JP5021556B2

JP5021556B2 - Discharge device

Info

Publication number: JP5021556B2
Application number: JP2008118719A
Authority: JP
Inventors: 隆史藤立; 章竹内; 昌久中山; 治中村
Original assignee: Nissin Dental Products Inc
Current assignee: Nissin Dental Products Inc
Priority date: 2008-04-30
Filing date: 2008-04-30
Publication date: 2012-09-12
Anticipated expiration: 2028-04-30
Also published as: JP2009272318A

Description

この発明は、チャンバー内に放電させる放電装置に関する。 The present invention relates to a discharge device that discharges into a chamber.

従来、放電装置として、例えばプラズマ放電によってプラズマを発生させるプラズマ発生装置や、酸素中の放電によってオゾン（Ｏ_３）を発生させるオゾン発生装置などがある。また、放電を利用した所定の処理として、例えばプラズマ放電によって発生したプラズマを利用したプラズマ処理や、酸素中の放電によって発生したオゾンを利用したオゾン処理などがある。プラズマ放電を利用したプラズマ処理を例に採って説明する。 Conventionally, as a discharge device, for example, there are a plasma generator that generates plasma by plasma discharge, an ozone generator that generates ozone (O ₃ ) by discharge in oxygen, and the like. In addition, examples of the predetermined process using discharge include a plasma process using plasma generated by plasma discharge and an ozone process using ozone generated by discharge in oxygen. A plasma process using plasma discharge will be described as an example.

プラズマ処理として、例えばプラズマ中に被処理物（ワーク）を置いてワークに対してエッチングを行うプラズマエッチングや、蒸着させたい物質をプラズマ化してワークに蒸着させて堆積させるプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)や、ワークの濡れ性を向上させるためにワークに対して洗浄を行うプラズマ洗浄などがある。 As plasma processing, for example, plasma etching (etching a workpiece to be processed) in the plasma and etching the workpiece, or plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) for depositing the material to be vaporized by depositing it on the workpiece and depositing it on the workpiece In addition, there is plasma cleaning for cleaning the workpiece in order to improve the wettability of the workpiece.

プラズマ処理装置としては、図４に示すように、互いに対向した２極の電極Ｅ間に誘電体バリアＤを配設した装置が提示されている（例えば、特許文献１〜７参照）。この誘電体バリアＤを配設することで、誘電体バリアＤが容量結合されて、２極の電極Ｅ間で放電させることが可能になる。 As a plasma processing apparatus, as shown in FIG. 4, an apparatus in which a dielectric barrier D is disposed between two electrodes E facing each other is proposed (for example, see Patent Documents 1 to 7). By disposing the dielectric barrier D, the dielectric barrier D is capacitively coupled and can be discharged between the two electrodes E.

プラズマ処理を行う場合には、図４（ａ）のように誘電体バリアＤ間にワークＷを置いてワークＷに対して処理を施す、あるいは図４（ｂ）のように希ガスあるいは窒素ガスＧＡＳを流入させて流入側とは逆側からプラズマＰＭを噴射させてワークＷに作用させる。この図４のような装置では、２．４５ＧＨｚなどに代表されるマイクロ波や１３．５６MHｚのＲＦ(Radio Frequency)波のような高周波電源が必要でなく、パルス電源や１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度の交流電源でよい。また、図４のような装置では、チャンバーを用いないので、チャンバー内を真空にする必要がなく、またアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスをチャンバー内で減圧させて放電させる必要がない。
特開２００６−１２０７３９号公報（第１−８頁、図１−４）特開２００６−０９２８１３号公報（第１−９頁、図１）特開２００５−０９３３４４号公報（第１−１０頁、図１−６）特開２００４−３１１２５６号公報（第１−９頁、図１−５）特開２００４−１０３２５１号公報（第１，３−７頁、図１）特開２００３−３４７０９９号公報（第１−５頁、図１，２）特開２００３−０２４７７１号公報 When plasma processing is performed, the workpiece W is placed between the dielectric barriers D as shown in FIG. 4A, or the workpiece W is processed, or a rare gas or nitrogen gas as shown in FIG. 4B. GAS is introduced and plasma PM is injected from the opposite side to the inflow side to act on the workpiece W. The apparatus as shown in FIG. 4 does not require a high frequency power source such as a microwave represented by 2.45 GHz or a 13.56 MHz RF (Radio Frequency) wave, but a pulse power source or an AC power source of about 1 kHz to 100 kHz. It's okay. Further, in the apparatus as shown in FIG. 4, since the chamber is not used, it is not necessary to evacuate the chamber, and it is necessary to discharge the rare gas such as argon (Ar) or helium (He) by reducing the pressure in the chamber. There is no.
JP-A-2006-12039 (page 1-8, FIG. 1-4) Japanese Patent Laying-Open No. 2006-092913 (page 1-9, FIG. 1) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-093344 (page 1-10, FIG. 1-6) Japanese Patent Laying-Open No. 2004-31256 (page 1-9, FIG. 1-5) JP 2004-103251 A (pages 1 and 3-7, FIG. 1) JP 2003-347099 A (page 1-5, FIGS. 1 and 2) Japanese Patent Laid-Open No. 2003-024771

このように、大気圧下でプラズマ放電させることが可能で、真空や減圧させる機器が不要で、電源もパルス電源や交流電源でよく、コスト的に有利である。しかし、大気圧下でのプラズマでは効力が弱い。 In this way, plasma discharge can be performed under atmospheric pressure, a device for vacuum or decompression is unnecessary, and the power source may be a pulse power source or an AC power source, which is advantageous in terms of cost. However, the effect is weak in plasma at atmospheric pressure.

一方、チャンバー内で放電させる場合には、図５に示すように、チャンバーＣ内を真空にする、あるいはアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスを減圧させてチャンバーＣに入れた状態で電極Ｅからの放電によってプラズマＰＭを発生させる。図５のような装置では、プラズマ処理を行う場合には、チャンバーＣ内にワークＷを置いてワークＷに対して処理を施す。なお、電極Ｅは、図４と相違して誘電体が被覆されていない金属電極である。図５のような装置では、上述したように高周波電源が必要である。マイクロ波の場合には導波管が、ＲＦ波の場合にはマッチング回路がそれぞれ必要である。したがって、コストもかかり、装置としてもおおがかりになってしまう。また、減圧下でも集中放電が起こり、処理の均一性が劣るという欠点もある。 On the other hand, when discharging in the chamber, as shown in FIG. 5, the inside of the chamber C is evacuated, or a rare gas such as argon (Ar) or helium (He) is decompressed and put in the chamber C. The plasma PM is generated by the discharge from the electrode E. In the apparatus as shown in FIG. 5, when performing plasma processing, the workpiece W is placed in the chamber C and the workpiece W is processed. The electrode E is a metal electrode that is not covered with a dielectric, unlike FIG. In the apparatus as shown in FIG. 5, a high-frequency power source is necessary as described above. In the case of microwaves, a waveguide is required, and in the case of RF waves, a matching circuit is required. Therefore, the cost is high and the apparatus becomes an overweight. In addition, there is a drawback in that concentrated discharge occurs even under reduced pressure and processing uniformity is poor.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、効力が強い放電装置を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the discharge device with a strong effect.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、チャンバーを備え、チャンバー内で放電させる放電装置であって、冷媒を通す冷媒管を内部に設けた冷却板を備え、誘電体が被覆された誘電体バリアの電極および前記冷却板をモールド材により封止して覆ってチャンバー内に吊り下げ支持して備えるとともに、前記チャンバー内にチャンバーとは独立して２つの電極を備え、パルス電源を備え、前記２つの電極がともに前記誘電体バリアの電極であって、前記パルス電源からのパルス波を電極に印加することにより前記誘電体バリアの電極を用いて放電させることを特徴とするものである。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 is a discharge device that includes a chamber and discharges in the chamber, and includes a cooling plate provided therein with a refrigerant tube through which a refrigerant passes, and a dielectric barrier covered with a dielectric. The electrode and the cooling plate are sealed with a molding material and covered and supported in a suspended manner in the chamber, and two electrodes are provided in the chamber independently of the chamber, and a pulse power source is provided. The two electrodes are both electrodes of the dielectric barrier, and a discharge is performed using the electrodes of the dielectric barrier by applying a pulse wave from the pulse power source to the electrodes.

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、誘電体が被覆された誘電体バリアの電極をモールド材により封止して覆ってチャンバー内に吊り下げ支持して備え、チャンバー内で放電させるので、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）と比較すると、投入電力（電極への印加電力）の放電効率がよく、省電力化を図ることができる。また、チャンバー内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）と比較しても、放電効率がよく、省電力化が図れることが確認されている。その結果、低コストで効力が強い放電装置を提供することができる。また、後述する放電がプラズマ放電の場合には、ワークへの熱の影響も少ない。
また、冷却板を備え、冷媒を通す冷媒管を冷却板の内部に設け、誘電体バリアの電極および冷却板をモールド材により封止して覆ってチャンバー内に吊り下げ支持する。このように冷媒で冷却することにより、冷却板を極端に小さくすることができる。そうすることにより、電極および誘電体バリアに対する浮遊容量を削減することができ、チャージ電流を少なくすることができるので、パルス波の立ち上がり・立ち下がり時間を短く（すなわち立ち上がり・立ち下がりスピードを速く）することが可能となる。 [Operation / Effect] According to the first aspect of the present invention, the dielectric barrier electrode covered with the dielectric is sealed and covered with the molding material, and is suspended and supported in the chamber. Since the discharge is performed, compared with the apparatus under atmospheric pressure that does not use the chamber (see FIG. 4), the discharge efficiency of the input power (applied power to the electrode) is better, and the power can be saved. In addition, it has been confirmed that the discharge efficiency is good and power saving can be achieved even when compared with an apparatus (see FIG. 5) having only metal electrodes in the chamber. As a result, it is possible to provide a discharge device that is inexpensive and highly effective. In addition, when the discharge described later is a plasma discharge, the influence of heat on the work is small.
In addition, a cooling plate is provided, and a refrigerant tube through which a refrigerant is passed is provided inside the cooling plate, and the electrodes of the dielectric barrier and the cooling plate are sealed and covered with a molding material, and supported by being suspended in the chamber. By cooling with the refrigerant in this way, the cooling plate can be made extremely small. By doing so, the stray capacitance with respect to the electrode and the dielectric barrier can be reduced, and the charge current can be reduced, so the rise / fall time of the pulse wave is shortened (that is, the rise / fall speed is increased). It becomes possible to do.

チャンバー内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）では、高周波電源が必要であるが、上述した発明では、高周波電源は不要であり、パルス電源で放電させることが可能である。すなわち、上述した発明において、パルス電源を備え、そのパルス電源からのパルス波を電極に印加することによりチャンバー内で放電させる。電力的には、パルス電源であるので小電力から大電力まで制御範囲が広い。また、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）で用いられるパルス電源と比較して、パルス電源の電圧は半分以下でよく、誘電体へのチャージ電流が少なくすむので、その分パルス波の立ち上がり時間を短くすることができる。また、パルス幅（時間幅）を小さくすることで、局部に集中した放電を防止することもできる。 A device having only metal electrodes in the chamber (see FIG. 5) requires a high-frequency power supply. However, the above-described invention does not require a high-frequency power supply and can be discharged with a pulse power supply. That is, in the above-described invention, a pulse power source is provided, and a pulse wave from the pulse power source is applied to the electrode to discharge in the chamber . In terms of power, since it is a pulse power supply, the control range is wide from low power to high power. In addition, the voltage of the pulse power supply may be less than half compared with the pulse power supply used in the apparatus under atmospheric pressure (see FIG. 4) without using the chamber, and the charge current to the dielectric can be reduced. The rise time of the minute pulse wave can be shortened. Further, by reducing the pulse width (time width), it is possible to prevent localized discharge.

また、チャンバー内にチャンバーとは独立して２つの電極を備え、上述した２つの電極がともに誘電体バリアの電極である。 Further, independently of the chamber into the chamber with two electrodes, an electrode for both the dielectric barrier two electrodes described above.

請求項２に記載の発明のタイプの場合には、放電装置として、プラズマ放電によってプラズマを発生させるプラズマ発生装置や、プラズマ放電によって発生したプラズマを利用したプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に適用することができる。なお、プラズマの発生面積は、電極の大きさによるのみで、制限するものはなく、大面積化も容易である。 In the case of the type of the invention described in claim 2 , the discharge device is applied to a plasma generation device that generates plasma by plasma discharge or a plasma processing device that performs plasma processing using plasma generated by plasma discharge. Can do. Note that the plasma generation area is only limited by the size of the electrode, and is not limited, and it is easy to increase the area.

処理の均一性等を考慮すれば、上述したこれらの発明では、大気圧よりも低い減圧下で行われるのが好ましい。すなわち、チャンバー内を大気圧よりも低い減圧下にして放電させる（請求項３に記載の発明）。チャンバー内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）では、上述したように減圧下でも集中放電が起こり、処理の均一性が劣るという欠点があるが、請求項３に記載の発明の場合には、誘電体バリアの働きにより、減圧下でも原理的に集中放電が起こらず、処理の均一性が優れている。 In consideration of processing uniformity and the like, in the above-described inventions, it is preferable that the process is performed under a reduced pressure lower than the atmospheric pressure. That is, the chamber is discharged under a reduced pressure lower than atmospheric pressure (the invention according to claim 3 ). In apparatus provided with only the metal electrodes in the chamber (see Figure 5), occurs concentrated discharge at reduced pressure as described above, there is a disadvantage that the uniformity of treatment is poor, the invention described in claim 3 In this case, due to the action of the dielectric barrier, concentrated discharge does not occur in principle even under reduced pressure, and the processing uniformity is excellent.

また、上述した放電がプラズマ放電の場合には、減圧下でのプラズマであるので、イオンの移動距離が長く、しかも電圧印加方向への動きが大きく作用する。したがって、プラズマ作用の方向性があり、異方性エッチングに有効である。なお、通常は、１００パスカル以下の減圧下でプラズマを発生させるが、請求項３に記載の発明の場合には、３０００パスカル程度でも均一なプラズマを発生させることができる。また、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）において、大気圧プラズマの数十倍以上の距離（発生範囲）でも、請求項３に記載の発明の場合には、局部に集中した放電のない均一なプラズマを発生させることができるので、大気圧下での処理に比べて処理対象物（被処理物）であるワークの寸法形状の制限は大きく改善される。局部に集中した放電に弱いワークに対しても処理することができる。 Further, when the above-described discharge is a plasma discharge, since it is a plasma under a reduced pressure, the movement distance of ions is long and the movement in the voltage application direction is greatly affected. Therefore, there is a direction of plasma action, which is effective for anisotropic etching. Normally, plasma is generated under a reduced pressure of 100 Pascals or less, but in the case of the invention according to claim 3 , uniform plasma can be generated even at about 3000 Pascals. Further, in the apparatus under atmospheric pressure without using the chamber (see Figure 4), but several tens of times or more the distance atmospheric pressure plasma (source range), in the case of the invention described in claim 3, the local Since uniform plasma without concentrated discharge can be generated, the limitation on the size and shape of the workpiece, which is the object to be processed (object to be processed), is greatly improved as compared with the processing under atmospheric pressure. It is also possible to process workpieces that are vulnerable to discharge concentrated in the local area.

プラズマ放電では、電極側とプラズマ放電側（酸素ガス等の作用ガス側）との耐電圧差により、プラズマを発生させる。請求項３に記載の発明の場合、プラズマ放電側は減圧下であって、プラズマ放電が起きやすくなっている。したがって、電極側のみにプラズマを発生させることができる。 In plasma discharge, plasma is generated by a withstand voltage difference between an electrode side and a plasma discharge side (a working gas side such as oxygen gas). In the case of the invention described in claim 3 , the plasma discharge side is under reduced pressure and plasma discharge is likely to occur. Therefore, plasma can be generated only on the electrode side.

この発明に係る放電装置によれば、投入電力（電極への印加電力）の放電効率がよく、省電力化を図ることができる。その結果、低コストで効力が強い放電装置を提供することができる。 According to the discharge device of the present invention, the discharge efficiency of the input power (applied power to the electrode) is good, and the power can be saved. As a result, it is possible to provide a discharge device that is inexpensive and highly effective.

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るプラズマ処理装置の概略図であり、図２は、パルス波の出力に関する概略図であり、図３は、図１とは別態様のプラズマ処理装置の概略図である。なお、本実施例では、放電を利用した所定の処理として、プラズマ放電によって発生したプラズマを利用したプラズマ処理を例に採って説明するとともに、放電装置として、そのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を例に採って説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a schematic diagram regarding output of a pulse wave, and FIG. 3 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to a mode different from FIG. . In the present embodiment, the plasma processing using plasma generated by plasma discharge will be described as an example of the predetermined processing using discharge, and a plasma processing apparatus that performs the plasma processing will be described as an example of the discharge device. To explain.

本実施例では、プラズマ処理装置は、図１（ａ）に示すように、チャンバー１を備えており、チャンバー１内にチャンバー１とは独立して誘電体が被覆された誘電体バリアの電極２と誘電体が被覆されていない金属電極３とからなる２つの電極を備えている。チャンバー１は、本発明におけるチャンバーに相当し、誘電体バリアの電極２は、本発明における誘電体バリアの電極に相当し、金属電極３は、この発明における金属電極に相当する。 In this embodiment, as shown in FIG. 1A, the plasma processing apparatus includes a chamber 1, and a dielectric barrier electrode 2 in which a dielectric is coated in the chamber 1 independently of the chamber 1. And two electrodes consisting of a metal electrode 3 not covered with a dielectric. The chamber 1 corresponds to the chamber in the present invention, the dielectric barrier electrode 2 corresponds to the dielectric barrier electrode in the present invention, and the metal electrode 3 corresponds to the metal electrode in the present invention.

誘電体バリアの電極２について、より具体的に説明すると、図１（ｂ）の誘電体バリアの電極２付近の具体図にも示すように、誘電体バリアの電極２は、放熱ブロック２１と電極支持部２２と金属電極２３と誘電体バリア２４とモールド材２５とを備えている。放熱ブロック２１を、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成し、チャンバー１の内壁面に絶縁物（図示省略）を介在させて支持している。電極支持部２２は金属電極２３および誘電体バリア２４を支持し、電極支持部２２を放熱ブロック２１と金属電極２３との間に介在させ、誘電体バリア２４や金属電極２３からの熱をこの電極支持部２２を介して放熱ブロック２２に放熱している。金属電極２３を誘電体バリア２４が被覆して、誘電体バリア２４から放電させる。本実施例では、電極支持部２２や誘電体バリア２４を、磁器・ガラス・セメントなどに代表される、無機物質を原料として焼結された焼結物（一般的に「セラミックス」と呼ばれている）（例えば炭素ケイ素や窒化ケイ素）で形成している。モールド材２５は、放熱ブロック２１と電極支持部２２と金属電極２３と誘電体バリア２４とを覆って封止している。本実施例では、このモールド材２５を、シリコーン系のゴムや樹脂で形成しており、１０ｋＶ／ｍｍ以上（〜２０ｋＶ／ｍｍ）の耐電圧材料で形成するのが好ましい。 The dielectric barrier electrode 2 will be described in more detail. As shown in the specific diagram in the vicinity of the dielectric barrier electrode 2 in FIG. 1B, the dielectric barrier electrode 2 includes the heat dissipation block 21 and the electrode. A support portion 22, a metal electrode 23, a dielectric barrier 24, and a molding material 25 are provided. The heat dissipating block 21 is made of, for example, aluminum (Al), and is supported on the inner wall surface of the chamber 1 with an insulator (not shown) interposed therebetween. The electrode support portion 22 supports the metal electrode 23 and the dielectric barrier 24, and the electrode support portion 22 is interposed between the heat dissipation block 21 and the metal electrode 23, and heat from the dielectric barrier 24 and the metal electrode 23 is transferred to this electrode. Heat is radiated to the heat radiating block 22 via the support portion 22. The metal electrode 23 is covered with the dielectric barrier 24 and discharged from the dielectric barrier 24. In this embodiment, the electrode support 22 and the dielectric barrier 24 are sintered products (generally referred to as “ceramics”), which are sintered using inorganic substances as a raw material, represented by porcelain, glass, cement and the like. (For example, carbon silicon or silicon nitride). The molding material 25 covers and seals the heat dissipation block 21, the electrode support portion 22, the metal electrode 23, and the dielectric barrier 24. In this embodiment, the molding material 25 is made of silicone rubber or resin, and is preferably made of a withstand voltage material of 10 kV / mm or more (˜20 kV / mm).

図１（ｂ）では放熱ブロック２１によって過熱を防止したが、放熱ブロック２１の替わりに、図１（ｃ）に示すように水冷板２６を備えてもよい。具体的には、図１（ｃ）に示すように、冷却水を通す水冷管２７を水冷板２６の内部に設け、水冷板２６とチャンバー１との間にスペーサー２８を複数箇所（例えば端部および中央部）に介在させる。このように、水冷板２６を含んだ電極支持部２２，金属電極２３，誘電体バリア２４およびモールド材２５を、スペーサー２８を介してチャンバー１は吊り下げ支持する。なお、冷却に用いられる冷媒であれば、冷却水に限定されない。 In FIG. 1B, the heat dissipation block 21 prevents overheating. However, instead of the heat dissipation block 21, a water cooling plate 26 may be provided as shown in FIG. Specifically, as shown in FIG. 1C, water cooling pipes 27 through which cooling water passes are provided inside the water cooling plate 26, and spacers 28 are provided between the water cooling plate 26 and the chamber 1 at a plurality of locations (for example, end portions). And the middle part). Thus, the chamber 1 suspends and supports the electrode support portion 22 including the water cooling plate 26, the metal electrode 23, the dielectric barrier 24, and the molding material 25 via the spacer 28. In addition, if it is a refrigerant | coolant used for cooling, it will not be limited to cooling water.

このように水冷にすることにより、図１（ｂ）の放熱ブロック２１よりも水冷板２６を極端に小さくすることができる。そうすることにより、金属電極２３および誘電体バリア２４に対する浮遊容量を削減することができ、チャージ電流を少なくすることができるので、パルス波の立ち上がり・立ち下がり時間を短く（すなわち立ち上がり・立ち下がりスピードを速く）することが可能となる。 By water cooling in this way, the water cooling plate 26 can be made extremely smaller than the heat radiation block 21 of FIG. By doing so, the stray capacitance with respect to the metal electrode 23 and the dielectric barrier 24 can be reduced, and the charge current can be reduced. Therefore, the rise / fall time of the pulse wave is shortened (that is, the rise / fall speed). Fast).

上述した焼結物（セラミックス）で誘電体バリア２４を形成する場合には、金属電極の形状に合わせて、セラミック基板に印刷でパターン作成することができるので、自由な形状のプラズマを発生させることができる。 When the dielectric barrier 24 is formed of the above-described sintered product (ceramics), a pattern can be created by printing on the ceramic substrate in accordance with the shape of the metal electrode, so that free-form plasma can be generated. Can do.

図１（ａ）の説明に戻って、金属電極３も、誘電体バリアの電極２と同様に、電極支持部（図示省略）を備えている。その他に、被処理物（ワーク）Ｗを支持するステージ４を備えている。 Returning to the description of FIG. 1A, the metal electrode 3 also includes an electrode support (not shown), like the electrode 2 of the dielectric barrier. In addition, a stage 4 that supports a workpiece (workpiece) W is provided.

チャンバー１内では、大気圧（１０１，３２５パスカル）よりも低い減圧下にして放電させている。具体的には、チャンバー１内を３０００パスカル、より好ましくは２０００パスカルにしている。もちろん、２０００パスカル未満でもよい。本実施例では、酸素をチャンバー内に入れて減圧する。なお、酸素ガス以外の作用ガスや、アルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスをチャンバー１内に入れてもよい。 The chamber 1 is discharged under a reduced pressure lower than the atmospheric pressure (101,325 Pascals). Specifically, the inside of the chamber 1 is set to 3000 pascals, more preferably 2000 pascals. Of course, it may be less than 2000 Pascals. In this embodiment, oxygen is put into the chamber and the pressure is reduced. Note that a working gas other than oxygen gas or a rare gas such as argon (Ar) or helium (He) may be placed in the chamber 1.

電極２，３を、図２に示すようなパルス幅（時間幅）が０．５μｓｅｃ〜１０μｓｅｃ程度で電圧振幅１ｋＶ〜１０ｋＶ程度のパルス波を出力するパルス電源５に電気的に接続している。なお、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）で用いられるパルス電源では１５ｋＶ程度のパルス波を出力している。パルス電源５からのパルス波を電極２，３に印加することによりチャンバー１内に放電させる。電極２，３にパルス波が印加されることでプラズマ放電して、そのプラズマ放電によってプラズマＰＭが発生する。そして、ワークＷに対してプラズマ処理を施す。なお、誘電体バリアの電極２を接地電極にしてもよいし、金属電極３を接地電極にしてもよい。投入電力（電極への印加電力）については、パルス波の電圧パルス幅（電圧振幅），繰り返し周波数または出力電圧の可変要素により制御することができる。パルス電源５は、本発明におけるパルス電源に相当する。 The electrodes 2 and 3 are electrically connected to a pulse power supply 5 that outputs a pulse wave having a pulse width (time width) of about 0.5 μsec to 10 μsec and a voltage amplitude of about 1 kV to 10 kV as shown in FIG. Note that the pulse power source used in the apparatus under atmospheric pressure without using the chamber (see FIG. 4) outputs a pulse wave of about 15 kV. The chamber 1 is discharged by applying a pulse wave from the pulse power source 5 to the electrodes 2 and 3. Plasma discharge occurs when a pulse wave is applied to the electrodes 2 and 3, and plasma PM is generated by the plasma discharge. Then, plasma processing is performed on the workpiece W. The dielectric barrier electrode 2 may be a ground electrode, and the metal electrode 3 may be a ground electrode. The input power (applied power to the electrode) can be controlled by the variable factor of the voltage pulse width (voltage amplitude), repetition frequency, or output voltage of the pulse wave. The pulse power source 5 corresponds to the pulse power source in the present invention.

プラズマ処理については、特に限定されない。例えば、プラズマＰＭ中にワークＷを置いてワークＷに対してエッチングを行うプラズマエッチングにも適用できるし、蒸着させたい物質をプラズマ化してワークＷに蒸着させて堆積させるプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)にも適用できるし、ワークＷの濡れ性を向上させるためにワークＷに対して洗浄を行うプラズマ洗浄に適用してもよい。その他にも、レジストなどの不要になった膜をプラズマＰＭにより灰化（Ashing）することにより除去するプラズマアッシングに適用してもよい。 The plasma treatment is not particularly limited. For example, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) can be applied to plasma etching in which a workpiece W is placed in plasma PM and etching is performed on the workpiece W, and a material to be deposited is converted into plasma and deposited on the workpiece W. The present invention can also be applied to plasma cleaning for cleaning the workpiece W in order to improve the wettability of the workpiece W. In addition, the present invention may be applied to plasma ashing in which an unnecessary film such as a resist is removed by ashing with plasma PM.

図１では、チャンバー１内にチャンバー１とは独立して２つの電極２，３を備え、それら電極２，３のうち一方が誘電体バリアの電極２であるとともに、他方が、誘電体が被覆されていない金属電極３である。チャンバー１内にチャンバー１とは独立して２つの電極２，３を備え、それら電極２，３のうち少なくとも一方が誘電体バリアの電極であれば、図１のような構造に限定されず、上述した２つの電極がともに誘電体バリアの電極であってもよい。 In FIG. 1, two electrodes 2 and 3 are provided in the chamber 1 independently of the chamber 1, and one of the electrodes 2 and 3 is a dielectric barrier electrode 2 and the other is covered with a dielectric. The metal electrode 3 is not formed. If the chamber 1 includes two electrodes 2 and 3 independently of the chamber 1, and at least one of the electrodes 2 and 3 is a dielectric barrier electrode, the structure is not limited to that shown in FIG. Both of the two electrodes described above may be dielectric barrier electrodes.

また、図１のようなチャンバー１内にチャンバー１とは独立して２つの電極２，３を備えた構造に限定されない。図３に示すようにチャンバー内にチャンバーとは独立して１つの電極を備え、チャンバー１を接地させて接地電極を兼用し、それら電極のうち少なくとも一方が誘電体バリアの電極であってもよい。例えば、図３（ａ）に示すように、チャンバー内１にチャンバー１とは独立して備えられた電極が誘電体バリアの電極２であり、接地電極を兼用したチャンバー１が、誘電体が被覆されていない金属電極３であってもよいし、図３（ｂ）に示すように、チャンバー内１にチャンバー１とは独立して備えられた電極が、誘電体が被覆されていない金属電極３であり、接地電極を兼用したチャンバー１が誘電体バリアの電極２であってもよいし、図３（ｃ）に示すように、チャンバー内１にチャンバー１とは独立して備えられた電極、および接地電極を兼用したチャンバー１がともに誘電体バリアの電極２であってもよい。なお、図３では、パルス電源５の図示を省略している。接地電極を兼用したチャンバー１が誘電体バリアの電極２（図３（ｂ）、図３（ｃ）を参照）の場合には、チャンバー１の内壁面を誘電体で覆えばよい。そのときに、必ずしも内壁面の全面を覆う必要はなく、内壁面の一部を誘電体で覆えばよい。 Further, the present invention is not limited to a structure in which two electrodes 2 and 3 are provided in the chamber 1 as shown in FIG. As shown in FIG. 3, one electrode may be provided in the chamber independently of the chamber, and the chamber 1 may be grounded to serve as a ground electrode, and at least one of these electrodes may be a dielectric barrier electrode. . For example, as shown in FIG. 3A, the electrode provided in the chamber 1 independently of the chamber 1 is the electrode 2 of the dielectric barrier, and the chamber 1 also serving as the ground electrode is covered with the dielectric. The metal electrode 3 may be a metal electrode 3 that is not coated, or as shown in FIG. 3B, an electrode provided in the chamber 1 independently of the chamber 1 is not covered with a dielectric. The chamber 1 that also serves as the ground electrode may be the dielectric barrier electrode 2, and as shown in FIG. 3C, an electrode provided in the chamber 1 independently of the chamber 1, The chamber 1 also serving as the ground electrode may be the dielectric barrier electrode 2. In FIG. 3, the pulse power supply 5 is not shown. When the chamber 1 also serving as the ground electrode is the electrode 2 of the dielectric barrier (see FIGS. 3B and 3C), the inner wall surface of the chamber 1 may be covered with a dielectric. At that time, it is not always necessary to cover the entire inner wall surface, and a part of the inner wall surface may be covered with a dielectric.

上述の構成を備えた本実施例に係るプラズマ処理装置によれば、誘電体が被覆された誘電体バリアの電極２をチャンバー内に備え、チャンバー１内で放電させるので、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）と比較すると、投入電力（電極への印加電力）の放電効率がよく、省電力化を図ることができる。また、チャンバー１内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）と比較しても、放電効率がよく、省電力化が図れることが確認されている。その結果、低コストで効力が強いプラズマ処理装置を提供することができる。また、本実施例のように放電がプラズマ放電の場合には、ワークＷへの熱の影響も少ない。 According to the plasma processing apparatus according to the present embodiment having the above-described configuration, the dielectric barrier-coated electrode 2 is provided in the chamber and discharged in the chamber 1, so that the atmospheric pressure without using the chamber is used. Compared with the apparatus below (see FIG. 4), the discharge efficiency of the input power (applied power to the electrode) is good, and power saving can be achieved. Further, it has been confirmed that the discharge efficiency is good and power saving can be achieved even when compared with an apparatus (see FIG. 5) provided with only metal electrodes in the chamber 1. As a result, it is possible to provide a low-cost and highly effective plasma processing apparatus. Further, when the discharge is a plasma discharge as in this embodiment, the influence of the heat on the workpiece W is small.

チャンバー内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）では、高周波電源が必要であるが、本実施例では、高周波電源は不要であり、パルス電源５で放電させることが可能である。すなわち、本実施例では、パルス電源５を備え、そのパルス電源５からのパルス波を電極２，３に印加することによりチャンバー１内で放電させる。電力的には、パルス電源５であるので小電力から大電力まで制御範囲が広い。また、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）で用いられるパルス電源と比較して、パルス電源５の電圧は半分以下（大気圧下での装置で用いられるパルス電源の電圧が１５ｋＶ程度の場合には、本実施例でのパルス電源の電圧は数ｋＶ程度）でよく、誘電体へのチャージ電流が少なくすむので、その分パルス波の立ち上がり時間を短くすることができる。また、パルス幅（時間幅）を小さくすることで、局部に集中した放電を防止することもできる。なお、プラズマＰＭの発生面積は、電極２，３の大きさによるのみで、制限するものはなく、大面積化も容易である。 In the apparatus having only the metal electrode in the chamber (see FIG. 5), a high frequency power source is necessary. However, in this embodiment, the high frequency power source is not necessary and can be discharged by the pulse power source 5. That is, in the present embodiment, a pulse power source 5 is provided, and a pulse wave from the pulse power source 5 is applied to the electrodes 2 and 3 to discharge in the chamber 1. In terms of power, since the pulse power supply 5 is used, the control range is wide from low power to high power. In addition, the voltage of the pulse power supply 5 is less than half the voltage of the pulse power supply used in the apparatus under atmospheric pressure without using the chamber (see FIG. 4) (the voltage of the pulse power supply used in the apparatus under atmospheric pressure). Is about 15 kV, the voltage of the pulse power supply in this embodiment may be about several kV), and the charge current to the dielectric can be reduced, so that the rise time of the pulse wave can be shortened accordingly. Further, by reducing the pulse width (time width), it is possible to prevent localized discharge. The generation area of the plasma PM is only limited by the size of the electrodes 2 and 3, and is not limited, and can be easily increased in area.

処理の均一性等を考慮すれば、本実施例のように、好ましくは、大気圧よりも低い減圧（３０００パスカル、より好ましくは２０００パスカル以下）下で行う。すなわち、チャンバー１内を大気圧よりも低い減圧下にして放電させる。チャンバー内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）では、減圧下でも集中放電が起こり、処理の均一性が劣るという欠点があるが、本実施例の場合には、誘電体バリア２４の働きにより、減圧下でも原理的に集中放電が起こらず、処理の均一性が優れている。 In consideration of the uniformity of the treatment, etc., as in this embodiment, it is preferably performed under a reduced pressure (3000 Pascals, more preferably 2000 Pascals or less) lower than the atmospheric pressure. That is, the chamber 1 is discharged under a reduced pressure lower than the atmospheric pressure. In the apparatus having only the metal electrode in the chamber (see FIG. 5), there is a disadvantage that concentrated discharge occurs even under reduced pressure and the processing uniformity is inferior, but in this embodiment, the dielectric barrier 24 is used. As a result of this, concentrated discharge does not occur in principle even under reduced pressure, and processing uniformity is excellent.

また、本実施例のように放電がプラズマ放電の場合には、減圧下でのプラズマであるので、イオンの移動距離が長く、しかも電圧印加方向への動きが大きく作用する。したがって、プラズマ作用の方向性があり、異方性エッチングに有効である。なお、通常は、１００パスカル以下の減圧下でプラズマを発生させるが、本実施例の場合には、３０００パスカル程度でも均一なプラズマＰＭを発生させることができる。また、チャンバーを用いない大気圧下での装置（図４を参照）において、大気圧プラズマの数十倍以上の距離（発生範囲）でも、本実施例の場合には、局部に集中した放電のない均一なプラズマＰＭを発生させることができるので、大気圧下での処理に比べて処理対象物（被処理物）であるワークＷの寸法形状の制限は大きく改善される。局部に集中した放電に弱いワークＷに対しても処理することができる。 Further, when the discharge is a plasma discharge as in this embodiment, since the plasma is under reduced pressure, the movement distance of ions is long and the movement in the voltage application direction is greatly affected. Therefore, there is a direction of plasma action, which is effective for anisotropic etching. Normally, plasma is generated under a reduced pressure of 100 Pascal or less, but in the present embodiment, uniform plasma PM can be generated even at about 3000 Pascals. Further, in the apparatus under atmospheric pressure without using a chamber (see FIG. 4), even in a distance (generation range) more than tens of times that of atmospheric pressure plasma, in the present embodiment, the discharge concentrated locally is generated. Since uniform plasma PM can be generated, the limitation on the size and shape of the workpiece W, which is the object to be processed (object to be processed), is greatly improved as compared with the process under atmospheric pressure. It is also possible to process a work W that is weak against discharge concentrated in the local area.

プラズマ放電では、電極側とプラズマ放電側（酸素ガス等の作用ガス側）との耐電圧差により、プラズマＰＭを発生させる。本実施例の場合、プラズマ放電側は減圧下であって、プラズマ放電が起きやすくなっている。したがって、電極側のみにプラズマＰＭを発生させることができる。 In plasma discharge, plasma PM is generated by the withstand voltage difference between the electrode side and the plasma discharge side (the working gas side such as oxygen gas). In the case of this embodiment, the plasma discharge side is under reduced pressure, and plasma discharge is likely to occur. Therefore, plasma PM can be generated only on the electrode side.

チャンバー内で金属電極のみを備えた装置（図５を参照）と比較して、チャージ電流が減って、効力が強くなったことを、実験データで確認している。以下、実験データについて、図６および図７を参照して説明する。図６は、実施例における誘電体バリアの電極のときのパルス波の波形データと、従来の金属電極のときのパルス波の波形データとの比較に関する実験データであり、図７は、実施例における誘電体バリアの電極のときのフォトレジストの削れ量と、従来の金属電極のときのフォトレジストの削れ量との比較に関する実験データである。なお、図３に示すチャンバー１を接地させて接地電極を兼用した構造を用いて、本実施例における誘電体バリアの電極２のときのパルス波の波形データおよびフォトレジストの削れ量とを測定している。また、チャンバー１をアルミニウム（Ａｌ）で形成している。 Experimental data confirms that the charge current is reduced and the efficacy is increased compared to a device having only metal electrodes in the chamber (see FIG. 5). Hereinafter, experimental data will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is experimental data relating to the comparison between the waveform data of the pulse wave at the dielectric barrier electrode in the example and the waveform data of the pulse wave at the conventional metal electrode, and FIG. It is an experimental data regarding the comparison of the amount of photo resist abrasion at the time of the electrode of a dielectric barrier, and the amount of photo resist abrasion at the time of the conventional metal electrode. Note that the waveform data of the pulse wave and the amount of shaving of the photoresist at the time of the dielectric barrier electrode 2 in this example were measured using the structure in which the chamber 1 shown in FIG. ing. The chamber 1 is made of aluminum (Al).

実施例における誘電体バリアの電極２のときと、従来の金属電極のときの（図６および図７の実験データを取得するための）共通条件は、図７に示す通りである。また、図６および図７の「波形１」は、投入電力（電極への印加電力）（図７では「入力電力」で表記）が９００Ｗ、繰り返し周波数（図７では「パルス周波数」で表記）が３０ｋＨｚの条件の下での従来の金属電極のときの波形データであり、図６および図７の「波形２」は、投入電力が９００Ｗ、繰り返し周波数が３０ｋＨｚの条件での本実施例における誘電体バリアの電極２（図７では「誘電体電極」で表記）のときの波形データであり、図６および図７の「波形３」は、投入電力が９００Ｗ、繰り返し周波数が１５ｋＨｚの条件での本実施例における誘電体バリアの電極２のときの波形データである。また、図７では参考データとしてマイクロ波を用いた一般的な表面波プラズマにおけるフォトレジストの削れ量を参考データ（図７では「ＳＷＰ」で表記）として載せている。 Common conditions (for obtaining the experimental data of FIGS. 6 and 7) for the dielectric barrier electrode 2 and the conventional metal electrode in the example are as shown in FIG. In addition, “waveform 1” in FIGS. 6 and 7 has an input power (applied power to the electrode) (denoted as “input power” in FIG. 7) of 900 W and a repetition frequency (denoted as “pulse frequency” in FIG. 7). Is the waveform data for a conventional metal electrode under the condition of 30 kHz, and “Waveform 2” in FIGS. 6 and 7 represents the dielectric in the present example under the conditions of an input power of 900 W and a repetition frequency of 30 kHz. Waveform data for the body barrier electrode 2 (shown as “dielectric electrode” in FIG. 7). “Waveform 3” in FIG. 6 and FIG. 7 is a condition where the input power is 900 W and the repetition frequency is 15 kHz. It is a waveform data at the time of the electrode 2 of the dielectric barrier in a present Example. In FIG. 7, the amount of photoresist scraping in a general surface wave plasma using microwaves is shown as reference data (indicated as “SWP” in FIG. 7) as reference data.

従来の金属電極のときには、チャージ電流が多いので、その分、波形データのピーク電圧は低い。従来の金属電極のときのパルス波の波形データ（波形１）は、図６（ａ）に示す通りである。図６（ｂ）は図６（ａ）を時間軸に拡大した図である。従来の金属電極のときには、ピーク電圧は５００Ｖである（図６（ｂ）の「500Vpeek」を参照）。 In the case of the conventional metal electrode, since the charge current is large, the peak voltage of the waveform data is low accordingly. The waveform data (waveform 1) of the pulse wave at the conventional metal electrode is as shown in FIG. FIG. 6B is an enlarged view of FIG. 6A along the time axis. In the case of a conventional metal electrode, the peak voltage is 500 V (see “500 Vpeek” in FIG. 6B).

一方、本実施例における誘電体バリアの電極２のときには、従来の金属電極のときよりもチャージ電流が減る。従来の金属電極のときと本実施例における誘電体バリアの電極２のときでは投入電力が９００Wで繰り返し周波数が３０ｋＨｚと同じであるので、本実施例における誘電体バリアの電極２のときには、従来の金属電極のときよりもチャージ電流が減った分、波形データのピーク電圧は高くなる。本実施例における誘電体バリアの電極２のときのパルス波の波形データ（波形２）は、図６（ｃ）に示す通りである。図６（ｄ）は図６（ｃ）を時間軸に拡大した図である。本実施例における誘電体バリアの電極２のときには、従来の金属電極のときよりもピーク電圧は高くなり、ピーク電圧は４．５ｋＶである（図６（ｄ）の「4.5kVpeek」を参照）。 On the other hand, in the case of the dielectric barrier electrode 2 in this embodiment, the charge current is reduced as compared with the conventional metal electrode. In the case of the conventional metal electrode and the electrode 2 of the dielectric barrier in this embodiment, the input power is 900 W and the repetition frequency is the same as 30 kHz. The peak voltage of the waveform data increases as the charge current is reduced compared to the metal electrode. The waveform data (waveform 2) of the pulse wave at the electrode 2 of the dielectric barrier in this example is as shown in FIG. FIG. 6D is an enlarged view of FIG. 6C along the time axis. In the case of the dielectric barrier electrode 2 in this embodiment, the peak voltage is higher than that of the conventional metal electrode, and the peak voltage is 4.5 kV (see “4.5 kVpeek” in FIG. 6D).

また、本実施例における誘電体バリアの電極２のときにおいて、繰り返し周波数を１５ｋＨｚにした場合には、同じ誘電体バリアの電極２のときにおいて、繰り返し周波数が３０ｋＨｚと比べると、波形データのピーク電圧は高くなる。繰り返し周波数が１５ｋＨｚで、本実施例における誘電体バリアの電極２のときのパルス波の波形データ（波形３）は、図６（ｅ）に示す通りである。図６（ｆ）は図６（ｅ）を時間軸に拡大した図である。本実施例における誘電体バリアの電極２のときにおいて、繰り返し周波数を１５ｋＨｚにした場合には、同じ誘電体バリアの電極２のときにおいて、繰り返し周波数が３０ｋＨｚの場合よりもピーク電圧は高くなり、ピーク電圧は７ｋＶである（図６（ｄ）の「7kVpeek」を参照）。 In the case of the dielectric barrier electrode 2 in this embodiment, when the repetition frequency is set to 15 kHz, the peak voltage of the waveform data is compared with the repetition frequency of 30 kHz in the case of the same dielectric barrier electrode 2. Becomes higher. The waveform data (waveform 3) of the pulse wave when the repetition frequency is 15 kHz and the electrode 2 of the dielectric barrier in this embodiment is as shown in FIG. FIG. 6F is an enlarged view of FIG. 6E along the time axis. In the case of the dielectric barrier electrode 2 in this embodiment, when the repetition frequency is set to 15 kHz, the peak voltage is higher and the peak is higher than that in the case of the same dielectric barrier electrode 2 when the repetition frequency is 30 kHz. The voltage is 7 kV (see “7 kVpeek” in FIG. 6D).

酸素をチャンバーに入れてプラズマを生成し、シリコンウエハーにフォトレジストを塗布したものをワークとしてチャンバー内に入れて、フォトレジストに対するプラズマアッシングを行う。プラズマアッシングによるフォトレジストの削れ量の実験結果は、図７に示す通りである（図７では「Ｏ_２プラズマの生成方法によるフォトレジストの削れ量比較」）。図７の縦軸はフォトレジストの削れ量であり、横軸はワークと（接地電極ではないホット電極の方の）電極との距離（図７では「ギャップ間距離」で表記）である。 Oxygen is put into the chamber to generate plasma, and a silicon wafer coated with a photoresist is placed in the chamber as a workpiece, and plasma ashing is performed on the photoresist. The experimental result of the amount of photoresist abrasion by plasma ashing is as shown in FIG. 7 (in FIG. 7, “Comparison of the amount of photoresist abrasion by the O ₂ plasma generation method”). The vertical axis in FIG. 7 represents the amount of photoresist scraping, and the horizontal axis represents the distance between the workpiece and the electrode (on the hot electrode that is not the ground electrode) (indicated by “distance between gaps” in FIG. 7).

従来の金属電極のときには、フォトレジストの削れ量が少なく、本実施例における誘電体バリアの電極２のときには、フォトレジストの削れ量が多くなることが、図７から確認されている。また、同じ誘電体バリアの電極２のときにおいても、繰り返し周波数が３０ｋＨｚと比べると、繰り返し周波数を１５ｋＨｚにした場合には、フォトレジストの削れ量が多くなることが、図７から確認されている。 It has been confirmed from FIG. 7 that the amount of photo resist scraping is small in the case of a conventional metal electrode, and that the amount of photo resist shaving is large in the case of the dielectric barrier electrode 2 in this embodiment. Further, it is confirmed from FIG. 7 that even when the electrodes 2 have the same dielectric barrier, the amount of photo resist is increased when the repetition frequency is set to 15 kHz, compared to 30 kHz. .

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.

（１）上述した実施例では、放電装置として、プラズマ処理装置を例に採って説明したが、ワークを置かずに、プラズマを発生させるプラズマ発生装置にも適用することができる。 (1) In the above-described embodiments, the plasma processing apparatus has been described as an example of the discharge apparatus. However, the present invention can also be applied to a plasma generation apparatus that generates plasma without placing a workpiece.

（ａ）〜（ｃ）は、実施例に係るプラズマ処理装置の概略図である。(A)-(c) is the schematic of the plasma processing apparatus which concerns on an Example. パルス波の出力に関する概略図である。It is the schematic regarding the output of a pulse wave. （ａ）〜（ｃ）は、図１とは別態様のプラズマ処理装置の概略図である。(A)-(c) is the schematic of the plasma processing apparatus of a different aspect from FIG. （ａ）（ｂ）は、従来のプラズマ処理装置の概略図である。(A) and (b) are schematic diagrams of a conventional plasma processing apparatus. 図４とは別の従来のプラズマ処理装置の概略図である。It is the schematic of the conventional plasma processing apparatus different from FIG. 実施例における誘電体バリアの電極のときのパルス波の波形データと、従来の金属電極のときのパルス波の波形データとの比較に関する実験データである。It is an experimental data regarding the comparison with the waveform data of the pulse wave at the time of the electrode of the dielectric barrier in an Example, and the waveform data of the pulse wave at the time of the conventional metal electrode. 実施例における誘電体バリアの電極のときのフォトレジストの削れ量と、従来の金属電極のときのフォトレジストの削れ量との比較に関する実験データである。It is an experimental data regarding the comparison with the abrasion amount of the photoresist at the time of the electrode of the dielectric barrier in an Example, and the abrasion amount of the photoresist at the time of the conventional metal electrode.

Explanation of symbols

１ … チャンバー
２ … 誘電体バリアの電極
３ … 金属電極
５ … パルス電源
２４ … 誘電体バリア
ＰＭ … プラズマ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber 2 ... Electrode of dielectric barrier 3 ... Metal electrode 5 ... Pulse power supply 24 ... Dielectric barrier PM ... Plasma

Claims

A discharge device comprising a chamber and discharging inside the chamber, comprising a cooling plate provided therein with a refrigerant tube through which a refrigerant passes, the dielectric barrier electrode coated with a dielectric and the cooling plate sealed with a molding material. Stop and cover and suspend and support in the chamber,
In the chamber, two electrodes are provided independently of the chamber,
With pulse power supply,
The two electrodes are both electrodes of the dielectric barrier,
A discharge device, wherein a pulse wave from the pulse power supply is applied to an electrode to cause discharge using the electrode of the dielectric barrier.

2. The discharge device according to claim 1, wherein the discharge is a plasma discharge, and plasma is generated by the plasma discharge.

3. The discharge device according to claim 1, wherein the chamber is discharged under a reduced pressure lower than atmospheric pressure. 4.