JP4997061B2 - Sputtering equipment - Google Patents

Sputtering equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4997061B2
JP4997061B2 JP2007272054A JP2007272054A JP4997061B2 JP 4997061 B2 JP4997061 B2 JP 4997061B2 JP 2007272054 A JP2007272054 A JP 2007272054A JP 2007272054 A JP2007272054 A JP 2007272054A JP 4997061 B2 JP4997061 B2 JP 4997061B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnet
target
magnetron
magnetron magnet
targets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007272054A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009097057A (en
JP2009097057A5 (en
Inventor
史三 牛山
秀幸 小田木
昌司 久保
和人 山本
弘明 片桐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2007272054A priority Critical patent/JP4997061B2/en
Publication of JP2009097057A publication Critical patent/JP2009097057A/en
Publication of JP2009097057A5 publication Critical patent/JP2009097057A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4997061B2 publication Critical patent/JP4997061B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、スパッタリング装置の技術分野に係り、特に、通過成膜型のスパッタリング装置に関する。   The present invention relates to a technical field of a sputtering apparatus, and more particularly, to a through film deposition type sputtering apparatus.

大型の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置では、ターゲットと対面しながらターゲットの正面を通過し、通過する間に薄膜が形成される通過型スパッタリング装置が用いられている。 A sputtering apparatus for forming a thin film on a large substrate surface passes through the front of the target while facing the target, pass sputtering apparatus thin film is formed is used as it passes through.

このようなスパッタリング装置では、ターゲットのエロージョン領域を拡大するために、ターゲット裏面に配置されたマグネトロン磁石装置を移動させる構成が採用されており、例えば、ターゲットの裏面に長手方向に沿ってマグネトロン磁石装置の走行軌道を敷設し、走行軌道上を小径で同じ大きさのマグネトロン磁石装置が多数走行し、ターゲット裏面の広い領域とマグネトロン磁石装置が向き合うことで、エロージョン領域が拡大するようにされている。 In such a sputtering apparatus, in order to enlarge the erosion region of the target, and configured to move the magnetron magnet device arranged on the target rear surface is employed, for example, a magnetron magnet along the longitudinal direction on the back surface of the target laying running path of the device, running track on the running many of the same magnitude of the magnetron magnet arrangement with a small diameter, in that the target back face broad area and the magnetron magnet arrangement face, adapted to expand erosion region ing.

しかしながら上記のように磁石を走行させても、ターゲットの中央部分と外周部分はスパッタされにくく、ターゲットの使用効率を向上させるのにも限界がある。   However, even if the magnet is run as described above, the central portion and the outer peripheral portion of the target are not easily sputtered, and there is a limit to improving the use efficiency of the target.

上記課題を解決するため、本発明は、板状の第一のターゲットと、第一のマグネトロン磁石装置と、前記第一のマグネトロン磁石装置よりも小径の第二のマグネトロン磁石装置と、前記第一、第二のマグネトロン磁石装置を前記第一のターゲットの裏面位置を繰り返し通過させる磁石移動装置とを有し、前記第一のマグネトロン磁石装置が前記第一のターゲットに形成する二本のエロージョン領域の間に、前記第二のマグネトロン磁石装置が前記第一のターゲット表面に形成するエロージョン領域が位置するようにされ、前記第一、第二のマグネトロン磁石装置は複数設けられ、前記各第一、第二のマグネトロン磁石装置は、周回移動して前記第一のターゲットの裏面を繰り返し通過するように構成されたスパッタリング装置である。
また、本発明は、第二のターゲットを有し、前記第一、第二のマグネトロン磁石装置は、一回の前記周回移動によって、前記第一、第二のターゲットの両方の裏面を通過するように構成されたスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一、第二のマグネトロン磁石装置は、往復移動するように構成されたスパッタリング装置である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a plate-like first target, a first magnetron magnet device, a second magnetron magnet device having a smaller diameter than the first magnetron magnet device, and the first magnet A magnet moving device that repeatedly passes the second magnetron magnet device through the position of the back surface of the first target, and two erosion regions formed on the first target by the first magnetron magnet device. An erosion region formed on the surface of the first target by the second magnetron magnet device is positioned therebetween, and a plurality of the first and second magnetron magnet devices are provided. The second magnetron magnet device is a sputtering device configured to move around and repeatedly pass through the back surface of the first target.
Moreover, this invention has a 2nd target, and said 1st, 2nd magnetron magnet apparatus passes the back surface of both said 1st, 2nd target by the said 1 round movement. It is the sputtering device comprised in this.
Moreover, this invention is a sputtering device comprised so that said 1st, 2nd magnetron magnet apparatus could reciprocate.

異なる大きさのマグネトロン磁石装置のエロージョン領域は重なり合わないので、ターゲット使用効率が向上する。   Since the erosion regions of magnetron magnet devices having different sizes do not overlap, the target usage efficiency is improved.

図１は本発明のスパッタリング装置１０であり、真空槽１１を有している。真空槽１１の内部には基板移動軌道１２が設けられている。基板移動軌道１２には、基板ホルダ１８が設けられており、図示しないモータ等の駆動装置を動作させると、基板ホルダ１８は真空槽１１内を、基板移動軌道１２に沿って移動するように構成されている。
基板移動軌道１２と面する位置には、バッキングプレート２０に取り付けられ、表面が露出された板状の第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂが配置されている。 FIG. 1 shows a sputtering apparatus 10 according to the present invention, which has a vacuum chamber 11. A substrate moving track 12 is provided inside the vacuum chamber 11. The substrate moving track 12 is provided with a substrate holder 18. The substrate holder 18 is configured to move along the substrate moving track 12 in the vacuum chamber 11 when a driving device such as a motor (not shown) is operated. Has been.
Plate-shaped first and second targets 21 a and 21 b attached to the backing plate 20 and having exposed surfaces are disposed at positions facing the substrate moving track 12.

第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂは、第一のターゲット２１ａが基板移動軌道１２の上流側、第二のターゲット２１ｂが基板移動軌道１２の下流側に配置されており、基板ホルダ１８に基板８を保持させ、基板８の表面が第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ表面と対面するように通過させると、基板８表面は、第一のターゲット２１ａの表面と第二のターゲット２１ｂの表面に、この順序で対面するように配置されている。   The first and second targets 21 a and 21 b are arranged such that the first target 21 a is located upstream of the substrate movement track 12 and the second target 21 b is located downstream of the substrate movement track 12. 8 is held so that the surface of the substrate 8 faces the surface of the first and second targets 21a and 21b, the surface of the substrate 8 is the surface of the first target 21a and the surface of the second target 21b. Are arranged to face each other in this order.

第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂは長方形であり、その長手方向が基板８の移動方向と直交するように配置されており、基板８は第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの長辺を横切るようにされている。
第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの裏面には、磁石走行軌道２２が敷設されており、該磁石走行軌道２２には、大きさが異なる第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2がそれぞれ一個、又は二個以上取り付けられている。 First and second targets 21a, 21b is rectangular, the longitudinal direction are arranged so as to be perpendicular to the moving direction of the substrate 8, the substrate 8 is long in the first and second targets 21a, 21 b It is designed to cross the side.
A magnet traveling track 22 is laid on the back surfaces of the first and second targets 21a and 21b. The magnet traveling track 22 has first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 having different sizes. One or two of each 2 are attached.

図２に示すように、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2はリング状の外周磁石３１と、その外周磁石３１のリングの内側に配置された中心磁石３２をそれぞれ有している。ここでは、中心磁石３２もリング形状であり、中心磁石３２のリング中心軸線と外周磁石３１のリング中心とは一致するように、外周磁石３１と中心磁石３２のリング形状の一底面が、板状の金属ヨーク３０の表面に接触して配置されている。なお、後述するように、第一のマグネトロン磁石装置２０1の外周磁石３１は第二のマグネトロン磁石装置２０2の外周磁石３１よりも大きく、第一のマグネトロン磁石装置２０1の中心磁石３２は、第二のマグネトロン磁石装置２０2の中心磁石３２よりも大きくされている。 As shown in FIG. 2, the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 each have a ring-shaped outer peripheral magnet 31 and a center magnet 32 disposed inside the ring of the outer peripheral magnet 31. Yes. Here, the center magnet 32 is also ring-shaped, and one bottom surface of the ring shape of the outer periphery magnet 31 and the center magnet 32 is plate-shaped so that the ring center axis of the center magnet 32 and the ring center of the outer periphery magnet 31 coincide. The metal yoke 30 is disposed in contact with the surface. As described later, the first peripheral magnet 31 of the magnetron magnet assembly 20 1 is larger than the second peripheral magnet 31 of the magnetron magnet assembly 20 2, the first central magnet 32 of the magnetron magnet assembly 20 1, It is greater than the second magnetron central magnet 32 of the magnet unit 20 2.

各マグネトロン磁石装置は、磁石走行軌道２２に沿って並んで配置されており、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2は、磁石移動装置１３によって、順番を変えずに磁石走行軌道２２上を移動するように構成されている。
第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの表面は略同一平面内に位置しており、外周磁石３１と中心磁石３２は、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの表面が位置する平面と平行に配置され、金属ヨーク３０とは反対側の一底面が第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの表面が位置する平面に向けられている。 The magnetron magnet devices are arranged side by side along the magnet traveling track 22, and the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 are moved by the magnet moving device 13 without changing the order. 22 is configured to move.
The surfaces of the first and second targets 21a and 21b are located in substantially the same plane, and the outer peripheral magnet 31 and the center magnet 32 are parallel to the plane on which the surfaces of the first and second targets 21a and 21b are located. The bottom surface on the side opposite to the metal yoke 30 is directed to the plane on which the surfaces of the first and second targets 21a and 21b are located.

図３は、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2とターゲットの位置関係を説明するための平面図であり、金属ヨーク３０と磁石走行軌道２２は省略されている。
ここでは、磁石走行軌道２２はトラック状であり、直線部分と半円部分を有している。その直線部分は、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの真裏位置に、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの長辺に沿って配置されている。 FIG. 3 is a plan view for explaining the positional relationship between the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 and the target, and the metal yoke 30 and the magnet traveling track 22 are omitted.
Here, the magnet traveling track 22 has a track shape, and has a straight portion and a semicircular portion. The straight line portion first, directly behind the position of the second targets 21a, 21 b, first and second targets 21a, are arranged along the long sides of 21b.

半円部分は、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの真裏から離間した位置に配置されており、直線部分の両端は半円形部分に接続されることで、環状になっている。
複数の第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2が磁石走行軌道２２に沿って同方向に走行すると、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2は同一の磁石走行軌道２２上を周回移動する。 The semicircular portion is arranged at a position spaced from the back of the first and second targets 21a and 21b, and both ends of the straight portion are connected to the semicircular portion to form an annular shape.
When the plurality of first and second magnetron magnet devices 20 1 , 20 2 travel in the same direction along the magnet traveling track 22, the first and second magnetron magnet devices 20 1 , 20 2 have the same magnet traveling track. 22 orbit around.

複数回周回移動する際、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2は、第一、又は第二のターゲット２１ａ、２１ｂのうちの、一方のターゲットの一短辺を横切って第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの真裏位置に入り、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの裏面位置を長辺と平行な方向に通過し、他の短辺を横切って第一又は第二のターゲット２１ａ、２１ｂの真裏位置から脱出する。 When moving around a plurality of times, the first and second magnetron magnet devices 20 1 , 20 2 cross the first short side of one of the first or second targets 21 a, 21 b. , Enters the position directly behind the second target 21a, 21b, passes through the back surface position of the first, second target 21a, 21b in a direction parallel to the long side, and crosses the other short side to the first or second Escape from the position directly behind the targets 21a and 21b.

そして第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの真裏から離間した位置で方向転換し、他方のターゲットの真裏位置に侵入する。このような動作を繰り返し、第一又は第二のターゲット２１ａ、２１ｂの真裏位置と、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの真裏から離間した位置を交互に通過する。   Then, the direction is changed at a position away from the back of the first and second targets 21a and 21b, and enters the back of the other target. Such an operation is repeated, and the first back side of the first or second target 21a, 21b and the position apart from the back of the first, second target 21a, 21b are alternately passed.

外周磁石３１と中心磁石３２は、一方の底面にＮ極が形成され、他方の底面にＳ極が形成されており、互いに異なる極性の磁極が第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ表面が位置する平面に向けられている(外周磁石３１のＮ極と中心磁石３２のＳ極が第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ表面が位置する平面に向けられているか、又は、外周磁石３１のＳ極と中心磁石３２のＮ極が第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ表面が位置する平面に向けられている。)。   The outer peripheral magnet 31 and the center magnet 32 have an N pole formed on one bottom surface and an S pole formed on the other bottom surface, and magnetic poles having different polarities are located on the surfaces of the first and second targets 21a and 21b. (The N pole of the outer magnet 31 and the S pole of the center magnet 32 are oriented to the plane on which the surfaces of the first and second targets 21a and 21b are located, or the S pole of the outer magnet 31). The north pole of the pole and the center magnet 32 is directed to the plane on which the surfaces of the first and second targets 21a and 21b are located.)

第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2が第一又は第二のターゲット２１ａ、２１ｂの裏面位置を通過する際には、外周磁石３１と中心磁石３２の底面は、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの裏面に近接し、外周磁石３１と中心磁石３２の間に形成される磁力線は第一又は第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面に漏洩する。外周磁石３１と中心磁石３２は異なる磁極が第一又は第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面に向けられているため、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの表面にはリング状の磁力線トンネルが形成される。 When the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 pass through the back surface positions of the first or second targets 21a and 21b, the bottom surfaces of the outer peripheral magnet 31 and the center magnet 32 are the first and second magnets. Magnetic lines of force formed between the outer magnet 31 and the center magnet 32 in the vicinity of the back surfaces of the second targets 21a and 21b leak to the surface of the first or second target 21a or 21b. Since the outer magnet 31 and the center magnet 32 have different magnetic poles directed to the surfaces of the first or second targets 21a and 21b, ring-shaped magnetic field line tunnels are formed on the surfaces of the first and second targets 21a and 21b. It is formed.

本発明のスパッタリング装置１０は上記のように構成されており、薄膜を形成する際には、真空排気系１５によって真空槽１１内を真空排気すると共に、ガス導入系１６から真空槽１１内にスパッタリングガスを導入し、スパッタ電源１４によって、バッキングプレート２０を介して第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂに電圧を印加し、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ表面をスパッタしながら、基板ホルダ１８に保持された基板８を真空槽１１内に搬入し、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ表面と対面させながら真空槽１１の内部を移動させると基板８表面が第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂと対面する位置を通過する際に、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂから飛び出したスパッタリング粒子が基板８表面に到達し、薄膜が形成される。 The sputtering apparatus 10 of the present invention is configured as described above. When forming a thin film, the vacuum chamber 11 is evacuated by the vacuum evacuation system 15 and the sputtering is performed from the gas introduction system 16 into the vacuum chamber 11. A substrate holder is formed by introducing a gas, applying a voltage to the first and second targets 21a and 21b via the backing plate 20 by the sputtering power source 14, and sputtering the surfaces of the first and second targets 21a and 21b. When the substrate 8 held in 18 is carried into the vacuum chamber 11 and moved inside the vacuum chamber 11 while facing the surfaces of the first and second targets 21a and 21b, the surface of the substrate 8 becomes the first and second surfaces. when passing through the position facing the target 21a, and 21b, first and second targets 21a, sputtered particles substrate 8 surface jumped out 21b Reached, the thin film is formed.

スパッタリングの際に、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2は第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂ裏面位置で長辺に沿って直線的に移動されており、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの表面には、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2によって、図４に模式的に示すように、二本ずつ、帯状のエロージョン領域(ターゲット表面が多量にスパッタリングされ表面が深く掘られる領域)３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂが形成される。この四本の帯状のエロージョン領域３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂは、第一，第二のターゲット２１ａ，２１ｂの長辺と平行であり、実際には、一部が重なり合っている。
同じ大きさの磁石が配置された複数のマグネトロン磁石装置を中心が同一直線上を走行するように移動させても、それらのマグネトロン磁石装置が形成するエロージョン領域は重なり合ってしまい、二本のエロージョン領域しか形成されない。
During sputtering, the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 are linearly moved along the long sides at the back surface positions of the first and second targets 21a and 21b. second targets 21a, on the surface of the 21b, first, by the second magnetron magnet assembly 20 1, 20 2, as shown schematically in FIG. 4, one not a two, the strip-shaped erosion area (target surface 35a, 35b, 36a, and 36b are formed by sputtering a large amount and deeply digging the surface. These four strip-shaped erosion regions 35a, 35b, 36a, and 36b are parallel to the long sides of the first and second targets 21a and 21b, and actually partly overlap.
Even if a plurality of magnetron magnet devices having the same size magnets are moved so that their centers run on the same straight line, the erosion regions formed by these magnetron magnet devices overlap each other, resulting in two erosion regions. Only formed.

それに対し、本発明では、第一のマグネトロン磁石装置２０1の外周磁石３１と中心磁石３２は、第二のマグネトロン磁石装置２０2の外周磁石３１と中心磁石３２よりもそれぞれ大きくされており、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2の中心が同一直線上を走行しても、第一のマグネトロン磁石装置２０1によって形成される二本のエロージョン領域３５ａ，３５ｂの間に、第二のマグネトロン磁石装置２０2によって形成される二本のエロージョン領域３６ａ，３６ｂが位置し、第一のマグネトロン磁石装置２０1によって形成される二本のエロージョン領域３５ａ，３５ｂと第二のマグネトロン磁石装置２０2によって形成される二本のエロージョン領域３６ａ，３６ｂは、少なくとも一部は重複しないので、ターゲット表面の広い領域が均一にスパッタされ、ターゲット使用効率が向上する。 In contrast, in the present invention, the first magnetron magnet assembly 20 1 of the outer magnet 31 and central magnet 32 is larger respectively than the second peripheral magnet 31 of the magnetron magnet assembly 20 2 and the central magnet 32, the Even if the centers of the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 run on the same straight line, the first magnetron magnet device 20 1 is formed between the two erosion regions 35a and 35b formed by the first magnetron magnet device 20 1 . two of the erosion region 36a formed by the second magnetron magnet assembly 20 2, 36b are positioned, two of erosion region 35a formed by the first magnetron magnet assembly 20 1, 35b and a second magnetron magnet arrangement two of the erosion region 36a which is formed by 20 2, 36b is, at least partially non-overlapping target table Large area of are uniformly sputtered, thereby improving the target utilization.

第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2の第一、第二のターゲット２１ａ，２１ｂの裏面での移動方向は、基板８の移動方向と垂直であり、基板８の移動速度を第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2の移動よりも遅くしておくと、基板８表面に膜厚分布のよい薄膜が形成される。 The movement direction of the first and second magnetron magnet devices 20 1 , 20 2 on the back surface of the first and second targets 21 a, 21 b is perpendicular to the movement direction of the substrate 8, and the movement speed of the substrate 8 is set to be the first. If it is made slower than the movement of the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2, a thin film having a good film thickness distribution is formed on the surface of the substrate 8.

第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2に加え、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2とは大きさが異なる第三のマグネトロン磁石装置を磁石走行軌道２２に取り付け、少なくとも一部が重なり合わないエロージョン領域が合計６本形成されるようにすると、更にターゲット表面が均一にスパッタされる。 First and second addition to the magnetron magnet assembly 20 1, 20 2, attached to the first, second magnetron magnet assembly 20 1, 20 2 magnet running track 22 in size different from the third magnetron magnet arrangement with When a total of six erosion regions that do not overlap at least partially are formed, the target surface is further sputtered uniformly.

なお、図５に示すように、一枚のターゲット４１の真裏位置の範囲内で環状になる磁石走行軌道２２を設け、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2を、一枚のターゲット４１の裏面位置で周回移動させると、四本の環状同心のエロージョン領域が得られるが、内側である程エロージョン領域は短くなってしまうので、図６に示すように、一枚のターゲット４２の裏面では、各エロージョン領域の両端がターゲット４２の短辺上で終端するように、往動経路と復動経路の両方を長辺方向に沿って設け、往動と復動の間で方向転換する部分をターゲット４２の真裏とは離間した位置に配置して第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2がターゲットの一短辺を横切ってターゲット４２の真裏位置に入り、他の短辺を横切ってターゲット４２の真裏位置から脱出するようにすればよい。 As shown in FIG. 5, a magnet traveling track 22 that is annular in the range of the position directly behind one target 41 is provided, and the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 are connected to one sheet. When circularly moving at the position of the back surface of the target 41, four annular concentric erosion regions are obtained. However, since the erosion region becomes shorter as it is on the inner side, as shown in FIG. On the back side, both the forward path and the backward path are provided along the long side direction so that both ends of each erosion region terminate on the short side of the target 42, and the direction is changed between the forward and backward directions. The first and second magnetron magnet devices 20 1 , 20 2 cross the short side of the target and enter the back side of the target 42, and the other short side. Across the What is necessary is just to escape from the position behind the target 42.

また、上記実施例では、磁石走行軌道２２が環状であり、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2が周回移動したが、図７に示すように、長方形のターゲットの長手方向と平行な直線状の磁石走行軌道２２をターゲットの幅方向中央位置に設け、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2を磁石走行軌道２２に沿って繰り返し往復移動させてもよい。 In the above embodiment, a magnet running path 22 is annular first, 1 second magnetron magnet assembly 20, 20 2 but has circular movement, as shown in FIG. 7, the longitudinal direction of the rectangular target A parallel linear magnet traveling track 22 may be provided at the center position in the width direction of the target, and the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 may be repeatedly reciprocated along the magnet traveling track 22.

第一のマグネトロン磁石装置と、第二のマグネトロン磁石装置の往復移動の両端がターゲットの外側に位置するように磁石走行軌道２２を設けるか、第一のマグネトロン磁石装置と第二のマグネトロン磁石装置が複数個配置された場合、同じ大きさの磁石装置の往復移動範囲同士(第一のマグネトロン磁石装置の往復移動範囲同士や第二のマグネトロン磁石装置の往復移動範囲同士)が重なり合うようにすると、エロージョン領域が繋がって直線状になる。   The magnet traveling track 22 is provided so that both ends of the reciprocating movement of the first magnetron magnet device and the second magnetron magnet device are located outside the target, or the first magnetron magnet device and the second magnetron magnet device are When multiple reciprocating movement ranges of magnet devices of the same size (reciprocating movement ranges of the first magnetron magnet device or reciprocating movement ranges of the second magnetron magnet device) are overlapped with each other, erosion The areas are connected to form a straight line.

なお、図３、５、６、７中の符号２５、４５、４６、４７は、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2の中心の移動経路を示しており、図７では、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2の中心は、同一直線上を往復移動する。
上記実施例では、第一，第二のマグネトロン磁石装置２０1，２０2に、同心二個の外周磁石３１と中心磁石３２が配置されていたが、同心三個以上の磁石を配置してもよい。 In addition, the code | symbol 25, 45, 46, 47 in FIG.3, 5,6,7 has shown the movement path | route of the center of 1st , 2nd magnetron magnet apparatus 201,202, In FIG. The centers of the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 reciprocate on the same straight line.
In the above embodiment, the two concentric outer peripheral magnets 31 and the central magnet 32 are arranged in the first and second magnetron magnet devices 20 1 and 20 2 , but three or more concentric magnets may be arranged. Good.

本発明のスパッタリング装置の内部説明図Internal explanatory drawing of the sputtering apparatus of the present invention 外周磁石と中心磁石を説明するための図The figure for explaining an outer circumference magnet and a center magnet 第一、第二のマグネトロン磁石装置の移動経路の一例を説明するための平面図The top view for demonstrating an example of the movement path | route of a 1st, 2nd magnetron magnet apparatus エロージョン領域を模式的に説明するための平面図Plan view for schematically explaining the erosion region 第一、第二のマグネトロン磁石装置の移動経路の比較例を説明するための平面図The top view for demonstrating the comparative example of the movement path | route of a 1st, 2nd magnetron magnet apparatus 第一、第二のマグネトロン磁石装置の移動経路の他の例を説明するための平面図The top view for demonstrating the other example of the movement path | route of a 1st, 2nd magnetron magnet apparatus 第一、第二のマグネトロン磁石装置が往復移動する場合の移動経路を説明するための平面図The top view for demonstrating the movement path | route when the 1st, 2nd magnetron magnet apparatus reciprocates.

符号の説明Explanation of symbols

１０……スパッタリング装置
１２……基板移動軌道
２０1……第一のマグネトロン磁石装置
２０2……第二のマグネトロン磁石装置
２１ａ……第一のターゲット
２１ｂ……第二のターゲット
２２……磁石走行軌道
３１……外周磁石
３２……中心磁石
３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂ……エロージョン領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Sputtering device 12 ... Substrate moving orbit 20 1 ... 1st magnetron magnet device 20 2 ... 2nd magnetron magnet device 21a ... 1st target 21b ... 2nd target 22 ... Magnet travel Orbit 31 ... Peripheral magnet 32 ... Center magnets 35a, 35b, 36a, 36b ... Erosion region

Claims (3)

板状の第一のターゲットと、
第一のマグネトロン磁石装置と、
前記第一のマグネトロン磁石装置よりも小径の第二のマグネトロン磁石装置と、
前記第一、第二のマグネトロン磁石装置を前記第一のターゲットの裏面位置を繰り返し通過させる磁石移動装置とを有し、
前記第一のマグネトロン磁石装置が前記第一のターゲットに形成する二本のエロージョン領域の間に、前記第二のマグネトロン磁石装置が前記第一のターゲット表面に形成するエロージョン領域が位置するようにされ、
前記第一、第二のマグネトロン磁石装置は複数設けられ、前記各第一、第二のマグネトロン磁石装置は、周回移動して前記第一のターゲットの裏面を繰り返し通過するように構成されたスパッタリング装置。 A plate-shaped first target;
A first magnetron magnet device;
A second magnetron magnet device having a smaller diameter than the first magnetron magnet device;
A magnet moving device for repeatedly passing the back surface position of the first target through the first and second magnetron magnet devices;
An erosion region formed on the surface of the first target by the second magnetron magnet device is positioned between two erosion regions formed on the first target by the first magnetron magnet device. ,
A plurality of the first and second magnetron magnet devices are provided, and each of the first and second magnetron magnet devices moves around and repeatedly passes through the back surface of the first target. . 第二のターゲットを有し、
前記第一、第二のマグネトロン磁石装置は、一回の前記周回移動によって、前記第一、第二のターゲットの両方の裏面を通過するように構成された請求項１記載のスパッタリング装置。 Has a second target,
Said first, second magnetron magnet arrangement, once the by circular movement of said first, second target configurations claims 1 sputtering apparatus according to pass through the rear surface of both. 前記第一、第二のマグネトロン磁石装置は、往復移動するように構成された請求項１記載のスパッタリング装置。   The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the first and second magnetron magnet devices are configured to reciprocate.
JP2007272054A 2007-10-19 2007-10-19 Sputtering equipment Active JP4997061B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007272054A JP4997061B2 (en) 2007-10-19 2007-10-19 Sputtering equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007272054A JP4997061B2 (en) 2007-10-19 2007-10-19 Sputtering equipment

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009097057A JP2009097057A (en) 2009-05-07
JP2009097057A5 JP2009097057A5 (en) 2010-08-19
JP4997061B2 true JP4997061B2 (en) 2012-08-08

Family

ID=40700336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007272054A Active JP4997061B2 (en) 2007-10-19 2007-10-19 Sputtering equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4997061B2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474861A (en) * 1990-07-16 1992-03-10 Fujitsu Ltd Planar magnetron sputtering device
JP2617439B2 (en) * 1991-10-18 1997-06-04 アネルバ株式会社 Sputtering equipment
JP3753896B2 (en) * 1999-07-09 2006-03-08 シャープ株式会社 Magnetron sputtering equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009097057A (en) 2009-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5026087B2 (en) Sputtering apparatus, transparent conductive film manufacturing method
KR101087525B1 (en) Sputter source, sputtering device, and sputtering method
JP5461264B2 (en) Magnetron sputtering apparatus and sputtering method
JP5004931B2 (en) Sputtering source, sputtering apparatus, and sputtering method
WO2009093598A1 (en) Sputtering film forming method and sputtering film forming apparatus
JP5889155B2 (en) Magnetizing apparatus and magnetizing method
WO2007142265A1 (en) Magnetron sputtering magnet assembly, magnetron sputtering device, and magnetron sputtering method
US20150107992A1 (en) Sputtering apparatus and magnet unit
JP4763711B2 (en) Sputtering apparatus and film forming method
JP4902518B2 (en) Sputtering equipment
US8673124B2 (en) Magnet unit and magnetron sputtering apparatus
JP4997061B2 (en) Sputtering equipment
JP6494296B2 (en) Sputtering apparatus, thin film manufacturing method
JP5140383B2 (en) Sputtering equipment
KR20120122354A (en) sputtering magnetron
JP2016132807A (en) Sputtering apparatus and method for manufacturing thin film
JP2009167492A (en) Film deposition source, and sputtering system
JP4796532B2 (en) Deposition source, sputtering equipment
JP2008081806A (en) Sputtering apparatus
JP2009097057A5 (en)
JP4960851B2 (en) Magnet device, magnetron sputtering device
JP6607251B2 (en) Magnetic field generator for magnetron sputtering
TWI839503B (en) Sputtering apparatus, thin-film forming method
JP2008297577A (en) Magnetron sputtering device
TWI532866B (en) Magnetron sputtering apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100702

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100702

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100702

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120323

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120424

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120514

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4997061

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250