JP4959669B2 - Probe device - Google Patents

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本発明は、一般にウェハ状の基板上に配置された被検査体を温度制御下で検査するプローブ装置及びプローブ検査方法に関し、更に詳しくは、被検査体の電気的特性をより的確に行うプローブ装置及びプローブ検査方法に関する。   The present invention generally relates to a probe apparatus and a probe inspection method for inspecting an object to be inspected placed on a wafer-like substrate under temperature control, and more particularly, to a probe apparatus for more accurately measuring the electrical characteristics of the object to be inspected. And a probe inspection method.

シリコン基板等のウェハ状の基板(以下、「ウェハ」と称す。)上に配置された集積回路や液晶表示装置などの電気的特性を検査する場合にはプローブ装置が用いられる。従来のプローブ装置は、図13に示すようにプローブカード14、プローブカードに備えられた複数のプローブ26、ウェハWを載置するためのメインチャック6、メインチャックをX、Y、Z及びθ方向に移動させるための移動機構12、被検査体をプローブカードと位置合わせするための上カメラ39と下カメラ38、テストヘッドTH、及びテスタTなどを備えている。メインチャック6は、移動機構12により3次元方向に移動可能であると共に、ウェハWを保持する保持機構が設けられている。   A probe device is used when inspecting electrical characteristics of an integrated circuit, a liquid crystal display device, or the like disposed on a wafer-like substrate (hereinafter referred to as “wafer”) such as a silicon substrate. As shown in FIG. 13, the conventional probe apparatus includes a probe card 14, a plurality of probes 26 provided on the probe card, a main chuck 6 for placing a wafer W, and main chucks in the X, Y, Z, and θ directions. A moving mechanism 12 for moving the object to be moved, an upper camera 39 and a lower camera 38 for aligning the object to be inspected with the probe card, a test head TH, a tester T, and the like. The main chuck 6 can be moved in a three-dimensional direction by the moving mechanism 12, and a holding mechanism for holding the wafer W is provided.

プローブ装置のメインチャック6は、測定される被検査体の温度を所定の温度に制御可能になっているものがある。この制御によって測定時の温度条件が変えられることにより、被検査体が実際に使用される環境に準じた環境で該試験が行われる。この様なプローブ装置として、特許文献1には、メインチャックの中心部に設けた温度検出手段により検出したメインチャックの温度に基づいて、メインチャックに備えられた抵抗発熱体の温度を制御する装置が開示されている。この特許文献1には、複数のゾーンに分割した抵抗発熱体の各々の温度を制御することにより、精度の高い温度下で上記試験を行うことが可能である旨が記載されている。   Some of the main chucks 6 of the probe device can control the temperature of the object to be measured to a predetermined temperature. By changing the temperature condition at the time of measurement by this control, the test is performed in an environment according to the environment in which the inspected object is actually used. As such a probe device, Patent Document 1 discloses a device for controlling the temperature of a resistance heating element provided in the main chuck based on the temperature of the main chuck detected by temperature detecting means provided at the center of the main chuck. Is disclosed. This Patent Document 1 describes that the above test can be performed at a highly accurate temperature by controlling the temperature of each resistance heating element divided into a plurality of zones.

また、特許文献2には、複数の領域に分割したメインチャックの載置面と、これらの分割領域のそれぞれに設けられた溝と、これらの溝において開口する給排路と、上記各給排路に互いに切り替え可能に接続された熱伝導性に優れた流体の供給源、及び真空排気手段を備えた装置が開示されている。この装置は、熱伝導性に優れた流体を供給することで熱交換を行い、真空排気によってウェハを吸着保持する構造を備えている。   Further, Patent Document 2 discloses a mounting surface of a main chuck divided into a plurality of regions, grooves provided in each of these divided regions, a supply / discharge path that opens in these grooves, and each of the above supply / discharges. An apparatus including a fluid supply source having excellent thermal conductivity, which is connected to a channel in a switchable manner, and an evacuation unit is disclosed. This apparatus has a structure in which heat is exchanged by supplying a fluid having excellent thermal conductivity, and a wafer is sucked and held by vacuum evacuation.

しかしながら、上記のプローブ装置は、メインチャックの比較的広範囲を加熱または冷却することから、被検査体を個別に温度制御することは困難であるという課題があつた。また、該装置はエネルギー消費量が大きいという課題があった。さらに、該装置は、温度制御に要する時間が長いという課題があった。   However, since the above probe device heats or cools a relatively wide range of the main chuck, there is a problem that it is difficult to individually control the temperature of the object to be inspected. In addition, the device has a problem of large energy consumption. Further, the apparatus has a problem that the time required for temperature control is long.

通常、プローブを用いた検査においては、メインチャック上に載置されたウェハに対してプローブから大きな針圧が掛かる。従来のプローブ装置においては、ウェハの周縁部に配置された被検査体を検査する場合には、図14の一点鎖線で誇張して示すように、メインチャック6が該針圧のために傾く結果、ウェハ上の所定位置にプローブが接触できない虞があった。
特開平9−186112号公報 特開2001−230308号公報
Usually, in the inspection using the probe, a large needle pressure is applied from the probe to the wafer placed on the main chuck. In the conventional probe apparatus, when inspecting an object to be inspected arranged on the peripheral edge of the wafer, the result is that the main chuck 6 is tilted due to the needle pressure, as exaggeratedly shown by the one-dot chain line in FIG. There is a possibility that the probe cannot contact a predetermined position on the wafer.
JP-A-9-186112 JP 2001-230308 A

参考例は、プローブ検査における被検査体の温度制御を的確に実施できるプローブ装置及びプローブ方法を提供することを目的とする。 A reference example aims to provide a probe device and a probe method capable of accurately performing temperature control of an object to be inspected in probe inspection.

参考例は、敏速且つ能率的にプローブ検査することができるプローブ装置及びプローブ方法を提供することを目的とする。 A reference example aims to provide a probe apparatus and a probe method capable of promptly and efficiently performing a probe test.

本発明は、プローブにより印加される圧力によりメインチャックが傾くことを防止するプローブ装置を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the probe apparatus which prevents that a main chuck inclines with the pressure applied with a probe.

参考例に従って、下記を具備する、ウェハ状の基板上に配置された複数の被検査体を温度制御下で検査するプローブ装置が提供される。 According to a reference example , a probe apparatus is provided that inspects a plurality of objects to be inspected arranged on a wafer-like substrate under temperature control.

プローバ室、該プローバ室内に配置されたステージベース、該ステージベース上に配置されたX−Yステージ(該X−Yステージは、該X−Yステージを少なくともX−Y方向に移動させるためのX−Yステージ駆動機構を具備する)、該X−Yステージ上に配置されたZステージ(該Zステージは該Zステージを昇降させるためのZステージ昇降機構を具備する)、該Zステージ上に配置されたメインチャック(該メインチャックは、メインチャックをθ方向に回転させるための回転駆動機構、複数の加熱装置、熱交換器、及び温度制御装置を具備し、該複数の加熱装置の各々は、該複数の被検査体の各々及び該複数の被検査体よりなる群の各々のいずれかを加熱するのに適した大きさであり、該複数の加熱装置のそれぞれは温度センサを備える、また該熱交換器は該複数の加熱装置により加熱された被検査体を冷却する、また該温度制御装置は、該温度センサの検出結果に基づいてそれぞれの加熱装置、及び該熱交換器の少なくとも1つを制御する)、プローブカード(該プローブカードは、該プローバ室内において該メインチャックと対向して配置され、かつ複数のプローブを有する)。   A prober chamber, a stage base disposed in the prober chamber, an XY stage disposed on the stage base (the XY stage is configured to move the XY stage at least in the XY direction) -Equipped with a Y stage drive mechanism), a Z stage disposed on the XY stage (the Z stage comprises a Z stage lifting mechanism for raising and lowering the Z stage), disposed on the Z stage The main chuck (the main chuck includes a rotation drive mechanism for rotating the main chuck in the θ direction, a plurality of heating devices, a heat exchanger, and a temperature control device, and each of the plurality of heating devices includes: Each of the plurality of objects to be inspected and a size suitable for heating any one of the group of the plurality of objects to be inspected, each of the plurality of heating devices has a temperature sensor. The heat exchanger cools the object to be inspected heated by the plurality of heating devices, and the temperature control device detects each heating device and the heat exchanger based on the detection result of the temperature sensor. A probe card (the probe card is disposed opposite the main chuck in the prober chamber and has a plurality of probes).

参考例に基づく上記プローブ装置は、下記のさらに好ましい構成のいずれか、あるいはこれらの内のいずれかの組み合わせを具備することができる。 The probe device based on the reference example may include any of the following more preferable configurations, or any combination thereof.

該複数の加熱装置の各々は、該複数の被検査体の各々に対応したセル構造、及び該複数の被検査体よりなる群に対応したセル構造、のいずれかのセル構造を有し、該セル構造は、それぞれ個別の熱交換器を具備し、該温度制御装置は該加熱装置及び該熱交換器の少なくとも1つを制御することによって、各セル構造の温度を制御する。   Each of the plurality of heating devices has a cell structure corresponding to each of the plurality of test objects and a cell structure corresponding to a group consisting of the plurality of test objects, Each cell structure comprises a separate heat exchanger, and the temperature control device controls the temperature of each cell structure by controlling at least one of the heating device and the heat exchanger.

該複数のセルの構造は、互いのセルを仕切るための断熱材を具備する。   The structure of the plurality of cells includes a heat insulating material for partitioning the cells.

該メインチャックは、該Zステージ上にθステージを介して配置され、該回転駆動機構は、該θステージ上でメインチャックをθ方向に回転させる。   The main chuck is disposed on the Z stage via a θ stage, and the rotation driving mechanism rotates the main chuck in the θ direction on the θ stage.

本発明に従って、下記を具備する、ウェハ状の基板上に配置された複数の被検査体を検査するプローブ装置が提供される。 The present invention therefore comprises a below, a probe apparatus for inspecting a plurality of inspection object disposed in the wafer-shaped substrate is provided.

プローバ室、該プローバ室内に配置されたステージベース、該ステージベース上に配置されたZステージ(該Zステージは、該Zステージを昇降させるためのZステージ昇降機構を具備する)、該Zステージ上に配置されたX−Yステージ(該X−Yステージは第1の枠構造であって、その中心に第1の空間を有し、該X−Yステージを少なくともX及びY方向に移動させるためのX−Y移動駆動機構を具備する)、該X−Yステージ上に配置された基板固定機構(該基板固定機構は、第2の枠構造であって、その中心に該第1の空間と連続する第2の空間を有する)、プローブカード(該プローブカードは、該プローバ室内において該メインチャックと対向して配置され、かつ複数のプローブを有する)、該Zステージ上に固定されたプロービングステージ昇降機構、該プロービングステージ昇降機構に取り付けられ、かつ該第1の空間内に配置されたプロービングステージ該プロービングステージは、その軸心が該プローブカードのプローブ中心から垂下した延長線と一致するように配置され、該プロービングステージの上部平面の広さは、第1の空間を規定する第1の枠構造の内側の広さ及び第2の空間を規定する第2の枠構造の内側の広さよりも狭く、該上部平面は該プロービングステージが該プロービング昇降機構により上昇した際に、該基板の底面に接触して該基板を下方から支持する)。 A prober chamber, a stage base disposed in the prober chamber, a Z stage disposed on the stage base (the Z stage includes a Z stage lifting mechanism for raising and lowering the Z stage), and the Z stage (The XY stage has a first frame structure and has a first space at the center thereof, and the XY stage is moved at least in the X and Y directions.) XY movement drive mechanism), and a substrate fixing mechanism disposed on the XY stage (the substrate fixing mechanism has a second frame structure, and the first space and the center thereof) A second continuous space), a probe card (the probe card is disposed opposite to the main chuck in the prober chamber and has a plurality of probes), and a probe fixed on the Z stage Bing stage elevating mechanism mounted to the probing stage elevating mechanism, and probing stage (the probing stage disposed on the first space is consistent with extension of the axis thereof is suspended from the probe center of the probe card The width of the upper plane of the probing stage is set so that the inner width of the first frame structure defining the first space and the inner side of the second frame structure defining the second space are Narrower than the width , the upper plane comes into contact with the bottom surface of the substrate and supports the substrate from below when the probing stage is raised by the probing lift mechanism.

本願発明の上記の観点に基づく上記プローブ装置は、下記のさらに好ましい構成のいずれか、あるいはこれらの内のいずれかの組み合わせを具備することができる。   The probe device based on the above aspect of the present invention can have any of the following more preferable configurations, or any combination thereof.

該プロービングステージの上部平面の広さは、プローブカードの複数のプローブの先端が占める領域に対応している。   The width of the upper plane of the probing stage corresponds to the area occupied by the tips of the probes on the probe card.

該プロービングステージの上部平面の広さは、1つの被検査体の大きさに対応する大きさである。   The width of the upper plane of the probing stage is a size corresponding to the size of one object to be inspected.

該プロービングステージは、該複数の被検査体の内で、該プローブカードの複数のプローブが電気的に接触する少なくとも1つの被検査体を加熱するための加熱装置と、これら被検査体の温度及び加熱装置の温度の少なくとも1つを測定するための温度センサを備える。   The probing stage includes a heating device for heating at least one object to be in electrical contact with the plurality of probes of the probe card among the plurality of objects to be inspected, and the temperature of these objects to be inspected. A temperature sensor is provided for measuring at least one of the temperatures of the heating device.

該プロービングステージは、さらに被検査体を冷却するための熱交換器を備える。   The probing stage further includes a heat exchanger for cooling the object to be inspected.

該基板固定機構は、チャックプレート、チャックプレート固定機構、及び該チャックプレート固定機構をθ方向に回転させるための回転駆動機構を具備する。   The substrate fixing mechanism includes a chuck plate, a chuck plate fixing mechanism, and a rotation driving mechanism for rotating the chuck plate fixing mechanism in the θ direction.

該プロービングステージは着脱可能にプロービングステージ昇降機構に取り付けられる。   The probing stage is detachably attached to the probing stage lifting mechanism.

該チャックプレートは該チャックプレート固定機構に着脱可能に取り付けられる。   The chuck plate is detachably attached to the chuck plate fixing mechanism.

該X−Yステージ駆動機構は、X−YステージをZステージ上で少なくともX−Y方向に移動するX−Yステージ移動機構、及びX−YステージをZステージ上で円滑に移動可能に支持するX−Yステージ支持機構を備える。   The XY stage driving mechanism supports an XY stage moving mechanism that moves the XY stage at least in the XY direction on the Z stage, and an XY stage that can move smoothly on the Z stage. An XY stage support mechanism is provided.

該X−Yステージ移動機構はリニアモーター機構を具備する。   The XY stage moving mechanism includes a linear motor mechanism.

該X−Yステージ支持機構はエアベアリング機構を具備する。   The XY stage support mechanism includes an air bearing mechanism.

該チャックプレートは、基板を固定するための複数の押さえ具機構、及び基板を吸引固定する機構、及び基板を押さえるためのリング機構、のうちの少なくとも一つの機構を具備する。   The chuck plate includes at least one mechanism among a plurality of pressing member mechanisms for fixing the substrate, a mechanism for sucking and fixing the substrate, and a ring mechanism for pressing the substrate.

本発明の他の観点に従って、下記を具備する、プローブ装置における被検査体Wを検査する方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting an object to be inspected W in a probe apparatus, comprising:

(a)該チャックプレート上に被検査体を載置する、(b)該X−Yステージ駆動機構が該X−YステージをX、及びY方向に移動することにより、及び該回転駆動機構が該ウェハ固定機構を回転することにより、プローブカードと被検査体とを位置合わせする、この位置合わせの結果、被検査体は、その軸心が該プローブカードのプローブ中心から垂下した延長線と常に実質的に一致するように配置されているチャックプレートとも位置合わせされる、(c)該プロービングステージ昇降機構がプロービングステージを上昇させることにより、該プロービングステージとウェハ底面を接触させる、(d)該Zステージ昇降機構が該ZステージをZ方向に上昇させることにより、プローブに被検査体を接触させる、(e)該ZステージをさらにZ方向に上昇させることにより、被検査体をオーバードライブさせる、(f)被検査体の電気的特性を検査する、(g)該Zステージ昇降機構及び該プロービングステージ昇降機構の少なくとも1つの機構が該プロービングステージをZ方向に降下させることにより、プローブ、被検査体及びチャックプレートの間の接触を解除する、及び、(h)上記工程(b)乃至(g)を繰り返すことにより、所定の被検査体の全ての電気的特性を検査する。   (A) placing an object to be inspected on the chuck plate; (b) moving the XY stage in the X and Y directions by the XY stage driving mechanism; By rotating the wafer fixing mechanism, the probe card and the object to be inspected are aligned. As a result of this alignment, the object to be inspected always has an extension line whose axis is suspended from the probe center of the probe card. (C) the probing stage elevating mechanism raises the probing stage to bring the probing stage into contact with the bottom surface of the wafer; (d) A Z stage elevating mechanism raises the Z stage in the Z direction so that the object to be inspected is brought into contact with the probe; and (e) the Z stage is further moved. (D) inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected, and (g) at least one mechanism of the Z stage elevating mechanism and the probing stage elevating mechanism. By lowering the probing stage in the Z direction, the contact between the probe, the object to be inspected and the chuck plate is released, and (h) by repeating the steps (b) to (g) above, a predetermined target object is obtained. Inspect all electrical properties of the specimen.

上記方法は、さらに下記構成のいずれかを、或いは下記構成のいずれかを組み合わせて具備することが好ましい。   It is preferable that the method further includes any one of the following configurations or a combination of any of the following configurations.

(f)において、被検査体をオーバードライブさせる機構は、該Zステージ昇降機構及び該プロービングステージ昇降機構のうちの少なくとも一つである。   In (f), the mechanism for overdriving the object to be inspected is at least one of the Z stage elevating mechanism and the probing stage elevating mechanism.

該プロービングステージは、該複数の被検査体の内で、該プローブカードの複数のプローブが電気的に接触する被検査体を加熱するための加熱装置と、これら被検査体の温度及び加熱装置の温度の少なくとも1つを測定するための温度センサを備えており、該(f)被検査体の電気的特性を検査するに先立って、被検査体は、該加熱装置及び温度センサにより所定の温度に維持される。   The probing stage includes a heating device for heating a test object that is in electrical contact with the plurality of probes of the probe card, and the temperature of the test object and the heating device. A temperature sensor for measuring at least one of the temperatures; (f) prior to inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected, the object to be inspected has a predetermined temperature by the heating device and the temperature sensor; Maintained.

さらに被検査体を冷却するための熱交換器を備え、該(f)被検査体の電気的特性を検査するに先立って、被検査体は、該加熱装置、温度センサ及び熱交換器により所定の温度に維持される。   Furthermore, a heat exchanger for cooling the object to be inspected is provided, and (f) prior to inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected, the object to be inspected is predetermined by the heating device, the temperature sensor, and the heat exchanger. Maintained at a temperature of

参考例によれば、被検査体の各々を加熱するのに適した大きさを有する複数の加熱装置、温度センサ、熱交換器、及び温度制御装置を具備するメインチャックを備えた構成により、被検査体を効率よく温度制御できることを容易とするプローブ装置を提供することができる。 According to the reference example, the configuration includes a plurality of heating devices having a size suitable for heating each object to be inspected, a temperature sensor, a heat exchanger, and a main chuck including a temperature control device. It is possible to provide a probe device that facilitates efficient temperature control of an inspection object.

また、参考例によれば、複数の加熱装置の各々が、複数の被検査体の各々に対応した配置、及び該複数の被検査体の内の複数の被検査体よりなる一群に対応した配置、のいずれかに配置されている構成により、被検査体を効率よく温度制御することを容易とするプローブ装置を提供することができる。 Further, according to the reference example , each of the plurality of heating devices is disposed corresponding to each of the plurality of objects to be inspected, and disposed corresponding to a group of the plurality of objects to be inspected among the plurality of objects to be inspected. The probe apparatus which makes it easy to carry out temperature control of a to-be-inspected object efficiently can be provided by the structure arrange | positioned in any of these.

また、参考例によれば、複数の加熱装置が、複数の被検査体の各々に対応したセル構造、及び複数の被検査体の内の複数の被検査体よりなる一群に対応したセル構造、のいずれかのセル構造有し、温度制御装置によって各セルの温度が制御される構成により、被検査体を効率よく温度制御することを容易とするプローブ装置を提供することができる。 Further, according to the reference example , the plurality of heating devices have a cell structure corresponding to each of the plurality of objects to be inspected, and a cell structure corresponding to a group of a plurality of objects to be inspected among the plurality of objects to be inspected, Thus, a probe device that makes it easy to efficiently control the temperature of an object to be inspected can be provided by the configuration in which any of the cell structures is provided and the temperature of each cell is controlled by the temperature control device.

また、参考例によれば、セル構造が互いのセルを仕切るための断熱材を具備する構成により、隣接するセルの温度の影響を受け難く被検査体を効率よく温度制御することを容易とするプローブ装置を提供することができる。 In addition, according to the reference example , the structure in which the cell structure includes the heat insulating material for partitioning each other cell makes it easy to efficiently control the temperature of the object to be inspected without being affected by the temperature of the adjacent cells. A probe device can be provided.

また、本願発明の実施例によれば、中心に空間を有し、X−Y移動機構を具備するX−Yステージ、基板固定機構、プロービングステージを具備する構成により、メインチャックの傾きをなくしウェハ周縁部の被検査体でも安定して検査することを容易とするプローブ装置を提供することができる。   Further, according to the embodiment of the present invention, a wafer having a space in the center and having an XY stage having an XY movement mechanism, a substrate fixing mechanism, and a probing stage can eliminate the inclination of the main chuck. It is possible to provide a probe device that makes it easy to stably inspect even a peripheral object.

また、本願発明の実施例によれば、プロービングステージに加熱装置、熱交換器、温度制御装置を具備する構成により、メインチャックの傾きをなくしウェハ周縁部の被検査体でも安定して検査することができるとともに、被検査体を効率よく温度制御することを容易とするプローブ装置を提供することができる。   According to the embodiment of the present invention, the probing stage is provided with a heating device, a heat exchanger, and a temperature control device, so that the tilt of the main chuck is eliminated and the inspected object at the wafer peripheral portion can be inspected stably. It is possible to provide a probe device that can easily control the temperature of an object to be inspected efficiently.

また、本願発明の実施例によれば、プロービングステージの上部表面の広さを1つの被検査体の大きさに対応する広さとする構成により、被検査体を効率よく温度制御することが容易であるプローブ装置を提供することができる。   In addition, according to the embodiment of the present invention, it is easy to efficiently control the temperature of the object to be inspected by the configuration in which the width of the upper surface of the probing stage is made to correspond to the size of one object to be inspected. A probe device can be provided.

また、本願発明の実施例によれば、プロービングステージを交換可能とする構成により、検査対象に適したプロービングステージを選択することを容易とするプローブ装置を提供することができる。   In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a probe device that makes it easy to select a probing stage suitable for an inspection object by using a configuration in which the probing stage can be replaced.

以下、図に基づいて第一の参考例を説明する。図1は、第一の参考例におけるプローブ装置100の本体断面図である。本参考例によるプローブ装置100は、プローバ室29を有する。このプローバ室29の下部にはステージベース2が備えられる。ステージベースの上には、X−Yステージ12、Zステージ10、及びメインチャック6が、Z方向に並んで配置される。またプローバ室29内の上部には、プローブカード14がメインチャック6と対向して配置され得る。プローブカード14は複数のプローブ26を有し、この複数のプローブ26を使用して、メインチャック6に載置された被検査体の電気的特性を検査する。X−Yステージとは、X及びY方向に移動可能なステージを表す。このステージは、X方向に移動する構造体とY方向に移動する構造体との組み合わせでもよいが、一の構造体がX及びYの両方向に移動する構造体でもよい。 Hereinafter, a first reference example will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a main body of a probe device 100 according to a first reference example . The probe device 100 according to this reference example has a prober chamber 29. A stage base 2 is provided below the prober chamber 29. On the stage base, the XY stage 12, the Z stage 10, and the main chuck 6 are arranged side by side in the Z direction. In addition, the probe card 14 can be disposed in the upper portion of the prober chamber 29 so as to face the main chuck 6. The probe card 14 has a plurality of probes 26, and the plurality of probes 26 are used to inspect the electrical characteristics of the object to be inspected placed on the main chuck 6 . The XY stage represents a stage movable in the X and Y directions. This stage may be a combination of a structure that moves in the X direction and a structure that moves in the Y direction, or may be a structure in which one structure moves in both the X and Y directions.

図2は、図1のプローブ装置の主要部を拡大した図である。ステージベース2の上にはX−Yステージ12がX−Yステージ駆動機構16を介して配置される。X−Yステージ12はXステージ12a及びYステージ12bを具備し、X−Yステージ駆動機構16は、Xガイドレール及び駆動機構16a並びにYガイドレール及び駆動機構16bを具備する。X−Yステージ12は、X−Yステージ駆動機構16によりX及びY方向に移動することが可能である。   FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the probe device of FIG. An XY stage 12 is disposed on the stage base 2 via an XY stage driving mechanism 16. The XY stage 12 includes an X stage 12a and a Y stage 12b, and the XY stage drive mechanism 16 includes an X guide rail and drive mechanism 16a and a Y guide rail and drive mechanism 16b. The XY stage 12 can be moved in the X and Y directions by an XY stage driving mechanism 16.

参考例において、Yステージ12bは、ステージベース2上にYガイドレール及び駆動機構16bを介して取り付けられ、Yガイドレールに沿って移動することが可能である。また、Xステージ12aは、Yステージ上においてXガイドレール及び駆動機構16aを介して取り付けられ、Xガイドレールに沿って移動することが可能である。 In this reference example , the Y stage 12b is mounted on the stage base 2 via the Y guide rail and the drive mechanism 16b, and can move along the Y guide rail. The X stage 12a is mounted on the Y stage via the X guide rail and the drive mechanism 16a, and can move along the X guide rail.

Zステージ10は、Xステージ12aの上にZステージ昇降機構31を介して取り付けられている。Zステージ昇降機構31は、Zステージガイド15及びZステージ駆動機構8を具備する。Zステージガイド15は、Zステージの昇降をガイドするZガイド15aと、Z方向と平行にX−Yステージ12に取り付けられたZガイドレール15bと、Xステージに固定されたZガイドレール15bを支持する補強具15cとから構成されることができる。Zステージ駆動機構8は、例えばXステージ上に配置されたモーター8aと、モーターにより回転駆動されるボールネジ8bと、ボールネジ8bと勘合しZステージに固定されたナット部材8cから構成されることができる。モーター8aがボールネジ8bを回転させることによって、ナット部材8cはボールネジ8bに沿って上下に移動する。この移動によりZステージはZガイド15aを介してZガイドレール15bに従って昇降する。Zガイド15aには例えばベアリングなどを用いることができる。   The Z stage 10 is mounted on the X stage 12a via a Z stage lifting mechanism 31. The Z stage elevating mechanism 31 includes a Z stage guide 15 and a Z stage drive mechanism 8. The Z stage guide 15 supports a Z guide 15a that guides the elevation of the Z stage, a Z guide rail 15b that is attached to the XY stage 12 in parallel with the Z direction, and a Z guide rail 15b that is fixed to the X stage. And a reinforcing tool 15c. The Z stage drive mechanism 8 can be composed of, for example, a motor 8a disposed on the X stage, a ball screw 8b that is rotationally driven by the motor, and a nut member 8c that is fitted to the ball screw 8b and fixed to the Z stage. . When the motor 8a rotates the ball screw 8b, the nut member 8c moves up and down along the ball screw 8b. By this movement, the Z stage moves up and down along the Z guide rail 15b via the Z guide 15a. For example, a bearing or the like can be used for the Z guide 15a.

Zステージ上にはθステージ13が配置されることができる。θステージ13上に回転駆動機構17が配置されることができる。さらに、θステージ13の上にウェハを載置するためのメインチャック6が配置される。メインチャック6は、θガイドレール21を介してθステージ13に取り付けられ、回転駆動機構17によってθガイドレール21に沿って回転させられる。本参考例においては、回転駆動機構17はθステージ13上に取り付けられたが、Zステージに直接取り付けられることもできる。この場合、θステージ13を省略することができるが、Zステージの上部平面は大きくすることが好ましい。 A θ stage 13 can be disposed on the Z stage. A rotation drive mechanism 17 can be disposed on the θ stage 13. Further, a main chuck 6 for placing a wafer on the θ stage 13 is disposed. The main chuck 6 is attached to the θ stage 13 via the θ guide rail 21 and is rotated along the θ guide rail 21 by the rotation drive mechanism 17. In this reference example , the rotational drive mechanism 17 is mounted on the θ stage 13, but it can also be mounted directly on the Z stage. In this case, the θ stage 13 can be omitted, but the upper plane of the Z stage is preferably enlarged.

メインチャック6は、載置されたウェハを保持するための基板固定機構23を具備することができる。基板固定機構23のを図3に示した。図3において、メインチャック6は、例えばその表面に形成された溝23a及び該溝23aに接続する給排気用の管23bを備える。真空ポンプ22によって給排気用の管23bを介して溝23aを真空引きすることにより、ウェハはメインチャック6の表面に吸引固定されることができる。基板固定機構としてはその他に、静電気を用いた吸着機構や機械的な固定機構などを用いることができる。 The main chuck 6 can include a substrate fixing mechanism 23 for holding a mounted wafer. An example of the substrate fixing mechanism 23 is shown in FIG. In FIG. 3, the main chuck 6 includes, for example, a groove 23a formed on the surface thereof, and a supply / exhaust pipe 23b connected to the groove 23a. The wafer can be sucked and fixed to the surface of the main chuck 6 by evacuating the groove 23 a through the air supply / exhaust tube 23 b by the vacuum pump 22. In addition, as the substrate fixing mechanism, a suction mechanism using static electricity or a mechanical fixing mechanism can be used.

図2において、メインチャック6は、メインチャックに載置されたウェハ上の被検査体を加熱するための複数の加熱装置18を備える。それぞれの加熱装置は温度センサ19を備えることができる。各加熱装置は、一つの被検査体或いは複数の被検査体からなる一群を加熱するのに適した大きさを有し、ウェハ上の被検査体の配置に対応した配置で備えられる。即ち、一つの加熱装置は、載置された被検査体の一つ或いは一群に相当する大きさであり、一つの加熱装置と一つ或いは一群の被検査体が合致するように配置される。これにより、一つの加熱装置が一つ或いは一群の被検査体を的確に加熱することが可能である。   In FIG. 2, the main chuck 6 includes a plurality of heating devices 18 for heating an object to be inspected on a wafer placed on the main chuck. Each heating device can be provided with a temperature sensor 19. Each heating apparatus has a size suitable for heating one inspection object or a group of a plurality of inspection objects, and is provided in an arrangement corresponding to the arrangement of the inspection objects on the wafer. That is, one heating device has a size corresponding to one or a group of mounted inspection objects, and is arranged so that one heating device and one or a group of inspection objects match. Thus, one heating device can accurately heat one or a group of objects to be inspected.

さらに、メインチャック6は被検査体を冷却するための熱交換器20を備えることができる。熱交換器20は、流体給排路20a及び流体供給器20bを備え、熱伝導性に優れた流体を流体給排路20a内に循環させることにより、加熱装置により加熱された被検査体を冷却する。また、高温度に発熱する集積回路の電気的特性を検査する場合などには、被検査体の過熱を防ぐために熱交換器20が用いられることもできる。   Further, the main chuck 6 can include a heat exchanger 20 for cooling the object to be inspected. The heat exchanger 20 includes a fluid supply / discharge passage 20a and a fluid supply 20b, and cools the object to be inspected heated by the heating device by circulating a fluid having excellent thermal conductivity in the fluid supply / discharge passage 20a. To do. Further, when inspecting the electrical characteristics of an integrated circuit that generates heat at a high temperature, the heat exchanger 20 can be used to prevent overheating of the device under test.

また、本参考例によるプローブ装置は温度制御装置27を備える。温度制御装置は、それぞれの加熱装置18、温度センサ19、及び熱交換器20と接続される。温度制御装置27は、温度センサ19の検出結果に基づいてそれぞれの加熱装置或いは熱交換器の少なくとも1つを制御し、被検査体を所定の温度にすることができる。 In addition, the probe device according to this reference example includes a temperature control device 27. The temperature control device is connected to each heating device 18, temperature sensor 19, and heat exchanger 20. The temperature control device 27 can control at least one of the respective heating devices or heat exchangers based on the detection result of the temperature sensor 19 to bring the object to be inspected to a predetermined temperature.

図4に、第二の参考例におけるプローブ装置100の主要部を示す。第二の参考例は、第一の参考例のプローブ装置100に加えて、メインチャックに備えられた加熱装置がセル構造9を有する。それぞれのセル構造9には、加熱装置、温度センサ、及び熱交換器が配置されることができる。温度制御装置27は、各セルの加熱装置18、温度センサ19、及び熱交換器20と接続され、温度センサの検出結果に基づいて、各セルを個別に温度制御することができる。 In FIG. 4, the principal part of the probe apparatus 100 in a 2nd reference example is shown. In the second reference example , in addition to the probe device 100 of the first reference example , the heating device provided in the main chuck has a cell structure 9. Each cell structure 9 can be equipped with a heating device, a temperature sensor, and a heat exchanger. The temperature control device 27 is connected to the heating device 18, the temperature sensor 19, and the heat exchanger 20 of each cell, and can control the temperature of each cell individually based on the detection result of the temperature sensor.

図4のA−A線におけるメインチャック6の横断面図を図5に示した。それぞれのセル構造9は、メインチャック6に載置された被検査体の配置に対応した配置、或いは複数の被検査体からなる一群の配置に対応した配置とすることが好ましい。即ち、一つのセル或いは複数のセルが、メインチャック上に載置された被検査体の一つ或いは一群に合致するように配置される。各セルには加熱装置、温度センサ及び熱交換器が配置されているため、一つ或いは一群の被検査体を的確に加熱或いは冷却することができる。さらに、それぞれのセル構造9は、互いを仕切るための断熱材40を具備することによって、隣接するセルの温度に影響され難い環境で被検査体を所定の温度に制御することが可能である。   A cross-sectional view of the main chuck 6 taken along line AA in FIG. 4 is shown in FIG. Each cell structure 9 preferably has an arrangement corresponding to the arrangement of the objects to be inspected placed on the main chuck 6 or an arrangement corresponding to an arrangement of a group of a plurality of objects to be inspected. That is, one cell or a plurality of cells are arranged so as to match one or a group of objects to be inspected placed on the main chuck. Since each cell is provided with a heating device, a temperature sensor, and a heat exchanger, one or a group of objects to be inspected can be accurately heated or cooled. Furthermore, each cell structure 9 is provided with the heat insulating material 40 for partitioning each other, so that the object to be inspected can be controlled to a predetermined temperature in an environment that is hardly affected by the temperature of the adjacent cells.

次に、第一及び第二の参考例の動作について説明する。図1において、搬送機構(図示せず)によってカセットC内から取り出されたウェハWは、メインチャック6上へ移動され、載置される。上記した基板固定機構23がウェハを固定した後、プローバ室29内に備えられた上下のカメラ39,38を用いてウェハの位置合わせが行われる。ウェハの位置合わせは、Yステージ12bをYガイドレール16bに従って移動させて、またXステージ12aをXガイドレール16aに従って移動させて行う。X及びY方向の位置合わせと前後して、θ方向の位置合わせを行う。θ方向の位置合わせは、回転駆動機構17がメインチャック6をθガイドレール17bに従って回転させて行う。 Next, operations of the first and second reference examples will be described. In FIG. 1, a wafer W taken out from the cassette C by a transfer mechanism (not shown) is moved onto the main chuck 6 and placed thereon. After the substrate fixing mechanism 23 fixes the wafer, the wafer is aligned using the upper and lower cameras 39, 38 provided in the prober chamber 29. The wafer is aligned by moving the Y stage 12b according to the Y guide rail 16b and moving the X stage 12a according to the X guide rail 16a. The alignment in the θ direction is performed before and after the alignment in the X and Y directions. The alignment in the θ direction is performed by the rotation drive mechanism 17 rotating the main chuck 6 according to the θ guide rail 17b.

ウェハの位置合わせが終了し、Zステージ10が上昇することによってプローブとウェハが接触する。この接触後、Zステージをさらに上昇させてオーバードライブされた状態で検査を開始する。温度制御装置による被検査体の温度制御は、検査直前或いは位置合わせの最中から行われ、被検査体が所定の温度に達した後にプローブを使用して被検査体の電気的特性が検査される。   After the alignment of the wafer is completed and the Z stage 10 is raised, the probe and the wafer come into contact with each other. After this contact, the inspection is started with the Z stage further raised and overdriven. The temperature control of the object to be inspected by the temperature control device is performed immediately before the inspection or in the middle of alignment, and after the object reaches the predetermined temperature, the electrical characteristics of the object to be inspected are inspected using a probe. The

図6に、本願発明の第一の実施例におけるプローブ装置100の主要部を示す。第一の実施例によるプローブ装置は、プローバ室29の下部にステージベース2を備え、その上にZステージ10がZステージ昇降機構31を介して取り付けられる。Zステージ昇降機構31は、上記第一の参考例とは異なりステージベース2上に配置されることができるが、その他の構成及び動作は、上記第一の参考例と同様である。Zステージ昇降機構31を構成するZステージ駆動機構8は、図6及び7に示すようにステージベース2の中央に一箇所備えられることもできるが、図8及び9に示すように、複数箇所に備えられることもできる。 FIG. 6 shows a main part of the probe apparatus 100 in the first embodiment of the present invention. The probe apparatus according to the first embodiment includes a stage base 2 at a lower portion of a prober chamber 29, and a Z stage 10 is mounted thereon via a Z stage lifting mechanism 31. Unlike the first reference example , the Z stage elevating mechanism 31 can be disposed on the stage base 2, but the other configurations and operations are the same as those of the first reference example . As shown in FIGS. 6 and 7, the Z stage drive mechanism 8 constituting the Z stage elevating mechanism 31 can be provided at one place in the center of the stage base 2. However, as shown in FIGS. It can also be provided.

図6において、Zステージ10の上にはX−Yステージ12が配置される。このX−Yステージは、X−Yステージ駆動機構16を具備し、Zステージ上をX及びY方向に移動することができる。X−Yステージ駆動機構16は、X−YステージをZステージ上でX−Y方向に移動するX−Yステージ移動機構16c、及びX−YステージをZステージ上で円滑に移動可能に支持するX−Yステージ支持機構16dを備えることができる。このX−Yステージ移動機構16cとしては例えばリニアモーター機構などを採用することができる。また、X−Yステージ支持機構16dとしては例えばエアベアリング機構などを採用することができる。X−Yステージ駆動機構16は、ZステージとX−Yステージとの間に備えられても良いが、ZステージとX−Yステージのそれぞれに組み込まれ、各ステージと一体で構成されても良い。本実施例では、X−Yステージ駆動機構16としてHIWIN CORPORATION製のLMSPを改良して採用することができる。LMSPは、エアベアリングを備えたリニアモーター式の制御システムである。LMSPを採用したステージ駆動機構16は、ステージの下面から圧縮空気を噴き出すことで、ステージをわずかに浮上させ支持する。この状態でステージに備えられたリニアモーター機構がステージをX,Y方向に移動させる。   In FIG. 6, an XY stage 12 is disposed on the Z stage 10. This XY stage includes an XY stage drive mechanism 16 and can move in the X and Y directions on the Z stage. The XY stage driving mechanism 16 supports the XY stage moving mechanism 16c that moves the XY stage in the XY direction on the Z stage, and the XY stage so that the XY stage can move smoothly on the Z stage. An XY stage support mechanism 16d can be provided. As the XY stage moving mechanism 16c, for example, a linear motor mechanism can be adopted. Further, as the XY stage support mechanism 16d, for example, an air bearing mechanism or the like can be adopted. The XY stage drive mechanism 16 may be provided between the Z stage and the XY stage, but may be incorporated in each of the Z stage and the XY stage and may be configured integrally with each stage. . In the present embodiment, an LMSP manufactured by HIWIN CORPORATION can be used as the XY stage driving mechanism 16 by improving it. The LMSP is a linear motor type control system provided with an air bearing. The stage driving mechanism 16 adopting LMSP blows up compressed air from the lower surface of the stage, thereby slightly floating the stage and supporting it. In this state, the linear motor mechanism provided in the stage moves the stage in the X and Y directions.

X−Yステージ12は中心に空間を有する枠状構造をしており、これを第1の枠状構造、その中心の空間を第1の空間11aとすることができる。この第1の枠状構造は、特に円環状構造であることが好ましい。このX−Yステージ12上に、ウェハを保持するための基板固定機構23が備えられる。基板固定機構23も枠状構造をしており、これを第2の枠状構造とすることができる。第2の枠状構造の中心にあり、該第1の空間に連続する空間を第2の空間11bとすることができる。基板固定機構23は、第2の空間11bを覆う配置でウェハを保持するために、ウェハを保持するチャックプレート5、チャックプレートが固定されたチャックプレート固定機構4を具備することができる。チャックプレート5及びチャックプレート固定機構4の両者或いは、少なくともチャックプレート5は、枠状構造であることが好ましく、この枠状構造は、特に円環状構造であることが好ましい。チャックプレート固定機構4は、θガイドレール21を介してX−Yステージに取り付けられることができ、同じくX−Yステージ上に配置された回転駆動機構17によってθ方向に回転されることができる。   The XY stage 12 has a frame-like structure having a space at the center, and this can be a first frame-like structure, and the center space can be a first space 11a. The first frame-like structure is particularly preferably an annular structure. A substrate fixing mechanism 23 for holding the wafer is provided on the XY stage 12. The substrate fixing mechanism 23 also has a frame-like structure, which can be a second frame-like structure. A space that is at the center of the second frame-like structure and continues to the first space can be used as the second space 11b. The substrate fixing mechanism 23 can include a chuck plate 5 for holding the wafer and a chuck plate fixing mechanism 4 to which the chuck plate is fixed in order to hold the wafer in an arrangement covering the second space 11b. Both the chuck plate 5 and the chuck plate fixing mechanism 4 or at least the chuck plate 5 preferably have a frame-like structure, and this frame-like structure preferably has an annular structure. The chuck plate fixing mechanism 4 can be attached to the XY stage via the θ guide rail 21, and can be rotated in the θ direction by the rotation driving mechanism 17 that is also arranged on the XY stage.

ウェハWはチャックプレート5に保持される。チャックプレート5はウェハWを保持するための構造を有し、その構造の実施例が図10乃至図12bに示されている。図10はチャックプレートの一つの実施例であり、チャックプレートにヒンジ37により回転可能に取り付けられた押さえ具34が、チャックプレートに載置されたウェハを固定する。押さえ具34はマニュアルで上下することができるが、自動化されることも可能である。押さえ具34の上下を自動化する場合、駆動機構30によって押さえ具34が上げられた状態においてチャックプレート5上にウェハが載置され、続いて該駆動機構が押さえ具を下げることによりウェハが固定される。この押さえ具34は、チャックプレート5の複数箇所に備えられることができる。図11はチャックプレート5の他の実施例である。チャックプレート5はその内部に吸排気口36及び吸排気管35を備える。ウェハがチャックプレート上に載置された状態で、真空ポンプ22が吸排気口36及び吸排気管35を真空引きすることにより、ウェハはチャックプレートに吸引固定されることができる。   The wafer W is held on the chuck plate 5. The chuck plate 5 has a structure for holding the wafer W, and an example of the structure is shown in FIGS. 10 to 12b. FIG. 10 shows an embodiment of the chuck plate, and a pressing tool 34 rotatably attached to the chuck plate by a hinge 37 fixes the wafer placed on the chuck plate. The presser 34 can be manually moved up and down, but can also be automated. When the upper and lower parts of the presser 34 are automated, the wafer is placed on the chuck plate 5 in a state where the presser 34 is raised by the drive mechanism 30, and then the wafer is fixed by the drive mechanism lowering the presser. The The presser 34 can be provided at a plurality of locations on the chuck plate 5. FIG. 11 shows another embodiment of the chuck plate 5. The chuck plate 5 includes an intake / exhaust port 36 and an intake / exhaust pipe 35 therein. When the wafer is placed on the chuck plate, the vacuum pump 22 evacuates the intake / exhaust port 36 and the intake / exhaust pipe 35 so that the wafer can be sucked and fixed to the chuck plate.

図12a及び12bはさらに別の実施例であり、図12bに示されるようなリング状部材33によってウェハを固定する。リング状部材33はその外周の複数箇所、好ましくは2箇所に、支柱32を有する。この支柱32はチャックプレート5に昇降可能に配置される。図12aは、リング状部材33を具備するチャックプレート5の断面図である。駆動機構30が支柱32を持ち上げた状態で、チャックプレート5上にウェハが載置される。その後、駆動機構30が支柱32を降下させることにより、リング状部材33がウェハを押圧し、ウェハがチャックプレート上に固定されることができる。   12a and 12b show still another embodiment, and the wafer is fixed by a ring-shaped member 33 as shown in FIG. 12b. The ring-shaped member 33 has struts 32 at a plurality of positions on the outer periphery, preferably at two positions. The support column 32 is disposed on the chuck plate 5 so as to be movable up and down. FIG. 12 a is a cross-sectional view of the chuck plate 5 having the ring-shaped member 33. The wafer is placed on the chuck plate 5 with the drive mechanism 30 lifting the support 32. Thereafter, when the drive mechanism 30 lowers the support 32, the ring-shaped member 33 presses the wafer, and the wafer can be fixed on the chuck plate.

上記複数の実施例において、チャックプレート5はチャックプレート固定機構4に固定されているが、着脱可能に取り付けられることもできる。その場合、プローブ装置外で予めウェハが固定されたチャックプレート5を、チャックプレート固定機構4に取り付けることも可能である。このチャックプレート5に載置されたウェハWと対向するように、複数のプローブ26を有するプローブカード14がプローバ室内上部に配置されている。   In the above embodiments, the chuck plate 5 is fixed to the chuck plate fixing mechanism 4, but it can be detachably attached. In that case, the chuck plate 5 on which the wafer is fixed beforehand outside the probe device can be attached to the chuck plate fixing mechanism 4. A probe card 14 having a plurality of probes 26 is arranged in the upper portion of the prober chamber so as to face the wafer W placed on the chuck plate 5.

図6に示したように、第1の空間11a及び第2の空間11b内において、プロービングステージ3がZステージ上に配置される。プロービングステージ3は、その軸心が該プローブカード14のプローブ中心から垂下した延長線と一致するように配置されることが好ましい。プロービングステージ3はその下部にプロービングステージ3を昇降させるためのプロービングステージ昇降機構24を備えることができる。このプロービングステージ昇降機構によってプロービングステージ3が上昇すると、プロービングステージの上部平面3aがチャックプレート5に固定されたウェハWの底面に接触する。プロービングステージ3は、ウェハWに接触することによりプローブ検査時にウェハを下方から支持する。そのためプロービングステージ3の上部は平面である。プロービングステージ3の上部平面3aの広さは、第1の空間11aを規定する第1の枠構造(X−Yステージ12)の内側の広さ及び第2の空間11bを規定する第2の枠構造(基板固定機構23)の内側の広さよりも狭く、プローブカードの複数のプローブの先端が占める領域、即ち一度に検査可能な最大領域、に対応する大きさである。ここで対応する大きさとは、該領域より広いことを表す。 As shown in FIG. 6, the probing stage 3 is disposed on the Z stage in the first space 11a and the second space 11b. The probing stage 3 is preferably arranged so that its axis coincides with an extended line depending from the probe center of the probe card 14. The probing stage 3 can be provided with a probing stage elevating mechanism 24 for elevating the probing stage 3 at the lower part thereof. When the probing stage 3 is raised by the probing stage lifting mechanism, the upper flat surface 3 a of the probing stage comes into contact with the bottom surface of the wafer W fixed to the chuck plate 5. The probing stage 3 supports the wafer from below by contacting the wafer W during probe inspection. Therefore, the upper part of the probing stage 3 is a plane. The width of the upper flat surface 3a of the probing stage 3 is defined as the inner width of the first frame structure (XY stage 12) that defines the first space 11a and the second frame that defines the second space 11b. The size is narrower than the area inside the structure (substrate fixing mechanism 23) and corresponds to the area occupied by the tips of a plurality of probes of the probe card, that is, the maximum area that can be inspected at one time. Here, the corresponding size means wider than the region.

プロービングステージ昇降機構24はプロービングステージ3を昇降する。プロービングステージ昇降機構24は、Zステージ上に固定されており、例えばモーター24aと、モーター24aに固定されたボールネジ部材24bと、プロービングステージ3に固定されたナット部材24cとから構成されることができる。ボールネジ部材24bはナット部材24cに螺合する。モーター24aがボールネジ24bを回転することにより、プロービングステージ3は昇降する。モーター24aは、図6乃至図8に示したようにZステージ10上に配置されることができるが、図9に示したようにZステージ10内部に配置されることもできる。   The probing stage lifting mechanism 24 moves the probing stage 3 up and down. The probing stage raising / lowering mechanism 24 is fixed on the Z stage, and can be composed of, for example, a motor 24a, a ball screw member 24b fixed to the motor 24a, and a nut member 24c fixed to the probing stage 3. . The ball screw member 24b is screwed into the nut member 24c. As the motor 24a rotates the ball screw 24b, the probing stage 3 moves up and down. The motor 24a can be arranged on the Z stage 10 as shown in FIGS. 6 to 8, but it can also be arranged inside the Z stage 10 as shown in FIG.

次に、第一の実施例の動作について説明する。図6において、搬送機構(図示せず)によってカセットC内から取り出されたウェハWは、チャックプレート5に載置される(a)。チャックプレート5がウェハを固定すると、上記した位置合わせ手段とX−Yステージ12をX及びY方向に移動させるX−Yステージ駆動機構16により、被検査体の位置合わせが行われる(b1)。この時、プロービングステージ3及びその昇降機構24はZステージ10に固定されているため移動しない。続いて回転駆動機構17がウェハ固定機構23を回転しつつ、位置合わせ機構と協働して、θ方向の位置が決定される(b2)。X,Y,及びθ方向の位置が決定されると、プロービングステージ3が昇降機構24によって上昇し、プロービングステージ3の上部平面がウェハWの底面に接触する(c)。Zステージ昇降機構31がZステージ10を上昇させることにより、被検査体がプローブと接触する(d)。この状態から、Zステージ昇降機構31又はプロービングステージ昇降機構24の少なくとも1つをさらに上昇させることにより、ウェハWをプローブカードに向けてオーバードライブさせる(e)。この状態で被検査体の検査が実施される(f)。検査が終了した後、Zステージ昇降機構31又はプロービングステージ昇降機構24の少なくとも1つを降下させることによりオーバードライブを解除し、さらにZステージ昇降機構31がZステージ10を降下させてプローブから被検査体を離す(g1)。続いて昇降機構24がプロービングステージ3をわずかに降下させ、その上部平面をウェハ底面から離す(g2)。そして、次に検査される被検査体のための位置合わせが再び行われ、同様の手順によって次の被検査体が検査される。 Next, the operation of the first embodiment will be described. In FIG. 6, the wafer W taken out from the cassette C by the transfer mechanism (not shown) is placed on the chuck plate 5 (a). When the chuck plate 5 fixes the wafer, the alignment of the object to be inspected is performed by the alignment means and the XY stage driving mechanism 16 that moves the XY stage 12 in the X and Y directions (b1). At this time, since the probing stage 3 and its lifting mechanism 24 are fixed to the Z stage 10, they do not move. Subsequently, while the rotation driving mechanism 17 rotates the wafer fixing mechanism 23, the position in the θ direction is determined in cooperation with the alignment mechanism (b2). When the positions in the X, Y, and θ directions are determined, the probing stage 3 is raised by the elevating mechanism 24, and the upper plane of the probing stage 3 contacts the bottom surface of the wafer W (c). When the Z stage elevating mechanism 31 raises the Z stage 10, the object to be inspected comes into contact with the probe (d). From this state, the wafer W is overdriven toward the probe card by further raising at least one of the Z stage elevating mechanism 31 or the probing stage elevating mechanism 24 (e). In this state, the inspection object is inspected (f). After the inspection is completed, the overdrive is released by lowering at least one of the Z stage elevating mechanism 31 or the probing stage elevating mechanism 24, and the Z stage elevating mechanism 31 lowers the Z stage 10 to inspect from the probe. Release the body (g1). Subsequently, the elevating mechanism 24 slightly lowers the probing stage 3 and separates the upper plane from the bottom surface of the wafer (g2). Then, alignment for the inspection object to be inspected next is performed again, and the next inspection object is inspected by the same procedure.

X、Y、及びθ方向の位置合わせは、上記した順序に限らず、いずれの方向の位置合わせからでも行うことが可能である。また、上記の方法においてオーバードライブはZステージ10を上昇させて行われたが、プロービングステージ3がウェハWと接触し、また被検査体がプローブ26と接触している状態において、昇降機構24がプロービングステージ3をさらに上昇させることによりオーバードライブを行うことも可能である。   The alignment in the X, Y, and θ directions is not limited to the order described above, and can be performed from any alignment. In the above method, the overdrive is performed by raising the Z stage 10, but when the probing stage 3 is in contact with the wafer W and the inspection object is in contact with the probe 26, the lifting mechanism 24 is It is also possible to perform overdrive by further raising the probing stage 3.

上記プロービングステージ3は、プロービングステージ昇降機構を介してステージベース上に固定されているため、プローブカードの検査中心は常にプロービングステージ3に支持される。従って、従来のプローブ装置において課題であったメインチャック6の傾きが防止され、ウェハの周縁部に位置する被検査体でも安定したプローブ検査を行うことが可能である。   Since the probing stage 3 is fixed on the stage base via a probing stage lifting mechanism, the inspection center of the probe card is always supported by the probing stage 3. Accordingly, the tilt of the main chuck 6 which is a problem in the conventional probe apparatus is prevented, and a stable probe inspection can be performed even on an object to be inspected located on the peripheral edge of the wafer.

図7乃至図9に、本願発明の第二の実施例におけるプローブ装置100の主要部を示す。第二の実施例は、第一の実施例のプローブ装置100のプロービングステージ3に、被検査体を温度制御するための機構を備えている。本実施例によるプロービングステージ3は、その上部表面の下部に加熱装置18を備え、さらに温度センサ19及び熱交換器20を備える。加熱装置18及び熱交換器20は、プローブカード14の複数のプローブ26が電気的に接触する複数の被検査体をそれぞれ加熱及び冷却し、温度センサは所定の被検査体の温度を測定する。所定の被検査体は、プローブが電気的に接触している個々の被検査体であることが好ましい。さらに、第一及び第二の参考例と同様に、本実施例によるプローブ装置も温度制御装置27を具備する。温度制御装置27は温度センサ19の検出結果に基づいて加熱装置及び熱交換器を制御することにより、被検査体或いは加熱装置18を所定の温度にする。 7 to 9 show the main part of the probe apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the probing stage 3 of the probe apparatus 100 of the first embodiment is provided with a mechanism for controlling the temperature of the object to be inspected. The probing stage 3 according to the present embodiment includes a heating device 18 below the upper surface of the probing stage 3, and further includes a temperature sensor 19 and a heat exchanger 20. The heating device 18 and the heat exchanger 20 respectively heat and cool a plurality of objects to be inspected with which the plurality of probes 26 of the probe card 14 are in electrical contact, and the temperature sensor measures the temperature of a predetermined object to be inspected. The predetermined object to be inspected is preferably an individual object to be inspected with which the probe is in electrical contact. Furthermore, as in the first and second reference examples , the probe device according to this embodiment also includes a temperature control device 27. The temperature control device 27 controls the heating device and the heat exchanger based on the detection result of the temperature sensor 19 to bring the object to be inspected or the heating device 18 to a predetermined temperature.

プロービングステージ3に備えられた加熱装置18は、一つまたは複数であることができる。加熱装置が複数の場合は、上記第二の参考例と同様に、セル構造9を具備することができる。また、温度センサ19及び熱交換器20は、加熱装置18と同数を備えることができる。プロービングステージ3の上部平面の広さは、1つの被検査体或いは一度に検査される複数の被検査体の一群の大きさとほぼ同じ広さであることが好ましい。このような構成によって、検査される被検査体のみを温度制御することができ、被検査体の温度を上昇させる時間を短くできる。また、エネルギーの消費及び損失を減少することを可能にする。 One or more heating devices 18 may be provided in the probing stage 3. When there are a plurality of heating devices, the cell structure 9 can be provided as in the second reference example . Moreover, the temperature sensor 19 and the heat exchanger 20 can be provided with the same number as the heating apparatus 18. FIG. The area of the upper plane of the probing stage 3 is preferably approximately the same as the size of one inspection object or a group of inspection objects to be inspected at a time. With such a configuration, it is possible to control the temperature of only the object to be inspected, and to shorten the time for raising the temperature of the object to be inspected. It also makes it possible to reduce energy consumption and loss.

プロービングステージ3は、アルミなどの熱伝導性に優れた金属で作られることができ、着脱可能にプロービングステージ昇降機構に取り付けられる。従って、検査対象ごとに最適な大きさを有するものに交換することが可能である。プロービングステージ3を交換する場合は、プロービングステージに固定されたナット部材24cごとボールネジ24bから取り外しまたは取り付けることができる。   The probing stage 3 can be made of a metal having excellent thermal conductivity such as aluminum and is detachably attached to the probing stage lifting mechanism. Accordingly, it is possible to replace the inspection object with one having an optimum size. When exchanging the probing stage 3, the nut member 24c fixed to the probing stage can be removed from or attached to the ball screw 24b.

第二の実施例の動作を、第一の実施例の動作を元に説明する。ウェハWをプローブカードに向けてオーバードライブさせる工程(e)の後、被検査体はプロービングステージ3に備えられた加熱装置、温度センサ及び熱交換器により所定の温度に加熱され、維持される(T)。被検査体の温度制御は、オーバードライブする工程(e)の前に行われても良い。被検査体の温度が所定の温度に達した後、被検査体の電気的特性の検査(f)が行われる。第一及び第二の実施例の動作を図15のフローチャートに示した。 The operation of the second embodiment will be described based on the operation of the first embodiment . After the step (e) of overdriving the wafer W toward the probe card, the object to be inspected is heated and maintained at a predetermined temperature by a heating device, a temperature sensor and a heat exchanger provided in the probing stage 3 ( T). The temperature control of the object to be inspected may be performed before the overdrive step (e). After the temperature of the object to be inspected reaches a predetermined temperature, an inspection (f) of the electrical characteristics of the object to be inspected is performed. The operation of the first and second embodiments is shown in the flowchart of FIG.

上記実施例のようなプロービングステージ3は、従来のメインチャックと比べて上部平面の広さが限られるため、平面の反りや偏向が少なく製造及び使用が容易であるなどの優れた利点を具備することを容易とする。また、プロービングステージ3の表面の温度分布のばらつきを少なくすることが容易である。さらに、上記実施例では、プロービングステージ3の体積が比較的小さいこと、及び加熱装置の数が少ないことから、被検査体を加熱する際の熱の損失が抑えられ、被検査体を迅速に加熱することが容易であり、また被検査体を冷却する際には、加熱装置の余熱に妨げられずに速やかに冷却することを容易にすることができる。   The probing stage 3 as in the above embodiment has excellent advantages such as the ease of manufacture and use with less warping and deflection of the plane because the upper plane has a limited area compared to the conventional main chuck. Make it easy. Further, it is easy to reduce variations in the temperature distribution on the surface of the probing stage 3. Further, in the above embodiment, since the volume of the probing stage 3 is relatively small and the number of heating devices is small, heat loss when heating the object to be inspected can be suppressed, and the object to be inspected can be heated quickly. In addition, when the object to be inspected is cooled, it can be easily cooled quickly without being disturbed by the residual heat of the heating device.

第一の参考例によるプローブ装置。Probe device according to the first reference example . 第一の参考例のプローブ装置の主要部の一例 An example of the principal part of the probe apparatus of a 1st reference example . ウェハの吸引固定機構の一例 An example of a wafer suction fixing mechanism. 第二の参考例のプローブ装置の主要部の他の The other example of the principal part of the probe apparatus of a 2nd reference example . 図4のA−A線におけるメインチャック6の横断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of the main chuck 6 taken along line AA in FIG. 4. 本願発明の第一の実施例のプローブ装置の主要部の Examples of the main part of the probe apparatus of the first embodiment of the present invention. 本願発明の第二の実施例のプローブ装置の主要部の他のThe other example of the principal part of the probe apparatus of 2nd Example of this invention. 本願発明の第二の実施例のプローブ装置の主要部の他のThe other example of the principal part of the probe apparatus of 2nd Example of this invention. 本願発明の第二の実施例のプローブ装置の主要部の他のThe other example of the principal part of the probe apparatus of 2nd Example of this invention. ウェハ固定具の一例 An example of a wafer fixture. ウェハ固定具の他のAnother example of a wafer fixture. ウェハ固定具の他のであり、(a)は断面図、(b)はウェハを固定するリング。It is another example of a wafer fixing tool, (a) is sectional drawing, (b) is a ring which fixes a wafer. 従来のプローブ装置。Conventional probe device. 従来のプローブ装置においてメインチャックの傾きを例示した模式図。The schematic diagram which illustrated the inclination of the main chuck in the conventional probe apparatus. 本発明の一実施例によるプローブ装置を用いて被検査体を検査する際のフローチャート。The flowchart at the time of test | inspecting a to-be-inspected object using the probe apparatus by one Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2…ステージベース、3…プロービングステージ、4…チャックプレート固定機構、5…チャックプレート、6…メインチャック、7…Zユニット、9…セル構造、10…Zステージ、12…X−Yステージ、13…θステージ、14…プローブカード、16…X−Yステージ駆動機構、17…回転駆動機構、18…加熱装置、19…温度センサ、20…熱交換器、21…θガイドレール、23…基板固定機構、24…プロービングステージ昇降機構、25…流体給排路、27…温度制御装置、28…流体供給器、29…プローバ室、31…Zステージ昇降機構。   2 ... stage base, 3 ... probing stage, 4 ... chuck plate fixing mechanism, 5 ... chuck plate, 6 ... main chuck, 7 ... Z unit, 9 ... cell structure, 10 ... Z stage, 12 ... XY stage, 13 ... Θ stage, 14 ... probe card, 16 ... XY stage drive mechanism, 17 ... rotary drive mechanism, 18 ... heating device, 19 ... temperature sensor, 20 ... heat exchanger, 21 ... θ guide rail, 23 ... substrate fixing Mechanism: 24 ... probing stage lifting mechanism, 25 ... fluid supply / discharge passage, 27 ... temperature control device, 28 ... fluid feeder, 29 ... prober chamber, 31 ... Z stage lifting mechanism.

Claims (12)

ウェハ状の基板上に配置された複数の被検査体を検査するプローブ装置、該プローブ装置は下記を具備する:
プローバ室;
該プローバ室内に配置されたX−Yステージ、該X−Yステージは第1の枠構造であって、その中心に第1の空間を有し、該X−Yステージは、該X−Yステージを少なくともX及びY方向に移動させるためのX−Y駆動機構を具備する;
該X−Yステージ上に配置された基板固定機構、該基板固定機構は、第2の枠構造であって、その中心に該第1の空間と連続する第2の空間を有する;
該プローバ室内において、該ウエハ状の基板と対向して配置され、かつ複数のプローブを有するプローブカード;
該第1の空間内に配置されたプロービングステージ昇降機構;
該プロービングステージ昇降機構に取り付けられたプロービングステージ、該プロービングステージは下記を具備する:
該プロービングステージは、その軸心が該プローブカードのプローブ中心から垂下した延長線と一致するように配置される;
該プロービングステージの上部平面、該上部平面の広さは、第1の空間を規定する第1の枠構造の内側の広さ及び第2の空間を規定する第2の枠構造の内側の広さよりも狭く、該上部平面は該プロービングステージが該プロービング昇降機構により上昇した際に、該基板の底面に接触して該基板を下方から支持する。
A probe apparatus for inspecting a plurality of objects to be inspected arranged on a wafer-like substrate, the probe apparatus includes:
Prober room;
An XY stage disposed in the prober chamber, the XY stage having a first frame structure and having a first space at the center thereof, the XY stage being the XY stage An XY drive mechanism for moving at least in the X and Y directions;
A substrate fixing mechanism disposed on the XY stage, and the substrate fixing mechanism has a second frame structure, and has a second space continuous with the first space at the center thereof;
A probe card disposed in the prober chamber so as to face the wafer-like substrate and having a plurality of probes;
A probing stage elevating mechanism disposed in the first space;
A probing stage attached to the probing stage lifting mechanism, the probing stage comprises:
The probing stage is arranged such that its axis coincides with an extension line hanging from the probe center of the probe card;
The width of the upper plane of the probing stage and the upper plane is defined as the width inside the first frame structure defining the first space and the width inside the second frame structure defining the second space. The upper flat surface is in contact with the bottom surface of the substrate and supports the substrate from below when the probing stage is raised by the probing lift mechanism.
該プロービングステージの上部平面の広さは、プローブカードの複数のプローブの先端が占める領域に対応している、請求項1のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 1, wherein a width of an upper plane of the probing stage corresponds to a region occupied by tips of a plurality of probes of the probe card. 該プロービングステージの上部平面の広さは、1つの被検査体の大きさに対応する大きさである、請求項1のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 1, wherein an area of an upper plane of the probing stage is a size corresponding to a size of one object to be inspected. 該プロービングステージは、該複数の被検査体の内で、該プローブカードの複数のプローブが電気的に接触する少なくとも1つの被検査体を加熱するための加熱装置と、これら被検査体の温度及び加熱装置の温度の少なくとも1つを測定するための温度センサーを備える、請求項1のプローブ装置。   The probing stage includes a heating device for heating at least one object to be in contact with a plurality of probes of the probe card among the plurality of objects to be inspected, and temperatures of these objects to be inspected. The probe apparatus of claim 1, comprising a temperature sensor for measuring at least one of the temperatures of the heating device. 該プロービングステージは、さらに該被検査体を冷却するための熱交換器を備える、請求項1のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 1, wherein the probing stage further includes a heat exchanger for cooling the object to be inspected. 該基板固定機構は、チャックプレート、チャックプレート固定機構、及び該チャックプレート固定機構をθ方向に回転させるための回転駆動機構を具備する、請求項1のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 1, wherein the substrate fixing mechanism includes a chuck plate, a chuck plate fixing mechanism, and a rotation driving mechanism for rotating the chuck plate fixing mechanism in the θ direction. 該プロービングステージは着脱可能にプロービングステージ昇降機構に取り付けられる、請求項1のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 1, wherein the probing stage is detachably attached to a probing stage elevating mechanism. 該チャックプレートは該チャックプレート固定機構に着脱可能に取り付けられる、請求項6のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 6, wherein the chuck plate is detachably attached to the chuck plate fixing mechanism. 該プローバ室内には、ステージベース及び該ステージベース上に配置されたZステージを具備し、
該X−Yステージ駆動機構は、該X−Yステージを該Zステージ上で少なくともX−Y方向に移動するX−Yステージ移動機構、及び該X−Yステージを該Zステージ上で円滑に移動可能に支持するX−Yステージ支持機構を備える、請求項1のプローブ装置。
The prober chamber includes a stage base and a Z stage disposed on the stage base,
The XY stage drive mechanism moves the XY stage on the Z stage at least in the XY direction, and smoothly moves the XY stage on the Z stage. The probe apparatus of Claim 1 provided with the XY stage support mechanism supported so that it is possible.
該X−Yステージ移動機構はリニアモーター機構を具備する、請求項9のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 9, wherein the XY stage moving mechanism includes a linear motor mechanism. 該X−Yステージ支持機構はエアベアリング機構を具備する、請求項9のプローブ装置。   The probe apparatus according to claim 9, wherein the XY stage support mechanism includes an air bearing mechanism. 該チャックプレートは、基板を固定するための複数の押さえ具機構、及び基板を吸引固定する機構、及び基板を押さえるためのリング機構、のうちの少なくとも一つの機構を具備する、請求項1のプローブ装置。 The probe according to claim 1 , wherein the chuck plate includes at least one of a plurality of pressing member mechanisms for fixing the substrate, a mechanism for sucking and fixing the substrate, and a ring mechanism for pressing the substrate. apparatus.
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