JP4936368B2 - Vacuum chamber and electron beam drawing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、真空チャンバ及び電子線描画装置に係り、更に詳しくは、処理装置が配置される内部空間を外部空間から気密する真空チャンバ、及び該真空チャンバを備える電子線描画装置に関する。   The present invention relates to a vacuum chamber and an electron beam lithography apparatus, and more particularly to a vacuum chamber that hermetically seals an internal space in which a processing apparatus is disposed from an external space, and an electron beam lithography apparatus including the vacuum chamber.

近年、次世代のブルーレイディスクや、次々世代のDVDに対してデータを書き込むために、大電流かつ微小ビーム径の電子ビームを発生する電子ビーム記録装置(EBR:Electron Beam Recorder)などの電子ビームマスタリング装置の開発が進められている。   In recent years, electron beam mastering such as an electron beam recording device (EBR: Electron Beam Recorder) that generates an electron beam with a large current and a small beam diameter in order to write data to the next generation Blu-ray disc and the next generation DVD. Development of equipment is underway.

この種の電子ビーム記録装置は、レジスト層が形成された基板を保持するステージ装置(特許文献1参照)と、ステージ装置に保持された基板に電子ビームを照射する照射装置とを備えており、一般に電子ビームが気体分子に衝突することによる減衰を防止する観点から、照射装置及びステージ装置は、所定の真空度が維持された真空チャンバ内の気密空間に配置されている。   This type of electron beam recording apparatus includes a stage device (see Patent Document 1) that holds a substrate on which a resist layer is formed, and an irradiation device that irradiates an electron beam onto the substrate held by the stage device. In general, from the viewpoint of preventing attenuation due to collision of an electron beam with gas molecules, the irradiation device and the stage device are arranged in an airtight space in a vacuum chamber in which a predetermined degree of vacuum is maintained.

しかしながら、真空チャンバは、内部空間の真空度を高くすると、外部空間と内部空間との気圧の差の影響を受けて僅かに変形し、内部空間に配置された電子ビーム記録装置の描画精度に悪影響を及ぼすことがある。そこで、近年、この問題を回避する観点から、真空チャンバの変形を抑制するための方法が提案されている(例えば特許文献2参照)。   However, when the degree of vacuum in the internal space is increased, the vacuum chamber is slightly deformed due to the difference in atmospheric pressure between the external space and the internal space, and adversely affects the drawing accuracy of the electron beam recording apparatus disposed in the internal space. May affect. Therefore, in recent years, a method for suppressing the deformation of the vacuum chamber has been proposed from the viewpoint of avoiding this problem (see, for example, Patent Document 2).

特許文献2に記載の方法は、電子ビーム記録装置を収容するメインチャンバと、メインチャンバの外側を覆うサブチャンバを設けることで2重構造の真空チャンバを構成し、メインチャンバとサブチャンバとの間に囲まれた中空層の空気を真空ポンプで排気することによりメインチャンバの変形を防止することを目的とする方法である。   In the method described in Patent Document 2, a dual-structure vacuum chamber is configured by providing a main chamber that houses an electron beam recording apparatus and a sub-chamber that covers the outside of the main chamber. It is a method aimed at preventing deformation of the main chamber by evacuating the air in the hollow layer surrounded by a vacuum pump.

しかしながら、この方法では、ステージ装置が載置される面がメインチャンバと一体となるため、高度な面精度を確保することが困難である。また,サブチャンバの素材として、軽量化の観点から板厚3mmと非常に薄い鋼板を用いている。このため、中空層の空気を真空ポンプで排気すると、サブチャンバが大きく変形するとともに、振動を引き起こすという問題がある。この振動は、メインチャンバに伝わってステージ装置の位置決め精度を悪化させ、ひいては電子ビーム記録装置の記録精度を低下させることとなる。   However, in this method, since the surface on which the stage device is placed is integrated with the main chamber, it is difficult to ensure high surface accuracy. Further, as a material for the sub chamber, a very thin steel plate with a thickness of 3 mm is used from the viewpoint of weight reduction. For this reason, when the air in the hollow layer is exhausted by a vacuum pump, there is a problem that the sub-chamber is greatly deformed and vibration is caused. This vibration is transmitted to the main chamber and deteriorates the positioning accuracy of the stage device, and consequently reduces the recording accuracy of the electron beam recording device.

特開2002−118054号公報JP 2002-118054 A 特開2004−218662号公報JP 2004-218862 A

本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、内部空間で装置を保持するベースの変形量を抑制することが可能な真空チャンバを提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to provide a vacuum chamber capable of suppressing the deformation amount of the base holding the device in the internal space.

また、本発明の第2の目的は、描画精度の向上を図ることが可能な電子線描画装置を提供することにある。   A second object of the present invention is to provide an electron beam drawing apparatus capable of improving the drawing accuracy.

本発明は第の観点からすると、精密ステージが配置される内部空間を外部空間から気密状態で隔離して、前記内部空間の真空度を維持する気密室と;前記内部空間から気体を排気する真空ポンプと;前記精密ステージを保持するとともに、前記内部空間を第1空間と第2空間に区画するベースと;前記真空ポンプによる気体の排気にともなって、前記内部空間と前記外部空間との間に生じる気圧差を利用して、前記ベースの変形を抑制する補正機構と;を備える真空チャンバである。 According to a first aspect of the present invention, an internal space in which a precision stage is disposed is isolated from an external space in an airtight state, and an airtight chamber that maintains the degree of vacuum in the internal space; and gas is exhausted from the internal space A vacuum pump; a base for holding the precision stage and partitioning the internal space into a first space and a second space; between the internal space and the external space as the gas is exhausted by the vacuum pump And a correction mechanism that suppresses deformation of the base using a pressure difference generated in the vacuum chamber.

これによれば、気密室の内部空間から気体が排気されることによる容体の変形によって、ベースに力が作用しても、内部空間と外部空間との圧力の差分が補正機構を介してベースに作用する力を打ち消すように作用する。したがって、ベースの変形を抑制することが可能となる。   According to this, even if force is applied to the base due to deformation of the container due to the exhaust of gas from the internal space of the hermetic chamber, the difference in pressure between the internal space and the external space is applied to the base via the correction mechanism. Acts to counteract the acting force. Therefore, it is possible to suppress the deformation of the base.

本発明は第の観点からすると、電子ビームを用いて試料の表面に情報を記録する電子線描画装置であって、本発明の真空チャンバと;前記試料に電子ビームを照射する照射装置と;前記真空チャンバのベース上で、前記試料を保持する精密ステージと;を備える電子線描画装置である。 From a second viewpoint, the present invention is an electron beam drawing apparatus for recording information on the surface of a sample using an electron beam, the vacuum chamber of the present invention; an irradiation apparatus for irradiating the sample with an electron beam; And a precision stage for holding the sample on the base of the vacuum chamber.

これによれば、電子線描画装置は、本発明の真空チャンバを備え、試料を保持する精密ステージは本発明の真空チャンバのベース上に配置されている。このため、気密室を真空にすることによって内部空間と外部空間とに気圧差が生じても、ベースの変形は効果的に抑制され精密ステージが気圧差によって影響を受けることはない。したがって、試料への電子線照射精度が向上し、結果的に描画精度の向上を図ることが可能となる。   According to this, the electron beam drawing apparatus includes the vacuum chamber of the present invention, and the precision stage for holding the sample is arranged on the base of the vacuum chamber of the present invention. For this reason, even if a pressure difference occurs between the internal space and the external space by making the hermetic chamber vacuum, the deformation of the base is effectively suppressed and the precision stage is not affected by the pressure difference. Therefore, the electron beam irradiation accuracy to the sample is improved, and as a result, the drawing accuracy can be improved.

《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図3(B)に基づいて説明する。図1は、防振装置20に支持された真空チャンバ10のZX断面図である。また、図2は、真空チャンバ10を一部断面して示す斜視図である。図1及び図2を総合するとわかるように、真空チャンバ10は、四隅近傍を防振装置20(例えば、空気圧によるサーボマウンタ等)に支持されたベース15と、ベース15の上面及び下面にそれぞれ固定された第1筐体12及び第2筐体17とを備えている。
<< First Embodiment >>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a ZX cross-sectional view of the vacuum chamber 10 supported by the vibration isolator 20. FIG. 2 is a perspective view showing the vacuum chamber 10 with a partial cross-section. 1 and 2, the vacuum chamber 10 is fixed to the base 15 supported by a vibration isolator 20 (for example, a pneumatic servo mounter) near the four corners, and the upper and lower surfaces of the base 15, respectively. The first housing 12 and the second housing 17 are provided.

前記ベース15は、中央部に長手方向をX軸方向とする貫通孔15aが形成された正方形板状の部材からなり、防振装置20によってほぼ水平となるように支持されている。このベース15の上面は、例えば平面度が1μm以下となるような面精度に仕上げられ、貫通孔15aの+Y側及び−Y側には、長手方向をX軸方向とする長方形状の一対の支持部15bがそれぞれ形成されている。支持部15bそれぞれは、例えば図1中に仮想線で示される位置で、所定の処理装置等をほぼ水平に支持することが可能となっている。   The base 15 is formed of a square plate-like member in which a through hole 15a having a longitudinal direction in the X-axis direction is formed at the center, and is supported by the vibration isolator 20 so as to be substantially horizontal. The upper surface of the base 15 is finished with surface accuracy such that the flatness is 1 μm or less, for example, and a pair of rectangular supports whose longitudinal direction is the X-axis direction are provided on the + Y side and the −Y side of the through hole 15a. Each part 15b is formed. Each of the support portions 15b can support a predetermined processing apparatus or the like substantially horizontally at a position indicated by a virtual line in FIG. 1, for example.

前記第1筐体12は、正方形板状の蓋部材13と、蓋部材13の下面外縁部に沿って固定された側壁部材14とを有している。図3(A)及び図3(B)に示されるように、側壁部材14は、その上面及び下面に環状溝14b及び環状溝14cが形成され、環状溝14b,14cそれぞれにはOリング32がはめ込まれている。   The first housing 12 includes a square plate-like lid member 13 and a side wall member 14 fixed along the outer edge of the lower surface of the lid member 13. As shown in FIGS. 3A and 3B, the side wall member 14 has an annular groove 14b and an annular groove 14c formed on the upper surface and the lower surface thereof, and an O-ring 32 is provided in each of the annular grooves 14b and 14c. It is inset.

図3(A)に示されるように、蓋部材13と側壁部材14とは、蓋部材13の外縁に沿って設けられた複数の段付き開口13aに上方から挿入されたボルト30が、側壁部材14に螺合されることで一体化されている。そして、図3(B)に示されるように、ベース15の上面に載置された側壁部材14は、ベース15の下面の外縁に沿って設けられた複数の段付き開口15cに下方から挿入されたボルト30が、ベース15に螺合されることで、ベース15の上面に固定されている。これによって、第1筐体12とベース15によって規定される内部空間10Aは、外部空間と気密封止される。   As shown in FIG. 3 (A), the lid member 13 and the side wall member 14 include a bolt 30 inserted from above into a plurality of stepped openings 13 a provided along the outer edge of the lid member 13. 14 to be integrated. 3B, the side wall member 14 placed on the upper surface of the base 15 is inserted into the plurality of stepped openings 15c provided along the outer edge of the lower surface of the base 15 from below. The bolt 30 is fixed to the upper surface of the base 15 by being screwed to the base 15. Thereby, the internal space 10A defined by the first housing 12 and the base 15 is hermetically sealed with the external space.

前記第2筐体17は、図1及び図2を総合するとわかるように、上方が開放された箱状の部材からなり、外周面上端部にはフランジ部17bが形成されている。図3(B)に示されるように、フランジ部17bの上面には、その内縁に沿って環状溝17cが形成され、環状溝17cにはOリング32がはめ込まれている。また、第2筐体17の下面中央部には、開口17aを介して第2筐体17の内部空間10B内の気体を排気する真空ポンプ22が固定されている。   As can be understood from FIGS. 1 and 2, the second housing 17 is made of a box-like member that is open at the top, and a flange portion 17 b is formed at the upper end of the outer peripheral surface. As shown in FIG. 3B, an annular groove 17c is formed along the inner edge of the upper surface of the flange portion 17b, and an O-ring 32 is fitted in the annular groove 17c. In addition, a vacuum pump 22 that exhausts the gas in the internal space 10B of the second housing 17 is fixed to the central portion of the lower surface of the second housing 17 through the opening 17a.

第2筐体17は、図3(B)に示されるように、フランジ部17bに設けられた複数の開口に下方から挿入されたボルト30がベース15に羅合することで、ベース15の下面に固定されている。これによって、内部空間10Bは外部空間に対して気密封止される。   As shown in FIG. 3 (B), the second housing 17 is configured such that the bolts 30 inserted from below into a plurality of openings provided in the flange portion 17b are engaged with the base 15 so that the bottom surface of the base 15 is removed. It is fixed to. Thereby, the internal space 10B is hermetically sealed with respect to the external space.

以上説明したように、本実施形態に係る真空チャンバ10の内部空間は、ベース15によって、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bとに区画され、両内部空間10A,10Bは、ベース15に形成された貫通孔15aによって連通されている。したがって、真空ポンプ22を用いて内部空間10B内の気体を排気すると、内部空間10Aと内部空間10Bとの間に圧力差を生じさせることなく、真空チャンバ10の内部を所定の真空度とすることができる。したがって、内部空間10Aと内部空間10Bとの気圧差の影響でベース15が変形することを回避することが可能となる。   As described above, the internal space of the vacuum chamber 10 according to the present embodiment is partitioned into the internal space 10A of the first housing 12 and the internal space 10B of the second housing 17 by the base 15, and both internal spaces are separated. 10 </ b> A and 10 </ b> B are communicated with each other through a through hole 15 a formed in the base 15. Therefore, when the gas in the internal space 10B is exhausted using the vacuum pump 22, the inside of the vacuum chamber 10 is set to a predetermined degree of vacuum without causing a pressure difference between the internal space 10A and the internal space 10B. Can do. Accordingly, it is possible to avoid the base 15 from being deformed due to the influence of the atmospheric pressure difference between the internal space 10A and the internal space 10B.

《第2の実施形態》
次に、本発明の第2の実施形態を図4〜図9に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともに、その説明を省略若しくは簡略するものとする。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted or simplified.

図4は、防振装置20に支持された真空チャンバ11のZX断面図である。また、図5は、真空チャンバ11を一部断面して示す斜視図である。図4及び図5を総合するとわかるように、真空チャンバ11は、ベース15、第1筐体12及び第2筐体17とを備え、更に、内部空間10Bには4つの補正機構50が配置されている。   FIG. 4 is a ZX sectional view of the vacuum chamber 11 supported by the vibration isolator 20. FIG. 5 is a perspective view showing the vacuum chamber 11 partially in cross section. 4 and 5, the vacuum chamber 11 includes a base 15, a first housing 12, and a second housing 17, and four correction mechanisms 50 are disposed in the internal space 10B. ing.

前記補正機構50は、図5に示されるように、前記ベース15に設けられた貫通孔15aの周囲に沿って配置されている。図6は補正機構50の概略的な構成を示す図である。補正機構50は、図6に示されるように、第2筐体17の内部底面に固定された環状ベース52、該環状ベース52に外縁部を支持される円形プレート60、環状ベース52に固定された固定板53、及び上端がベース15に固定された支持柱51を有している。   As shown in FIG. 5, the correction mechanism 50 is disposed along the periphery of a through hole 15 a provided in the base 15. FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of the correction mechanism 50. As shown in FIG. 6, the correction mechanism 50 is fixed to the annular base 52 fixed to the inner bottom surface of the second housing 17, the circular plate 60 whose outer edge is supported by the annular base 52, and the annular base 52. And a support column 51 whose upper end is fixed to the base 15.

前記環状ベース52は断面L字状の環状部材であり、内周面に段部が形成されている。この環状ベース52は、図6に示されるように、第2筐体17の内部底面に例えばボルト(不図示)などで固定されている。   The annular base 52 is an annular member having an L-shaped cross section, and a step portion is formed on the inner peripheral surface. As shown in FIG. 6, the annular base 52 is fixed to the inner bottom surface of the second housing 17 with, for example, a bolt (not shown).

円形プレート60は、外径110mm、厚さ3mmで、剛性値が120N/μmの円形板状の部材であり、その外縁部を環状ベース52の段部によって支持されている。   The circular plate 60 is a circular plate-like member having an outer diameter of 110 mm, a thickness of 3 mm, and a rigidity value of 120 N / μm, and an outer edge portion thereof is supported by a step portion of the annular base 52.

前記固定板53は、中央に円形開口53aが形成された環状の部材であり、環状ベース52の上面に、例えばボルト(不図示)などで固定されている。   The fixing plate 53 is an annular member having a circular opening 53a formed at the center, and is fixed to the upper surface of the annular base 52 with, for example, a bolt (not shown).

前記支持柱51は、円柱状の部材であり、上端がベース15の下面に例えばボルトなどで固定され、下端が環状ベース52に支持される円形プレート60の上面に当接している。   The support column 51 is a columnar member, the upper end of which is fixed to the lower surface of the base 15 with, for example, a bolt, and the lower end is in contact with the upper surface of the circular plate 60 supported by the annular base 52.

本実施形態では、上記のように構成された4つの補正機構50が、ベース15の貫通孔15aを囲むように配置され、それぞれの補正機構50の支持柱51は、円形プレート60によって約1200N程度の力で上方に付勢されている。   In the present embodiment, the four correction mechanisms 50 configured as described above are arranged so as to surround the through hole 15a of the base 15, and the support column 51 of each correction mechanism 50 is about 1200 N by the circular plate 60. It is urged upward by the force of.

次に、上述のように構成された真空チャンバ11において、内部空間10A,10Bを所定の真空状態とした場合に、ベース15に生じる変形の様子を示すシミュレーション結果について説明する。   Next, a simulation result showing the deformation that occurs in the base 15 when the internal spaces 10A and 10B are in a predetermined vacuum state in the vacuum chamber 11 configured as described above will be described.

本第2の実施形態に係る真空チャンバ11では次表に示されるように、各構成部材12,13,15,17の材質及び各方向の大きさ(単位:mm)を設定した。なお、次表1において、側壁部材14のX方向及びY方向の大きさは部材の外側の寸法が示され、第2筐体17では、フランジ部17bを含まないX方向及びY方向の大きさが示されている。また、ベース15に形成された支持部15bにはそれぞれ鉛直方向に50kgfの力(荷重)が作用しているものとする。   In the vacuum chamber 11 according to the second embodiment, as shown in the following table, the material of each component 12, 13, 15, 17 and the size in each direction (unit: mm) were set. In Table 1, the size of the side wall member 14 in the X direction and the Y direction indicates the outside dimension of the member. In the second housing 17, the size in the X direction and the Y direction does not include the flange portion 17b. It is shown. Further, it is assumed that a force (load) of 50 kgf acts on the support portions 15b formed on the base 15 in the vertical direction.

Figure 0004936368
Figure 0004936368

また、真空チャンバ11に対する比較例として、第1の実施形態に係る真空チャンバ10と、図7(A)及び図7(B)に示される真空チャンバ101,102と、図8に示される真空チャンバ103を想定した。真空チャンバ101は、ベース15の上面に第1筐体12が固定され、ベース15の下面にはベース15の中央部に設けられた開口15a’から内部空間10Aの気体を排気する真空ポンプ22が固定されている。この真空チャンバ101は、第2筐体17を備えていない点で前記真空チャンバ10と大きく異なっている。また、真空チャンバ102は、真空チャンバ10と同等の構成を有しているが、第2筐体17のZ軸方向の大きさが450mmとなっており、真空ポンプ22が第2筐体17の側面に設けられている点で真空チャンバ10と異なっている。また、真空チャンバ103は、真空チャンバ11と同等の構成を有しているが、補正機構50の支持柱51の下端が直接第2筐体17の内部底面に固定されている点で真空チャンバ11と異なっている。   As a comparative example for the vacuum chamber 11, the vacuum chamber 10 according to the first embodiment, the vacuum chambers 101 and 102 shown in FIGS. 7A and 7B, and the vacuum chamber shown in FIG. 103 was assumed. In the vacuum chamber 101, the first housing 12 is fixed to the upper surface of the base 15, and a vacuum pump 22 that exhausts the gas in the internal space 10 </ b> A from the opening 15 a ′ provided in the center of the base 15 on the lower surface of the base 15. It is fixed. The vacuum chamber 101 is largely different from the vacuum chamber 10 in that the second housing 17 is not provided. Further, the vacuum chamber 102 has the same configuration as the vacuum chamber 10, but the size of the second housing 17 in the Z-axis direction is 450 mm, and the vacuum pump 22 is provided in the second housing 17. It differs from the vacuum chamber 10 in that it is provided on the side surface. The vacuum chamber 103 has the same configuration as the vacuum chamber 11, but the vacuum chamber 11 is in that the lower end of the support column 51 of the correction mechanism 50 is directly fixed to the inner bottom surface of the second housing 17. Is different.

上記各真空チャンバ10,11,101,102についてのシミュレーションは、真空ポンプ22を駆動して、各真空チャンバ10,11,101,102の内部空間の真空度を大気圧から10−4Paまで低下させ、大気圧にあるときのベース15の変形量と、真空引き後のベース15の変形量を計測して行った。具体的には、ベース15の変形量の計測を、図9に示されるように、ベース15に設けられた貫通孔15aの−Y側のA点〜E点の変位(ΔZ(μm))を計測することにより行った。なお、各点A〜Eの変位は、ベース15の上面のうち防振装置20に支持される部分からの変位をいうものとする。 In the simulation for each of the vacuum chambers 10, 11, 101, 102, the vacuum pump 22 is driven to reduce the degree of vacuum in the internal space of each vacuum chamber 10, 11, 101, 102 from atmospheric pressure to 10 −4 Pa. The amount of deformation of the base 15 when it was at atmospheric pressure and the amount of deformation of the base 15 after evacuation were measured. Specifically, as shown in FIG. 9, the deformation of the base 15 is measured by measuring the displacement (ΔZ (μm)) from the point A to the point E on the −Y side of the through hole 15 a provided in the base 15. This was done by measuring. In addition, the displacement of each point AE shall mean the displacement from the part supported by the vibration isolator 20 among the upper surfaces of the base 15. FIG.

次表2は、真空チャンバ101のシミュレーション結果である。ベース15には、大気圧から内部空間10Aの圧力を差し引いた圧力が上方に向けて加わる。このため、中央部のC点においては、22.4μmだけ持ち上がる結果となり、真空引き前後では、26.5μmの変形を伴う。   Table 2 below shows the simulation result of the vacuum chamber 101. A pressure obtained by subtracting the pressure of the internal space 10A from the atmospheric pressure is applied to the base 15 upward. For this reason, the point C at the center is lifted by 22.4 μm, and there is a deformation of 26.5 μm before and after evacuation.

Figure 0004936368
Figure 0004936368

次表3は、第1の実施形態に係る真空チャンバ10のシミュレーション結果である。真空チャンバ10では、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bに圧力差がないので、ベース15が圧力差の影響を受けて変形することはない。しかし、内部空間10Aの容積が内部空間10Bの容積に対し大きいため、第1筐体12の変形の影響をより大きく受ける。また、搭載物重量もベース15に形成された支持部15bに作用するため、これによる変形も重畳される。このため、中央部C点の変位は−9.6μmとなった。   Table 3 below shows simulation results of the vacuum chamber 10 according to the first embodiment. In the vacuum chamber 10, since there is no pressure difference between the internal space 10 </ b> A of the first housing 12 and the internal space 10 </ b> B of the second housing 17, the base 15 is not deformed by the influence of the pressure difference. However, since the volume of the internal space 10A is larger than the volume of the internal space 10B, it is more greatly affected by the deformation of the first housing 12. Further, since the weight of the load also acts on the support portion 15b formed on the base 15, the deformation due to this is also superimposed. For this reason, the displacement of the center part C point became -9.6 micrometers.

Figure 0004936368
Figure 0004936368

次表4は、真空チャンバ102のシミュレーション結果である。真空チャンバ102では、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bに圧力差がないので、ベース15が圧力差の影響を受けて変形することはない。また、内部空間10Bの容積が大きくなっていることで、第1筐体12と第2筐体17の変形が相互に相殺され、支持部15bに作用する搭載物重量がベース15の変形を抑制するように作用している。このため、中央部のC点の変位は−1.6μmとなり、真空引き前に比べてC点の変位が−3.3μmから−1.6μmに縮小した。また、B点,C点,D点の変位は、ほぼ一様に−1.6μm〜−1.5μmであり、支持部15bに載置される装置の精度を達成させるのに十分である。   Table 4 below shows simulation results of the vacuum chamber 102. In the vacuum chamber 102, since there is no pressure difference between the internal space 10A of the first housing 12 and the internal space 10B of the second housing 17, the base 15 is not deformed by the influence of the pressure difference. Further, since the volume of the internal space 10B is increased, the deformation of the first housing 12 and the second housing 17 cancel each other, and the weight of the load acting on the support portion 15b suppresses the deformation of the base 15. It works to do. For this reason, the displacement of the C point in the center is −1.6 μm, and the displacement of the C point is reduced from −3.3 μm to −1.6 μm as compared to before vacuuming. Further, the displacements of the points B, C, and D are substantially uniformly −1.6 μm to −1.5 μm, which is sufficient to achieve the accuracy of the device placed on the support portion 15b.

Figure 0004936368
Figure 0004936368

次表5は、真空チャンバ11のシミュレーション結果である。真空チャンバ11では、第1筐体12の内部空間10Aと第2筐体17の内部空間10Bに圧力差がないので、ベース15が圧力差の影響を受けて変形することはない。しかし、内部空間10Aの容積が内部空間10Bの容積に対し大きいため、第1筐体12の変形の影響をより大きく受ける。また、搭載物重量もベース15に形成された支持部15bに作用するため、これによる変形も重畳される。このため、ベース15は下方に凸となるように変形しようとする。一方、第2筐体17の内部底面は、第2筐体17の内部空間10Bと大気圧との差圧によって、大きく上方に持ち上げられる。つまり、ベース15と第2筐体17の内部底面とは、互いに逆方向に変形される。   Table 5 below shows simulation results of the vacuum chamber 11. In the vacuum chamber 11, since there is no pressure difference between the internal space 10 </ b> A of the first housing 12 and the internal space 10 </ b> B of the second housing 17, the base 15 is not deformed by the influence of the pressure difference. However, since the volume of the internal space 10A is larger than the volume of the internal space 10B, it is more greatly affected by the deformation of the first housing 12. Further, since the weight of the load also acts on the support portion 15b formed on the base 15, the deformation due to this is also superimposed. For this reason, the base 15 tends to be deformed so as to protrude downward. On the other hand, the inner bottom surface of the second housing 17 is largely lifted upward by the differential pressure between the internal space 10B of the second housing 17 and the atmospheric pressure. That is, the base 15 and the inner bottom surface of the second housing 17 are deformed in directions opposite to each other.

本第2の実施形態に係る真空チャンバ11では、第2筐体17の内部底面が変形することで、4つの補正機構50の支持柱51が上方へ付勢されるため、ベース15の変形が抑制される。すなわち、補正機構50によって、ベース15の変形量と、第2筐体17の内部底面の変形量とは、相互に抑制しあうこととなる。したがって、中央部のC点の変位は−1.9μmとなり、B点,C点,D点での変位は、ほぼ一様に−2.0μm〜−1.9μmとなる。これはステージ15の支持部15bに支持される装置の精度を達成させるのに十分である。また、第2の実施形態に係る真空チャンバ11では、真空引き前後において、B点,C点,D点での変位のばらつきが最も小さい。これは、ベース15の支持部15bが、真空引きによる圧力変化の影響を受けないことを示しており、真空引きを繰り返した場合にも、ベース15の平面度が悪化することを防ぐことが可能となる。   In the vacuum chamber 11 according to the second embodiment, since the inner bottom surface of the second housing 17 is deformed, the support columns 51 of the four correction mechanisms 50 are urged upward, so that the base 15 is deformed. It is suppressed. That is, the amount of deformation of the base 15 and the amount of deformation of the inner bottom surface of the second housing 17 are mutually suppressed by the correction mechanism 50. Accordingly, the displacement at the center C point is −1.9 μm, and the displacements at the B point, the C point, and the D point are approximately −2.0 μm to −1.9 μm. This is sufficient to achieve the accuracy of the device supported by the support 15b of the stage 15. In the vacuum chamber 11 according to the second embodiment, the variation in displacement at the points B, C, and D is the smallest before and after evacuation. This indicates that the support portion 15b of the base 15 is not affected by the pressure change caused by evacuation, and it is possible to prevent the flatness of the base 15 from deteriorating even when evacuation is repeated. It becomes.

Figure 0004936368
Figure 0004936368

次表6は、真空チャンバ103のシミュレーション結果である。真空チャンバ103では、ベース15に、第2筐体17の内部底面を上方に変形する力がまともに作用してしまい、中央部のC点の変位が+6.7μmと極端に大きくなってしまう。   Table 6 below shows simulation results of the vacuum chamber 103. In the vacuum chamber 103, the force that deforms the inner bottom surface of the second housing 17 upwards acts on the base 15, and the displacement of the central point C becomes extremely large as +6.7 μm.

Figure 0004936368
Figure 0004936368

以上説明したように、本第2の実施形態に係る真空チャンバ11によると、真空チャンバ11の内部空間10A,10Bを真空引きする際に、ベース15を変形させる力が作用しても、内部空間10Bと外部空間との圧力の差分が補正機構50を介してベース15の変形を打ち消すように作用する。したがって、表5に示されるシミュレーション結果のように、ベース15の中央部近傍のB点,C点,D点での変位の偏差を0.1μm以内に抑制し、ベース15の平面度を良好に維持することが可能となる。   As described above, according to the vacuum chamber 11 according to the second embodiment, when the internal space 10A, 10B of the vacuum chamber 11 is evacuated, even if a force that deforms the base 15 acts, the internal space The difference in pressure between 10B and the external space acts so as to cancel the deformation of the base 15 via the correction mechanism 50. Therefore, as shown in the simulation results shown in Table 5, displacement deviations at points B, C, and D near the center of the base 15 are suppressed to within 0.1 μm, and the flatness of the base 15 is improved. Can be maintained.

また、本第2の実施形態では、ベース15の変形は主として補正機構50によって補正されるため、ベース15の変形を抑制するためのアクチュエータなどを必要としない。   In the second embodiment, since the deformation of the base 15 is mainly corrected by the correction mechanism 50, an actuator or the like for suppressing the deformation of the base 15 is not required.

なお、本第2の実施形態では、補正機構50が円形プレート60を有している場合について説明したが、これに限らず、所望の剛性値を確保できる弾性部材を円形プレートに代えて用いてもよい。また、補正機構はダイヤフラム構造のものに限定されるものではなく、例えばヒンジ機構を用いた平行板バネ構造のものであってもよい。   In the second embodiment, the case where the correction mechanism 50 includes the circular plate 60 has been described. However, the present invention is not limited to this, and an elastic member that can ensure a desired rigidity value is used instead of the circular plate. Also good. The correction mechanism is not limited to a diaphragm structure, and may be a parallel leaf spring structure using a hinge mechanism, for example.

また、環状ベース52の第2筐体17への固定、及び環状ベース52への固定板53の取り付けは、ボルトやビス等を用いることで、例えばベース15に載置される装置重量などの変更に基づいて、所望の剛性値の円形プレートに変更することができる。   The annular base 52 is fixed to the second housing 17 and the fixing plate 53 is attached to the annular base 52 by using bolts, screws or the like, for example, changing the weight of the device placed on the base 15 or the like. Can be changed to a circular plate with a desired stiffness value.

また、本第2の実施形態では、補助機構50がベース15に設けられた貫通孔15aを包囲するように配置されている。これにより、貫通孔15aの位置に最も大きな変形が生じる場合でも、ベース15の貫通孔15aの周辺部を極力水平に保つことが可能となる。   In the second embodiment, the auxiliary mechanism 50 is disposed so as to surround the through hole 15 a provided in the base 15. Thereby, even when the largest deformation occurs at the position of the through hole 15a, the peripheral portion of the through hole 15a of the base 15 can be kept horizontal as much as possible.

また、本第2の実施形態では、ベース15の変形は補助機構50によって抑制される。したがって、第1筐体12に比べて第2筐体17が小さい場合であっても、また、第1筐体12に比べて第2筐体17が大きい場合であっても、円形プレート60の厚みや大きさを変更することで、効果的にベース15の変形を抑制することが可能となる。   In the second embodiment, the deformation of the base 15 is suppressed by the auxiliary mechanism 50. Therefore, even when the second casing 17 is smaller than the first casing 12 or when the second casing 17 is larger than the first casing 12, the circular plate 60 By changing the thickness and size, the deformation of the base 15 can be effectively suppressed.

次に、本発明の第3の実施形態を図10に基づいて説明する。ここで、前述した第1及び第2の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともに、その説明を省略若しくは簡略するものとする。   Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those in the first and second embodiments described above, and the description thereof is omitted or simplified.

図10には、第3の実施形態に係る電子線描画装置90の概略的な構成が示されている。電子線描画装置90は、電子ビーム照射装置70から照射される電子ビームを用いて試料83の表面上に情報を記録する描画装置である。この電子線描画装置90は、防振装置20に支持された真空チャンバ11と,真空チャンバ11の上部に配置された電子ビーム照射装置70、真空チャンバ11のベース15に形成された支持部15bに支持される回転装置71、真空チャンバ11の−X側側面に配置された搬送ユニット84などを有している。   FIG. 10 shows a schematic configuration of an electron beam drawing apparatus 90 according to the third embodiment. The electron beam drawing apparatus 90 is a drawing apparatus that records information on the surface of the sample 83 using the electron beam irradiated from the electron beam irradiation apparatus 70. The electron beam drawing apparatus 90 includes a vacuum chamber 11 supported by the vibration isolator 20, an electron beam irradiation apparatus 70 disposed above the vacuum chamber 11, and a support portion 15 b formed on the base 15 of the vacuum chamber 11. The rotating device 71 is supported, and the transport unit 84 is disposed on the −X side surface of the vacuum chamber 11.

前記回転装置71は、ベース15に形成された支持部15bによって支持される基準ベース73、基準ベース73の上面に、軸受76を介してX軸方向へ移動可能に配置された移動テーブル75、駆動モータ72と回転軸77を備え、移動テーブル75をX軸方向へ駆動する送りねじ機構78、移動テーブル75の上面に配置され前記回転テーブル82を所定の回転数で回転するエアスピンドル87、エアスピンドル87へ供給する空気を内部空間10Aに対してシールするシール機構79などを備えている。   The rotating device 71 includes a reference base 73 supported by a support portion 15b formed on the base 15, a moving table 75 disposed on the upper surface of the reference base 73 so as to be movable in the X-axis direction via a bearing 76, and a drive. A feed screw mechanism 78 that includes a motor 72 and a rotary shaft 77 and drives the moving table 75 in the X-axis direction; an air spindle 87 that is disposed on the upper surface of the moving table 75 and rotates the rotary table 82 at a predetermined rotational speed; A sealing mechanism 79 for sealing the air supplied to 87 to the internal space 10A is provided.

回転装置71では、エンコーダ81から出力をモニタしつつ回転モータ80を駆動することでエアスピンドル87を介して回転テーブル82を回転させることができるようになっている。また、送りねじ機構78を駆動して移動テーブル75をX軸方向へ移動させることで、所定の速度で回転する回転テーブル82をX軸方向へ移動させることができるようになっている。   In the rotation device 71, the rotation table 82 can be rotated via the air spindle 87 by driving the rotation motor 80 while monitoring the output from the encoder 81. Further, by driving the feed screw mechanism 78 and moving the moving table 75 in the X-axis direction, the rotary table 82 rotating at a predetermined speed can be moved in the X-axis direction.

前記搬送ユニット84は、ゲートバルブ85を介して真空チャンバ11の−X側に設けられた第2真空チャンバ88、第2真空チャンバ88の内部空間(以下、ロードロック室ともいう)に配置された搬送装置86を備えている。   The transfer unit 84 is disposed in a second vacuum chamber 88 provided on the −X side of the vacuum chamber 11 via a gate valve 85, and an internal space of the second vacuum chamber 88 (hereinafter also referred to as a load lock chamber). A transport device 86 is provided.

真空チャンバ11の内部空間10Aは、ゲートバルブ85が閉塞されることにより前記ロードロック室に対して気密され、ゲートバルブ85が開放されることにより前記ロードロック室と連通するようになっている。そして、前記搬送装置86は、ゲートバルブ85が開放されているときに、外部からロードロック室に搬送された試料83を回転テーブル82へ搬入し、処理が終了した試料83を回転テーブル82からロードロック室へ搬出する。   The internal space 10A of the vacuum chamber 11 is hermetically sealed with respect to the load lock chamber when the gate valve 85 is closed, and communicates with the load lock chamber when the gate valve 85 is opened. When the gate valve 85 is opened, the transfer device 86 loads the sample 83 transferred from the outside to the load lock chamber into the turntable 82 and loads the sample 83 that has been processed from the turntable 82. Take it out to the lock room.

次に、上述のように構成された電子線描画装置90を用いて、試料83にパターンを描画する方法について説明する。なお、電子線描画装置90の各部の動作は不図示の制御装置によって行なわれるものとする。   Next, a method for drawing a pattern on the sample 83 using the electron beam drawing apparatus 90 configured as described above will be described. Note that the operation of each unit of the electron beam drawing apparatus 90 is performed by a control device (not shown).

試料83が不図示の搬送系によりロードロック室に搬送されると、制御装置は搬送装置86を駆動して、試料83を回転テーブル82上に搬入する。そして、搬送装置86をロードロック室へ退避させるとともに、ゲートバルブ85を閉塞する。   When the sample 83 is transported to the load lock chamber by a transport system (not shown), the control device drives the transport device 86 to carry the sample 83 onto the turntable 82. Then, the transfer device 86 is retracted to the load lock chamber and the gate valve 85 is closed.

次に、制御装置は、真空ポンプ22を駆動して、真空チャンバ11の内部空間10A,10Bが所定の真空度になるまで真空引きを行う。そして、電子ビーム照射装置70を駆動して試料83に電子ビームを照射するとともに、回転テーブル82及び送りねじ機構78を駆動して、試料83に所定のパターンを描画する。   Next, the control device drives the vacuum pump 22 to perform evacuation until the internal spaces 10A and 10B of the vacuum chamber 11 have a predetermined degree of vacuum. Then, the electron beam irradiation device 70 is driven to irradiate the sample 83 with the electron beam, and the rotary table 82 and the feed screw mechanism 78 are driven to draw a predetermined pattern on the sample 83.

試料83に対するパターンの描画が終了すると、制御装置は、電子ビーム照射装置70に対して電子ビームのブランキングを指示することによって電子ビームの照射を停止し、搬送装置86を駆動して試料83を回転テーブル82から搬出する。   When the drawing of the pattern on the sample 83 is completed, the control device instructs the electron beam irradiation device 70 to blank the electron beam, thereby stopping the irradiation of the electron beam, and driving the transport device 86 to move the sample 83. Unload from the turntable 82.

以上説明したように、本実施形態に係る電子線描画装置90は、真空チャンバ11を備えている。そして、電子線描画装置90での処理は、真空チャンバ11のベース15に支持された回転装置71によって回転される試料83に対して、電子ビームを照射することによって行われる。これによれば、真空チャンバ11の内部空間を真空引きしても、補正機構50によりベース15の変形が抑制されるため、ベース15に載置された回転装置71はベース15の変形を受けることなく精度よく支持される。したがって、試料83に対する電子ビームの照射精度が向上し、結果的に試料83に対して精度よくパターンを描画することが可能となる。   As described above, the electron beam drawing apparatus 90 according to this embodiment includes the vacuum chamber 11. Then, the processing in the electron beam drawing apparatus 90 is performed by irradiating the sample 83 rotated by the rotating device 71 supported by the base 15 of the vacuum chamber 11 with an electron beam. According to this, even if the internal space of the vacuum chamber 11 is evacuated, the correction mechanism 50 suppresses deformation of the base 15, so that the rotating device 71 placed on the base 15 receives deformation of the base 15. It is supported with high accuracy. Therefore, the accuracy of electron beam irradiation on the sample 83 is improved, and as a result, a pattern can be drawn on the sample 83 with high accuracy.

なお、本第2の実施形態では、電子線描画装置90が第2の実施形態に係る真空チャンバ11を備えている場合について説明したが、これに限らず、第1の実施形態に係る真空チャンバ10を備えていてもよい。この場合にも、ベース15に貫通孔15aが形成されていることから、真空引きによるベース15の変形が抑制されるため、試料83に対して精度よくパターンを描画することが可能となる。   In the second embodiment, the case where the electron beam drawing apparatus 90 includes the vacuum chamber 11 according to the second embodiment has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the vacuum chamber according to the first embodiment is used. 10 may be provided. Also in this case, since the through hole 15a is formed in the base 15, deformation of the base 15 due to evacuation is suppressed, so that a pattern can be drawn on the sample 83 with high accuracy.

また、電子線描画装置90では、回転装置71にエアスピンドル87が搭載されるが,エアスピンドル87は深さ方向に所定の長さを必要とするため、ベース15の貫通孔15aを通すことで、回転装置71のエアスピンドル87上の試料83の保持位置を低くすることができる。ベース15が防振装置20に連結されていることを考えると、試料83は可能な限りベース15の上面に近づけることが望ましい。これにより、外部からの振動を試料83に伝達しにくくすることができるという効果がある。   In the electron beam drawing apparatus 90, an air spindle 87 is mounted on the rotating device 71. Since the air spindle 87 requires a predetermined length in the depth direction, it is possible to pass through the through hole 15a of the base 15. The holding position of the sample 83 on the air spindle 87 of the rotating device 71 can be lowered. Considering that the base 15 is connected to the vibration isolator 20, it is desirable that the sample 83 be as close to the upper surface of the base 15 as possible. Accordingly, there is an effect that it is possible to make it difficult to transmit vibration from the outside to the sample 83.

以上説明したように、本発明の真空チャンバは内部空間を所定の圧力に維持するのに適しており、本発明の電子線描画装置は、電子ビームを用いて試料にパターンを描画するのに適している。   As described above, the vacuum chamber of the present invention is suitable for maintaining the internal space at a predetermined pressure, and the electron beam drawing apparatus of the present invention is suitable for drawing a pattern on a sample using an electron beam. ing.

本発明の第1の実施形態に係る真空チャンバ10の概略的な構成を示す図である。1 is a diagram showing a schematic configuration of a vacuum chamber 10 according to a first embodiment of the present invention. 真空チャンバ10の斜視図である。1 is a perspective view of a vacuum chamber 10. FIG. 図3(A)は蓋部材13と側壁部材14との接続を説明するための図であり、図3(B)は、ベース15に対する第1筐体12及び第2筐体17の接続を説明するための図である。3A is a view for explaining the connection between the lid member 13 and the side wall member 14, and FIG. 3B is a view for explaining the connection of the first housing 12 and the second housing 17 to the base 15. It is a figure for doing. 第2の実施形態に係る真空チャンバ11の概略的な構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the vacuum chamber 11 which concerns on 2nd Embodiment. 真空チャンバ11の斜視図である。2 is a perspective view of a vacuum chamber 11. FIG. 補助機構50の概略的な構成を示す図である。2 is a diagram illustrating a schematic configuration of an auxiliary mechanism 50. FIG. 図7(A)は比較例に係る真空チャンバ101の構成を概略的に示す図であり、図7(B)は比較例に係る真空チャンバ102の構成を概略的に示す図である。FIG. 7A is a diagram schematically showing the configuration of the vacuum chamber 101 according to the comparative example, and FIG. 7B is a diagram schematically showing the configuration of the vacuum chamber 102 according to the comparative example. 比較例に係る真空チャンバ103の構成を概略的に示す図であるIt is a figure which shows schematically the structure of the vacuum chamber 103 which concerns on a comparative example. 計測点A〜Eを示す図である。It is a figure which shows measurement point AE. 第3の実施形態に係る電子線描画装置90を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the electron beam drawing apparatus 90 which concerns on 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10,11…真空チャンバ、12…第1筐体、13…蓋部材、13a…段付き開口、14…側壁部材、14b,14c…環状溝、15…ベース、15a…貫通孔、15b…支持部、15c…段付き開口、17…第2筐体、17a…開口、17b…フランジ部、17c…環状溝、20…防振装置、22…真空ポンプ、30…ボルト、32…Oリング、50…補正機構、51…支持柱、52…環状ベース、53…固定板、60…円形プレート、70…電子ビーム照射装置、72…駆動モータ、71…回転装置、73…基準ベース、75…移動テーブル、77…回転軸、78…送りねじ機構、79…シール機構、80…回転モータ、81…エンコーダ、82…回転テーブル、83…試料、84…搬送ユニット、85…ゲートバルブ、86…搬送装置、87…エアスピンドル、88…第2真空チャンバ、90…電子線描画装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,11 ... Vacuum chamber, 12 ... 1st housing | casing, 13 ... Lid member, 13a ... Stepped opening, 14 ... Side wall member, 14b, 14c ... Annular groove, 15 ... Base, 15a ... Through-hole, 15b ... Support part 15c: Stepped opening, 17 ... Second housing, 17a ... Opening, 17b ... Flange, 17c ... Annular groove, 20 ... Vibration isolator, 22 ... Vacuum pump, 30 ... Bolt, 32 ... O-ring, 50 ... Correction mechanism 51... Support pillar 52. Ring base 53 53 Fixed plate 60 Circular plate 70 Electron beam irradiation device 72 Drive motor 71 71 Rotating device 73 Reference base 75 Moving table 77 ... Rotating shaft, 78 ... Feed screw mechanism, 79 ... Seal mechanism, 80 ... Rotary motor, 81 ... Encoder, 82 ... Rotary table, 83 ... Sample, 84 ... Transport unit, 85 ... Gate valve, 86 ... Transfer device, 7 ... air spindle, 88 ... second vacuum chamber, 90 ... electron beam lithography system.

Claims (6)

精密ステージが配置される内部空間を外部空間から気密状態で隔離して、前記内部空間の真空度を維持する気密室と;
前記内部空間から気体を排気する真空ポンプと;
前記精密ステージを保持するとともに、前記内部空間を第1空間と第2空間に区画するベースと;
前記真空ポンプによる気体の排気にともなって、前記内部空間と前記外部空間との間に生じる気圧差を利用して、前記ベースの変形を抑制する補正機構と;を備える真空チャンバ。
An airtight chamber that isolates the internal space in which the precision stage is disposed from the external space in an airtight state and maintains a vacuum degree of the internal space;
A vacuum pump for exhausting gas from the internal space;
A base for holding the precision stage and partitioning the internal space into a first space and a second space;
A correction mechanism that suppresses deformation of the base by utilizing a pressure difference generated between the internal space and the external space as the gas is exhausted by the vacuum pump.
前記ベースは前記第1空間と前記第2空間とを連通する貫通孔を有していることを特徴とする請求項に記載の真空チャンバ。 The vacuum chamber according to claim 1 , wherein the base has a through-hole that communicates the first space and the second space. 前記補正機構は、前記貫通孔の周囲に複数配置されていることを特徴とする請求項に記載の真空チャンバ。 The vacuum chamber according to claim 2 , wherein a plurality of the correction mechanisms are arranged around the through hole. 前記補正機構は、鉛直方向に弾性を有する弾性部材を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の真空チャンバ。 The correction mechanism includes a vacuum chamber according to claim 1, characterized in that it comprises an elastic member having elasticity in a vertical direction. 前記気密室は、前記ベースの上面に気密的に配置されることで前記第1空間を規定する第1容体と、前記ベースの下面に気密的に配置されることで前記第2空間を規定する第2容体とを備える請求項1〜のいずれか一項に記載の真空チャンバ。 The airtight chamber is airtightly disposed on the upper surface of the base to define the first space, and the airtight chamber is airtightly disposed on the lower surface of the base to define the second space. The vacuum chamber according to any one of claims 1 to 4, further comprising a second container. 電子ビームを用いて試料の表面に情報を記録する電子線描画装置であって、
請求項1〜のいずれか一項に記載の真空チャンバと;
前記試料に電子ビームを照射する照射装置と;
前記真空チャンバのベース上で、前記試料を保持する精密ステージと;を備える電子線描画装置。
An electron beam lithography apparatus for recording information on the surface of a sample using an electron beam,
A vacuum chamber according to any one of claims 1 to 5 ;
An irradiation device for irradiating the sample with an electron beam;
An electron beam lithography apparatus comprising: a precision stage for holding the sample on the base of the vacuum chamber.
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