JP5025478B2 - 改良された化学機械平坦化の方法およびシステム - Google Patents

改良された化学機械平坦化の方法およびシステム Download PDF

Info

Publication number
JP5025478B2
JP5025478B2 JP2007535807A JP2007535807A JP5025478B2 JP 5025478 B2 JP5025478 B2 JP 5025478B2 JP 2007535807 A JP2007535807 A JP 2007535807A JP 2007535807 A JP2007535807 A JP 2007535807A JP 5025478 B2 JP5025478 B2 JP 5025478B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
polishing
polishing pad
guide plate
slurry distribution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007535807A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008516452A (ja
Inventor
バジャジ,ラジェーヴ
Original Assignee
バジャジ,ラジェーヴ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by バジャジ,ラジェーヴ filed Critical バジャジ,ラジェーヴ
Publication of JP2008516452A publication Critical patent/JP2008516452A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5025478B2 publication Critical patent/JP5025478B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

関連出願
(関連出願)
本出願は、それぞれ参照によって本明細書に組み込まれている、2004年10月6日出願の米国仮出願第60/616944号と、2004年12月27日に出願された米国仮出願第60/639257号に関し、かつその優先権の利益を主張する仮出願でない出願である。
本発明は、化学的機械平坦化(chemical mechanical planarization:CMP)の分野に関し、具体的には、CMP処理において使用されるCMP研磨パッドの構造的特性と機械的特性に関する。
現在の集積回路(IC)の製作では、半導体ウェハの上に以前に形成された埋込み構造に材料の層が加えられる。化学機械平坦化(CMP)は、所望の構造を達成するためにこれらの層を除去するため、かつウェハの表面を平坦に研磨するために使用される研ぐプロセスである。CMPは、酸化物と金属の両方について実施することが可能であり、一般に、ウェハに対して移動する研磨パッド(例えば、パッドは、ウェハに対して円状に回転することが可能である)を介して加えられた化学スラリの使用を含む。結果として得られる平滑で平坦な表面は、後続ステップのためのフォトリソグラフィの焦点深度を維持し、かつ金属相互接続が外形ステップで変形しないことを保証するために必要である。ダマシン処理は、相互接続構造を形成する目的で、誘電体の上面からタングステンまたは銅などの金属を除去するために、CMPを必要とする。
パッド/スラリの組合せの平坦化/研磨の実施は、研磨パッドの機械的特性や、スラリの化学的特性とその分配によって影響を受ける。スラリを分配するために、研磨パッドは孔を含むか溝を含み、その両方を含むこともある。しかしこれにより、研磨パッドの全体的な強度は低下し、研磨パッドはより柔軟になり、したがって平坦化の特徴は低下する。例えば、図1Aは、柔軟な研磨パッドをウェハ100に適用する結果としての「ディシング(dishing)」を示す。柔軟な研磨パッドは、平滑な表面を提供するが、基板102の表面上の銅層104などのより柔らかい要素を過剰に研磨することによってディシング106が形成される。ディシングの結果、金属の厚さが失われるのは望ましくなく、デバイス性能が不良となる。
ディシングは、より優れた平坦化を提供することができるより硬い研磨パッドを使用することにより、軽減または排除することができる。パッドは、パッドの孔および/または溝の数を減らすことによってより硬くすることが可能であるが、これは、不良なスラリ分配など、異なる結果をもたらすことがある。正味の効果は、例えば、比較的硬い研磨パッドをウェハ100に適用する結果として生じることがある表面欠陥108を示している図1Bに示されるように、基板102および/または銅層104の上の表面欠陥108の数を増やす(例えば、表面/層をスクラッチするおよび/またはピッチングすることによって)可能性がある。
柔軟であるか柔軟でないにかかわらず、研磨パッドは、通常、成形され、微細孔の要素で充填されたか、またはポリウレタンでコーティングされた不織フェルトからのウレタンで作成される。研磨中、パッド表面は、研磨力のために変形する。したがって、パッド表面は、調整プロセスを介して「再生成」されなければならない。調整プロセスは、パッドが研磨プロセス中とほぼ同じように回転している間、ダイヤモンドで覆った微小なディスクをパッド表面にプレスすることを含む。調整ディスクのダイヤモンドが、研磨パッドの上側の層を全体にわたって切り落として、下にある新規な研磨パッド表面を露出させる。
これらの概念は、図2A〜2Cに絵で示されている。具体的には、図2Aは、従来の新しい研磨パッド110の側面破断図を示す。研磨パッド110は、Rhom&Haas,Inc.のIC1000などの市販の研磨パッドにおいて見られるものとほぼ同様の微細要素114と溝116を含む。図2Bは、研磨後の研磨パッド110の表面112を示す。パッドの上面は、具体的には、大きなウレタン材の柔軟なまたは粘りのある流れにより縁が劣化している、微細要素114の周囲の劣化118を示す。図2Cは、調整プロセスが完了した後の研磨パッドの表面112を示す。溝116の深さは、調整中の材料除去のために、図2Aに示す新しいパッドの場合より浅いことに留意されたい。
何回かの研磨や調整のサイクルにわたって、パッドの全体的な厚さは、パッドを交換する必要があるような点まで磨耗するのが一般的である。パッドの磨耗率はパッドごとに違い、またパッドのバッチごとにも違うことが当業者には明らかである。現在、パッドの磨耗、したがってパッドの使用期間の終了を決定する定量的な方法はない。代わりに、パッドの使用期間の終了は、通常、残存する溝の深さを検査するパッド表面の視覚検査に基づいている。溝のないパッドの場合、パッドの使用期間の終了の決定は、通常、研磨されたウェハの数、またはパッドが最初に使用されてからの経過時間に基づく。そのような方法はとりわけ正確ではないので、「パッドの使用期間の終了」を決定する一貫した定量的な手段が実現されることが望ましい。すなわち、パッド表面の有限な磨耗に基づく検出方法が、パッド交換のための確実な根拠を確立するのに有用である。
本発明の実施態様により構成された研磨パッドは、研磨パッドに付着された多孔性スラリ分配層を一方の側に有し、かつ圧縮可能な下層を他方の側に有するガイド・プレートを含む。互いにおよびガイド・プレートに対して平面配向して維持されるように、スラリ分配層とガイド・プレートを通ってインターデジティテッドしている(interdigitated; 訳注:図4に206示すように分布しながらある面から突出している)複数の研磨要素が、圧縮可能な下層に付着されており、各研磨要素は、スラリ分配層が隣接しているガイド・プレートの表面から上に突出する。任意選択で、ガイド・プレートとスラリ分配層の間に位置する膜が含まれることがある。そのような膜は、導電性膜または非導電性膜とすることができ、接着剤によってガイド・プレートに固定することが可能である。いくつかの場合、膜は、イオン交換膜とすることが可能である。
研磨パッドのガイド・プレートは、非導電性材料で作成することが可能であり、個々の研磨要素が収容される穴を含む。研磨要素のいくつかは、円形の断面を有するが、その他三角形の断面またはあらゆる他の断面形状を有することが可能である。あらゆる場合において、研磨要素は、伝熱性材料、導電性材料、または非導電性材料のいずれか1つまたはその組合せから作成することが可能である。例えば、研磨要素は、導電性ポリマー・ポリアニリン、炭素、グラファイト、または金属充填ポリマーで作成することが可能である。研磨要素の1つまたは複数は、ウェハ表面とスライド接触するようにすることが可能であり、一方その他では、ウェハ表面と回転接触する(例えば、ポリマー材料、金属酸化物材料、または導電性材料で作成された回転チップで)ようにすることが可能である。
スラリ分配材料は、いくつかのスラリ流れ抵抗要素(例えば孔など)を含み、10パーセントと90パーセントの間の多孔度とすることが可能である。スラリ分配材料は、接着剤によってガイド・プレートに固定されることが好ましいが、必須ではない。いくつかの場合、スラリ分配材料は、異なる材料の複数の層を含むことが可能である。例えば、スラリ分配材料は、比較的大きな孔を有する表面層、および比較的小さい孔を有する下の層を含む。スラリ分配要素とガイド・プレートの機能を、単一の材料によって実現させることができることも考慮可能である。そのような材料は、表面にわたるスラリの流れを変えるために、開放細孔フォーム面または溝またはバフルを有するガイド・プレートとすることが可能である。
研磨パッドはまた、パッドの磨耗および/または使用期間終了を表示するように構成された磨耗センサを含むことも可能である。
本明細書において、半導体ウェハとそのようなウェハ上の金属ダマシン構造を含む半導体ウェハ上の層状構造を研磨するための、改良されたCMP研磨パッドと研磨プロセスが記述される。本発明は、CMP処理の品質における、研磨パッドの物理的特徴の影響を認識している。具体的には、より柔軟な研磨パッドはディシングを作成し、一方、低減されたスラリ分配を有するより硬いパッドは、より多くの表面欠陥を作成する。様々な研磨パッドの構成(例えば、幾何学的な範囲、比率、材料の具体的な例を有する)や研磨プロセスが本明細書において例示されるが、本発明は、他のタイプの研磨パッド製作材料や付着除去技法を含むように、同様に適用することができることを理解されたい。言い換えれば、そのような他の材料と技法の使用は、本明細書に添付される請求項において述べられる本発明の範囲内にあると見なされる。
様々な研磨パッドの構成に加えて、本発明は、サブミクロンの粒子を含むことが可能である研磨流体と組み合わせて、加工された複数積層ポリマー・パッドの表面にウェハをプレスし、加圧下においてウェハを研磨パッドに対して移動させ、移動加圧接触によりウェハの面を平面除去することとを含む、研磨プロセスを含む。本発明の実施形態により構成された研磨パッドは、様々な要素:研磨流体分配層、研磨接触または要素、ガイド・プレート、任意選択のしなやかで弾性の(すなわち圧縮可能な)下層を含む。いくつかの場合、様々なパッド要素はポリマーであり、研磨要素は、Pani(商標)(商標名ORMECOM(商標)で入手可能)として市場で既知の導電性ポリマー・ポリアニリン、炭素、グラファイト、または金属充填ポリマーなど、導電性材料で作成することが可能である。他の実施形態では、研磨要素は、炭素、グラファイト、または金属充填ポリマーなどの伝熱性材料で作成することもある。スラリ分配材料は、開放セル・フォームおよび圧縮可能な下層の閉鎖セル・フォームとすることが可能である。スラリ分配機能はまた、溝をガイド・プレートの上に設けることによって、またはスラリの流れが変わるようにバフルを創出することによって達成することも可能である。
パッドが使用されているとき(すなわち、パッドがウェハ表面に対して移動しているとき)、研磨要素は、ウェハの表面とスライド接触または回転接触する。後者の場合、1つまたは複数の研磨要素が、円筒本体と回転チップを有する。回転チップは、ポリマー材料、金属酸化物材料、または導電性材料など、様々な材料で作成することが可能である。回転チップ研磨要素が、スライド接触研磨要素と同様にパッド材料に組み込まれてもよい。
本明細書において記述される研磨パッドは、CMP処理に関連付けられた様々な処理ステップで使用することが可能である。これは、多段ステップ・プロセスにおける使用を含み、複数の研磨パッドと様々な特徴のスラリが、1つのステップ・プロセスに続いて使用され、この場合、1つの研磨パッドと1つまたは複数のスラリが、研磨段階全体にわたって使用される。
本発明のいくつかの実施形態では、研磨パッドは、パッドの研磨表面の磨耗、または単に「バッドの使用期間の終了」を定量的に決定する能力を有するように構成されている。例えば、「パッド使用期間終了」センサ、またはより一般的には「検出センサ」が、上面から所定の深さ(すなわち研磨要素の先端から測定して)に埋め込まれる。パッドが、センサが配置または活動化される事前に設定された厚さまで磨耗すると、センサは磨耗を検出し、入力を研磨システムに与える。
使用期間終了センサは、反射コーティングで覆われた上面を有する光透過性円筒プラグからなる。プラグは、プラグの反射端部が所定の高さだけパッドの上面より下に位置するように、パッドに埋め込まれる。光源と検出器が、光透過性ウィンドウを介して研磨装置のプラテンに配置される。光ビームが新しいパッドのプラグに入射するとき、反射表面は光を後方に反射し、パッドが有用な使用期間内にあることを示す。しかし、パッドが所定のレベルまで磨耗し、プラグの上部が、そのときに露出されているパッド表面と同じレベルであるとき、反射表面は研磨されて除去され、光がパッドを透過する。したがって、反射光信号の強度の結果的な変化は、パッドの磨耗を表すフィードバックを提供する。この変化は、「パッドの使用期間の終了」を決定するために使用することができる(例えば、使用期間の終了は、以前に確立された閾値にある、またはそれより下である反射信号強度によって示すことが可能である)。
検出ハードウェアは、パッド(およびプラテン)より下、またはパッドより上にあることが可能であり、光学インサートは、反射光信号を検出し、解釈するために、適切に修正することができる。1つまたは複数のそのようなプラグが、残りのパッドの使用期間のパーセンテージを決定するために使用される。例えば、異なるプラグが、パッドの使用期間の25%、50%、75%、100%(または他の増分)に対応して、異なる深さに埋め込まれる。このようにして、パッド磨耗情報を提供することができる。
本発明の他の実施形態では、単一円錐プラグを、パッド表面と同一平面になるように取り付け、パッドの使用中に露出されて開いているプラグのサイズが、パッドの磨耗、したがってパッドの使用期間のパーセンテージに関する情報を提供するようにしてもよい。他の実施形態では、プラグは、パッドの磨耗につれ様々な程度に露出される複数段付き表面を有することが可能である。段の高さは、パッドの磨耗のパーセンテージに関する情報を提供するように較正することが可能である。
本発明の他の実施形態では、パッド使用期間センサ・プラグは、反射率の順に構成された様々な程度の透過率を有するスクリーンを含む。例えば、上部層は、100%の反射率(例えば、そのプラグの全反射)を有し、新しいパッド表面と同一平面上(またはほぼ同一平面上)にある。プラグ深さの25%において、例えば75%の反射率を有するスクリーンが埋め込まれり、同様にプラグ深さの50%において、50%の反射率のスクリーンが埋め込まれ、プラグ深さの75%において、25%の反射率のスクリーンが埋め込まれる。当然、これらの相対的な深さと反射率のパーセンテージは、設計者の具体的な要求に従って、同様の機能を達成するように変更することが可能である。
当初、そのようなプラグ/スクリーン構成では、入射ビームは完全に反射され、パッドの使用期間は100%である(すなわち新しいパッド)と判定される。パッドが磨耗するにつれ、上部反射層は除去され、75%(およびそれ以下)の反射率のスクリーンが関与する。各そのようなスクリーンが露出される(その後さらなる磨耗によって除去される)際、反射信号の強度により、残りのパッドの使用期間を決定することができる。したがって、単一要素を使用して、パッドの使用期間を検出し、監視することができる。
本発明の様々な実施形態において、センサは、新しいとき、パッドの上面からの1つまたは複数の所定の深さにおいてパッドに埋め込まれた2つ以上のプローブを含む電気化学センサとすることが可能である。パッドが磨耗して、プローブを露出させる際、スラリは、プローブ間の電気接続性を提供し、それにより形成された結果として得られる電気信号経路は、パッドの磨耗、および最終的にはパッドの使用期間の終了を検出する目的で、信号を検出器に送信すなわち搬送するために使用することができる。
他の実施形態では、センサは、新しいとき、パッドの表面より下の所定の深さに埋め込まれた導電性プレートとすることが可能である。外部の容量性センサまたは渦電流センサが、導電性プレートからの距離、したがってパッドの厚さまたはパッドの磨耗を検出するために使用される。本発明のこの実施形態や他の実施形態が、以下においてさらに議論される。
ここで図3Aを参照すると、CMP処理において使用され、かつ本発明の一実施形態により構成された円形研磨パッド200の破断側面プロファイル図が示されている。使用時、研磨パッド200は、研磨されているウェハ表面に対して回転し、研磨パッドの表面がウェハ接触表面202においてウェハと接触する(通常は加圧下において)。スラリ分配材料204は、研磨要素206間のスラリ経路内で流れを制御する。
研磨パッドの基礎はガイド・プレート208であり、これは、研磨要素206を横方向で支持し、ポリマー材料またはポリカーボネート材料などの非導電性材料で作成される。本発明の一実施形態では、ガイド・プレート208は、研磨要素206のそれぞれを収容するために、ガイド・プレート208の中に形成された、またはドリルされた孔を含む。研磨要素206は、両面テープまたはエポキシなどの接着剤によって適所に保持された、ガイド・プレート208(研磨要素が通過する)以外の面に固定することも可能である。例えば、研磨要素206は、柔軟な下層(以下で議論される)またはハウジング(これも以下で議論される)に付着させることが可能であり、その際、ガイド・プレート208の穴を通って長軸方向の垂直方向に自由に移動できる。研磨要素は、研磨要素が通過するガイド・プレートの孔の直径より大きいベース直径を有するように構成される。例えば、研磨要素の本体は、直径「a」を有し、ガイド・プレートの孔は、「b」が「a」よりわずかに大きいが、それにもかかわらず、研磨要素のベースの直径である直径「c」より小さい直径「b」を有する。したがって本質的に研磨要素は、平坦なプレートの上に置かれた円筒に似ている。様々な実施形態において、ガイド・プレート208通る孔の深さと間隔は、特定のCMPプロセスに適合された最適方式に従って変更することが可能である。研磨要素は、それぞれ、互いにかつガイド・プレートに対して平面配向に維持される。
研磨要素206は、図3Aに示すように、ガイド・プレート208の表面から上に突出している。これにより、スラリ分配のために、インターデジティテッドされた研磨要素206とガイド・プレート208の間に容積が設けられる。研磨要素は、様々な幾何学的形状(例えば、円形および/または三角形の断面)とすることが可能であり、熱的に又は電気的に導通性および非導通性の材料のいずれか1つまたは組合せから作成することが可能である。例えば、研磨要素206は、導電性ポリマー、Pani(商標)(商標名ORMECOM(商標))として市場において既知のポリアニリン、炭素、グラファイト、または金属充填ポリマーなど、導電性材料または伝熱性材料で作成することが可能である。研磨要素206は、ウェハとスライド接触する従来の研磨要素とすることが可能であり、あるいは、いくつかの要素または各要素は、回転接触を含むことが可能である。例えば、いくつかまたは各研磨要素206は、ボールペンの先端と同様に円筒本体と回転チップを有することが可能である。回転チップは、ポリマー、金属酸化物、導電性材料とすることが可能である。
様々な実施形態において、研磨要素206はまた、2.5ミリメートル以下だけスラリ分配材料204より上に突出する。しかし、この値は、研磨要素206の材料特性表面にわたるスラリの所望の流れに応じて2.5ミリメートルを超えてもよいことが理解されるであろう。
本発明の一実施形態では、インターデジティテッドされた研磨要素206間の容積はスラリ分配材料204で少なくとも部分的に充填される。スラリ分配材料204は、CMP処理中にスラリの流量を規制するために、バフルまたは溝(図示せず)あるいは孔など、流れ抵抗要素を含む。様々な実施形態において、多孔性スラリ分配材料204は、10パーセントと90パーセントの間の多孔度を有し、ガイド・プレート208の上に重なっている。スラリ分配材料204は、両面テープなどの接着剤によってガイド・プレート208に固定される。さらに、スラリ分配材料204は、スラリ分配材料204の様々な深さ(研磨表面から)において所望のスラリ流量を達成するために、異なる材料の様々な層からなることもある。例えば、研磨表面における表面層は、表面上のスラリの流れの量と率を増大させるために、より大きな孔とし、一方、より下の層は、スラリの流れを規制するのを補助するために、より多くのスラリを表面の付近に維持するようにより小さい孔とする。
研磨パッド200はまた、膜210を含むこともあり、膜210は、ガイド・プレート208の表面上に位置し、かつガイド・プレート208とスラリ分配材料204の間や、ガイド・プレート208へ延びる研磨要素206の各部分とインターデジティテッドされた容積との間に障壁を形成する。他の場合、膜は、ガイド・プレート208より下に位置することが可能である。膜210は、導電性膜または非導電性膜とすることが可能であり、両面テープまたはエポキシなどの接着剤によってガイド・プレート208に固定することが可能である。例えば、膜210は、電荷は通過させるが、液体は通過させないイオン交換膜とすることが可能である。
研磨パッド200はまた、ガイド・プレート208、膜210、研磨要素206、スラリ分配材料204が、少なくともそれらの周囲が部分的にハウジング212内にあるように構成されたハウジング212を含む。ハウジング212は、研磨動作中にパッド200を回転または操作する手段の境界となるとともに、追加の安定性を研磨パッド200に与える。ハウジング212は、ポリマー、金属などの任意の剛性材料で作成され、両面テープまたはエポキシなどの接着剤によってガイド・プレート208に固定される。
研磨パッド200の厚さ214(T)は、使用中の研磨パッドの剛性と物理的特徴に影響を与える。一実施形態では、厚さは、25ミリメートルであるが、この値は、研磨パッド200の構築に使用される材料や、実施されるCMPプロセスのタイプにより、3ミリメートルから10ミリメートルまで変化する。
ここで図3Bを参照すると、研磨パッド200Aが示されている。このパッド200Aは、図2Aを参照して記述されたパッド200の構造と同様であるが、圧縮可能な下層216を含む。圧縮可能な下層216は、特徴の中でも、圧縮されたときに研磨表面に向けられる正の圧力を提供する。通常、圧縮は、5psi(1インチ平方あたりのポンド、約34.5kPa)において10%とすることが可能であるが、圧縮は、研磨パッド200の構築に使用される材料やCMPプロセスのタイプに応じて変更されることは理解できるであろう。圧縮可能な下層216は、RBX Industries,Inc.によって作成されたBONDTEX(商標)フォームで形成することが可能である。様々な実施形態において、圧縮可能な下層216は、ハウジング212の内部に含む、ハウジング212の外部にある、またはハウジング212の代わりに使用することが可能である。
図4は、本発明の一実施形態により構成された研磨パッド300の平面図を示す。研磨要素206は、研磨パッド300全体にわたってインターデジティテッドされてる。スラリ分配材料204は、ガイド・プレート(図示せず)から突出し、かつハウジング212によって囲まれている研磨要素206によって作られた容積全体に広がっている。その容積がスラリ経路302となっており、スラリ分配材料204は、図3Aを参照して上記で議論したように、スラリの流れを制御する機構を提供する。
研磨要素206の分布は、特定のCMPプロセスとスラリ分配の特徴により変更することが可能である。様々な実施形態において、研磨要素206は、各研磨要素206の直径304(D)と研磨パッド300の直径によって決定される、研磨パッド表面積全体に対して30パーセントと80パーセントの間の密度である。一実施形態では、直径304は、少なくとも50マイクロメートルである。他の実施形態では、直径は、50マイクロメートルと30ミリメートルの間で変化することが可能である。研磨要素の通常の直径は、3mm〜10mmである。
上記で指摘したように、本発明の実施形態により構成されたいくつかの研磨パッドは、パッドの使用期間の断片的または完全な終了(例えば、使用期間の終了をもたらすパッドの磨耗)を判定するセンサを組み込む。光、電気化学、または電流に基づくセンサを使用して、そのような磨耗/使用期間の終了を決定することができる。センサは、その上面より下の1つまたは複数の所定の深さにパッドに組み込まれる。センサは、パッドの磨耗によって露出されるとき、光信号の送信、または電気化学センサの場合は導電性が回路を閉じ、それにより、そのような信号がセンサから1つまたは複数の検出器に送信される。渦電流センサまたは容量性センサの場合、導電性プレートがパッドの上面より下に埋め込まれることが可能であり、検出器は、パッドより上または下に配置される。したがって、プレートとセンサの間のパッドの厚さは、検出器によって知覚される信号の強度に影響を与え、断片的または完全なパッドの使用期間の終了を決定するために使用される。
図5Aは、パッド304に埋め込まれた光センサ302の破断側面プロファイル図である。光センサ306の上面は、入射ビーム308が上面より下にある間、入射ビーム308が後方に反射される310ように反射性である。そのようなセンサは、パッドの研磨表面の磨耗または単に「パッド使用期間の終了」を定量的に決定する能力を有して研磨パッドが構成される本発明のいくつかの実施形態について有用である。例えば、光センサ302は、「パッド使用期間の終了」センサとして、またはより一般的には上面から所定の深さにおいて(すなわち、研磨要素の先端から測定して)パッド304に埋め込まれた「検出センサ」として作用することが可能である。パッドが、センサが配置または活動化される事前設定された厚さまで磨耗する際、センサは磨耗を検出して、入力を研磨システムに提供する。
センサ302は反射コーティングで覆われた上面を有する光透過性円筒プラグである。プラグは、プラグの反射端部がパッドの上面より所定の高さだけ下に位置するように、パッド304に埋め込むことが可能である。光源と検出器が、光透過性ウィンドウを介して研磨装置のプラテンに配置される。光ビームが新しいパッドに入射するとき、反射表面は光を後方に反射し、これは、パッドが依然として有用な使用期間内にあることを表す。しかし、パッドが所定のレベルまで磨耗し、プラグの上部が、そのとき露出されているパッド表面とほぼ同じレベルにあるとき、反射表面は研磨して除去され、光がパッドを透過する。したがって、結果的な反射光信号強度の変化は、パッドの磨耗を表すフィードバックを提供する。この変化は、「パッド使用期間の終了」を決定するために使用することができる(例えば、使用期間の終了は、以前に確立された閾値にある、またはそれより下の反射信号強度によって表すことが可能である)。
検出ハードウェアは、パッド(およびプラテン)より下、またはパッドより上にあることが可能であり、光学インサートは、反射光信号を検出し、解釈するように適切に修正することができることが明らかである。1つまたは複数のそのようなプラグは、残りのパッド使用期間のパーセンテージを決定するために使用することが可能である。例えば、異なるプラグが、パッド使用期間の25%、50%、75%、100%(または他の増分)に対応して、異なる深さに埋め込まれる。このようにして、パッドの磨耗情報を提供することができる。
本発明の他の実施形態では、パッドの使用中に露出されているプラグ開口のサイズが、パッドの磨耗、したがってパッドの使用期間のパーセンテージに関する情報を提供するように、単一円錐プラグが、パッド表面と同一平面上にあるように取り付けられる。他の実施形態では、プラグは、パッドが磨耗する際に様々な程度に露出される複数段付き表面を有する。段の高さは、パッドの磨耗のパーセンテージに関して情報を提供するように較正することが可能である。
本発明のさらに他の実施形態では、パッド使用期間センサ・プラグは、反射率の順に構成された様々な透過率を有するスクリーンを含む。例えば、上部層は、100%の反射率(例えば、そのプラグの全反射)を有し、かつ新しいパッド表面と同一平面上(またはほぼ同一平面上)にある。プラグの深さの25%において、例えば75%の反射率を有するスクリーンが埋め込まれ、同様に、プラグの深さの50%において、例えば50%の反射率を有するスクリーンが埋め込まれ、プラグの深さの75%において、例えば25%の反射率を有するスクリーンが埋め込まれる。当然、これらの相対的な深さと反射率のパーセンテージは、設計者の特定の要求により、同様に機能を達成するように変更することが可能である。
図5B〜5Eは、本発明の実施形態による研磨パッド304と関連して使用することが可能である、上記で議論された光センサ設計の例を示す。当然、光センサの他の構成を使用することも可能である。具体的には、図5Bは、反射表面306’を有する複数段光センサ312を示し、図5Cは、複数の反射表面306”を有する単一センサ314を示し、図5Dは、反射表面を単一センサに組み込む他の手段を示す。この場合、反射表面306'''は、三角形断面センサ316の側面を備える。図5Eは、可変領域光センサ318を示し、それにより、反射表面316の断面積の比率は、残りの残余パッド使用期間を表す。センサ312、314、316、318は、パッドの上面と同一平面上にある状態で、研磨パッドに組み込むことができることが、当業者には明らかであろう。反射光信号の強度の変化は、パッド使用期間の終了を決定するパッド磨耗に関する情報を提供する。
本発明の他の実施形態では、使用期間終了センサは、パッドが新しいときにパッドの上面から1つまたは複数の所定の深さに埋め込まれた2つ以上のプローブを含む電気化学センサとすることが可能である。そのような構成の例が、新しいパッド404の表面より下に配置された電気化学センサ402を示す図6Aに示されている。パッドが磨耗して、プローブが露出すると、スラリがプローブ間を電気的に接続し、それにより形成された結果として得られる電気信号経路が、パッドの磨耗、最終的にはパッド使用期間の終了を検出する目的で、信号を検出器に送信または搬送するために使用することができる。図6Bは、パッドの磨耗のために露出された電気化学センサを示し、プローブ406は、スラリ要素408が存在することによって接続される。回路における連続性は、あるパッドの磨耗が生じたことを表す。
本発明の他の実施形態では、使用期間終了センサは、パッドが新しいときにパッドの表面より下の所定の深さに埋め込まれた導電性プレートとすることが可能である。外部の容量性センサまたは渦電流センサが、導電性プレートからの距離、したがってパッドの厚さまたはパッドの磨耗を検出するために使用される。図7Aは、パッドの表面504より下に埋め込まれた導電性プレート502を有するこの構成の例を示す。容量性センサ・プート506が、パッドの磨耗を表す分離を決定するために、パッドの上面において保持される。図7Bは、分離を決定するためにパッドの上面において保持された渦電流センサ508を有するこの構成を示す。
以上において、半導体ウェハ、およびそのようなウェハ上の金属ダマシン構造を含む半導体ウェハ上の層状構造を研磨するための改良されたCMP研磨パッドと研磨プロセスが記述された。本発明の研磨パッドとその研磨パッドを使用するプロセスは、ある例示を参照して議論されたが、本発明の範囲は、そのような例によって限定されるべきではないことを思い出されたい。代わりに、本発明の真の範囲は、添付の請求項の観点から判断されるべきである。
CMP動作中に比較的柔軟な従来の研磨パッドを使用することによって生じたディシングの例を示す図である。 CMP動作中に比較的硬い研磨パッドを使用する結果として生じるウェハ/層のスクラッチまたはピッチングの例を示す図である。 従来の研磨パッドによって受けるパッド磨耗の概念を示す図である。 A:CMP動作において使用される本発明の一実施形態により構成された円形研磨パッドの破断側面図である。B:図2Aに示すものと同様であるが、本発明の他の実施形態による圧縮可能な下層を含む研磨パッドを示す図である。 本発明の他の実施形態による、スラリが通って流れることが可能であるインターデジティテッドした研磨要素を有する研磨パッドの上面図である。 A:パッド304に埋め込まれた光センサ302の破断側面プロファイル図である。B−E:本発明の実施形態により構成された研磨パッドと共に使用することが可能である光センサの設計を示す図である。 A:本発明の実施形態による新しいパッドの表面より下に配置された電気化学センサを示す図である。B:パッドの磨耗の結果として露出された図6Aの電気化学センサを示す図である。 A:本発明の他の実施形態による研磨パッドの表面より下に埋め込まれた導電性プレートの例を示す図である。B:本発明の実施形態によるパッドの磨耗の決定を補助するために、図7Aに示すパッドの上面において保持された渦電流センサを有する構成を示す図である。

Claims (32)

  1. 多孔性スラリ分配層を一方の側に、圧縮可能な下層を反対側に付着させたガイド・プレートと、
    互いに平行に、および前記ガイド・プレートに対して垂直に維持されるように、前記スラリ分配層と前記ガイド・プレートを通して互いにインターデジティテッドされた複数の研磨要素であって、各研磨要素が、前記圧縮可能な下層に付着され、前記スラリ分配層が隣接する前記ガイド・プレートの表面より上に突出する、複数の研磨要素と
    を備える、研磨パッド。
  2. 前記ガイド・プレートと前記スラリ分配層の間に配置された膜をさらに備える請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 前記膜が、導電性膜を備える請求項2に記載の研磨パッド。
  4. 前記膜が、非導電性膜を備える請求項2に記載の研磨パッド。
  5. 前記膜が、接着剤によって前記ガイド・プレートに固定される請求項2に記載の研磨パッド。
  6. 前記膜が、イオン交換膜を備える請求項2に記載の研磨パッド。
  7. 前記ガイド・プレートが、非導電性材料で作成される請求項1に記載の研磨パッド。
  8. 前記研磨要素の少なくともいくつかが、円形の断面を有する請求項1に記載の研磨パッド。
  9. 前記研磨要素の少なくともいくつかが、三角形の断面を有する請求項1に記載の研磨パッド。
  10. 前記研磨要素が、伝熱性材料、導電性材料、または非導電性材料のいずれか1つまたは組合せから作成される請求項1に記載の研磨パッド。
  11. 前記研磨要素が、導電性ポリマーポリアニリン、炭素、グラファイト、または金属充填ポリマーの1つで作成される請求項10に記載の研磨パッド。
  12. 前記研磨要素の1つまたは複数が、ウェハ表面とスライド接触するようにされる請求項1に記載の研磨パッド。
  13. 前記研磨要素の1つまたは複数が、ウェハ表面と回転接触するようにされる請求項1に記載の研磨パッド。
  14. ウェハ表面と回転接触するようにされた前記研磨要素の前記1つまたは複数が、円筒本体と回転チップを有する請求項13に記載の研磨パッド。
  15. 前記研磨要素の前記1つまたは複数の前記回転チップが、以下の材料:ポリマー、金属酸化物、または導電性材料の1つで作成される請求項14に記載の研磨パッド。
  16. 前記スラリ分配材料が、いくつかのスラリ流れ抵抗要素を含む請求項1に記載の研磨パッド。
  17. 前記スラリ分配材料が、10パーセントと90パーセントの間の多孔度を有する請求項16に記載の研磨パッド。
  18. 前記スラリ分配材料が、接着剤によって前記ガイド・プレートに固定される請求項1に記載の研磨パッド。
  19. 前記スラリ分配材料が、異なる材料の複数の層を含む請求項1に記載の研磨パッド。
  20. 前記スラリ分配材料が、比較的大きな孔を有する表面層、および比較的小さい孔を有する下の層を備える請求項19に記載の研磨パッド。
  21. 前記ガイド・プレート、前記研磨要素、前記スラリ分配材料を内部において少なくとも部分的に周囲に含むように構成されたハウジングをさらに備える請求項1に記載の研磨パッド。
  22. 研磨パッドが、3ミリメートルと10ミリメートルの間の厚さを有する請求項1に記載の研磨パッド。
  23. 前記圧縮可能な下層が、圧縮されたときに研磨パッドの研磨表面に向けられる正の圧力を提供するように構成されたフォームまたは弾性ポリマーで形成される請求項1に記載の研磨パッド。
  24. 集団的に前記研磨要素が、全研磨パッド表面積の30パーセントから80パーセントの密度を有するように、前記研磨要素が、研磨パッドの面全体にわたって分布する請求項1に記載の研磨パッド。
  25. 前記研磨要素の1つまたは複数の作業端部から測定して、パッドの上面からある深さに埋め込まれたパッド磨耗センサをさらに備える請求項1に記載の研磨パッド。
  26. 前記パッド磨耗センサが、反射コーティングで覆われた上面を有する光透過性プラグを備える請求項25に記載の研磨パッド。
  27. 前記パッド磨耗センサが、パッド内において異なる深さに埋め込まれたいくつかの光透過性プラグを備える請求項25に記載の研磨パッド。
  28. 前記パッド磨耗センサが、前記パッド表面の前記上面と同一平面上にあるように取り付けられた光透過性円錐プラグを備える請求項25に記載の研磨パッド。
  29. 前記パッド磨耗センサが、前記パッドが磨耗する際に様々な程度に露出されるように構成された複数段付き表面を有する光透過性プラグを備える請求項25に記載の研磨パッド。
  30. 前記パッド磨耗センサが、反射率の順に構成された様々な透過率を有するスクリーンを含む光透過性プラグを備える請求項25に記載の研磨パッド。
  31. 前記パッド磨耗センサが、パッドに埋め込まれた2つ以上のプローブを含む電気化学センサを備える請求項25に記載の研磨パッド。
  32. 前記パッド磨耗センサが、パッドの前記表面より下のある深さに埋め込まれた導電性プレートを備える請求項25に記載の研磨パッド。
JP2007535807A 2004-10-06 2005-10-05 改良された化学機械平坦化の方法およびシステム Expired - Fee Related JP5025478B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61694404P 2004-10-06 2004-10-06
US60/616,944 2004-10-06
US63925704P 2004-12-27 2004-12-27
US60/639,257 2004-12-27
PCT/US2005/035979 WO2006042010A1 (en) 2004-10-06 2005-10-05 Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008516452A JP2008516452A (ja) 2008-05-15
JP5025478B2 true JP5025478B2 (ja) 2012-09-12

Family

ID=36148660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007535807A Expired - Fee Related JP5025478B2 (ja) 2004-10-06 2005-10-05 改良された化学機械平坦化の方法およびシステム

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1799402A4 (ja)
JP (1) JP5025478B2 (ja)
KR (1) KR101165114B1 (ja)
TW (1) TWI270438B (ja)
WO (1) WO2006042010A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5596030B2 (ja) * 2008-06-26 2014-09-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多孔質エレメントを有する研磨パッド及びその製造方法と使用方法
JP5450622B2 (ja) * 2008-07-18 2014-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 浮遊要素を備えた研磨パッド、その製造方法及び使用方法
JP5551479B2 (ja) * 2010-03-19 2014-07-16 ニッタ・ハース株式会社 研磨装置、研磨パッドおよび研磨情報管理システム
US9751189B2 (en) * 2014-07-03 2017-09-05 Applied Materials, Inc. Compliant polishing pad and polishing module
US11192215B2 (en) * 2017-11-16 2021-12-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with pad wear indicator
US11325221B2 (en) * 2017-11-16 2022-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with multipurpose composite window
JP7010166B2 (ja) * 2018-07-24 2022-01-26 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
CN109616412A (zh) * 2018-12-14 2019-04-12 大连理工大学 一种光化学与机械抛光相结合的半导体晶片加工方法
JP7317440B2 (ja) * 2019-04-15 2023-07-31 株式会社ディスコ ドレッシング工具
KR102570825B1 (ko) * 2020-07-16 2023-08-28 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치
CN115365922B (zh) * 2022-10-24 2023-02-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 研磨轮、研磨设备及硅片
CN116276337B (zh) * 2023-04-23 2023-11-07 南京茂莱光学科技股份有限公司 一种高平整度平面玻璃加工方法及加工装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9309972D0 (en) * 1993-05-14 1993-06-30 De Beers Ind Diamond Tool insert
US5795218A (en) * 1996-09-30 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Polishing pad with elongated microcolumns
JPH10225864A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Sony Corp 研磨パッドとその製造方法並びにその研磨パッドを用いたウエハの研磨方法
JP2000158327A (ja) * 1998-12-02 2000-06-13 Rohm Co Ltd 化学的機械的研磨用研磨布およびそれを用いた化学的機械的研磨装置
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6962524B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6612916B2 (en) * 2001-01-08 2003-09-02 3M Innovative Properties Company Article suitable for chemical mechanical planarization processes
JP2003103470A (ja) * 2001-09-28 2003-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 研磨層に凹部を有する研磨シート
JP4165118B2 (ja) * 2002-05-14 2008-10-15 ソニー株式会社 研磨装置、研磨部材厚さ検出方法および研磨部材厚さ検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070057271A (ko) 2007-06-04
KR101165114B1 (ko) 2012-07-12
EP1799402A4 (en) 2009-12-16
JP2008516452A (ja) 2008-05-15
EP1799402A1 (en) 2007-06-27
TW200626291A (en) 2006-08-01
TWI270438B (en) 2007-01-11
WO2006042010A1 (en) 2006-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5025478B2 (ja) 改良された化学機械平坦化の方法およびシステム
US7846008B2 (en) Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US8075745B2 (en) Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US20100203815A1 (en) Polishing pad
US8292692B2 (en) Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same
US7530880B2 (en) Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
TWI387508B (zh) 具有終點窗孔之拋光墊及使用其之系統及方法
US6454630B1 (en) Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
KR100936594B1 (ko) 오목한 창을 구비한 폴리싱 패드
US8475228B2 (en) Polishing pad with partially recessed window
KR20120135210A (ko) 국소 투명 구역을 가진 cmp 패드
US20080318505A1 (en) Chemical mechanical planarization pad and method of use thereof
WO2006057714A2 (en) Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US6832947B2 (en) CMP pad with composite transparent window
CN100513082C (zh) 用于改善的化学机械抛光的方法和设备
JP6888912B2 (ja) 窓付きのケミカルメカニカルポリッシングパッド
KR20150132844A (ko) 이차 윈도우 시일을 구비한 연마 패드
JP2003334752A (ja) 研磨装置、研磨部材厚さ検出方法および研磨部材厚さ検出装置
KR20030094491A (ko) 연마 패드 및 이를 갖는 화학적 기계적 연마 장치
Zhang Chemical mechanical polishing and grinding of silicon wafers
KR20100073530A (ko) 연마 패드의 교체주기 검출방법
KR20080083410A (ko) 웨이퍼 연마 패드의 표면 분석 장치 및 이를 이용한 웨이퍼연마 패드의 표면 분석 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111026

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111102

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120522

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120619

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5025478

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees