JP4950002B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
先ず,本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置100の構成例について図面を参照しながら説明する。図1は,プラズマ処理装置100の概略構成を示している。このプラズマ処理装置100は,被処理基板としての半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」とも称する)Wにエッチング処理を施す平行平板型のエッチング処理装置として構成されている。プラズマ処理装置100は,金属製(例えば,アルミニウム製またはステンレス製)の円筒形の処理室(チャンバ)110を備える。処理室110の側壁の内面はパーティクルが付着し難いように陽極酸化処理(例えばアルマイト処理)が施されている。
このような制御部200の具体的な構成例について図面を参照しながら説明する。制御部200は,図2に示すように,制御部本体を構成するCPU(中央処理装置)210,CPU210が各部を制御するデータなどを格納するROM(リード・オンリ・メモリ)220,CPU210が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリア等を設けたRAM(ランダム・アクセス・メモリ)230,操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示部240,オペレータによる各種の操作や情報の入力などを行うことができる操作パネル250,例えばブザーのような警報器等で構成される報知部260を備える。
ここで,移動磁場形成部300の構成例について図面を参照しながら説明する。図3は,移動磁場形成部300の外観を示す図であり,図4は,移動磁場形成部300の内部構成の一部を示す図である。なお,説明を簡単にするために,図3ではコイルを省略しており,図4ではコイルを環状コアの内周面で切断している。
110 処理室
111 サセプタ
112 排気路
113 バッフル板
114 自動圧力制御弁(APCバルブ)
115 ターボ分子ポンプ
116 ドライポンプ
117 排気管
118 高周波電源
119 整合器
120 電極板
122 直流電源
124 フォーカスリング
125 冷媒室
126 配管
127 伝熱ガス供給孔
128 伝熱ガス供給ライン
129 伝熱ガス供給管
132 ゲートバルブ
133 上部電極
134 ガス通気孔
135 電極板
136 電極支持体
137 バッファ室
138 処理ガス導入管
150 導線
151 スイッチ
152 高周波電源
200 制御部
210 CPU
220 ROM
230 RAM
240 表示部
250 操作パネル
260 報知部
270 各種コントローラ
280 プログラムデータ記憶部
290 処理条件記憶部
300 移動磁場形成部
302 磁場形成用電源
310 環状コア
312 ティース部
314 溝部
320 コイル
320A,320B,320C 巻線
330 ケーシング
A,B,C 三相交流電流
W ウエハ
S プラズマ生成空間
P プラズマ
G 移動磁場
Claims (7)
- 減圧可能な処理室内に互いに対向する上部電極及び下部電極を設け,所定の処理条件に基づいて前記電極間に処理ガスを供給するとともに高周波電力を印加してプラズマを生成することによって,前記下部電極上に配置された被処理基板の表面に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって,
前記電極間に生成されるプラズマ生成空間のうち,前記被処理基板よりも半径方向外側に,周方向に回転する移動磁場を形成する移動磁場形成手段と,
前記処理条件に応じて前記移動磁場を制御する制御部と,を備え,
前記移動磁場形成手段は,前記上部電極の周囲を囲むように固定して設けられた環状コアと,前記環状コアの下面に突出して形成され,前記環状コアの内側から外側に放射状に延びるように周方向に配列した複数のティース部と,前記ティース部の下側に下方に向かって上方に戻る経路を形成する磁力線が前記環状コアの周方向全周に亘って複数発生するように前記ティース部間の溝部に順に挿通されて前記環状コアに巻き付けられた複数の巻線からなるコイルと,前記コイルの各巻線にそれぞれ位相の異なる交流電流を流して前記磁力線を時間的に変化させることで周方向に回転する移動磁場を形成するための磁場形成用電源とを有し,
前記制御部は,前記処理条件に応じて前記磁場形成用電源からの交流電流を制御することにより前記移動磁場を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記処理条件は,前記処理ガスの種類,前記処理室内の圧力,前記処理ガスの流量,前記高周波電力のうちのいずれか1つ又は2つ以上の任意の組合せであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は,前記被処理基板の処理を複数の異なる処理条件で連続して実行する際に,前記処理条件での処理を行うごとに前記磁場形成用電源からの交流電流を切り換えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理条件を複数記憶するとともに,前記各処理条件ごとにその処理条件で前記被処理基板の処理を行う際に前記コイルに流す交流電流を制御するのに必要な情報を関連づけて予め記憶部に記憶しておき,
前記制御部は,前記処理条件を前記記憶部から読み出すとともに,それに関連づけられた前記交流電流の制御情報を読み出して,その交流電流の制御情報に基づいて前記磁場形成用電源を制御することにより前記処理条件に応じた移動磁場を形成しつつ,前記処理条件に基づいて前記被処理基板の処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は,操作パネルからのオペレータの操作に基づいて前記磁場形成用電源からの交流電流を制御可能としたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルは3組の巻線からなり,前記各巻線にそれぞれ前記磁場形成用電源から三相交流電流を供給することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 減圧可能な処理室内に互いに対向する上部電極及び下部電極を設け,所定の処理条件に基づいて前記電極間に処理ガスを供給するとともに高周波電力を印加してプラズマを生成することによって,前記下部電極上に配置された被処理基板の表面に所定の処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記電極間に生成されるプラズマ生成空間のうち,前記被処理基板よりも半径方向外側に,周方向に回転する移動磁場を形成する移動磁場形成手段を備え,
前記移動磁場形成手段は,前記上部電極の周囲を囲むように固定して設けられた環状コアと,前記環状コアの下面に突出して形成され,前記環状コアの内側から外側に放射状に延びるように周方向に配列した複数のティース部と,前記ティース部の下側に下方に向かって上方に戻る経路を形成する磁力線が前記環状コアの周方向全周に亘って複数発生するように前記ティース部間の溝部に順に挿通されて前記環状コアに巻き付けられた複数の巻線からなるコイルと,前記コイルの各巻線にそれぞれ位相の異なる交流電流を流して前記磁力線を時間的に変化させることで周方向に回転する移動磁場を形成するための磁場形成用電源とを有してなり,
前記処理条件に基づいて前記被処理基板の処理を行う際に,前記処理条件に応じて前記磁場形成用電源からの交流電流を制御することにより前記移動磁場を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
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