JP5017098B2 - 均一系のエナンチオ選択的水素化触媒のためのフェロセニル配位子 - Google Patents

均一系のエナンチオ選択的水素化触媒のためのフェロセニル配位子 Download PDF

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Description

本発明は、金属錯体の配位子としての１−第２級ホスフィノ−２−［（２'−第２級ホスフィノ−Ｃ−芳香族−１'−イル）ヒドロキシメチル］フェロセン、遷移金属とこれらの配位子との金属錯体、及び少なくとも１個の炭素−炭素又はヘテロ原子−炭素二重結合を有するプロキラルな有機不飽和化合物のエナンチオ選択的水素化のための金属錯体の使用に関する。
キラルなジホスフィンは、活性化合物の中間体を調製するための、又は活性化合物（例えば、薬剤、殺虫剤又は香水を含む芳香剤）を直接調製するための、プロキラルな有機化合物のエナンチオ選択的水素化のための均一系触媒反応に使用される触媒として、活性な金属錯体における価値の高い配位子であることが証明された。長年にわたり、多数の研究が、光学選択性、活性及び変換率に関しての触媒の有効性は、配位子に依存すること、そして同一の基質では、配位子に応じて大体は大きく変化させられることを証明している。特定の基質に対して、どの配位子が最適な結果を与えるかを予測することはできない。このため、特定の基質に対する最適な水素化条件を達成させる配位子を選択可能な広い幅を与える新しい配位子を提供することが望まれ続けている。
フェロセン骨格を有するジホスフィンの中で、例えば、１−第２級ホスフィノ−２−（２'−第２級ホスフィノ−１'−ベンジル）フェロセンが、プロキラルなエチレン不飽和化合物のエナンチオ選択的水素化用のロジウム錯体のための有用な配位子であることが判明した。これらは、タニアフォス（TANIAPHOS）という慣用名を持ち、そしてWO 00/37478に記載されている。ベンジルラジカルのメチレン基は、例えば、アルコキシ又はアシルオキシにより置換されていてもよい。ヒドロキシルによるメチレン基の置換は、報告されていないし、また報告されているヒドロキシル置換配位子に至りうる合成経路でもない。WO 03/093285は、特定のエナンチオマーが富化されている立体異性体の混合物である、ジアステレオマーの形の１−第２級ホスフィノ−２−［（２'−第２級ホスフィノフェン−１'−イル）−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−メチル］フェロセンを記載している。これらの化合物は、リチウム強塩基の存在下でのモノハロホスフィンによるキラル補助基としてのスルホキシドラジカルの置換によって得られる（フェロセンスルホキシドへの１−第２級ホスフィノベンズアルデヒドの付加により生成したヒドロキシベンジル中間体が、予めアルコキシ誘導体に変換される）。
エナンチオマーの富化混合物は、WO 03/093285に記載された方法により調製されたが、このやり方でヒドロキシル置換誘導体は調製されていない。Chirals CHIMICA OGGI/ chemistry today(2000), 48-52ページにおいて、A. Boernerは、ジホスフィン配位子中のヒドロキシル基の存在が、変換率及び光学選択性に関する金属錯体の触媒活性に影響しうることを述べている。
フェロセンでは、メタレーションにより面性キラリティーが生じる。今や、１−第２級ホスフィノ−２−［（２'−第２級ホスフィノフェン−１'−イル）ヒドロキシメチル］フェロセンは、キラルなジアミノホスフィン基を有するフェロセンを、最初にジアステレオ選択的にオルト位でメタレートし、次にオルト−第２級ホスフィノベンズアルデヒド又はオルト−ハロベンズアルデヒドと反応させるならば、高収率で得られ、そして場合によっては簡単なクロマトグラフィー分離を用いると、純粋なエナンチオマーの形でさえ得られる場合があることが見出された。この段階で、必要であれば、エナンチオマーは、既知の方法による簡単なやり方で分離することができる。目的のジホスフィンを形成するための更なる反応は、次にそれ自体既知のやり方で実施することができる。予期しないことに、メトキシ配位子を有する金属錯体を用いる場合に得られる結果に匹敵するような、高い触媒活性及び非常に高い光学収率を、ヒドロキシ配位子の金属錯体を用いるプロキラルなオレフィンの水素化反応で達成させることが、また、見出された。更に、予期しないことに、著しく高い光学収率を、ヒドロキシ配位子を用いるときのプロキラルなヘテロ原子−炭素二重結合（例えば、カルボニル基）の水素化反応で達成させることが見出された。ヒドロキシ配位子の更に別の利点は、ヒドロキシル基を容易にアルキル化又はアシル化することにより、既知の配位子を製造できることである。
本発明は第１に、式（Ｉ）又は（Ｉ'）：
Figure 0005017098
［式中、
両方のＲ1は、独立に、水素原子又はＣ1−Ｃ4−アルキルであり、かつＲ'1は、Ｃ1−Ｃ4−アルキルであり；
Ｘ1及びＸ2は、それぞれ相互に独立に、第２級ホスフィン基であり；
Ｒ2は、水素、Ｒ01Ｒ02Ｒ03Ｓｉ−、Ｃ1−Ｃ18−アシル（ハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ1−Ｃ8−アルコキシ又はＲ04Ｒ05Ｎ−により置換されている）、又はＲ06−Ｘ01−Ｃ（Ｏ）−であり；
Ｒ01、Ｒ02及びＲ03は、それぞれ相互に独立に、Ｃ1−Ｃ12−アルキル、非置換又はＣ1−Ｃ4−アルキル−若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシ−置換のＣ6−Ｃ10−アリール又はＣ7−Ｃ12−アラルキルであり；
Ｒ04及びＲ05は、それぞれ相互に独立に、水素、Ｃ1−Ｃ12−アルキル、Ｃ3−Ｃ8−シクロアルキル、Ｃ6−Ｃ10−アリール又はＣ7−Ｃ12−アラルキルであるか、あるいはＲ04及びＲ05は、一緒になってトリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン又は３−オキサペンチレンであり；
Ｒ06は、Ｃ1−Ｃ18−アルキル、非置換又はＣ1−Ｃ4−アルキル−若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシ−置換のＣ3−Ｃ8−シクロアルキル、Ｃ6−Ｃ10−アリール又はＣ7−Ｃ12−アラルキルであり；
Ｘ01は、−Ｏ−又は−ＮＨ−であり；
Ｔは、Ｃ6−Ｃ20−アリーレンであり；
ｖは、０又は１〜４の整数であり；
Ｘ1は、Ｔ−Ｃ*結合に対してオルト位に結合しており；そして
*は、ラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーの混合物、又は純粋なラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーを意味する］で示される化合物を提供する。
本発明の好ましい化合物は、式（Ia）又は（Ib）：
Figure 0005017098
［式中、Ｒ1、Ｘ1、Ｘ2及びＲ2並びに*は、上記と同義である］で示される化合物である。
Ｒ1は、シクロペンタジエニル環中に１〜３回、又は１〜５回存在することができる。アルキル基のＲ1は、例えば、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−又はｔ−ブチルであってよく、メチルが好ましい。Ｒ1は、好ましくは水素原子である。
好ましい実施態様において、Ｒ2は、水素原子である。
アルキル基：Ｒ01、Ｒ02及びＲ03は、直鎖又は分岐であってよく、そしてこのアルキルは、好ましくは１〜８個の炭素原子、特に好ましくは１〜４個の炭素原子を有する。アリール基：Ｒ01、Ｒ02及びはＲ03は、例えば、フェニル又はナフチルであってよく、そしてアラルキル基：Ｒ01、Ｒ02及びＲ03は、ベンジル又はフェニルエチルであってよい。Ｒ01、Ｒ02及びＲ03の幾つかの例には、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−又はｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、フェニル、ベンジル、メチルフェニル、メチルベンジル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル及びメトキシベンジルがある。シリル基：Ｒ01Ｒ02Ｒ03Ｓｉ−の幾つかの好ましい例には、トリメチルシリル、トリ−ｎ−ブチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、２，２，４，４−テトラメチルブタ−４−イル−ジメチルシリル及びトリフェニルシリルがある。
好ましい実施態様において、Ｒ04及びＲ05は、それぞれ相互に独立に、水素、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ5−Ｃ6−シクロアルキル、フェニル又はベンジルであるか、あるいはＲ04及びＲ05は、一緒になってテトラメチレン、ペンタメチレン又は３−オキサペンチル−１，５−エンである。置換基のＣ1−Ｃ8−アルコキシは、好ましくは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシのような、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシである。
アシル基のＲ2は、好ましくは１〜１２個の炭素原子、特に好ましくは１〜８個の炭素原子を有しており、そして特に、カルボン酸から誘導される。このようなカルボン酸の例には、１〜１８個の炭素原子、好ましくは１〜１３個の炭素原子を有する、脂肪族、脂環式及び芳香族カルボン酸がある。置換アシルの幾つかの例には、フェニルスルホニル、トルエンスルホニル、メチルスルホニル、フェニルホスホリル、アセチル、プロパノイル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、ドデカノイル、テトラデカノイル、オクタデカノイル、シクロヘキシルカルボニル、ベンゾイル、メチルベンゾイル、フェニルアセチル、ピリジルカルボニル、ナフチルカルボニルがある。置換アシルの幾つかの例には、式：Ｒ07−Ｃ（Ｏ）−の基があり、そしてここでＲ07は、ヒドロキシメチル、メトキシメチル、エトキシメチル、２−ヒドロキシエタ−１−イル、２−メトキシエタ−１−イル、ヒドロキシプロパノイル、フルオロメチル、クロロメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、アミノメチル、メチルアミノメチル、ジメチルアミノメチル、１−アミノ−エタ−１−イル、１−メチルアミノエタ−１−イル、１−ジメチルアミノエタ−１−イル、２−アミノエタ−１−イル、３−アミノプロパ−１−イル、４−アミノブタ−１−イル、ピロリニル−Ｎ−メチル、ピペリジニル−Ｎ−メチル、モルホリノ−Ｎ−メチル、４−アミノ−シクロヘキサ−１−イル、メトキシフェニル、ヒドロキシフェニル、アミノフェニル、ジメチルアミノフェニル、ヒドロキシベンジル、ｐ−アミノベンジル及びｐ−ジメチルアミノベンジルである。
アルキル基のＲ06は、１〜１２個の炭素原子、特に好ましくは１〜８個の炭素原子を有する。このアルキルは、直鎖であっても又は分岐していてもよい。シクロアルキル基のＲ06は、好ましくはシクロペンチル又はシクロヘキシルである。アリール基のＲ06は、ナフチルであっても、又は特にフェニルであってもよい。アラルキル基のＲ06は、フェニルエチルであっても、又は特にベンジルであってもよい。Ｒ06の幾つかの例には、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−又はｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、フェニル、ベンジル、メチルフェニル、メチルベンジル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル及びメトキシベンジルがある。
アリーレン基のＴは、好ましくは６〜１４個の炭素原子を有する。アリーレンの例には、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン及びフェナントリレンがある。好ましいのは、フェニレン及びナフチレンである。
第２級ホスフィン基：Ｘ1及びＸ2は、２個の同一の炭化水素ラジカル又は２個の異なる炭化水素ラジカルを含んでいてよい。第２級ホスフィン基：Ｘ1及びＸ2は、好ましくは２個の同一の炭化水素ラジカルを含む。更に、第２級ホスフィン基：Ｘ1及びＸ2は、同一であっても、又は異なっていてもよい。
炭化水素ラジカルは、非置換であっても置換されていてもよく、かつ／又はＯ、Ｓ及びＮ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）よりなる群から選択されるヘテロ原子を含んでいてもよい。これらは、１〜２２個の炭素原子、好ましくは１〜１２個の炭素原子、そして特に好ましくは１〜８個の炭素原子を有していてよい。好ましい第２級ホスフィンは、ホスフィン基が、直鎖又は分岐のＣ1−Ｃ12−アルキル；非置換又はＣ1−Ｃ6−アルキル−若しくはＣ1−Ｃ6−アルコキシ−置換のＣ5−Ｃ12−シクロアルキル又はＣ5−Ｃ12−シクロアルキル−ＣＨ2−；フェニル、ナフチル、フリル又はベンジル；及びフェニル又はベンジル［ハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒ）、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル（例えば、トリフルオロメチル）、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ（例えば、トリフルオロメトキシ）、（Ｃ6Ｈ5）3Ｓｉ、（Ｃ1−Ｃ12−アルキル）3Ｓｉ、第２級アミノ又は−ＣＯ2−Ｃ1−Ｃ6−アルキル（例えば、−ＣＯ2ＣＨ3）により置換されている］よりなる群から選択される、２個の同一であるか又は異なるラジカルを含むものである。
好ましくは１〜６個の炭素原子を有する、Ｐ上のアルキル置換基の例には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル並びにペンチル及びヘキシルの異性体がある。非置換であってもアルキル置換されていてもよい、Ｐ上のシクロアルキル置換基の例には、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びエチルシクロヘキシル及びジメチルシクロヘキシルがある。Ｐ上のアルキル−、アルコキシ−、ハロアルキル−及びハロアルコキシ−置換のフェニル及びベンジル置換基の例には、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、メチルベンジル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、トリフルオロメチルフェニル、ビストリフルオロメチルフェニル、トリストリフルオロメチルフェニル、トリフルオロメトキシフェニル、ビストリフルオロメトキシフェニル及び３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルがある。
好ましい第２級ホスフィン基は、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、シクロペンチル又はシクロヘキシル（非置換であっても、又は１〜３個のＣ1−Ｃ4−アルキル若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシ基により置換されていてもよい）、ベンジル及び特にフェニル（非置換であっても、又は１〜３個のＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ1−Ｃ4−フルオロアルキル若しくはＣ1−Ｃ4−フルオロアルコキシ基により置換されていてもよい）よりなる群から選択される、同一のラジカルを含む基である。
第２級ホスフィノ基は、好ましくは式：−ＰＲ3Ｒ4［ここで、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ相互に独立に、１〜１８個の炭素原子を有しており、そして非置換であっても、又はハロゲン、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）2アミノ、（Ｃ6Ｈ5）3Ｓｉ、（Ｃ1−Ｃ12−アルキル）3Ｓｉ若しくは−ＣＯ2−Ｃ1−Ｃ6−アルキルにより置換されていてもよいか、かつ／あるいはヘテロ原子のＯを含む、炭化水素ラジカルである］に対応する。
Ｒ3及びＲ4は、好ましくは、直鎖若しくは分岐のＣ1−Ｃ6−アルキル、非置換のシクロペンチル若しくはシクロヘキシル、又はシクロペンチル若しくはシクロヘキシル（１〜３個のＣ1−Ｃ4−アルキル又はＣ1−Ｃ4−アルコキシ基により置換されている）、フリル、非置換ベンジル又はベンジル（１〜３個のＣ1−Ｃ4−アルキル又はＣ1−Ｃ4−アルコキシ基により置換されている）、及び特に、非置換フェニル又はフェニル（１〜３個のＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、−ＮＨ2、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ1−Ｃ4−フルオロアルキル又はＣ1−Ｃ4−フルオロアルコキシ基により置換されている）よりなる群から選択される同一のラジカルである。
Ｒ3及びＲ4は、特に好ましくは、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フリル、及び非置換フェニル又はフェニル（１〜３個のＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ及び／又はＣ1−Ｃ4−フルオロアルキル基により置換されている）よりなる群から選択される同一のラジカルである。
第２級ホスフィン基：Ｘ1及びＸ2は、環状第２級ホスフィノ基、例えば、下記式：
Figure 0005017098
で示される基であってよく、そしてこれらは、非置換であっても、あるいは−ＯＨ、Ｃ1−Ｃ8−アルキル、Ｃ4−Ｃ8−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルフェニル若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシフェニル、ベンジル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルベンジル若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシベンジル、ベンジルオキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルベンジルオキシ若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシベンジルオキシ又はＣ1−Ｃ4−アルキリデンジオキシルにより、単置換又は多置換されていてもよい。
置換基は、キラル炭素原子を導入するために、Ｐ原子に対して一方又は両方のα位で結合していてよい。一方又は両方のα位の置換基は、好ましくは、Ｃ1−Ｃ4−アルキル又はベンジル、例えば、メチル、エチル、ｎ−若しくはｉ−プロピル、ベンジル又は−ＣＨ2−Ｏ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル若しくは−ＣＨ2−Ｏ−Ｃ6−Ｃ10−アリールである。
β、γ位の置換基は、例えば、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、ベンジルオキシ又は−Ｏ−ＣＨ2−Ｏ−、Ｏ−ＣＨ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）−Ｏ−及び−Ｏ−Ｃ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）2−Ｏ−であってよい。幾つかの例には、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、−Ｏ−ＣＨ（メチル）−Ｏ−及び−Ｏ−Ｃ（メチル）2−Ｏ−がある。
置換基のタイプと置換基の数に応じて、環状ホスフィンラジカルは、Ｃ−キラル、Ｐ−キラル又はＣ−及びＰ−キラルであってよい。
上記式のラジカルにおいて、脂肪族５員若しくは６員環又はベンゼンは、２個の近接した炭素原子に縮合していてもよい。
環状第２級ホスフィノは、例えば、下記式（可能なジアステレオマーの１個だけを表示）：
Figure 0005017098
［式中、ラジカル：Ｒ'及びＲ"は、それぞれ、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−若しくはｉ−プロピル、ベンジル、又は−ＣＨ2−Ｏ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル若しくは−ＣＨ2−Ｏ−Ｃ6−Ｃ10−アリールであり、そしてＲ'及びＲ"は、同一であるか又は異なる］に対応していてもよい。
好ましい実施態様において、本発明の化合物は、式（Ic）、（Id）、（Ie）及び（If）：
Figure 0005017098
［式中、Ｒ1は、水素であり、そしてＸ1及びＸ2は、優先傾向を含めて、上記と同義である］で示されるジアステレオマーに対応する。
式（Ic）、（Id）、（Ie）及び（If）の化合物において、Ｘ1及びＸ2は、好ましくは同一であるか又は異なる、−Ｐ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）2、−Ｐ（Ｃ5−Ｃ8−シクロアルキル）2、−Ｐ（Ｃ7−Ｃ8−ビシクロアルキル）2、−Ｐ（Ｃ5−Ｃ8−シクロアルキル）2、−Ｐ（ｏ−フリル）2、−Ｐ（Ｃ6Ｈ5）2、−Ｐ［２−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［２−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［２−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）2Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）2Ｃ6Ｈ3］2及び−Ｐ［３，５−ビス（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）2−４−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ2］2よりなる群から選択される、非環状第２級ホスフィンであるか、あるいは下記式：
Figure 0005017098
で示される基よりなる群から選択される、環状ホスフィンであって、そしてこれらは、非置換であっても、又はＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ2−アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ若しくはＣ1−Ｃ4−アルキリデンジオキシルにより、単置換若しくは多置換されていてもよい。
幾つかの具体例には、−Ｐ（ＣＨ3）2、−Ｐ（ｉ−Ｃ3Ｈ7）2、−Ｐ（ｎ−Ｃ4Ｈ9）2、−Ｐ（ｉ−Ｃ4Ｈ9）2、−Ｐ（Ｃ6Ｈ11）2、−Ｐ（ノルボルニル）2、−Ｐ（ｏ−フリル）2、−Ｐ（Ｃ6Ｈ5）2、−Ｐ［２−（メチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（メチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（メチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［２−（メトキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（メトキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（メトキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（メチル）2Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（メトキシ）2Ｃ6Ｈ3］2及び−Ｐ［３，５−ビス（メチル）2−４−（メトキシ）Ｃ6Ｈ2］2、並びに下記式：
Figure 0005017098
［式中、Ｒ'は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル又はベンジルオキシメチルであり、そしてＲ"は、Ｒ'と同義である］で示される基がある。
本発明のフェロセンジホスフィンは、ＰＮ結合したキラルラジカルを有するフェロセニルモノホスフィンの位置選択的及び立体選択的なオルト−メタレーションが、一連の反応における重要な工程に相当する、新規な製造法により調製することができる。本製造法は、２個のＰ原子上の異なる置換基の構築に対してモジュール式であり、そして高収率を与える。更には、それぞれの場合に単純なやり方で、かつ高収率で、純粋なジアステレオマーを直接調製することができるか、又は容易に分離されるジアステレオマーの対を調製することができる。本製造法は、工業規模での本発明のジホスフィンの調製には特に有用である。
本製造方法は、以下の工程を含むことを特徴とする。第１の工程では、キラルなアミノ基を含む、本質的に光学的に純粋なハロジ（第２級アミノ）ホスフィンが提供される。このようなホスフィンは、ＰＣｌ3又はＰＢｒ3を約２当量の光学的に純粋なキラルな第２級アミンと、第３級アミン（トリエチルアミン）のようなハロゲンスカベンジャーの存在下で反応させることにより、単純なやり方で調製することができる。Ｎ原子に対してα位にキラルＣ原子を有する環状第２級アミンが有利には使用される。言及することができる一例は、下記式：
Figure 0005017098
で示される、ジ［（Ｓ）−又は（Ｒ）−α−メトキシメチルピロロジノ］クロロホスフィンである。
ハロジ（第２級アミノ）ホスフィンは、非置換又はＲ1置換のメタレート化フェロセン、例えば、Ｌｉ−フェロセンと反応させることにより、式（Ａ）：
Figure 0005017098
で示される化合物が生成するが、ここでボランは、単離の前に保護基として導入する（例えば、ボラン−硫化ジメチルとの反応により）ことができる。この中間体は、工程ａ）において少なくとも当量のアルキルリチウム、マグネシウムグリニャール化合物又は脂肪族リチウム第２級アミド若しくはＸ3Ｍｇ−第２級アミドと反応させることにより、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）：
Figure 0005017098
［式中、Ｍは、−Ｌｉ又は−ＭｇＸ3であり、そしてＸ3は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである］で示される化合物が生成する。この化合物は、中間体の単離なしに次の工程に使用することができる。
工程ｂ）において、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）の化合物は、次に少なくとも２当量の下記式：
Figure 0005017098
で示されるアルデヒドと、以降更に好ましくは、式（Ｃ）：
Figure 0005017098
［式中、Ｒ1及びｖは、上記と同義であり、そしてＸ4は、Ｃｌ、Ｂｒ若しくはＩ又は第２級ホスフィノのＸ1である］で示される好ましいフェニルアルデヒドと反応させることにより、式（Ｄ１）又は（Ｄ２）：
Figure 0005017098
で示される化合物が生成する。
式（Ｄ１）及び（Ｄ２）の化合物は、一方が過剰に存在することができるジアステレオマーの混合物である。この工程において、式（Ｄ３）と（Ｄ４）又は（Ｄ５）と（Ｄ６）の純粋なジアステレオマーは、例えば、クロマトグラフィー法（シリカゲルでの分離を利用する）又は結晶化法により、容易に入手することができる：
Figure 0005017098
次の工程ｃ）において、（存在すれば）ボラン基を、式（Ｄ１）〜（Ｄ６）の化合物の１つから脱離し、次に第２級アミノラジカルを、ＨＣｌ又はＨＢｒを用いて脱離することにより、−ＰＣｌ2基又は−ＰＢｒ2基を生成させる。中間体生成物は、単離するか、又は直接更に反応させることにより、−ＰＣｌ2又は−ＰＢｒ2基から、第２級の非環状又は環状ホスフィン基を生成させることができる。
この目的のために、Ｃｌ又はＢｒ原子を少なくとも２当量の有機金属化合物又は１当量のビス有機金属化合物（グリニャール試薬）と反応させ、炭化水素ラジカルにより置換することによって、工程ｄ）において既知のやり方で式（Ｅ１）〜（Ｅ６）の非環状又は環状第２級ホスフィンを生成させる：
Figure 0005017098
Ｘ4が、第２級ホスフィンのＸ1であるとき、この工程により、本発明の化合物が直接得られる。
ＰＣｌ2又は−ＰＢｒ2基は、単純なやり方で水素化することにより、第１級ホスフィン基を生成させることができる。第１級ホスフィン基は、既知のアルキル化剤（例えば、環状硫酸エステル、スルホン酸エステル若しくはホスホン酸エステル又は開鎖ジスルホナートなど）を用いて、それ自体既知のやり方で、環状ホスフィン基に変換することができる。
Ｘ4が、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであるとき、式（Ｅ１）〜（Ｅ６）の化合物の１つを、更なる工程ｅ）において、少なくとも１当量のリチウムアルキルと反応させ、次に少なくとも１当量の第２級ホスフィンハロゲン化物（Ｘ1ハロゲン化物、Ｃｌ又はＢｒのようなハロゲン化物）と反応させることにより、本発明の化合物が生成する。代案としては、式（Ｅ１）〜（Ｅ６）の化合物はまた、前もって生成したリチウム第２級ホスフィドのＬｉ−Ｘ1と反応させることができる。これらの反応の前に、ＯＨ基は、例えば、ＬｉＨ、ＮａＨ又はＫＨのような金属水素化物でのメタレーションにより不活性にする。
工程ａ）のリチウムアルキルは、例えば、Ｌｉ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）又はＬｉ−フェニル、例えば、Ｌｉ−メチル、Ｌｉ−ｎ−、Ｌｉ−ｓ−又はＬｉ−ｔ−ブチルであってよい。
工程ａ）の脂肪族リチウム第２級アミド又はＸ3Ｍｇ第２級アミドは、２〜１８個の炭素原子、好ましくは２〜１２個の炭素原子、そして特に好ましくは２〜１０個の炭素原子を有する第２級アミンから誘導することができる。Ｎ原子に結合している脂肪族ラジカルは、アルキル、シクロアルキル又はシクロアルキルアルキルであってよいか、あるいは４〜１２個の炭素原子、好ましくは５〜７個の炭素原子を有するＮ−複素環が存在してもよい。Ｎ原子に結合しているラジカルの例には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘキシルメチルがある。Ｎ−複素環の例には、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、Ｎ−メチルピペラジン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン及びアザノルボルナンがある。
好ましい実施態様において、工程ａ）にはＬｉ−アルキル又はＬｉ−フェニルが使用される。
芳香族のメタレーションは、例えば、M. Schlosser（編）によるOrganometallics in Synthesis, John Wiley & Sons (1994)に、又はJonathan Clayden Organolithiums: Selectivity for Synthesis (Tetrahedron Organic Chemistry Series), Pergamon Press (2002)に記載されているような、既知の反応を伴う。
本発明の目的には、「少なくとも当量」とは、シクロペンタジエニル環中の反応する＝ＣＨ基当たり、１〜１．２当量のＬｉ−アルキル若しくはマグネシウムグリニャール化合物、又は脂肪族リチウム第２級アミド若しくはＸ3Ｍｇ−第２級アミドの使用を意味する。
本反応は、有利には、低温、例えば、２０〜−１００℃、好ましくは１０〜−５０℃で行われる。反応時間は、約２〜５時間である。反応は、有利には不活性保護ガス、例えば、窒素、又はアルゴンのような希ガス下で行われる。
本反応は、有利には不活性溶媒の存在下で行われる。このような溶媒は、単独で、又は少なくとも２つの溶媒の組合せとして使用することができる。溶媒の例には、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素、更にはまた開鎖又は環状エーテルがある。具体例には、石油エーテル、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチル又はジエチルエーテル、テトラヒドロフラン及びジオキサンがある。
工程ｂ）の反応において、「少なくとも当量」とは、本発明の目的には、フェロセン中の反応する＝ＣＭ基当たり、１〜１．２当量の式（Ｃ）のアルデヒドの使用を意味する。しかし、２．５当量以下の実質的に過剰の使用もまた可能である。
本反応は、有利には低温、例えば、２０〜−１００℃、好ましくは０〜−８０℃で行われる。この反応は、有利には不活性保護ガス、例えば、アルゴンのような希ガス、そうでなければ窒素下で行われる。化合物（Ｃ）の添加後、この混合物は、有利には室温まで温まるのを待つか、又は高温まで、例えば、１００℃まで、そして好ましくは５０℃まで温め、このような条件下でしばらく撹拌することにより、反応を終了させる。
本反応は、有利には不活性溶媒の存在下で行われる。このような溶媒は、単独で、又は少なくとも２つの溶媒の組合せとして使用することができる。溶媒の例には、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素、更にはまた開鎖又は環状エーテルがある。具体例には、石油エーテル、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチル又はジエチルエーテル、テトラヒドロフラン及びジオキサンがある。
式（Ｄ１）〜（Ｄ６）の化合物の単離は、例えば、抽出、濾過及び蒸留のような、それ自体既知の方法により行うことができる。単離後、化合物は、例えば、蒸留、再結晶により、又はクロマトグラフィー法により精製することができる。
予期しないことに、メタレート化、特にリチオ化フェロセンとプロキラルな化合物（Ｃ）との反応によって、面性キラリティーに関して非常に高いジアステレオ選択性（フェロセン骨格）と、更にプロキラルな炭素原子上のキラリティーに関して顕著なジアステレオ選択性が得られることが見出された。化合物（Ｃ）の導入により、４つのジアステレオマーが可能であるのに、面性キラリティーに関して本質的に１対のジアステレオマーのみが生成し、そしてまたしばしば、ジアステレオマー対の一方のジアステレオマーが支配的に生成することが観測される。純粋なジアステレオマーは、仮にも必要ならば、この段階において、再結晶、又は特にクロマトグラフィー法を用いる分離により、容易に入手することができる。
工程ｃ）〜ｅ）の反応は、それ自体既知であり、文献に記述されている。
ボラン基の脱離は、例えば、Ｃ1−Ｃ4−アルキル基を有する第２級アミン、モルホリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンのような試薬の添加、２０〜１００℃での充分に長い撹拌及び揮発性成分の除去（有利には減圧下で）により達成することができる。ボランの脱離方法は、例えば、M. OhffらによりSynthesis (1998), page 1391に記載されている。最終反応工程に限ったボラン基の脱離は、反応感受性基が保護されたまま残るという利点を提供する。
−ＰＣｌ2又は−ＰＢｒ2基の生成は、同様に既知であり、例えば、A. LongeauらによりTetrahedron: Asymmetry, 8 (1997), pages 987-990に記載されている。使用される試薬は、有利には、例えばエーテル中のＨＣｌ又はＨＢｒの有機溶液であり、そしてこれが、低温（例えば、−２０〜３０℃）で、ボラン基を持つか又は持たない式（VII）、（IX）又は（XI）の溶解化合物に加えられる。
工程ｄ）において使用されるグリニャール試薬は、Ｌｉ−、ＣｌＭｇ−、ＢｒＭｇ−又はＩＭｇ−炭化水素であってよく、これが一般には過剰に、例えば、ハロゲン原子当たり５当量以下で加えられる。この反応は、溶液中で行われるが、溶媒は、メタレーションのために上述されたものを使用することができる。この反応は、−８０〜８０℃の温度で行うことができる。
工程ｅ）において非環状又は環状第２級ホスフィン基を導入するための反応は、それ自体既知であり、例に説明されている。
式（Ｅ１）〜（Ｅ６）の化合物において、ＯＨ基は、必要に応じて、例えば、ハロゲン化シリル、エステルやハロゲン化物のような置換酸誘導体、カルボナート又はイソシアナートを用いて、−ＯＲ2基に変換することができる。これらの基を導入するための多数の試薬が知られている。代替案としては、Ｒ2がＨである式（Ia）〜（If）の化合物を、同じやり方で、Ｒ2が水素を除いて式（Ｉ）と同義である、新しい配位子に変換することができる。Ｒ2がアルキル又は非置換アシルである、既知の配位子は、同様に調製することができる。本発明の化合物はまた、ＯＨ基を介する（Ｒ2はＨである）既知のやり方で、直接又は架橋基を介して、ポリマーに共有結合させることにより、触媒を固定化及び製造することができ、そしてこの触媒は切り離すことができる。
本発明はまた、式（Ｆ）〜（Ｆ'）：
Figure 0005017098
で示される中間体、及び好ましくは式（Ｆ１）〜（Ｆ６）：
Figure 0005017098
［式中、Ｔ、Ｒ1、Ｒ'1及びｖは、上記と同義であり、Ｒ2は、Ｈであり、そしてＸ4は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである］で示される中間体を提供する。ｖ、Ｒ1、Ｒ'1及びＸ4については、上述の優先傾向が適用される。
式（Ｉ）及び（Ｉ'）、好ましくは（Ia）〜（If）の新規な化合物は、ＴＭ８金属の群から、特にＲｕ、Ｒｈ及びＩｒよりなる群から選択される金属錯体のための配位子であり、そしてこれらは、不斉合成、例えば、プロキラルな不飽和有機化合物の不斉水素化のための優れた触媒又は触媒前駆体である。プロキラルな不飽和有機化合物が使用されるならば、これらの有機化合物の合成において非常に大過剰の光学異性体を誘導することができ、そして短い反応時間で高い化学変換率を達成することができる。達成可能なエナンチオ選択性及び触媒活性は卓越している。
本発明は更に、ＴＭ８金属の群から選択される金属と、配位子としての式（Ｉ）又は（Ｉ'）、そして好ましくは（Ia）〜（If）の化合物の１つとの金属錯体を提供する。
見込まれる金属は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＰｔである。好ましい金属は、ロジウム及びイリジウムであり、更にまたルテニウム、白金及びパラジウムである。
特に好ましい金属は、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムである。
この金属錯体は、金属原子の酸化数及び配位数に応じて、更に別の配位子及び／又はアニオンを含むことができる。これらはまた、カチオン性金属錯体であってもよい。このような類似の金属錯体及びこれらの製造法は、文献に広く記述されている。
この金属錯体は、例えば、一般式（II）及び（III）：
Figure 0005017098
［式中、
Ａ1は、式（Ｉ）又は（Ｉ'）、好ましくは（Ia）〜（If）の化合物の１つであり、
Ｌは、同一であるか又は異なる単座のアニオン性又は非イオン性配位子を表すか、あるいはＬは、同一であるか又は異なる二座のアニオン性又は非イオン性配位子を表し；
ｎは、Ｌが単座配位子であるとき、２、３又は４であるか、あるいはｎは、Ｌが二座配位子であるとき、１又は２であり；
ｚは、１、２又は３であり；
Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕよりなる群から選択される金属であり；この金属は酸化状態：０、１、２、３又は４をとるものであり；
Ｅ-は、オキソ酸又は錯酸のアニオンであり；そして
アニオン配位子は、金属の酸化状態：１、２、３又は４の電荷と釣り合いをとる］に対応していてもよい。
上述の優先傾向及び実施態様は、式（Ｉ）及び（Ｉ'）並びに（Ia）〜（If）の化合物に適用される。
単座非イオン性配位子は、例えば、オレフィン（例えば、エチレン、プロピレン）、溶媒、ニトリル、線状又は環状エーテル、非アルキル化又はＮ−アルキル化アミド及びラクタム、アミン、ホスフィン、アルコール、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、一酸化窒素及び一酸化炭素よりなる群から選択することができる。
適切な多座アニオン性配位子は、例えば、アリル（アリル、２−メタリル）、又はアセチルアセトナートのような脱プロトン化１，３−ジケト化合物である。
単座アニオン性配位子は、例えば、ハロゲン化物（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、擬ハロゲン化物（シアニド、シアナート、イソシアナート）並びにカルボン酸、スルホン酸及びホスホン酸のアニオン（カルボナート、ホルマート、アセタート、プロピオナート、メチルスルホナート、トリフルオロメチルスルホナート、フェニルスルホナート、トシラート）よりなる群から選択することができる。
二座非イオン性配位子は、例えば、線状及び環状ジオレフィン（例えば、ヘキサジエン、シクロオクタジエン、ノルボルナジエン）、ジニトリル（マロノニトリル）、非アルキル化又はＮ−アルキル化カルボン酸ジアミド、ジアミン、ジホスフィン、ジオール、ジカルボン酸ジエステル及びジスルホン酸ジエステルよりなる群から選択することができる。
二座アニオン性リガンドは、例えば、ジカルボン酸、ジスルホン酸及びジホスホン酸の（例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、メチレンジスルホン酸及びメチレンジホスホン酸の）アニオンよりなる群から選択することができる。
好ましい金属錯体はまた、Ｅが、−Ｃｌ-、−Ｂｒ-、−Ｉ-、ＣｌＯ4 -、ＣＦ3ＳＯ3 -、ＣＨ3ＳＯ3 -、ＨＳＯ4 -、（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-、（ＣＦ3ＳＯ2）3Ｃ-、テトラアリールボラート［例えば、Ｂ（フェニル）4 -、Ｂ［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］4 -、Ｂ［ビス（３，５−ジメチル）フェニル］4 -、Ｂ（Ｃ6 Ｆ 5）4 -及びＢ（４−メチルフェニル）4 -など］、ＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＳｂＣｌ6 -、ＡｓＦ6 -又はＳｂＦ6 -であるものを含む。
水素化に特に適している、とりわけ好ましい金属錯体は、式（IV）及び（Ｖ）：
Figure 0005017098
［式中、
Ａ1は、式（Ｉ）又は（Ｉ'）、好ましくは（Ia）又は（Ib）の化合物の１つであり、
Ｍｅ2は、ロジウム又はイリジウムであり；
Ｙは、２個のオレフィン又は１個のジエンを表し；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；そして
Ｅ-は、オキソ酸又は錯酸のアニオンである］に対応する。
上述の実施態様及び優先傾向は、式（Ｉ）及び（Ｉ'）並びに（Ia）〜（If）の化合物に適用される。
Ｙが、２個のオレフィンを表すとき、オレフィンは、Ｃ2−Ｃ12−、好ましくはＣ2−Ｃ6−そして特に好ましくはＣ2−Ｃ4−オレフィンであってよい。例には、プロペン、１−ブテン及び特にエチレンがある。ジエンは、５〜１２個の炭素原子、好ましくは５〜８個の炭素原子を有していてよく、そして開鎖、環状又は多環式ジエンであってよい。ジエンの２個のオレフィン基は、好ましくは１個又は２個のＣＨ2基により結合している。例には、１，４−ペンタジエン、シクロペンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，４−又は１，５−ヘプタジエン、１，４−又は１，５−シクロヘプタジエン、１，４−又は１，５−オクタジエン、１，４−又は１，５−シクロオクタジエン及びノルボルナジエンがある。Ｙは、好ましくは２個のエチレン分子、又は１，５−ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン若しくはノルボルナジエンを表す。
式（XVI）において、Ｚは、好ましくはＣｌ又はＢｒである。Ｅ1の例には、ＢＦ4 -、ＣｌＯ4 -、ＣＦ3ＳＯ3 -、ＣＨ3ＳＯ3 -、ＨＳＯ4 -、Ｂ（フェニル）4 -、Ｂ［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］4 -、ＰＦ6 -、ＳｂＣｌ6 -、ＡｓＦ6 -及びＳｂＦ6 -がある。
本発明の金属錯体は、好ましくは、文献から既知の方法により調製される（US-A-5,371,256、US-A-5,446,844、US-A-5,583,241及びE. Jacobsen, A. Pfaltz, H. Yamamoto (編), Comprehensive Asymmetric Catalysis I to III, Springer Verlag, Berlin, 1999並びにこれらに引用される文献を参照のこと）。
本発明の金属錯体は、反応条件下で活性化することができる均一系触媒又は触媒前駆体であり、そしてプロキラルな不飽和有機化合物の不斉付加反応に使用することができる。
この金属錯体は、例えば、炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合を有するプロキラル化合物の不斉水素化（水素の付加）に使用することができる。可溶性均一系金属錯体を用いるこのような水素化は、例えば、Pure and Appl. Chem., Vol. 68, No. 1, pp. 131-138 (1996)に記述されている。水素化される好ましい不飽和化合物は、基：Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏを含む。本発明により、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムの金属錯体が、好ましくは水素化に使用される。
本発明は更に、プロキラルな有機化合物中の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合への水素の不斉付加により、キラルな有機化合物を調製するための均一系触媒としての本発明の金属錯体の使用を提供する。
本発明はまた、触媒の存在下でのプロキラルな有機化合物中の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合への水素の不斉付加による、キラルな有機化合物の製造方法であって、この付加反応が、触媒量の少なくとも１つの本発明の金属錯体の存在下で行われることを特徴とする方法を提供する。
水素化される好ましいプロキラルな不飽和化合物は、開鎖又は環状有機化合物中に１個以上の同一であるか又は異なる基：Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏを含んでいてもよく、基：Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏは、環系の一部であっても、又は環外基であってもよい。このプロキラルな不飽和化合物は、アルケン、シクロアルケン、ヘテロシクロアルケン又は開鎖若しくは環状ケトン、α，β−ジケトン、α−若しくはβ−ケトカルボン酸又はそのα，β−ケトアセタール若しくは−ケタール、エステル及びアミド、ケチミン及びケトヒドラゾンであってよい。
不飽和有機化合物の幾つかの例には、アセトフェノン、４−メトキシ−アセトフェノン、４−トリフルオロメチルアセトフェノン、４−ニトロアセトフェノン、２−クロロアセトフェノン、対応する非置換又はＮ−置換アセトフェノンベンジルイミン、非置換又は置換ベンゾシクロヘキサノン又はベンゾシクロペンタノン及び対応するイミン、イミン（非置換又は置換テトラヒドロキノリン、テトラヒドロピリジン及びジヒドロピロールよりなる群に由来する）、並びに不飽和カルボン酸、エステル、アミド及び塩（例えば、α−及び適宜β−置換アクリル酸又はクロトン酸など）がある。好ましいカルボン酸は、下記式：
Figure 0005017098
で示されるもの、更にまたその塩、エステル及びアミドであり、そしてここで、Ｒ01は、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、非置換Ｃ3−Ｃ8−シクロアルキル若しくはシクロアルキル（１〜４個のＣ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ基により置換されている）、又は非置換Ｃ6−Ｃ10−アリール若しくはＣ6−Ｃ10−アリール（１〜４個のＣ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ基により置換されている）、好ましくはフェニルであり、そしてＲ02は、直鎖若しくは分岐のＣ1−Ｃ6−アルキル（例えば、イソプロピル）、又はシクロペンチル、シクロヘキシル若しくはフェニル（それぞれ非置換であっても、又は上に規定されるように置換されていてもよい）、又は保護アミノ（例えば、アセチルアミノ）である。
本発明の製造法は、低温又は高温、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１００℃、そして特に好ましくは１０〜８０℃の温度で行うことができる。光学収率は、一般に高温よりも低温で良好である。
本発明の製造法は、大気圧又は超大気圧で行うことができる。この圧力は、例えば、１０5〜２×１０7Pa（パスカル）であってよい。水素化は、大気圧又は超大気圧で行うことができる。
触媒は、水素化される化合物に基づいて、好ましくは０．０００１〜１０mol%、特に好ましくは０．００１〜１０mol%、そして非常に好ましくは０．０１〜５mol%の量で使用される。
配位子及び触媒の調製、更には水素化は、溶媒の非存在下で、又は不活性溶媒（１種の溶媒又は溶媒の混合物を使用することができる）の存在下で行うことができる。適切な溶媒は、例えば、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素（ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン及びテトラクロロエタン）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル）、エーテル（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールモノメチル又はモノエチルエーテル）、ケトン（アセトン、メチルイソブチルケトン）、カルボン酸エステル及びラクトン（酢酸エチル又はメチル、バレロラクトン）、Ｎ−置換ラクタム（Ｎ−メチルピロリドン）、カルボキサミド（ジメチルアミド、ジメチルホルムアミド）、非環状尿素（ジメチルイミダゾリン）並びにスルホキシド及びスルホン（ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン）並びにアルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル）並びに水である。溶媒は、単独で、又は少なくとも２つの溶媒の混合物として使用することができる。
本反応は、共触媒、例えば、第４級アンモニウムハロゲン化物（ヨウ化テトラブチルアンモニウム）の存在下で、かつ／又はプロトン酸、例えば、鉱酸（例えば、US-A-5,371,256、US-A-5,446,844及びUS-A-5,583,241並びにEP-A-0 691 949を参照のこと）の存在下で行うことができる。１，１，１−トリフルオロエタノールのようなフッ素化アルコールの存在も同様に、触媒反応を促進することができる。
触媒として使用される金属錯体は、別々に調製した単離化合物として加えることができるか、又は反応の前にその場で生成させ、次に水素化すべき基質と混合することができる。単離金属錯体を用いる反応には追加の配位子を加えること、又はその場での調製には過剰の配位子を使用することが有利であろう。過剰分とは、例えば、調製に使用される金属化合物に基づいて、１〜６mol、好ましくは１〜２molであってよい。
本発明の製造法は、一般に、反応容器に触媒を入れ、次に基質、適宜、反応助剤及び付加すべき化合物を加え、そして次に反応を開始することにより行われる。付加すべき気体化合物、例えば、水素又はアンモニアは、好ましくは加圧下で注入される。この製造法は、種々のタイプの反応器中で連続的に又はバッチ式に実施することができる。
本発明により調製することができるキラルな有機化合物は、例えば、芳香剤及び香水、薬剤並びに農薬の製造の分野における、活性物質であるか、又はこのような物質の製造のための中間体である。
以下の例により本発明を説明する。
Ａ） 中間体の調製
例Ａ１：式（１）の化合物の調製
Figure 0005017098
ａ） 下記式の化合物の調製
Figure 0005017098
アルゴン注入口を備えた５００mlの丸底フラスコ中で、ＰＣｌ3（７．３８ｇ、５３．７５mmol）をアルゴン下で無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、１５０ml）に溶解して、この溶液を氷浴中で０℃に冷却した。トリエチルアミン（１１．９７ｇ、１１８．２５mmol、２．２０当量）を滴下により加え、続いて（Ｓ）−メトキシメチルピロリジン（１２．６９ｇ、１１０．１９mmol、２．０５当量）をゆっくり滴下により加えた。添加中に、白色沈殿物の生成を観測した。氷浴を取り外して、得られた懸濁液を一晩（１４時間）室温（ＲＴ）で撹拌した。生成した白色沈殿物をアルゴン下で反転可能なフリットフィルターを用いて濾過して、無水ＴＨＦ（２×２５ml）で洗浄した。得られた帯黄色の濾液の31Ｐ−ＮＭＲスペクトル（Ｃ6Ｄ6）を記録した。こうして得られた溶液を更に精製することなく反応させた。
Figure 0005017098
ｂ）下記式の化合物の調製
Figure 0005017098
アルゴン注入口を備えた１ｌの丸底フラスコ中で、フェロセン（１０．００ｇ、５３．７５mmol）及びカリウムｔ−ブトキシド（７５４mg、６．７２mmol、０．１２５当量）をアルゴン下で無水ＴＨＦ（１００ml）に溶解した。この溶液を−７８℃に冷却して、次にｔ−ブチルリチウム（ヘキサン中１．５Ｍ；７１．６７ml、１０７．５０mmol、２．００当量）を４５分間かけて滴下により加えた。この溶液を−７８℃で１．５時間撹拌し、ヘプタン（７５ml）と混合した。生成した沈殿物の沈降後、−７８℃でアルゴン下で分注用針を用いて上清を除去した。この沈殿物を−７８℃でヘプタン（６０ml）で洗浄して、洗浄液は、分注用針を用いて再度除去した。この手順を３回繰り返した。得られた沈殿物を無水ＴＨＦ（５０ml）に溶解して、ＴＨＦ（２００ml）中のａ）に記載されたように調製したハロホスフィンの溶液（５３．７５mmol、１．００当量）を、−７８℃で１．５時間かけて加えた。この溶液を一晩（１４時間）ＲＴまで温めながら撹拌した。続いてボラン−硫化ジメチル錯体（５．１０ml、５３．７５mmol、１．００当量）を滴下により加え、この混合物をＲＴで一晩撹拌した。飽和ＮＨ4Ｃｌ溶液（５０ml）を用いてこの反応混合物を加水分解して、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（ＴＢＭＥ、３×１００ml）で抽出した。合わせた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥して、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。粗生成物（２４．１８ｇ）をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル２００ｇ、ｎ−ヘプタン／ＴＢＭＥ、５：１）により精製した。標題化合物を橙色の固体として得た（１７．２３ｇ、３７．６０mmol、７０％）。
Figure 0005017098
ｃ） 式（ａ）及び（ｂ）の化合物の調製（Ｍｅ＝メチル）
Figure 0005017098
アルゴン注入口を備えた１００ml丸底フラスコ中で、ｂ）に記載されたように調製した化合物（１．００ｇ、２．１８mmol）を無水ＴＢＭＥ（５．００ml）及びｎ−ヘキサン（５．００ml）に溶解して、得られた溶液を−３０℃に冷却した。これによって、黄色の固体の沈殿が起こった。ｓ−ブチルリチウム（シクロヘキサン中１．３Ｍ；１．７６ml、２．２９mmol、１．０５当量）を滴下により加えた。これによって黄色の固体が徐々に溶液になり、この溶液が橙赤色になり、約３０分後に橙色の固体が沈殿した。−３０℃で２時間撹拌後、２−ブロモベンズアルデヒド（４８５mg、２．６２mmol、２．２当量）を滴下により加え、冷却浴を取り外して、この懸濁液を一晩（１４時間）ＲＴまで温めながら撹拌した。飽和ＮＨ4Ｃｌ溶液を用いてこの反応混合物を加水分解して、ＴＢＭＥ（１００ml）を加え、有機相を分離して、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去して、粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル２００ｇ、ｎ−ヘプタン／ＴＢＭＥ、５：１）により精製した。化合物（ａ）（８４９mg、１．３２mmol、６１％）及び化合物（ｂ）（３３４mg、０．５２mmol、２４％）を橙褐色の固体として得た。更に、未反応出発化合物（１５０mg、０．３３mmol、１５％）を褐色の油状物の形で回収した。
Figure 0005017098
ｄ） 標題化合物（１）の調製
アルゴン注入口を備えた２５０ml丸底フラスコ中で、フェロセニル化合物（ａ）（１．４７ｇ、２．２９mmol）を無水ＴＢＭＥ（３０ml）と無水トルエン（６ml）との混合物に溶解して、この溶液を０℃に冷却した。ＨＣｌ溶液（ジエチルエーテル中２Ｍ；４．５７ml、９．１４mmol、４．００当量）を滴下により加えると、無色の油状物が容器の壁に沈着した。０℃で一晩（１４時間）撹拌後、油ポンプで真空にして溶液を蒸発乾固した。ＴＢＭＥ（２０ml）を加え、得られた白色沈殿物をアルゴン下で浸漬フリットを用いて濾別した。黄色の濾液を−３０℃に冷却して、フェニルＭｇＢｒ溶液（ＴＨＦ中１Ｍ；１１．４５ml、１１．４５mmol、５．００当量）を滴下により加えた。この反応混合物を５時間ＲＴまで温めながら撹拌して、飽和ＮａＨＣＯ3溶液（５０ml）を用いて加水分解した。有機相を分離し、水相をＴＢＭＥ（１００ml）で抽出し、合わせた有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥して、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。この粗生成物をトルエン（１０ml）にアルゴン下で溶解して、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）（７６７mg、５．０４mmol、２．２当量）を加えた。この反応混合物を８０℃で２時間撹拌し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１００ｇ、ｎ−ヘプタン／ＴＢＭＥ、５：１）により精製した。ホスファン（１）を黄色の固体として得た（９５３mg、７５％）。
Figure 0005017098
例Ａ２： 式（２）の化合物の調製
Figure 0005017098
例Ａ１ｄと同様の方法を用いて、例Ａ１ｃからの化合物（ａ）を臭化ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）マグネシウムと反応させた。ホスファン（２）を黄色の固体として得た。
Figure 0005017098
Ｂ） ジホスフィンの調製
例Ｂ１： 式（Ａ）の（Ｓ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−［α−（Ｓ）−ヒドロキシ（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）メチル］フェロセンの調製
Figure 0005017098
アルゴン注入口を備えた１００ml丸底フラスコ中で、水素化カリウム（４７mg、１．１７mmol、１．３０当量）を無水ＴＨＦ（１．００ml）にアルゴン下で懸濁して、この混合物を０℃に冷却した。無水ＴＨＦ（４．００ml）に溶解した化合物（１）（５００mg、０．９０mmol）を滴下により加え、得られた溶液をＲＴで１時間撹拌した。この溶液を−７８℃で冷却し、ｔ−ブチルリチウム（ペンタン中１．５Ｍ；１．２０ml、１．８０mmol、２．００当量）を滴下により加えて、この混合物を−７８℃で３０分間撹拌した。ＣｌＰＣ6Ｈ5（２３８mg、１．０８mmol、１．２０当量）を−７８℃で滴下により加えることによって暗赤色の溶液が得られ、この溶液を−７８℃で３０分間撹拌し、続いてＲＴで１０分間撹拌した。飽和ＮＨ4Ｃｌ溶液（１０ml）を用いてこの反応混合物を加水分解して、ＴＢＭＥ（５０ml）を加え、有機相を分離して、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去して、粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１０ｇ、ｎ−ヘプタン／ＴＢＭＥ、１０：１）により精製した。化合物（Ａ）を黄色の固体として得た（１８４mg、０．２８mmol、３１％）。
Figure 0005017098
例Ｂ２： 式（Ｂ）の（Ｓ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−［α−（Ｓ）−ヒドロキシ（ｏ−ジ（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ホスフィノフェニル）メチル］フェロセンの調製
Figure 0005017098
クロロビス（３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル）ホスファンを用いて例Ｂ１の手順を繰り返した。化合物（Ｂ）を黄色の固体として得た。
Figure 0005017098
例Ｂ３： 式（Ｃ）の（Ｓ）−１−ジ（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ−２−［α−（Ｓ）−ヒドロキシ（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）メチル］フェロセンの調製
Figure 0005017098
例Ａ２からの化合物（２）を用いて例Ｂ１の手順を繰り返した。化合物（Ｃ）を黄色の固体として得た。
Figure 0005017098
例Ｂ４： 式（Ｄ）の（Ｓ）−１−ジ（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ−２−［α−（Ｓ）−ヒドロキシ（ｏ−ジ（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ホスフィノフェニル）メチル］フェロセンの調製
Figure 0005017098
例Ａ２からの化合物（２）及びクロロビス（３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル）ホスファンを用いて例Ｂ１の手順を繰り返した。化合物（Ｄ）を黄色の固体として得た。
Figure 0005017098
Ｃ） 金属錯体の調製
一般法： アルゴンを充填したシュレンク（Schlenk）管中で、例えば、［Ｒｈ（ノルボルナジエン）2］ＢＦ4 ４．７３mg（０．０１２６５mmol）又は別の金属錯体とジホスフィン配位子８．９６mg（０．０１３３mmol）を脱気メタノール５mlに溶解することにより、触媒溶液を調製する。
Ｄ） 使用例
例Ｄ１： ｔｒａｎｓ−アセトアミドケイ皮酸メチルの水素化
ｔｒａｎｓ−アセトアミドケイ皮酸メチル０．５５５ｇ（２．５３mmol）及び脱気メタノール５mlを、アルゴンを充填したシュレンク管に間断なく導入した。［Ｒｈ（ノルボルナジエン）2］ＢＦ4 ４．７３mg（０．０１２６５mmol）、配位子Ａ ８．７７mg（０．０１３３mmol）及び脱気メタノール５mlからなる触媒溶液を、アルゴンを充填した第２のシュレンク管中で調製した。次にこの溶液と触媒溶液を、鋼製毛細管を用いて、アルゴンを充填した５０mlガラス反応器に間断なく移した。基質／触媒の比（ｓ／ｃ）は２００とした。反応器を閉じて、４回のフラッシングサイクル（１barの水素まで加圧）を利用して１．０５barの圧力を設定した。オートクレーブを２５℃にサーモスタットで調温して、スターラーのスイッチを入れることにより反応を開始させた。この反応器を１時間撹拌した。反応器を開いた後、帯赤色の反応溶液を単離した。変換率は定量的であった（ＧＣ及び1Ｈ−ＮＭＲを用いて測定）。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、９９．１％ｅｅ（ＧＣを用いて測定；カラム：キラシル（Chirasil）−Ｌ−Ｖａｌ）のエナンチオマー純度を有する定量的収率の（Ｓ）−Ｎ−アセチルフェニルアラニンのメチルエステルを得た。
比較例： （Ｓ）−１−ジフェニルホスフィノ−２−［α−（Ｓ）−メトキシ（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）−メチル］フェロセン（メトキシ−タニアフォス（TANIAPHOS））を配位子として使用した。例Ｄ１と同様の方法を利用した。配位子のメトキシ−タニアフォス８．９６mg（０．０１３３mmol）を配位子Ａの代わりに使用した。変換率は１００％であった。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、９９％ｅｅのエナンチオマー純度を有する定量的収率の（Ｓ）−Ｎ−アセチルフェニルアラニンのメチルエステルを得た。
例Ｄ２： イタコン酸ジメチルの水素化
例Ｄ１と同様の方法を利用した。イタコン酸ジメチル０．４ｇ（２．５３mmol）を出発物質として使用し、そしてＡ ８．７７mg（０．０１３３mmol）を配位子として使用した。変換率は１００％であった。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、９９．５％ｅｅのエナンチオマー純度を有する定量的収率の（２Ｒ）−コハク酸ジメチルを得た。
比較例：
例Ｄ２と同様の方法を利用した。メトキシ−タニアフォス８．９６mg（０．０１３３mmol）を配位子Ａの代わりに使用した。変換率は１００％であった。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、＞９９．４％ｅｅのエナンチオマー純度を有する定量的収率の（２Ｒ）−コハク酸ジメチルを得た。
例Ｄ３： ２−メチルケイ皮酸の水素化
２−メチルケイ皮酸０．４１ｇ（２．５３mmol）及び脱気メタノール５mlを、アルゴンを充填したシュレンク管に間断なく導入した。［Ｒｈ（ノルボルナジエン）2］ＢＦ4 ４．７３mg（０．０１２６５mmol）、配位子Ａ ８．７７mg（０．０１３３mmol）及び脱気メタノール５mlからなる触媒溶液を、アルゴンを充填した第２のシュレンク管中で調製した。次にこの溶液と触媒溶液を、鋼製毛細管を用いて、アルゴンを充填した５０mlオートクレーブに間断なく移した。基質／触媒の比は２００とした。オートクレーブを閉じて、４回のフラッシングサイクル（１０barの水素まで加圧）を利用して５barの圧力を設定した。オートクレーブを２５℃にサーモスタットで調温して、スターラーのスイッチを入れることにより反応を開始させた。この反応器を１９時間撹拌した。オートクレーブを開いた後、帯赤色の反応溶液を単離した。変換率は定量的であった（ＧＣ及び1Ｈ−ＮＭＲを用いて測定）。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、２９％ｅｅ（メチルエステルに変換後ＨＰＬＣを用いて測定；カラム：キラセル（Chiracel）ＯＢ）のエナンチオマー純度を有する定量的収率の２−メチル−３−フェニルプロピオン酸を得た。
比較例：
例Ｄ３と同様の方法を利用した。メトキシ−タニアフォス８．９６mg（０．０１３３mmol）を配位子Ａの代わりに使用した。変換率は１００％であった。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去することにより、３０％ｅｅのエナンチオマー純度を有する定量的収率の２−メチル−３−フェニルプロピオン酸を得た。
例Ｄ４： フェニルグリオキシル酸メチルの水素化
Figure 0005017098
フェニルグリオキシル酸メチル０．４１５ｇ（２．５３mmol）及び脱気メタノール５mlを、アルゴンを充填したシュレンク管に間断なく導入した。［Ｒｈ（ノルボルナジエン）2］ＢＦ4 ４．７３mg（０．０１２６５mmol）、配位子Ａ ８．７７mg（０．０１３３mmol）及び脱気メタノール５mlからなる触媒溶液を、アルゴンを充填した第２のシュレンク管中で調製した。次にこの溶液と触媒溶液を、鋼製毛細管を用いて、アルゴンを充填した５０mlオートクレーブに間断なく移した。基質／触媒の比は２００とした。オートクレーブを閉じて、４回のフラッシングサイクル（２０barの水素まで加圧）を利用して８０barの圧力を設定した。オートクレーブを２５℃にサーモスタットで調温して、スターラーのスイッチを入れることにより反応を開始させた。この反応器を１９時間撹拌した。オートクレーブを開いた後、帯赤色の反応溶液を単離した。変換率は定量的であった（ＧＣ及び1Ｈ−ＮＭＲを用いて測定）。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、４２％ｅｅ（メチルエステルに変換後ＨＰＬＣを用いて測定；カラム：キラセル（Chiracel）−ＯＪ）のエナンチオマー純度を有する定量的収率の（Ｓ）−乳酸メチルを得た。
比較例：
例Ｄ４と同様の方法を利用した。メトキシ−タニアフォス８．９６mg（０．０１３３mmol）を配位子Ａの代わりに使用した。変換率は１００％であった。ロータリーエバポレーターで溶媒を除去することにより、わずか１９％ｅｅのエナンチオマー純度を有する定量的収率の（Ｓ）−乳酸メチルを得た。
例Ｄ５〜Ｄ２２： 種々の出発物質の水素化
Figure 0005017098
実験手順は、例Ｄ１と同様とした。出発物質２．５３mmolを常に使用して、基質／触媒の比（ｓ／ｃ）は常に２００とした。反応パラメーター及び結果は、以下の表１に要約した。
例５、１１、１６及び２０では、トルエン（１０ml）を溶媒として使用した。例６〜８、１２、１３、１７、１８、２１及び２２では、エタノール（１０ml、例６及び１７では９．５ml）を溶媒として使用した。例９、１０、１４、１５及び１９では、メタノール（１０ml）を溶媒として使用した。
Figure 0005017098
*)：ＴＦＥ：３，３，３−トリフルオロエタノール０．５ml；ＴＢＡＩ：ヨウ化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＩ／イリジウムは２である）；ＴＦＡ：トリフルオロ酢酸３０μl；ＨＣｌ：１Ｎ ＨＣｌ水溶液６０μl

Claims (24)

  1. 式（Ｉ）又は（Ｉ'）：
    Figure 0005017098
    ［式中、
    両方のＲ1は、独立に、水素原子又はＣ1−Ｃ4−アルキルであり、かつＲ'1は、Ｃ1−Ｃ4−アルキルであり；
    Ｘ1及びＸ2は、それぞれ相互に独立に、第２級ホスフィノ基であり、かつＸ2は２個の同一の炭化水素ラジカルを含み；
    Ｒ2は、水素であり；
    Ｔは、Ｃ6−Ｃ20−アリーレンであり；
    ｖは、０又は１〜４の整数であり；
    Ｘ1は、Ｔ−Ｃ*結合に対してオルト位に結合しており；そして
    *は、ラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーの混合物、又は純粋なラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーを意味する］で示される化合物。
  2. 式（Ia）及び（Ib）：
    Figure 0005017098
    ［式中、Ｒ1、Ｘ1、Ｘ2及びＲ2は請求項１と同義であり、*は、ラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーの混合物、又は純粋なラセミ体の若しくはエナンチオマーとして純粋なジアステレオマーを意味する］に対応することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  3. Ｒ1が、水素原子であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  4. 第２級ホスフィノ基：Ｘ1及びＸ2が、それぞれ、２個の同一の炭化水素ラジカルを含むことを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  5. 第２級ホスフィノ基：Ｘ1及びＸ2が、同一であるか又は異なっていることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  6. 第２級ホスフィノ基：Ｘ1及びＸ2が、１〜２２個の炭素原子を有する炭化水素ラジカルを含み、非置換であるか、又は置換されており、かつ／あるいはＯ、Ｓ及びＮ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）よりなる群から選択されるヘテロ原子を含むことを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  7. 第２級ホスフィンが、直鎖又は分岐のＣ1−Ｃ12−アルキル；非置換又はＣ1−Ｃ6−アルキル−若しくはＣ1−Ｃ6−アルコキシ−置換のＣ5−Ｃ12−シクロアルキル又はＣ5−Ｃ12−シクロアルキル−ＣＨ2−；フェニル、ナフチル、フリル又はベンジル；及びフェニル又はベンジル［ハロゲン、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、（Ｃ6Ｈ5）3Ｓｉ、（Ｃ1−Ｃ12−アルキル）3Ｓｉ、第２級アミノ又は−ＣＯ2−Ｃ1−Ｃ6−アルキルにより置換されている］よりなる群から選択される、２個の同一であるか又は異なる炭化水素ラジカルを含むことを特徴とする、請求項６記載の化合物。
  8. 第２級ホスフィノ基が、式：−ＰＲ3Ｒ4［ここで、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、１〜１８個の炭素原子を有しており、そして非置換であっても、又はハロゲン、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）2アミノ、（Ｃ6Ｈ5）3Ｓｉ、（Ｃ1−Ｃ12−アルキル）3Ｓｉ若しくは−ＣＯ2−Ｃ1−Ｃ6−アルキルにより置換されていてもよいか、かつ／あるいはヘテロ原子のＯを含む、炭化水素ラジカルである］に対応することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  9. 第２級ホスフィノ基：Ｘ1及びＸ2が、環状第２級ホスフィノであることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  10. 環状第２級ホスフィノが、下記式：
    Figure 0005017098
    ［式中、環は、非置換であるか、あるいは−ＯＨ、Ｃ1−Ｃ8−アルキル、Ｃ4−Ｃ8−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、フェニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルフェニル若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシフェニル、ベンジル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルベンジル若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシベンジル、ベンジルオキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルベンジルオキシ若しくはＣ1−Ｃ4−アルコキシベンジルオキシ又はＣ1−Ｃ4−アルキリデンジオキシルにより、単置換又は多置換されている］で示される基の１つに対応することを特徴とする、請求項９記載の化合物。
  11. 式（Ic）、（Id）、（Ie）及び（If）：
    Figure 0005017098
    ［式中、Ｒ1は、水素であり、そしてＸ1、Ｘ2及びＲ2は、請求項１と同義である］で示されるジアステレオマーに対応することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  12. 式（Ic）、（Id）、（Ie）及び（If）中のＸ1及びＸ2が、−Ｐ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）2、−Ｐ（Ｃ5−Ｃ8−シクロアルキル）2、−Ｐ（Ｃ7−Ｃ8−ビシクロアルキル）2、−Ｐ（Ｃ5−Ｃ8−シクロアルキル）2、−Ｐ（ｏ−フリル）2、−Ｐ（Ｃ6Ｈ5）2、−Ｐ［２−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［２−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［２−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）2Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）2Ｃ6Ｈ3］2及び−Ｐ［３，５−ビス（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）2−４−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）Ｃ6Ｈ2］2よりなる群から選択される、同一であるか又は異なる非環状第２級ホスフィンであるか、あるいは下記式：
    Figure 0005017098
    ［式中、環は、非置換であるか、あるいはＨＯ、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ2−アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ又はＣ1−Ｃ4−アルキリデンジオキシルにより、単置換又は多置換されている］で示される基よりなる群から選択される、同一であるか又は異なる環状ホスフィンであることを特徴とする、請求項１１記載の化合物。
  13. 第２級ホスフィノ基：Ｘ1及びＸ2が、−Ｐ（ＣＨ3）2、−Ｐ（ｉ−Ｃ3Ｈ7）2、−Ｐ（ｎ−Ｃ4Ｈ9）2、−Ｐ（ｉ−Ｃ4Ｈ9）2、−Ｐ（Ｃ6Ｈ11）2、−Ｐ（ノルボルニル）2、−Ｐ（ｏ−フリル）2、−Ｐ（Ｃ6Ｈ5）2、−Ｐ［２−（メチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（メチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（メチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［２−（メトキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（メトキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（メトキシ）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［４−（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ4］2、−Ｐ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（メチル）2Ｃ6Ｈ3］2、−Ｐ［３，５−ビス（メトキシ）2Ｃ6Ｈ3］2及び−Ｐ［３，５−ビス（メチル）2−４−（メトキシ）Ｃ6Ｈ2］2、並びに下記式：
    Figure 0005017098
    ［式中、Ｒ'は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル又はベンジルオキシメチルであり、そしてＲ"は、Ｒ'と同義である］で示される基であることを特徴とする、請求項１１記載の化合物。
  14. 式（Ｆ）〜（Ｆ'）：
    Figure 0005017098
    ［式中、Ｔ、Ｒ1、Ｒ'1及びｖは、請求項１と同義であり、Ｒ2は、Ｈであり、Ｘ4は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、そしてＸ2は２個の同一の炭化水素ラジカルを含む第２級ホスフィノ基である］で示される化合物。
  15. 式（Ｆ１）〜（Ｆ６）：
    Figure 0005017098
    ［式中、Ｒ1は、請求項１と同義であり、Ｒ2は、Ｈであり、Ｘ4は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、そしてＸ2は２個の同一の炭化水素ラジカルを含む第２級ホスフィノ基である］で示される化合物。
  16. ＴＭ８金属の群から選択される金属と、配位子として請求項１記載の式（Ｉ）又は（Ｉ'）の化合物と、の金属錯体。
  17. ＴＭ８金属の群から選択される金属と、配位子として請求項２又は１１記載の式（Ｉａ）〜（Ｉｆ）の化合物と、の請求項１６記載の金属錯体。
  18. ＴＭ８金属が、ロジウム、イリジウム又はルテニウムであることを特徴とする、請求項１６記載の金属錯体。
  19. 式（II）及び（III）：
    Figure 0005017098
    ［式中、
    Ａ1は、式（Ｉ）又は（Ｉ'）の化合物の１つであり、
    Ｌは、同一であるか又は異なる単座のアニオン性又は非イオン性配位子を表すか、あるいはＬは、同一であるか又は異なる二座のアニオン性又は非イオン性配位子を表し；
    ｎは、Ｌが単座配位子であるとき、２、３又は４であるか、あるいはｎは、Ｌが二座配位子であるとき、１又は２であり；
    ｚは、１、２又は３であり；
    Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕよりなる群から選択される金属であり；この金属は酸化状態：０、１、２、３又は４をとるものであり；
    Ｅ-は、−Ｃｌ - 、−Ｂｒ - 、−Ｉ - 、ＣｌＯ 4 - 、ＣＦ 3 ＳＯ 3 - 、ＣＨ 3 ＳＯ 3 - 、ＨＳＯ 4 - 、（ＣＦ 3 ＳＯ 2 ） 2 Ｎ - 、（ＣＦ 3 ＳＯ 2 ） 3 Ｃ - 、テトラアリールボラート、Ｂ（フェニル） 4 - 、Ｂ［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］ 4 - 、Ｂ［ビス（３，５−ジメチル）フェニル］ 4 - 、Ｂ（Ｃ 6 Ｆ 5 ） 4 - 、Ｂ（４−メチルフェニル） 4 - 、ＢＦ 4 - 、ＰＦ 6 - 、ＳｂＣｌ 6 - 、ＡｓＦ 6 - 又はＳｂＦ 6 - から選択され；そして
    アニオン配位子は、金属の酸化状態：１、２、３又は４の電荷と釣り合いをとる］に対応することを特徴とする、請求項１６記載の金属錯体。
  20. 式（II）及び（III）：
    Figure 0005017098
    ［式中、
    Ａ1は、式（Ｉａ）〜（Ｉｆ）の化合物の１つであり、
    Ｌは、同一であるか又は異なる単座のアニオン性又は非イオン性配位子を表すか、あるいはＬは、同一であるか又は異なる二座のアニオン性又は非イオン性配位子を表し；
    ｎは、Ｌが単座配位子であるとき、２、３又は４であるか、あるいはｎは、Ｌが二座配位子であるとき、１又は２であり；
    ｚは、１、２又は３であり；
    Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕよりなる群から選択される金属であり；この金属は酸化状態：０、１、２、３又は４をとるものであり；
    Ｅ-は、−Ｃｌ - 、−Ｂｒ - 、−Ｉ - 、ＣｌＯ 4 - 、ＣＦ 3 ＳＯ 3 - 、ＣＨ 3 ＳＯ 3 - 、ＨＳＯ 4 - 、（ＣＦ 3 ＳＯ 2 ） 2 Ｎ - 、（ＣＦ 3 ＳＯ 2 ） 3 Ｃ - 、テトラアリールボラート、Ｂ（フェニル） 4 - 、Ｂ［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］ 4 - 、Ｂ［ビス（３，５−ジメチル）フェニル］ 4 - 、Ｂ（Ｃ 6 Ｆ 5 ） 4 - 、Ｂ（４−メチルフェニル） 4 - 、ＢＦ 4 - 、ＰＦ 6 - 、ＳｂＣｌ 6 - 、ＡｓＦ 6 - 又はＳｂＦ 6 - から選択され；そして
    アニオン配位子は、金属の酸化状態：１、２、３又は４の電荷と釣り合いをとる］に対応することを特徴とする、請求項１７記載の金属錯体。
  21. 式（IV）及び（Ｖ）：
    Figure 0005017098
    ［式中、
    Ａ1は、式（Ｉ）又は（Ｉ'）の化合物の１つであり、
    Ｍｅ2は、ロジウム又はイリジウムであり；
    Ｙは、２個のオレフィン又は１個のジエンを表し；
    Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；そして
    Ｅ-は、ＢＦ 4 - 、ＣｌＯ 4 - 、ＣＦ 3 ＳＯ 3 - 、ＣＨ 3 ＳＯ 3 - 、ＨＳＯ 4 - 、Ｂ（フェニル） 4 - 、Ｂ［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］ 4 - 、ＰＦ 6 - 、ＳｂＣｌ 6 - 、ＡｓＦ 6 - 又はＳｂＦ 6 - から選択される］に対応することを特徴とする、請求項１８記載の金属錯体。
  22. 式（IV）及び（Ｖ）：
    Figure 0005017098
    ［式中、
    Ａ1は、式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）の化合物の１つであり、
    Ｍｅ2は、ロジウム又はイリジウムであり；
    Ｙは、２個のオレフィン又は１個のジエンを表し；
    Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；そして
    Ｅ-は、ＢＦ 4 - 、ＣｌＯ 4 - 、ＣＦ 3 ＳＯ 3 - 、ＣＨ 3 ＳＯ 3 - 、ＨＳＯ 4 - 、Ｂ（フェニル） 4 - 、Ｂ［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］ 4 - 、ＰＦ 6 - 、ＳｂＣｌ 6 - 、ＡｓＦ 6 - 又はＳｂＦ 6 - から選択される］に対応することを特徴とする、請求項１８記載の金属錯体。
  23. 触媒の存在下でのプロキラルな有機化合物中の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合への水素の不斉付加による、キラルな有機化合物の製造方法であって、この付加反応が、触媒量の請求項１６〜２２のいずれか１項記載の少なくとも１つの金属錯体の存在下で行われることを特徴とする方法。
  24. プロキラルな有機化合物中の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合への水素の不斉付加による、キラルな有機化合物の製造用の均一系触媒としての、請求項１６〜２２のいずれか１項記載の金属錯体の使用。
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