JP4955961B2 - 原子核スピン間の相関強度制御方法 - Google Patents
原子核スピン間の相関強度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4955961B2 JP4955961B2 JP2005237536A JP2005237536A JP4955961B2 JP 4955961 B2 JP4955961 B2 JP 4955961B2 JP 2005237536 A JP2005237536 A JP 2005237536A JP 2005237536 A JP2005237536 A JP 2005237536A JP 4955961 B2 JP4955961 B2 JP 4955961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nuclear spins
- crystal
- magnetic field
- layer
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
ネイチャー(Nature)、第414巻、2001年12月、p.883−887 ネイチャー(Nature)、第434巻、2005年4月、p.1001−1005 ジャーナル・オブ・ケミカル・フィジックス(Journal Of Chemical Physics)、第89巻、1998年11月、p.6046−6052
まず、第1の実施の形態に係る原子核スピン間の相関強度制御方法において、好適な閃亜鉛鉱型結晶を有する半導体素子について説明する。
よって、測定された縦抵抗値から式(1)のパラメータを最適化することでコヒーレント時間Tが求まる。
以下、第2の実施の形態に係る原子核スピン間の相関強度制御方法について説明する。
2…絶縁層
3,4…ショットキースプリットゲート
5,6…バリア層
7…Siドープ層
8…二次元電子ガス層
9…ポイントコンタクト領域
10…バックゲート
11,12…電流端子
13,14…電圧測定端子
15…電源装置
41〜47…量子ビット1〜量子ビット7
100…半導体素子
200…原子核スピン相関強度制御装置
Claims (2)
- 閃亜鉛鉱型結晶で構成される半導体層の最も接近した原子同士を直線で結んだ結晶軸と当該半導体層に印加する磁場とのなす角度がマジックアングルになるように当該半導体層及び磁場を設置するステップと、
前記半導体層に配置されたゲートに一定のバイアスを印加することで、前記半導体層に二次元電子ガス層を形成すると共に、当該二次元電子ガス層にポイントコンタクト領域を形成するステップと、
前記バイアス値を調整することで前記ポイントコンタクト領域における原子核スピン間の相関強度を制御するステップと、
を有することを特徴とする原子核スピン間の相関強度制御方法。 - 閃亜鉛鉱型結晶で構成される半導体層の最も接近した原子同士を直線で結んだ結晶軸のうちの少なくとも1つと当該閃亜鉛鉱型結晶に印加する磁場とが平行になるように当該閃亜鉛鉱型結晶及び磁場を設置するステップと、
前記半導体層に配置されたゲートに一定のバイアスを印加することで、前記半導体層に二次元電子ガス層を形成すると共に、当該二次元電子ガス層にポイントコンタクト領域を形成するステップと、
前記バイアス値を調整することで前記ポイントコンタクト領域における原子核スピン間の相関強度を制御するステップと、
を有することを特徴とする原子核スピン間の相関強度制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237536A JP4955961B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | 原子核スピン間の相関強度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237536A JP4955961B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | 原子核スピン間の相関強度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007053247A JP2007053247A (ja) | 2007-03-01 |
JP4955961B2 true JP4955961B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=37917491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005237536A Expired - Fee Related JP4955961B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | 原子核スピン間の相関強度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4955961B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066603A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 原子核スピン状態制御装置及び検出装置 |
-
2005
- 2005-08-18 JP JP2005237536A patent/JP4955961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007053247A (ja) | 2007-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Duan et al. | Controlling spin exchange interactions of ultracold atoms in optical lattices | |
Pryor et al. | Landé g factors and orbital momentum quenching in semiconductor quantum dots | |
Oh et al. | Elimination of two level fluctuators in superconducting quantum bits by an epitaxial tunnel barrier | |
JP4819993B2 (ja) | 単一電子及び原子核スピン計測用電子装置 | |
US11100419B2 (en) | Majorana pair based qubits for fault tolerant quantum computing architecture using superconducting gold surface states | |
JPH0870145A (ja) | 原子スケールの3ドット計算素子 | |
Mayer et al. | Superconducting proximity effect in InAsSb surface quantum wells with in situ Al contacts | |
Bahramy et al. | Bulk Rashba semiconductors and related quantum phenomena | |
US11910728B2 (en) | Flopping-mode electric dipole spin resonance | |
Martinetz et al. | Quantum electromechanics with levitated nanoparticles | |
Kohda et al. | Spin-momentum locked spin manipulation in a two-dimensional Rashba system | |
Arakelian et al. | Laser-induced semiconductor nanocluster structures on the solid surface: new physical principles to construct the hybrid elements for photonics | |
Zhang et al. | Controlling synthetic spin-orbit coupling in a silicon quantum dot with magnetic field | |
Aryal et al. | Cr-Doped Ge-Core/Si-Shell Nanowire: An Antiferromagnetic Semiconductor | |
JP4955961B2 (ja) | 原子核スピン間の相関強度制御方法 | |
Behera et al. | Spin-transfer-torque mediated quantum magnetotransport in MoS 2/phosphorene vdW heterostructure based MTJs | |
Jureczko et al. | Spin–orbit coupling in buckled monolayer nitrogene | |
JP2006066603A (ja) | 原子核スピン状態制御装置及び検出装置 | |
JP4088927B2 (ja) | 固体中核スピン量子演算素子 | |
Natelson et al. | Molecular-scale metal wires | |
Xiao et al. | Influence of Magnetic and Electric Fields on Universal Conductance Fluctuations in Thin Films of the Dirac Semimetal Cd3As2 | |
Vurgaftman et al. | Kinetic spin confinement by lateral modulation of the Rashba or Dresselhaus coefficient | |
Temiryazev et al. | Formation of magnetic nanostructures using an atomic force microscope probe | |
KR20240051931A (ko) | 터널 배리어를 갖는 반도체-초전도체 하이브리드 디바이스 | |
Gandini | Nanofabrication and characterization of spin orbit logic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |