JP4943087B2 - Continuous firing furnace and continuous firing method - Google Patents
Continuous firing furnace and continuous firing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4943087B2 JP4943087B2 JP2006219923A JP2006219923A JP4943087B2 JP 4943087 B2 JP4943087 B2 JP 4943087B2 JP 2006219923 A JP2006219923 A JP 2006219923A JP 2006219923 A JP2006219923 A JP 2006219923A JP 4943087 B2 JP4943087 B2 JP 4943087B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- firing
- waveguide
- electromagnetic field
- heating
- heating object
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010304 firing Methods 0.000 title claims description 466
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 283
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 128
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 23
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 30
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B40/00—Technologies aiming at improving the efficiency of home appliances, e.g. induction cooking or efficient technologies for refrigerators, freezers or dish washers
Landscapes
- Furnace Details (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
Description
本発明は、セラミックス材料等で形成された被焼成体を連続焼成する連続焼成炉及び連続焼成方法に関するものである。 The present invention relates to a continuous firing furnace and a continuous firing method for continuously firing an object to be fired formed of a ceramic material or the like.
この種の連続焼成炉及び連続焼成方法としては、特許文献1及び特許文献2の技術思想が公知である。
特許文献1で、マイクロ波によって自己発熱する発熱層及び前記発熱層の外側を包囲する断熱層からなる隔壁により区画された焼成室を有し、その焼成室内を入口から出口に向かって搬送される被焼成体に対してマイクロ波を照射して当該被焼成体を加熱焼成する連続焼成炉において、前記断熱層に冷却媒体の流路を設け、前記流路と前記発熱層との間の距離を変化させることにより炉長方向の温度分布を変化させる技術思想が開示されている。
As this type of continuous firing furnace and continuous firing method, the technical ideas of
この構成によって、マイクロ波によって発熱層が自己発熱して焼成室内が高温状態にあるとき、断熱層に形成された空孔にボンベから常温空気を導入し、空孔に導入された空気が空孔内を流通するときにその空孔近傍の発熱層との間で熱交換し、空孔近傍の限られた領域で焼成室内の温度が低下する。また、この空孔内を流通する空気による焼成室内の温度低下の度合いは、空孔に導入する空気の導入速度を調節して熱交換効率を変化させることで、任意に制御することができる。したがって、各空孔に導入する空気の導入速度を調節することで、仮に設計後の炉であっても焼成室内の温度プロファイルを任意に設定することができ、被焼成体の材質や形状、大きさに応じて焼成室内の温度プロファイルを最適化することで、一つの連続焼成炉で種々の被焼成体の焼成に対応することができるものである。 With this configuration, when the heat generating layer is self-heated by the microwave and the firing chamber is in a high temperature state, normal temperature air is introduced from the cylinder into the holes formed in the heat insulating layer, and the air introduced into the holes is When it flows through the inside, heat is exchanged with the heat generating layer in the vicinity of the pores, and the temperature in the firing chamber decreases in a limited region near the pores. In addition, the degree of temperature decrease in the firing chamber due to the air flowing through the holes can be arbitrarily controlled by changing the heat exchange efficiency by adjusting the introduction speed of the air introduced into the holes. Therefore, by adjusting the introduction speed of the air introduced into each hole, the temperature profile in the firing chamber can be arbitrarily set even in a designed furnace, and the material, shape, and size of the body to be fired can be set. By optimizing the temperature profile in the firing chamber accordingly, it is possible to cope with firing of various objects to be fired in one continuous firing furnace.
また、特許文献2で、電磁波照射による焼成を行なう加熱・焼結領域が少なくとも設けられているトンネル式連続焼成炉を用いて、焼成温度の異なる多種類の焼成体を連続して得る焼成体の焼成方法において、所定の被焼成体に対する焼成温度条件に設定されている上記加熱・焼結領域に、前者と異なる焼成温度を有する被焼成体を該被焼成体の周囲を前記被焼成体の電磁波発熱特性を有する材料で形成した輻射加熱体で囲った状態で挿入する連続焼成方法の技術思想が開示されている。
この構成によって、加熱・焼結領域の温度条件を、所定の被焼成体の焼成温度に対するものに設定したマイクロ波連続焼成炉を用いているにもかかわらず、個々に異なる焼成温度を有する多種類の被焼成体に対して、個々の焼成温度に応じた最適な焼成を同時に行なうことができ、マイクロ波加熱によって品質に優れた種々の焼成体が得られ、少量多品種生産に適し、経済性に優れる連続焼成方法が得られるものである。
Further, in
With this configuration, despite the use of a microwave continuous firing furnace in which the temperature conditions of the heating / sintering region are set to those for a predetermined firing temperature, various types having different firing temperatures Can be fired at the same time according to each firing temperature, and various high-quality fired bodies can be obtained by microwave heating. It is possible to obtain a continuous firing method excellent in the above.
ところで、上記特許文献1では、断熱層の冷却媒体の流路と発熱層との間の距離を変化させることによって、炉長方向の温度分布を変化させることは、冷媒によって熱エネルギを放出することになり、供給するエネルギに無駄があった。
また、上記特許文献2では、異なる焼成温度を有する複数種類の被焼成体に対して、被焼成体の周囲を前記被焼成体の有する電磁波発熱特性に応じた電磁波発熱特性を有する材料で形成した輻射加熱体で囲って焼成することによって、前記被焼成体の焼成温度を変化させる技術思想を開示しているが、この技術においても、輻射加熱体でマイクロ波の電力を消費させるものであり、無駄な電力消費を行わせることになり、供給するエネルギに無駄があった。
By the way, in
Moreover, in the said
一方、近年、セラミック電子部品は省エネルギの観点から小型・軽量化、かつ、高性能化の要望が高くなり、IT産業、家電産業の分野では、顕著に部品の微細化が図られてきている。しかし、部品製造の要である焼成工程は、多段に棚組みした棚板上にそれらの部品を積載する焼成炉による大量生産のため、焼成エネルギの大部分は製品よりも棚板の加熱に供され、焼成効率の向上ができない現状がある。ここでは、特許文献1及び特許文献2の管体内多重モード共振型加熱方式では、焼成エネルギ効率に限界が予測される。
On the other hand, in recent years, there has been a growing demand for ceramic electronic components that are smaller, lighter, and higher in performance from the viewpoint of energy saving, and in the fields of the IT industry and the home appliance industry, miniaturization of components has been remarkably achieved. . However, the firing process, which is the key to the production of parts, is mass-produced by a firing furnace in which those parts are stacked on shelves arranged in multiple stages, so most of the firing energy is used to heat the shelf rather than the product. However, there is a current situation where the firing efficiency cannot be improved. Here, in the in-tube multimode resonance heating method of
そこで、この発明はかかる不具合を解決するためになされたもので、消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波焼成を短時間で行うことのできる連続焼成炉及び連続焼成方法の提供を課題とするものである。 Therefore, the present invention has been made to solve such a problem, and it is an object to provide a continuous firing furnace and a continuous firing method capable of performing efficient microwave firing in a short time while reducing waste of power consumption. It is what.
請求項1にかかる連続焼成炉は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波を閉じ込め、導波管の特性でマイクロ波を伝播すると共に、収容された加熱対象物を前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する焼成導波管と、前記マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を閉じ込め、前記焼成導波管までマイクロ波を伝播する供給導波管を具備し、前記焼成導波管は、焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させることによって、前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものである。
ここで、上記マイクロ波発生源は、1000MHz前後の周波数、即ち、30cm程度の波長のマイクロ波発振器であり、実施の形態では1KW乃至50KW程度の出力を有するものを用いたが、本発明を実施する場合には、焼成能力を決定する搬送速度等の負荷の関係でマイクロ波の出力を決定し、かつ、焼成空間の大きさによってマイクロ波の周波数を決定すればよい。しかし、前記加熱対象物のサイズから焼成導波管のサイズが決定されるから、それによれば1000MHz前後の周波数を使用するのが好適である。
また、上記焼成導波管は、マイクロ波発生源から供給されたマイクロ波を閉じ込めて導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容された加熱対象物を加熱焼成するものであればよい。前記焼成導波管は、その長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物を電磁界強度の強い中心位置に移動させることによって、前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものであり、焼成導波管内の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、徐々に電磁界強度の強い位置に前記加熱対象物を移動できればよい。
そして、上記供給導波管は、前記マイクロ波発生源で発生したマイクロ波エネルギを閉じ込め、前記焼成導波管までマイクロ波エネルギを搬送するものであればよく、単一の焼成導波管または複数の焼成導波管と接続されるものであればよい。
更に、前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から挿入し、電磁界強度の強い中心位置に移動させることは、直線的に変化させることもできるし、複数の段階的変化とすることもできる。
The continuous firing furnace according to
Here, the microwave generation source is a microwave oscillator having a frequency of about 1000 MHz, that is, a wavelength of about 30 cm. In the embodiment, the one having an output of about 1 KW to 50 KW is used. In this case, the output of the microwave may be determined based on the load such as the conveyance speed that determines the baking capability, and the frequency of the microwave may be determined depending on the size of the baking space. However, since the size of the firing waveguide is determined from the size of the heating object, it is preferable to use a frequency around 1000 MHz.
The firing waveguide may be any material that confines the microwave supplied from the microwave generation source and propagates the traveling wave with the characteristics of the waveguide and heats and heats the object to be heated. . The fired waveguide is inserted by inserting the heating object from a position where the electromagnetic field strength is low in the direction perpendicular to the length direction, and moving the heating object to a central position where the electromagnetic field strength is strong. It raises the heating and firing temperature of the object to be heated, as long as the object to be heated can be taken in from the position where the electromagnetic field strength is weak in the firing waveguide and can be gradually moved to a position where the electromagnetic field strength is strong. .
The supply waveguide only needs to confine the microwave energy generated by the microwave generation source and convey the microwave energy to the firing waveguide. What is necessary is just to be connected to the firing waveguide.
Furthermore, inserting the heating object from a position where the electromagnetic field strength is weak and moving it to the center position where the electromagnetic field strength is strong can be changed linearly or in a plurality of stepwise changes. .
請求項2にかかる連続焼成炉において、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管の下面側から取り込み、前記焼成導波管の断面中央に移動させるものである。
ここで、前記加熱対象物の移動は、ベルトコンベアの搬送ベルトに載せる場合、ローラコンベアのローラに載せる場合、順次前記加熱対象物を押し出していくプッシャ方式の場合の何れであってもよく、結果的に、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に相対移動させるものであればよい。
The continuous firing furnace according to
Here, the movement of the heating object may be any of a case of placing on a conveyor belt of a belt conveyor, a case of putting on a roller of a roller conveyor, and a case of a pusher system that sequentially extrudes the heating object. In particular, the heating object may be inserted from a position where the electromagnetic field strength of the fired waveguide is weak and the heating object is relatively moved to a position where the electromagnetic field intensity is strong.
請求項3にかかる連続焼成炉においては、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作が、前記焼成導波管の上面側から取り込み、前記焼成導波管の断面略中央に移動させるものである。
ここで、前記加熱対象物の移動は、搬送ベルトに載せる場合、ローラコンベアに載せる場合、順次前記加熱対象物を順次押し出していくプッシャ方式の場合の何れであってもよく、結果的に、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に相対移動させるものであればよい。
In the continuous firing furnace according to
Here, the movement of the heating object may be any of a case where the heating object is put on a conveyor belt, a case where the heating object is put on a roller conveyor, or a pusher system in which the heating object is sequentially pushed out. What is necessary is just to take in the said heating target object from the position with a weak electromagnetic field intensity | strength of a baking waveguide, and to relatively move the said heating target object to a position with a strong electromagnetic field intensity | strength.
請求項4にかかる連続焼成炉の前記焼成導波管による加熱焼成後は、高温保持及び冷却の処理、高温保持または冷却の処理とするものである。ここで、高温保持処理とは、特定の高い温度を数分以上維持するものであればよく、また、冷却処理とは、焼成温度よりも降下した温度であればよく、常温程度に温度が降下したもの及び格別室温よりも低下させたものを意味するものではない。厳密には、前記加熱対象物が破壊されないような温度、作業に影響を与えない温度であればよく、例えば、焼成材料によっても異なるが、50〜80℃程度になっておればよい。
After the heating and firing by the firing waveguide of the continuous firing furnace according to
請求項5にかかる連続焼成炉の前記供給導波管は、チューナを具備しているものである。ここで、チューナは、供給導波管において、焼成導波管に分岐されたマイクロ波の配分が所望の値に制御できるものであればよい。 The supply waveguide of the continuous firing furnace according to claim 5 is provided with a tuner. Here, the tuner is not limited as long as the distribution of the microwaves branched into the firing waveguide can be controlled to a desired value in the supply waveguide.
請求項6にかかる連続焼成炉の前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管相互を接続するフランジで角度をつけて前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させるものである。
ここで、前記焼成導波管相互を接続するフランジは、前記焼成導波管と前記加熱対象物の相対移動方向の変更を行うものであり、規格化された導波管の形状を変更する必要性がない。
The operation of taking the heating object from a position where the electromagnetic field strength of the firing waveguide of the continuous firing furnace according to
Here, the flange connecting the fired waveguides changes the relative movement direction of the fired waveguide and the heating object, and it is necessary to change the shape of the standardized waveguides. There is no sex.
請求項7にかかる連続焼成方法は、マイクロ波発生源で発生させたマイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管に導くマイクロ波供給部と、導入されたマイクロ波エネルギを閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、前記焼成導波管に収容された加熱対象物を前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成し、前記焼成導波管に対して前記焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、そして、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させることによって前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものである。
ここで、上記マイクロ波供給部とは、マイクロ波発生源で発生させたマイクロ波を、加熱対象物を焼成する焼成導波管に導くものであればよい。
また、上記加熱焼成とは、導入された進行波をその長さ方向に伝播すると共に、前記焼成導波管に収容された加熱対象物を前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成できるものであればよい。
そして、昇温導入部とは、前記焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を挿入し、そして、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させることによって前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものであればよい。
The continuous firing method according to claim 7 confines the microwave generated by the microwave generation source to guide the microwave to the firing waveguide, confine the introduced microwave energy, and the characteristics of the waveguide. In addition to propagating traveling waves, the object to be heated contained in the firing waveguide is heated and fired while being moved in the traveling direction of the traveling wave, and the length of the firing waveguide with respect to the firing waveguide The heating object is taken in from a position where the electromagnetic field strength is perpendicular to the vertical direction, and the heating object is moved to a position where the electromagnetic field strength is strong, thereby increasing the heating and baking temperature of the heating object. Is .
Here, the microwave supply unit may be anything that guides the microwave generated by the microwave generation source to the firing waveguide for firing the object to be heated.
In addition, the heating and firing means that the traveling wave introduced can be propagated in the length direction and the object to be heated contained in the firing waveguide can be heated and fired while being moved in the traveling direction of the traveling wave. If it is.
Then, the temperature raising introduction part is inserted from the position where the electromagnetic field strength is low in the direction perpendicular to the length direction of the firing waveguide, and the heating target is made strong in the electromagnetic field strength. What is necessary is just to raise the heating-firing temperature of the said heating target object by moving to a position.
請求項8にかかる連続焼成方法の前記電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部は、前記焼成導波管の下面側から取り込み、前記焼成導波管の中央に移動させるものである。
ここで、前記加熱対象物の移動は、ベルトコンベアの搬送ベルトに載せる場合、ローラコンベアのローラに載せる場合、順次前記加熱対象物を押し出していくプッシャ方式の場合の何れであってもよく、結果的に、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に相対移動させるものであればよい。
The temperature raising introduction part that takes in the heating object from a position where the electromagnetic field strength is weak and moves the heating object to a position where the electromagnetic field intensity is strong in the continuous baking method according to
Here, the movement of the heating object may be any of a case of placing on a conveyor belt of a belt conveyor, a case of putting on a roller of a roller conveyor, and a case of a pusher system that sequentially extrudes the heating object. In particular, it is sufficient if the heating object is taken in from the position where the electromagnetic field strength of the fired waveguide is weak and the heating object is relatively moved to a position where the electromagnetic field strength is strong.
請求項9にかかる連続焼成方法の前記電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部は、前記焼成導波管の上面側から取り込み、前記焼成導波管の中央に移動させるものである。
ここで、前記加熱対象物の移動は、搬送ベルトに載せる場合、ローラコンベアに載せる場合、順次前記加熱対象物を順次押し出していくプッシャ方式の場合の何れであってもよく、結果的に、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に相対移動させるものであればよい。
The temperature raising introduction part that takes in the heating object from a position where the electromagnetic field strength is weak and moves the heating object to a position where the electromagnetic field intensity is strong in the continuous baking method according to
Here, the movement of the heating object may be any of a case where the heating object is put on a conveyor belt, a case where the heating object is put on a roller conveyor, or a pusher system in which the heating object is sequentially pushed out. What is necessary is just to insert the said heating target object from the position with a weak electromagnetic field intensity | strength of a baking waveguide, and to move the said heating object relatively to a position with a strong electromagnetic field intensity | strength.
請求項10にかかる連続焼成方法は、加熱焼成後の降温処理として、高温保持処理及び/または冷却処理を行うものである。ここで、高温状態とは、特定の温度を数分以上維持するものであればよく、また、冷却状態とは、常温程度に温度が降下したものに限定されるものではなく、焼成温度よりも低い温度を意味する。厳密には、前記加熱対象物が破壊されないような温度、例えば、焼成材料によっても異なるが、50〜80℃程度になっておればよい。
In the continuous firing method according to
請求項11にかかる連続焼成方法において、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管相互を接続するフランジで角度をつけて前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させるものである。
ここで、前記焼成導波管相互を接続するフランジは、前記焼成導波管と前記加熱対象物の相対移動方向の変更を行うものであり、規格化された導波管の形状を変更する必要性がない。
The continuous firing method according to
Here, the flange connecting the fired waveguides changes the relative movement direction of the fired waveguide and the heating object, and it is necessary to change the shape of the standardized waveguides. There is no sex.
請求項1の連続焼成炉は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源で発生されたマイクロ波を閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容する加熱対象物を加熱焼成する焼成導波管は、焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に進行波の進行方向に移動させることによって、前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものである。
したがって、焼成導波管内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物の加熱を開始すると、前記加熱対象物にひびが入ったり、毀損したりするが、本発明では、電磁界の弱い焼成導波管の壁面近傍から前記加熱対象物を取り込み、その後、徐々に電磁界の強い焼成導波管の中央に導くものであるから、前記加熱対象物に与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い焼成導波管の壁面近傍から前記加熱対象物を取り込むものであるから、焼成導波管から漏れる電磁波が殆どない。そして、焼成導波管内の電磁波の乱れを最小限に抑えることができる。更に、焼成導波管内の全体の温度上昇を行うものでなく、加熱対象物のみを加熱焼成するものであるから、少ないエネルギで早く焼成でき、消費電力に無駄がない。また、常に、移動する前記加熱対象物の焼成環境が一致するから、同一エネルギ分布の条件化で前記加熱対象物が均一に焼成でき、その均一焼成の結果、その品質が良くなる。更に、焼成導波管内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
更に具体的には、装置が飛躍的にコンパクト化され、かつ、前記加熱対象物の一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、また、雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであることから、電子部品等の材料の特性値が向上するという効果が期待できる。
The continuous firing furnace according to
Therefore, when firing is performed in the firing waveguide, if heating of the heating object is suddenly started with high energy, the heating object is cracked or damaged, but in the present invention, the electromagnetic field is weak. Since the object to be heated is taken from the vicinity of the wall surface of the fired waveguide and then gradually led to the center of the fired waveguide having a strong electromagnetic field, the shock to the heated object is small. Further, since the object to be heated is taken in from the vicinity of the wall surface of the fired waveguide having a weak electromagnetic field, there is almost no electromagnetic wave leaking from the fired waveguide. And the disturbance of the electromagnetic wave in a baking waveguide can be suppressed to the minimum. Furthermore, since the entire temperature inside the firing waveguide is not increased, but only the object to be heated is heated and fired, it can be fired quickly with less energy, and power consumption is not wasted. In addition, since the firing environment of the moving heating object always coincides, the heating object can be uniformly fired under the same energy distribution condition, and as a result of the uniform firing, the quality is improved. Furthermore, since almost no reflected wave is generated in the sintered waveguide, the microwave oscillator constituting the microwave generation source is not damaged by the reflected wave.
More specifically, the equipment has been dramatically reduced in size, and the heating efficiency of small-sized electronic components has been improved several times by the high-efficiency and rapid processing of the one-stage loading of the heating object, and the addition of atmospheric firing has been added. Since it is flexible, it can be used not only for ceramic electronic parts fired in the atmosphere but also for ceramic electronic parts fired in atmospheric firing and automobile parts that are metal parts. Moreover, since the heating process uses the microwave internal heating effect to the maximum extent, it can be expected to improve the characteristic values of materials such as electronic components.
請求項2の連続焼成炉は、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管の下面側から取り込み、前記焼成導波管の断面中央に移動させるものであるから、請求項1に記載の効果に加えて、前記焼成導波管の下方向から徐々に中央に上昇させるものであり、前記焼成導波管までマイクロ波を伝播する供給導波管が上部に配置されたものに好適な位置設定となる。
The continuous firing furnace according to
請求項3の連続焼成炉は、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管の上面側から取り込み、前記焼成導波管の断面中央に移動させるものであるから、請求項1に記載の効果に加えて、前記焼成導波管の上方向から徐々に中央に下降させるものであり、前記焼成導波管までマイクロ波を伝播する供給導波管が下部に配置されたものに好適な位置設定となる。
The continuous firing furnace according to
請求項4の連続焼成炉の前記焼成導波管による加熱焼成後は、高温保持及び/または冷却の処理を行うものであるから、請求項1乃至請求項3の何れか1つに記載の効果に加えて、所定の焼成温度で特定時間焼成し、その後、任意の処理を行い、焼成冷却管理が容易になる。
The effect according to any one of
請求項5の連続焼成炉の前記供給導波管には、チューナを具備しているものであるから、請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載の効果に加えて、単数のマイクロ波発生源から複数の焼成導波管に対して分岐する前記供給導波管は、分岐された複数の焼成導波管に所望の配分でマイクロ波を供給することができる。
Since the supply waveguide of the continuous firing furnace according to claim 5 is provided with a tuner, in addition to the effect according to any one of
請求項6の連続焼成炉において、前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管を構成する所定長の単位焼成導波管相互間を接続するフランジで角度をつけて前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させるものである。
したがって、請求項1乃至請求項5の何れか1つに記載の効果に加えて、前記焼成導波管相互を接続するフランジのみで、前記焼成導波管を構成する所定長の単位焼成導波管相互間の相対移動方向の変更を行うものであるから、規格化された導波管の形状を変更する必要性がなくなり、前記焼成導波管として廉価な規格品を使用することができる。また、前記焼成導波管を構成する所定長の単位焼成導波管と前記加熱対象物との相対変化があっても、常に、前記加熱対象物の移動を直線上の移動とすることができる。
7. The continuous firing furnace according to
Therefore, in addition to the effect described in any one of
請求項7の連続焼成方法は、マイクロ波発生源で発生させたマイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管に導くマイクロ波供給部と、導入されたマイクロ波エネルギを閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、前記焼成導波管に収容された加熱対象物を前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する焼成部とを有し、前記焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置の昇温導入部から前記加熱対象物を取り込み、そして、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させることによって前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものである。
したがって、焼成導波管内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物の加熱を開始すると、前記加熱対象物にひびが入ったり、毀損したりするが、本発明では、電磁界の弱い焼成導波管の壁面近傍から前記加熱対象物を挿入し、その後、徐々に、電磁界の強い焼成導波管の中央に導くものであるから、前記加熱対象物に与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い焼成導波管の壁面近傍から前記加熱対象物を挿入するものであるから、焼成導波管から漏れる電磁波が殆どない。そして、焼成導波管内の全体の温度上昇を行うものでなく、加熱対象物のみを加熱焼成するものであるから、少ないエネルギで早く焼成でき、消費電力に無駄がない。また、常に、移動する前記加熱対象物の焼成環境が一致するから、同一エネルギ分布の条件化で前記加熱対象物が均一に焼成でき、その均一焼成の結果、その品質が良くなる。更に、焼成導波管内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
更に具体的には、装置が飛躍的にコンパクト化され、かつ、前記加熱対象物の一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、また、雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであることから、電子部品等の材料の特性値が向上するという効果が期待できる。
The continuous firing method according to claim 7 confines the microwave generated by the microwave generation source, guides the microwave to the firing waveguide, confines the introduced microwave energy, and has characteristics of the waveguide. A firing section that propagates the traveling wave and heats and heats the object to be heated accommodated in the firing waveguide while moving in the traveling direction of the traveling wave, in the length direction of the firing waveguide The heating object is taken in from the temperature rise introduction part at a position where the electromagnetic field strength is perpendicular to the perpendicular direction, and the heating object is moved to a position where the electromagnetic field intensity is strong, thereby setting the heating and firing temperature of the heating object. It is something to raise.
Therefore, when firing is performed in the firing waveguide, if heating of the heating object is suddenly started with high energy, the heating object is cracked or damaged, but in the present invention, the electromagnetic field is weak. Since the object to be heated is inserted from the vicinity of the wall surface of the fired waveguide and then gradually led to the center of the fired waveguide having a strong electromagnetic field, the shock to the heated object is small. Further, since the object to be heated is inserted from the vicinity of the wall surface of the fired waveguide having a weak electromagnetic field, there is almost no electromagnetic wave leaking from the fired waveguide. And since it is what does not raise the whole temperature in a baking waveguide, and only heats and heats an object to be heated, it can burn quickly with little energy, and there is no waste in power consumption. In addition, since the firing environment of the moving heating object always coincides, the heating object can be uniformly fired under the same energy distribution condition, and as a result of the uniform firing, the quality is improved. Furthermore, since almost no reflected wave is generated in the sintered waveguide, the microwave oscillator constituting the microwave generation source is not damaged by the reflected wave.
More specifically, the equipment has been dramatically reduced in size, and the heating efficiency of small-sized electronic components has been improved several times by the high-efficiency and rapid processing of the one-stage loading of the heating object, and the addition of atmospheric firing has been added. Since it is flexible, it can be used not only for ceramic electronic parts fired in the atmosphere but also for ceramic electronic parts fired in atmospheric firing and automobile parts that are metal parts. Moreover, since the heating process uses the microwave internal heating effect to the maximum extent, it can be expected to improve the characteristic values of materials such as electronic components.
請求項8の連続焼成方法は、前記電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部は、前記焼成導波管の下面から取り込み、前記焼成導波管の中央に移動させるものであるから、請求項7に記載の効果に加えて、前記焼成導波管の下方向から徐々に中央に上昇させるものであるから、前記焼成導波管までマイクロ波エネルギを搬送する供給導波管が上部に配置されたものに好適な位置設定となる。
The continuous firing method according to
請求項9の連続焼成方法は、前記電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部は、前記焼成導波管の上面から取り込み、前記焼成導波管の中央に移動させるものであるから、請求項7に記載の効果に加えて、前記焼成導波管の上方向から徐々に中央に下降させるものであるから、前記焼成導波管までマイクロ波エネルギを搬送する供給導波管が下部に配置されたものに好適な位置設定となる。
The continuous firing method according to
請求項10の連続焼成方法は、前記焼成導波管による加熱焼成後の降温処理は、高温保持処理及び冷却処理、高温保持処理または冷却処理とするものであるから、請求項7乃至請求項9の何れか1つに記載の効果に加えて、所定の焼成温度で特定時間焼成し、その後、常温に冷却するものであるから、焼成されたものを外部で冷却することなく、直接取り出すことができる。
In the continuous firing method of
請求項11にかかる連続焼成方法の前記焼成導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、前記焼成導波管を構成する所定長の単位焼成導波管相互間を接続するフランジで角度をつけて前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させるものであるから、請求項7乃至請求項10の何れか1つに記載の効果に加えて、前記焼成導波管を構成する所定長の単位焼成導波管相互間を接続するフランジによって、前記焼成導波管と前記加熱対象物の相対移動方向の変更を行うことができればよく、規格化された導波管の形状を変更する必要性がなく、そのままの使用が可能であり、廉価な装置が製造可能となる。また、複数の所定長の単位焼成導波管と前記加熱対象物との相対変化が生じても、常に、前記加熱対象物の移動を直線上の移動とすることができる。
The operation of taking the heating object from a position where the electromagnetic field strength of the firing waveguide of the continuous firing method according to
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。なお、実施の形態において、同一記号及び同一符号は、同一または相当する機能を意味するものであるから、重複する説明を省略する。
図1は本発明の実施の形態における連続焼成炉の全体構成を概念的に示す概念図であり、図2は本発明の実施の形態における連続焼成炉の全体構成を示す具体的構成を示す側面図である。また、図3は本発明の実施の形態における連続焼成炉の供給導波管を示す正面図であり、図4は本発明の実施の形態における連続焼成炉の供給導波管を示す要部斜視図である。そして、図5は本発明の実施の形態における連続焼成炉の変形Eベンドを示す側面図(a)、正面図(b)、開口のみの正面図(c)で、図6は本発明の実施の形態における連続焼成炉の変形Eベンドの搬入口の正面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in the embodiments, the same symbols and the same symbols mean the same or corresponding functions, and redundant description is omitted.
FIG. 1 is a conceptual diagram conceptually showing the overall configuration of a continuous firing furnace in an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view showing a specific configuration showing the overall configuration of the continuous firing furnace in an embodiment of the present invention. FIG. FIG. 3 is a front view showing a supply waveguide of a continuous firing furnace in the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a perspective view of a main part showing the supply waveguide of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention. FIG. FIG. 5 is a side view (a), a front view (b), and a front view (c) showing only an opening, showing a modified E bend of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention. FIG. It is a front view of the carrying-in port of the deformation | transformation E bend of the continuous baking furnace in the form of.
図において、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源1は、915MHzのマイクロ波発振器で、その出力が1KW乃至50KW程度のものを用いて実施した。なお、実施例としては915MHzのマイクロ波で、発振出力15KWを分岐して2系統とし、発振出力は各々7.5KWの出力とした例の1系統として説明する。915MHzのマイクロ波は、伝送路としての方形導波管WR975(EIA形名)の断面内側寸法を124×248mmとし、具体的には、内寸124×248mmの単位焼成導波管30の加熱領域は90%フラットトップの幅が60mm程度である。また、単位焼成導波管30としては、方形導波管WR1150(EIA形名)の断面内側寸法と一致した146×292mmの内寸を使用することもできる。
In the figure, a
マイクロ波の出力は、具体的には、後述する単位焼成導波管30-2,30-3,30-4の導波管に10mmの測定孔を穿設し、放射温度計により当該位置が最高温度になるように制御系を設定した。なお、マイクロ波は導波管断面の長手面の中心では電磁界強度がゼロであるから、マイクロ波の漏洩が全く無いことは明らかである。但し、測定孔を多数個穿設する場合、漏洩は無いものの、周波数の変動を避けるために不連続とすることが好ましい。具体的事例としては、10mmの測定孔を100mm間隔とした場合、周波数の変動、漏洩は全く確認されなかった。また、単位焼成導波管30内に発生する電磁界のモードは、発明者らによってTE10であることが確認された。
因みに、市販されているマイクロ波発生源1として2.45GHzのマイクロ波発振器を使用すると、導波管の断面内側寸法は55×109mmで、90%フラットトップの幅は20mm程度である。
Specifically, the output of the microwave is obtained by making a measurement hole of 10 mm in a waveguide of unit fired
Incidentally, when a 2.45 GHz microwave oscillator is used as the commercially available
本実施の形態では、加熱及び焼成する加熱対象物Wの焼成エリアの形態を満たすため、加熱領域が90%フラットトップの幅を大きくするには、例えば、50mm程度を維持するには、90%フラットトップの幅を採れる導波管のサイズから、915MHzの周波数帯のマイクロ波が必要となる。但し、同一の方形導波管WR975(EIA形名)の内寸を使用しても、その基本モードの周波数範囲は、0.76乃至1.15GHzの範囲のマイクロ波の使用が可能である。したがって、本発明を実施する場合、90%フラットトップの幅を重要視すれば、マイクロ波発振器の周波数は、1GHz前後の周波数帯、即ち、30cm程度の波長のマイクロ波の発振器が使用可能であり、このように、加熱対象物Wの焼成空間の大きさによってマイクロ波の周波数が決定できる。 In the present embodiment, in order to satisfy the form of the firing area of the heating object W to be heated and fired, the heating area is 90% to increase the width of the flat top, for example, 90% to maintain about 50 mm. A microwave having a frequency band of 915 MHz is required because of the size of the waveguide that can take the width of the flat top. However, even if the inner dimensions of the same rectangular waveguide WR975 (EIA model name) are used, the frequency range of the fundamental mode can use microwaves in the range of 0.76 to 1.15 GHz. Therefore, when emphasizing the width of the 90% flat top when implementing the present invention, the frequency of the microwave oscillator can be a frequency band around 1 GHz, that is, a microwave oscillator having a wavelength of about 30 cm. Thus, the frequency of the microwave can be determined by the size of the firing space of the heating object W.
殊に、本発明の実施の形態のように、マイクロ波発振器の周波数として加熱対象物Wのサイズから焼成導波管50の規格サイズが決定され、それによれば、焼成処理のスペース確保の必要性から、915MHzを含む1GHz前後の周波数の使用が好適である。
なお、本実施の形態において、特定の単位焼成導波管を指す場合は、単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-9と記載するが、共通する説明の場合には、単位焼成導波管30または連続する単位焼成導波管30の全体を示す場合には焼成導波管50と記載することとする。
In particular, as in the embodiment of the present invention, the standard size of the firing
In the present embodiment, when referring to a specific unit firing waveguide, it is described as
マイクロ波発生源1から発生した915MHzのマイクロ波は、マイクロ波発生源1に設けられた出力窓2から出力され、直管3、Eベンド4、直管5、1/2分波器6、Hベンド7(7R,7L)、パワーモニタ8(8R,8L)、チューナ9(9R,9L)、変形Eベンド10(10R,10L)を介して、導波管の特性で進行波を焼成導波管50に伝播される。
なお、本実施の形態における図示されたHベンド7(7R,7L)、パワーモニタ8(8R,8L)、チューナ9(9R,9L)、変形Eベンド10(10R,10L)のうち、図3に示す右側のものと左側のものを区別する意味では、数字にR、Lを付すこととし、左右の何れでもよい技術的意味では、数字のみで、それにRまたはLは付さないこととする。
The 915 MHz microwave generated from the
Of the H bend 7 (7R, 7L), power monitor 8 (8R, 8L), tuner 9 (9R, 9L), and modified E bend 10 (10R, 10L) illustrated in the present embodiment, FIG. In the sense of distinguishing between the right and left ones, R and L are attached to the numbers, and in the technical meaning which may be either left or right, only the numbers are added, and R or L is not attached to them. .
直管3及び直管5は、規格化された方形導波管WR975(EIA形名)の内寸を用いたものである。Eベンド4及びHベンド7についても、規格化された方形導波管WR975(EIA形名)に接続される内寸の曲がりである。1/2分波器6は、導波管の分岐を行うもので、右のHベンド7Rと左のHベンド7L側に直管5を介して出力されたマイクロ波エネルギを分配するものである。また、パワーモニタ8は、マイクロ波エネルギの配分状況を検出するもので、右のHベンド7Rと左のHベンド7L側に分配入力する入力波電力を示すものである。
ここで、前述したマイクロ波発生源1の出力窓2に接続された直管3、Eベンド4、直管5、1/2分波器6、Hベンド7、パワーモニタ8、チューナ9は、マイクロ波発生源1で発生したマイクロ波エネルギを閉じ込めて、その進行波を焼成導波管50に伝播させる供給導波管20を構成し、チューナ9によって分岐された複数の焼成導波管50に所望の配分でマイクロ波を供給することができる。
The
Here, the
この供給導波管20は、本実施の形態では、直管3、Eベンド4、直管5、1/2分波器6、Hベンド7、パワーモニタ8、チューナ9で構成している。なお、焼成導波管50が1列のみのもののときには、直管3、図示しないベンドまたはコーナ(「ベンド」と「コーナ」とは確立された形状を定義するものは見当たらない。本明細書を通じて「ベンド」と「コーナ」は図に対応する形態のものと仮定して説明する)、パワーモニタ8、チューナ9とすることができる。また、焼成導波管50が4列のときには、1/2分波器で2つに分け、更にそれを2つに分けて構成することになる。勿論、マイクロ波発生源1の出力窓2の開口位置と焼成導波管50の位置によって、他の構成を採ることができる。
なお、本実施の形態の変形Eベンド10は、Eベンド4のようにマイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管50まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から焼成導波管50内に取り込む機能を有している。
In this embodiment, the
Note that the modified
本実施の形態の焼成導波管50は、図1の概念図に示すように、焼成導波管50の長さ方向、即ち、進行波の進行方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込む取り込み部51、加熱対象物Wを進行波の進行方向に沿って電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部52、所定の焼成温度に維持する高温保持部(恒温保持部)53、減衰した進行波を反射させることなく吸収して更に減衰消耗させる残存マイクロ波吸収部54、加熱対象物Wを冷却する冷却処理部55で全体が構成されている。具体的には、本実施の形態の連続焼成炉は、取り込み部51、昇温導入部52、高温保持部53、残存マイクロ波吸収部54、冷却処理部55は、架台90及び補助架台91の上に載置され、所定の位置関係を維持するようになっている。取り込み部51、昇温導入部52、高温保持部53、残存マイクロ波吸収部54、冷却処理部55の全長は、6〜10m程度であり、コンパクトに構成されている。なお、送り機構100は、搬送ガイド60に案内された搬送体70を焼成導波管50の搬入口13から搬出口15まで順次移動させる送りを行う機構部である。
As shown in the conceptual diagram of FIG. 1, the firing
なお、本発明を実施する場合の焼成導波管50は、取り込み部51、昇温導入部52、高温保持部53、残存マイクロ波吸収部54、冷却処理部55の全構成を必要とするものではなく、マイクロ波発生源1で発生されたマイクロ波を閉じ込めて、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容した加熱対象物Wを進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する昇温導入部52及び高温保持部53を構成要件とするものである。
Note that the firing
次に、本実施の形態の連続焼成炉の取り込み部51、昇温導入部52、高温保持部53、残存マイクロ波吸収部54、冷却処理部55、送り機構100の構造及び特性について順次説明する。
本実施の形態の取り込み部51は、曲げの内側のフランジ19側直線と接触する接線を使用することから、変形Eベンド10によってなされている。変形Eベンド10には、焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13に、変形Eベンド10のフランジ19側の内側下面の延長線上に、焼成導波管50の図8に示す導波管本体39に比較して図6に示す搬入口13は、縦が約1/8、横が約1/3と小さく、開口面積が1/10〜1/20以下の断面積で、1/4波長以上の突出部11を形成し、その端部に開口12を形成している。
Next, the structure and characteristics of the
Since the taking-in
具体的には、図5及び図6に示すように、焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13となる突出部11の開口12が、断面内側寸法の高さ10〜20mm、横幅60〜100mmで、肉厚が1〜10mmである。Eベンド4のようにマイクロ波を閉じ込めて伝播させる導波管本体39の機能部、即ち、変形Eベンド10のフランジ19からは、最大位置(下側)で300mm、最小位置(上側)で100mmだけ突出するように設定している。これは、突出部11が導波管の機能部から1/4波長以上突出していることを示すものである。因みに、1GHzのマイクロ波の波長は300mmであり、その1/4波長は75mmである。
Specifically, as shown in FIGS. 5 and 6, the
したがって、変形Eベンド10の焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13は、仮に、開口12が開放状態であっても、または、そこから一部の加熱対象物Wが外部に突出していても、それに反射、誘導されて、マイクロ波エネルギが焼成導波管50の外部に漏れることがない。
Accordingly, the carry-in
更に、加熱対象物Wの搬入口13には、1対のレール61,62からなる搬送ガイド60が配設されている。搬送ガイド60は、突出部11の開口12及びその変形Eベンド10のフランジ19の位置で最低位置にあり、単位焼成導波管30-1のフランジ41F側の位置でもそれが維持されている。
Further, a
加熱対象物Wの搬入口13としての突出部11の開口12からは、搬送ガイド60が突出しており、それは単位焼成導波管30-1以降の搬送ガイド60に繋がっている。変形Eベンド10の突出部11に配設された搬送ガイド60は、エネルギ損失の小さい断熱材からなるスペーサ66を介して突出部11に堅固に固定されている。変形Eベンド10の内部では、基本的に直線的に配置した単位焼成導波管30-1以降の搬送ガイド60としての1対のレール61,62に繋がっている。
このように、本実施の形態の取り込み部51は、導波管の曲げの直線状の接線を使用することによって、開口12が開放状態であっても、または、そこから一部の加熱対象物Wが外部に突出していても、それに反射、誘導されて、マイクロ波エネルギが焼成導波管50の外部に漏れることがない搬入口13を形成することができる。また、後述するように、搬送ガイド60を水平を含む所定の直線運動とすることができる。
From the
As described above, the capturing
本実施の形態の焼成導波管50の昇温導入部52は、主に、2個の単位焼成導波管30-1,30-2によって構成されている。
図7は本発明の実施の形態における連続焼成炉の昇温導入部の構成を示す要部側面図である。図8は図7の切断線A−Aによる断面図、図9は図7の切断線B−Bによる断面図、図10は図7の切断線C−Cによる断面図である。
The temperature
FIG. 7 is a side view of the main part showing the configuration of the temperature raising introduction part of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention. 8 is a sectional view taken along the cutting line AA in FIG. 7, FIG. 9 is a sectional view taken along the cutting line BB in FIG. 7, and FIG. 10 is a sectional view taken along the cutting line CC in FIG.
前述したように、焼成導波管50は規格化された導波管を使用しており、両端にフランジ41F(フランジのFはマイクロ波発生源1側),41R(フランジのRはマイクロ波発生源1の反対側)、42F,42R、・・・、49F,49Rを有する特定の単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-9、具体的には方形導波管WR975(EIA形名)の内寸を用いたもので、その断面内側寸法は、正確には、高さ123.8±0.25mm、横幅247.65±0.25mmで、板厚10mmである。単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-9は、フランジ41F,41R、42F,42R、・・・、49F,49Rによって密に接続され、マイクロ波の漏れが生じない構造となっている。
As described above, the fired
焼成導波管50の材料は、マイクロ波の伝送損失の少ないものの使用が好ましく、銅、アルミニウム、ステンレス、一般鋼の何れかの使用が望ましい。本実施の形態では、経済性、加工性の観点からアルミニウムを選択した。直管3、Eベンド4、直管5、1/2分波器6、Hベンド7(7R,7L)、パワーモニタ8(8R,8L)、チューナ9(9R,9L)、変形Eベンド10(10R,10L)の材料も同様である。
The material of the
昇温導入部52及び高温保持部53を構成する単位焼成導波管30、即ち、単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-6には、上面及び下面に20〜30mmの厚みの断熱材31,32が、左右面には40〜60mmの厚みの断熱材33,34が配設されている。本実施の形態の断熱材31,32及び断熱材33,34は、良好な誘電体であり、マイクロ波エネルギによって発熱しない特性、即ち、誘電体に吸収されるエネルギ損失の非常に小さいセラミックス等からなり、吸収されるエネルギが小さいものである。本実施の形態では、昇温導入部52及び高温保持部53を構成する単位焼成導波管30に断熱材31,32及び断熱材33,34を配設しているが、変形Eベンド10における加熱対象物Wの焼成導波管50内への取り込みを行う構造では、断熱材を使用することも、省略することもできる。また、焼成導波管50の途中に冷却処理を組み入れた場合には、その冷却処理においても、断熱材の使用を省略することができる。
何れにせよ、断熱材31,32及び断熱材33,34の配設は、少なくとも加熱に寄与する単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-6の内壁面に配設され、単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-6内からの放熱を防止するものが好適である。しかし、本発明を実施する場合には、単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-6の内部の状態によっては、例えば、内部にベルトコンベアを通すような場合には、単位焼成導波管30-1,30-2,30-3、・・・、30-6の外壁面に配設することもできる。
In any case, the
ここで、本実施の形態の断熱材31,32及び断熱材33,34の断熱材とは、誘電体に吸収されるエネルギをPとすると、エネルギPは次式で表される。
P=(ε0・ε"・ω・E2・VS)1/2
ここで、 εO=真空の誘電率
ε"=εr・tanδ=誘電体の誘電損率
εr=比誘電率
tanδ=誘電体損失角
ω=各周波数
E=電界強度
VS=誘電体の体積
である。即ち、誘電体の誘電損率の小さい材料であれば、マイクロ波エネルギを吸収して発熱し難いので、断熱材として機能する。
因みに、Al203は25℃で0.06、1000℃で0.16であり、ZrO2は25℃で0.27、1000℃で22.64である。両者をエネルギ損失から比較すれば、Al203の方が断熱材として好適であることが分る。
Here, the
P = (ε 0 · ε " · ω · E 2 · V S ) 1/2
Where ε O = dielectric constant of vacuum
ε " = ε r · tan δ = dielectric loss factor of dielectric
ε r = dielectric constant
tan δ = dielectric loss angle
ω = each frequency
E = field strength
V S = dielectric volume. That is, a material having a low dielectric loss factor of a dielectric material functions as a heat insulating material because it hardly absorbs microwave energy and generates heat.
Incidentally, Al 2 O 3 is 0.06 at 25 ° C. and 0.16 at 1000 ° C., and ZrO 2 is 0.27 at 25 ° C. and 22.64 at 1000 ° C. If both are compared from the energy loss, it can be seen that Al 2 O 3 is more suitable as a heat insulating material.
このように、断熱材31〜34は、マイクロ波を吸収し難く、昇温プロファイルに見合う断熱能力を有することが必要である。因みに、本実施の形態の断熱材31〜34としては、アルミナ−シリカ系断熱材、シリカ−チタニア系断熱材の使用が可能である。
本実施の形態では、最高温度1200℃のとき、導波管本体39の断熱材31〜34により、導波管本体39の外表面の温度は80℃以下であり、焼成導波管50の熱膨張による歪みや応力は全く無視できるものであった。最高温度を更に高くする場合には、焼成導波管50自身の熱膨張により歪みや応力が発生することが懸念されるから、高温部となる焼成導波管50の外周を水冷、空冷等により温度制御とすることが必要となる。
念のため記載すると、周波数915MHzのマイクロ波導波管の内寸サイズをWR975からWR1150の内寸を採用することにより、断面形状を大きくし、断熱材を厚くした構成により焼成導波管50の表面の温度を低減する方法も用いることができる。
As described above, the
In the present embodiment, when the maximum temperature is 1200 ° C., the temperature of the outer surface of the
As a precaution, the microwave waveguide having a frequency of 915 MHz has an internal size of WR975 to WR1150, thereby increasing the cross-sectional shape and increasing the thickness of the heat insulating material. A method for reducing the temperature can also be used.
突出部11の開口12から単位焼成導波管30-1を通過して単位焼成導波管30-2の単位焼成導波管30-1の反対側のフランジ42Rの間には、1対のレール61,62からなる搬送ガイド60が配設されている。搬送ガイド60としての1対のレール61,62は、図8に示すように、突出部11の開口12及び単位焼成導波管30-1のフランジ41Fの位置で最低位置にあり、単位焼成導波管30-2のフランジ42Rの位置で、図10に示すように、導波管本体39の中心位置になるように設定されている。
通常、搬送ガイド60は、加熱対象物Wの機械的搬送のし易さを考慮すると、搬送ガイド60は直線運動とし、2個の単位焼成導波管30-1,30-2を所定の角度傾斜させることによって相対的に変化させるのがよい。
During the opposite side of the
In general, the
単位焼成導波管30-3以降の単位焼成導波管30については、搬送ガイド60は、2個の単位焼成導波管30-1,30-2の搬送ガイド60の延長線上の直線位置に配置され、単位焼成導波管30-3以降と搬送ガイド60との間には、図1に示すように、相対変化は生じていない。
For the
ここで、本実施の形態の搬送体70と焼成導波管50の内面との相対移動について、更に、詳述する。
本実施の形態の変形Eベンド10の焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13としての突出部11の下面側に形成した開口12は、突出部11の開口12から焼成導波管50の搬出口15までの搬送ガイド60を直線状とし、それに対し焼成導波管50の位置を相対変化している。
Here, the relative movement between the
The
この焼成導波管50と搬送ガイド60としての1対のレール61,62との位置の相対変化は、変形Eベンド10のフランジ19と単位焼成導波管30-1のフランジ41Fとの間に、アルミニウム製で焼成導波管50の導波管特性を一致させる開口を有する角度調整アダプタ66を挟むように締め付けている。角度調整アダプタ66は、単位焼成導波管30-1と単位焼成導波管30-2の長さLmmに対して、焼成導波管50の中央断面の高さ位置124/2mmの変化があるように設定される。しかし、変形Eベンド10の焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13としての突出部11の開口12及び単位焼成導波管30-1の搬送ガイド60の位置は、下面から所定の距離離れた初期値δを有しているので、通常、焼成導波管50の加熱対象物Wを焼成導波管50の断面中央位置に設定するので、現実には、焼成導波管50の中央断面の高さ位置124/2=62mmよりもδmm程度の範囲で低く設定される。
The relative change in the position of the
昇温導入部52を2個の単位焼成導波管30-1,30-2としたときの角度調整アダプタ66の角度θは、
θ=tan-1(62−δ)mm/2本の単位焼成導波管の長さLmm
通常、加熱対象物Wを中心位置に配設するから、
θ>tan-150mm/2本の単位焼成導波管の長さLmm
θ<tan-175mm/2本の単位焼成導波管の長さLmm
の角度に設定される。
即ち、本実施の形態の角度調整アダプタ66の角度θは、上側を厚く、下側を薄い4角枠体とし、その角度θは焼成導波管50の下面から中の距離とその変化を設定する焼成導波管50の長さによって決定される。
なお、本実施の形態では、昇温導入部52を2個の単位焼成導波管30-1,30-2とした事例で説明したが、本発明を実施する場合には、加熱対象物Wの特性に応じて、1個の単位焼成導波管30-1または3個以上の単位焼成導波管30-1,30-2,30-3とすることができる。
The angle θ of the
θ = tan −1 (62−δ) mm / 2 length Lmm of unit fired waveguide
Usually, since the heating object W is disposed at the center position,
θ> tan -1 length Lmm of 50 mm / 2 unit firing waveguide
θ <tan −1 75 mm / 2 unit firing waveguide length Lmm
Is set to an angle of
In other words, the angle θ of the
In the present embodiment, the temperature raising
また、単位焼成導波管30-2のフランジ42Rと単位焼成導波管30-3のフランジ43Fとの間にも、角度調整アダプタ67を設けている。角度調整アダプタ67は、角度調整アダプタ66とは逆で、即ち、角度調整アダプタ66と同一のものを作成し、その天地を逆として取り付けたものである。角度調整アダプタ67の角度−θは、角度調整アダプタ66で下降させた角度を同一角度だけ上昇させることにより、単位焼成導波管30-3以降と、搬送ガイド60との位置の角度変化のない焼成導波管50とするものである。
したがって、角度調整アダプタ66の角度θによって搬送体70を取り込み、搬送体70を導波管特性の焼成導波管50の電磁界強度の強い位置に移動させ、その後は焼成導波管50の電磁界強度の強い位置で搬送することができる。
Also between the
Therefore, the
本実施の形態では、変形Eベンド10の加熱対象物Wの搬入口13の事例で説明したが、本発明を実施する場合には、変形Eベンド10の焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13として、上面側に形成した突出部11、開口12とすることもできる。特に、本実施の形態では、供給導波管20から供給されてくるマイクロ波エネルギが変形Eベンド10の上側であることから、変形Eベンド10の突出部11の下面側において、搬送体70を順次移動させる送り機構100を配設するスペースが確保できやすくなる。
In the present embodiment, the case of the carry-in
逆に、変形Eベンド10に供給導波管20から供給されてくるマイクロ波エネルギが下側から供給されると、変形Eベンド10の上側に設けた突出部11から搬送体70を順次移動させる送り機構100を配設するスペースが確保できやすくなる。
更に、供給導波管20から供給されてくるマイクロ波エネルギが左側または右側のときは、変形Eベンド10の右側または左側に設けた突出部11から供給することもできる。また、本実施の形態では、変形Eベンド10としてEベンドを用いているが、それをHベンドを用いた変形Hベンドとすることができるし、コーナを用いた変形Eコーナまたは変形Hコーナとすることもできるが、仔細は後述する。
Conversely, when the microwave energy supplied from the
Further, when the microwave energy supplied from the
搬送ガイド60としての1対のレール61,62は、誘電損率(ε"=εr・tanδ)の小さいアルミナ材料で形成された断面略C字状の棒材で構成され、所定の間隔毎に配設した間隔保持用耐熱体35には、断面略長方形状の開口部38を形成している。この間隔保持用耐熱体35の開口部38には、断面略C字状の棒材の搬送ガイド60の開口が対向するように保持されている。上下同一の断熱材31,32及び左右同一の断熱材33,34の内側には、更に、断熱材からなる間隔保持用耐熱体35に包まれた搬送ガイド60が配設され、搬送ガイド60と間隔保持用耐熱体35との間は容易に移動しないように固定されている。
この搬送ガイド60の間の位置は、単位焼成導波管30の導波管本体39の左右の幅方向の断面積で表現すると、導波管本体39の中央位置にある。
The pair of
The position between the conveyance guides 60 is at the center position of the
搬送ガイド60の間には、SiC材料で100×60mmの面で厚みが1〜10mm程度に形成されたSiC板からなる搬送板71及びその両端に断面略C字状の棒材からなるガイド72を取り付けて構成される搬送体70が搬送ガイド60としての1対のレール61,62の長さ方向に移動自在に配設されている。即ち、搬送体70は、SiC板からなる搬送板71の少なくとも対向辺に搬送ガイド60に移動方向を特定されるガイド72を取り付けて構成されるが、搬送体70の上面に加熱対象物Wを載置させた状態で搬送すると、加熱対象物Wが落下する可能性のある場合には、SiC板からなる搬送板71の2対向辺にガイド72を配設すると、進行方向の辺から落下する可能性がなくなる。因みに、焼成速度との関係で、通常は、略球形の加熱対象物Wでない限り、搬送板71から落下することはない。また、本実施の形態では、搬送板71の2対向辺にガイド72を配設しているが、搬送板71の1辺にガイド72を配設しても、1辺のガイド72とレール61またはレール62との連結が維持されれば、SiC板からなる搬送板71がレール61及びレール62から外れなければ、その状態で搬送体70として機能する。
Between the conveyance guides 60, a
2個の単位焼成導波管30-1,30-2において、搬送ガイド60は、単位焼成導波管30-2のフランジ42Rの位置で、搬送ガイド60の位置が、導波管本体39の断面の中心位置になるように設定される。即ち、単位焼成導波管30-1のフランジ41F側では下面位置とし、単位焼成導波管30-2のフランジ42Rの位置で導波管本体39の断面の略中心位置になるように設定される。このため、間隔保持用耐熱体35の下に施工する断熱材の厚みが徐々に厚く調整される。
Two
搬入口13から供給した加熱対象物Wの搬送板71を移動させる場合に相互間の間隔は、高焼成効率を得るために、連続する搬送板71の間隔をゼロとしても、それ以上に間隔を設けても、入反射特性に問題がないことを発明者等が確認した。
発明者等の実験によれば、この実施の形態の搬送体70の配列密度は、SiC板からなる搬送板71相互間の間隔としては、密接させて連続配置するか、または所定の距離離して連続配置し、かつ、焼成導波管50の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い下面の位置から搬送体70を取り込み、搬送体70を電磁界強度の強い位置に移動させることによる入反射特性を確認した。本実施の形態で使用しているマイクロ波発生源1の出力周波数は、915MHzであり、何れも、搬送板71の配列、磁界強度の弱い下面の位置から搬送体70を取り込み、搬送体70を電磁界強度の強い位置に移動させることによる入反射特性に影響を与えないことが確認された。当該入反射特性の影響は誤差範囲の問題と同等であることが確認され、VSWRが殆ど1(反射率は殆どゼロ)に近い値であることが確認された。
When moving the
According to the experiments by the inventors, the arrangement density of the
ここで、1対のレール61,62からなる搬送ガイド60は、搬送体70の搬送に対して磨耗強度を高い材質を用いる必要がある。但し、マイクロ波の進行波に対して進行を妨げるような導電性を有する材質は好ましくない。通常、高温に耐える材質として、Al2O3、ムライト、コ一ディエライト、Si3N4及びそれらの複合化物の中から選定するのが望ましい。また、磨耗強度が高い導電性を有するSiCを使用する場合には、進行波の妨げを低減するために、一定の間隔で非導電性の材質により縁切りすれば使用可能となる。
Here, the
また、加熱対象物Wを積載する搬送体70は、SiC、Si3N4、アルミナ、ムライト、コ一ディエライト及びこれらの複合化物の中から、加熱対象物Wに合わせて適宜選定される。そして、加熱対象物Wの焼成時における反応を防ぐために、ZrO2、Al203等のコ一ティングを付与した搬送体70を用いても良い。
Further, the
所定の高い温度を維持する高温保持部53は、4個の単位焼成導波管30-3,・・・,30-6によって構成している。
図11は本発明の実施の形態における連続焼成炉の高温保持部の構成を示す要部断面図である。図12は本発明の実施の形態における連続焼成炉の温度特性を示す特性図である。
ここで、高温保持部53は、マイクロ波発生源1で発生されたマイクロ波を、導波管の特性で進行波を単位焼成導波管30-3,・・・,30-6内を伝播させると共に、収容する加熱対象物Wを進行波の進行方向に移動させながら加熱し、その特定の加熱最高温度を維持するように機能するものであり、現実には、進行波が単位焼成導波管30-1,30-2内を進行する際に、その多くのエネルギを消費するから、温度は降下する傾向にある。
The high
FIG. 11 is a cross-sectional view of a main part showing the configuration of the high temperature holding part of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention. FIG. 12 is a characteristic diagram showing temperature characteristics of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention.
Here, the high
そこで、搬送体70のSiC板からなる搬送板71の厚み、搬送ガイド60の上部開口を塞ぐとともに、マイクロ波エネルギによって加熱するSiC板からなる輻射加熱体21によって、マイクロ波エネルギが低下しても、焼成温度を保持する構成としている。
なお、輻射加熱体21とは、誘電体に吸収されるエネルギPが大きいもので、誘電体の誘電損率εr・tanδを大きい材料を使用したり、誘電体の体積VSを大きくしたりして使用される。
Therefore, even if the microwave energy is lowered by the
Note that the
この輻射加熱体21の材質はSiC、Al203、ムライト、コ一ディエライト及びこれらの複合化物の中から、加熱対象物Wに合わせて適宜選定する。
The material of the
本実施の形態における連続焼成炉の温度特性は、輻射加熱体21を使用しない場合で、マイクロ波発生源1で発生されたマイクロ波を単位焼成導波管30-2で1200℃のピークとなるようにしたときの温度分布は、図12に示す通りである。このとき、マイクロ波の出力は4.5KWであった。
ここで、輻射加熱体21を使用することは、輻射加熱体21に吸収されるエネルギPが存在するから、単位焼成導波管30-3以降の高温保持部53では、輻射熱による加熱及び保温効果が生じ、徐々に所定の温度を維持した降温状態となる。
The temperature characteristic of the continuous firing furnace in the present embodiment is a case where the
Here, the use of
ここで、更に、本実施の形態の連続焼成炉で所定の高温ピーク値(1200℃)に到達してからの保持温度を維持する場合の実施の形態として、前者と重複する昇温導入部52及び高温保持部53について、図13乃至図14を用いて詳述する。
図13は図7の切断線B−Bによる断面図、図14は図7の切断線C−Cによる断面図及び高温保持部の内部構造を示すものである。また、図15は本発明の実施の形態における連続焼成炉の高温保持部の他の事例の構成を示す図10相当の要部断面図である。
Here, furthermore, as an embodiment in the case of maintaining the holding temperature after reaching a predetermined high temperature peak value (1200 ° C.) in the continuous firing furnace of the present embodiment, the temperature rising
13 is a cross-sectional view taken along the cutting line BB of FIG. 7, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the cutting line CC of FIG. 7 and the internal structure of the high temperature holding portion. FIG. 15 is a cross-sectional view of the main part corresponding to FIG. 10 showing the structure of another example of the high-temperature holding part of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention.
図において、搬送ガイド60としての1対のレール61,62は、Al203で形成された断面略C字状の棒材で構成され、所定の間隔毎に配設した間隔保持用兼輻射熱用の輻射加熱体22によって断面略C字状の棒材の搬送ガイド60の開口が対向するように保持されている。この輻射加熱体21及び輻射加熱体22の構成は、図8乃至図10に示す断熱材31,32の内側に輻射加熱体21及び輻射加熱体22を配置したものとなっている。
In the figure, a pair of
上下同一の断熱材31,32及び左右同一の断熱材33,34の内側には、吸収されるマイクロ波エネルギが比較的大きいSiC板からなる間隔保持用兼輻射熱用の輻射加熱体22に包まれて搬送ガイド60が配設され、搬送ガイド60と輻射加熱体22との間は接合され、容易に移動しないようにされている。更に、搬送ガイド60の上方の開口は、吸収されるエネルギが比較的大きいSiC板からなる輻射加熱体21を配置している。これによって、輻射加熱体21も加熱され、輻射加熱体22及び輻射加熱体21からの輻射熱(放射熱)によって、二次的に搬送体70の上面の加熱対象物Wを加熱することができる。
The
更に、本実施の形態の連続焼成炉の高温保持部53については、特に、輻射加熱体22及び輻射加熱体21の輻射熱を利用しようとするものであるから、この構成を搬送体70の上面の加熱対象物Wを覆うようにしたマイクロ波エネルギの吸収が比較的大きいSiC板からなるカバー用輻射加熱体25とし、搬送板70と一体となって移動する構成とすると、恒温効果が著しく安定する。
このときのマイクロ波エネルギの吸収が比較的大きいSiC板からなるカバー用輻射加熱体25の質量は、加熱対象物Wの温度及び高温雰囲気時間によって決定される。
Furthermore, since the high-
At this time, the mass of the cover
次に、残存マイクロ波吸収部54について説明する。
高温保持部53までに消費されなかったマイクロ波エネルギは、残存マイクロ波吸収部54によって吸収される。
図16は本発明の実施の形態における連続焼成炉の残存マイクロ波吸収部の構成を示す要部断面図である。
Next, the remaining
The microwave energy that has not been consumed up to the high
FIG. 16 is a cross-sectional view of the main part showing the configuration of the remaining microwave absorption part of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention.
この残存マイクロ波吸収部54は、2個の単位焼成導波管30-7,30-8によって構成している。
焼成導波管50の2個の単位焼成導波管30-7,30-8は、残存マイクロ波吸収部54と機能し、減衰した進行波を反射させることなく吸収し、更に進行波を減衰消耗させる。このため、残存マイクロ波吸収部54には、焼成導波管50の内部中心部に設定した搬送ガイド60の上部と下部に2枚のマイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dを設けている。マイクロ波吸収体80Uは焼成導波管50の内面上面から搬送ガイド60に密接されるように傾斜させ、また、マイクロ波吸収体80Dは焼成導波管50の内面下面から搬送ガイド60に密接されるように傾斜させている。
The remaining
The two unit fired
マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dは、マイクロ波エネルギを吸収特性の高いSiCからなる板材を用いているが、本発明を実施する場合には、SiCからなる板材に限定されるものではなく、カーボン、フェライト等のマイクロ波エネルギを吸収消費する材料から選択することができる。
マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dは、焼成導波管50の内部上面と下面に一致する幅で、単位焼成導波管30-7のフランジ47F側で内部上面または内部下面に当接した位置とし、単位焼成導波管30-8のフランジ48R側で搬送ガイド60に当接した位置となるように、連続変化するように傾斜して配設されている。
所定の間隔毎に配設した間隔保持用の保持材36によってマイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dが、2個の単位焼成導波管30-7,30-8内に容易に移動しないようにされている。
The
The
The
焼成導波管50の2個の単位焼成導波管30-7,30-8では、マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dがマイクロ波エネルギを吸収消費する材料であり、結果的に、マイクロ波エネルギは熱に変換される。したがって、全体に断熱材を設けることなく、放熱特性を持たせるようになっている。マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dの保持材36は、基本的に断熱材であるが、連続設置しないことで、導波管本体39から放熱させるように構成している。
In the two
発明者等の実験によれば、マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dによってマイクロ波エネルギを吸収消費される電力は、数パーセント以下であり、単位焼成導波管30-7,30-8からの外表面からの自然放熱で加熱対象物Wの焼成温度を急冷することなく、徐々に冷却することが確認された。また、本実施の形態では、焼成導波管50の2個の単位焼成導波管30-7,30-8に、マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dを配設しているが、本発明を実施する場合には、マイクロ波エネルギを吸収消費する目的のみであれば、1個の単位焼成導波管30-7または単位焼成導波管30-8のみに配設してもよい。逆に、3個以上の単位焼成導波管30にマイクロ波吸収体80U及びマイクロ波吸収体80Dを配設しても良いし、複数段に繰り返し設けても良い。
According to the experiments by the inventors, the electric power absorbed and consumed by the microwave energy by the
本実施の形態においては、マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dを搬送ガイド60の導波管本体39の内部開口の上下に配設したものであるが、本発明を実施する場合には、マイクロ波吸収体を導波管本体39の内部開口の左右側に配設してもよい。この場合には、単位焼成導波管30-8のフランジ48R側で搬送ガイド60に当接した位置となるように配設するものではなく、搬送ガイド60に当接した位置で切り欠きを設けて、搬送ガイド60間を回避した2枚のマイクロ波吸収体とすることが、マイクロ波の漏れを防ぐという観点からは望ましい。
In the present embodiment, the
マイクロ波吸収体80Uとマイクロ波吸収体80Dの材質は、誘電体に吸収されるエネルギPが特に大きいことが望まれる。したがって、誘電体の誘電損率εr・tanδを大きくし、誘電体の体積VSを大きくしている。具体的には、マイクロ波吸収特性の高いSiC、カーボン、 フェライト等の中から適宜選定される。また、マイクロ波の漏洩防止を完全とするためにそれらの重量を適宜選択される。勿論、その形態も、板状物に限定されるものではなく、糸状、綿状の物質とすることもできる。
The materials of the
次に、本実施の形態の冷却処理部55について説明する。
焼成導波管50の単位焼成導波管30-8のフランジ48R側を通過した搬送ガイド60は、必要に応じて単位焼成導波管30-9及び/または室温で冷却する構成となっている。
図17は本発明の実施の形態における連続焼成炉の冷却処理部の構成を示す要部断面図、また、図18は本発明の実施の形態における連続焼成炉の搬出口の構成を示す要部正面図、図19は本発明の実施の形態における連続焼成炉の冷却処理部の構成を示す要部正面図である。
Next, the
Conveying
FIG. 17 is a cross-sectional view of the main part showing the configuration of the cooling processing unit of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention, and FIG. 18 is the main part showing the configuration of the carry-out port of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention. FIG. 19 is a front view of the main part showing the configuration of the cooling processing unit of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention.
即ち、単位焼成導波管30-7,30-8で急激な冷却によって破損しない程度に加熱対象物Wを徐々に冷却すべく、また、冷却温度が人手によって取り上げられると火傷の可能性がないように、冷却処理部55として単位焼成導波管30-9を通過させた後、図17に示すように、単位焼成導波管30-9のフランジ49Rに取り付けた封止部材16の搬出口15から排出し、室温で更に温度を下げる冷却処理部55の外気冷却部56に導き、そこで、次の工程を意識した温度に冷却している。
That is, there is no possibility of burns when the heating target W is gradually cooled to such an extent that the
この冷却処理部55では、外気冷却部56のように室温で自然冷却を行ってもよいし、水冷または空冷で強制冷却を行ってもよい。また、単位焼成導波管30-9のように、単数または複数の単位焼成導波管30を冷却に使用してもよい。冷却処理部55で加熱対象物Wの温度を効率よく低くするには、搬送ガイド60を覆うカバーを設け、その内部に冷却気体を循環させたり、吹き付けたりするのが望ましい。
In the
本実施の形態の冷却処理部55において、焼成導波管50の単位焼成導波管30-9のフランジ49R側を通過した搬送ガイド60は、フランジ49Rに取り付けた封止部材16を通過した後、両端側を彎曲させた金属板からなる搬送ベース65に固着され、室内を特定の位置まで、図17では図示していない架台90及びその上の補助架台92上を移動自在としている。
In the
次に、本実施の形態の送り機構100について説明する。
図20乃至図22は、本発明の実施の形態における3種類の連続焼成炉の送り機構の構成を示す要部正面図である。
本実施の形態の連続焼成炉における搬送体70を搬送ガイド60に案内されて焼成導波管50の搬入口13から搬出口15まで順次移動させる図20の送り機構100は、搬送体70を押し出すプッシャ機能となっている。送り機構100は、搬送体70を複数段内蔵していて、それを焼成導波管50の搬入口13の搬送ガイド60に搬送体70のガイド72を嵌合し、その状態で、搬送板71をプッシュする機構を有している。このとき、搬送板71と隣接する搬送板71との間隔は、連続当接しているガイド72との組み付け位置によって、その間隔を決定している。
図20に示す送り機構100は、搬送ガイド60としての1対のレール61,62を使用した事例で説明したが、本発明を実施する場合には、他の方法を採用することもできる。
Next, the
20 to 22 are main part front views showing the configurations of the feed mechanisms of three types of continuous firing furnaces according to the embodiment of the present invention.
The
The
図21に示す本実施の形態の連続焼成炉は、搬送ガイド60Aとして連続的に個々に独立回動するローラ60aを配設し、搬送体70をそのローラ60aの上を移動させるものである。この実施の形態では、搬送ガイド60Aとしてのローラ60aは、左右側面が移動規制され所定の間隔を連続移動自在に構成されたものである。ローラ60aは、誘電損率の小さい良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しない特性、即ち、誘電体に吸収されるエネルギ損失の非常に小さいAl203材料等からなる。本実施の形態では、焼成導波管50への搬入口13を上側とし、焼成導波管50の下側からマイクロ波を導入する供給導波管20を配設したものである。焼成導波管50の搬入口13から搬出口15まで順次移動させる図21の送り機構100は、搬送体70を押し出すプッシャ機能となっている。送り機構100は、搬送体70を複数段内蔵していて、それを焼成導波管50の搬入口13から供給し、ローラ60aの上の搬送体70をプッシュする機構を有している。このとき、搬送板71と隣接する搬送板71との間隔は、前者同様、連続当接しているガイド72との組み付け位置によって決定している。
The continuous firing furnace of the present embodiment shown in FIG. 21 is provided with
図22に示す本実施の形態の連続焼成炉は、搬送ガイド60Bとしてベルトコンベアのモータ60eで駆動される回転ドラム60c及び回転ドラム60dに掛けた搬送ベルト60bを配設し、搬送体70をその搬送ベルト60bの上に載置した状態で移動するものである。この実施の形態では、搬送ガイド60Bとしての搬送ベルト60bは、左右側面が移動規制され所定の間隔を連続移動自在に構成されたものである。搬送ベルト60bは、良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しない特性、即ち、誘電損率の小さい、即ち、誘電体に吸収されるエネルギ損失の非常に小さいセラミックス板等からなり、無限軌道状に軸連結されている。本実施の形態では、焼成導波管50への搬入口13を下側とし、焼成導波管50の上側から供給導波管20でマイクロ波を導入するものである。焼成導波管50の搬入口13から搬出口15まで順次移動させる図22の送り機構100は、連続移動(回転)させるものである。
In the continuous baking furnace of the present embodiment shown in FIG. 22, a
送り機構100は、搬送体70を複数段内蔵していて、それを焼成導波管50の搬入口13の搬送ベルト60bに載置し、その状態で、搬送板71を移動する。このとき、搬送板71と隣接する搬送板71との間隔は、前者同様、連続当接しているガイド72との組み付け位置、載置位置によって決定している。
The
このように、プッシャ機能及びローラコンベアの送り機構100は、基本的に、搬送ガイド60,60A,60Bと加熱対象物Wを積載する搬送体70、搬送体70を押すブッシャ機能または搬送体70を載置して移動するベルトコンベア等の送り機構100の構成からなる。
As described above, the pusher function and the roller
本実施の形態の連続焼成炉は、基本的に大気中での焼成炉として説明したが、本発明を実施する場合には、焼成導波管50に窒素、窒素+水素、アルゴン+窒素等の雰囲気ガス等を入れることにより、不活性雰囲気焼成炉としても使用することが可能である。この場合、焼成導波管50内に挿入する雰囲気ガスを大気圧より若干正圧として雰囲気焼成する場合と、焼成導波管50の前後に真空置換室を設けて完全に大気と雰囲気ガスとを置換して雰囲気焼成する場合のどちらでも対応が可能である。
The continuous firing furnace of the present embodiment has basically been described as a firing furnace in the atmosphere. However, when the present invention is implemented, the firing
特に、本実施の形態の連続焼成炉としてコンデンサの焼成試験を行った。焼成温度1200℃、焼成能力は2列の焼成導波管50で加熱対象物Wと搬送体70の合計が6kgを処理速度0.3〜1時間焼成した。この時のマイクロ波出力は2系列で10kW、5×5mmの製品を700個/分にて処理することが可能であり、焼成コストとしては従来方式の焼成炉に対して約1/2となった。
In particular, a firing test of the capacitor was performed as the continuous firing furnace of the present embodiment. The firing temperature was 1200 ° C., and the firing ability was fired at a processing speed of 0.3 to 1 hour using a two-
以上のように、本実施の形態の連続焼成炉は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源1で発生されたマイクロ波を閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容する加熱対象物Wを加熱焼成する焼成導波管50は、焼成導波管50の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に進行波の進行方向に移動させながら、加熱対象物Wの加熱焼成温度を上昇させるものである。
As described above, the continuous firing furnace of the present embodiment confines the microwave generated by the
したがって、焼成導波管50内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物Wの加熱を開始すると、加熱対象物Wが局部的に乾燥したり、部分的にヒビが入ったり、毀損したりするが、本実施の形態では、電磁界の弱い焼成導波管50の壁面近傍から加熱対象物Wを取り込み、その後、徐々に電磁界の強い焼成導波管50の中央に導くものであるから、加熱対象物Wに与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い焼成導波管50の壁面近傍から加熱対象物Wを取り込むものであるから、焼成導波管50から漏れる電磁波が殆どない。そして、焼成導波管50内の負荷分担によって温度上昇を制御するものではないので、消費電力に無駄がない。更に、焼成導波管50内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源1を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
Therefore, when firing is performed in the firing
更に具体的には、連続焼成炉が飛躍的にコンパクト化され、かつ、従来の炉のように加熱対象物Wを多段に積み上げる必要性がなくなり、加熱対象物Wの一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、更に、輻射加熱体21及び輻射加熱体22、カバー用輻射加熱体25等の雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであることから、電子部品等の材料の特性値が向上するという効果が期待できる。
More specifically, the continuous firing furnace is drastically reduced in size, and there is no need to stack the heating object W in multiple stages as in the conventional furnace. As a result, the firing efficiency of the small electronic component is improved several times, and further, the atmosphere heating of the
本実施の形態の連続焼成炉は、焼成導波管50の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、焼成導波管50の下面側から取り込み、焼成導波管50の断面中央に移動させるものであるから、焼成導波管50の上方に設計自由度が大きくなり、焼成導波管50までマイクロ波を伝播する供給導波管20が上部に配置されたものに好適な位置設定となる。
The continuous firing furnace of the present embodiment takes in the heating object W from the position where the electromagnetic field strength of the firing
逆に、焼成導波管50の上面側から取り込み、焼成導波管50の断面中央に移動させるものでは、焼成導波管50の上方向から徐々に中央に下降させるものであるから、焼成導波管50までマイクロ波を伝播する供給導波管20が下部に配置されたものに好適な位置設定となる。
On the contrary, in the case of taking in from the upper surface side of the firing
本実施の形態の連続焼成炉の焼成導波管50による加熱焼成後の降温処理は、高温保持処理及び冷却処理を行うものであるから、所定の焼成温度で特定時間焼成し、その後、冷却処理され、焼成されたものを直接取り出すことができ、焼成冷却管理が容易になる。
しかし、本発明を実施する場合には、焼成導波管50による加熱焼成後の降温処理を省略し、別の装置で温度管理を行うようにすることもできる。即ち、本発明を実施する場合の焼成導波管50では、加熱焼成のみとすることができる。また、加熱焼成の後の恒温処理とすることもできる。更に、加熱焼成の後の恒温処理及び冷却処理、加熱焼成の後の冷却処理とすることもできる。何れにせよ、加熱焼成の後は、その後の目的に合致した処理を行えればよい。
Since the temperature lowering process after the heating and firing by the firing
However, when carrying out the present invention, the temperature lowering process after the heating and baking by the baking
本実施の形態の連続焼成炉の供給導波管20には、チューナ9を具備しているものであるから、単数のマイクロ波発生源1から複数列の導波管列50に対して分岐する供給導波管20は、分岐されたマイクロ波の配分が所望の値に制御できる。したがって、マイクロ波発生源1のマイクロ波発振器の出力が大きい場合には、複数列の導波管列50を配列させて、その生産能力を高めることができる。2系列、4系列とすることができる。
Since the
本実施の形態の連続焼成炉の焼成導波管50の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、焼成導波管50相互を接続するフランジ41F、42R側の角度調整アダプタ66,67で角度をつけて加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させるものである。したがって、単位焼成導波管30相互を接続するフランジ41F、42R側の角度調整アダプタ66,67のみで、焼成導波管50と加熱対象物Wの相対移動方向の変更を行うものであるから、規格化された導波管の形状を変更する必要性がなくなり、焼成導波管50として廉価な規格品を使用することができる。勿論、フランジ41F、42Rに角度調整アダプタ66,67の機能を持たせることもできる。
The operation of taking the heating object W from the position where the electromagnetic field strength is weak in the firing
ところで、上記実施の形態の連続焼成炉については、装置の概念でその構造を説明した。しかし、本発明を実施する場合には、方法の発明として捉えることもできる。
即ち、上記実施の形態の連続焼成方法は、マイクロ波発生源1で発生させたマイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管50に導く供給導波管20等からなるマイクロ波供給部と、導入されたマイクロ波エネルギを閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、焼成導波管50に収容された加熱対象物Wを前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する少なくとも昇温導入部52からなる焼成部とを有し、焼成導波管50の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置の昇温導入部から加熱対象物Wを取り込み、そして、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させることによって加熱対象物Wの加熱焼成温度を上昇させるものである。
By the way, about the continuous baking furnace of the said embodiment, the structure was demonstrated by the concept of the apparatus. However, when carrying out the present invention, it can also be regarded as a method invention.
That is, the continuous firing method of the above embodiment is introduced with a microwave supply unit including a
したがって、上記実施の形態の連続焼成炉と同様、焼成導波管50内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物Wの加熱を開始すると、加熱対象物Wにひびが入ったり、毀損したりするが、本発明では、電磁界の弱い焼成導波管50の壁面近傍から加熱対象物Wを挿入し、その後、徐々に、電磁界の強い焼成導波管50の中央に導くものであるから、加熱対象物Wに与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い焼成導波管50の壁面近傍から加熱対象物Wを挿入するものであるから、焼成導波管50から漏れる電磁波が殆どない。そして、焼成導波管50内の負荷分担によって温度上昇を制御するものではないので、消費電力に無駄がない。更に、焼成導波管50内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源1を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
Therefore, as in the continuous firing furnace of the above embodiment, when firing is performed in the firing
更に具体的には、連続焼成炉が飛躍的にコンパクト化され、かつ、従来の炉のように加熱対象物Wを多段に積み上げる必要性がなくなり、加熱対象物Wの一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、更に、輻射加熱体21及び輻射加熱体22、カバー用輻射加熱体25等の雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであることから、電子部品等の材料の特性値が向上するという効果が期待できる。
More specifically, the continuous firing furnace is drastically reduced in size, and there is no need to stack the heating object W in multiple stages as in the conventional furnace. As a result, the firing efficiency of the small electronic component is improved several times, and further, the atmosphere heating of the
本実施の形態の連続焼成方法は、電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部52は、焼成導波管50の下面から取り込み、焼成導波管50の中央に移動させるものであるから、焼成導波管50までマイクロ波エネルギを搬送する供給導波管20が上部に配置されたものに好適な位置設定となる。
In the continuous firing method according to the present embodiment, the
逆に、本実施の形態の連続焼成方法は、焼成導波管50の上面から取り込み、焼成導波管50の中央に移動させるものでは、焼成導波管50までマイクロ波エネルギを搬送する供給導波管20が下部に配置されたものに好適な位置設定となる。
Conversely, in the continuous firing method of the present embodiment, in the case of taking in from the upper surface of the firing
本実施の形態の連続焼成方法は、焼成導波管50による加熱焼成後の降温処理は、高温保持処理及び冷却処理、高温保持処理または冷却処理とするものであるから、所定の焼成温度で特定時間焼成し、その後、常温に冷却するものであるから、焼成されたものを外部で冷却することなく、直接取り出すことができる。
In the continuous firing method of the present embodiment, the temperature lowering process after heating and firing by the firing
本実施の形態の連続焼成方法は、焼成導波管50の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、焼成導波管50相互を接続するフランジ自体またはフランジ41F、42R側の角度調整アダプタ66,67で角度をつけて加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させるものであるから、焼成導波管50相互を接続するフランジによって、焼成導波管50と加熱対象物Wの相対移動方向の変更を行うことができればよく、規格化された導波管の形状を変更する必要性がなく、そのままの使用が可能であり、廉価な装置が製造可能となる。
In the continuous firing method of the present embodiment, the operation of taking the heating object W from the position where the electromagnetic field strength of the firing
上記実施の形態の連続焼成炉及び連続焼成方法において、昇温プロファイル及び降温プロファイルのうち、昇温プロファイルは単位焼成導波管30-2,30-3の導波管本体39に測定孔を穿設し、放射温度計により当該位置が最高温度になるように制御するものであり、マイクロ波発生源1と協調して任意の温度特性を持たせることができる。
特に、加熱対象物Wは焼成導波管50の上部或いは下部より供給することにより、マイクロ波の電磁界密度が導波管本体39の断面において中心部が最も強いことが明らかであり、電磁界密度の低い導波管本体39の上部或いは下部より加熱対象物Wを挿入し、徐々に中心部に加熱対象物Wを移動させることに伴い、温度を上昇させるという昇温プロファイルを形成させ、加熱対象物Wは移動する傾斜部で目標の最高温度まで一定の昇温速度で加熱することが可能となる。また、降温プロファイルは、搬送板71の厚み、輻射加熱体21,22、カバー型輻射加熱体25の組み合わせによって任意に温度保持、降温特性を持たせることができる。傾斜部の後ろに基準床に平行な平行部を有する焼成導波管50は、昇温導入部52である単位焼成導波管30-2による傾斜部の最高位置で最高温度に達し、そして、最高温度を保持する平行部、即ち、単位焼成導波管30-4,・・,30-6による高温保持部53を搬送することにより、目標の最高温度での保持時間が与えられる。また、保持時間を必要としない加熱対象物Wにおいては冷却処理することが可能となる。
In the continuous firing furnace and the continuous firing method of the above-described embodiment, of the temperature rise profile and the temperature fall profile, the temperature rise profile has a measurement hole formed in the
In particular, it is clear that the object to be heated W is supplied from the upper part or the lower part of the fired
更に、上記実施の形態の連続焼成炉及び連続焼成方法においては、加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から挿入し、電磁界強度の強い中心位置に移動させる事例として、2個の単位焼成導波管30-1,30-2を直線的に変化させるものであるが、更に多くの複数の段階的変化とすることもできる。例えば、2個の単位焼成導波管30-1,30-2を1/2の長さとし、その間のフランジ間にθ/2の角度調整アダプタを配設し、4個の折れ線変化とすることができる。
このように、角度調整アダプタの角度θを任意に設定することにより、任意の複数の相対変化を得て、加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から挿入し、電磁界強度の強い中心位置に移動させることができる。
Furthermore, in the continuous firing furnace and the continuous firing method of the above embodiment, as an example of inserting the heating object W from a position where the electromagnetic field strength is weak and moving it to a central position where the electromagnetic field strength is strong, two unit firings are performed. The
In this way, by arbitrarily setting the angle θ of the angle adjustment adapter, an arbitrary plurality of relative changes are obtained, and the heating object W is inserted from a position where the electromagnetic field strength is weak, and the central position where the electromagnetic field strength is strong. Can be moved to.
本発明の実施の形態について種々述べたが、更に、本実施の形態の変形Eベンド10は、Eベンド4のようにマイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管50まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から焼成導波管50内に取り込む機能を有している。即ち、本実施の形態の変形Eベンド10は、マイクロ波発生源から供給されたマイクロ波を閉じ込めて導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容された加熱対象物Wを加熱焼成するものであればよい。焼成導波管50は、その長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを挿入し、加熱対象物Wを電磁界強度の強い中心位置に移動させることによって、加熱対象物Wの加熱焼成温度を上昇させるものであり、焼成導波管50内の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、徐々に電磁界強度の強い位置に加熱対象物Wを移動できればよい。
したがって、例えば、Hベンドの形態でマイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管50まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から焼成導波管50内に取り込む機能を有するように構成することもできる。即ち、本実施の形態の変形Eベンド10は、変形Hベンドとすることもできる。
Although various embodiments of the present invention have been described, the modified
Therefore, for example, in addition to the function of confining the microwave in the form of H bend and propagating it to the firing
図23は本発明の実施の形態における連続焼成炉の変形Hベンドを示す側面図(a)、正面図(b)、開口のみの正面図(c)である。
図1の本実施の形態の変形Eベンド10Eを用いた取り込み部51は、図23の曲げの内側のフランジ19H側の底面の直線と接触する接線を使用する変形Hベンド10Hとすることができる。焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13Hに、フランジ19Hの内寸法(焼成導波管50の図8に示す導波管本体39を90度回転させた内寸法)に比較して図23に示す搬入口13Hは、縦が約1/3、横が約1/8と小さく、開口面積が1/10〜1/20以下の断面積で、1/4波長以上の突出部11Hを形成し、その端部に開口12Hを形成している。焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13Hとなる突出部11Hの開口12Hが、断面内側寸法の高さ60〜100mm、横幅10〜20mmで、肉厚が1〜10mmである。前述した図1のEベンド4のようにマイクロ波を閉じ込めて伝播させる導波管本体39の機能部、即ち、変形Hベンド10Hのフランジ19Hからは、最大位置(下側)で300mm、最小位置(上側)で100mm程度突出するように設定している。これは、突出部11Hが導波管の機能部から1/4波長以上突出していることを示すものである。このように、取り込み部51を構成する変形Hベンド10Hは、マイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管50まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から焼成導波管50内に取り込む機能を有しておればよい。
FIG. 23 is a side view (a), a front view (b), and a front view (c) of only an opening showing a modified H bend of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention.
The take-in
更に、本発明を実施する場合、上記実施の形態の変形Eベンド10、変形Hベンドと限定されるものではなく、コーナを用いた変形Eコーナまたは変形Hコーナとすることもできる。
図24は本発明の実施の形態における連続焼成炉の変形Eコーナを示す側面図(a)、正面図(b)、開口のみの正面図(c)であり、また、図25は本発明の実施の形態における連続焼成炉の変形Hコーナを示す側面図(a)、正面図(b)、開口のみの正面図(c)である。
図24において、図1の実施の形態の変形Eベンド10を用いた取り込み部51は、曲げの内側のフランジ19E側の底面の直線と接触する接線を使用する変形Eコーナ10Eとすることができる。焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13Eに、フランジ19Eの内寸法(焼成導波管50の図8に示す導波管本体39の内寸法)に比較して図24に示す搬入口13Eは、縦が約1/8、横が約1/3と小さく、開口面積が1/10〜1/20以下の断面積で、1/4波長以上の突出部11Eを形成し、その端部に開口12Eを形成している。基本的構成を図1の実施の形態の変形Eベンド10のEベンドをEコーナに置き換えた基本形態を使用しているのみが相違点である。
Furthermore, when implementing this invention, it is not limited to the deformation |
FIG. 24 is a side view (a), a front view (b), and a front view (c) of only an opening showing a modified E corner of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention. It is the side view (a) which shows the deformation | transformation H corner of the continuous baking furnace in embodiment, the front view (b), and the front view (c) only of opening.
In FIG. 24, the
図25において、図1の実施の形態の変形Eベンド10を用いた取り込み部51は、開口12hが曲げの内側のフランジ19h側の側面(図25(b)の右側)の直線と接触する接線を使用する変形Hコーナ10hとすることができる。焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13hに、フランジ19hの内寸法(焼成導波管50の図8に示す導波管本体39を90度回転させた内寸法)に比較して図25に示す搬入口13hは、縦が約1/3、横が約1/8と小さく、開口面積が1/10〜1/20以下の断面積で、1/4波長以上の突出部11hを形成し、その端部に開口12hを形成している。図1の実施の形態の変形Eベンド10のEベンドの基本的構成をHコーナに置き換えた基本形態を使用している。
焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13hとなる突出部11hの開口12hが、断面内側寸法の高さ60〜100mm、横幅10〜20mmで、肉厚が1〜10mmである。前述した図1のEベンド4のようにマイクロ波を閉じ込めて伝播させる導波管本体39の機能部、即ち、変形Hコーナ10hのフランジ19hからは、最大位置(下側)で300mm、最小位置(上側)で100mm程度突出するように設定している。これは、突出部11hが導波管の機能部から1/4波長以上突出していることを示すものである。このように、取り込み部51を構成する変形Hコーナ10hは、マイクロ波を閉じ込めて、焼成導波管50まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から焼成導波管50内に取り込む機能を有しておればよい。
なお、図25に示す実施の形態の搬入口13hは、フランジ19h側の側面(図25(b)の右側)の上下の中央に設けられており、順次、単位焼成導波管30の左右の中央に加熱対象物Wが搬送されるものである。
25, the take-in
The
Note that the carry-in
このように、供給導波管20から供給されてくるマイクロ波エネルギが左側または右側のときは、変形Eベンド10の右側または左側に設けた突出部11から供給することもできる。また、図1に示す実施の形態では、変形Eベンド10としてEベンドを用いているが、それをHベンドを用いた変形Hベンド10hとすることができるし、コーナを用いた変形Eコーナ10Eまたは変形Hコーナ10hとすることもできる。
しかし、上記実施の形態において、焼成導波管50の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Wの加熱焼成温度を上昇させるには、変形Eベンド10、変形Hベンド10H、変形Eコーナ10E、変形Hコーナ10hを用いているが、単位焼成導波管30を用いることもできる。
Thus, when the microwave energy supplied from the
However, in the above embodiment, the heating object W is taken from the position where the electromagnetic field strength is low in the direction perpendicular to the length direction of the firing
図26は本発明の実施の形態における連続焼成炉の単位焼成導波管を用いた取り込み部の配設を示す説明図である。
図26は、単位焼成導波管30-1a,30-2,30-3を用いた取り込み部51の配設を示すもので、本実施の形態の取り込み部51は、単位焼成導波管30-1aに対して開口面積が1/10〜1/20以下の断面積で、1/4波長以上の突出部11aを形成し、その端部に開口12aを形成している。即ち、焼成導波管50の図8に示す導波管本体39に比較して搬入口13aは、縦が約1/8、横が約1/3と小さくした突出部11aを形成し、単位焼成導波管30-1aからそれを分岐している。この分岐位置は単位焼成導波管30-1aの特定位置に限定されるものではない。
焼成導波管50の加熱対象物Wの搬入口13aは、導波管本体39の内側下面の延長線上に設けられ、加熱対象物Wが水平方向の直線運動をするようになっている。
導波管本体39と搬入口13aとの配設角度は、フランジ41F、42R側の角度調整アダプタ66a,67aのみで設定できる。
このように、本発明を実施する場合には、焼成導波管50の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Wの加熱焼成温度を上昇させる構造であれば採用できる。
FIG. 26 is an explanatory view showing the arrangement of the intake section using the unit firing waveguide of the continuous firing furnace in the embodiment of the present invention.
FIG. 26 shows the arrangement of the capturing
The carry-in
The arrangement angle between the waveguide
As described above, when the present invention is carried out, the heating object W is taken in from the position where the electromagnetic field strength is low in the direction perpendicular to the length direction of the firing
加えて、上記実施の形態の1対のレール61,62からなる搬送ガイド60及びその搬送ガイド60間のSiC板からなる搬送板71及びその両端に断面略C字状の棒材からなるガイド72を取り付けて構成される搬送体70は、本発明を実施する場合、搬送ガイド60及び搬送体70を任意に組み合わせて使用することもでき、そして、搬送ガイド60と搬送体70の構成部分を任意に組み合わせることもできる。
同様に、送り機構100についても、プッシャ機能及びローラコンベア機能、ベルトコンベア機能として実施することができる。
In addition, the
Similarly, the
また、角度調整アダプタ66,67は、単位焼成導波管30の直線性を維持して、加熱対象物Wを電磁界強度の弱い位置から強い位置に移動させるものであるが、本発明を実施する場合には、角度調整アダプタ66,67を省略し、単位焼成導波管30に角度を持たせるように形成してもよい。何れにせよ、焼成導波管50では、焼成導波管50の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Wを取り込み、加熱対象物Wを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Wの加熱焼成温度を上昇させることができればよい。
The
W 加熱対象物
1 マイクロ波発生源
9(9R,9L) チューナ
10(10R,10L) 変形Eベンド
13 搬入口
15 搬出口
20 供給導波管
30 単位焼成導波管
31〜34 断熱材
50 焼成導波管
51 取り込み部
52 昇温導入部
53 高温保持部
54 残存マイクロ波吸収部
55 冷却処理部
60 搬送ガイド
61,62 1対のレール
66,67 角度調整アダプタ
70 搬送体
80U,80D マイクロ波吸収体
100 送り機構
Claims (11)
前記マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波を閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容した加熱対象物を前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する焼成導波管と、
前記マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を閉じ込め、前記焼成導波管まで伝播させる供給導波管を具備し、
前記焼成導波管は、前記焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の前記加熱対象物を取り込む位置を電磁界強度の弱い位置とし、そこから前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動して、前記電磁界強度の強い位置で前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させて加熱焼成する構造としたことを特徴とする連続焼成炉。 A microwave source that generates microwaves;
A firing waveguide for confining microwaves generated by the microwave generation source, propagating traveling waves with the characteristics of the waveguide, and heating and firing while moving a contained heating object in the traveling direction of the traveling waves When,
Comprising a supply waveguide for confining the microwave generated by the microwave generation source and propagating it to the firing waveguide;
In the firing waveguide, a position where the heating object is taken in a direction perpendicular to the length direction of the firing waveguide is a position where the electromagnetic field strength is weak, and the heating object is positioned there from where the electromagnetic field strength is strong A continuous firing furnace characterized by having a structure in which the material to be heated is heated and fired at a position where the electromagnetic field strength is strong and the heating and firing temperature of the object to be heated is increased .
前記焼成導波管による前記焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の前記加熱対象物を取り込む位置を電磁界強度の弱い位置とし、そこから移動して前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置とし、その位置で前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させる加熱焼成では、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置への移動を、所定長の前記焼成導波管相互間を接続するフランジによる前記焼成導波管と前記加熱対象物の相対移動方向の変更のみで行うことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1つに記載の連続焼成炉。 Taking the heating object from a position where the electromagnetic field strength of the firing waveguide is weak, and moving the heating object to a position where the electromagnetic field intensity is strong,
The position where the heating object taken in the direction perpendicular to the length direction of the firing waveguide by the firing waveguide is taken as a position where the electromagnetic field strength is weak, and the position to which the heating object is moved is moved from there. In the heating and baking in which the heating object is heated at a high position and the heating and baking temperature of the heating object is increased, the movement of the heating object to a position where the electromagnetic field strength is strong is connected between the baking waveguides of a predetermined length. The continuous firing furnace according to any one of claims 1 to 5, wherein the firing is performed only by changing a relative movement direction of the firing waveguide and the heating object by a flange to be heated .
導かれたマイクロ波エネルギを閉じ込め、導波管の特性でその進行波を伝播すると共に、前記焼成導波管に収容された加熱対象物を前記進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成し、
前記焼成導波管の昇温導入部で前記焼成導波管に対して前記焼成導波管の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、そして、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させながら前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させることを特徴とする連続焼成方法。 The microwave generated by the microwave generation source is confined by the microwave supply unit and guided to the firing waveguide,
Confine the guided microwave energy, propagate the traveling wave with the characteristics of the waveguide, and heat and fire while moving the object to be heated contained in the firing waveguide in the traveling direction of the traveling wave ,
The heating object is taken in from the position where the electromagnetic field strength is weak in the direction perpendicular to the length direction of the firing waveguide with respect to the firing waveguide at the temperature rising introduction portion of the firing waveguide, and A continuous baking method, wherein the heating and baking temperature of the heating object is increased while moving the heating object to a position where the electromagnetic field strength is strong.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006219923A JP4943087B2 (en) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | Continuous firing furnace and continuous firing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006219923A JP4943087B2 (en) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | Continuous firing furnace and continuous firing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008045783A JP2008045783A (en) | 2008-02-28 |
JP4943087B2 true JP4943087B2 (en) | 2012-05-30 |
Family
ID=39179687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006219923A Active JP4943087B2 (en) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | Continuous firing furnace and continuous firing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4943087B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4943088B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-05-30 | 美濃窯業株式会社 | Continuous firing equipment |
JP2011249106A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Hitachi Ltd | Microwave heating device |
CN102353254B (en) * | 2011-08-05 | 2013-06-05 | 湖南省中晟热能科技有限公司 | Microwave and electricity hybrid heating high temperature push plate kiln |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS569696A (en) * | 1979-07-06 | 1981-01-31 | Hitachi Ltd | Cetrifugal compressor |
JPS5810671B2 (en) * | 1979-10-08 | 1983-02-26 | 高砂工業株式会社 | Cooling device for smoked tile firing furnace |
JPS5938518B2 (en) * | 1980-12-29 | 1984-09-17 | 三菱マテリアル株式会社 | How to clean a vertical heat exchanger |
JPS57208206A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Heating furnace for dielectric heat stretching |
JPS60240094A (en) * | 1984-05-12 | 1985-11-28 | ミクロ電子株式会社 | Method of continuously heating slender dielectric unit |
JPS62165894A (en) * | 1986-01-16 | 1987-07-22 | ミクロ電子株式会社 | Microwave heater for high pressure fluid |
JPH0235232B2 (en) * | 1987-01-20 | 1990-08-09 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | RENZOKUSHIKIROORAHAASUGATASHOSEIRO |
JP3725678B2 (en) * | 1997-10-07 | 2005-12-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Microwave heating device |
US6428161B1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-08-06 | Hewlett-Packard Company | Drying apparatus |
JP3687902B2 (en) * | 2001-09-05 | 2005-08-24 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | Continuous firing furnace and method for producing a fired body using the same |
JP4383093B2 (en) * | 2003-05-29 | 2009-12-16 | 美濃窯業株式会社 | Continuous firing method of fired body using electromagnetic wave and tunnel type continuous firing furnace |
JP2007149404A (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Microwave heating device |
JP4943088B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-05-30 | 美濃窯業株式会社 | Continuous firing equipment |
-
2006
- 2006-08-11 JP JP2006219923A patent/JP4943087B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008045783A (en) | 2008-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9504098B2 (en) | Furnace system having hybrid microwave and radiant heating | |
CN202617491U (en) | Guided wave radiator possessing non-gaseous dielectric medium and used for plasma chamber | |
US6437303B1 (en) | Method and furnace for microwave sintering of nuclear fuel | |
US6891140B2 (en) | Sintering furnace, method of manufacturing sintered objects, and sintered objects | |
US6336775B1 (en) | Gas floating apparatus, gas floating-transporting apparatus, and thermal treatment apparatus | |
US20020139795A1 (en) | Apparatus and method for processing ceramics | |
CN108695194B (en) | Substrate heating apparatus, substrate processing system, and substrate heating method | |
US5994686A (en) | Microwave heat-treating device with concave reflectors | |
JP4214040B2 (en) | Operation method of microwave heating furnace and microwave heating furnace | |
JP4943087B2 (en) | Continuous firing furnace and continuous firing method | |
JP4943088B2 (en) | Continuous firing equipment | |
CN107006079B (en) | Heater unit and carburizing furnace | |
US20030118966A1 (en) | Thermal treatment apparatus | |
JPS627288B2 (en) | ||
JP2012043908A (en) | Vacuum processing apparatus and plasma treatment method | |
CN220250633U (en) | Built-in heating furnace and production system | |
KR200471723Y1 (en) | Heater for furnace and muffle type furnace using the same | |
KR102126152B1 (en) | Microwave furnace | |
WO2011102263A1 (en) | Vacuum processing device | |
KR20190024670A (en) | Substrate heating apparatus, substrate processing system and substrate heating method | |
JP3631211B2 (en) | Microwave furnace for high temperature and support used for it | |
WO2015153035A2 (en) | Thermal reactor | |
JP4926445B2 (en) | Oxidation-resistant furnace for graphite material and oxidation-resistant method for graphite material | |
JP2005291515A (en) | Continuous baking furnace and continuous baking method | |
CN112543527A (en) | Microwave heating type heat exchange device and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120229 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4943087 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |