifted from the recording waveguide 3 in the longitudinal direction (y direction) of the slider. When the alignment waveguide 16 is thus formed and the reflected light intensity is detected, the inclination of the waveguide mount 24 relative to the slider 5 can be detected not only in the x direction but also in the y direction.

上記のように透過光強度や反射光強度を測定しながらアライメントを行う場合、アライメント用の光は、記録に用いる光の波長より短い波長を有する光を用いても良い。例えば波長450nmの半導体レーザの光を用いても良い。このように短波長の光を用いる場合、アライメント用導波路16の出射端18における光スポット径を小さくすることが出来るので、位置に対する分解能が向上する。光スポット径を小さくするためには、アライメント用導波路16の幅W3,W4を小さくする必要があり、この例では、W3=W4=250nmとした。ただし、導波路用マウント24を透過する光を検出する場合、光は導波路用マウント24を透過する必要があるので、短波長に出来ない場合もある。When the alignment is performed while measuring the transmitted light intensity and the reflected light intensity as described above, the alignment light may be light having a shorter wavelength than the light used for recording. For example, semiconductor laser light having a wavelength of 450 nm may be used. When light having a short wavelength is used in this way, the light spot diameter at the exit end 18 of the alignment waveguide 16 can be reduced, so that the resolution with respect to the position is improved. In order to reduce the light spot diameter, it is necessary to reduce the widths W 3 and W 4 of the alignment waveguide 16. In this example, W 3 = W 4 = 250 nm. However, when detecting light transmitted through the waveguide mount 24, the light needs to pass through the waveguide mount 24, and thus may not have a short wavelength.

上記のように透過光強度や反射光強度を測定しながらアライメントを行う場合、図22に示すように、アライメント用導波路16の出射端面に微小開口34を形成することで、出射光のスポット径を小さくしても良い。図22の例では、クロムで出来た遮光膜を出射端面に形成し、アライメント用導波路16の中心部に、1辺の長さW21が200nmの正方形の微小開口34を形成した。この微小開口34により、近接場光が発生し、波長よりも小さな光スポットを作り出すことが出来る。したがって、位置に対する分解能が向上する。このような近接場光は、正方形の微小開口に替えて、C字の形状をした開口や,三角形,長方形,球などの形状をした散乱体を用いて発生させても良い。When the alignment is performed while measuring the transmitted light intensity and the reflected light intensity as described above, the spot diameter of the emitted light is formed by forming the minute opening 34 on the emission end face of the alignment waveguide 16 as shown in FIG. May be reduced. In the example of FIG. 22, a light shielding film made of chromium is formed on the emission end face, and a square minute opening 34 having a side length W 21 of 200 nm is formed in the central portion of the alignment waveguide 16. By this minute opening 34, near-field light is generated, and a light spot smaller than the wavelength can be created. Therefore, the resolution with respect to the position is improved. Such near-field light may be generated by using a C-shaped aperture or a scatterer having a shape such as a triangle, a rectangle, or a sphere instead of the square minute aperture.

上記実施例1では、導波路用マウント24の上に、アライメントマークを形成したが、ポリマー導波路10をサスペンションのフレクシャー40上に直接配置し、アライメントマークをフレクシャー40上に形成しても良い。   In the first embodiment, the alignment mark is formed on the waveguide mount 24. However, the polymer waveguide 10 may be disposed directly on the flexure 40 of the suspension, and the alignment mark may be formed on the flexure 40.

また、アライメントマークは、ポリマー導波路10上に形成しても良い。例えば、ポリマー導波路10のクラッド部またはその周辺部に、凹凸を形成してアライメントマークとしたり、屈折率の異なる材料を埋め込んでアライメントマークとしても良い。   Further, the alignment mark may be formed on the polymer waveguide 10. For example, the alignment mark may be formed by forming irregularities in the clad part of the polymer waveguide 10 or its peripheral part, or by aligning materials having different refractive indexes.

また、アライメントマークに替えて、図23に示すようにアライメント用の導波路38を形成し、マウント上のアライメント用導波路38に結合する光強度を検出することで、マウント24の位置合わせを行っても良い。図23の例では、光源とスライダ間の導波路10の横に、アライメント用の導波路38を2本形成した。導波路としては、ポリマー導波路を利用し、サスペンション13のフレクシャー40の上に配置した。アライメント用の導波路38は、ポリマー導波路10と同じ素材で作製した。導波路38の端面12は、導波路10と同様、45度に削った。これにより、スライダ5中のアライメント用導波路16から出射した光が、導波路38に結合する。導波路38の途中には、ミラー27を形成し、スライダ5の側面方向に光が出射するようにした。スライダ5の側面方向に出射した光は、レンズにより集光し、フォトダイオードなどの検出器で検出した。光源−スライダ間の導波路10と導波路10側のアライメント用導波路38との距離W6およびW’6は,スライダ中のアライメント用導波路16と記録用導波路3の距離W5およびW’5に等しくなるようにした。この例では、W5=W’5=W6=W’6=200μmとした。2つの導波路38に結合する光が最も強くなるように合わせると、導波路10の位置を最適な位置に設置することが出来る。なお、上記アライメント用導波路38は、途中でミラーをつけて曲げずに、図24のように光源近くまで伸ばしても良い。Further, in place of the alignment mark, an alignment waveguide 38 is formed as shown in FIG. 23, and the position of the mount 24 is aligned by detecting the light intensity coupled to the alignment waveguide 38 on the mount. May be. In the example of FIG. 23, two alignment waveguides 38 are formed beside the waveguide 10 between the light source and the slider. As the waveguide, a polymer waveguide was used and disposed on the flexure 40 of the suspension 13. The alignment waveguide 38 was made of the same material as the polymer waveguide 10. The end face 12 of the waveguide 38 was cut at 45 degrees as in the waveguide 10. Thereby, the light emitted from the alignment waveguide 16 in the slider 5 is coupled to the waveguide 38. A mirror 27 is formed in the middle of the waveguide 38 so that light is emitted in the direction of the side surface of the slider 5. The light emitted in the side direction of the slider 5 was collected by a lens and detected by a detector such as a photodiode. The distances W 6 and W ′ 6 between the waveguide 10 between the light source and the slider and the alignment waveguide 38 on the waveguide 10 side are the distances W 5 and W between the alignment waveguide 16 and the recording waveguide 3 in the slider. 'Made equal to 5 . In this example, W 5 = W ′ 5 = W 6 = W ′ 6 = 200 μm. When the light coupled to the two waveguides 38 is matched so as to be the strongest, the position of the waveguide 10 can be set at an optimum position. Note that the alignment waveguide 38 may be extended to the vicinity of the light source as shown in FIG.

次に、図25〜図27を参照して実施例2による熱アシスト磁気ヘッドの構成と、スライダと半導体レーザの固定方法について説明する。実施例2による熱アシスト磁気ヘッド102は、光源である半導体レーザ41をスライダ5の上に直接配置するものである。
図25に示すように、スライダ5の上に、半導体レーザ41を配置した。半導体レーザ41の片側の出射面には、角度45度で素子をエッチングすることにより、ミラー42を形成した。これにより、レーザ光はスライダ5の上面に対して垂直な方向に出射する。半導体レーザ41からの出射光は、スライダ中の導波路3に直接導入させた。実際には、図26に示すように、半導体レーザ41はレーザ用マウント43に固定し、レーザ用マウント43はホルダ44に真空チャック等により固定した。ホルダ44は、微動ステージにより位置を動かした。半導体レーザ41の表面には、ポリマー導波路の場合と同様、レーザ出射点の両脇にアライメントマークを形成した。本実施例では、両脇に正方形の形状をした溝33を形成した。溝33の深さは、溝33の底部からスライダ5の上面までの距離Dが、アライメント用光源の波長の1/4となるようにした。アライメント用導波路16へは、波長450nmの光19を導入した。アライメントマークの溝33からの反射光62を検出することにより、アライメントマークの溝33の位置とアライメント用導波路16の位置が一致するように位置を調整し、調整後、紫外線硬化接着剤で、スライダ5の上に半導体レーザ41を固定した。
Next, the configuration of the thermally-assisted magnetic head according to the second embodiment and the method for fixing the slider and the semiconductor laser will be described with reference to FIGS. In the thermally-assisted magnetic head 102 according to the second embodiment, the semiconductor laser 41 as a light source is directly disposed on the slider 5.
As shown in FIG. 25, the semiconductor laser 41 is disposed on the slider 5. A mirror 42 was formed on one emitting surface of the semiconductor laser 41 by etching the element at an angle of 45 degrees. Thereby, the laser beam is emitted in a direction perpendicular to the upper surface of the slider 5. Light emitted from the semiconductor laser 41 was directly introduced into the waveguide 3 in the slider. In practice, as shown in FIG. 26, the semiconductor laser 41 was fixed to a laser mount 43, and the laser mount 43 was fixed to a holder 44 by a vacuum chuck or the like. The position of the holder 44 was moved by a fine movement stage. On the surface of the semiconductor laser 41, as in the case of the polymer waveguide, alignment marks were formed on both sides of the laser emission point. In this embodiment, the grooves 33 having a square shape are formed on both sides. The depth of the groove 33 was such that the distance D from the bottom of the groove 33 to the upper surface of the slider 5 was 1/4 of the wavelength of the alignment light source. Light 19 having a wavelength of 450 nm was introduced into the alignment waveguide 16. By detecting the reflected light 62 from the groove 33 of the alignment mark, the position is adjusted so that the position of the alignment mark groove 33 and the position of the alignment waveguide 16 coincide with each other. A semiconductor laser 41 was fixed on the slider 5.

図27に実施例2の変形例を示す。この例では、レーザ用マウント43の上側に半導体レーザ41を入れるための深溝を形成し、その底部に半導体レーザ41を固定した。半導体レーザ41の出射点の下には、記録用レーザ光を透過させるための開口46を形成した。開口46を透過した光は、記録用導波路3に結合させた。溝底部の半導体レーザ41の脇には、アライメント用の開口45を2つ形成した。アライメント用の開口45と半導体レーザ41の出射光位置は、一直線上に並ぶように、あらかじめレーザ用マウント43に対する半導体レーザ41の位置を調整した。アライメント用導波路16へは、波長450nmの光を導入した。アライメント用導波路16とアライメント用の開口45の位置が一致すると、アライメント用導波路16から出射する光は、開口45を透過する。それをフォトダイオードなどの光検出器31により検出した。なお、フォトダイオードに代えてCCD素子を使用しても良い。開口45を透過する光が最も強くなるようにレーザ用マウント43の位置を合わせると、半導体レーザ41の位置を最適位置に合わせることが可能になる。   FIG. 27 shows a modification of the second embodiment. In this example, a deep groove for inserting the semiconductor laser 41 is formed on the upper side of the laser mount 43, and the semiconductor laser 41 is fixed to the bottom thereof. Under the emission point of the semiconductor laser 41, an opening 46 for transmitting the recording laser beam was formed. The light transmitted through the opening 46 was coupled to the recording waveguide 3. Two openings 45 for alignment are formed on the side of the semiconductor laser 41 at the bottom of the groove. The position of the semiconductor laser 41 with respect to the laser mount 43 was adjusted in advance so that the alignment aperture 45 and the position of the emitted light of the semiconductor laser 41 were aligned. Light having a wavelength of 450 nm was introduced into the alignment waveguide 16. When the alignment waveguide 16 and the alignment opening 45 are in the same position, the light emitted from the alignment waveguide 16 passes through the opening 45. It was detected by a photodetector 31 such as a photodiode. A CCD element may be used instead of the photodiode. If the position of the laser mount 43 is adjusted so that the light transmitted through the opening 45 is the strongest, the position of the semiconductor laser 41 can be adjusted to the optimum position.

次に、図28を参照して実施例3による熱アシスト磁気ヘッドの構成と、スライダの上部に半導体レーザを実装した導波路マウント24を固定する方法について説明する。
図28に示すように、実施例3による熱アシスト磁気ヘッド104は、1端にミラーが形成された半導体レーザ41を導波路用マウント(支持部材)24′の上に取り付け、導波路用マウント24′をスライダ5に固定したものである。半導体レーザ41の電極は、導波路用マウント24′上に形成した電極パッドから供給した。導波路用マウント24′の上には、導波路66を形成した(図中66は導波路のコア部を指す)。導波路66の両端には、ミラー68,12を形成した(斜めにエッチングすることにより作製した)。半導体レーザ41を出射した光はミラー68により反射され、導波路66に導入される。導波路66を伝わる光は、ミラー12により反射され、導波路用マウント24′の面に垂直な方向に出射する。導波路用マウント24′の材質はSiとした。この材質は,AlNやAlTiCなど他の材質であっても良い。導波路コアの材質はSiOxNyとし、OとNの比率を変えることで屈折率を調整した。クラッド67の材質はSiO2とした。導波路66の出射端の両脇には、アライメントマークとなる溝33をエッチングにより作製した。溝33の形状は、1辺の長さが1μmの正方形とした。スライダ側に設けたアライメント用導波路16から出射する光と、導波路用マウント24′側のアライメントマークの溝33を観察することにより、導波路66の位置合わせを行った。
Next, the configuration of the thermally-assisted magnetic head according to the third embodiment and the method for fixing the waveguide mount 24 on which the semiconductor laser is mounted on the slider will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 28, in the thermally-assisted magnetic head 104 according to the third embodiment, a semiconductor laser 41 having a mirror formed at one end is mounted on a waveguide mount (support member) 24 ′, and the waveguide mount 24 is mounted. 'Is fixed to the slider 5. The electrode of the semiconductor laser 41 was supplied from an electrode pad formed on the waveguide mount 24 '. A waveguide 66 is formed on the waveguide mount 24 '(in the figure, 66 indicates a core portion of the waveguide). Mirrors 68 and 12 were formed at both ends of the waveguide 66 (manufactured by obliquely etching). The light emitted from the semiconductor laser 41 is reflected by the mirror 68 and introduced into the waveguide 66. The light transmitted through the waveguide 66 is reflected by the mirror 12 and is emitted in a direction perpendicular to the surface of the waveguide mount 24 ′. The material of the waveguide mount 24 'is Si. This material may be another material such as AlN or AlTiC. The material of the waveguide core was SiOxNy, and the refractive index was adjusted by changing the ratio of O and N. The material of the clad 67 was SiO 2 . On both sides of the emission end of the waveguide 66, grooves 33 serving as alignment marks were formed by etching. The shape of the groove 33 was a square having a side length of 1 μm. The waveguide 66 was aligned by observing the light emitted from the alignment waveguide 16 provided on the slider side and the groove 33 of the alignment mark on the waveguide mount 24 'side.

上記実施例において、導波路用マウント24′上に形成した導波路66とスライダ中の導波路3の間の光結合効率は、導波路66のモードフィールド径と導波路3のモードフィールド径が等しくなる時に最も高くなる。また、導波路66と半導体レーザ41間の光結合効率も、導波路66のモードフィールド径と半導体レーザ41の出射光のスポット径が等しくなる時に最も高くなる。導波路3のモードフィールド径と、半導体レーザ41の出射光のスポット径が異なっている場合、全体の光結合効率を上げるためには,導波路66のモードフィールド径が,半導体レーザ41側では,半導体レーザの出射光のスポット径に等しく、導波路3側では、導波路3のモードフィールド径に等しくなるように、導波路66中のモードフィールド径が変化するようにすると良い。そのためには、導波路66中の導波路の幅を、図5のように変化させたり、図7のように、導波路66のコアーを2層構造にして、モードフィールド径を変化させると良い。   In the above embodiment, the optical coupling efficiency between the waveguide 66 formed on the waveguide mount 24 ′ and the waveguide 3 in the slider is equal to the mode field diameter of the waveguide 66 and the mode field diameter of the waveguide 3. It becomes the highest when it becomes. The optical coupling efficiency between the waveguide 66 and the semiconductor laser 41 is also highest when the mode field diameter of the waveguide 66 and the spot diameter of the emitted light from the semiconductor laser 41 are equal. When the mode field diameter of the waveguide 3 and the spot diameter of the emitted light from the semiconductor laser 41 are different, the mode field diameter of the waveguide 66 is increased on the semiconductor laser 41 side in order to increase the overall optical coupling efficiency. The mode field diameter in the waveguide 66 is preferably changed so that it is equal to the spot diameter of the emitted light of the semiconductor laser and equal to the mode field diameter of the waveguide 3 on the waveguide 3 side. For that purpose, the width of the waveguide in the waveguide 66 may be changed as shown in FIG. 5 or the mode field diameter may be changed by making the core of the waveguide 66 a two-layer structure as shown in FIG. .

図29に実施例3の変形例を示す。この例では、導波路用マウント24′上に、スライダ中のアライメント用導波路16から出射する光を受けるための、アライメント用の導波路38を形成した。アライメント用導波路38の両端には、導波路66と同様に、エッチングによりミラーを形成した。導波路用マウント24′中の導波路66からの光が、スライダ中の記録用導波路3に最も効率良く結合するように、導波路用マウント24′を配置したとき、スライダ中のアライメント用導波路16からの光が、導波路用マウント24′上のアライメント用導波路38に最も効率よく結合するように、アライメント用導波路38を導波路用マウント24′上に形成した。アライメント用導波路38に結合したアライメント用の光は、出射側のミラーにより、導波路用マウント24′の面に垂直な方向に出射する。この出射光69をフォトダイオードなどの光検出器で検出した。この光検出器で検出される光の強度が最大になるように、導波路用マウント24′の位置を調整することにより、導波路用マウント24′を最適位置に設置した。   FIG. 29 shows a modification of the third embodiment. In this example, an alignment waveguide 38 for receiving light emitted from the alignment waveguide 16 in the slider is formed on the waveguide mount 24 '. Like the waveguide 66, mirrors were formed at both ends of the alignment waveguide 38 by etching. When the waveguide mount 24 'is arranged so that the light from the waveguide 66 in the waveguide mount 24' is most efficiently coupled to the recording waveguide 3 in the slider, the alignment guide in the slider is arranged. The alignment waveguide 38 is formed on the waveguide mount 24 'so that the light from the waveguide 16 is most efficiently coupled to the alignment waveguide 38 on the waveguide mount 24'. The alignment light coupled to the alignment waveguide 38 is emitted in a direction perpendicular to the surface of the waveguide mount 24 ′ by the output-side mirror. The emitted light 69 was detected by a photodetector such as a photodiode. By adjusting the position of the waveguide mount 24 ′ so that the intensity of light detected by this photodetector is maximized, the waveguide mount 24 ′ is installed at the optimum position.

上記実施例3では、スライダ中のアライメント用導波路16から出射する光を導波路用マウント上のアライメント用導波路38で受けて、その反対側から出射する光69を検出することにより位置を調整した。これとは反対に、導波路用マウント上のアライメント用導波路38の反対側から光を導入し(図29中矢印70)、スライダ中のアライメント用導波路16に光が、スライダ5の上面側から入射するようにしても良い。この場合、スライダ中のアライメント用導波路16の媒体対向面側(浮上面側)から出射光を検出する。この出射光が最大になるように位置合わせをすることにより、導波路用マウント24′を最適位置に設置することが出来る。なお、このような導波路用マウント上に形成したアライメント用導波路38は、単に、中心の導波路66の出射位置を示すためのアライメントマークとして利用しても良い。すなわち、アライメント用導波路38に、光を矢印70のように入れ、その反対側から光が出射するようにする。この出射点の位置を結んだ直線上に、中心の導波路66の出射点が位置するようにすれば、アライメント用導波路38から出射する光は、光るアライメントマークとして利用で出来る。すなわち、それを観察光学系で観察することにより、アライメント用導波路38の出射位置を知ることが出来る。   In the third embodiment, the light emitted from the alignment waveguide 16 in the slider is received by the alignment waveguide 38 on the waveguide mount, and the position is adjusted by detecting the light 69 emitted from the opposite side. did. On the other hand, light is introduced from the opposite side of the alignment waveguide 38 on the waveguide mount (arrow 70 in FIG. 29), and the light is introduced into the alignment waveguide 16 in the slider. It may be made to enter from. In this case, the emitted light is detected from the medium facing surface side (floating surface side) of the alignment waveguide 16 in the slider. By aligning the emitted light so as to be maximized, the waveguide mount 24 'can be installed at the optimum position. Note that the alignment waveguide 38 formed on such a waveguide mount may simply be used as an alignment mark for indicating the emission position of the central waveguide 66. That is, light is put into the alignment waveguide 38 as indicated by an arrow 70, and light is emitted from the opposite side. If the emission point of the central waveguide 66 is positioned on a straight line connecting the positions of the emission points, the light emitted from the alignment waveguide 38 can be used as a flashing alignment mark. That is, the exit position of the alignment waveguide 38 can be known by observing it with the observation optical system.

図30に、上記実施例1による熱アシスト磁気ヘッドを搭載した記録再生装置の全体構成を示す。熱アシスト磁気ヘッドのスライダ5はサスペンション13に固定され、磁気ディスク14の上を浮上量10nm以下で浮上し、ボイスコイルモータ49からなるアクチュエータによって磁気ディスク14上の所望トラック位置に位置決めされる。磁気ディスク14は、モータによって回転駆動されるスピンドル53に固定され、回転される。半導体レーザ41は、サブマウント51上にはんだで固定され、サブマウント51はサスペンション13が取り付けられているアームの根元(e−blockと呼ばれる部分)に固定されている。半導体レーザ41のドライバは、e−block横に配置された回路基板52の上に実装されている。この回路基板52には、熱アシスト磁気ヘッド用のドライバも搭載されている。半導体レーザ41を搭載するサブマウント51は、e−block上に直接配置しても良いし、回路基板52の上に配置しても良い。半導体レーザ41からの出射光は、導波路10を半導体レーザ41に直接結合させるか、導波路10と半導体レーザ41の間にレンズを入れることで、導波路10に結合させる。このとき、導波路10、半導体レーザ41、及びそれを結合させるための素子や部品は、モジュールとして一体化し、それをe−block上又は、e−block横の回路基板上に配置しても良い。また、半導体レーザ41の寿命を長くするために、モジュール内を気密封じしても良い。記録信号は、信号処理回路54で生成され、記録信号及び半導体レーザ用電源は、FPC(フレキシブルプリントサーキット)50を通して回路基板52に供給される。記録の瞬間、スライダ5中に設けられたコイルにより磁界を発生させると同時に、半導体レーザ41を発光させることにより、磁気ディスク14に記録マーク(データ)を形成する。磁気ディスク14上に記録されたデータは、スライダ5中に形成された磁気再生素子4で再生される。再生信号の信号処理は信号処理回路54により行なわれる。   FIG. 30 shows the overall configuration of a recording / reproducing apparatus equipped with the heat-assisted magnetic head according to the first embodiment. The slider 5 of the heat-assisted magnetic head is fixed to the suspension 13 and floats on the magnetic disk 14 with a flying height of 10 nm or less, and is positioned at a desired track position on the magnetic disk 14 by an actuator including a voice coil motor 49. The magnetic disk 14 is fixed and rotated by a spindle 53 that is rotationally driven by a motor. The semiconductor laser 41 is fixed on the submount 51 with solder, and the submount 51 is fixed to the base of the arm to which the suspension 13 is attached (the part called e-block). The driver of the semiconductor laser 41 is mounted on a circuit board 52 arranged beside the e-block. The circuit board 52 is also mounted with a driver for a thermally assisted magnetic head. The submount 51 on which the semiconductor laser 41 is mounted may be disposed directly on the e-block or may be disposed on the circuit board 52. Light emitted from the semiconductor laser 41 is coupled to the waveguide 10 by coupling the waveguide 10 directly to the semiconductor laser 41 or by inserting a lens between the waveguide 10 and the semiconductor laser 41. At this time, the waveguide 10, the semiconductor laser 41, and elements and components for coupling the waveguide 10 may be integrated as a module and disposed on the e-block or a circuit board next to the e-block. . Further, in order to extend the life of the semiconductor laser 41, the inside of the module may be hermetically sealed. The recording signal is generated by the signal processing circuit 54, and the recording signal and the power supply for the semiconductor laser are supplied to the circuit board 52 through an FPC (flexible printed circuit) 50. At the moment of recording, a magnetic field is generated by a coil provided in the slider 5 and at the same time, the semiconductor laser 41 emits light, thereby forming a recording mark (data) on the magnetic disk 14. Data recorded on the magnetic disk 14 is reproduced by the magnetic reproducing element 4 formed in the slider 5. The signal processing of the reproduction signal is performed by the signal processing circuit 54.

なお、図30に示す記録装置では、実施例1による熱アシスト磁気ヘッドを搭載したが、実施例2及び実施例3による熱アシスト磁気ヘッドを搭載した場合も基本な構成は同じであり、半導体レーザ41の実装位置が異なるだけである。   In the recording apparatus shown in FIG. 30, the heat-assisted magnetic head according to the first embodiment is mounted, but the basic configuration is the same when the heat-assisted magnetic head according to the second and third embodiments is mounted. Only the mounting position of 41 differs.

本発明は、高記録密度を実現する熱アシスト磁気記録装置に適用可能である。   The present invention is applicable to a heat-assisted magnetic recording apparatus that realizes a high recording density.

1…近接場光発生素子、
2…主磁極、
3…記録用導波路、
4…再生素子、
5…スライダ、
6…磁気ヘッド部、
7…コイル、
8…磁極、
9…シールド、
10…ポリマー導波路、
11…クラッド、
12…ミラー、
13…サスペンション、
14…磁気ディスク、
14′…記録層、
15…クラッド、
16…アライメント用導波路、
17…媒体対抗面(浮上面)、
18…出射端、
19…入射光、
20…台座、
21…光ファイバ、
22…マイクロレンズ、
23…アライメントマーク、
24,24′…導波路用マウント、
25…中間屈折率層、
27…ミラー、
28…ホルダ、
29…観察用光学系、
30…光検出器、
31…レンズ、
32…フォトダイオード又はCCD素子、
33…溝、
34…微小開口、
38…アライメント用導波路、
40…フレクシャー、
41…半導体レーザ、
42…ミラー、
43…レーザ用マウント、
44…ホルダ、
45…アライメント用開口、
46…記録用レーザ光透過用開口、
56…近接場光が発生する頂点、
59…遮光膜、
60…分布屈折率レンズ、
61…出射光、
62…反射光、
63…ビームスプリッタ、
64…出射端面からの反射光、
65…アライメントマークからの反射光、
66…導波路、
67…クラッド、
68…入射側ミラー、
69…アライメント用導波路から出射する光、
70…アライメント用導波路に入射する光、
100,102,104…熱アシスト磁気ヘッド。
1 ... near-field light generating element,
2 ... Main pole,
3. Recording waveguide,
4 ... reproducing element,
5 ... Slider,
6 ... Magnetic head part,
7 ... Coil,
8 ... Magnetic pole,
9 ... Shield,
10: Polymer waveguide,
11 ... clad,
12 ... Mirror,
13 ... Suspension,
14 ... Magnetic disk,
14 '... recording layer,
15 ... clad,
16 ... waveguide for alignment,
17 ... Medium facing surface (floating surface),
18 ... the emission end,
19: Incident light,
20 ... pedestal,
21: Optical fiber,
22 ... Microlens,
23 ... Alignment mark,
24, 24 '... Waveguide mount,
25 ... Intermediate refractive index layer,
27 ... Mirror,
28 ... Holder,
29 ... Observation optical system,
30: Photodetector,
31 ... Lens,
32. Photodiode or CCD element,
33 ... Groove,
34 ... a small opening,
38 ... Waveguide for alignment,
40 ... flexure,
41. Semiconductor laser,
42 ... Mirror,
43 ... Laser mount,
44 ... Holder,
45 ... Alignment opening,
46. Recording laser beam transmitting aperture,
56 ... vertex where near-field light is generated,
59 ... light shielding film,
60: distributed refractive index lens,
61 ... outgoing light,
62 ... reflected light,
63 ... beam splitter,
64 ... reflected light from the emission end face,
65 ... reflected light from the alignment mark,
66 ... waveguide,
67 ... Clad,
68. Incident side mirror,
69. Light emitted from the alignment waveguide;
70: Light incident on the alignment waveguide;
100, 102, 104: Thermally assisted magnetic head.

Claims (8)

光源と、
媒体対向面と、磁界を発生する磁気ヘッド部と、前記磁気ヘッド部の近傍であって前記媒体対向面の近傍に設けられた光照射部と、前記光源からの出射光を前記光照射部に導く導波路とを有するスライダと、を備える熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
前記スライダの導波路の脇にアライメント用導波路を2本以上有し、前記光源の光出射点の脇にアライメントマークを有し、前記スライダの媒体対向面と反対側に前記光源が取り付けられていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
A light source;
And the medium facing surface, the magnetic head for generating a magnetic field, a light irradiation unit provided in the vicinity of the medium facing surface in the vicinity of the magnetic head, to the light irradiation section light emitted from the light source A thermally assisted magnetic head comprising: a slider having a guiding waveguide;
The alignment guide on the side of the waveguide of the slider possess two or more, has an alignment mark on the side of the light emitting point of the light source, said light source is mounted on the opposite side of the medium facing surface of the slider thermally assisted magnetic head is characterized in that there.
請求項1記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記光源は半導体レーザであることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。2. The heat-assisted magnetic head according to claim 1, wherein the light source is a semiconductor laser . 請求項1記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメントマークは溝であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。2. The heat-assisted magnetic head according to claim 1, wherein the alignment mark is a groove . 光の出射点の両側にアライメントマークを有するレーザ基板、又は光を導入する第1の導波路を支持し該第1の導波路の両側にアライメントマークを有する支持部材を用意する工程と、
媒体対向面と、磁界を発生する磁気ヘッド部と、該磁気ヘッド部の近傍であって前記媒体対向面の近傍に設けられた光照射部と、前記媒体対向面と反対側に入射端を有し前記光照射部に光を導く第2の導波路と、該第2の導波路の両側に前記アライメントマークと同じ間隔のアライメント用導波路とを有するスライダを用意する工程と、
前記スライダの媒体対向面と反対側に、前記光源又は支持部材を前記アライメントマークを有する側を対向させて配置する工程と、
前記スライダのアライメント用導波路に、媒体対向面側から前記第2の導波路に導入する光とは別の光を導入する工程と、
前記アライメント用導波路から出射する光の位置と前記アライメントマークが重なるように、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程と、
前記スライダと前記光源又は支持部材を固定する工程と、
を有することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法
Preparing a laser substrate having alignment marks on both sides of the light emission point, or a supporting member having a first waveguide for introducing light and having alignment marks on both sides of the first waveguide;
A medium facing surface, a magnetic head unit that generates a magnetic field, a light irradiation unit provided in the vicinity of the magnetic head unit and in the vicinity of the medium facing surface, and an incident end on the opposite side of the medium facing surface. Preparing a slider having a second waveguide for guiding light to the light irradiation section, and alignment waveguides having the same spacing as the alignment marks on both sides of the second waveguide;
A step of disposing the light source or the support member on the side opposite to the medium facing surface of the slider with the side having the alignment mark facing;
Introducing light different from light introduced into the second waveguide from the medium facing surface side into the alignment waveguide of the slider;
Adjusting the position of the slider and the light source or support member so that the position of the light emitted from the alignment waveguide and the alignment mark overlap;
Fixing the slider and the light source or the support member;
A method for assembling a thermally assisted magnetic head , comprising:
請求項記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記アライメントマークを透過する光の強度を検出し、検出した光の強度が最大もしくは最小となるように調整する工程であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法 5. The method of assembling a thermally-assisted magnetic head according to claim 4 , wherein the step of adjusting the positions of the slider and the light source or the support member detects the intensity of light transmitted through the alignment mark, and the detected light intensity is maximum. Alternatively , a method of assembling a thermally assisted magnetic head , characterized by being a step of adjusting to a minimum . 請求項記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記アライメントマークにより反射された光の強度を検出し、検出した光の強度が最大もしくは最小となるように調整する工程であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法 5. The method of assembling a thermally-assisted magnetic head according to claim 4 , wherein the step of adjusting the position of the slider and the light source or the support member detects the intensity of light reflected by the alignment mark, and the detected light intensity is A method of assembling a thermally assisted magnetic head , characterized by being a step of adjusting to a maximum or minimum . 請求項記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記アライメントマークにより反射された光の強度を前記アライメント用導波路ごとに検出し、それぞれの強度を比較することにより、前記光源又は支持部材の傾きを調整する工程を含むことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法7. The method of assembling a thermally-assisted magnetic head according to claim 6 , wherein the step of adjusting the positions of the slider and the light source or the support member detects the intensity of light reflected by the alignment mark for each of the alignment waveguides. A method for assembling a thermally assisted magnetic head , comprising the step of adjusting the inclination of the light source or the support member by comparing the respective intensities . 請求項5又は6記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記光源又は支持部材を振動させ、前記検出した光の強度の内、前記振動の周波数で変調された成分を検出する工程を含むことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法The method of assembling the thermally-assisted magnetic head according to claim 5 or 6 , wherein the step of adjusting the position of the slider and the light source or the support member vibrates the light source or the support member, and includes the detected light intensity, A method for assembling a thermally-assisted magnetic head , comprising the step of detecting a component modulated at the frequency of the vibration .
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