JP5021866B2

JP5021866B2 - 低電圧、低電力および高性能のｉｉ型電流コンベヤのための模擬回路レイアウト

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Publication number: JP5021866B2
Application number: JP2001093728A
Authority: JP
Inventors: シンラジプットシェー; シェカージャムアースダンシュ
Original assignee: カウンシルオブサイエンティフィクアンドインダストリアルリサーチ
Priority date: 2001-03-28
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2012-09-12
Anticipated expiration: 2021-03-28
Also published as: JP2002299971A

Description

【０００１】
（発明の分野）
本発明は、低電圧、低電力および高性能のＩＩ型電流コンベヤのための模擬回路レイアウトに関するものである。
【０００２】
（発明の背景）
アナログ世界は、市場開拓の大きな可能性を秘めた刺激的な分野である。物事のほとんどが本質的にアナログ的道筋で進行し、信号をアナログ領域で処理するのが信号処理の自然な道筋である。この処理の仕方は、他のいかなる領域への変換も必要とせず、それゆえ、自然であり、素早い。これと反対に、信号をディジタル領域で処理する場合は、信号をアナログ領域からディジタル領域に変換し、処理後にアナログモードに変換して元に戻すことが必要となる。ディジタル領域での処理は十分に素早いかもしれないが、処理時間は、実際にはアナログ／ディジタル変換およびディジタル／アナログ変換に使用される装置によって制御される。プロセッサによって使用される時間は、実際にはあまりに短い。このことからも、信号処理に要するハードウェアカウントは増大し、それゆえ、このようなシステム（ディジタル信号処理システム）の方が複雑であり、結果、信号処理速度は低いということになる。
【０００３】
しかしながら、アナログ信号処理は高周波動作であり、これは、電流モード信号処理エレメントの使用によってさらに増強されつつある。その潜在力をフルに活用するためには、この分野において長期にわたる開発作業をコンスタントに続ける必要がある。電流コンベヤ（ＣＣ）は、将来のアナログ信号処理の用途にとって実用的な高性能の回路構造として重要な意味を持つことになる、最も強力な電流モード信号処理ブロックである。従来バージョンのＣＣは、その構成のために従来型の演算増幅器を使用しているが、今日では、モノリシックタイプのＣＣが入手できる。多くの技術者がこの目標に向かって研究を重ね、ＣＣIIタイプのバイポーラ／ＣＭＯＳ構造を提案するに至った。ＢｉＣＭＯＳさえも提案されている。これらはほとんどすべて、動作電圧が±３．０Ｖ以上である。我々の知る限りでは、±１．０Ｖで作動できるが、比較的低い帯域幅（＜３０ＭＨｚ）も併せ持つＣＣは１つしか提案されていない。その上、回路構造はあまりにも複雑化している。使用される入力電圧バッファは、多数のＣＭと多数の電流加算ノードを使用するので、あまりにも複雑化している。
【０００４】
電流コンベヤ（ＣＣ）は、回路設計における電流モードアプローチをベースにした新生クラスの高性能アナログ回路構造を有する。電流モードアプローチにおいて、アナログ設計者は電流を入出力変数とみなす。そのため、電流モードデバイスは、入出力電圧をまったく考慮することなく様々な下位回路に流れ込む電流を通して全機能を完全に説明し、理解することのできる回路構造と定義される。しかしながら、適当なバイアス電圧によって、回路構造特有の動作条件を確立しなければならない。電流モード回路のメリットは、広い周波数帯域幅が利用できること、低い電圧で動作できること、そして回路構造が単純であることである。低圧動作は、低電力回路構造を獲得する上で最も好ましい設計技術であるが、それが低電力回路に移行してはならない。
【０００５】
Ｍ／ＳＡｎａｌｏｇＤｅｖｉｃｅＵＳＡは、電流帰還増幅器の形の数少ない電流コンベヤIIアーキテクチャを考案した。ＡＤ８４４が最もポピュラーな電流コンベヤで、その所要電源電圧は±３．０Ｖと最小であり、帯域幅は１０ＭＨｚである。その上、デバイス設計にバイポーラ技術を採用している。他のチップもいくつか製作され、すでに市販されている。この市販チップは高い帯域幅を示すが、それでもまだ、電力消費が多く、かなり高いバイアス電圧が必要であるという難点を抱えている。こうしたチップはほとんどすべて、バイポーラ技術で作られている。
【０００６】
アナログ設計者は現在、携帯機器や移動体通信機器の需要に対処するため、低電力回路、そして必然的に低圧回路の設計に全力を注いでいる。低電力回路は、非携帯機器においても望ましいとされる。電流コンベヤは、その多大なメリットにより、低電圧、低電力および高性能の電流モード回路での使用が助長される。これは、高周波応用技術にとって工業標準になりつつある。提案されたＣＣ構造は、この方向に向かうもうひとつの大きなステップである。
【０００７】
電流コンベヤは、実に多用途のアナログ信号処理ブロックで、今や、信号処理用途のほとんどにおいて従来の演算増幅器に取って代わりつつある。この電流コンベヤの代表的な用途は次の通りである。
【０００８】
・アナログアクティブフィルタ
これは、ＣＣにとって重要なクラスの用途である。アナログフィルタの用途は広く、例えば下記のものを含む。
i.娯楽用電子機器
ii.騒音の大きい産業環境のための制御回路。この種の環境は、宇宙衛星打ち上げ中にも存在し、そこで回路は申し分のない働きをしなければならない。
iii.ハンドヘルド機器および通信機器。
【０００９】
・宇宙応用
設計者は、宇宙探査用の機器を設計しようとする時、４つの等しく重要なフロンティア、すなわち電力消費、サイズ、重量および信頼性の点で挑戦を受ける。そこで、信頼できる低電力の高性能回路を持つ必要性が生まれる。ＣＣIIは、宇宙探査や軍事戦略的な応用に対して低電圧、低電力の科学機器の設計において頼りになり得る。
【００１０】
・電子医療機器
医療器械が日常生活の中で使われるケースは増えつつある。特にペースメーカーや補聴器のような器械の使用は増える一方である。医療器械に要求されるのは、サイズの小さいことと、電力消費が少ないことである。ＣＣIIは、こうした医療器械に首尾良く使用することができる。
【００１１】
・一般機器
比較的高い電圧で働き、相当の電力を消費する汎用機器の場合は、ファンの形の冷却システムまたは水冷装置が必要となる。これで、機器重量は増大し、可搬性は低下し、従って、機器の最適利用はできなくなる。低電圧、低電力のＣＣIIは、このような測定器鋼の設計において可搬性を高める目的で使用することができる。
【００１２】
注目してよいのは、ＣＣIIの潜在的用途が、高い帯域幅と少ない電力消費（低い動作電圧）のような高性能に存在することである。
図１に示す通りのＣＣは、Ｘポート、ＹポートおよびＺポートと呼ばれる３つ（または４つ以上）のポートを有するネットワークである。Ｘポートは、入出力信号に適したデュアルポートである。電流信号に対しては、これは入力インピーダンスのきわめて低い入力ポートして働くが、電圧信号に対しては出力ポートである。Ｙポートは、入力インピーダンスの高い単なる電圧入力ポートである。Ｚポートは、電流出力ポートである。Ｘポートに注入された電流に対して、Ｚ出力ポートは、その電流を低減させまたは供給することができる。ＣＣをさらに詳しく調べた結果、新たにいくつかの回路アーキテクチャが出現するに至った。それによれば、ＣＣは分類上２個のタイプがあり、その一方はＹ入力ポートの特性に基づくものであり、他方はＺポートの特性に基づくものである。Ｙ入力ポートの特性に基づいて、ＣＣは、ＣＣＩ型（ＣＣＩ）、ＣＣII型（ＣＣII）およびＣＣIII型（ＣＣIII）として分類された。Ｚポートに基づいて分類すると、ＣＣは、ＣＣ⁺とＣＣ^-とに分類される。一般的なＣＣ構造のポート特性は、次の通りである。
【００１３】
【数１】

【００１４】
ＣＣＩの場合、Ａ＝１で、電圧Ｖ_YはＹポートに接続され、Ｘポートの電圧Ｖ_Xは、Ｘポートに注入される電流に関係なく、電圧Ｖ_Yに従う。Ｚポートで生じる電圧Ｖ_Zは任意である。ＣＣIIでは、Ａ＝０で、Ｙポートに注入される電流はゼロ、これで、Ｙポートにきわめて高いインピーダンスが現れる。ＣＣIIIの場合、Ａ＝−１で、これはＩ_Y＝−Ｉ_Xを意味する。この特性は、回路内の電流を監視するのに利用される。ＣＣ⁺構造の場合はＢ＝１、これに対し、ＣＣ^-構造の場合はＢ＝−１である。これで、ＣＣは９個の下位カテゴリを形成する。すなわち、複合出力を有するＣＣＩ⁺、ＣＣＩ^-、ＣＣＩ、複合出力を有するＣＣＩＩ⁺、ＣＣII^-、ＣＣII、そして、複合出力を有するＣＣIII⁺、ＣＣIII^-、ＣＣIIIである。
【００１５】
電流コンベヤのエレメント
電流ミラー（ＣＭ）は、ほとんどすべてのアナログ回路アーキテクチャの不可欠部分である。従って、低電圧回路について話す時は、それが低電圧で動作できる下位回路を有することが必要である。この前提条件を満たすために、低電圧で動作できる高性能ＣＭを設計必要がある。この低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ）は、提案されたＣＣII構造の設計において使用される。ＬＶＣＭを図２に示す。
【００１６】
ＣＭの性能を評価する際の基準となり得るＬＶＣＭの性能指標は次の通りである。
i.低い入力インピーダンス（理想はゼロ）
ii.高い出力インピーダンス（理想は無限大）
iii.高い電流転送帯域幅（理想は無限大）
iv.高い直流電流転送範囲（理想は無限大）
v.レール対レール入出力電圧振幅能力。
【００１７】
アナログ回路構造のほとんどがハイブリットで、電流モードと電圧モードの両方の信号処理エレメントを利用している。演算増幅器はその一例であり、電流ミラーのような電流モード回路と、電圧モードコンセプトに基づいた１対の差動回路の両方を使用している。そこで、電流モード回路を完璧なものにするためには、電流モード回路で使用するのに適した低電圧アナログタイプの電圧モード回路をいくつか調べることが大事である。かかる回路を低電圧信号処理アナログセルに適用するためには、斬新な見方が要求される。
【００１８】
極端に強力な回路のひとつである電圧バッファは、通常入力ポートとして知られたポートで印加された入力電圧を他のポート（通常出力ポートと呼ばれる）に転送するのに最も広く使用されており、そこで、高い電流ソース化／低減能力を示す。かかるアナログ回路の特性は次の通りである。
・正確な電圧追跡（一切エラーなしに正確な電圧転送を達成するのに必要）。
・低い出力インピーダンス（前記回路の電流低減／ソース化能力を高めるのに必要）。
・高い入力インピーダンスが入力信号負荷を軽減する。
・高いダイナミックレンジが入力電圧信号のためにより大きい信号範囲をもたらす。
・低い電力消費が電池に長寿命を与え、小型化をもたらす。
【００１９】
これらの特性により、アナログ設計者は、かかるブロックを入力ポートと出力ポートの間の絶縁に使用することが容易にできるようになる。高い入力インピーダンスは、入力信号の負荷を回避するために必要である。これはまた、出力ポートに高い電流駆動能力ももたらす。そのため、これも電圧バッファと呼ぶことができる。かかるブロックは、幅広い用途を有する。電流モードの信号処理アナログセルに適したその用途のうち最も一般的であるのが、電流コンベヤ、電流帰還増幅器、演算浮動増幅器などである。これらは、電流コンベヤの入力ポートにおいて電流入力ポートにかかる電圧を転送するのに使用される。これをＣＣIIの入力ポートで使用すると、出来上がる回路構造は、一般に高性能デバイスである電流帰還増幅器として働く。汎用の電流モードブロックとして使用するのに適した電流モード回路としては、４端子浮動ゼロ化器（ＦＴＦＮ）が最もポピュラーである。このブロックは、ＦＴＦＮにおいてその電圧入力ポートを形成するのに使用される。電圧モード回路でさえ、このブロックを演算増幅器で使用して実に成功している。これは演算増幅器の入力端に置かれる。
【００２０】
電圧転送ブロックは、複数の回路構造を使って実現される。そのほとんどすべてが１対の差動回路を使用している。差動回路は、きわめて重要なアナログセルのひとつで、多くの回路用途において生じる現実のワード問題のために使用される。低電圧のレール対レール電圧転送セルは、様々な新しい回路構造をさらに深く調べる必要があるので、その設計はきわめて重要である。かかる回路は、演算トランスコンダクタとも呼ばれる。これは、入力電圧信号をあるポートから別の低インピーダンスポートに転送するのに使用される。
【００２１】
電圧転送ブロックとして使用される回路については、いくつかの回路図が文献から入手できる。しかしながら、かかるブロックはすべて、相対的に高い供給電圧で作動させられる。その入出力電圧の揺れも制限される。こうした難点を克服するために、レール対レール電圧転送を実行できるいくつかの回路構造が提案されている。しかしながら、低電圧レベルで作動するのに適した回路構造は数少ない。そこで、低電圧で作動し、レール対レール電圧転送能力をもたらすことのできる新しい回路構造を検討することが、きわめて重要な仕事である。
【００２２】
差動入力段階を形成するのに最も普通に使用されるソース結合回路は、モノリシックのアナログ回路構造において最もポピュラーな２個のＭＯＳ・ＦＥＴ下位回路である。このソース結合ＭＯＳ・ＦＥＴ回路の有用性は、この回路が、コンデンサ結合の中間段階なしに互いにカスケード結合していて、多種多様なアナログ回路において要求される差動入力特性を有するという事実から来ている。
【００２３】
差動増幅器設計の重要な目標は、回路の入力リード線に流れ込む直流バイアス電流を最小化し、差動入力抵抗を最大化することである。ＭＯＳ・ＦＥＴは、低い入力バイアス電流を有するこのような構成にとって望ましいデバイスである。
【００２４】
ソフトウェアの設計
回路をシリコン設計とするためには、時間、材料および費用を節約する回路構造であることを事前に検証する必要がある。それでも、この回路設計の事前検証は、いくつか精確な方法でもって行うことができる。例えば、
・チップベースの回路実現による方法
・コンピュータシミュレーションによる方法。
【００２５】
以前の回路検証の方法には、提案されたシリコンチップベースの回路構造の実現が含まれる。最近の集積回路が非常に複雑であるため、プロトタイプ実現には莫大な費用がかかる。提案された回路構造は、所望の出力を供給しそこなうことがあり得る。ところが、最近のコンピュータ支援による回路解析が、安価かつ高速の代替回路構造を提供している。そこで、実験室プロトタイプをもって獲得することがほとんど不可能な従来回路の性能を得るには、コンピュータ支援による回路解析が必須である。コンピュータ支援による回路解析が提供できるのは、次のことである。
・信頼を構築するための事前設計検証
・最終製品の開発にかかる費用と実現の時間を減じる事前性能解析。
【００２６】
このような評価作業に使用されている最も普通のソフトウェアで、アナログ集積回路の開発においてきわめて重要なツールとして使用されているのが、ＳＰＩＣＥ回路シミュレータである。ＳＰＩＣＥは、回路シミュレーション様式における工業標準とみなされている。ＳＰＩＣＥは、ＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＰｒｏｇｒａｍｗｉｔｈＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔＥｍｐｈａｓｉｓの頭文字を取ったものである。ＳＰＩＣＥは、チップと同じものまたはブレッドボードをベースとしたものを現実に組み立てることなく電子回路性能を模倣することのできる汎用の回路シミュレーションプログラムである。ＳＰＩＣＥは、電子回路の様々な解析の仕事をこなすことができる。すなわち、動作点の解析、時間領域応答の解析、そして小さい信号周波数応答の解析である。これは、きわめて汎用性に富むプログラムで、産業界および大学の両方で広く使用されている。当初、ＳＰＩＣＥは、メインフレームコンピュータだけで設計されていた。後に、ＰＳＰＩＣＥと呼ばれるＰＣベースのバージョンが開発された。ＰＳＰＩＣＥは、ＩＢＭ互換ＰＣで実行できる。Ｍ／Ｓ．ＭｉｃｒｏｓｉｍＵＳＡは、ＰＳＰＩＣＥの設計とアップグレードを行う会社のひとつである。
【００２７】
ＰＳＰＩＣＥは、ＳＰＩＣＥと同じアルゴリズムを使用する。これは、ブレッドボード用またはモノリシックチップ設計用の個別コンポーネントの使用により、広範な用途においてあらゆる種類のアナログ回路とディジタル回路を模倣する上で等しく有用である。必要な制御ステートメントがファイルで保存され、これが回路ファイルと呼ばれる。かかるステートメントが回路を完全に記述する。ＳＰＩＣＥシミュレータが回路ファイルを読み取る。ステートメントは各々が独立言語型で、互いに働きかけない。ＳＰＩＣＥ（またはＰＳＰＩＣＥ）は、習得するのも使用するのも容易である。
【００２８】
（発明の目的）
本発明の主な目的は、アナログ信号処理用の低電圧、低電力および高性能のコンベヤのための模擬回路レイアウト設計を提供することである。
本発明の別の目的は、シリコンベースのプロトタイプＩＣチップの開発においてレイアウト設計の使用を可能にすることである。
本発明のさらに別の目的は、電流帰還増幅器または演算浮動式電流コンベヤのための入力ブロックとしてきわめて便利に使用することのできる代替の電圧バッファを提供することである。
【００２９】
（発明の要旨）
本発明は、きわめて低い電圧で作動することのできる電流コンベヤ回路に関するもので、該回路は、３個のＬＶＣＭと４個のＭＯＳ・ＦＥＴＳからなり、そこで、Ｘポートが開状態に保たれると、ＬＶＣＭ１が一定のバイアス電流をＭ３に通す働きをし、Ｘポートに電流が注入されると、バイアス電流と注入された電流との差の分がＭ３を通り、これが、ＬＶＣＭ１、Ｍ３およびＭ４の働きによってＺポートで反射されることになり、ＬＶＣＭ２がＭ１とＭ２のドレン電流を一定に維持し、ＬＶＣＭ３が回路内のテール電流を一定に維持する働きをする。
【００３０】
（発明の詳細な説明）
従って、本発明は、きわめて低い電圧で作動することのできる電流コンベヤ回路に関するもので、該回路は、３個のＬＶＣＭと４個のＭＯＳ・ＦＥＴＳからなり、そこで、Ｘポートが開状態に保たれると、ＬＶＣＭ１が一定のバイアス電流をＭ３に通す働きをし、Ｘポートに電流が注入されると、バイアス電流と注入された電流との差の部分がＭ３を通り、これが、ＬＶＣＭ１、Ｍ３およびＭ４の働きによってＺポートで反射されることになり、ＬＶＣＭ２がＭ１とＭ２のドレン電流を一定に維持し、ＬＶＣＭ３が回路内のテール電流を一定に維持する働きをする。
【００３１】
本発明の一実施例では、電流コンベヤは１個のＰＭＯＳ・ＬＶＣＭからなる。
本発明の別の実施例では、ＬＶＣＭ２がＰＭＯＳ・ＬＶＣＭである。
本発明のさらに別の実施例では、電流コンベヤは２個のＰＭＯＳ・ＬＶＣＭからなる。
本発明のさらになお別の実施例では、ＬＶＣＭ１が単独入力、二重出力のＮＭＯＳ・ＬＶＣＭである。
【００３２】
本発明の他の実施例では、ＬＶＣＭ２が単独入力、単独出力のＮＭＯＳ・ＬＶＣＭである。
本発明のさらに他の実施例では、ＬＶＣＭが、入力ポートにおいて従来型のＣＭ構造をレベルシフト式トランジスタとともに使用する。
本発明の一実施例では、ＬＶＣＭが大きい振幅能力を分け与える。
【００３３】
本発明の別の実施例では、ＬＶＣＭが、入出力電圧の最大限可能な振幅を保証し、それで、レール対レール入出力電圧振幅能力を電圧転送ブロックに与える。
本発明のさらに別の実施例では、適応バイアス技術がＬＶＣＭで使用される。
本発明のさらになお別の実施例では、適応バイアス技術が入力電圧の振幅を増大させ、オフセット電流を減少させる。
【００３４】
本発明のもうひとつの実施例では、ＭＯＳ・ＦＥＴのＭ１とＭ２が１対の差動回路を形成する。
本発明のもうひとつ別の実施例では、Ｙポートにおける電圧が、１対の差動回路の働きによりＸポートに転送されることになる。
本発明の一実施例では、電流コンベヤがさらに、Ｍ１のドレンとＭ２のゲートの間に接続されたキャパシタンスＣからなってよい。
【００３５】
本発明の別の実施例では、キャパシタンスは、補償が得られるように接続される。
本発明のさらに別の実施例では、電流コンベヤがさらに、Ｍ１とＭ２の両ゲート端子の間に接続された抵抗からなってよい。
本発明のさらになお別の実施例では、抵抗は回路の周波数応答を強化する。
本発明のもうひとつの実施例では、ＭＯＳ・ＦＥＴのＭ３とＭ４が１個の電流ミラーを形成する。
本発明のもうひとつ別の実施例では、電流コンベヤは±１Ｖの範囲内の電圧で作動する。
【００３６】
本願において提案されている電流コンベヤは、単純な回路アーキテクチャを有し、コンセプトにおいてモジュラータイプであり（最近のＶＬＳＩ回路にとって好ましい要件である）、１００ＭＨｚより良い帯域幅をもって±１Ｖの供給電圧で作動することができる。
本発明による模擬回路レイアウト設計は、従来型の演算増幅器に取って代わる高周波、低電圧の単純な回路を提供する点で大いに有利であることが分かる。
【００３７】
よって、かかる回路構造は、様々なアナログ回路構造の開発に使用すべきアナログライブラリのための汎用アナログ電流モードモジュールのひとつを形成することができる。これは、モジュール型アナログ回路設計における大きなステップにひとつであり、ディジタル設計に同調した先進的なアナログ回路のために開発された分野であると言ってよい。
【００３８】
（好ましい実施例の説明）
提案された構造について、我々は、特定用途向けのＬＶＣＭと電圧バッファ（ＶＢ）を開発した。
【００３９】
低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ）
図２について説明する。ＬＶＣＭの実現のための提案された回路は、提案された電流ミラーに大きい振幅能力を分け与えるために従来型のＣＭ構造を入力ポートにおけるレベルシフト式トランジスタとともに使用する。容量性補償および抵抗性補償の技術も、提案されたＣＭの帯域幅を増大させるのに使用される。レベルシフトアプローチをベースとしたＣＭは、一般に、低い電流レベルでの望ましくない電流の流れを受け取る。この電流はオフセット電流と呼ばれ、ＬＶＣＭ設計において大きなネックとなる。そこで我々は、提案されたＬＶＣＭのために、入力電圧の振幅を増大させ、オフセット電流を減少させる適応バイアス技術を導入する。
【００４０】
設計では、ＰＳＰＩＣＥシミュレーションに関する技術パラメータを０．８μmと想定する。トランジスタＭ４は、そのチャネルを通過する電流としてきわめて低い電流を選択することによって、強制的に下位閾値領域内で作動させられる。バイアス電流は、Ｍ６、Ｍ７およびＭ８によって形成されたＣＭから来る。これらのコンポーネントのアスペクト比は、トランジスタＭ８のドレンで得られる電流がＭ４を下位閾値領域に押し込めるような低いレベルにあるように保たれる。容量Ｃは、補償のために使用され、Ｍ１のドレンとＭ２のゲートの間に接続される。抵抗も、Ｍ１とＭ２の両ゲート端子の間の接続される。この抵抗が、回路の周波数応答を強化する。
【００４１】
回路アーキテクチャ
完全な回路を図３に示す。但し、回路の機能を説明するために、回路概略図を図４に示す。
【００４２】
シミュレーション結果
ＬＶＣＭの性能を評価するのに必要な最重要のパラメータは次の通りである。
・入力抵抗
・出力抵抗
・周波数応答
・電流転送比（直流電流と交流電流の両方）
【００４３】
提案された回路の評価は、上記パラメータを使って行われた。トランジスタアスペクト比（幅／長さ）を表１にまとめる。
【表１】

【００４４】
１μＡから５００μＡまでの範囲内の入力電流の注入により介在する入力電圧を図５に示す。低い電圧レベルで適応バイアスをかける出力電流特性と、低い電圧レベルで適応バイアスをかけない出力電流特性をそれぞれ図６、図７に示す。
図８は、高い電流レベルでの出力電流特性を示す。
【００４５】
入力電流転送特性を図９に示す。図１０は、ゲート抵抗が構造の周波数応答に及ぼす影響を示す。様々な補償技術の影響を図１１に示す。
ＬＶＣＭの帯域幅全体にわたっての温度変化の影響を図１２に示す。図１３は、提案されたＬＶＣＭの帯域幅全体にわたってパラメータ変化がほとんど影響を持たないことを示す。
【００４６】
提案された電圧バッファ
このブロックの心臓部も、差動入力段階である。入力段階信号が、ソース結合の１対の差動回路のゲートに１つに加えられる。ＭＯＳ・ＦＥＴを通過する電流が同等である場合、電圧は別のゲートに現れる。提案された構造は、低インピーダンス特性を電圧源に分け与える。しかしながら、電圧源の最大電流低減能力は、電流源に左右される。電流低減能力が増大すると、回路構造の電力消費は増大する。上記アーキテクチャのデメリットは次の通りである。
【００４７】
・予備電流の流れが一定であると、回路構造の電力消費は増大する。
・電流ミラーが回路アーキテクチャの出力低減能力を支配する。
・電流低減能力が増大すると、電力消費は増大する。
・この構造は低電流回路に使用できない。
【００４８】
回路の詳細な解析は、次の通りである。
回路の説明
提案された回路の概略を図１４に示す。１対の差動回路が、電圧を入力ポートから出力ポートに転送するのに使用される。回路のテール電流は、ＬＶＣＭを使用することによって一定に維持される。同様に、ＬＶＣＭは、Ｍ１とＭ２のドレン電流を一定に維持するのに使用される。ＬＶＣＭが、入出力電圧の最大限可能な振幅を保証し、これで、電圧転送ブロックにレール対レール転送能力が与えられる。
【００４９】
ＭＯＳ・ＦＥＴのＭ１とＭ２の両方が飽和領域内で作動すると仮定すると、単純な回路解析から次の関係が得られる。
【数２】

【００５０】
電流ミラーＣＭ２は、Ｉ_D1＝Ｉ_D2を維持する。よって、次の通りとなる。
【数３】

【００５１】
シミュレーション結果
レール対レール電圧転送ブロックにとって重要なパラメータは、次の通りである。
・きわめて高い入力インピーダンス
・きわめて低い出力インピーダンス
・直流電圧転送特性（入出力電圧範囲を教える）
・交流電圧転送帯域幅（有用周波数応答を教える）
【００５２】
これらのパラメータを求めるためにＰＳＰＩＣＥシミュレーションを行った。Ｍ１、Ｍ２およびＭ３の幅／長さ比をそれぞれ２４μｍ／１．６μｍ、２４μｍ／１．６μｍ、１２０μｍ／１．６μｍとした。構造の入力インピーダンスは、１０¹⁸Ωとなったが、これは、どんなＣＭＯＳ構造からも予測できる。構造出力インピーダンスは１０Ωにすぎない。
【００５３】
供給電圧が±１．０Ｖである時、直流電圧入出力特性は図１５に示す通りである。出力電圧は、−１．０Ｖ〜１．０Ｖの入力電圧範囲に限って該入力電圧に追従する。−１．０Ｖ〜１．０Ｖの範囲内の入力電圧に対して、出力電圧の揺れはレール対レールに近い（−０．７５Ｖ〜０．７５Ｖ）。直流電圧転送比は０．９８１で、理想値１．００に近いと評価された。交流電圧転送比の方は１．００で理想的と評価された。電圧バッファの帯域幅特性を図１６に示す。帯域幅は、３００ＭＨｚを超えていることが分かる。
【００５４】
提案されたＣＣ II 構造
提案されたＣＣII構造を図１７に示す。この構造は、前節に述べた低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ）と電圧バッファ（ＶＢ）の利用をベースとしている。回路の動作はまったく単純で、かかる構成ブロックの特性と動作を知ることによって理解することができる。回路は３個のＬＶＣＭを使用している。そのうちの１つがＰＭＯＳタイプ、残りの２つがＮＭＯＳタイプである。ＮＭＯＳ・ＣＭは、二重出力ＬＶＣＭと単独出力ＬＶＣＭである。Ｘポートが開状態に保たれていれば、ＬＶＣＭ１によってセットされた一定のバイアス電流がＭ３を通過する。電流がＸポートに注入されると、バイアス電流と注入された電流との差の分がＭ３を通過する。この電流は、ＬＶＣＭ１およびＭ３とＭ４によって形成されたＣＭの働きによってＺポートで反射される。同様に、Ｘポートから引き出された電流がＺポートで反射される。Ｙポートに加えられた電圧は、１対の差動回路の働きによってＸポートに転送されることになる。
【００５５】
提案された回路をＣＣIIとしてその動作についてシミュレーションを行った。Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３およびＭ４の幅／長さ比をそれぞれ２４μｍ／１．６μｍ、２４μｍ／１．６μｍ、１２０μｍ／１．６μｍ、１２０μｍ／１．６μｍとした。１５０μＡバイアス電流について、入力電流転送特性を図１８に示す。提案された回路の入力転送に対する周波数応答を図１９に示す。
【００５６】
入力電流の注入により入力端子にかけられた電圧を図２０に示す。入力電流転送を図２１に示す。電流転送帯域幅を図２２に示す。
入力バイアス電流を２５０μＡに増大させると、電流転送は、図２３に示す通り２５０μＡに達するまで行われる。電流転送帯域幅も、図２４に示す通り増大する。
【００５７】
用途：
提案された構造は、下記の設計において使用することができる。
１．電流帰還増幅器
２．移動体通信装置に使用されるアクティブフィルタ
３．エンターテイメント信号および制御信号に使用されるアナログ信号処理装置
４．高周波、低電力、低電圧のシステムが要求される宇宙用電子機器
５．医療電子器械
６．電圧／電流変換器のためのトランスコンダクタ
７．数学機能
８．電流監視用のアナログチップおよびディジタルチップ
【００５８】
提案された回路は以下のメリットを有している。
ｉ．低い電力消費（＜２．０ｍＷ）
ii．低い動作電圧（±１．０Ｖ）
iii．電流転送比
ａ）ＤＣ≒０．９９
ｂ）ＡＣ≒０．９９
ｃ）電流転送帯域幅≒１００ＭＨｚ
【００５９】
iv．電圧転送比
ａ）ＤＣ≒０．９９
ｂ）ＡＣ≒０．９９
ｃ）電圧転送帯域幅≒１００ＭＨｚ
ｄ）入力電圧転送範囲−０．７Ｖ〜０．７Ｖ
【図面の簡単な説明】
【図１】電流コンベヤ（ＣＣ）を示す。
【図２】ＬＶＣＭの実現のための提案された回路を示す。
【図３】ＬＶＣＭの完全な回路を示す。
【図４】図３に示すＬＶＣＭ回路のＬＶＣＭの回路概略図である。
【図５】入力電流の注入により介在する入力電圧を示す。
【図６】低い電圧レベルで適応バイアスをかける出力電流特性を示す。
【図７】低い電圧レベルで適応バイアスをかけない出力電流特性を示す。
【図８】高い電流レベルでの出力電流特性を示す。
【図９】入力電流転送特性を示す。
【図１０】ゲート抵抗が周波数応答に及ぼす影響を示す。
【図１１】様々な補償技術の影響を示す。
【図１２】ＬＶＣＭの帯域幅全体にわたっての温度変化の影響を示す。
【図１３】ＬＶＣＭの帯域幅全体にわたってのパラメータ変化の影響を示す。
【図１４】提案された回路を示す。
【図１５】直流電圧入出力特性を示す。
【図１６】電圧バッファの帯域幅特性を示す。
【図１７】提案されたＣＣII構造を示す。
【図１８】直流入力電流転送特性を示す。
【図１９】回路転送のための提案された回路の周波数応答を示す。
【図２０】入力電流の注入により入力端子にかけられた電圧を示す。
【図２１】直流入力電流転送を示す。
【図２２】電流転送帯域幅を示す。
【図２３】入力バイアス電流と電流転送との関係を表すグラフを示す。
【図２４】入力バイアス電流と電流転送帯域幅との関係を表すグラフを示す。
【図２５】帯域幅全体における電流コンべヤ回路の周波数応答特性を示す。

Claims

きわめて低い電圧で作動することのできる電流コンベヤ回路において、前記電流コンベヤ回路は、
入力電流を供給するＸポートと、
入力電圧を供給するＹポートと、
前記Ｘポートに接続された第１の出力ポートと出力Ｚポートに接続された第２の出力ポートとを有する、第１の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ１）と、
前記ＸポートおよびＹポート間に接続された、電圧バッファ回路（ＶＢ）と、
前記電圧バッファ回路（ＶＢ）に接続され前記電圧バッファ回路（ＶＢ）において一定のドレン電流を維持するための、第２の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ２）と、
前記電圧バッファ回路（ＶＢ）に接続され、前記電圧バッファ回路において一定のテール電流を維持するための第３の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ３）と、
それぞれのゲートを互いに接続しさらにそのゲートを前記第２の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ２）の出力ポートに接続した、第１及び第２のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ３、Ｍ４）と、
前記第１及び第２のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ３、Ｍ４）のソースにそれぞれ提供される基準電圧と、を備え、
前記第１のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ３）のドレンは、前記Ｘポートと前記第１の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ１）の前記第１の出力ポートに接続され、前記第１のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ３）を通って流れる一定のバイアス電流を提供し、さらに
前記第２のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ４）のドレンは、前記出力Ｚポートと前記第１の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ１）の前記第２の出力ポートに接続されている、電流コンベア回路。
請求項１に記載の回路において、前記電流コンベヤ回路が１個のＰＭＯＳ低電圧電流ミラーを含む、電流コンベア回路。
請求項１に記載の回路において、前記第２の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ２）がＰＭＯＳ低電圧電流ミラーである、電流コンベア回路。
請求項１に記載の回路において、前記電流コンベヤ回路が２個のＮＭＯＳ低電圧電流ミラーを含む、電流コンベヤ回路。
請求項１に記載の回路において、前記第１の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ１）が単独入力、二重出力のＮＭＯＳ低電圧電流ミラーである、電流コンベヤ回路。
請求項１に記載の回路において、前記第２の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ２）が単独入力、単独出力のＮＭＯＳ低電圧電流ミラーである、電流コンベヤ回路。
請求項１に記載の回路において、前記それぞれの低電圧電流ミラーが、入力ポートにおいて従来型の電流ミラー構造をレベルシフト式トランジスタとともに使用する、電流コンベヤ回路。
請求項１に記載の回路において、前記電圧バッファ回路（ＶＢ）は、
第１のゲートと第１のソースと第１のドレンとを有し、前記第１のゲートを前記Ｘポートに接続し、前記第１のドレンを前記第２の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ２）の入力ポートに接続し、前記第１のソースを前記第３の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ３）の出力ポートに接続した、第３のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ１）と、
第２のゲートと第２のソースと第２のドレンとを有し、前記第２のゲートを前記Ｙポートに接続し、前記第２のドレンを前記第２の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ２）の出力ポートに接続し、前記第２のソースを前記第３のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ１）の前記第１のソースに接続しさらに前記第３の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ３）の出力ポートに接続した、第４のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ２）と、を備え、
前記第３及び第４のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ１、Ｍ２）が１対の差動回路を形成する、電流コンベヤ回路。
請求項８に記載の回路において、前記Ｙポートにおけるポート電圧が、１対の差動回路の働きにより前記Ｘポートに転送される、電流コンベヤ回路。
請求項１に記載の回路において、前記第１及び第２のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ３、Ｍ４）が１個の低電圧電流ミラーを形成する、電流コンベヤ回路。
請求項１に記載の回路において、前記Ｘポートが開成されている場合、前記第１の低電圧電流ミラー（ＬＶＣＭ１）は前記第１のＭＯＳ・ＦＥＴ（Ｍ３）を通って流れる一定のバイアス電流を提供する、電流コンベア回路。