JP4974505B2

JP4974505B2 - グレースケールを表示可能な表示装置

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Publication number: JP4974505B2
Application number: JP2005301636A
Authority: JP
Inventors: ステファン・クリストファー・キトソン; ジョン・クリストファー・ルディン; エイドリアン・デレク・ガイソー
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Current assignee: Hewlett Packard Development Co LP
Priority date: 2004-10-18
Filing date: 2005-10-17
Publication date: 2012-07-11
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Description

本発明は、グレースケールを表示可能な表示装置に関し、またその装置を製造するための方法及び構成要素に関する。

多くの表示装置又はディスプレイ装置において、適切な電界がかけられるときに、少なくとも１つの光学的特性が変化する電気光学材料の層が利用されている。電気光学材料の例として、ネマティック液晶又はスメクティック液晶及び電気泳動材料を挙げることができる。液晶ディスプレイ（LCD）は通常、対向して配置されている平坦な基板（セル壁）を含み、各セル壁の内側表面上に電極が設けられている。基板は隔置され、液晶（LC）材料の層を封入する。各基板の内側表面上に電極全体にわたって配向膜又は配向構造が設けられ、LC材料の分子を所望のように一様に配向させることができる。通常、一方の表面上にある電極は平行な導電性ストリップの行を含み、他方の表面上にある電極は、その行に対して直角をなす導電性ストリップの平行な列を含む。行電極及び列電極が重なり合うことにより画像素子（ピクセル）が画定される。１つのピクセルに十分な電圧が印加されると、そのピクセル内のLC材料は、その表面配向状態から異なる配向状態に切り換えられる。ディスプレイは異なる状態を区別するための手段、たとえば１つ又は複数の偏光子を含む。従来のネマティックLCDでは、LC材料は、ピクセルから電界が除去されるときに、表面配向状態に戻る。行電極及び列電極は製造するのが容易であるが、従来のネマティック液晶ディスプレイは、極めて複雑なマトリクスアドレス指定（多重化（multiplexing））方式を必要とし、アドレス指定することができるピクセルの数が制限される。

このパッシブ（受動型）マトリクスアドレス指定方式に対する代替方式がアクティブ（能動型）マトリクスアドレス指定方式であり、この場合には、各ピクセルが、アレイの一部である薄膜トランジスタ（TFT）によって起動される。トランジスタは、ディスプレイが次にリフレッシュされるまで、ピクセルを、必要とされる状態に保持する。アクティブマトリクスディスプレイが抱える問題は、大面積のTFTアレイを、特にポリマー基板上に製造するのが難しいことである。

双安定ディスプレイは、非常に複雑で、高品質で、低コストの電子ディスプレイに導く手段を提供する。各ピクセルは明暗いずれかに切り換えることができ、印加された電圧が除去された後でも、切り換えられた状態を維持する。良好なコントラスト及び視角を有する複雑なディスプレイを、アクティブマトリクスアドレス指定方式を利用することなく構成することができる。既知の双安定ディスプレイは強誘電性スメクティックLC材料を利用する。さらに最近になって、２つの異なるLC配向に対応するために、ネマティックLC材料及び微細構造を利用する双安定ディスプレイが開発されている（例えば特許文献１及び２参照）。しかしながら、フルカラーを表示できるようにするためには、LCDがグレーの色調を表示できることが望ましい。

一方のセル壁の内側表面上に絶縁性薄膜を配設し、その薄膜の上面にITO（インジウムスズ酸化物）の透明電極を配設することにより、グレースケールを有する強誘電性LCDを提供することが提案されている（例えば特許文献３参照）。薄膜の厚みは１つのピクセル内で変化し、他方のセル壁上にある従来の平面電極から薄膜上にある電極への距離が変化するようになる。強誘電性LCは閾値電界を有し、その電界よりも高いときに切換えが生じるが、その閾値よりも低いときには切換えは生じない。所与の電極電圧の場合に強誘電性LC材料が受ける電界強度がピクセル内で異なり、それによってある低い電圧が印加されると、１つのピクセルのある領域は閾値よりも高い電界を受けることになるので「オン」状態になり、ある領域は閾値よりも低い電界を受けることになるので「オフ」状態になる。高い電圧が印加されるときには、ピクセルのさらに多くの部分又は全てが「オン」状態に切り換えられる。この手法が抱える問題は、LC層の厚みが変化することにより、ディスプレイの光学性能が低下し、最終的に到達可能なグレーレベルの数が制限されることである。別の問題は、セル壁上で厚みが変化する薄膜上にITO電極構造を形成することが難しいことである。さらに別の問題は、強誘電性材料を使用すること特有の問題であり、堅牢なディスプレイにおいて一様な配向を得ることが難しいこと、並びに十分に広い動作温度範囲を有する強誘電性LC材料を得ることが難しいことに関連する。

グレースケールを表示可能な別の強誘電性LCDが開示されている（例えば特許文献４参照）。特許文献４の装置では、セル壁のうちの一方が一様に平坦ではなく、他方のセル壁と平行でない。一方のセル壁は、段差構造又は傾斜構造を有し、その上に電極構造が形成され、他方のセル壁は平坦であり、かつ平面電極を有する。強誘電性LC材料の層に対して実質上平坦な配向表面を与えるように段差構造又は勾配を埋めるだけの量の配列膜（配向（orientation）膜）が、段差又は傾斜のある電極構造上に設けられ、その配向表面が他方のセル壁と平行とされる。この装置は、LC材料の均一な厚みの層を有するが、全ての強誘電性装置に特有の同じ問題を抱えており、段差構造のガラスを製造すること、及び配向膜を埋めて十分に滑らかな表面を設けることが困難である。特許文献４に記載されている例証的なセルは実用的な装置の製造を導くものではない。
欧州特許第1 139 151号欧州特許第1 271 226号米国特許第4,712,877号米国特許第5,257,122号

グレースケールを表示可能な電気光学表示装置のためのセル壁アセンブリを提供することを課題とする。

本発明の一態様によれば、グレースケールを表示可能な電気光学表示装置のためのセル壁アセンブリを製造する方法が提供され、その方法は、
移送キャリアの実質上平坦な表面上に少なくとも１つの誘電体構造を形成し、
少なくとも１つの誘電体構造上に少なくとも１つの電極構造を形成し、このとき誘電体構造が各電極構造の領域内で実質上変化する距離だけ表面に対して垂直な方向に延在し、
少なくとも１つの電極構造をガラス又はプラスチック材料からなる基板の主面に接着し、及び
移送キャリアを除去することを含む。

移送キャリアは実質上平坦な移送表面を有することが好ましく、この平坦性がセル壁アセンブリの表面品質を画定する。極めて平坦な表面を有するキャリアを利用することにより、本発明は、個別の平坦化工程を必要とすることなく、セル壁アセンブリに対して最終的な、極めて平坦な表面をもたらすことができる。本発明による方法の利点は、ディスプレイ基板の表面品質がそれほど良好である必要がないことである。基板の内側表面上に偏光子を積層させる場合には、基板の複屈折は重要ではなくなり、切り換えられるときに、その複屈折が変化する電気光学材料を利用する表示装置を製造するために、複屈折が調整されていない基板を使用することができる。移送キャリアの表面は導電性であることが好ましく、それによって移送表面を電極として利用して金属を電着することにより、誘電体基板内に母線を形成することができる。

基板の主面は実質上平坦であることが好ましい。

好ましい一実施形態では、接着層の厚みが、セル壁アセンブリの２つの面が実質上平行となるように変更される。

電極構造への電圧の印加を容易にするために、本発明の方法はさらに、誘電体基板内に金属を電着することによって少なくとも１つの母線を形成し、及び電極構造のうちの少なくとも１つをその母線と接触させて形成することを含む。電着される金属は、測定して判定することができる特徴的な粒状構造及び材料組成を有する。したがって電着される金属は、他の技法によって堆積される金属とは区別可能である。たとえば「Modern Electroplating」（4th Ed Schlesinger & Paunovic pub. Wiley. Chapter 1 sections 7.3 and 7.4）を参照されたい。

誘電体構造内に複数の母線が形成され、各電極構造が１つの母線と接触することが好ましい。母線は通常直線構造であり、セル壁の長さに沿って延在する。任意の所望の間隔を利用することができ、たとえばそれらの母線を50 μm〜200 μm、特に約100 μmだけ隔置することができ、何メートルもの長さにすることができる。その文脈において許される場合には、製造時のまま使用することができるディスプレイ基板、又はそれぞれ１つのディスプレイを構成するために利用することができ、複数の別個の部品として形成することができるディスプレイ基板を指すために、本明細書では用語「セル壁（cell wall）」を利用することを理解されたい。

随意的に、カラーフィルタ、紫外線（UV）フィルタ及び偏光子又は他の光学フィルムのような他の表示構成要素を移送キャリア上に形成し、電極構造及び誘電体構造とともに基板に移しかえる又は移送させることができる。用語「光学フィルム（optical film）」を、その上に入射する光の少なくとも１つの特性を変更するフィルムを意味するように本明細書において使用する。偏光子をセル壁の内側表面上に積層させる場合には、セル壁の複屈折は重要ではなくなり、複屈折が無調整であるセル壁を利用することができる。

誘電体構造を、任意の適切な手段、たとえばエンボス加工、マイクロモールディング、レーザアブレーション又はフォトリソグラフィによって、キャリア上に形成することができる。好ましい一実施形態では、WO96/34971において教示されるように、誘電体材料は光学的に透過性であり、UVマイクロモールディングによって形成される。

一旦、誘電体構造及び母線が形成されると、透明な導電性材料（たとえば、ポリエチレンジオキシチオフェン（PEDOT）: ポリスチレンスルホン酸（PSS）［HC Starck社製のバイトロンP（Baytron P）］又はITO）が適用され、必要に応じて、たとえば一連の位置合わせ技法（たとえばレーザアブレーション露光技法）を利用してパターニングされる。PEDOTを任意の適切な被覆技法、特にインクジェット印刷技法によって適用することができる。

母線及び電極構造は、接着剤によってセル壁上に移送、移しかえられる。移送キャリア上での母線及び電極構造の互いに対する位置合わせはセル壁上で保持される。

本発明の他の態様は、セル壁アセンブリを提供し、このセル壁アセンブリは、
実質上平坦な表面を有するガラス又はプラスチック材料からなる第１の基板と、
上記表面上に設けられている複数の電極構造であって、各電極構造のそれぞれの少なくとも一部がスペーサ材料によって上記表面から隔置され、かつ電着された金属からなる１つの母線を含む複数の電極構造と、
上記各電極構造の少なくとも一部又はそれぞれを覆うことにより実質上平坦な表面をもたらす誘電体被覆材料とを含み、
誘電体被覆材料の平坦な表面から各電極構造の表面への最短距離が、各電極構造の領域内で実質上変化する。

通常、電極構造は、その幅よりもはるかに長い長さを有し、第１の基板の平坦な表面からそれぞれの第１の電極構造の表面までの距離は、電極構造の幅の範囲内で実質上変化する。表示装置内で第１の電極構造を第２の電極構造に重ね合わせることにより、LC層からの距離が各ピクセルの領域内で実質上変化するディスプレイが製造される。

随意的にセル壁アセンブリは、ディスプレイに組み込まれる場合に、LC材料の隣接する分子内に１つ又は複数の所望の配向状態を生じさせるように配向膜又は配向構造を設けることができ、そのように配向膜又は配向構造を設けること自体は当該技術分野において知られている。

本発明の他の態様は、グレースケールを表示可能な表示装置を提供し、このグレースケールを表示可能な表示装置は、
ガラス又はプラスチック材料からなり、第２のセル壁から隔置され、かつ第２のセル壁に対向する第１のセル壁と、
実質上一様な厚みを有するセル壁間の電気光学材料の層と、
第１のセル壁の内側表面上に設けられている複数の第１の電極構造と、及び第２のセル壁の内側表面上に設けられている少なくとも１つの第２の電極構造であって、第１の電極構造と第２の電極構造との重なり合う領域がピクセルを画定する少なくとも１つの第２の電極構造と、
それぞれが第１の電極構造のうちの１つと電気的に接触するとともに、電着されている金属からなる複数の母線とを含み、
電気光学材料が、適切な波形の電界をかけられると、第１の光学状態から第２の光学状態に切換可能であり、
電気光学材料と電極構造の少なくとも１つとの間の最短距離が１つのピクセルの領域内で実質上変化し、それにより、第１の電極及び第２の電極を介してピクセルに電圧が印加されると、ピクセルの第１の領域にある電気光学材料がそのピクセルの第２の領域にある電気光学材料よりも高い電界強度を受けることになり、ピクセルの第１の部分にある電気光学材料が第２の部分にある電気光学材料よりも低い電圧を印加される場合に切換可能となり、それによってグレースケール表示能力がもたらされる。

１つのピクセルの領域内で電気光学材料と電極のうちの１つとの間の最短の距離を実質上変更することにより、その材料に及ぼされる電界強度が変化する。したがって閾値電圧を有するディスプレイの場合に、より低い電圧が印加されると、そのピクセルのある部分のみが切り換わることになり、一方、より高い電圧が印加されると、そのピクセルのさらに多くの部分又は全ての部分が切り換わる。したがって、各ピクセルがグレースケールを表示する能力を有する。グレースケール表示能力は３つ以上の安定した状態を有すること、又は任意の時間的なディザリング処理によってではなく、サブピクセルハーフトーニングによって達成される。用語「閾値電圧（threshold voltage）」及び「閾値電界（threshold electric field）」はそれぞれ、切換えを達成するために、電極に適用される最小電圧及び、電気光学媒体にかけられる最小電界を指している。双安定ディスプレイの場合、閾値電界は、電気光学材料を第１の安定した状態から第２の安定した状態に切り換えるために必要とされる電界である。電界を除去した後、適切な異なる電界によって第１の状態に戻されるまで、その材料は第２の状態を維持する。閾値を有する単安定ディスプレイの場合、用語「閾値電界（threshold electric field）」又は「切換閾値（switching threshold）」は、電気光学材料を１つの光学状態から別の光学状態に切り換える、たとえばツイステッドネマティックLCを実質上ホメオトロピックな配向に変化させるために必要とされる最小電界を指している。電界が除去された後に、その電気光学材料は元の光学状態に戻る。

閾値のないディスプレイは連続した特有のグレーレベルを表示することができるが、受動的にマトリクス化することはできない。この場合には、ピクセル全体にわたってかかる電界強度を変化させる結果として、全体的な電気光学応答が変更され、量子化される。

一実施形態では、電気光学材料と第１の電極構造との間の最短距離は、たとえば電気光学材料の実質上平坦な表面に対して０°以外の角度で電極構造を傾斜させることにより、実質上連続して変化する。他の実施形態では、不連続の段差構造を有する第１の電極構造を形成することにより、又は平坦な第１の電極構造の上面に一連の誘電体の段差構造を形成することにより、最短距離は一連の不連続な段差構造をもって変化する。段差構造は、平面内において、又は垂直な高さにおいて均等な間隔で配置される必要はない。

本明細書において、用語「電気光学材料（electro-optic material）」は、適切な電界が適用されると、少なくとも１つの光学的特性が変化する材料を表すために使用される。その光学的特性は、たとえば、適切な符号の電界を適用すると、有色又は不透明な荷電粒子が基板に移動するような電気泳動ディスプレイでは、肉眼で見える場合がある。適切な電気泳動材料は、電気光学表示装置製造の技術分野の熟練者にはよく知られている。電気光学材料はネマティック液晶又はスメクティック液晶を含む。液晶材料の場合、光学的特性の変化を目で視認できる場合があり（たとえば、透明状態から散乱状態への変化）、又は溶解した多色性染料及び/又は１つ又は複数の偏光子のような手段によって異なる光学状態を区別することができ、それ自体はLCD製造の技術分野においてよく知られている。便宜上、本明細書では、本発明が液晶表示装置を参照しながら説明するが、本発明がLCDに限定されないことは理解されよう。

好ましい一実施形態では、ディスプレイは双安定性であり、たとえば欧州特許1 139 151号及び欧州特許第1 271 226号にそれぞれ記載されているような、ポストを配向させたポスト配向型（post-aligned）双安定ネマティックディスプレイ又は、孔、ホールを配向させたホール配向型（hole-aligned）双安定ネマティックディスプレイである。別の実施形態では、そのディスプレイとして、たとえば英国特許2 394 781号に記載されるような、電気泳動制御式双安定ネマティックデバイスを利用することができる。

安定した状態間でLCを切り換えるために、LC全体にわたって適用される電界は閾値を超えなければならない。電極とLCとの間に誘電体の段差構造を配置することにより、LCが受ける電界は減少する。したがってLCを切り換えるために必要とされる印加電圧、適用電圧は、段差構造の厚みを変化させることにより制御することができる。切換えパルス（スイッチングパルス）の振幅を増加することにより、より多くの段差構造が切り換わり、それゆえ２つの状態のうちの一方に切り換わるデバイスの割合を増加させて、最終的には完全に切り換えられる状態に達する。目が各状態にあるピクセルの領域を平均して、視認可能なグレーレベルを与える。

代替的な実施形態では、ディスプレイをアクティブマトリクスディスプレイとすることができ、その場合には、一方の基板上にあるTFTアレイ内のトランジスタによって駆動される矩形の電極と、他方の基板上にある連続した電極との重なりによってピクセルが画定される。

双安定ディスプレイモードに対する代替的な形態として、ディスプレイを、種々のLCDモード、たとえばツイステッドネマティック（TN）モード、スーパーツイステッドネマティック（STN）モード又はハイブリッド配向ネマティック（HAN）モードにおいて動作させることができる。随意的に、ツイスト構造を採用するために、又は傾斜スメクティック誘電体材料を製造するために、LCを必要とする装置応用形態のために、LC材料はキラルドーパントを添加される。LCが電気光学閾値を有するディスプレイ、たとえばTN又はSTNの場合、１つのピクセルのある部分が実質上完全に切り換えられ（その場所では、LCが受ける電界が閾値を超える）、一方、他の部分は実質上切り換えられない（その場所では、LCが受ける電界が閾値未満である）。サブピクセルハーフトーニングによってグレースケールが得られる。HANのような急峻な閾値電圧を有さないディスプレイモードでは、ピクセルが完全に切り換わる最大電界強度まで電界を高めていくと、切り換わるLCが増えていく。したがって１つのピクセル内のグレーレベルは、そのピクセルにわたってLCと電極との間の最小距離が連続して変化する場合には連続して変化することができ、又は最小距離が一連の段差構造によって不連続に変化する場合には、そのグレーレベルは一連の段差構造によって量子化される。

誘電体被覆材料は、第１の電極構造の少なくとも一部を覆い、それによって第２の基板の内側表面に対して実質上平行な液晶材料の層に実質上平坦な表面を与える。第１の電極構造の内側表面は、第１の基板に適用される１つ又は複数の誘電体材料又は１つ又は複数の導体の分だけ、第１の基板から隔置される。スペーサ材料は誘電体材料であることが好ましく、基板自体に、又は基板に固着されている偏光子又は他の光学フィルムに接着する接着材料であることが好都合である。LC材料の層と接触している基板の内側表面には、適切な配向膜が設けられ、LCが２つの安定した状態のうちのいずれかに切換可能にされている（たとえばPABNモードの場合）。この装置は、平坦なセル壁と、一定のLC層厚とを有する双安定ネマティックLCDを提供する。

第１の電極と第２の電極との間に所与の電圧が印加、適用されることによって、LC層が受ける電界を誘電体段差構造が減少させるその量は、その段差構造の材料の誘電率に依存する。SU-8 10（Microchem社製）のような通常の誘電体及び特定の装置、この場合にはPABNディスプレイの場合に、100 nmの段差毎に切換え閾値（すなわち、切換えを達成するために第１の電極と第２の電極との間に印加する必要がある外部からの電位差）が約１Vだけ増加することが分かっている。この値はディスプレイモードが異なる場合に、異なることがある。第１又は第２の電極とLCとの間の最短距離は、１つのピクセルの領域内で少なくとも100 nmだけ変化することが好ましい。好ましい一実施形態では、第１の電極構造上に表面配向が設けられ、液晶材料の隣接する分子に対して単一の実質上一様な配向が生じる。PABNセルの場合、表面配向は、局所的なホメオトロピック配向を生じさせることが好ましく、第２の基板の内側表面はポストで組織化されて双安定性を与える。しかしながら、各表面配向は他の基板上に設けることもできる。

電極構造を、電極とLC材料との間で連続して変化する最小距離をもたらすように、誘電体材料の楔によって、又は電極上に設けられている一連の誘電体段差構造によって、LC材料から隔置することができる。段差構造毎の好ましい最小寸法は、セル壁を介する平面図において10 μmである。特に好ましい最小寸法は20 μm〜100 μmの範囲内にある。通常、平面図で見た最大寸法はセル壁の長さになる。

随意的に、各グレーレベル誘電体段差構造上に、格子構造、又はPABNセル又はHABNセルの場合のようなポスト又はホールなどの配向造作を設けることができる。配向造作が設けられる場合には、これらの配向機構のうちのいくつかが、各誘電体段差構造上に設けられる。

本発明のさらに他の態様によれば、透明な電極構造及びアドレス指定用母線を互いに対して明確に位置合わせされた状態でディスプレイ基板に適用する方法が提供され、その方法は、
（ａ）移送キャリアの実質上平坦な表面上に一連の誘電体構造を形成し、一連の誘電体構造のそれぞれが、ある長さ及びある幅を有し、かつその幅内で実質上変化する距離だけ表面に対して垂直な方向に延在し、誘電体構造がそれぞれ、障壁によって分離される電極受容表面領域からなり、隣接する誘電体構造が隔置され、その間にトレンチを画定し、
（ｂ）トレンチのそれぞれを導電性材料で少なくとも部分的に満たすことにより母線を形成し、
（ｃ）電極受容表面領域上に、母線と接触して半透明の導体材料の層を堆積し、障壁によって画定されている一連の電極構造を形成し、
（ｄ）誘電体接着材料によって電極構造及び障壁をディスプレイ基板に固着し、
（ｅ）移送キャリアを除去することを含む。

本発明は、グレースケールを表示可能な電気光学表示装置（22）のためのセル壁アセンブリ（５）を製造する方法に関し、この方法は、移送キャリア（１）の実質上平坦な表面上に少なくとも１つの誘電体構造（４）を形成し、少なくとも１つの誘電体構造（４）上に少なくとも１つの電極構造（10）を形成し、誘電体構造（４）が、電極構造（10）又は電極構造（10）のそれぞれの領域内で実質上変化する距離だけ、表面に対して垂直な方向に延在し、少なくとも１つの電極構造（10）をガラス又はプラスチック材料からなる基板（12）の主面に接着し、及び移送キャリア（１）を除去することからなる。
本発明の他の態様は、セル壁アセンブリ、グレースケールを表示可能な装置、その装置の製造方法、移送キャリアを含む。
本発明によれば、グレースケールを表示可能な電気光学表示装置のためのセル壁アセンブリを提供することができる。

本発明の他の態様及び利点は、明細書の以下の説明、添付の図面及び特許請求の範囲において明らかになるであろう。

一例にすぎないが、ここで本発明を添付の図面を参照しながらさらに説明する。

図面では、本発明を例示するのを助けるために種々の部分が拡大又は縮小されている。それゆえ、図面は縮尺どおりには描かれていない。

図１ａに移送キャリア１を示す。移送キャリア１は、ベースフィルム２を備え、ベースフィルム２は、その上を平坦な導電層３により被覆されている。キャリア１は硬質又は軟質とすることができる。この実施例では、ベースフィルム２は150 μm厚のポリエチレンテレフタレート（PET）からなり、導電層３は約１μm厚の銅である。この実施例では、銅層３は光学的に平坦であり、0.1規定（N）の重クロム酸カリウム溶液に５分間浸漬し、脱イオン水で水洗し、空気乾燥することにより不動態化されている。代替的には、ベースフィルムそのものを導体とすることができる。

図１ａ及び図８を参照すると、ブロック21として示される第１の包括的なステップは、キャリア１の導電層３の表面上に誘電体の段差構造４の多層パターンを形成することである。この実施例では、誘電体の段差構造４はポリマー構造をエンボス加工することによって形成されている。その誘電体材料は光学的に透過性であり、代替的な技法、たとえばWO96/35971において教示されているようなマイクロモールディングによって形成することもできる。トレンチ６を誘電体構造４内に形成する。必要に応じて、トレンチ６はプラズマエッチングされ、トレンチ６の底部からポリマーが除去される。金属、この実施例ではニッケルをトレンチ６内に電気めっきし、母線８を形成する（図１ｂ）（ブロック22、図８）。導体３は、ニッケル陽極及び標準的なスルファミン酸ニッケル系電解質とともに、電解セルの陰極を形成することが好ましい。めっきは直流（DC）の電圧を適用することにより実施することができ、トレンチ６を完全に満たすためにパルス又はバイアス交流（AC）電流を利用する。他の既知の電着技法を利用することもできる。適切な金属には、ニッケル、銅及び金が含まれる。母線８は直線構造であり、そのような母線が移送されるディスプレイ基板の長さ又は幅全体にわたって延在する。それらの母線は、通常約100 μmだけ離隔し、その長さは何メートルにも及ぶ。母線８は、断面が約５μm×５μmであり、低い抵抗を有し、使用時に、その装置に一様に電圧が適用されるようにする。母線８の金属は不透明であるが、十分に小さいため、過度に開口部を小さくすることはない。

ブロック23として示す次の包括的なステップでは、少なくとも１つの電極構造を誘電体構造４の上に形成する。電極構造を形成するために、図１ｃに示されるように、誘電体構造４及び母線８の上に透明な導体10を堆積する。導体10は、酸化インジウム、酸化スズ、インジウムスズ酸化物（ITO）などからなるが、ポリエチレンジオキシチオフェン（PEDOT）: ポリスチレンスルホン酸（PSS）（HC Starck社製のバイトロンP（Baytron P））のような有機導体であることが好ましく、このような導体はインクジェット印刷のような印刷技法によって適用することができる。その後、透明な導体を選択的にエッチング又はブリーチ、漂白し、透明な電極10が設けられる。標準的なフォトリソグラフ技法を利用して、その導体が２つ以上の母線８に接触するのを防ぐことができる。好ましい実施形態では、PEDOT:PSSを紫外線（UV）光によって選択的にブリーチ又は漂白し、電極構造を形成する。代替的には、標準的なフォトレジスト及びエッチング又は化学的非活性化を使用することができる。

簡略化のために、１つの誘電体構造４、１つの母線８及び１つの電極トラック10のみを示していることを理解されたい。複数の類似の誘電体構造、母線及び電極構造を形成することができ、各電極構造10は通常、一連の平行な行電極又は列電極のうちの１つからなる。

電極構造10を形成した後に、結果として形成された構造に透明な移送接着剤14を塗布し、最終的なディスプレイ基板12を張り合わせ、接着剤14を硬化する（図２ａ）（ブロック24、図８）。好ましい一実施形態では、移送接着剤14はNOA81（Norland社製のOptical Products）のような紫外線（UV）により硬化可能な材料であるが、熱硬化材料又は湿分硬化材料も利用することができる。ディスプレイ基板12を、たとえばポリエチレンナフタレート（PEN）（DuPont Teijin社製のTeonex Q65）、ポリエーテルサルフォン（PES）（Sumitomo社製のBakelite）又はポリアリレート（Ferrania社製のSpA-Arylite）のようなプラスチック材料とすることが好ましいが、ガラス、好ましくはUV半透過性ガラスとすることもできる。

ブロック25として示す次の包括的なステップでは、移送キャリア１を除去し、セル壁アセンブリ５を残す。図２ａに示すアセンブリ内の接着剤は、移送キャリア１を剥離する際に、導電性キャリア基板３の表面において接着性が壊れるように調整されている。図２ｂのセル壁アセンブリ５に示すように、その構造の残りの部分の全体がディスプレイ基板12に接着されたままになる。この表面は、結果として形成されるLC層が一定の厚みになるように平坦である。しかしながら、電極構造10は、セル壁12から種々の距離に埋め込まれている。その距離は誘電体構造４（ここでは、電極構造10の誘電体被覆層）の最初のエンボス加工によって設定される。

この実施形態では、誘電体段差構造４のうちの１つは母線８の全厚である。それらの段差構造を母線８の全厚未満として、切換え閾値が過度に高くなるのを避けることが望ましい場合もある。段差構造の幅を短くしておくことにより、非切換え領域を最小限に抑えることができる。代替的には、最初のトレンチ６を幾分浅くし、金属を過剰にめっきして、図４に示すように、誘電体構造４を超えて延在する母線８を形成することができる。

さらに図３ａ〜３ｅを参照すると、それらは、電極をパターニングされた基板を設けるための代替的な工程を示す。図３ａの移送キャリア１は図１ａの移送キャリアと類似しているが、エンボス加工４によって、周囲にある造作よりも著しく高く、ピクセル又は電極線の境界を画定する、持ち上げられた線又は壁101（障壁）が付加的に含まれている点で異なる。通常、障壁101は４μm〜10 μmの高さであり、３μm〜７μmの幅である。それらの障壁は滑らかな表面を有し、後続の被覆の濡れを低減することが好ましい。図３ｂでは、図１ｂと同様の仕方で、トレンチ６内に母線８を形成する。液体溶媒系透明導体103（たとえば、PEDOT:PSS （HC Starck社製のバイトロンP（Baytron P）の懸濁液）を、障壁101によって画定されている領域（チャネル又はピクセル）内に被覆する。その被覆工程には任意の既知の堆積技法又は付着技法を利用することができるが、グラビア又はフレキソグラビアコーティング、又はインクジェット堆積を利用することが好ましい。懸濁液103、この例ではPEDOT:PSSを乾燥して、実質上一様な層10を形成し、透明導体を形成する。エンボス加工樹脂４の表面特性は、薄膜形成によって一様な被覆がもたらされるとともに、障壁101上へのいかなる被覆も防ぐような特性である。層10は母線８とオーム接触する。図３ｅに示すように、障壁101の底部の角は、障壁に近くなると望ましくないほど厚みが増す導電性領域を形成するメニスカス効果を最小限に抑えるように適合される内半径104の機構を含むことができる。

さらに図５を参照すると、グレースケールを表示可能な表示装置22が、第１のセル壁12aと、先に記載されたように形成されて母線８とオーム接触している第１の電極構造10aとを含む図２ｂのセル壁アセンブリ５からなる。この実施例における装置22は液晶表示装置であり、ネマティックLCからなる電気光学材料20の層を有する。第１の表面配向18aがセル壁アセンブリ５の最も内側の表面上に設けられている。この実施例における表面配向18aは、ネマティックLC材料20の隣接する分子に対して双安定配向をもたらすために、ポストで組織化されたPABN表面からなる。他の双安定配向を利用することもでき、ディスプレイが、たとえばスーパーツイストセル又はHANセルである単安定性である場合には、ラビングされたポリイミドのような従来の配向材料を利用することもできる。

第２のセル壁12bは従来の構成からなり、平坦なガラス又はプラスチック材料から形成され、ITOを使用する従来のエッチング技法によって、その上に第２の電極構造10bが形成されている。第２の表面配向18bが第２の電極構造10bの上に設けられ、この実施例では隣接するLC分子内にホメオトロピック配向が生じる。異なる光学状態を区別するための手段、この実施例では、セル壁12の外側表面に接着されている偏光子16が設けられている。表面配向18を入れ換えることができることが理解される。すなわち、第２のセル壁の最も内側の表面上にPABN表面配向を設けることができ、第１のセル壁アセンブリ５の上にホメオトロピック表面配向を設けることができる。第２のセル壁12bは、従来のスペーサ手段（図示せず）、たとえばガラス繊維又はポリマー繊維のマイクロビーズ又は小片によって、第１のセル壁アセンブリ５から隔置される。適切なスペーサ手段は、LCD製造の技術分野の熟練者によく知られている。

両方のセル壁12の内側表面は実質上平坦で、かつ互いに対して平行であり、ネマティックLC材料20の層は実質上一定の厚みを有する。LC材料20と第１の電極構造10aのうちの１つとの間の最短距離は、図５に示すピクセルの領域内で変化する。最大閾値電圧より上では、視認可能なピクセル領域の全てが「オン」の状態にある。双安定ディスプレイの場合、その電圧が低減又は除去されても、そのピクセルは「オン」の状態のままである。そのピクセルを「オフ」の状態に切り換えるために、適切なパルスが適用、加えられる。

図６のLCDは図５のLCDに類似しているが、第２のセル壁アセンブリ５ｂが第１のセル壁アセンブリ５ａと同じように構成されている点で異なる。誘電体の段差構造４ｂが第２の電極構造10bをLC 20から分離する。第２のセル壁アセンブリ５ｂは、第１のセル壁アセンブリ５ａを形成するために利用されるのと同じような移送方法によって構成することができる。第２のセル壁アセンブリ５ｂの透明な接着剤14bは、第１のセル壁アセンブリの透明な接着剤14aと同じ接着材料から形成することができる。この配列では、LC材料20と第１の電極構造10aのうちの１つとの間の最短距離は、LC材料20と第２の電極構造４ｂのうちの１つとの間の最短距離と同じように、そのピクセルの領域内で変化する。この配列では、セルはセル壁12に対して平行なLC層20を通る平面に対して対称とすることができ、電極の変化が２つのセル壁アセンブリ間で分担されるので、さらに容易に構成することができる。

図７は双安定LCDの代替的な実施形態を示し、上側のセル壁12aの上にある偏光子16が、内側表面、この実施例では、第１のセル壁12aと接着剤14との間に設けられ、それによって第１のセル壁12aの複屈折はディスプレイの見え方に影響を及ぼさない。切換え電圧は電極構造10a及びLC分子20の最短距離に応じて異なる。各誘電体の段差構造４が切換え閾値電圧を高める。安定した状態間でLCを切り換えるために、LC全体にわたって適用される電界は閾値を超えなければならない。誘電体の段差構造を電極とLCとの間に配置することによって、LCが受ける電界は低減するであろう。したがってLCを切り換えるために必要とされる印加電圧は、段差構造の厚みを変更することにより制御することができる。図７に示す実施例では、電極構造10a及び10bを介して十分な電圧が印加され、外側領域においてLC分子20aが「オン」の状態に配向されている。内側領域では、LC分子20bを「オフ」の状態から切り換えるには、印加される電圧が不十分である。切換えパルスの振幅を高めることにより、さらに多くの段差構造が切り換わることになり、よって２つの状態のうちの一方に切り換わる装置の割合が増加し、最終的には図５に示すように完全に切り換えられた状態に達する。目は、各状態にあるピクセルの領域を平均し、視認されるグレーレベルがもたらされる。図７の母線８の下にあるLC分子は切り換えられるが、不透明な母線下では視認することができない。母線は細い（約５μm）ので、容易に視認することはできない。

明確にするために、個別の実施形態との関連で説明される本発明のいくつかの特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせて設けることもできることを認識されたい。逆に、簡潔にするために１つの実施形態において説明される本発明の種々の特徴は、個別に、又は任意の適切な組み合わせで設けることもできる。

特許請求の範囲において規定されるような本発明の範囲から逸脱することなく、これまでに説明した構成及び部品の配列に種々の改変、変更及び/又は追加を行うことができることを理解されたい。

この特許出願が優先権を主張する、英国特許出願第0423134.6号、及びこの特許出願に添付されている要約書の開示は、それらを参照することにより、その内容を全て本明細書に援用する。

本発明の一実施形態による、予め位置合わせされている母線及び電極構造を有するセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の一実施形態による、予め位置合わせされている母線及び電極構造を有するセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の一実施形態による、予め位置合わせされている母線及び電極構造を有するセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の一実施形態による、予め位置合わせされている母線及び電極構造を有するセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の一実施形態による、予め位置合わせされている母線及び電極構造を有するセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の代替的な実施形態によるセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の代替的な実施形態によるセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の代替的な実施形態によるセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の代替的な実施形態によるセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。本発明の代替的な実施形態によるセル壁アセンブリの製造の段階を示す図である。他の代替的な実施形態によるセル壁アセンブリの製造の一段階を示す図である。本発明の他の態様による液晶表示装置の一部を介する概略的な断面を示す図である。さらに代替的な実施形態による、装置の一部を介する、図５の断面図に類似の概略的な断面を示す図である。本発明の一態様による液晶表示装置の他の実施形態を示す図であり、図５に類似している。本発明の一態様による方法を実施するためのステップを示す流れ図である。

符号の説明

１移送キャリア
２ベースフィルム
３導電層
４誘電体構造
５セル壁アセンブリ
６トレンチ
８母線
１０電極構造
１２ディスプレイ基板
１４接着剤
１８表面配向
２０電気光学材料
２２表示装置

Claims

グレースケールを表示可能な電気光学表示装置のためのセル壁アセンブリを製造する方法であって、
移送キャリアの実質上平坦な表面上に少なくとも１つの誘電体構造を形成し、前記移送キャリアの前記表面が導電性であり、
前記少なくとも１つの誘電体構造上に少なくとも１つの電極構造を形成し、前記誘電体構造が、前記電極構造又は前記電極構造のそれぞれの領域内で実質上変化する距離だけ、前記表面に対して垂直な方向に延在し、
前記少なくとも１つの電極構造をガラス又はプラスチック材料からなる基板の主面に接着し、及び
前記移送キャリアを除去することからなる方法。
前記少なくとも１つの電極構造を基板の主面に接着するステップが、前記少なくとも１つの電極構造を前記基板に固着されている偏光子に接着することを含む請求項１に記載の方法。
前記方法がさらに、前記移送キャリアの前記表面上及び前記誘電体構造内に金属を電着することによって少なくとも１つの母線を形成することを含み、前記電極構造又は前記電極構造のそれぞれが、対応する母線と電気的に接触する請求項１又は２に記載の方法。
前記少なくとも１つの電極構造を形成するステップが、
前記少なくとも１つの誘電体構造上に透明な導体層を形成し、
前記導体層にフォトレジスト材料の層を適用し、
前記フォトレジスト材料を適切なマスクを介して、前記フォトレジストの露光された領域において化学変化をもたらすのに十分な強度及び持続時間、紫外線（UV）で照明し、
露光されたフォトレジスト又は露光されていないフォトレジストのいずれかを除去し、及び
前記フォトレジストが除去された領域内にある前記導体層をエッチングし、それによって少なくとも１つの透明な電極構造を形成することからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
前記少なくとも１つの誘電体構造を形成するステップが、それぞれある長さ及びある幅を有し、かつその幅内で実質上変化する距離だけ前記表面に対して垂直な方向に延在する一連の誘電体構造を形成すること含み、前記誘電体構造がそれぞれ、障壁によって分離される電極受容表面領域を含み、隣接する誘電体構造が、その間にトレンチを画定するように隔置され、前記方法がさらに、金属を電着して前記トレンチのそれぞれを少なくとも部分的に充填することによって母線を形成するステップからなり、
前記少なくとも１つの電極構造を形成するステップが、前記電極受容表面領域上に、かつ前記母線と接触して、半透明な導体材料の層を堆積し、前記障壁によって画定される一連の電極構造を形成することを含み、
前記少なくとも１つの電極構造を基板の主面に接着するステップが、誘電体接着材料を利用して、前記電極構造及び前記障壁を前記基板の前記主面に固着することからなる請求項１に記載の方法。
前記半透明な導体が、インクジェットプリントヘッドを介して堆積される請求項５に記載の方法。
前記障壁がそれぞれ、丸みをつけられた部分によって隣接する表面領域に接合される請求項５又は６に記載の方法。
前記電極構造又は前記電極構造のそれぞれがある長さ及びある幅を有し、前記誘電体構造又は前記誘電体構造のそれぞれが、前記幅内で実質上変化する距離だけ、前記表面に対して垂直な方向に延在する請求項１に記載の方法。
前記誘電体構造又は前記誘電体構造のそれぞれが、実質上200 μm×200 μmの領域内で変化する距離だけ前記表面に対して垂直な方向に延在する請求項１に記載の方法。
導電性である実質上平坦な表面を有する移送キャリア材料からなる第１の基板と、
前記表面上に設けられている複数の電極構造であって、当該電極構造のそれぞれの少なくとも一部がスペーサ材料によって前記表面から隔置され、かつ電着された金属からなる１つの母線を含む複数の電極構造と、
前記電極構造又は前記電極構造のそれぞれの少なくとも一部を覆い、それによって電気光学材料の近くに実質上平坦な表面をもたらす誘電体被覆材料であって、前記電極構造又は前記電極構造のそれぞれの少なくとも一部が、前記セル壁アセンブリの電圧印加領域である、誘電体被覆材料とを含み、
前記誘電体被覆材料の前記平坦な表面から前記各電極構造の表面への最短距離が、前記各電極構造の領域内で実質上変化するセル壁アセンブリ。
前記各電極構造が誘電体接着材料によって前記基板の内側表面に固定されている請求項１０に記載のセル壁アセンブリ。
前記第１の基板の内側表面に固着されている偏光子をさらに備え、前記接着材料が当該偏光子に接着する請求項１１に記載のセル壁アセンブリ。
前記少なくとも１つの電極構造が複数の平行な縞模様の電極構造を含む請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のセル壁アセンブリ。
前記各電極構造が、ある長さ及びある幅を有し、前記誘電体被覆材料の前記平坦な表面から前記各電極構造の表面への最短距離が前記幅内で実質上変化する請求項１３に記載のセル壁アセンブリ。
前記電着される金属が、ニッケル、銅、銀又は金をからなる請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のセル壁アセンブリ。
グレースケールを表示可能な表示装置を製造する方法であって、
請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の第１のセル壁アセンブリと、実質上平坦な内側表面を有する第２の基板、及びこの第２の基板上に設けられている複数の第２の電極構造からなる第２のセル壁アセンブリとを配設し、前記実質上平坦な内側表面が導電性であり、前記第２の基板が移送キャリア材料であり、
前記第１のセル壁アセンブリ及び前記第２のセル壁アセンブリが隔置され、前記実質上平坦な表面が互いに対して実質上平行であり、前記第１の電極構造及び前記第２の電極構造が重なり合ってピクセルを画定するように、前記第１のセル壁アセンブリ及び前記第２のセル壁アセンブリを配列し、及び
前記第１のセル壁アセンブリと前記第２のセル壁アセンブリとの間に電気光学材料の層を設けることからなり、
前記電気光学材料と前記第１の電極構造のうちの１つとの間の最短距離が、１つのピクセルの領域内で実質上変化する方法。
前記電気光学材料が液晶材料であり、前記方法がさらに、前記第１のセル壁アセンブリ及び前記第２のセル壁アセンブリのうちの少なくとも一方の上に表面配向を設け、前記液晶材料の隣接する分子に対して少なくとも１つの所望の局所的な配向をもたらすことを含む請求項１６に記載の方法。
前記表面配向が、液晶材料の隣接する分子を２つの安定した配向状態のうちのいずれかに安定させる請求項１７に記載の方法。
前記液晶材料が、少なくとも２つの光学的に区別可能な配向状態の間で双安定に切り換え可能である請求項１８に記載の方法。
前記液晶材料がネマティック材料である請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の方法。
前記液晶材料が、強誘電性又は反強誘電性スメクティック材料である請求項１９に記載の方法。
前記電気光学材料が、誘電液体担体内の荷電微粒子からなり、この荷電微粒子が、適切な電界の影響下で前記基板のうちの一方に移動可能である請求項１６に記載の方法。
ガラス又はプラスチック材料からなるとともに、第２のセル壁から隔置されて、対向する第１のセル壁と、
前記セル壁間にあり、実質上一様な厚みを有する電気光学材料の層と、
前記第１のセル壁の内側表面上に設けられている複数の第１の電極構造及び、前記第２のセル壁の内側表面上に設けられている少なくとも１つの第２の電極構造と、当該第１の電極構造と当該第２の電極構造との重なり合う領域がピクセルを画定し、前記第２の電極構造又は前記第２の電極構造のそれぞれが、誘電体接着材料によって前記第２のセル壁の内側表面に固定されており、
それぞれが前記第１の電極構造のうちの１つと電気的に接触し、電着された金属からなる複数の母線とを含み、
前記電気光学材料が、適切な波形の電界をかけられると、第１の光学状態から第２の光学状態に切り換え可能であり、
前記電気光学材料と前記電極構造のうちの少なくとも一方との間の最短距離が、１つのピクセルの領域内で実質上変化し、それによって前記第１の電極及び前記第２の電極を介して前記ピクセル全体にわたって電圧が適用されると、前記ピクセルの第１の領域にある電気光学材料が前記ピクセルの第２の領域にある電気光学材料よりも高い電界強度を受け、前記ピクセルの前記第１の部分の電気光学材料が、前記第２の部分の電気光学材料よりも低い印加電圧で切り換わり、したがってグレースケール表示能力がもたらされる、
誘電体被覆材料が前記第１の電極構造と前記電気光学材料の層との間、又は前記第２の電極構造もしくは前記第２の電極構造のそれぞれと前記電気光学材料の層との間に設けられ、前記被覆材料が、前記セル壁の内側表面に対して実質上平行な、前記液晶材料の層に対して実質上平坦な表面を示す、グレースケールを表示可能な表示装置。
前記電気光学材料が、ネマティック液晶材料、スメクティック液晶材料、電気泳動材料からなる群より選択される請求項２３に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造と前記電気光学材料との間に複数の誘電体段差構造をさらに含む請求項２３又は２４に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記段差構造がそれぞれ、前記セル壁を介する平面において、少なくとも10 μmの長さ又は幅を有する請求項２５に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記電気光学材料が、適切な大きさ、符号及び持続時間を有する電界をかけられると、第１の配向状態と第２の配向状態との間で双安定に切り換わることが可能なネマティック液晶材料であり、
前記第１の配向状態と前記第２の配向状態とを区別するための手段を備えている請求項２３〜２６のいずれか１項に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造が、誘電体接着材料によって前記第１のセル壁の内側表面に固定されている請求項２３〜２７のいずれか１項に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造が、誘電体接着材料によって前記第１のセル壁の内側表面に固定され、前記第１の配向状態と前記第２の配向状態とを区別するための前記手段が、前記第１のセル壁の内側表面に固着されている偏光子からなり、前記接着材料が前記偏光子に接着している請求項２７に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第２の電極構造又は前記第２の電極構造のそれぞれが、誘電体接着材料によって前記第２のセル壁の内側表面に固定され、前記第１の配向状態と前記第２の配向状態とを区別するための前記手段が、前記第２のセル壁の内側表面に固着されている偏光子からなり、前記接着材料が前記偏光子に接着している請求項２７に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造の少なくとも一部が、一連の誘電体段差構造によって前記層から分離されている請求項２３〜３０のいずれか１項に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造と前記層との間の最小距離が、ピクセルの縁部と当該ピクセルの中央領域との間で増加又は減少している請求項３１に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造のそれぞれが、薄膜トランジスタ（TFT）アレイの１つの薄膜トランジスタに接続されている請求項２３〜３２のいずれか１項に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記第１の電極構造が複数の平行な電極ストライプからなり、前記少なくとも１つの第２の電極構造が、前記第１の電極構造に対して実質上直交して配列される複数の平行な電極ストライプからなる請求項２３〜３２のいずれか１項に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
前記層と前記第２の電極構造もしくは前記第２の電極構造のそれぞれとの間の前記最短距離が１つのピクセルの領域内で実質上変化する請求項２３〜３４のいずれか１項に記載のグレースケールを表示可能な表示装置。
電極構造を支持する少なくとも１つの誘電体構造をその上に剥離可能に取り付けられている移送表面からなる移送キャリアであって、前記電極構造の表面と前記移送表面の間の最短距離が、指定された領域内で実質上変化し、前記移送表面が導電性であり、前記少なくとも１つの誘電体構造内に、かつ前記電極構造と電気的に接触する電着された金属からなる母線をさらに含む、移送キャリア。
電極構造を支持する前記少なくとも１つの誘電体構造が、ある長さ及びある幅を有する１つの電極構造をそれぞれ支持する複数の誘電体構造からなり、前記電極構造のうちの１つの表面と前記移送表面との間の前記最短距離が、前記幅内で実質上変化する請求項３６に記載の移送キャリア。
前記移送表面が実質上平坦である請求項３６又は３７に記載の移送キャリア。
透明な電極構造及びアドレス指定用母線を互いに対して明確に位置合わせされた状態でディスプレイ基板に適用する方法であって、
（ａ）移送キャリアの実質上平坦な表面上に一連の誘電体構造を形成し、一連の誘電体構造のそれぞれが、ある長さ及びある幅を有し、かつその幅内で実質上変化する距離だけ表面に対して垂直な方向に延在し、誘電体構造がそれぞれ、障壁によって分離される電極受容表面領域からなり、隣接する誘電体構造が隔置され、その間にトレンチを画定し、前記移送キャリアの前記実質上平坦な表面が導電性であり、
（ｂ）トレンチのそれぞれを導電性材料で少なくとも部分的に満たすことにより母線を形成し、
（ｃ）電極受容表面領域上に、母線と接触して半透明の導体材料の層を堆積し、障壁によって画定されている一連の電極構造を形成し、
（ｄ）誘電体接着材料によって電極構造及び障壁をディスプレイ基板に固着し、
（ｅ）移送キャリアを除去し、それにより実質上平坦な表面を有するセル壁アセンブリを得る
ことを含む、方法。
前記誘電体被覆材料が、単一の誘電定数を有する一連の誘導体の段差構造を有する、請求項１９に記載のセル壁アセンブリ。