JP5010408B2 - Light modulator - Google Patents
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Description
本発明は、電気光学効果を利用して、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光変調器に関する。 The present invention relates to an optical modulator that uses an electro-optic effect to modulate light incident on an optical waveguide with a high-frequency electrical signal and emit it as an optical signal pulse.
近年、高速、大容量の光通信システムが実用化されている。このような高速、大容量の光通信システムに組込むための高速、小型、低価格、かつ高安定な光変調器の開発が求められている。 In recent years, high-speed and large-capacity optical communication systems have been put into practical use. There is a demand for the development of a high-speed, small, low-cost, and highly stable optical modulator for incorporation into such a high-speed, large-capacity optical communication system.
このような要望に応える光変調器として、リチウムナイオベート(LiNbO3)のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板(以下、LN基板と略す)に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器(以下、LN光変調器と略す)がある。このLN光変調器は、その優れたチャーピング特性から2.5Gbit/s、10Gbit/sの大容量光通信システムに適用されている。最近はさらに40Gbit/sの超大容量光通信システムにも適用が検討されている。 As an optical modulator that meets such demands, a light modulator such as lithium niobate (LiNbO 3 ) is used for a substrate having a so-called electro-optical effect (hereinafter abbreviated as an LN substrate) whose refractive index changes by applying an electric field. There is a traveling wave electrode type lithium niobate optical modulator (hereinafter abbreviated as an LN optical modulator) in which a waveguide and a traveling wave electrode are formed. This LN optical modulator is applied to a large capacity optical communication system of 2.5 Gbit / s and 10 Gbit / s because of its excellent chirping characteristics. Recently, application to a 40 Gbit / s ultra-high capacity optical communication system is also being studied.
以下、従来、実用化され、又は提唱されてきたリチウムナイオベートの電気光学効果を利用したLN光変調器について説明する。 Hereinafter, an LN optical modulator using the electro-optic effect of lithium niobate that has been put to practical use or has been proposed will be described.
(第1の従来技術)
図8は、z−カットLN基板を用いて構成した特許文献1に開示された第1の従来技術のLN光変調器(あるいは、プレーナ型LN光変調器)についての斜視図であり、図9は図8のA−A´線における断面図である。
(First prior art)
FIG. 8 is a perspective view of a first conventional LN optical modulator (or a planar LN optical modulator) disclosed in
z−カットLN基板1に光導波路3が形成されている。この光導波路3は、金属Tiを1050℃で約10時間熱拡散して形成した光導波路であり、マッハツェンダ干渉系(あるいは、マッハツェンダ光導波路)を構成している。従って、光導波路3の電気信号と光が相互作用する部(相互作用部と言う)には2本の相互作用光導波路3a、3b、つまりマッハツェンダ光導波路の2本のアームが形成されている。
An
この光導波路3の上面にSiO2バッファ層2が形成され、このSiO2バッファ層2の上面に進行波電極4が形成されている。進行波電極4としては、1つの中心導体4aと2つの接地導体4b、4cを有するコプレーナウェーブガイド(CPW)を用いている。なお、通常、進行波電極4はAuにより形成されている。5はz−カットLN基板1を用いて製作したLN変調器に特有の焦電効果に起因する温度ドリフトを抑圧するためのSi導電層である。なお、説明の簡単のために、図9においては図8には図示したSi導電層5を省略している。
An SiO 2 buffer layer 2 is formed on the upper surface of the
変調用の高周波(RF)電気信号をこの光変調器の高周波電気信号給電線6を介して中心導体4aと接地導体4bに供給すると、中心導体4aと接地導体4bの間に電界が印加される。z−カットLN基板1は電気光学効果を有するので、この電界により屈折率変化を生じ、2本の相互作用光導波路3a、3bを伝搬する光の位相にずれが発生する。このずれがπになった場合、光導波路3のマッハツェンダ光導波路としての合波部において、高次モードを励振し、光はOFF状態になる。なお、7は高周波電気信号出力線であり、終端抵抗で置き換えても良い。
When a high frequency (RF) electric signal for modulation is supplied to the
図9からわかるように、図8に示した特許文献1の光変調器の特徴としては、1)中心導体4aの幅Sを相互作用光導波路3a、3b(以下、光導波路3a、3bともいう)の幅とほぼ同じ6μm〜12μm程度としている、2)中心導体4aと接地導体4b、4c間のギャップWを例えば15μmと広くしている、さらに3)光導波路3a、3bを伝搬する光の中心導体4aと接地導体4b、4cからなる進行波電極4を構成する金属による吸収を抑えるためにのみ使用されてきたSiO2バッファ層2の比誘電率が4〜6と比較的低いことを利用して、SiO2バッファ層2の厚みDを400nm〜1.5μm程度と厚くすることにより、高周波電気信号のマイクロ波等価屈折率nmを低減して、光導波路3a、3bを導波する光の等価屈折率noに近づけるとともに、特性インピーダンスをなるべく50Ωに近づけている。また、図9に示した第1の従来技術では、特許文献2に開示された進行波電極4の厚みを場合によっては約30μmと厚くすることによりマイクロ波等価屈折率nmをよりいっそう低減して、光の等価屈折率noに近づけている。このように厚い進行波電極4は例えば10Gbit/s、あるいは40Gbit/sのような高速光変調には必須となる。この第1の従来技術は50Ω系の特性インピーダンスを有するLN光変調器としてブレークスルーとなり、広く使用されている。
As can be seen from FIG. 9, the optical modulator of
ところが、進行波電極4が例えば30μmと極めて厚い場合には、この第1の従来技術は焦電効果に起因する温度ドリフトの対策であるSi導電層5を具備していても、z−カットLN基板1と進行波電極4の熱膨張係数の差による応力に起因する温度ドリフトについて問題があることがわかった。
However, when the
以下にその原因について詳しく説明する。図9からわかるように、中心導体4aの直下の光導波路3bについては、接地導体4b、4cとは独立しているので、z−カットLN基板1の表面に平行な方向の応力は左右で均衡している。従って光導波路3bについて屈折率の変化を引き起こす実質的な応力は発生していないと考えてよい。
The cause will be described in detail below. As can be seen from FIG. 9, since the
ところが、光導波路3aについては、前述のように約30μmの厚い接地導体4bが光導波路3aの上方のみでなく、相互作用部から数十〜100μm以上離れた距離にある外周部10b(そして、外周部10aにも)とともに形成されている。そして、接地導体4bを構成するAuとz−カットLN基板1の熱膨張係数は互いに大きく異なる。さらに、z−カットLN基板1の幅は数ミリメートル(例えば、1mm〜5mm)と広い。一方、相互作用光導波路3a、3bのギャップは約15μm程度と狭いので、接地導体4bや4cの幅は各々z−カットLN基板1の幅の約半分と言えるくらいに広い(換言すると、外周部10aや10bが広い)。つまり、図9の接地導体4bの幅も広いので環境変化に起因する熱膨張や熱収縮などの応力が積み重なり、光導波路3aへかなり大きな応力がかかる。そしてこの応力は接地導体4bの厚みが厚いほど(つまり、接地導体4bの上面がz−カットLN基板1の上面から離れるほど)、モーメントとしてより大きな応力を作用する。
However, with respect to the
(第2の従来技術)
この第1の従来技術の問題点を解決するために、特許文献3に開示された第2の従来技術に基づいて実際にLN光変調器を試作した。その試作したLN光変調器についてその上面図を図10に、またそのB−B´における断面図を図11に示す。これらの図からわかるように、この第2の従来技術では第1の従来技術として示した図9における接地導体4bをその厚みが厚い接地導体4b´、4b´´と約300nmと薄い接地導体4b´´´の3分割する構成としている。いわば、厚い接地導体4b´と4b´´を薄い接地導体4b´´´により接続する構造と言える。
(Second prior art)
In order to solve the problems of the first prior art, an LN optical modulator was actually manufactured on the basis of the second prior art disclosed in
このように接地導体4b´´´の厚みを薄くすることにより接地導体4b´´´の上面とz−カットLN基板1の上面との距離が近くなる。従って、広い接地導体4b´´からの応力のモーメントを接地導体4b´に伝えることが少なくなり、光導波路3bに与える応力が小さくなる。その結果、温度ドリフトを改善できるという考え方である。
Thus, by reducing the thickness of the
図12には実際に試作したLN光変調器の環境温度Tを20℃から80℃まで変化させた場合のこの第2の従来技術による温度ドリフト改善の効果を環境温度Tに対するバイアス電圧の変化ΔVとして点線で示す。なお、相互作用部(前述のように、相互作用光導波路3aと3bを伝搬する光と高周波電気信号が相互作用する部位)の長さは3cmとした。図中、比較のために第2の従来技術の工夫を施さない第1の従来技術で製作したLN光変調器の温度ドリフト特性を破線で示している。なお、両者とも進行波電極4の厚みは30μmとした。
FIG. 12 shows the effect of improving the temperature drift according to the second prior art when the environmental temperature T of the actually fabricated LN optical modulator is changed from 20 ° C. to 80 ° C. The change ΔV of the bias voltage with respect to the environmental temperature T As shown by a dotted line. The length of the interaction part (as described above, the part where the light propagating through the interaction
図12からわかるように、環境温度Tを20℃から80℃まで変化させると、第1の従来技術では約4Vと大きな温度ドリフトを発生する。そして、第2の従来技術では1V弱の温度ドリフトに抑圧することができた。しかしながら、この第2の従来技術の工夫をしているにも関わらずLN光変調器に要求される温度ドリフトとしては1Vという値は実用の観点からはまだ大きいと言わざるを得ず、解決すべき問題である。 As can be seen from FIG. 12, when the environmental temperature T is changed from 20 ° C. to 80 ° C., the first prior art generates a large temperature drift of about 4V. In the second prior art, it was possible to suppress the temperature drift to less than 1V. However, in spite of the contrivance of the second prior art, the value of 1 V as a temperature drift required for the LN optical modulator must be said to be still large from a practical point of view. It should be a problem.
この大きな温度ドリフトは2つの要因により引き起こされていると考えられる。まず、第1の要因は高周波電気信号と相互作用光導波路3a、3bを伝搬する光とが速度整合に近づくようにと30μmまで厚くしたことにより発生した熱膨張や熱収縮に起因する大きな応力(モーメント)である。熱膨張や熱収縮に起因する応力は進行波電極4の厚みが厚いほど大きくなる。しかしながら、この厚い進行波電極4は高性能な光変調器を実現する上で必要なことであり、避けることはできない。
This large temperature drift is considered to be caused by two factors. First, the first factor is that the high-frequency electrical signal and the light propagating through the interacting
2つめの要因は第1の要因より重要である。つまり、環境温度が変化したことにより面積が広くて厚い接地導体4b´´に生じた応力により、接地導体4b´´´は薄いながらも相互作用の長手方向全体にわたって接地導体4b´´の側面全体を押す。そのため、相互作用光導波路3aに応力を加えることになるので、その屈折率を変化させてしまう。
以上のように、プレーナ型LN光変調器として提案された従来の第1技術では電極を構成するAuとz−カットLN基板との熱膨張係数の差に起因する接地導体からの応力が温度とともに最適DCバイアス点を変化させる温度ドリフトを生じた。この温度特性を改善するために提案された第2の従来技術においても、環境温度が変化したことにより面積が広くて厚い接地導体4b´´に生じた応力を接地導体4b´´´は薄いながらも相互作用の長手方向全体にわたって接地導体4b´´の側面全体を押すので、結果的に相互作用光導波路3aに応力を加え、その屈折率を変化させてしまっていた。
As described above, in the conventional first technique proposed as the planar type LN optical modulator, the stress from the ground conductor due to the difference in thermal expansion coefficient between Au and the z-cut LN substrate constituting the electrode increases with temperature. A temperature drift occurred that changed the optimum DC bias point. In the second prior art proposed to improve this temperature characteristic, the stress generated in the
また、第1及び第2の従来技術とも厚くて広い接地導体を有するので、高価なAuの使用量が多く、LN光変調器としてのコストが上昇する一因となっていた。つまり、光変調器として温度安定化を実現でき、かつコストが低い光変調器の開発が急務となっている。 In addition, since both the first and second prior arts have thick and wide ground conductors, the amount of expensive Au used is large, which is a factor that increases the cost of the LN optical modulator. In other words, there is an urgent need to develop an optical modulator that can achieve temperature stabilization and is low in cost as an optical modulator.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、光変調特性が高性能であるとともに、安定性とコストについて改善された光変調器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical modulator having high performance in light modulation characteristics and improved in stability and cost.
上記課題を解決するために、本発明の請求項1の光変調器は、電気光学効果を有する表面がほぼ平坦な基板と、前記基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層の上方に配置された中心導体と接地導体からなる進行波電極と、少なくとも前記中心導体の下方もしくはその近傍に少なくとも1本の光導波路を有する光変調器において、前記基板がリチウムナイオベートからなり、前記接地導体は厚みが厚い部位と薄い部位を有し、該厚みが薄い部位により該厚みが厚い部位同士が接続され、前記厚みが薄い部位に導体が欠落した部位を具備し、前記厚みが薄い部位の上面は厚みが厚い部位の上面よりも前記基板の表面に近くなるように形成されていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, an optical modulator according to
本発明の請求項2の光変調器は、前記接地導体の前記厚みが薄い部位にパターンが形成されていることを特徴とする。
The optical modulator according to
本発明の請求項3の光変調器は、前記接地導体に、前記接地導体の体積と面積の比が、前記厚みが厚い部位における前記接地導体の体積と面積の比よりも小さい領域を、前記厚みが薄い部位以外にさらに設けたことを特徴とする。
In the optical modulator according to
本発明に係る光変調器では、LN光変調器の環境温度が変化した際に、電極とLN基板の材料としての熱膨張係数の差に起因する応力が接地導体側の相互作用光導波路に印加されるのを防ぐことにより、熱ドリフトが小さなLN光変調器を提供することが可能となるという優れた効果がある。さらに、貴金属である高価なAuの使用量が少なくて済むのでLN光変調器としてのコストを抑えることが可能となる。 In the optical modulator according to the present invention, when the environmental temperature of the LN optical modulator changes, the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the electrode and the LN substrate is applied to the interaction optical waveguide on the ground conductor side. By preventing this, it is possible to provide an LN optical modulator with a small thermal drift. Furthermore, since the amount of expensive Au, which is a noble metal, can be reduced, the cost of the LN optical modulator can be suppressed.
以下、本発明の実施形態について説明するが、図8から図12に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. However, since the same reference numerals as those in the related art shown in FIGS. 8 to 12 correspond to the same functional units, description of the functional units having the same reference numerals is omitted here. To do.
(第1の実施形態)
図1に本発明の第1の実施形態についてその上面図を示す。また、C−C´、D−D´における断面図を各々図2と図3に示す。ここで、4b(4)、4b(5)、4b(6)、及び4cは接地導体である。また、11は接地導体4b(4)と4b(6)の間に設けた幅Wwで長さLwの空隙部であり、導体が欠落している。また、接地導体4b(4)接地導体4b(6)を電気的に接続する接地導体4b(5)の幅と長さは各々幅Wwと幅Leである。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a top view of the first embodiment of the present invention. In addition, cross-sectional views taken along lines CC ′ and DD ′ are shown in FIGS. 2 and 3, respectively. Here, 4b (4) , 4b (5) , 4b (6) and 4c are ground conductors.
接地導体4b(6)はその厚みが例えば30μmと厚く、かつその幅も数百ミクロンからミリメートルのオーダーと広い。従って、前述のようにLN光変調器の環境温度が変化した場合には接地導体4b(6)とz−カットLN基板1の大きな熱膨張係数の差に起因して応力が発生する。
The
ところが、図10や図11において説明した第2の従来技術と異なり、本実施形態では図1や図2に示すように空隙部11を設けている。従って、第2の従来技術のように、相互作用部の長手方向全域にわたって厚みが薄い接地導体が接地導体4b(4)を押すことはなく、接地導体4b(6)により発生した応力のうち接地導体4b(4)に伝わる割合を大幅に小さくすることができる。
However, unlike the second prior art described with reference to FIGS. 10 and 11, in this embodiment, the
さらに、空隙部11の幅Wwを中心導体4aと接地導体4b(4)あるいは4cとのギャップWに近くなるように設計しておけば、中心導体4aと接地導体4b(4)、4b(6)、あるいは4cが相互作用光導波路3a、3bの中心軸にとって、左右対称となる配置となり、温度ドリフトの観点から好都合である。
Furthermore, if the width Ww of the
但し、図2の空隙11が図1の相互作用部全域にわたって形成されていると、高周波電気信号が接地導体4b(4)により損失を受ける。そのため、高周波電気信号の伝搬損失が増加するので、高速光変調の観点から好ましくない。そこで、図1に示すように空隙部11を長さLwで形成するとともに、厚みが薄い接地導体4b(5)を長さLeで形成しておく。
However, if the
勿論、これらの空隙部11と接地導体4b(5)はレチクルパターンにより形成するので一括してパターニングすることができる。また、通常、進行波電極を厚くメッキする場合には下地電極としてAuを形成しておく必要があるので、中心導体4a、接地導体4b(4)、4cを厚くメッキする際の下地電極をそのまま厚みが薄い接地導体4b(5)とすれば良い。つまり、幅が中心導体4aと同程度(6μm〜12μm程度)に狭い接地導体4b(4)と接地導体4b(6)とを金ワイヤなどでボンディングする必要がなく製作が極めて簡単で、歩留まりが良い(なお、幅が極めて狭い接地導体4b(4)と接地導体4b(6)との金ワイヤなどによるボンディングは製作が困難であるため好ましくない)。
Needless to say, since the
なお、空隙部11の長さLwと接地導体4b(5)の長さLeの比はゼロに近いほど光変調の観点からは有利であるが、温度ドリフトの観点からは不利となる。またこの比は1に近いほど温度ドリフトの観点からは有利となるが、光変調の観点からは不利となる。
The ratio of the length Lw of the
図4には空隙部11の長さLwと接地導体4b(5)の長さLeが各々1mmと100μmの場合について、温度ドリフトを測定した結果を実線で示す。比較のために第1の従来技術と第2の従来技術によるLN光変調器の特性を各々破線と点線で示す。図からわかるように、本実施形態では20℃から80℃までの環境温度変化に対してのDCバイアスの温度ドリフトは0.2〜0.3V程度と大幅に改善できた。なお、実際の光伝送におけるアイパターンによる動的消光比の観点からは高周波変調特性の劣化は実用の範囲で許容できた。
In FIG. 4, the results of measuring the temperature drift in the case where the length Lw of the
また、本実施形態における空隙部11の長さLwと接地導体4b(5)の長さLeの絶対値と比は一例であり、実用上有用な範囲はかなり広く、これに留まらないことは言うまでもない。但し、空隙部11の長さLwを零とすると温度ドリフトが生じるので実用に供しない。
In addition, the absolute value and the ratio of the length Lw of the
また厚みが薄い接地導体4b(5)のパターンは図1のように中心導体4aの長手方向に垂直でも、斜めでも良いし、さらには円弧や格子状等、空隙部を形成できる限りあらゆる形を適用できる。
Further, the pattern of the
(第2の実施形態)
図5には本発明における第2の実施形態の上面図を示す。また、図5のE−E´とF−F´での断面図を各々図6と図7に示す。これらの図からわかるように、この第2の実施形態では第1の実施形態での工夫に加え、使用する貴金属であるAuの量を減らしている。つまり、高周波電気信号の伝搬ロスの増加を防ぐという観点からは、厚みが厚い接地導体4b(7)や4c´の幅は数十〜100μm程度あれば充分である。従って、それ以上広い領域に相当する外周部10aや10bの上方にある接地導体4b(8)や接地導体4c´´の厚みを薄くすることにより、高価なAuの使用量を減らし、LN光変調器の原価を低減することに寄与している。なお、接地導体4b(8)と接地導体4c´´のどちらか一方のみの厚みを薄くしても良いことは言うまでもない。
(Second Embodiment)
FIG. 5 shows a top view of the second embodiment of the present invention. In addition, cross-sectional views taken along lines EE ′ and FF ′ of FIG. 5 are shown in FIGS. 6 and 7, respectively. As can be seen from these figures, in the second embodiment, in addition to the device of the first embodiment, the amount of Au, which is a noble metal used, is reduced. That is, from the viewpoint of preventing an increase in propagation loss of the high-frequency electric signal, it is sufficient that the width of the
またこの時、外周部10a、10bにおける接地導体の体積と面積の比がその他の領域における接地導体の体積と面積の比よりも小さくなるようにすれば、高価なAuの使用量を著しく低減できるのでLN光変調器の原価を低減する効果が著しい。
At this time, if the ratio of the volume and area of the ground conductor in the outer
(各実施形態)
分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもなく、考え方は3本以上の光導波路にも適用可能であるし、1本の光導波路を中心導体の下方もしくはその近傍に設置する位相変調器にも適用できる。また光導波路の形成法としてはTi熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてAl2O3等のSiO2以外の各種材料も適用できる。
(Each embodiment)
Although the Mach-Zehnder optical waveguide is used as an example of the branched optical waveguide, it goes without saying that the present invention can be applied to other branched / multiplexed optical waveguides such as directional couplers. The present invention can also be applied to a phase modulator in which one optical waveguide is installed below or near the center conductor. As a method for forming the optical waveguide, various methods for forming the optical waveguide such as a proton exchange method can be applied in addition to the Ti thermal diffusion method, and various materials other than SiO 2 such as Al 2 O 3 can be applied as the buffer layer.
また、z−カットLN基板について説明したが、x−カットやy−カットなどその他の面方位のLN基板でも良いし、リチウムタンタレート基板、さらには半導体基板など異なる材料の基板でも良い。 Further, although the z-cut LN substrate has been described, an LN substrate having other plane orientation such as x-cut and y-cut may be used, or a lithium tantalate substrate or a substrate made of a different material such as a semiconductor substrate may be used.
以上のように、本発明に係る光変調器は、高性能なリッジ型の光変調器において、広い面積の接地導体の厚みを薄くすることにより、温度ドリフト特性が優れた、またコストを低減した光変調器として有用である。 As described above, the optical modulator according to the present invention has excellent temperature drift characteristics and reduced cost by reducing the thickness of a large-area ground conductor in a high-performance ridge-type optical modulator. It is useful as an optical modulator.
1:z−カットLN基板(LN基板)
2:SiO2バッファ層(バッファ層)
3:マッハツェンダ光導波路(光導波路)
3a、3b:マッハツェンダ光導波路を構成する相互作用光導波路
4:進行波電極
4a:中心導体
4b、4b´、4b´´4b´´´、4b(4)、4b(5)、4b(6)、4b(7)、4b(8)、4b(9)、4c、4c´、4c´´:接地導体
5:Si導電層
6:高周波(RF)電気信号給電線
7:高周波(RF)電気信号出力線
10a、10b:外周部
11:空隙部(導体が欠落した部位)
1: z-cut LN substrate (LN substrate)
2: SiO 2 buffer layer (buffer layer)
3: Mach-Zehnder optical waveguide (optical waveguide)
3a, 3b: interaction optical waveguide constituting Mach-Zehnder optical waveguide 4: traveling
Claims (3)
前記基板がリチウムナイオベートからなり、
前記接地導体は厚みが厚い部位と薄い部位を有し、該厚みが薄い部位により該厚みが厚い部位同士が接続され、前記厚みが薄い部位に導体が欠落した部位を具備し、前記厚みが薄い部位の上面は前記厚みが厚い部位の上面よりも前記基板の表面に近くなるように形成されていることを特徴とする光変調器。 A substrate having a substantially flat surface having an electro-optic effect; a buffer layer formed on the substrate; a traveling wave electrode comprising a central conductor and a ground conductor disposed above the buffer layer; and at least the central conductor In an optical modulator having at least one optical waveguide below or in the vicinity thereof,
The substrate is made of lithium niobate;
The ground conductor has a thick part and a thin part, the thick part is connected to each other by the thin part, the thin part has a part where the conductor is missing, and the thin conductor is thin. The optical modulator is characterized in that the upper surface of the part is formed so as to be closer to the surface of the substrate than the upper surface of the thick part.
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---|---|
JP (1) | JP5010408B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6107869B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-04-05 | 住友大阪セメント株式会社 | Light modulator |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2825056B2 (en) * | 1994-02-24 | 1998-11-18 | 日本電気株式会社 | Light control device |
US6449080B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-09-10 | Jds Uniphase Corporation | Electro-optic modulator with enhanced bias stability |
JP3362126B2 (en) * | 2000-03-09 | 2003-01-07 | 住友大阪セメント株式会社 | Optical waveguide device |
JP2003043282A (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Hitachi Chem Co Ltd | Optical waveguide device including electrode, optical element, electrode layer, and method for manufacturing optical element |
JP3640390B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-04-20 | 住友大阪セメント株式会社 | Light modulator |
JP4713866B2 (en) * | 2004-09-14 | 2011-06-29 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | Optical device |
US7171063B2 (en) * | 2004-12-01 | 2007-01-30 | Jds Uniphase Corporation | Controllable electro-optic device having substrate trenches between electrodes |
JP5010559B2 (en) * | 2007-09-12 | 2012-08-29 | アンリツ株式会社 | Light modulator |
-
2007
- 2007-09-14 JP JP2007239447A patent/JP5010408B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009069616A (en) | 2009-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |