JP4914094B2 - アクティブな植込み型医療器具用の遮蔽型距離遠隔計測ピン配線 - Google Patents

Description

人体組織内に埋め込まれたリード線によりピックアップされる信号の切り離し（減結合）及び遮蔽のための貫通コンデンサ型電磁干渉（ＥＭＩ）フィルタが、当該技術分野において周知である。例えば、心臓ペースメーカ用途では、ペースメーカから心臓に延びるワイヤ又はリード線は、アンテナとして働き、例えば携帯電話、ＲＦ識別システム、携帯電話用ブースタ、携帯電話用ジャンパ、電子レンジ及び典型的には患者環境で見受けられる他のエミッタのような源からの迷走電磁干渉信号をピックアップする。別のかかる強力なエミッタは、磁気共鳴映像（ＭＲＩ）中に生じるＲＦ場である。これら信号は、ピン中へ伝搬し、次にアクティブな植込み型医療器具の内部に結合される場合が多い。

米国特許第５，３３３，０９５号等による好ましい常法は、アクティブな植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）内へのリード線の出入り箇所のところに貫通濾波型コンデンサを設けることである。例示の先行技術のＥＭＩフィルタが、米国特許第５，３３３，０９５号明細書、同第５，７５１，５３９号明細書、同第５，８９６，２６７号明細書、同第５，９０５，６２７号明細書、同第５，９５９，８２９号明細書、同第５，９７３，９０６号明細書、同第５，９７８，２０４号明細書、同第６，００８，９８０号明細書、同第６，２７５，３６９号明細書、同第６，５２９，１０３号明細書、同第６，６４３，９０３号明細書、同第６，７６５，７７９号明細書、同第６，７６５，７８０号明細書、同第４，４２４，５５１号明細書及び同第４，４１８，００３号明細書に図示されると共に記載されており、これら米国特許を参照により引用し、これらの開示内容を本明細書の一部とする。

例えば４５０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚ周波数範囲で生じる高周波ＥＭＩの場合、ＡＩＭＤに出入りするリード線を全て濾波することが非常に重要である。これは、いったんＥＭＩが１本のリード線であってもこれによりＡＩＭＤのハウジング内に入ると、このＥＭＩは、ペースメーカ、植込み型心臓除細動器等の内部のＥＭＩの影響を受けやすい隣接の回路に対して交差結合をなし又は再放射する場合があるからである。したがって、このＥＭＩは、ペースメーカ感知（センシング）回路に入り、危険な状況、例えば器具の阻害をもたらす場合がある。

従来テレメトリ（遠隔計測）は、ＡＩＭＤのチタン製のハウジング内に収容された埋め込み型コイルによって達成されていた。チタン遮蔽体は磁性ではないので、外部コイルから皮下で密結合により低周波テレメトリ信号を通過させることは非常に容易であった。このいわゆる外部コイルは、ＡＩＭＤに密接して保持され、それにより医師は、ＡＩＭＤと通信することができる。このように、医師は、バッテリの状態をチェックし、患者の波形を回復させ、しかも再プログラミング及び設定替えを達成することができた。

しかしながら、市場における大きな動向の把握によれば、医師及び患者は、益々多量に格納されたデータを回収したいと考えている。即ち、特定のペースメーカ患者がスポーツ活動に参加し、不快感又は不整脈であるように思われる症状を感じた場合、患者はたとえ１週間又は２週間後でも医院に戻ってその期間からＥＣＧ（心電図）波形を回復させることができる。したがって、ＡＩＭＤ内により広い帯域幅及びより多い格納データが必要である。マイクロチップにおける最近の技術的発展により、後で医師により検索できる多量のデータの格納が可能である。

別の技術動向では、患者の内部のＡＩＭＤに密結合することが不便な場合が多い。テレメトリワンド（ヘッド）を患者の胸部のすぐ上に置いてこれがＡＩＭＤ又はペースメーカと良好な通信状態を得るまで動かし回ることは、問題になる場合が多い。また、病院施設では、ペースメーカを連続的にモニタすると共に（或いは）これと通信できるテレメトリ装置を患者の室内のどこかに単に設けることが非常に望ましい。したがって、技術動向は、高周波（ＨＦ）距離遠隔計測に向けられている。

距離遠隔計測を達成するためには、テレメトリ信号は、周波数が高い状態になければならない。従来、埋め込み型コイルは、キロヘルツレベルの領域で動作しており、これらのうち大部分は、５０〜１４０ｋＨｚであった。距離遠隔計測のため、典型的には、ＲＦピンがＡＩＭＤの気密端子から出てＡＩＭＤハウジングの体液側に設けられた装置ヘッダブロック内に位置している。この装置ヘッダブロックは典型的には、成形プラスチック又はこれに類似した材料のものである。このＲＦピンは、リード線を介して体組織に接続されていない。これは、定位置に位置し、単純な短いスタブのアンテナとしての役目を果たす。米国連邦通信委員会は、かかる目的のためＭＩＣＣＳ周波数範囲と呼ばれる周波数範囲を割り当てており、これは、４００〜４０５ＭＨｚ範囲である。また、使用に当たり、約８００〜９００ＭＨｚ（最高３ＧＨｚまで）の高い周波数範囲が存在する。かかる高い周波数の利点は、これらの波長が比較的短く、しかもかかる短いアンテナへの結合効率が高いということである。これにより、従来ＡＩＭＤ内部に用いられていた嵩張った埋め込み型コイルが不要になり又は場合によっては、かかる埋め込み型コイルが大き過ぎて、ＡＩＭＤの外部に植え込まなければならなかった。

距離遠隔計測のもう１つの利点は、帯域幅及びしたがって通信速度が非常に高いということである。即ち、医師は、多量のデータを従来のキロヘルツ周波数範囲テレメトリ伝送の場合よりも早い速度で検索できる。したがって、患者のＥＣＧ及び他の情報を容易に表示することができる。加うるに、高い周波数のエネルギは、短いＲＦピンアンテナと効率的に結合するので、患者の胸部に密接して配置される外部テレメトリヘッドコイルを設ける必要はもはやない。即ち、相当に長い距離から、例えば部屋の端から端まで、医師は、高周波外部プログラマ又は外部読み取り装置を用いて植込み型医療器具と通信することができる。

しかしながら、これらは全て、ＡＩＭＤ内のＥＭＩ遮蔽に関する問題を提起する。一方において、先行技術のＥＭＩ濾波貫通コンデンサのどれもこのＲＦピンに取り付けることが可能であるというわけではない。この理由は、広帯域幅貫通コンデンサフィルタは効率が高いのでテレメトリ信号の変調と一緒に高周波キャリヤを除く場合があるからである。他方、植込み型医療器具に出入りする非濾波型ピンが設けられている場合、かなり大きな問題が生じる。結合理論と実験室試験の両方により、非濾波型ピンを濾波型ピンに密接して植込み型医療器具に引き込むことは問題であることが立証された。即ち、交差結合が、分布キャパシタンス、相互誘導結合又は非濾波型ＲＦピンと例えばペースメーカ感知回路に至るのがよい隣接の濾波型リード線（又は、他の回路に直接的に）との間のアンテナ伝搬（再放射）により生じる場合がある。したがって、非濾波型ピンをＡＩＭＤ内に非濾波型ピンに近接して通すことは、電磁干渉に対して全体的な減衰及び遮蔽作用を著しく劣化させる場合がある。

図１は、先行技術のアクティブな植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）３０、例えば心臓ペースメーカの等角図である。図１を参照すると、従来型チタン製ハウジング３２が、ＡＩＭＤ３０の電子回路を包囲して気密封止していることが分かる。また、ＩＳＯ標準ＩＳ１、ＤＦ１等に準拠したリード線３６が引き込まれたヘッダブロック組立体３４が設けられている。また、医師がつがい関係をなすプラグ３８及び心臓リード線３９をリード線３６組立体にどのようにプラグ接続すればよいかの一例が示されている。典型的な先行技術の用途では、これにより、医師は、例えば心臓４０の室内に配置されるよう設計されたリード線３９をプラグ接続することができる。図１に戻ってこれを参照すると、ＲＦテレメトリピン４２が、ＡＩＭＤ３０のヘッダ又は端子４４を貫通していることが理解できる。注目されることとして、ＲＦテレメトリピン４２は、ヘッダブロック４４それ自体内部のリード線３６のどれにも接続されていない。ＲＦテレメトリピン４２は、短いスタブアンテナを形成し、このアンテナは、医師又は他の病院係員により用いられる外部送信機と通信するよう設計されている。ＲＦテレメトリピン４２の長さは、送信信号の波長の何分の一かに一致すべきであるので重要である。この先行技術によれば、ＲＦテレメトリピン４２を気密シール全体に関連させる場合があり又はこれをそれ自体の別個の気密シールと共に据え付けるのがよい。

図２は、図１の２−２線矢視断面図である。図２は、ＲＦテレメトリピン４２を心臓ペーシング及び感知（センシング）リード線３６と関連して示している。また、先行技術の貫通コンデンサ４６が示されており、この貫通コンデンサは、米国特許第４，４２４，５５１号明細書、同第５，３３３，０９５号明細書、同第５，９０５，６２７号明細書、同第６，７６５，７７９号明細書によって概要説明されている。ＡＩＭＤ３０を電磁干渉（ＥＭＩ）に露出する場合がある。これらＥＭＩ信号は、ハウジング３２に当たる。ハウジングが金属製、例えばチタン製である場合、ＥＭＩは、遮蔽材料から反射し又はこれによって吸収される（４８ａで示すように）。また、ＥＭＩは、ＡＩＭＤ３０のリード線３６内に結合する場合があり、これらリード線は、体組織に接続されるよう設計されている（４８ｂとして示されている）。しかしながら、貫通コンデンサ４６が設けられているので一般にこれはかかるＥＭＩをＡＩＭＤ３０のハウジング３２に対して減結合し又は短絡させ、ＥＭＩはここで無害の熱エネルギーとして消散する。これにより、かかるＥＭＩはリード線３６経由でＡＩＭＤ３６の内部に入って敏感な電子回路を乱すことはない。しかしながら、ＥＭＩは、ＲＦテレメトリピン４２に結合する場合がある。換言すると、望ましいＲＦテレメトリ信号への結合に加えて、ＲＦテレメトリピン４２は又、迷走ＥＭＩ信号をピックアップする（４８ｃで示すように）。これらＥＭＩ信号は、ＡＩＭＤ３０の内部に容易に結合され（４８ｄで示されている）、ここで、これらＥＭＩ信号は、敏感な電子回路、例えばペースメーカ感知回路に再放射する場合がある。懸念されることは、かかるＥＭＩは、通常の心臓リズム（律動）として検出される場合があり、これにより例えば、ペースメーカが乱れる場合がある。

したがって、隣接の濾波型回路に交差結合せず、これに再放射せず、又はこれの減衰を劣化させないような仕方で設計された非濾波型であるが遮蔽型のＲＦテレメトリピンが要望されている。したがって、かかるＲＦピン配線をかかるＥＭＩに対して遮蔽してＥＭＩがＡＩＭＤハウジング内に位置する敏感なＡＩＭＤ電子回路を再放射することはなく又はこれに結合することがないようにする方法論が要望されている。本発明は、これら要望を満たし、他の関連の利点をもたらす。

米国特許第５，３３３，０９５号明細書 米国特許第５，７５１，５３９号明細書 米国特許第５，８９６，２６７号明細書 米国特許第５，９０５，６２７号明細書 米国特許第５，９５９，８２９号明細書 米国特許第５，９７３，９０６号明細書 米国特許第５，９７８，２０４号明細書 米国特許第６，００８，９８０号明細書 米国特許第６，２７５，３６９号明細書 米国特許第６，５２９，１０３号明細書 米国特許第６，６４３，９０３号明細書 米国特許第６，７６５，７７９号明細書 米国特許第６，７６５，７８０号明細書 米国特許第４，４２４，５５１号明細書 米国特許第４，４１８，００３号明細書

本発明は、アクティブな植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）用の電磁干渉（ＥＭＩ）フィルタ端子組立体に関する。特に、本発明は、導電性接地平面（フェルールの形態をしているのがよい）と、第１の組をなす電極板及び接地平面に導通可能に結合された第２の組み合わせ電極板を備えた貫通コンデンサとを有するＡＩＭＤ用のＥＭＩフィルム端子組立体を提供する。リード線が、第１の組をなす電極板と導通関係をなしてコンデンサ内に延びている。加うるに、高周波（ＲＦ）テレメトリピンが、非導通関係をなしてフェルールを貫通し、このテレメトリピンは、テレメトリピンと非導通関係をなしてＲＦテレメトリピンの一部を覆って延びる導電性遮蔽体を有し、導電性遮蔽体は、ＡＩＭＤと関連した接地用導体（ground）に導通可能に接続されている。この組立体は、ＲＦテレメトリピンと、導電性遮蔽体と少なくとも同一の広がりをもってＲＦテレメトリピンの一部を覆う導電性遮蔽体との間に位置する絶縁管を更に有するのがよい。絶縁管は、コバール（Kovar）又はポリイミド、例えばプラスチック、テフロン（登録商標）（Teflon）又はシリコーン等で構成されているのがよく、又は、これは、導電性熱収縮管材料から成っていてもよく、外面は、導電性遮蔽体の少なくとも一部を形成する。導電性遮蔽体は、任意適当な導電性材料、例えば金、銅、ニッケル又は適当な電磁遮蔽作用を提供する別の材料で構成されたものであってよく。被膜、めっき、中実金属管、巻付け線管、編組線管又は巻き箔管の形態をしているのがよい。導電性遮蔽体が巻付け線管又は編組線管である場合、これは、３０４Ｖステンレス鋼で構成されたものであるのがよい。

この組立体は、ＲＦテレメトリピンに導通可能に結合されているワイヤボンドパッドを備えた回路板又は基板を更に有するのがよい。回路板又は基板は、ＡＩＭＤハウジング接地電位の状態にある導電性遮蔽体に導通可能に結合されている第２のワイヤボンドパッドを更に有するのがよい。ＲＦテレメトリピン及び（又は）導電性遮蔽体とそれぞれのワイヤボンドパッドの導電結合は、熱的接着、超音波接着、はんだ付け、ろう付け、溶接又は導電性接着剤で達成されるのがよい。

貫通コンデンサは、外面の少なくとも一部を覆う金属被膜又は金属被覆を有するのがよく、この場合、金属被膜又は金属被覆は、第２の組をなす電極板及び接地平面に導通可能に結合される。この金属被膜又は金属被覆をはんだ、ろう、又は熱硬化性導電性接着剤によって導電性遮蔽体にも導通可能に結合するのがよい。変形例として、導電性金属フレームが、貫通コンデンサの外面の一部を覆うと共に接地平面及び導電性遮蔽体に導通可能に結合されるのがよい。

組立体は、接地平面に機械的に結合されていて、ＲＦテレメトリピンを非導通状態で挿通させた端子絶縁体を更に有するのがよい。端子絶縁体は、ＲＦテレメトリピンが端子絶縁体を貫通するときにＲＦテレメトリピンを包囲していて、ＡＩＭＤハウジングとＲＦテレメトリピンとの間の分布キャパシタンスを制限するカウンタボアを有するのがよい。変形例として、ＲＦテレメトリピンは、これが端子絶縁体を通過する際にその周囲に沿って設けられた切欠き又はスエッジ（swadge）を有してもよい。

絶縁管及び導電性遮蔽体に加えて、ＲＦテレメトリピンは、外部絶縁層を更に有するのがよい。外部絶縁層は、ポリイミド管材料から成るのがよい。導電性遮蔽体が第２の組をなす電極板に導通可能に結合されている場合、外部絶縁層の一部を結合時に除去するのがよい。

変形実施形態では、ＥＭＩフィルタ端子組立体は、ＡＩＭＤ用のハウジングと関連した導電性接地平面を有する。第１の端子絶縁体が、導電性接地平面に機械的に結合されている。ＲＦテレメトリピンは、この第２の端子絶縁体を非導通関係をなして貫通し、ＲＦテレメトリピンの一部を覆って延びる導電性遮蔽体は、導電性接地平面に導通可能に接続されている。導電性接地平面は、１つ以上の導電性フェルールから成るのがよい。

本発明の組立体を種々のＡＩＭＤに用いることができ、かかるＡＩＭＤとしては、心臓ペースメーカ、植込み型除細動器、うっ血性心不全器具、聴覚インプラント、人工内耳、神経刺激器、薬剤ポンプ、補助心臓、インスリンポンプ、脊髄電気刺激器、植込み型検出システム、深部脳刺激器、人工心臓、失禁用具、迷走神経刺激器、骨成長刺激器、胃ペースメーカ、又は人工器官が挙げられる。

本発明の上記特徴及び他の特徴は、好ましい実施形態の以下の詳細な説明に照らして当業者には明らかになろう。

添付の図面は、本発明を記載している。

本発明は、アクティブな植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）の内部に設けられた無線周波（ＲＦ）テレメトリピンリード線を包囲する種々の遮蔽体を提供する。この遮蔽体は、隣接の敏感な回路、例えば植込み型心臓ペースメーカ又は他の植込み型器具の感知回路へのテレメトリ信号それ自体を含む望ましくない迷走信号の再放射を阻止するよう働く。

また、ＲＦテレメトリ回路は、効率がよく且つ良好にインピーダンス整合されることが非常に重要である。これは、著しい減衰により距離テレメトリ信号の劣化が生じる場合があるからである。距離テレメトリの大きな特徴のうちの１つは、密結合が不要であるということにある。したがって、信号がＡＩＭＤに出入りする際の信号の劣化は望ましくない。したがって、ＡＩＭＤ器具の内部に設けられたＲＦテレメトリピンリード線を包囲するために用いられる遮蔽システムは、インピーダンス整合において効率が、高いことが必要である。これは、正しい絶縁材料、これらの比誘電率及び他の電気的性質及び遮蔽体に対する正しい外径（ＯＤ）と内径（ＩＤ）の比の選択により達成される。

図３は、本発明を具体化した双極電磁干渉（ＥＭＩ）濾波端子５０の略図である。双極ペースメーカは、当該技術分野において周知である。この例では、これは、ペースメーカから右心室に配線された双極リード（当該技術分野では、リード線を単にリードともいう）を備えた心臓ペースメーカである。双極リードシステムは代表的には、遠位端部にＴｉｐ及びＲｉｎｇ電極を有する。例えば、リード線５２を遠位Ｔｉｐ電極に配線し、リード線５４を遠位Ｒｉｎｇ電極に配線するのがよい。次に、ペーシングパルスをリード線５２，５４に与える。加うるに、心臓信号の検出も又、これらリード線によって達成できる。また、ピン５６が示されており、このピンは、体液側では、ＲＦテレメトリピンアンテナである。ＲＦ距離テレメトリピンは、上述したように当該技術分野においては公知である。

本発明の新規な特徴は、絶縁管５８及びこれを包囲する導電性遮蔽体６０に示されている。絶縁管５８は、多くの絶縁体のうちの任意の１つであってよく、かかる絶縁体としては、広範なプラスチック、テフロン（登録商標）（Teflon）、シリコーン等のうち任意のものが挙げられる。好ましい実施形態では、この絶縁管は、薄肉の非導電性ポリイミド又はコバール（Kovar）管材料である。これは、高温に耐えることができ、しかも可撓性の性状のものなので好ましい。これにより、心臓ペースメーカの製造業者は、ＲＦテレメトリリード線を保護する遮蔽管材料をアクティブな植込み型医療器具のハウジング内の任意所望の場所に引き回すことができる。導電性遮蔽体６０が、絶縁管５８に被せされている。好ましい実施形態では、導電性遮蔽体６０は、絶縁管５８それ自体に直接被着された薄い金めっき層である。しかしながら、導電性遮蔽体６０は、編組金属管、巻き金属管又は中実金属管であってよく、これらのうちどれも、先行技術のＲＦケーブルで一般に用いられている。中実銅管材料又は種々の他の導電性材料を用いることができる。絶縁管５８及び導電性遮蔽体６０に多種多様な材料を利用できることは当業者には明らかであろう。例えば、絶縁管５８及び導電性遮蔽体６０の性質及び特徴を組み合わせた導電性熱収縮管材料を用いてもよい。さらに、導電性遮蔽体６０は、陰極アーク物理的気相成長法、イオンビーム打ち込み法、ユーザ誘導蒸着法又は電気めっき法を利用して形成できる。導電性遮蔽体６０により絶縁管５８を１００％覆って良好なＲＦバー包囲を得ると共にＡＩＭＤ回路又は隣接のピン５２及び（又は）５４への結合を阻止することは必要ではない。導電性遮蔽体６０は、ＭＲＩ信号に対しても保護を行うニッケル鉄系ナノ粒子又は他の適当な磁気遮蔽材料のものであってもよい。

再び図３を参照すると、ＲＦテレメトリピン端子５６は今や好都合には、他の電子部品が取り付けられている回路板又は基板６４に設けられているワイヤポンドパッド６２に配線できる。露出状態のＲＦテレメトリピンアンテナ５６が、ワイヤボンディング６６又は超音波接着、はんだ付け等によりワイヤボンドパッド６２に取り付けられた状態で示されている。回路トレース６８が、ワイヤボンドパッド領域６２と近くのハイブリッド回路（図示せず）とを接続しており、このハイブリッド回路は、高ＲＦテレメトリを検出し、これを低周波ディジタルパルスに変換する。

ハイブリッド回路は、ワイヤボンドパッド６２及び遮蔽体６０の終端部又は成端部のできるだけ近くに位置することが非常に望ましい。この距離を非常に短く維持することにより、ＡＩＭＤ内のＲＦ再放射が最小限に抑えられる。極めて短いリード線は、距離ＲＦテレメトリに計画される波長では非効率的なカプラ又は再放射体である。しかしながら、非密封型テレメトリピンワイヤリング５６を長距離にわたって引き回した場合、再放射が、はっきりと問題になる。

上述したように、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６を備えた双極貫通コンデンサ７０は、コンデンサ７０内に設けられた接地電極板７４（図４及び図５参照）に接続された接地終端部又は成端部７２を有している。これら接地終端部７２と植込み型医療器具の気密端子５０のフェルール７６との間には電気接続部９２が設けられている。この接続は代表的には、米国特許第６，７６５，７７９号明細書に記載されているように金ボンドパッド７８（図４）に対して行われる。

例えば米国特許第５，９０５，６２７号明細書及び同第６，５２９，１０３号明細書に記載されている内部接地型貫通コンデンサの場合、コンデンサの接地電極板は、ＡＩＭＤのフェルール及び（又は）ケースに接地されたピンを介して接地されている。内部接地型コンデンサの接地電極板も又、本明細書において説明しているようにＲＦピンワイヤリングの新規な遮蔽体を接地するために使用できる。

気密端子５０の体液側を示す図８、図９及び図１０を参照すると、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６は、ヘッダブロック（図示せず）内で終端しており、体液と直接接触していない。しかしながら、心臓ペーシング及び感知リード５２，５４は、静脈系８０を通り、代表的には鎖骨下静脈を通り、大動脈弓を下へ通って右心室内に引き回されている。したがって、これは、ペーシング及びセンシング電気信号にとって有利である。心臓ペースメーカ及び当業者には明らかな感知（センシング）システムに加えて他の用途は、心臓ペースメーカ、心臓センシングシステム、植込み型除細動器、うっ血性心不全器具、聴覚インプラント、人工内耳、神経刺激器、薬剤ポンプ、補助心臓、インスリンポンプ、脊髄電気刺激器、植込み型検出システム、深部脳刺激器、人工心臓、失禁用具、迷走神経刺激器、骨成長刺激器、胃ペースメーカ、又は人工器官及びリード線が体組織に植え込まれる任意他の用途である。これら器具のうちの任意のもの及び全ては、好都合な装置プログラミング又はＡＩＭＤからの格納データのダウンロードが可能なＲＦテレメトリピンアンテナ５６を備えることができる。

図４は、図３に先に記載した双極濾波気密端子５０の断面図である。双極ピン５２，５４は、先行技術のＥＭＩフィルタに特有なものである。即ち、これらピンは、非導通関係をなしてアルミナ端子絶縁体又は引留がいし８２を貫通している。金ろう付け部８４が設けられ、この金ろう付け部は、アルミナ絶縁体８２とこれに対応したリード線５２，５４又はピン５６との間に気密シールを形成する。非導電性ワッシャ８５又はこれに類似した物体をコンデンサ７０とアルミナ絶縁体８２との間に設けるのがよい。次に、センサ／ペーシングリード線５２，５４は、貫通コンデンサ７０の孔を貫通し、ここで、これらリード線は、電気接続材料８６を入ってコンデンサの内周部金属被覆８８に接続され、この金属被覆は、コンデンサのアクティブな電極板９０に接続されている。これに対応して、コンデンサの外周部金属被覆７２は、コンデンサの接地電極板７４に接続されている。電気接続材料９２が、コンデンサ外周部金属被覆７２と植込み型医療器具の金属製フェルール７６を接続している。米国特許第６，７６５，７７９号明細書に先に記載されているように、電気接続材料９２は、酸化物の無い信頼性の高い電気的接続を可能にするために金ろう付け領域７８に接続されることが重要である。

再び図４を参照すると、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６は、図３に先に記載されたように示されている。断面で示すように、絶縁管５８は、周囲の導電性遮蔽体６０を僅かに越えて延びている。好ましい実施形態では、導電性遮蔽体６０は、軟質金めっきである。低電圧器具、例えば心臓ペースメーカ又は神経刺激器では、絶縁管５８が導電性遮蔽体６０を非常に遠くに越えて突き出る（距離“ａ”で示されている）ことは必要ではない。しかしながら、高電圧器具、例えば植込み型心臓除細動器では、導電性遮蔽体６０とＲＦテレメトリピンアンテナ５６との間に高電圧フラッシュオーバー距離を増大させるためにかなり大きな離隔距離“ａ”を取るのが好ましい。離隔距離“ａ”は、かかる高電圧フラッシュオーバーを阻止するのに十分な距離のものであるべきであり、所要の距離は、当業者には明らかであろう。再びＲＦテレメトリピンアンテナ５６を参照すると、このテレメトリピンアンテナは貫通コンデンサ７０の内周部に入る場合、電気接続材料８６が、内周部金属被覆８８を介して導電性遮蔽体６０をコンデンサの設置電極板７４に接続するために用いられている。これは、導電性遮蔽体６０を接地箇所に接続する非常に新規且つ効率の高い仕方である。即ち、好ましい実施形態では、コンデンサ７０の接地電極板７４は、ＲＦテレメトリピンアンテナワイヤ５６に設けられた導電性遮蔽体６０を接地するためにも使用される。

そうではない場合においては８４′″と比較して８４′において引き通し（pull through）として知られている金ろう付け侵入距離は、可変であり、複雑な濡れ及び毛管特性で決まる。８４′で示すように短い金ろう付け侵入量を利用することはできない。追加の問題は、金ろう付け侵入度が８４′″について示すようにピン毎にばらつきがあり、８４′″の侵入度は、度を超えている。遮蔽ＲＦテレメトリピンアンテナ５６とフェルール７６との間のキャパシタンスの量を制限することが望ましい。これら２つの箇所相互間の分布キャパシタンス又は迷走キャパシタンスが大き過ぎる場合、これは、所望の高周波テレメトリ信号をリークオフする（減衰させる）ことになる。また、ラインの特性インピーダンスを一定に保つことができるようにするためには、気密端子５０それ自体のこの分布キャパシタンスのばらつきが高過ぎないようにすることが重要である。８４′と８４′″で示す金ろう付けの侵入度を比較すると、金ろう付け侵入度に相当なばらつきがあることが分かる。ピン５６とフェルール７６との間の分布キャパシタンスの大きさは、８４′についての場合よりも８４′″で示す金ろう付け侵入度の方が高い。したがって、金ろう付けの最小侵入度を維持するだけでなく金ろう付けの一定侵入度を維持することが望ましい。本発明の新規な特徴は、８４′″に隣接して示されたカウンタボア又は端ぐり部９４が設けられていることにある。このカウンタボア９４は、毛管作用及び他の要因を妨げることにより金ろう侵入量を制限する。これは、金ろうの一定の侵入を達成する実用的な手法である。というのは、気密端子５０及び次の金ろう付けの製造中、もしそうでなければ、金ろう侵入量が可変だからである。例えば毛管作用、表面張力、ジグ心合せ及び寸法可変性のようなことは全て、金ろう侵入量に悪影響を及ぼす。したがって、図４に示すような新規なカウンタボア９４は、金ろう侵入量が限定されると共に一定であるようにする。金ろうが実際にカウンタボア９４の内部に入り込んで濡らしても構わない。というのは、この領域は、ピン５６のすぐ近くに位置していないからである（空隙が、迷走キャパシタンスの蓄積を阻止する）。したがって、本発明の新規な特徴は、図示のようにカウンタボア９４による上述の金ろう侵入の制御である。金ろう８４′，８４″，８４′″は例示に過ぎないことは注目されるべきである。上述の説明は、リード線５２，５４に当てはまる。例えば、リード線５２，５４における接地に対する追加のキャパシタンスは、追加のＥＭＩ濾波作用をもたらし、これは、通常のペースメーカセンシング及びペーシング回路にとって望ましい。したがって、カウンタボア９４は、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６にとって特に望ましく且つ特に適用できる。当業者には明らかなこととして、他の幾何学的形状の構造も又、金ろう侵入量を制限すると共に制御するために使用できる。

図５及び図６は、図３及び図４の双極貫通コンデンサの接地電極板７４とアクティブな電極板９０の両方を示している。接地電極板は、図５に示されていて、符号７４が付けられている。当該技術分野においては周知のように、かかる接地電極板は、１つ、２つ又は１００個を超えて設けられる場合がある。これと対応して、アクティブな電極板９０は、図６に示されている。アクティブな電極板９０は、上述の接地電極板７４相互間に交互に配置されている。ＥＭＩフィルタコンデンサ７０を形成するのは、アクティブな電極板９０と接地電極板７４のオーバラップ部分である。再び図５を参照すると、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６の導電性遮蔽体６０は、導電性材料８６を介して複数個の接地電極板７４の内周部金属被覆８８に電気的に接続されている。図６を参照すると、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６と関連したアクティブな電極板９０は設けられていないことが分かる。

以下の図の説明においては、種々の実施形態に共通の機能的に等価な部品は、同一の参照符号で示されている。

図７は、植込み型医療器具のハウジング内に設けられた電気部品、回路板又は回路基板への接続部の別の作製法を示している。この場合、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６は、回路取り付け箇所、例えばワイヤボンドパッド６２に取り付けられている。接続部６６は代表的には、超音波接着又は熱的ワイヤボンディング、はんだ、導電性接着剤等で構成されている。しかしながら、図７は、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６を包囲した導電性遮蔽体６０が第２のワイヤボンドパッド９６に接続されている点で図３とは異なっている。これにより、回路板６４の好都合なＲＦ接地が可能であり、しかも、導電性遮蔽体６０が２つの場所で終端される。即ち、導電性遮蔽体６０は、貫通コンデンサ７０の接地電極板７４に終端接続されると共に回路板接続箇所９６にも終端接続されている。これにより、導電性遮蔽体６０のＲＦ遮蔽効率が向上する。接続部９８は、接続部６６に非常に似ており、はんだ、熱硬化性導電性接着剤等で達成できる。一般的には、もし導電性遮蔽体６０が純金でできていなければ、この導電性遮蔽体６０について超音波接着又はサーマルソニックワイヤボンディングを行うことは可能ではないであろう。植込み型医療器具、例えば心臓ペースメーカでは、回路板６４又は基板へのＲＦ接地を必要とすることが極めて一般的である。一例は、ハウジング又は缶が他方の電極となる双極ペーシングモードにある。別の例は、ハウジング又は缶がショック電極のうちの一方（高温缶）になる場合のある或る特定のＩＣＤ形態にある。この目的のため、多くの器具設計では、ピンを植込み型器具のチタン製ハウジングの内部に溶接することが必要であり、この場合、このピンを次に回路板又は基板に配線する。この目的のためにＲＦテレメトリピンアンテナ５６の導電性遮蔽体６０を用いることは、これにより、かかるピンをＡＩＭＤのハウジングの内部に溶接する二次的工程が不要になるので有利である。したがって、回路トレース１００を回路接地方式において種々の目的に用いることができる。この点に関し、回路トレース６８，１００をハイブリッド回路又はチップに配線するのがよい。これをワイヤボンドパッド箇所６２，９６の近くに設けてＲＦテレメトリピンアンテナ５６を介して入る場合のある迷走ＥＭＩ信号の再放射を最小限に抑えることが望ましい。

図８は、導電性遮蔽体６０を貫通コンデンサ７０に接地する別の方法を示している。この場合、コンデンサの接地金属被覆７２′は、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６の導電性遮蔽体６０がセラミック製コンデンサに至る領域を有するようコンデンサ７０の端部全体上に延びている。この場合、導電性遮蔽体６０が貫通コンデンサ７０の内周部穴内へ下方へ侵入することは必要ではない。これとは異なり、電気接続部１０２が、導電性遮蔽体６０とコンデンサの金属被覆７２′との間に形成されている。この電気接続部１０２は、はんだ、ろう、熱硬化性導電性接着剤等で構成されたものであるのがよい。

図９は、導電性遮蔽体６０にＲＦ接地をもたらす更に別の変形実施形態を示している。この場合、プレス加工金属フレーム１０４が、気密端子５０のフェルール７６上に配置されてこれに電気的に接続されている。電気接続部９２は、代表的には、はんだ、ろう、溶接、熱硬化性導電性接着剤等で構成されている。電気接続部１０２は、ＲＦ接地を可能にする目的で、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６の導電性遮蔽体６０を導電性フレーム１０４に接続している。当業者に明らかなように、金属フレーム１０４は、多くの寸法形状を取ることができる。

図１０は、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６の上述の導電性遮蔽体６０を終端接続し又はこれにＲＦ接地をもたらす更に別の方法を示している。双極貫通コンデンサ７０が両端部に接地終端部７２を有していることが分かる。この場合、コンデンサ７０は、これがＲＦテレメトリピンアンテナ５６を包囲する導電性遮蔽体６０に当接するよう短くされている。コンデンサ７０の接地電極終端部７２へのＲＦ接地取り付け部をもたらす電気接続部１０２が形成されている。この材料は、はんだ、導電性熱硬化性材料等であるのがよい。コンデンサの金属被覆７２と気密端子５０のフェルール７６との間に追加の接地接触箇所９２を設けることは、望ましい特徴である。この理由は、多数の箇所に低インピーダンスＲＦ接地をもたらすことにある。接地システムに生じるインダクタンスが高過ぎる場合、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６を包囲している導電性遮蔽体６０は、有効なものにはならないであろう。

図１１〜図１５は、本発明を具体化したＥＭＩ濾波端子５０の別の変形実施形態を示している。これら変形実施形態は、ＲＦテレメトリピンアンテナ５６、絶縁管５８、導電性遮蔽体６０、コンデンサ７０、接地終端部７２及び追加の接地接触箇所９２の種々の構造を提供する。

図１３は、誘電材料を全て取り除いた状態の図１１のコンデンサを示している。これにより、コンデンサの接地電極板７４が現場にある状態で見ることができる。理解できるように、コンデンサの電極板７４とフェルール７６との間の接地接続部７２は、４つの場所に達成されている。これにより、非常に低いインピーダンスの接地接続部が得られる。また、理解できるように、導電性遮蔽体６０は内周部金属被覆８８に終端接続されていて、非常に低いインピーダンスのＲＦ接地が得られている。

図１６は、デュアルインライン型８ピンＥＭＩ濾波気密端子５０を示す別の実施形態である。８ピンは、先行技術の方法に従って濾波される。ＲＦテレメトリピンアンテナ５６に相当する９番目のピンは、本発明の絶縁管５８及び導電性遮蔽体６０を有している。

図１７は、図１６に類似しており、この図１７は、図１６の１７−１７線矢視切除断面図であり、導電性遮蔽体６０へのコンデンサ７０の内部接地電極板７４の取り付け方を示している。この場合、デュアル接地電極板７４は、米国特許第５，９７８，２０４号明細書に従って示されている。

図１８は、強化ポリイミド管材料１０６を示している。図１９に示すように、代表的な構造は、基板層１０８、編組又はコイル状金属層１１０及び外側層１１２から成っている。基板１０８及び外側層１１２は、絶縁性であり、埋め込み状態の編組又はコイル状層１１０は、導電性金属である。もっとも一般的な編組コイル１１０の材料は、３０４Ｖステンレス鋼である。他の金属材料も又使用できる。埋め込み編組コイル１１０は、本発明に従ってＲＦテレメトリピンアンテナ５６のＲＦ遮蔽を達成する。内周（ＩＤ）は、０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）という小さいものであるのがよい。ＦＥＰ及びＰＴＦＥ被膜をＩＤ、外周部（ＯＤ）又はこれら両方に追加して滑らかさを向上させて強化ポリイミド管材料１０６をＲＦテレメトリピンアンテナ５６上に滑らせて嵌めるのを容易にするのがよい。貫通コンデンサ７０の内周部接地電極板７４の終端部８８への接地（別の言い方として、遮蔽体終端接続と呼ばれている）が好ましい（又は、本明細書において先に説明したような他の接地法）。これは、“ｂ”でマーク付けされた領域の外側層１１２の僅かな量を化学的又は機械的に除去して実際の埋め込み状態の金属編組又はコイル材料１１０を露出させる工程を含む。導電性熱硬化性接着剤等で構成された電気接続部８６を用いて露出状態の編組材料１１０への接続を行うのがよい。これに似た手順を用いて接地回路をＡＩＭＤの回路板又は基板に取り付けるのがよい（図７の取り付け箇所９８を比較参照のこと）。

図２０は、市販の絶縁管５８がＲＦテレメトリピンアンテナ５６に嵌められた変形実施形態を示している。この場合、中実金属管１１４、例えば軟質銅管を図示のように絶縁管５８上にこれに沿って滑らせて嵌める。

図２１及び図２２は、中実金属管１１４に代えて、それぞれ管状巻付け線ストランド１１６又は管状巻き箔１５０又は世界中において遮蔽ケーブルに一般に用いられている他のこれらと等価の材料を用いている点を除き、図２０とほぼ同じである。

図２３は、巻き遮蔽体ワイヤに代えて交差編組遮蔽体ワイヤ１１８を示している（図２１を比較参照のこと）。交差編組遮蔽体１１８は、図２４に細部が示されており、編組ワイヤをどのように織成するかが分かる。

図２５は、図１０の２５−２５線矢視断面図である。これは、カウンタボア９４を用いて金ろう侵入深さ８４′を制御する別の方法を示している。上述したように、金ろう侵入量を制御して高過ぎる分布キャパシタンスがＲＦテレメトリピンアンテナ５６とこれを包囲した金属フェルール７６との間に発生するのが阻止されるようにすることが重要である。絶縁体８２は一般に空気よりも誘電率が比較的高いので、このことが重要である。また、分布キャパシタンスの量を制限するだけでなく、ＲＦテレメトリ回路及びアンテナに対して適切な伝送ライン整合が得られるようこれが一定であるようにすることも重要である。

同様に、図２６及び図２７も又、ピンボア侵入深さを制御する別の方法を示している。図２６は、リード線に設けられていて、毛管作用を妨害し、金ろうが流れるのを阻止する新規な切欠き１２０を示している。これと同様に、図２７のスエッジ（swadge）領域１２２又はバンプ（こぶ）は、同じことを達成する。当業者には明らかなように、高温真空ろう付け炉内で金ろうの侵入を慎重に止めたり制御するには多くの方法がある。

図２８は、ＲＦ端子ピンが５６の周りに設けられた気密シール又は絶縁体８２ｂが体組織に接続されたリード線５２，５４を包囲している１つ以上の他の気密シール又は絶縁体８２ａから別個独立のものとして示されているＡＩＭＤ、例えば心臓ペースメーカの等角図である。単極ＲＦテレメトリピン５６が、図２８に示されている。

図２９は、図２８の２９−２９線矢視断面図である。ＲＦテレメトリピン５６は、ＡＩＭＤの内部回路に配線された状態で示されている。また、本発明の新規な遮蔽体６０が示されており、この遮蔽体は、材料８６を用いて気密端子金ろう８４に電気的に接続されている。金ろう８４は、フェルール７６ｂを絶縁体８２ｂに接続している。この図には示されていないが、リード線５２，５４は、ＲＦテレメトリピン５６と関連したフェルール７６ｂ及び絶縁体８２ｂとは別個独立の絶縁体及びフェルールを貫通している。このように、遮蔽体６０は、ＡＩＭＤのハウジング全体に接地されている。これにより、連続電磁遮蔽体又は接地平面が形成され、したがって、ＲＦテレメトリピン５６に重畳されたＥＭＩがＡＩＭＤ内の敏感な回路から逃げ出ることができず又は再放射できないようになっている。本発明の遮蔽体６０のうちどれも、所望の遮蔽作用を達成するために上述の単極端子と共に利用できる。また、明らかなように、多くのブラケットを用いて本発明の電気接続材料８６に取って代わるようにしてもよい。

また、理解できるように、リード線５２，５４は、ＡＩＭＤの内部電子回路と関連している。上述したように、これらリード線は、適当な刺激パルスを体組織に送り出すよう配線されるよう設計されている。同じリード線も又、体内の生物学的機能を検出するよう使用される。例えば、心臓ペースメーカの場合、リード線５２，５４は、心臓リズムを検出するために使用できる。かかる心臓リズムが通常でない場合、リード線５２，５４は、ペーシングリードとなることができ、それにより電気的刺激を心組織に与えて洞調律を回復させる。本明細書においては、貫通コンデンサがかかるリード線と関連して望ましくない電磁干渉がＡＩＭＤの内部に入ってその電子回路を妨害する前にかかる望ましくない電磁干渉を切り離す先行技術のＥＭＩフィルタが記載されている。貫通コンデンサの使用に代わる手段は、本発明の原理を利用してハウジングの内部に設けられたリード線５２，５４を遮蔽することである。これは、遮蔽組立体６０も又、リード線５２，５４上に配置されることを除き、図２９に示す遮蔽組立体と同一の遮蔽組立体である（絶縁管材料を含む）。このように、リード線５２，５４は、ＡＩＭＤ内の電子回路に安全に配線でき、この場合、ＥＭＩがＡＩＭＤ内の他の領域を再放射し又はこれに結合する恐れがない。これにより、これらリード線５２，５４の終端部のところで回路板又は基板に設けられたＥＭＩフィルタを用いることが必要である。即ち、ＥＭＩは依然として、ペースメーカセンシング回路に入ろうとする。しかしながら、先行技術においては、電子受動式又はローパスフィルタをその箇所に用いてＥＭＩがペースメーカ感知回路に入らないようにすることは、周知である。

種々の実施形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明の範囲及び精神から逸脱することなく種々の改造を行うことができる。

先行技術のアクティブな植込み型医療器具、例えば心臓ペースメーカの等角図である。 図１の２−２線矢視断面図である。 遮蔽されたＲＦテレメトリピンを含む双極ＥＭＩ濾波端子の斜視図である。 図３の４−４線矢視拡大断面図である。 図４の５−５線矢視断面図であり、貫通フィルタコンデンサ内の接地電極板の構造を示す図である。 図４の６−６線矢視断面図であり、コンデンサ内のアクティブな電極板の構造を示す図である。 図３に示す図と類似した部分斜視図であり、ＡＩＭＤのハウジング内に設けられた電気部品又は回路基板への別の接続法を示す図である。 図３と類似した斜視図であり、ＲＦテレメトリピンワイヤ遮蔽体を貫通コンデンサに接地する別の方法を示す図である。 図３と類似した斜視図であり、ＲＦピン遮蔽体へのＲＦ接地を可能にする更に別の実施形態を示す図である。 ＲＦピンの遮蔽体へのＲＦ接地をもたらす更に別の方法を示す図である。 図３に類似した斜視図であり、ＥＭＩフィルタ端子及び遮蔽型テレメトリピンの任意的な構造を示す図である。 図３と類似した斜視図であり、ＥＭＩフィルタ端子及び遮蔽型テレメトリピンの任意的な構造を示す図である。 図３に類似した斜視図であり、ＥＭＩフィルタ端子及び遮蔽型テレメトリピンの内部電極構造を示す図である。 図３に類似した斜視図であり、ＥＭＩフィルタ端子及び遮蔽型テレメトリピンの更に別の任意的な構造を示す図である。 図１４の１５−１５線矢視断面図である。 本発明の更に別の実施形態の斜視図であり、本発明の９番目の遮蔽型テレメトリピンを有するデュアルインライン型８ピンＥＩＭ濾波端子を示す図である。 図１６に類似した図であり、図１６の１７−１７線矢視部分断面図を含む図である。 遮蔽型テレメトリピンに用いることができる強化ポリイミド管材料の斜視図である。 図１８の１９−１９線矢視断面図である。 図１８に類似した斜視図であり、市販の絶縁管材料がＲＦテレメトリリード線上にこれに沿って嵌められ、この組立体を次に軟質銅管に配置する変形実施形態を示す図である。 図２０に類似した斜視図であり、図２０の中実金属管に代えて巻付け線ストランドが用いられている状態を示す図である。 図２０に類似した斜視図であり、図２０の中実金属管に代えて巻き箔管が用いられている状態を示す図である。 図２１に類似した斜視図であり、巻付け線遮蔽体に代えて編組線遮蔽体が用いられている状態を示す図である。 図２３の領域２２の拡大部分斜視図であり、編組線をどのように織成するかを示す図である。 図１０の２５−２５線矢視断面図である。 図２５の２６−２６線で囲んだ領域の拡大部分断面図であり、リード線に設けられていて、リード線を下るろう材料の流れを制限する切欠きが用いられている状態を示す図である。 図２６に類似した断面図であり、リード線に設けられていて、隣接の金ろう材料の流れを制御するスエッジ（swadge）領域又はバンプが用いられている状態を示す図である。 本発明のＲＦテレメトリピンの新規な遮蔽体を具体化したアクティブな植込み型医療器具の等角図である。 図２８の２９−２９線矢視断面図である。

符号の説明

３０ 先行技術のアクティブな植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）
３２ ハウジング
４２ ＲＦテレメトリピン
４６ 貫通コンデンサ
５０ 双極電磁干渉（ＥＭＩ）端子組立体
５２，５４ リード線
５６ ＲＦテレメトリピン
５８ 絶縁管
６０ 導電性遮蔽体
６２ ワイヤボンドパッド
６４ 回路板又は基板
７０ 双極貫通コンデンサ
７２ 接地終端部
８２ アルミナ絶縁体
９４ カウンタボア
１０２ 金属被覆
１０６ ポリイミド管材料
１１４ 中実金属管
１１６ 管状巻付け線ストランド
１１８ 管状編組線
１５０ 管状巻き箔

Claims (25)

1. アクティブな植込み型医療器具（ＡＩＭＤ）用の端子組立体であって、
   外の体液側と、内側と、を有する、前記ＡＩＭＤ用のハウジングと、
   ハウジングを貫通して非導通関係をなして延びる無線周波（ＲＦ）テレメトリピンと、
   前記ＲＦテレメトリピンの一部を覆って非導通関係をなして同心的に配置された導電性遮蔽体とを有し、前記導電性遮蔽体は、前記ハウジングの前記内側に配置されており、前記ＡＩＭＤ用のハウジングに導通可能に結合されている、組立体。
2. 前記ハウジングは、接地平面を有する、請求項１記載の組立体。
3. 前記接地平面は、導電性フェルールから成る、請求項２記載の組立体。
4. 貫通コンデンサを有し、該貫通コンデンサは、第１の組をなす電極板及び前記ハウジングに導通可能に結合された第２の組をなす電極板を備えた貫通コンデンサと、前記第１の組をなす電極板と導通関係をなして前記コンデンサ内へ延びるリード線と、前記貫通コンデンサの外面の少なくとも一部を覆う導電性金属被膜とを有し、前記金属被膜は、前記第２の組をなす電極板に導通可能に結合されると共に前記ハウジングに導通可能に結合されている、請求項１乃至３の何れか１項に記載の組立体。
5. 前記ＲＦテレメトリピンの前記導電性遮蔽体は、前記第２の組をなす電極板に導通可能に結合されている、請求項４記載の組立体。
6. 前記貫通コンデンサの前記金属被膜は、前記ＲＦテレメトリピンの前記導電性遮蔽体に導通可能に結合されている、請求項４又は５記載の組立体。
7. 前記金属被膜は、はんだ、ろう又は熱硬化性導電性接着剤によって前記導電性遮蔽体に導通可能に結合されている、請求項６記載の組立体。
8. 前記貫通コンデンサの前記外面の一部を覆うと共に前記ハウジング及び前記ＲＦテレメトリピンの前記導電性遮蔽体に導通可能に結合された導電性金属フレームを更に有する、請求項４又は５記載の組立体。
9. 前記ＡＩＭＤは、心臓ペースメーカ、心臓感知システム、植込み型除細動器、うっ血性心不全器具、聴覚インプラント、人工内耳、神経刺激器、薬剤ポンプ、補助心臓、インスリンポンプ、脊髄電気刺激器、植込み型検出システム、深部脳刺激器、人工心臓、失禁用具、迷走神経刺激器、骨成長刺激器、胃ペースメーカ、又は人工器官から成る、請求項１乃至８の何れか１項に記載の組立体。
10. 前記ＲＦテレメトリピンと前記導電性遮蔽体との間に設けられた絶縁管を更に有する、請求項１乃至９の何れか１項に記載の組立体。
11. 前記絶縁管は、プラスチック、テフロン（登録商標）又はシリコーンで構成されている、請求項１０記載の組立体。
12. 前記導電性遮蔽体は、金、銅、ニッケル又は他の適当な電磁遮蔽材料から成る、請求項１乃至１１の何れか１項に記載の組立体。
13. 前記導電性遮蔽体は、中実金属管、巻付け線管、編組線管又は巻き箔管から成る、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の組立体。
14. 巻付け線材料又は編組線材料は、３０４Ｖステンレス鋼から成る、請求項１３記載の組立体。
15. 前記ＲＦテレメトリピンに導通可能に結合された回路板又は基板を更に有する、請求項１乃至１４の何れか１項に記載の組立体。
16. 前記ＲＦテレメトリピンは、熱的接着、超音波接着、はんだ付け又は導電性接着剤によって前記回路板又は基板のワイヤボンドパッドに導通可能に結合されている、請求項１５記載の組立体。
17. 前記ＲＦテレメトリピンの前記導電性遮蔽体は、前記回路板又は基板のための接地用導体に導通可能に結合されている、請求項１５記載の組立体。
18. 前記基板に設けられていて、前記ＲＦテレメトリピンの前記導電性遮蔽体に導通可能に結合された第２のワイヤボンドパッドを更に有する、請求項１６記載の組立体。
19. 前記導電性遮蔽体は、熱的接着、超音波接着、はんだ付け又は導電性接着剤によって前記第２のワイヤボンドパッドに導通可能に結合されている、請求項１８記載の組立体。
20. 前記ハウジングに機械的に結合されていて、前記ＲＦテレメトリピンを非導通状態で挿通させた端子絶縁体を更に有する、請求項１乃至１９の何れか１項に記載の組立体。
21. 前記ＲＦテレメトリピンの周りで前記端子絶縁体に設けられていて、前記ハウジングと前記ＲＦテレメトリピンとの間の分布キャパシタンスを制限するカウンタボアを更に有する、請求項２０記載の組立体。
22. 前記端子絶縁体内で前記ＲＦテレメトリピンに設けられた切欠き又はスエッジを更に有する、請求項２１記載の組立体。
23. 前記ＲＦテレメトリピンの前記導電性遮蔽体に被着された外部絶縁層を更に有する、請求項１乃至２２の何れか１項に記載の組立体。
24. 前記外部絶縁層は、ポリイミド管材料から成る、請求項２３記載の組立体。
25. 前記導電性遮蔽体は、結合の時点で前記外部絶縁層の一部を除去することにより前記第２の組をなす電極板に導通可能に結合される、請求項２３記載の組立体。

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