JP4936368B2 - Vacuum chamber and electron beam drawing apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、真空チャンバ及び電子線描画装置に係り、更に詳しくは、処理装置が配置される内部空間を外部空間から気密する真空チャンバ、及び該真空チャンバを備える電子線描画装置に関する。 The present invention relates to a vacuum chamber and an electron beam lithography apparatus, and more particularly to a vacuum chamber that hermetically seals an internal space in which a processing apparatus is disposed from an external space, and an electron beam lithography apparatus including the vacuum chamber.
近年、次世代のブルーレイディスクや、次々世代のDVDに対してデータを書き込むために、大電流かつ微小ビーム径の電子ビームを発生する電子ビーム記録装置(EBR:Electron Beam Recorder)などの電子ビームマスタリング装置の開発が進められている。 In recent years, electron beam mastering such as an electron beam recording device (EBR: Electron Beam Recorder) that generates an electron beam with a large current and a small beam diameter in order to write data to the next generation Blu-ray disc and the next generation DVD. Development of equipment is underway.
この種の電子ビーム記録装置は、レジスト層が形成された基板を保持するステージ装置(特許文献1参照)と、ステージ装置に保持された基板に電子ビームを照射する照射装置とを備えており、一般に電子ビームが気体分子に衝突することによる減衰を防止する観点から、照射装置及びステージ装置は、所定の真空度が維持された真空チャンバ内の気密空間に配置されている。 This type of electron beam recording apparatus includes a stage device (see Patent Document 1) that holds a substrate on which a resist layer is formed, and an irradiation device that irradiates an electron beam onto the substrate held by the stage device. In general, from the viewpoint of preventing attenuation due to collision of an electron beam with gas molecules, the irradiation device and the stage device are arranged in an airtight space in a vacuum chamber in which a predetermined degree of vacuum is maintained.
しかしながら、真空チャンバは、内部空間の真空度を高くすると、外部空間と内部空間との気圧の差の影響を受けて僅かに変形し、内部空間に配置された電子ビーム記録装置の描画精度に悪影響を及ぼすことがある。そこで、近年、この問題を回避する観点から、真空チャンバの変形を抑制するための方法が提案されている(例えば特許文献2参照)。 However, when the degree of vacuum in the internal space is increased, the vacuum chamber is slightly deformed due to the difference in atmospheric pressure between the external space and the internal space, and adversely affects the drawing accuracy of the electron beam recording apparatus disposed in the internal space. May affect. Therefore, in recent years, a method for suppressing the deformation of the vacuum chamber has been proposed from the viewpoint of avoiding this problem (see, for example, Patent Document 2).
特許文献2に記載の方法は、電子ビーム記録装置を収容するメインチャンバと、メインチャンバの外側を覆うサブチャンバを設けることで2重構造の真空チャンバを構成し、メインチャンバとサブチャンバとの間に囲まれた中空層の空気を真空ポンプで排気することによりメインチャンバの変形を防止することを目的とする方法である。
In the method described in
しかしながら、この方法では、ステージ装置が載置される面がメインチャンバと一体となるため、高度な面精度を確保することが困難である。また,サブチャンバの素材として、軽量化の観点から板厚3mmと非常に薄い鋼板を用いている。このため、中空層の空気を真空ポンプで排気すると、サブチャンバが大きく変形するとともに、振動を引き起こすという問題がある。この振動は、メインチャンバに伝わってステージ装置の位置決め精度を悪化させ、ひいては電子ビーム記録装置の記録精度を低下させることとなる。 However, in this method, since the surface on which the stage device is placed is integrated with the main chamber, it is difficult to ensure high surface accuracy. Further, as a material for the sub chamber, a very thin steel plate with a thickness of 3 mm is used from the viewpoint of weight reduction. For this reason, when the air in the hollow layer is exhausted by a vacuum pump, there is a problem that the sub-chamber is greatly deformed and vibration is caused. This vibration is transmitted to the main chamber and deteriorates the positioning accuracy of the stage device, and consequently reduces the recording accuracy of the electron beam recording device.
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、内部空間で装置を保持するベースの変形量を抑制することが可能な真空チャンバを提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to provide a vacuum chamber capable of suppressing the deformation amount of the base holding the device in the internal space.
また、本発明の第2の目的は、描画精度の向上を図ることが可能な電子線描画装置を提供することにある。 A second object of the present invention is to provide an electron beam drawing apparatus capable of improving the drawing accuracy.
本発明は第1の観点からすると、精密ステージが配置される内部空間を外部空間から気密状態で隔離して、前記内部空間の真空度を維持する気密室と;前記内部空間から気体を排気する真空ポンプと;前記精密ステージを保持するとともに、前記内部空間を第1空間と第2空間に区画するベースと;前記真空ポンプによる気体の排気にともなって、前記内部空間と前記外部空間との間に生じる気圧差を利用して、前記ベースの変形を抑制する補正機構と;を備える真空チャンバである。 According to a first aspect of the present invention, an internal space in which a precision stage is disposed is isolated from an external space in an airtight state, and an airtight chamber that maintains the degree of vacuum in the internal space; and gas is exhausted from the internal space A vacuum pump; a base for holding the precision stage and partitioning the internal space into a first space and a second space; between the internal space and the external space as the gas is exhausted by the vacuum pump And a correction mechanism that suppresses deformation of the base using a pressure difference generated in the vacuum chamber.
これによれば、気密室の内部空間から気体が排気されることによる容体の変形によって、ベースに力が作用しても、内部空間と外部空間との圧力の差分が補正機構を介してベースに作用する力を打ち消すように作用する。したがって、ベースの変形を抑制することが可能となる。 According to this, even if force is applied to the base due to deformation of the container due to the exhaust of gas from the internal space of the hermetic chamber, the difference in pressure between the internal space and the external space is applied to the base via the correction mechanism. Acts to counteract the acting force. Therefore, it is possible to suppress the deformation of the base.
本発明は第2の観点からすると、電子ビームを用いて試料の表面に情報を記録する電子線描画装置であって、本発明の真空チャンバと;前記試料に電子ビームを照射する照射装置と;前記真空チャンバのベース上で、前記試料を保持する精密ステージと;を備える電子線描画装置である。 From a second viewpoint, the present invention is an electron beam drawing apparatus for recording information on the surface of a sample using an electron beam, the vacuum chamber of the present invention; an irradiation apparatus for irradiating the sample with an electron beam; And a precision stage for holding the sample on the base of the vacuum chamber.
これによれば、電子線描画装置は、本発明の真空チャンバを備え、試料を保持する精密ステージは本発明の真空チャンバのベース上に配置されている。このため、気密室を真空にすることによって内部空間と外部空間とに気圧差が生じても、ベースの変形は効果的に抑制され精密ステージが気圧差によって影響を受けることはない。したがって、試料への電子線照射精度が向上し、結果的に描画精度の向上を図ることが可能となる。 According to this, the electron beam drawing apparatus includes the vacuum chamber of the present invention, and the precision stage for holding the sample is arranged on the base of the vacuum chamber of the present invention. For this reason, even if a pressure difference occurs between the internal space and the external space by making the hermetic chamber vacuum, the deformation of the base is effectively suppressed and the precision stage is not affected by the pressure difference. Therefore, the electron beam irradiation accuracy to the sample is improved, and as a result, the drawing accuracy can be improved.
《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図3(B)に基づいて説明する。図1は、防振装置20に支持された真空チャンバ10のZX断面図である。また、図2は、真空チャンバ10を一部断面して示す斜視図である。図1及び図2を総合するとわかるように、真空チャンバ10は、四隅近傍を防振装置20(例えば、空気圧によるサーボマウンタ等)に支持されたベース15と、ベース15の上面及び下面にそれぞれ固定された第1筐体12及び第2筐体17とを備えている。
<< First Embodiment >>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a ZX cross-sectional view of the
前記ベース15は、中央部に長手方向をX軸方向とする貫通孔15aが形成された正方形板状の部材からなり、防振装置20によってほぼ水平となるように支持されている。このベース15の上面は、例えば平面度が1μm以下となるような面精度に仕上げられ、貫通孔15aの+Y側及び−Y側には、長手方向をX軸方向とする長方形状の一対の支持部15bがそれぞれ形成されている。支持部15bそれぞれは、例えば図1中に仮想線で示される位置で、所定の処理装置等をほぼ水平に支持することが可能となっている。
The
前記第1筐体12は、正方形板状の蓋部材13と、蓋部材13の下面外縁部に沿って固定された側壁部材14とを有している。図3(A)及び図3(B)に示されるように、側壁部材14は、その上面及び下面に環状溝14b及び環状溝14cが形成され、環状溝14b,14cそれぞれにはOリング32がはめ込まれている。
The
図3(A)に示されるように、蓋部材13と側壁部材14とは、蓋部材13の外縁に沿って設けられた複数の段付き開口13aに上方から挿入されたボルト30が、側壁部材14に螺合されることで一体化されている。そして、図3(B)に示されるように、ベース15の上面に載置された側壁部材14は、ベース15の下面の外縁に沿って設けられた複数の段付き開口15cに下方から挿入されたボルト30が、ベース15に螺合されることで、ベース15の上面に固定されている。これによって、第1筐体12とベース15によって規定される内部空間10Aは、外部空間と気密封止される。
As shown in FIG. 3 (A), the
前記第2筐体17は、図1及び図2を総合するとわかるように、上方が開放された箱状の部材からなり、外周面上端部にはフランジ部17bが形成されている。図3(B)に示されるように、フランジ部17bの上面には、その内縁に沿って環状溝17cが形成され、環状溝17cにはOリング32がはめ込まれている。また、第2筐体17の下面中央部には、開口17aを介して第2筐体17の内部空間10B内の気体を排気する真空ポンプ22が固定されている。
As can be understood from FIGS. 1 and 2, the
第2筐体17は、図3(B)に示されるように、フランジ部17bに設けられた複数の開口に下方から挿入されたボルト30がベース15に羅合することで、ベース15の下面に固定されている。これによって、内部空間10Bは外部空間に対して気密封止される。
As shown in FIG. 3 (B), the
以上説明したように、本実施形態に係る真空チャンバ10の内部空間は、ベース15によって、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bとに区画され、両内部空間10A,10Bは、ベース15に形成された貫通孔15aによって連通されている。したがって、真空ポンプ22を用いて内部空間10B内の気体を排気すると、内部空間10Aと内部空間10Bとの間に圧力差を生じさせることなく、真空チャンバ10の内部を所定の真空度とすることができる。したがって、内部空間10Aと内部空間10Bとの気圧差の影響でベース15が変形することを回避することが可能となる。
As described above, the internal space of the
《第2の実施形態》
次に、本発明の第2の実施形態を図4〜図9に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともに、その説明を省略若しくは簡略するものとする。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted or simplified.
図4は、防振装置20に支持された真空チャンバ11のZX断面図である。また、図5は、真空チャンバ11を一部断面して示す斜視図である。図4及び図5を総合するとわかるように、真空チャンバ11は、ベース15、第1筐体12及び第2筐体17とを備え、更に、内部空間10Bには4つの補正機構50が配置されている。
FIG. 4 is a ZX sectional view of the
前記補正機構50は、図5に示されるように、前記ベース15に設けられた貫通孔15aの周囲に沿って配置されている。図6は補正機構50の概略的な構成を示す図である。補正機構50は、図6に示されるように、第2筐体17の内部底面に固定された環状ベース52、該環状ベース52に外縁部を支持される円形プレート60、環状ベース52に固定された固定板53、及び上端がベース15に固定された支持柱51を有している。
As shown in FIG. 5, the
前記環状ベース52は断面L字状の環状部材であり、内周面に段部が形成されている。この環状ベース52は、図6に示されるように、第2筐体17の内部底面に例えばボルト(不図示)などで固定されている。
The
円形プレート60は、外径110mm、厚さ3mmで、剛性値が120N/μmの円形板状の部材であり、その外縁部を環状ベース52の段部によって支持されている。
The
前記固定板53は、中央に円形開口53aが形成された環状の部材であり、環状ベース52の上面に、例えばボルト(不図示)などで固定されている。
The fixing
前記支持柱51は、円柱状の部材であり、上端がベース15の下面に例えばボルトなどで固定され、下端が環状ベース52に支持される円形プレート60の上面に当接している。
The
本実施形態では、上記のように構成された4つの補正機構50が、ベース15の貫通孔15aを囲むように配置され、それぞれの補正機構50の支持柱51は、円形プレート60によって約1200N程度の力で上方に付勢されている。
In the present embodiment, the four
次に、上述のように構成された真空チャンバ11において、内部空間10A,10Bを所定の真空状態とした場合に、ベース15に生じる変形の様子を示すシミュレーション結果について説明する。
Next, a simulation result showing the deformation that occurs in the
本第2の実施形態に係る真空チャンバ11では次表に示されるように、各構成部材12,13,15,17の材質及び各方向の大きさ(単位:mm)を設定した。なお、次表1において、側壁部材14のX方向及びY方向の大きさは部材の外側の寸法が示され、第2筐体17では、フランジ部17bを含まないX方向及びY方向の大きさが示されている。また、ベース15に形成された支持部15bにはそれぞれ鉛直方向に50kgfの力(荷重)が作用しているものとする。
In the
また、真空チャンバ11に対する比較例として、第1の実施形態に係る真空チャンバ10と、図7(A)及び図7(B)に示される真空チャンバ101,102と、図8に示される真空チャンバ103を想定した。真空チャンバ101は、ベース15の上面に第1筐体12が固定され、ベース15の下面にはベース15の中央部に設けられた開口15a’から内部空間10Aの気体を排気する真空ポンプ22が固定されている。この真空チャンバ101は、第2筐体17を備えていない点で前記真空チャンバ10と大きく異なっている。また、真空チャンバ102は、真空チャンバ10と同等の構成を有しているが、第2筐体17のZ軸方向の大きさが450mmとなっており、真空ポンプ22が第2筐体17の側面に設けられている点で真空チャンバ10と異なっている。また、真空チャンバ103は、真空チャンバ11と同等の構成を有しているが、補正機構50の支持柱51の下端が直接第2筐体17の内部底面に固定されている点で真空チャンバ11と異なっている。
As a comparative example for the
上記各真空チャンバ10,11,101,102についてのシミュレーションは、真空ポンプ22を駆動して、各真空チャンバ10,11,101,102の内部空間の真空度を大気圧から10−4Paまで低下させ、大気圧にあるときのベース15の変形量と、真空引き後のベース15の変形量を計測して行った。具体的には、ベース15の変形量の計測を、図9に示されるように、ベース15に設けられた貫通孔15aの−Y側のA点〜E点の変位(ΔZ(μm))を計測することにより行った。なお、各点A〜Eの変位は、ベース15の上面のうち防振装置20に支持される部分からの変位をいうものとする。
In the simulation for each of the
次表2は、真空チャンバ101のシミュレーション結果である。ベース15には、大気圧から内部空間10Aの圧力を差し引いた圧力が上方に向けて加わる。このため、中央部のC点においては、22.4μmだけ持ち上がる結果となり、真空引き前後では、26.5μmの変形を伴う。
Table 2 below shows the simulation result of the
次表3は、第1の実施形態に係る真空チャンバ10のシミュレーション結果である。真空チャンバ10では、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bに圧力差がないので、ベース15が圧力差の影響を受けて変形することはない。しかし、内部空間10Aの容積が内部空間10Bの容積に対し大きいため、第1筐体12の変形の影響をより大きく受ける。また、搭載物重量もベース15に形成された支持部15bに作用するため、これによる変形も重畳される。このため、中央部C点の変位は−9.6μmとなった。
Table 3 below shows simulation results of the
次表4は、真空チャンバ102のシミュレーション結果である。真空チャンバ102では、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bに圧力差がないので、ベース15が圧力差の影響を受けて変形することはない。また、内部空間10Bの容積が大きくなっていることで、第1筐体12と第2筐体17の変形が相互に相殺され、支持部15bに作用する搭載物重量がベース15の変形を抑制するように作用している。このため、中央部のC点の変位は−1.6μmとなり、真空引き前に比べてC点の変位が−3.3μmから−1.6μmに縮小した。また、B点,C点,D点の変位は、ほぼ一様に−1.6μm〜−1.5μmであり、支持部15bに載置される装置の精度を達成させるのに十分である。
Table 4 below shows simulation results of the
次表5は、真空チャンバ11のシミュレーション結果である。真空チャンバ11では、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bに圧力差がないので、ベース15が圧力差の影響を受けて変形することはない。しかし、内部空間10Aの容積が内部空間10Bの容積に対し大きいため、第1筐体12の変形の影響をより大きく受ける。また、搭載物重量もベース15に形成された支持部15bに作用するため、これによる変形も重畳される。このため、ベース15は下方に凸となるように変形しようとする。一方、第2筐体17の内部底面は、第2筐体17の内部空間10Bと大気圧との差圧によって、大きく上方に持ち上げられる。つまり、ベース15と第2筐体17の内部底面とは、互いに逆方向に変形される。
Table 5 below shows simulation results of the
本第2の実施形態に係る真空チャンバ11では、第2筐体17の内部底面が変形することで、4つの補正機構50の支持柱51が上方へ付勢されるため、ベース15の変形が抑制される。すなわち、補正機構50によって、ベース15の変形量と、第2筐体17の内部底面の変形量とは、相互に抑制しあうこととなる。したがって、中央部のC点の変位は−1.9μmとなり、B点,C点,D点での変位は、ほぼ一様に−2.0μm〜−1.9μmとなる。これはステージ15の支持部15bに支持される装置の精度を達成させるのに十分である。また、第2の実施形態に係る真空チャンバ11では、真空引き前後において、B点,C点,D点での変位のばらつきが最も小さい。これは、ベース15の支持部15bが、真空引きによる圧力変化の影響を受けないことを示しており、真空引きを繰り返した場合にも、ベース15の平面度が悪化することを防ぐことが可能となる。
In the
次表6は、真空チャンバ103のシミュレーション結果である。真空チャンバ103では、ベース15に、第2筐体17の内部底面を上方に変形する力がまともに作用してしまい、中央部のC点の変位が+6.7μmと極端に大きくなってしまう。
Table 6 below shows simulation results of the
以上説明したように、本第2の実施形態に係る真空チャンバ11によると、真空チャンバ11の内部空間10A,10Bを真空引きする際に、ベース15を変形させる力が作用しても、内部空間10Bと外部空間との圧力の差分が補正機構50を介してベース15の変形を打ち消すように作用する。したがって、表5に示されるシミュレーション結果のように、ベース15の中央部近傍のB点,C点,D点での変位の偏差を0.1μm以内に抑制し、ベース15の平面度を良好に維持することが可能となる。
As described above, according to the
また、本第2の実施形態では、ベース15の変形は主として補正機構50によって補正されるため、ベース15の変形を抑制するためのアクチュエータなどを必要としない。
In the second embodiment, since the deformation of the
なお、本第2の実施形態では、補正機構50が円形プレート60を有している場合について説明したが、これに限らず、所望の剛性値を確保できる弾性部材を円形プレートに代えて用いてもよい。また、補正機構はダイヤフラム構造のものに限定されるものではなく、例えばヒンジ機構を用いた平行板バネ構造のものであってもよい。
In the second embodiment, the case where the
また、環状ベース52の第2筐体17への固定、及び環状ベース52への固定板53の取り付けは、ボルトやビス等を用いることで、例えばベース15に載置される装置重量などの変更に基づいて、所望の剛性値の円形プレートに変更することができる。
The
また、本第2の実施形態では、補助機構50がベース15に設けられた貫通孔15aを包囲するように配置されている。これにより、貫通孔15aの位置に最も大きな変形が生じる場合でも、ベース15の貫通孔15aの周辺部を極力水平に保つことが可能となる。
In the second embodiment, the
また、本第2の実施形態では、ベース15の変形は補助機構50によって抑制される。したがって、第1筐体12に比べて第2筐体17が小さい場合であっても、また、第1筐体12に比べて第2筐体17が大きい場合であっても、円形プレート60の厚みや大きさを変更することで、効果的にベース15の変形を抑制することが可能となる。
In the second embodiment, the deformation of the
次に、本発明の第3の実施形態を図10に基づいて説明する。ここで、前述した第1及び第2の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともに、その説明を省略若しくは簡略するものとする。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those in the first and second embodiments described above, and the description thereof is omitted or simplified.
図10には、第3の実施形態に係る電子線描画装置90の概略的な構成が示されている。電子線描画装置90は、電子ビーム照射装置70から照射される電子ビームを用いて試料83の表面上に情報を記録する描画装置である。この電子線描画装置90は、防振装置20に支持された真空チャンバ11と,真空チャンバ11の上部に配置された電子ビーム照射装置70、真空チャンバ11のベース15に形成された支持部15bに支持される回転装置71、真空チャンバ11の−X側側面に配置された搬送ユニット84などを有している。
FIG. 10 shows a schematic configuration of an electron
前記回転装置71は、ベース15に形成された支持部15bによって支持される基準ベース73、基準ベース73の上面に、軸受76を介してX軸方向へ移動可能に配置された移動テーブル75、駆動モータ72と回転軸77を備え、移動テーブル75をX軸方向へ駆動する送りねじ機構78、移動テーブル75の上面に配置され前記回転テーブル82を所定の回転数で回転するエアスピンドル87、エアスピンドル87へ供給する空気を内部空間10Aに対してシールするシール機構79などを備えている。
The
回転装置71では、エンコーダ81から出力をモニタしつつ回転モータ80を駆動することでエアスピンドル87を介して回転テーブル82を回転させることができるようになっている。また、送りねじ機構78を駆動して移動テーブル75をX軸方向へ移動させることで、所定の速度で回転する回転テーブル82をX軸方向へ移動させることができるようになっている。
In the
前記搬送ユニット84は、ゲートバルブ85を介して真空チャンバ11の−X側に設けられた第2真空チャンバ88、第2真空チャンバ88の内部空間(以下、ロードロック室ともいう)に配置された搬送装置86を備えている。
The
真空チャンバ11の内部空間10Aは、ゲートバルブ85が閉塞されることにより前記ロードロック室に対して気密され、ゲートバルブ85が開放されることにより前記ロードロック室と連通するようになっている。そして、前記搬送装置86は、ゲートバルブ85が開放されているときに、外部からロードロック室に搬送された試料83を回転テーブル82へ搬入し、処理が終了した試料83を回転テーブル82からロードロック室へ搬出する。
The
次に、上述のように構成された電子線描画装置90を用いて、試料83にパターンを描画する方法について説明する。なお、電子線描画装置90の各部の動作は不図示の制御装置によって行なわれるものとする。
Next, a method for drawing a pattern on the
試料83が不図示の搬送系によりロードロック室に搬送されると、制御装置は搬送装置86を駆動して、試料83を回転テーブル82上に搬入する。そして、搬送装置86をロードロック室へ退避させるとともに、ゲートバルブ85を閉塞する。
When the
次に、制御装置は、真空ポンプ22を駆動して、真空チャンバ11の内部空間10A,10Bが所定の真空度になるまで真空引きを行う。そして、電子ビーム照射装置70を駆動して試料83に電子ビームを照射するとともに、回転テーブル82及び送りねじ機構78を駆動して、試料83に所定のパターンを描画する。
Next, the control device drives the
試料83に対するパターンの描画が終了すると、制御装置は、電子ビーム照射装置70に対して電子ビームのブランキングを指示することによって電子ビームの照射を停止し、搬送装置86を駆動して試料83を回転テーブル82から搬出する。
When the drawing of the pattern on the
以上説明したように、本実施形態に係る電子線描画装置90は、真空チャンバ11を備えている。そして、電子線描画装置90での処理は、真空チャンバ11のベース15に支持された回転装置71によって回転される試料83に対して、電子ビームを照射することによって行われる。これによれば、真空チャンバ11の内部空間を真空引きしても、補正機構50によりベース15の変形が抑制されるため、ベース15に載置された回転装置71はベース15の変形を受けることなく精度よく支持される。したがって、試料83に対する電子ビームの照射精度が向上し、結果的に試料83に対して精度よくパターンを描画することが可能となる。
As described above, the electron
なお、本第2の実施形態では、電子線描画装置90が第2の実施形態に係る真空チャンバ11を備えている場合について説明したが、これに限らず、第1の実施形態に係る真空チャンバ10を備えていてもよい。この場合にも、ベース15に貫通孔15aが形成されていることから、真空引きによるベース15の変形が抑制されるため、試料83に対して精度よくパターンを描画することが可能となる。
In the second embodiment, the case where the electron
また、電子線描画装置90では、回転装置71にエアスピンドル87が搭載されるが,エアスピンドル87は深さ方向に所定の長さを必要とするため、ベース15の貫通孔15aを通すことで、回転装置71のエアスピンドル87上の試料83の保持位置を低くすることができる。ベース15が防振装置20に連結されていることを考えると、試料83は可能な限りベース15の上面に近づけることが望ましい。これにより、外部からの振動を試料83に伝達しにくくすることができるという効果がある。
In the electron
以上説明したように、本発明の真空チャンバは内部空間を所定の圧力に維持するのに適しており、本発明の電子線描画装置は、電子ビームを用いて試料にパターンを描画するのに適している。 As described above, the vacuum chamber of the present invention is suitable for maintaining the internal space at a predetermined pressure, and the electron beam drawing apparatus of the present invention is suitable for drawing a pattern on a sample using an electron beam. ing.
10,11…真空チャンバ、12…第1筐体、13…蓋部材、13a…段付き開口、14…側壁部材、14b,14c…環状溝、15…ベース、15a…貫通孔、15b…支持部、15c…段付き開口、17…第2筐体、17a…開口、17b…フランジ部、17c…環状溝、20…防振装置、22…真空ポンプ、30…ボルト、32…Oリング、50…補正機構、51…支持柱、52…環状ベース、53…固定板、60…円形プレート、70…電子ビーム照射装置、72…駆動モータ、71…回転装置、73…基準ベース、75…移動テーブル、77…回転軸、78…送りねじ機構、79…シール機構、80…回転モータ、81…エンコーダ、82…回転テーブル、83…試料、84…搬送ユニット、85…ゲートバルブ、86…搬送装置、87…エアスピンドル、88…第2真空チャンバ、90…電子線描画装置。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記内部空間から気体を排気する真空ポンプと;
前記精密ステージを保持するとともに、前記内部空間を第1空間と第2空間に区画するベースと;
前記真空ポンプによる気体の排気にともなって、前記内部空間と前記外部空間との間に生じる気圧差を利用して、前記ベースの変形を抑制する補正機構と;を備える真空チャンバ。 An airtight chamber that isolates the internal space in which the precision stage is disposed from the external space in an airtight state and maintains a vacuum degree of the internal space;
A vacuum pump for exhausting gas from the internal space;
A base for holding the precision stage and partitioning the internal space into a first space and a second space;
A correction mechanism that suppresses deformation of the base by utilizing a pressure difference generated between the internal space and the external space as the gas is exhausted by the vacuum pump.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の真空チャンバと;
前記試料に電子ビームを照射する照射装置と;
前記真空チャンバのベース上で、前記試料を保持する精密ステージと;を備える電子線描画装置。 An electron beam lithography apparatus for recording information on the surface of a sample using an electron beam,
A vacuum chamber according to any one of claims 1 to 5 ;
An irradiation device for irradiating the sample with an electron beam;
An electron beam lithography apparatus comprising: a precision stage for holding the sample on the base of the vacuum chamber.
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