JP5016871B2 - Passive components - Google Patents
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Description
本発明は、受動部品に関し、例えば誘電体基板の内部に複数の共振回路が直列接続されたバンドパスフィルタ等に用いて好適な受動部品に関する。 The present invention relates to a passive component, for example, a passive component suitable for use in a band-pass filter or the like in which a plurality of resonance circuits are connected in series inside a dielectric substrate.
従来の高周波用のフィルタは、積層型誘電体フィルタ、誘電体フィルタ、SAWフィルタ、BAWフィルタ等があり、それぞれ長所、短所を有する。 Conventional high frequency filters include multilayer dielectric filters, dielectric filters, SAW filters, BAW filters, and the like, each having advantages and disadvantages.
積層型誘電体フィルタは、誘電体内部に1/4λのストリップライン共振器を複数配置して形成したフィルタで、安価であり、小型化、広帯域化が容易であるが、共振器のQ値が低く、急峻な減衰特性を実現できないという短所がある。 The multilayer dielectric filter is a filter formed by arranging a plurality of 1 / 4λ stripline resonators inside the dielectric, and is inexpensive, easy to downsize and widen the bandwidth, but the Q factor of the resonator is There is a disadvantage that it is low and a steep attenuation characteristic cannot be realized.
誘電体フィルタにおいては、共振器のQ値が高く、積層型誘電体フィルタよりも急峻な減衰を得ることができるが、形状が大きく、価格が高いという問題がある。 In the dielectric filter, the Q value of the resonator is high and a steep attenuation can be obtained as compared with the multilayer dielectric filter, but there is a problem that the shape is large and the price is high.
その一方で、SAWフィルタやBAWフィルタについては、共振器のQ値が非常に高く、誘電体フィルタよりも急峻な減衰を得ることができるものの、フィルタの広帯域化には限界があり、また、価格が高いという問題を抱えている。 On the other hand, the SAW filter and the BAW filter have a very high Q value of the resonator and can obtain a steep attenuation as compared with the dielectric filter. Have the problem of being expensive.
近年、無線通信システムが普及し、1つの無線端末に数種類の無線システムが設置されるようになり、部品の小型化の要求はもちろん、システム間の干渉を低減するため、急峻な減衰特性が求められるようになった。また、システムの広帯域化に伴い、広帯域フィルタの要求も強い。従って、上述したフィルタを単体で使用しても急峻な減衰特性と広帯域化という要求を満足させることができない。 In recent years, wireless communication systems have become widespread, and several types of wireless systems have been installed in a single wireless terminal. In addition to demands for component miniaturization, steep attenuation characteristics are required to reduce interference between systems. It came to be able to. In addition, with the widening of the system, there is a strong demand for a broadband filter. Therefore, even if the above-described filter is used alone, the requirements for steep attenuation characteristics and a wider band cannot be satisfied.
そこで、誘電体フィルタとSAWフィルタとを組み合わせた複合フィルタ(例えば特許文献1〜3参照)や、ラダー型フィルタと平衡−不平衡変換機能を有する2重モード型フィルタとを組み合わせた複合フィルタ(例えば特許文献4)が提案されている。
Therefore, a composite filter combining a dielectric filter and a SAW filter (for example, see
特許文献1記載の複合フィルタは、誘電体ノッチフィルタと、弾性表面波フィルタとが縦接された構成を有し、誘電体ノッチフィルタの減衰帯域と弾性表面波フィルタの減衰帯域とが実質的に一致した構成を有する。これにより、小型化、通過帯域内では低損失、通過帯域外では高減衰である複合フィルタを得ることができる。
The composite filter described in
特許文献2記載の複合フィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる基体と、この基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、基体の内部に形成されたローパスフィルタとを有し、ローパスフィルタが、弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続された構成を有する。
The composite filter described in
特許文献3記載の複合フィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる基体と、この基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、基体の内部に形成されたローパスフィルタとを有し、ローパスフィルタが、弾性表面波フィルタ素子の送信入力側に電気的に接続された構成を有する。
The composite filter described in
これら特許文献2及び3記載の発明によれば、外部との接続端子の数を減少させると共に、ローパスフィルタにより弾性表面波フィルタの通過帯域より高周波帯域の減衰量を大きくとれることにより、無線装置の送信側に要求されるパワーアンプにより発生する通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波を広帯域にわたって減衰させることができると共に、基体の内部に損失の少ないローパスフィルタを実現することができる。
According to the inventions described in
特許文献4記載の複合フィルタは、ラダー型フィルタと、ラダー型フィルタに接続された2重モード型フィルタ(平衡−不平衡変換部)とが支持基板上に設けられた構成を有する。なお、ラダー型フィルタは、第1圧電薄膜共振子と第2圧電薄膜共振子とがラダー接続されたものである。これにより、挿入損失の劣化を抑制しながら、平衡−不平衡変換が可能な圧電フィルタ及びそれを有する電子部品を提供することができる。
The composite filter described in
本発明は、上述した複合フィルタをさらに発展させて、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる受動部品を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a passive component that can further reduce the size, bandwidth, and cost of the composite filter described above, and can also realize a steep attenuation characteristic. To do.
第1の本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成され、1以上の共振電極を有するフィルタと、前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子とを有する受動部品であって、前記誘電体基板内に前記共振電極の短絡端側を挟むように形成された2以上の短絡端側内層アース電極と、前記誘電体基板内に前記共振電極の開放端側を挟むように形成された2以上の開放端側内層アース電極と、前記誘電体基板の上部に形成され、前記1以上の減衰極形成素子が収容される凹部と、前記凹部の底部表面に形成され、少なくとも1つの前記減衰極形成素子と前記フィルタとを電気的に接続するための配線パターンと、を有し、前記凹部は、側壁の一部が欠落した切欠き状の凹みであり、前記2以上の開放端側内層アース電極のうち、1つの開放端側内層アース電極は、前記誘電体基板内であって、且つ、前記凹部の底部の直下に誘電体層を隔てて形成され、前記2以上の短絡端側内層アース電極のうち、1つの短絡端側内層アース電極は、前記誘電体基板の上部であって、且つ、前記凹部の底部よりも上方に位置した部分に形成されていることを特徴とする。
第2の本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成され、1以上の共振電極を有するフィルタと、前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子とを有する受動部品であって、前記誘電体基板内に前記共振電極の短絡端側を挟むように形成された2以上の短絡端側内層アース電極と、前記誘電体基板内に前記共振電極の開放端側を挟むように形成された2以上の開放端側内層アース電極と、前記誘電体基板の下部に形成され、前記1以上の減衰極形成素子が収容される凹部と、前記凹部の底部表面に形成され、少なくとも1つの前記減衰極形成素子と前記フィルタとを電気的に接続するための配線パターンと、を有し、前記凹部は、側壁の一部が欠落した切欠き状の凹みであり、前記2以上の開放端側内層アース電極のうち、1つの開放端側内層アース電極は、前記誘電体基板内であって、且つ、前記凹部の底部の直上に誘電体層を隔てて形成され、前記2以上の短絡端側内層アース電極のうち、1つの短絡端側内層アース電極は、前記誘電体基板の下部であって、且つ、前記凹部の底部よりも下方に位置した部分に形成されていることを特徴とする。
第3の本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成され、1以上の共振電極を有するフィルタと、前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子とを有する受動部品であって、前記誘電体基板の上面及び下面にそれぞれ形成された2つのアース端子と、前記誘電体基板内に前記共振電極を挟むように形成され、前記アース端子に接続された2以上の内層アース電極と、前記誘電体基板の側部に形成され、前記1以上の減衰極形成素子が収容される凹部と、前記凹部の底部表面に形成され、少なくとも1つの前記減衰極形成素子と前記フィルタとを電気的に接続するための配線パターンと、を有し、前記2以上の内層アース電極のうち、1つの内層アース電極は、前記誘電体基板内であって、且つ、前記凹部の
底部と前記フィルタとの間に形成されていることを特徴とする。
A passive component according to a first aspect of the present invention includes a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, a filter formed in the dielectric substrate and having one or more resonant electrodes, Two or more short-circuits , each of which is a passive component having one or more attenuation pole forming elements for forming attenuation poles in the attenuation characteristic, and is formed so as to sandwich the short-circuit end side of the resonance electrode in the dielectric substrate. An end-side inner-layer ground electrode, two or more open-end-side inner-layer ground electrodes formed so as to sandwich the open end side of the resonant electrode in the dielectric substrate, and formed on the dielectric substrate, A recess that accommodates the attenuation pole forming element, and a wiring pattern that is formed on the bottom surface of the recess and electrically connects at least one of the attenuation pole forming element and the filter, The concave part is missing a part of the side wall And has a dendritic recess notches, one of the two or more open-end-side inner layer ground electrode, one open end side innerlayer ground electrode is the above dielectric substrate, and, just below the bottom of the recess is formed at a dielectric layer, one of the two or more short-circuit end side innerlayer ground electrode, one short-circuit end side innerlayer ground electrode is an upper portion of the dielectric substrate, and, also from the bottom of the recess It is formed in the part located upward.
A passive component according to a second aspect of the present invention includes a dielectric substrate configured by laminating a plurality of dielectric layers, a filter formed in the dielectric substrate and having one or more resonant electrodes, Two or more short-circuits , each of which is a passive component having one or more attenuation pole forming elements for forming attenuation poles in the attenuation characteristic, and is formed so as to sandwich the short-circuit end side of the resonance electrode in the dielectric substrate. An end-side inner-layer ground electrode, two or more open-end-side inner-layer ground electrodes formed so as to sandwich the open end side of the resonant electrode in the dielectric substrate, and formed under the dielectric substrate, A recess that accommodates the attenuation pole forming element, and a wiring pattern that is formed on the bottom surface of the recess and electrically connects at least one of the attenuation pole forming element and the filter, The concave part is missing a part of the side wall And has a dendritic recess notches, one of the two or more open-end-side inner layer ground electrode, one open end side innerlayer ground electrode is the above dielectric substrate, and, directly above the bottom of the recess is formed at a dielectric layer, one of the two or more short-circuit end side innerlayer ground electrode, one short-circuit end side innerlayer ground electrode is a lower portion of the dielectric substrate, and, also from the bottom of the recess It is formed in the part located below.
A passive component according to a third aspect of the present invention includes a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, a filter formed in the dielectric substrate and having one or more resonant electrodes, A passive component having one or more attenuation pole forming elements for forming an attenuation pole in an attenuation characteristic, wherein two ground terminals respectively formed on an upper surface and a lower surface of the dielectric substrate; and in the dielectric substrate And two or more inner-layer ground electrodes connected to the ground terminal, and a recess formed on a side portion of the dielectric substrate and accommodating the one or more attenuation pole forming elements. And a wiring pattern for electrically connecting at least one attenuation pole forming element and the filter, formed on the bottom surface of the recess, and of the two or more inner layer ground electrodes, One inner layer Electrode is the above dielectric substrate, and is characterized in that it is formed between the bottom of the recess filter.
誘電体基板内に形成されたフィルタは、安価であり、小型化、広帯域化が容易である。しかも、フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子を有するようにしたので、急峻な減衰特性を得ることができる。 The filter formed in the dielectric substrate is inexpensive, and can be easily downsized and widened. In addition, since one or more attenuation pole forming elements for forming attenuation poles are included in the attenuation characteristic of the filter, a steep attenuation characteristic can be obtained.
このように、本発明においては、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the size, increase the bandwidth, reduce the cost, and realize a steep attenuation characteristic.
第1〜第3の本発明において、前記誘電体基板の表面に入力端子が形成され、一端が前記入力端子に接続され、前記フィルタの前記共振電極と共に並列に接続された第1減衰極形成素子と、前記入力端子と前記フィルタ間において直列接続された第2減衰極形成素子とを有し、前記配線パターンは、前記第1減衰極形成素子及び前記第2減衰極形成素子と前記入力端子とを電気的に接続するための第1配線パターンと、前記第2減衰極形成素子と1つの前記共振電極とを電気的に接続するための第2配線パターンと、前記第1減衰極形成素子と1つの前記内層アース電極とを電気的に接続するための第3配線パターンとを有するようにしてもよい。
あるいは、第1〜第3の本発明において、前記誘電体基板の表面に出力端子が形成され、一端が前記出力端子に接続され、前記フィルタの前記共振電極と共に並列に接続された第1減衰極形成素子と、前記出力端子と前記フィルタ間において直列接続された第2減衰極形成素子とを有し、前記配線パターンは、前記第1減衰極形成素子及び前記第2減衰極形成素子と前記出力端子とを電気的に接続するための第1配線パターンと、前記第2減衰極形成素子と1つの前記共振電極とを電気的に接続するための第2配線パターンと、前記第1減衰極形成素子と1つの前記内層アース電極とを電気的に接続するための第3配線パターンとを有するようにしてもよい。
1st- 3rd this invention WHEREIN: The input terminal is formed in the surface of the said dielectric substrate, One end is connected to the said input terminal, The 1st attenuation pole formation element connected in parallel with the said resonance electrode of the said filter And a second attenuation pole forming element connected in series between the input terminal and the filter, and the wiring pattern includes the first attenuation pole forming element, the second attenuation pole forming element, and the input terminal. A first wiring pattern for electrically connecting, a second wiring pattern for electrically connecting the second attenuation pole forming element and the one resonance electrode, and the first attenuation pole forming element, You may make it have the 3rd wiring pattern for electrically connecting one said inner-layer ground electrode.
Alternatively, in the first to third aspects of the present invention, an output terminal is formed on the surface of the dielectric substrate, one end is connected to the output terminal, and the first attenuation pole is connected in parallel with the resonance electrode of the filter. A second attenuation pole forming element connected in series between the output terminal and the filter, and the wiring pattern includes the first attenuation pole forming element, the second attenuation pole forming element, and the output. A first wiring pattern for electrically connecting a terminal; a second wiring pattern for electrically connecting the second attenuation pole forming element and one of the resonance electrodes; and formation of the first attenuation pole. You may make it have a 3rd wiring pattern for electrically connecting an element and one said inner-layer ground electrode.
また、本発明において、前記減衰極形成素子は、SAW(表面弾性波)素子であってもよいし、BAW(バルク弾性波)素子であってもよい。 In the present invention, the attenuation pole forming element may be a SAW (surface acoustic wave) element or a BAW (bulk acoustic wave) element.
以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。 As described above, according to the passive component of the present invention, it is possible to reduce the size, increase the bandwidth, reduce the cost, and realize a steep attenuation characteristic.
以下、本発明に係る受動部品を例えばバンドパスフィルタに適用した実施の形態例を図1〜図17を参照しながら説明する。なお、図1〜図3、図8〜14において、ボンディングワイヤ保護用の樹脂コートの図示を省略する。 Hereinafter, an embodiment in which a passive component according to the present invention is applied to, for example, a bandpass filter will be described with reference to FIGS. In FIGS. 1 to 3 and FIGS. 8 to 14, illustration of the resin coat for protecting the bonding wires is omitted.
先ず、第1の実施の形態に係る受動部品(以下、第1受動部品10Aと記す)は、図1に示すように、複数の誘電体層(誘電体層S1〜S13:図2参照)が積層、焼成一体化された誘電体基板12を有する。誘電体基板12は、上面14a、下面14b(図3参照)、第1側面16a〜第4側面16dを有する例えば直方体の形状を有する。また、この誘電体基板12は、上面14aの一部が開口とされた凹部18が形成され、さらに、図2に示すように、下面14bに1つの入力端子20、1つの出力端子22、6つのアース端子(第1アース端子24a〜第6アース端子24f)が形成されている。この第1受動部品10Aにおいて、凹部18は、周りに側壁を有する穴19の構造を有する。
First, the passive component according to the first embodiment (hereinafter referred to as the first
誘電体基板12は、図2に示すように、上から順に、第1誘電体層S1〜第13誘電体層S13が積み重ねられて構成されている。これらの第1誘電体層S1〜第13誘電体層S13は、1枚あるいは複数枚の層にて構成される。
As shown in FIG. 2, the
誘電体基板12内には、図2に示すように、フィルタ26を有する。このフィルタ26は、3つの1/4λの共振器(第1共振器28a、第2共振器28b、第3共振器28c)を有する。特に、第9誘電体層S9の一主面には、第1共振器28aを構成する第1共振電極30aと、第2共振器28bを構成する第2共振電極30bと、第3共振器28cを構成する第3共振電極30cとが形成されている。また、このフィルタ26は、第1共振電極30a〜第3共振電極30cを挟むように形成された少なくとも2つの内層アース電極(第1内層アース電極32a及び第2内層アース電極32b)を有する。第1内層アース電極32aは第6誘電体層S6の一主面に形成され、第2内層アース電極32bは第12誘電体層S12の一主面に形成されている。
The
第1共振電極30aの一方の端部(誘電体基板12の第1側面16aに近接した位置にある端部)と、第2共振電極30bの一方の端部と、第3共振電極30cの一方の端部は、それぞれ第1ビアホール34a、第2ビアホール34b、第3ビアホール34cを介して第1内層アース電極32a及び第2内層アース電極32bに電気的に接続されると共に、第1アース端子24a〜第3アース端子24cにも電気的に接続されている。すなわち、第1共振電極30a〜第3共振電極30cの各一方の端部は、それぞれ短絡端を構成し、各他方の端部がそれぞれ開放端を形成する。
One end of the
第3共振電極30cは、その中央部分から誘電体基板12の第2側面16b(第1共振電極30aとは反対側の側面)に向けてタップ電極36が形成されている。タップ電極36は第4ビアホール34dを介して出力端子22に電気的に接続されている。
The
そして、第1誘電体層S1〜第4誘電体層S4には、上述した穴19を構成する第1貫通孔38a〜第4貫通孔38dがそれぞれ形成されている。
In the first dielectric layer S1 to the fourth dielectric layer S4, the first through
第5誘電体層S5の一主面には、入力端子20に第5ビアホール34eを介して電気的に接続される入力接続電極40と、第1共振電極30aと第6ビアホール34f、接続電極43及び第7ビアホール34gを介して電気的に接続される入力電極42と、第1内層アース電極32aと第8ビアホール34hを介して電気的に接続されるアース電極44が形成されている。また、この第5誘電体層S5の一主面には、フィルタ26の減衰特性に減衰極を形成追加するための2つの減衰極形成素子(第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46b)が実装されるようになっている。
On one main surface of the fifth dielectric layer S5, the
第1減衰極形成素子46aは、入力接続電極40と第1ボンディングワイヤ48aにて電気的に接続され、アース電極44と第2ボンディングワイヤ48bにて電気的に接続されている。同様に、第2減衰極形成素子46bは、入力電極42と第3ボンディングワイヤ48cにて電気的に接続され、入力接続電極40と第4ボンディングワイヤ48dにて電気的に接続されている。
The first attenuation
第5誘電体層S5上には、第1誘電体層S1〜第4誘電体層S4が積層されるため、第1誘電体層S1〜第4誘電体層S4に形成された第1貫通孔38a〜第4貫通孔38dにて構成され、且つ、第5誘電体層S5の一主面を底面とする穴19内に、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bが収容された形となる。第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bが穴19内に収容されることから、第1減衰極形成素子46a、第2減衰極形成素子46b及び第1ボンディングワイヤ48a〜第3ボンディングワイヤ48cを保護するための保護用樹脂等のコートが容易になる。
Since the first dielectric layer S1 to the fourth dielectric layer S4 are laminated on the fifth dielectric layer S5, the first through holes formed in the first dielectric layer S1 to the fourth dielectric layer S4. The first attenuation
第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとしては、SAW(表面弾性波)素子又はBAW(バルク弾性波)素子を用いることができる。
As the first attenuation
また、第7誘電体層S7の一主面には、第1共振電極30a、第2共振電極30b及び第3共振電極30cの各開放端と対向し、誘電体基板12の第3側面16c(第1側面16aと反対側の側面)に近接して形成された第3内層アース電極32c(フィルタ26に使用する共振器長を短縮することを目的とした電極)と、第1共振電極30aと入力電極42とを電気的に接続するための上述した接続電極43が形成されている。この接続電極43は、必ずしも形成する必要はないが、第1共振電極30aの長さ方向ほぼ中央部分と入力電極42とを電気的に接続するための位置調整に利用できるため好ましい。
In addition, on one main surface of the seventh dielectric layer S7, the
第8誘電体層S8の一主面には、第2共振器28b及び第3共振器28c間の結合度を調整するための第1結合調整電極50aが形成され、第10誘電体層S10の一主面には、第1共振器28a及び第2共振器28b間の結合度を調整するための第2結合調整電極50bが形成されている。
A first
第11誘電体層S11の一主面には、第1共振電極30a、第2共振電極30b及び第3共振電極30cの各開放端と対向し、誘電体基板12の第3側面16cに近接して形成された第4内層アース電極32d(フィルタ26に使用する共振器長を短縮することを目的とした電極)が形成されている。
One main surface of the eleventh dielectric layer S11 faces the open ends of the
第3内層アース電極32c及び第4内層アース電極32dは、それぞれ第9ビアホール34i、第10ビアホール34j、第11ビアホール34kを介して第1内層アース電極32a及び第2内層アース電極32bに電気的に接続されると共に、第4アース端子24d〜第6アース端子24fにも電気的に接続されている。
The third inner
従って、第1受動部品10Aの回路構成は、図4に示すように、先ず、入力端子20と出力端子22との間に3つの共振器(第1共振器28a、第2共振器28b及び第3共振器28c)がそれぞれ並列に接続され、且つ、第1共振器28aの第1接点52aと第2共振器28bの第2接点52bとの間、並びに第2共振器28bの第2接点52bと第3共振器28cの第3接点52cとの間にそれぞれ結合容量C1、C2が接続されたフィルタ26が接続された構成を有する。
Therefore, as shown in FIG. 4, the circuit configuration of the first
さらに、この第1受動部品10Aは、入力端子20とGND(グランド)との間に第1減衰極形成素子46aが接続され、フィルタ26の入力(第1接点52a)との間に第2減衰極形成素子46bが接続された構成を有する。
Further, the first
ここで、入力端子20と出力端子22との間にフィルタ26だけを接続した回路構成(比較例)による周波数特性(通過帯域及び反射特性)は、図5に示すように、低域側の周波数f1において−44dB程度の減衰極P1が形成されているが、高域側はゆるやかなカーブを描き、減衰極は存在していない。減衰極P1は、第1結合容量C1及び第2結合容量C2によるものと考えられる。
Here, the frequency characteristics (pass band and reflection characteristics) of the circuit configuration (comparative example) in which only the
一方、第1受動部品10Aにおいては、図6に示すように、低域側のうち、上述した周波数f1よりも高い周波数f2(通過帯域の低域端近傍)において、−60dB程度という深い減衰極P2が追加形成され、さらに、高域側のうち、通過帯域の高域端近傍(周波数f3)において、−55dB程度という深い減衰極P3が追加形成されている。しかも、上述のように、第2減衰極P2及び第3減衰極P3が追加形成されたにも拘わらず、通過帯域の狭幅化は生じておらず、積層型誘電体フィルタの利点である広帯域化がそのまま生かされている。なお、第2減衰極P2は第1減衰極形成素子46aによるもので、第3減衰極P3は第2減衰極形成素子46bによるものである。
On the other hand, in the first
このように、第1受動部品10Aにおいては、入力端子20に第1減衰極形成素子46aを並列に接続し、フィルタ26の入力に第2減衰極形成素子46bを直列に接続するようにしたので、図6に示すように、急峻な減衰特性を得ることができる。
As described above, in the first
また、誘電体基板12内に形成されたフィルタ26は、積層型誘電体フィルタであることから、該積層型誘電体フィルタの利点である安価、小型化、広帯域化を容易に実現させることができる。
In addition, since the
すなわち、第1受動部品10Aにおいては、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。
That is, in the first
また、図3に示すように、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bが実装される穴19の直下に第1内層アース電極32aが存在することになるため、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとフィルタ26との不要な結合をなくすことができる。
Further, as shown in FIG. 3, since the first inner
通常、高周波部品は、特性インピーダンスを50オームで部品間の接続を行うが、この第1受動部品10Aにおいて、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとフィルタ26との間の接続にそのような特性インピーダンス上の制約は不要であり、反対に、高い性能を出すために、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとフィルタ26との間の特性インピーダンスを変更することができる。これは、フィルタ26として、バランとフィルタとが一体化されたものや、分波器とした場合においても同様である。
Normally, the high-frequency component performs connection between components with a characteristic impedance of 50 ohms. In this first
上述の例では、入力端子20に第1減衰極形成素子46aを並列に接続し、フィルタ26の入力に第2減衰極形成素子46bを直列に接続するようにしたが、その他、図7に示すように、出力端子22に第1減衰極形成素子46aを並列に接続し、フィルタ26の出力(第3接点52c)に第2減衰極形成素子46bを直列に接続するようにしてもよい。
In the above example, the first attenuation
この回路構成を実現するには、図2において括弧書きにて示すように、入力端子20と出力端子22を第1受動部品10Aの場合とは逆の配置にし、さらに、第1共振電極30aと第3共振電極30cの配置も逆にし、第1共振電極30aにタップ電極36を形成すればよい。なお、この第1の変形例では、入力接続電極40は出力接続電極52となり、入力電極42は出力電極54となる。
In order to realize this circuit configuration, as shown in parentheses in FIG. 2, the
この構成においても、小型化、広帯域化、低コスト化を図ることができると共に、急峻な減衰特性をも実現させることができる。 Even in this configuration, it is possible to reduce the size, increase the bandwidth, reduce the cost, and realize a steep attenuation characteristic.
次に、第2の実施の形態に係る受動部品(以下、第2受動部品10Bと記す)について図8を参照しながら説明する。なお、第1受動部品10Aと対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。
Next, a passive component according to the second embodiment (hereinafter referred to as a second
この第2受動部品10Bは、上述した第1受動部品10Aとほぼ同様の構成を有するが、図8に示すように、凹部18の構造が以下の点で異なる。
The second
すなわち、凹部18は、例えば誘電体基板12の第3側面16c寄りに形成され、1つの側壁が欠落した切欠き状の凹みを有する。
That is, the
この場合、第1内層アース電極32aの形成位置を誘電体基板12の上面にまで近づけることができ、凹部18の直下に第3内層アース電極32cが存在する形となる。
In this case, the formation position of the first inner
一方、第1受動部品10Aでは、図3に示すように、穴19の直下に第1内層アース電極32aを形成するようにしているため、フィルタ26の実効厚みh1が薄くなり、すなわち、誘電体基板12の全体の厚みh0に対するフィルタ26の実効厚みh1の比(h1/h0)が小さくなり、フィルタ26のロスが増大するおそれがある。
On the other hand, in the first
しかし、この第2受動部品10Bでは、上述したように、第1内層アース電極32aの形成位置を誘電体基板12の上面にまで近づけることができ、しかも、凹部18の直下に第3内層アース電極32cが存在する形となり、該第3内層アース電極32cをシールド用電極として利用することができる。
However, in the second
そのため、フィルタ26の実効厚みh2を薄くすることなく、すなわち、誘電体基板12の全体の厚みh0に対するフィルタ26の実効厚みh2の比(h2/h0)を、第1受動部品10Aの場合(h1/h0)よりも大きくすることができることから、フィルタ26のロスを増大させることなく、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとフィルタ26間のシールド効果を確保することができる。
Therefore, without reducing the effective thickness h2 of the
次に、第3の実施の形態に係る受動部品(以下、第3受動部品10Cと記す)について図9を参照しながら説明する。なお、第1受動部品10Aと対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。 Next, a passive component (hereinafter referred to as a third passive component 10C) according to a third embodiment will be described with reference to FIG. In addition, about the thing corresponding to 10 A of 1st passive components, the same code | symbol is attached | subjected and the duplication description is abbreviate | omitted.
この第3受動部品10Cは、図9に示すように、上述した第1受動部品10Aとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板12の下部に凹部18(この例では、穴19)を設けた点で異なる。すなわち、誘電体基板12には、その下面14bの一部を開口とする穴19が形成されている。
As shown in FIG. 9, the third passive component 10C has substantially the same configuration as the first
そして、この穴19内に第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bが収容され、そのうち、第1減衰極形成素子46aは、穴19を通じて露出する入力接続電極40及びアース電極44(図10参照)に電気的に接続され、第2減衰極形成素子46bは、穴19を通じて露出する入力接続電極40及び入力電極42(図10参照)に電気的に接続される。
Then, the first attenuation
具体的には、図10に示すように、複数の誘電体層(誘電体層S1〜S11)が積層、焼成一体化された誘電体基板12のうち、第2誘電体層S2の一主面に第1内層アース電極32aが形成され、第3誘電体層S3の一主面に第3内層アース電極32cが形成され、第4誘電体層S4の一主面に第1結合調整電極50aが形成され、第5誘電体層S5の一主面に第1共振電極30a〜第3共振電極30cが形成されている。
Specifically, as shown in FIG. 10, one main surface of the second dielectric layer S2 of the
また、第6誘電体層S6の一主面に第2結合調整電極50bが形成され、第7誘電体層S7の一主面に第4内層アース電極32dが形成され、第8誘電体層S8の一主面に第2内層アース電極32bが形成され、第9誘電体層S9の他主面に、入力接続電極40と、入力電極42と、アース電極44とが形成されている。
The second
また、第10誘電体層S10及び第11誘電体層S11は、上述した穴19を構成する第1貫通孔38a及び第2貫通孔38bがそれぞれ形成され、特に、第11誘電体層S11の他主面(枠状の面であって、且つ、誘電体基板12の下面を構成する面)には、1つの入力端子20、1つの出力端子22、6つのアース端子(第1アース端子24a〜第6アース端子24f)が形成されている。
In addition, the tenth dielectric layer S10 and the eleventh dielectric layer S11 are formed with the first through
そして、第1共振電極30a、第2共振電極30b、第3共振電極30cの各短絡端は、それぞれ第1ビアホール34a、第2ビアホール34b、第3ビアホール34cを介して第1内層アース電極32a及び第2内層アース電極32bに電気的に接続されると共に、第1アース端子24a〜第3アース端子24cにも電気的に接続されている。
The short-circuit ends of the
同様に、第3内層アース電極32c及び第4内層アース電極32dは、それぞれ第9ビアホール34i、第10ビアホール34j、第11ビアホール34kを介して第1内層アース電極32a及び第2内層アース電極32bに電気的に接続されると共に、第4アース端子24d〜第6アース端子24fにも電気的に接続されている。
Similarly, the third inner
なお、第3共振電極30cは、タップ電極36と第4ビアホール34dを介して出力端子22に電気的に接続されている。
The
また、第9誘電体層S9の他主面に形成された入力接続電極40は、第5ビアホール34eを介して入力端子20に電気的に接続され、入力電極42は、第6ビアホール34f、接続電極43及び第7ビアホール34gを介して第1共振電極30aに電気的に接続され、アース電極44は、第8ビアホール34hを介して第2内層アース電極32bに電気的に接続されている。
The
従って、第3受動部品10Cの回路構成も、図4に示す回路構成と同様に、入力端子20とGND(グランド)との間に第1減衰極形成素子46aが接続され、フィルタ26の入力(第1接点52a)との間に第2減衰極形成素子46bが接続された構成を有する。もちろん、図7に示す場合と同様に、出力端子22に第1減衰極形成素子46aを並列に接続し、フィルタ26の出力(第3接点52c)に第2減衰極形成素子46bを直列に接続するようにしてもよい。
Accordingly, in the circuit configuration of the third passive component 10C, as in the circuit configuration shown in FIG. 4, the first attenuation
この第3受動部品10Cにおいては、誘電体基板の下部に凹部18(穴19)を設けるようにしたので、入力端子20(又は出力端子22)から第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bまでの配線距離を短くすることができ、配線によるロスを効率よく低減することができる。加えて、より急峻な減衰特性を得ることも可能となる。
In the third passive component 10C, since the recess 18 (hole 19) is provided in the lower part of the dielectric substrate, the first attenuation
また、図9に示すように、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bが実装される穴19の直上に第2内層アース電極32bが存在することになるため、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとフィルタ26との不要な結合をなくすことができる。
Further, as shown in FIG. 9, since the second inner
次に、第4の実施の形態に係る受動部品(以下、第4受動部品10Dと記す)について図11を参照しながら説明する。なお、第3受動部品10Cと対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。
Next, a passive component (hereinafter referred to as a fourth
この第4受動部品10Dは、上述した第3受動部品10Cとほぼ同様の構成を有するが、図11に示すように、凹部18の構造が以下の点で異なる。
The fourth
すなわち、上述した第2受動部品10Bと同様に、凹部18は、例えば誘電体基板12の第3側面16c寄りに形成され、1つの側壁が欠落した切欠き状の凹みを有する。
That is, similarly to the second
この場合、第2内層アース電極32bの形成位置を誘電体基板12の下面にまで近づけることができ、しかも、凹部18の直上に第4内層アース電極32dが存在する形となり、該第4内層アース電極32dをシールド用電極として利用することができる。
In this case, the formation position of the second inner
そのため、フィルタの実効厚みを薄くすることなく、すなわち、誘電体基板12の全体の厚みh0に対するフィルタ26の実効厚みh4の比(h4/h0)を、第3受動部品10Cの場合(h3/h0:図9参照)よりも大きくすることができることから、フィルタ26のロスを増大させることなく、第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bとフィルタ26間のシールド効果を確保することができる。
Therefore, without reducing the effective thickness of the filter, that is, the ratio of the effective thickness h4 of the
次に、第5の実施の形態に係る受動部品(以下、第5受動部品10Eと記す)について図12を参照しながら説明する。
Next, a passive component (hereinafter referred to as a fifth
この第5受動部品10Eは、図12に示すように、上述した第1受動部品10Aとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板12の側部に凹部18(この例では、穴19)を設けた点で異なる。すなわち、誘電体基板12には、例えば第1側面16aの一部を開口とする穴19が形成されている。
As shown in FIG. 12, the fifth
そして、この穴19内に第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bが収容され、そのうち、第1減衰極形成素子46aは、穴19を通じて露出する入力接続電極40及びアース電極44と電気的に接続され、第2減衰極形成素子46bは、穴19を通じて露出する入力接続電極40及び入力電極42と電気的に接続される。
Then, the first attenuation
なお、誘電体基板12の上面14aには、ほぼ全面に第7アース端子24gが形成され、誘電体基板12の下面14bには、図2に示す第1受動部品10Aと同様に、6つのアース端子(第1アース端子24a〜第6アース端子24f)と、入力端子20と、出力端子22とが形成されている(図12において、分かり易くするために斜線を付した)。
A
具体的には、図13に示すように、誘電体基板12は、左から順に、第1誘電体層S1〜第12誘電体層S12が積み重ねられて構成されている。これらの第1誘電体層S1〜第12誘電体層S12は、1枚あるいは複数枚の層にて構成される。
Specifically, as shown in FIG. 13, the
誘電体基板12のうち、第1誘電体層S1及び第2誘電体層S2には、上述した穴19を構成する第1貫通孔38a及び第2貫通孔38bがそれぞれ形成されている。
In the
また、第3誘電体層S3の一主面に入力接続電極40と入力電極42とアース電極44とが形成され、第4誘電体層S4の一主面に第1内層アース電極32aと接続電極43とが形成され、第5誘電体層S5の一主面に第1共振電極30aが形成され、第6誘電体層S6の一主面に第2内層アース電極32bと第1結合調整電極50aとが形成され、第7誘電体層S7の一主面に第2共振電極30bが形成され、第8誘電体層S8の一主面に第3内層アース電極32cと第2結合調整電極50bとが形成され、第9誘電体層S9の一主面に第3共振電極30cが形成され、第10誘電体層S10の一主面に出力電極54が形成されている。
Further, the
このうち、第1内層アース電極32a〜第3内層アース電極32cは、それぞれ直線状に形成され、誘電体基板12の上面14aに形成された第7アース端子24gと誘電体基板12の下面14bに形成された第4アース端子24d〜第6アース端子24fにそれぞれ電気的に接続されている。
Among these, the first inner
また、第1共振電極30a〜第3共振電極30cは、それぞれT字状に形成され、そのうち、誘電体基板12の上下に向かって延びる部分が、誘電体基板12の上面14aに形成された第7アース端子24gと誘電体基板12の下面14bに形成された第1アース端子24a〜第3アース端子24cにそれぞれ電気的に接続されている。
The
さらに、第3誘電体層S3の一主面に形成された入力接続電極40は、誘電体基板12の下面14bに形成された入力端子20に電気的に接続され、入力電極42は第6ビアホール34f、接続電極43及び第7ビアホール34gを介して第1共振電極30aに電気的に接続され、アース電極44は、誘電体基板12の下面14bに形成された第4アース端子24dに電気的に接続されている。なお、第10誘電体層S10の一主面に形成された出力電極54は、第4ビアホール34dを介して第3共振電極30cに電気的に接続されている。
Further, the
従って、第5受動部品10Eの回路構成も、図4に示す回路構成と同様に、入力端子20とGND(グランド)との間に第1減衰極形成素子46aが接続され、フィルタ26の入力(第1接点52a)との間に第2減衰極形成素子46bが接続された構成を有する。もちろん、図7に示す場合と同様に、出力端子22に第1減衰極形成素子46aを並列に接続し、フィルタ26の出力(第3接点52c)に第2減衰極形成素子46bを直列に接続するようにしてもよい。
Accordingly, in the circuit configuration of the fifth
この第5受動部品10Eにおいては、誘電体基板12の側部に凹部18(穴19)を設けるようにしたので、入力端子20(又は出力端子22)から第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bまでの配線距離を短くすることができ、配線によるロスを効率よく低減することができる。加えて、より急峻な減衰特性を得ることも可能となる。
In the fifth
上述の第5受動部品10Eでは、誘電体基板12の下面14bに形成されるアース端子として、それぞれ分離された6つのアース端子(第1アース端子24a〜第6アース端子24f)を形成した例を示したが、その他、図14に示す第6の実施の形態に係る受動部品(以下、第6受動部品10Fと記す)のように、誘電体基板12の下面14bのうち、入力端子20及び出力端子22を除くほぼ全面に1つのアース端子(第8アース端子24h)を形成するようにしてもよい。この場合、第1内層アース電極32a〜第3内層アース電極32cの一方の端部(誘電体基板12の下面側の端部)、第1共振電極30a〜第3共振電極30cの端部(誘電体基板12の下面側の端部)並びにアース電極44の端部(誘電体基板の下面側の端部)がそれぞれ第8アース端子24hに電気的に接続される。なお、誘電体基板12内の電極の配置等は、第5受動部品10E(図13参照)と同様である。
In the fifth
この第6受動部品10Fにおいては、誘電体基板12の上面14aに形成された第7アース端子24gと誘電体基板12の下面14bに形成された第8アース端子で、誘電体基板12内の第1共振電極30a〜第3共振電極30cを挟む形になるため、シールド性が良好になるという効果がある。
In the sixth
上述した第5受動部品10E及び第6受動部品10Fにおいて、さらなるシールド性を向上させるために、図13に示す第2誘電体層S3と第4誘電体層S4との間と、第12誘電体層S12の裏面にそれぞれ内層アース電極を形成するようにしてもよい。
In the fifth
上述の例では、フィルタ26の入力側又は出力側に第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bを接続した例を示したが、その他、図15に示す第1の変形例に係る受動部品10aのように、フィルタ26の入力側と出力側にそれぞれ第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bを接続するようにしてもよい。
In the above-described example, the example in which the first attenuation
また、上述の例では、2つの減衰極形成素子を接続した例を示したが、その他、3つ以上の減衰極形成素子を接続するようにしてもよい。例えば図16に示す第2の変形例に係る受動部品10bのように、入力端子20とフィルタ26の入力との間に、並列接続された第1減衰極形成素子46aと、直列接続された第2減衰極形成素子46bと、並列接続された第1減衰極形成素子46aとを有するようにしてもよい。この場合、並列接続された第1減衰極形成素子46aの各共振周波数を異ならせることで、低域側の減衰帯域を広くすることができる。
In the above example, two attenuation pole forming elements are connected. However, three or more attenuation pole forming elements may be connected. For example, like the
同様に、図17に示す第3の変形例に係る受動部品10cのように、入力端子20とフィルタ26の入力との間に、直列接続された第2減衰極形成素子46bと、並列接続された第1減衰極形成素子46aと、直列接続された第2減衰極形成素子46bを有するようにしてもよい。この場合、直列接続された第2減衰極形成素子46bの各共振周波数を異ならせることで、高域側の減衰帯域を広くすることができる。
Similarly, the second attenuation
このように、並列接続する第1減衰極形成素子46aの数及び直列接続する第2減衰極形成素子46bの数を増やすことで、低域側及び高域側の減衰帯域をそれぞれ広くとることができる。もちろん、これら第1減衰極形成素子46a及び第2減衰極形成素子46bは、フィルタ26の出力側に接続するようにしてもよいし、フィルタ26の入力側のほか、出力側にも接続するようにしてもよい。
As described above, by increasing the number of first attenuation
また、第1減衰極形成素子46aの設置を省略して、フィルタ26の入力側及び/又は出力側に、第2減衰極形成素子46bを接続するようにしてもよい。
Alternatively, the first attenuation
上述した第1受動部品10A〜第6受動部品10F並びに各種変形例において、フィルタ26の構成として、共振器の多段化、共振電極の複数電極化や折り返し構造も可能である。この場合、通過帯域特性の向上、小型化をさらに図ることができる。
In the first
また、上述した例では、誘電体基板12の下面14bに各種端子を形成するようにしたが、誘電体基板12の側面にも各種端子を形成することで配線ロスの低減につながる。もちろん、誘電体基板12の側面のみに各種端子を形成するようにしてもよい。
In the above-described example, various terminals are formed on the
複数の減衰極形成素子を1チップ化してもよい。この場合、小型化、実装工数の削減を図ることができる。また、減衰極形成素子をフリップチップ実装するようにしてもよい。この場合も、小型化、実装工数の削減を図ることができる。 A plurality of attenuation pole forming elements may be integrated into one chip. In this case, it is possible to reduce the size and the number of mounting steps. The attenuation pole forming element may be flip-chip mounted. In this case also, it is possible to reduce the size and the number of mounting steps.
なお、本発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。 Note that the passive component according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can of course have various configurations without departing from the gist of the present invention.
10A〜10F、10a〜10c…受動部品
12…誘電体基板 18…凹部
19…穴 20…入力端子
22…出力端子 26…フィルタ
28a〜28c…第1共振器〜第3共振器
30a〜30c…第1共振電極〜第3共振電極
42…入力電極
46a、46b…第1減衰極形成素子、第2減衰極形成素子
54…出力電極
10A to 10F, 10a to 10c ...
Claims (5)
前記誘電体基板内に形成され、1以上の共振電極を有するフィルタと、
前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子とを有する受動部品であって、
前記誘電体基板内に前記共振電極の短絡端側を挟むように形成された2以上の短絡端側内層アース電極と、
前記誘電体基板内に前記共振電極の開放端側を挟むように形成された2以上の開放端側内層アース電極と、
前記誘電体基板の上部に形成され、前記1以上の減衰極形成素子が収容される凹部と、
前記凹部の底部表面に形成され、少なくとも1つの前記減衰極形成素子と前記フィルタとを電気的に接続するための配線パターンと、を有し、
前記凹部は、側壁の一部が欠落した切欠き状の凹みであり、
前記2以上の開放端側内層アース電極のうち、1つの開放端側内層アース電極は、前記誘電体基板内であって、且つ、前記凹部の底部の直下に誘電体層を隔てて形成され、
前記2以上の短絡端側内層アース電極のうち、1つの短絡端側内層アース電極は、前記誘電体基板の上部であって、且つ、前記凹部の底部よりも上方に位置した部分に形成されていることを特徴とする受動部品。 A dielectric substrate configured by laminating a plurality of dielectric layers;
A filter formed in the dielectric substrate and having one or more resonant electrodes;
A passive component having one or more attenuation pole forming elements for forming an attenuation pole in the attenuation characteristic of the filter,
Two or more short-circuit end side inner layer ground electrodes formed so as to sandwich the short-circuit end side of the resonance electrode in the dielectric substrate;
Two or more open end side inner layer ground electrodes formed so as to sandwich the open end side of the resonance electrode in the dielectric substrate;
A recess formed in an upper portion of the dielectric substrate and accommodating the one or more attenuation pole forming elements;
A wiring pattern formed on the bottom surface of the recess and electrically connecting at least one of the attenuation pole forming element and the filter;
The recess is a notch-like recess in which a part of the side wall is missing,
Of the two or more open-end-side inner-layer ground electrodes, one open-end-side inner-layer ground electrode is formed in the dielectric substrate and with a dielectric layer therebetween just below the bottom of the recess,
Of the two or more short-circuit end-side inner layer ground electrodes , one short-circuit end-side inner layer ground electrode is formed on a portion located above the dielectric substrate and above the bottom of the recess. Passive components characterized by
前記誘電体基板内に形成され、1以上の共振電極を有するフィルタと、
前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子とを有する受動部品であって、
前記誘電体基板内に前記共振電極の短絡端側を挟むように形成された2以上の短絡端側内層アース電極と、
前記誘電体基板内に前記共振電極の開放端側を挟むように形成された2以上の開放端側内層アース電極と、
前記誘電体基板の下部に形成され、前記1以上の減衰極形成素子が収容される凹部と、
前記凹部の底部表面に形成され、少なくとも1つの前記減衰極形成素子と前記フィルタとを電気的に接続するための配線パターンと、を有し、
前記凹部は、側壁の一部が欠落した切欠き状の凹みであり、
前記2以上の開放端側内層アース電極のうち、1つの開放端側内層アース電極は、前記誘電体基板内であって、且つ、前記凹部の底部の直上に誘電体層を隔てて形成され、
前記2以上の短絡端側内層アース電極のうち、1つの短絡端側内層アース電極は、前記誘電体基板の下部であって、且つ、前記凹部の底部よりも下方に位置した部分に形成されていることを特徴とする受動部品。 A dielectric substrate configured by laminating a plurality of dielectric layers;
A filter formed in the dielectric substrate and having one or more resonant electrodes;
A passive component having one or more attenuation pole forming elements for forming an attenuation pole in the attenuation characteristic of the filter,
Two or more short-circuit end side inner layer ground electrodes formed so as to sandwich the short-circuit end side of the resonance electrode in the dielectric substrate;
Two or more open end side inner layer ground electrodes formed so as to sandwich the open end side of the resonance electrode in the dielectric substrate;
A recess formed in a lower portion of the dielectric substrate and accommodating the one or more attenuation pole forming elements;
A wiring pattern formed on the bottom surface of the recess and electrically connecting at least one of the attenuation pole forming element and the filter;
The recess is a notch-like recess in which a part of the side wall is missing,
Of the two or more open-end-side inner-layer ground electrodes, one open-end-side inner-layer ground electrode is formed in the dielectric substrate and directly above the bottom of the recess with a dielectric layer therebetween ,
Of the two or more short-circuit end-side inner layer ground electrodes , one short-circuit end-side inner layer ground electrode is formed at a lower portion of the dielectric substrate and positioned below the bottom of the recess. Passive components characterized by
前記誘電体基板内に形成され、1以上の共振電極を有するフィルタと、
前記フィルタの減衰特性に減衰極を形成するための1以上の減衰極形成素子とを有する受動部品であって、
前記誘電体基板の上面及び下面にそれぞれ形成された2つのアース端子と、
前記誘電体基板内に前記共振電極を挟むように形成され、前記アース端子に接続された2以上の内層アース電極と、
前記誘電体基板の側部に形成され、前記1以上の減衰極形成素子が収容される凹部と、
前記凹部の底部表面に形成され、少なくとも1つの前記減衰極形成素子と前記フィルタとを電気的に接続するための配線パターンと、を有し、
前記2以上の内層アース電極のうち、1つの内層アース電極は、前記誘電体基板内であって、且つ、前記凹部の底部と前記フィルタとの間に形成されていることを特徴とする受動部品。 A dielectric substrate configured by laminating a plurality of dielectric layers;
A filter formed in the dielectric substrate and having one or more resonant electrodes;
A passive component having one or more attenuation pole forming elements for forming an attenuation pole in the attenuation characteristic of the filter,
Two ground terminals respectively formed on the upper and lower surfaces of the dielectric substrate;
Two or more inner layer ground electrodes formed so as to sandwich the resonant electrode in the dielectric substrate and connected to the ground terminal;
A recess formed in a side portion of the dielectric substrate and accommodating the one or more attenuation pole forming elements;
A wiring pattern formed on the bottom surface of the recess and electrically connecting at least one of the attenuation pole forming element and the filter;
Of the two or more inner layer ground electrodes, one inner layer ground electrode is formed in the dielectric substrate and between the bottom of the recess and the filter. .
前記誘電体基板の表面に入力端子が形成され、
一端が前記入力端子に接続され、前記フィルタの前記共振電極と共に並列に接続された第1減衰極形成素子と、前記入力端子と前記フィルタ間において直列接続された第2減衰極形成素子とを有し、
前記配線パターンは、前記第1減衰極形成素子及び前記第2減衰極形成素子と前記入力端子とを電気的に接続するための第1配線パターンと、前記第2減衰極形成素子と1つの前記共振電極とを電気的に接続するための第2配線パターンと、前記第1減衰極形成素子と1つの前記内層アース電極とを電気的に接続するための第3配線パターンとを有することを特徴とする受動部品。 In the passive component of any one of Claims 1-3 ,
An input terminal is formed on the surface of the dielectric substrate,
A first attenuation pole forming element having one end connected to the input terminal and connected in parallel with the resonance electrode of the filter, and a second attenuation pole forming element connected in series between the input terminal and the filter. And
The wiring pattern includes: a first wiring pattern for electrically connecting the first attenuation pole forming element and the second attenuation pole forming element and the input terminal; the second attenuation pole forming element; A second wiring pattern for electrically connecting the resonance electrode; and a third wiring pattern for electrically connecting the first attenuation pole forming element and one inner layer ground electrode. Passive parts.
前記誘電体基板の表面に出力端子が形成され、
一端が前記出力端子に接続され、前記フィルタの前記共振電極と共に並列に接続された第1減衰極形成素子と、前記出力端子と前記フィルタ間において直列接続された第2減衰極形成素子とを有し、
前記配線パターンは、前記第1減衰極形成素子及び前記第2減衰極形成素子と前記出力端子とを電気的に接続するための第1配線パターンと、前記第2減衰極形成素子と1つの前記共振電極とを電気的に接続するための第2配線パターンと、前記第1減衰極形成素子と1つの前記内層アース電極とを電気的に接続するための第3配線パターンとを有することを特徴とする受動部品。 In the passive component of any one of Claims 1-3 ,
An output terminal is formed on the surface of the dielectric substrate,
A first attenuation pole forming element having one end connected to the output terminal and connected in parallel with the resonance electrode of the filter, and a second attenuation pole forming element connected in series between the output terminal and the filter. And
The wiring pattern includes: a first wiring pattern for electrically connecting the first attenuation pole forming element and the second attenuation pole forming element and the output terminal; the second attenuation pole forming element; A second wiring pattern for electrically connecting the resonance electrode; and a third wiring pattern for electrically connecting the first attenuation pole forming element and one inner layer ground electrode. Passive parts.
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