JP4913501B2 - 量子計算装置および量子もつれ制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、共振器と量子ビットの相互作用を利用して、量子ビット間の量子もつれ状態を生成する量子計算装置および量子もつれ制御方法に関するものである。

量子力学の重ね合わせ状態の性質を積極的に利用する量子計算では超並列計算が実行でき、現在の計算機では非常に時間のかかるある種の問題が短時間のうちに解けることが指摘されている。このような実用的な量子計算を実行するためには、少なくとも１０００個以上の量子ビットで自在に量子もつれ状態をつくり制御する必要がある。

複数の量子ビットで量子もつれ状態を実現する方法としては、図４に示すように量子ビット間の直接相互作用を利用する方法がある（例えば、非特許文献１参照）。図４の量子ビットは左から量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，Ｑ₄，Ｑ₅である。離れた量子ビットの間の量子もつれ状態を作るために、隣接する量子ビットを利用して量子情報を転送する。例えば量子ビットＱ₁と量子ビットＱ₄で量子もつれ状態を作るためには、まず量子ビットＱ₁の量子情報を２回の交換ゲート操作を使い量子ビットＱ₃に移す。すなわち、図４（Ａ）に示すように量子ビットＱ₁の量子情報を量子ビットＱ₂に移した後に、図４（Ｂ）に示すように量子ビットＱ₂の量子情報を量子ビットＱ₃に移す。そして、図４（Ｃ）に示すように量子ビットＱ₃と量子ビットＱ₄で量子もつれ状態を作った後に、再び二回の交換ゲート操作を使い量子情報を量子ビットＱ₁に戻す。

また、複数の量子ビットで量子もつれ状態を実現する他の方法として、図５に示すように量子ビットと共振器の相互作用を利用して量子ビットの量子情報を一度共振器に移してから他の量子ビットと量子もつれ状態を作る方法がある（例えば、特許文献１参照）。図５（Ａ）の系は複数の量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，Ｑ₄，Ｑ₅と共振器ｒｅｓで構成されている。それぞれの量子ビット同士の直接相互作用は小さい。量子ビットＱ₁と量子ビットＱ₄の間で量子もつれ状態を作るためには、まず図５（Ｂ）に示すように量子ビットＱ₁の共鳴周波数ω_Q1を変化させて共振器ｒｅｓの共振周波数ω_resに一致させ、共振器ｒｅｓと量子ビットＱ₁の相互作用を利用して量子ビットＱ₁の量子情報を共振器ｒｅｓに移す。次に、図５（Ｃ）に示すように量子ビットＱ₄の共鳴周波数ω_Q4を共振器ｒｅｓの共振周波数ω_resに一致させ、量子もつれ状態を作り出す。

特開２００６−１６５８１２号公報 T.P.Orlando,J.E.Mooij,Lin Tian,C.H.van der Wal,L.S.Levitov,S.Lloyd,and J.J.Mazo,"Superconducting persistent-current qubit",PHYSICAL REVIEW B,vol.60,No.22,p.15 398-15 413,1999

図４で説明した量子ビット間の直接相互作用を用いて量子もつれ状態を作る方法では、離れた量子ビット同士の量子もつれ状態を作るために非常に多くの操作が必要になり、また隣接していない量子ビット間の相互作用が小さいので、距離が離れるほど２つの量子ビットで量子もつれ状態を作ることが困難になるという問題点があった。したがって、この方法では、量子ビットの多ビット化が困難になる。また、量子ビット同士が常に相互作用を介してつながっているので、デコヒーレンスの抑制が難しいという問題点があった。

一方、図５で説明した共振器を介して量子もつれ状態を作る方法では、量子ビット間の直接相互作用を用いる方法の問題点を解決することができる。ただし、共振器を介して量子もつれ状態を作る方法では、量子ビットの共鳴周波数を共振器に一致させるために量子ビットのエネルギー準位をずらす必要がある。そのため、量子ビットのコヒーレンス時間が最も長い最適点からずれた点で量子ビットを操作しなければならない。また、共振器を介して量子もつれ状態を作る方法では、２つの量子ビットの量子もつれ状態を生成するために多数回の量子ビット操作が必要である。量子計算はコヒーレンスが保たれている時間内に行う必要があるので、コヒーレンス時間が長くゲート操作時間が短いことが理想である。しかし、この方法では、コヒーレンス時間が短くなりさらにゲート操作時間が長くなってしまうという問題点があった。

このように従来の方法では、複数の量子ビットを用いて任意の量子もつれ状態を作り出すことにはいくつかの問題点があり、量子計算機の多量子ビット化を阻む原因のひとつになっている。
本発明の目的は、効率よく複数の量子ビットの中から任意に選択した２つの量子ビットで量子もつれ状態を生成することにある。

本発明の量子計算装置は、複数の量子ビットと相互作用する、共振周波数が可変な共振器と、この共振器の共振周波数を任意に選択した量子ビットの遷移周波数に一致させる共振周波数制御手段と、前記共振器の共振周波数を前記遷移周波数に一致させた状態で、前記選択した量子ビットに前記遷移周波数のマイクロ波パルスを照射する照射手段とを備え、前記選択した量子ビットの量子もつれ状態を生成するものである。
また、本発明の量子計算装置の１構成例において、前記共振周波数制御手段と前記照射手段とは、任意の複数の量子ビットの共鳴周波数の和周波数または差周波数を前記遷移周波数とすることにより、この複数の量子ビット間の量子もつれ状態を生成するものである。

また、本発明の量子もつれ制御方法は、複数の量子ビットと相互作用する共振器の共振周波数を任意に選択した量子ビットの遷移周波数に一致させる共振周波数制御手順と、前記共振器の共振周波数を前記遷移周波数に一致させた状態で、前記選択した量子ビットに前記遷移周波数のマイクロ波パルスを照射する照射手順とを有し、前記選択した量子ビットの量子もつれ状態を生成するようにしたものである。
また、本発明の量子もつれ制御方法の１構成例において、前記共振周波数制御手順と前記照射手順とは、任意の複数の量子ビットの共鳴周波数の和周波数または差周波数を前記遷移周波数とすることにより、この複数の量子ビット間の量子もつれ状態を生成するようにしたものである。

本発明によれば、共振器の共振周波数を任意に選択した量子ビットの遷移周波数に一致させることにより、選択した量子ビットの遷移が可能となり、この状態で量子ビットに遷移周波数のマイクロ波パルスを照射することにより、任意の量子ビットの選択的な量子もつれ状態の生成が可能になる。本発明では、量子ビット同士の直接の相互作用を使うことなく、複数の量子ビット間の量子もつれ状態を効率良く作り出すことができ、離れた量子ビットでも隣接した量子ビットと同じように量子もつれ状態の生成が可能である。また、本発明では、量子ビットをコヒーレンス時間の長い最適動作点で働かせることができ、さらに量子もつれ状態を作り出すまでのステップ数も少なくて済むので、量子ビットのコヒーレンス時間を有効に使うことができる。したがって、本発明によれば、複数の量子ビットによる量子計算の実現に多大な貢献をすることができる。

図１に本発明の量子もつれ制御方法の概念を示す。本発明の系は共振周波数が可変な共振器ｖｒｅｓとそれぞれの共鳴周波数が異なる複数の量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，Ｑ₄，Ｑ₅によって構成されている。従来と異なるのは可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数を外部から制御可能なことである。

各量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，Ｑ₄，Ｑ₅間の相互作用は無視できるほど小さく、量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，Ｑ₄，Ｑ₅と可変共振器ｖｒｅｓの間には相互作用がある。ｉ番目とｊ番目の量子ビットＱ_i，Ｑ_jの共鳴周波数はそれぞれω_i，ω_jである。この２つの量子ビットの量子もつれ状態を生成する場合には、ω_i＋ω_jの和周波遷移または｜ω_i−ω_j｜の差周波遷移を利用する。例えば量子ビットＱ₁と量子ビットＱ₄の間で量子もつれ状態を作るためには、図１に示すように量子もつれ状態を作りたい量子ビットＱ₁，Ｑ₄の共鳴周波数ω_Q1，ω_Q4の和周波数ω_Q1＋ω_Q4または差周波数｜ω_Q1−ω_Q4｜に可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数ω_resを合わせる。これにより、２つの量子ビットに量子もつれ状態を作るための和周波遷移、差周波遷移が可能になる。

図２は３つの量子ビットＱ_i，Ｑ_j，Ｑ_kのうちの量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_j及び量子ビットＱ_kの間の状態遷移を示したものである。ｇ_iは量子ビットＱ_iが基底状態にあることを意味し、ｅ_iは量子ビットＱ_iが励起状態にあることを意味している。したがって、図２のＬ１は量子ビットＱ_i，Ｑ_j，Ｑ_kが基底状態にある準位、Ｌ２は量子ビットＱ_iが励起状態で、量子ビットＱ_j，Ｑ_kが基底状態にある準位、Ｌ３は量子ビットＱ_jが励起状態で、量子ビットＱ_i，Ｑ_kが基底状態にある準位、Ｌ４は量子ビットＱ_kが励起状態で、量子ビットＱ_i，Ｑ_jが基底状態にある準位、Ｌ５は量子ビットＱ_i，Ｑ_jが励起状態で、量子ビットＱ_kが基底状態にある準位、Ｌ６は量子ビットＱ_i，Ｑ_kが励起状態で、量子ビットＱ_jが基底状態にある準位を示している。

各量子ビットＱ_i，Ｑ_j，Ｑ_kの励起エネルギー（共鳴周波数）は異なっており、それぞれω_i，ω_j，ω_kである。量子ビットＱ_iにω_iの周波数でπパルスを照射することで、量子ビットＱ_iの状態を反転させることができる。

ここで、量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_jの量子もつれ状態を作ることを考える。量子ビットと結合している可変共振器ｖｒｅｓを制御して、その共振周波数ω_resを量子ビットＱ_i，Ｑ_jの共鳴周波数ω_i，ω_jの和周波数ω_i＋ω_jに合わせると、状態｜ｇ_i，ｇ_j＞と状態｜ｅ_i，ｅ_j＞との間の和周波遷移が可能になる。また、可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数ω_resを差周波数｜ω_i−ω_j｜に合わせると、状態｜ｇ_i，ｅ_j＞と状態｜ｅ_i，ｇ_j＞との間の差周波遷移が可能になる。可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数ω_resを和周波数ω_i＋ω_jまたは差周波数｜ω_i−ω_j｜に合わせた状態で、量子ビットＱ_i，Ｑ_jに和周波数ω_i＋ω_jまたは差周波数｜ω_i−ω_j｜のマイクロ波パルスを照射することによって量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_jの量子もつれ状態を作ることができる。

またこの時、可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数ω_resはω_iとω_kの和周波数、差周波数からずれているので、量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_kの間での和周波数または差周波数による遷移が起こることはなく、量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_kの量子もつれ状態が生成されることはない。

ただし、可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数ω_resを変化させて、量子ビットＱ_i，Ｑ_kの共鳴周波数ω_i，ω_kの和周波数ω_i＋ω_kまたは差周波数｜ω_i−ω_k｜に合わせることで、量子ビットＱ_i，Ｑ_kの状態遷移が可能になり、量子ビットＱ_i，Ｑ_kにマイクロ波を当てることで量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_kの量子もつれ状態が生成される。このように、可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数ω_resを変化させることによって、任意の量子ビットの量子もつれ状態を作ることができる。

図２の４１は量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_jの和周波遷移、４２は量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_jの差周波遷移、４３は量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_kの和周波遷移、４４は量子ビットＱ_iと量子ビットＱ_kの差周波遷移を表している。

通常の場合には量子ビット間に相互作用が無いので、量子ビットに共鳴マイクロ波パルスを照射したとしても、和周波遷移または差周波遷移は起こらない。しかしながら、前記のように可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数を変化させて量子ビットの遷移周波数に一致させることによって和・差周波による量子ビットの遷移確率が有限になる。可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数を量子ビットの遷移周波数に一致させた状態で、量子ビットに共鳴マイクロ波パルスを照射することによって量子ビットに遷移を起こさせることが可能になる。このとき、遷移周波数が可変共振器ｖｒｅｓの共振周波数からずれている量子ビットの遷移は無視できる。

つまり、本発明では、可変共振器ｖｒｅｓを使うことによって量子ビット間に量子もつれ状態を作り出すスイッチを作ることができ、従来技術では困難であった複数量子ビット中の任意の２つの量子ビットの選択的な量子もつれ状態の生成が可能になる。また、本発明の方法では、量子ビットをコヒーレンス時間の長い最適動作点で働かせることができ、さらに量子もつれ状態を作り出すまでのステップ数も少なくて済むので、量子ビットのコヒーレンス時間を有効に使うことができる。

以下、本発明の実施の形態をより具体的に説明する。ここでは、本発明を超伝導磁束量子ビットに利用する例を挙げる。図３は本発明の実施の形態に係る量子計算装置の量子もつれスイッチの構成を示すブロック図である。
図３において、Ｑ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nは超伝導磁束量子ビット、ＬＣｒｅｓは可変共振器となる超伝導ＬＣ共振回路、ＭＲは量子状態を制御するためのマイクロ波パルスを量子ビットに照射する照射手段となるマイクロ波照射線、Ｄ₁，Ｄ₂，Ｄ₃，・・・，Ｄ_N-1，Ｄ_Nはそれぞれ量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nの状態検出器となるＳＱＵＩＤ（Superconducting QUantum Interference Device）磁束計、ＲＥＧは超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓにバイアス電流Ｉ_biasを供給して超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓの共振周波数を制御する共振周波数制御手段となる電源である。

Ｎ個の超伝導磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nは、それぞれ３つのジョセフソン接合をもつループからなっている。磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nのエネルギーギャップはジョセフソン接合の大きさなどに依存する。そのため、それぞれの磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nの共鳴周波数はわずかずつ異なっている。ここでは、磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nの共鳴周波数をω₁，ω₂，ω₃，・・・，ω_N-1，ω_Nとする。

磁束量子ビット同士の磁気的な結合は弱いが、それぞれの磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nは超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓと磁気的に結合している。超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓは、キャパシタＣ₁と、超伝導線からなる超伝導インダクタＬ₁と、共振周波数を制御するためのジョセフソン接合Ｊと、高周波通過阻止コイルＬ₂，Ｌ₃とを含む。キャパシタＣ₁が存在するために、バイアス電流Ｉ_biasはジョセフソン接合Ｊのみを流れる。ジョセフソン接合Ｊはインダクタとして働くが、そのインダクタンスの大きさはバイアス電流Ｉ_biasに依存する。よって、電源ＲＥＧによってバイアス電流Ｉ_biasを制御することで、ジョセフソン接合Ｊのインダクタンスを変えることができる。これにより、超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓの共振周波数の制御が可能である。

超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓのＱ値を高くするために、図３に示すようにバイアス電流ラインに高周波通過阻止コイルＬ₂，Ｌ₃あるいはローパスフィルターを挿入して、超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓを高周波的に外界と隔絶する。このときのカットオフ周波数は、バイアス電流Ｉ_biasの変化よりも大きく、超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓの共振周波数よりも低い必要がある。

バイアス電流Ｉ_biasに対するジョセフソン接合ＪのインダクタンスＬ_Jは、ジョセフソン接合Ｊの臨界電流Ｉ_Cを用いて次式のように表すことができる。
Ｌ_J＝Φ₀／［２πＩ_C｛１−（Ｉ_bias／Ｉ_C）²｝^1/2］ ・・・（１）
ここでΦ₀は磁束量子である。超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓの共振周波数ｆは、キャパシタＣ₁のキャパシタンスをＣ、超伝導インダクタＬ₁のインダクタンスをＬとすると、以下の式のようになるので、バイアス電流Ｉ_biasによって共振周波数ｆを変化させることが可能である。
ｆ＝１／［２π｛（Ｌ＋Ｌ_J）Ｃ｝^1/2］ ・・・（２）

磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nの状態を読み出すために、それぞれの磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nと磁気的に結合したＳＱＵＩＤ磁束計Ｄ₁，Ｄ₂，Ｄ₃，・・・，Ｄ_N-1，Ｄ_Nを磁束量子ビットＱ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，・・・，Ｑ_N-1，Ｑ_Nの近傍に配置している。

ここで、磁束量子ビットＱ_iと磁束量子ビットＱ_jの間で量子もつれ状態を生成することを考える。磁束量子ビットＱ_i，Ｑ_jは始めは｜ｇ_i，ｇ_j＞の基底状態にあるとする。まず、電源ＲＥＧにより超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓのジョセフソン接合Ｊに流すバイアス電流Ｉ_biasを制御して、超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓの共振周波数ｆを磁束量子ビットＱ_i，Ｑ_jの共鳴周波数ω_i，ω_jの和周波数ω_i＋ω_jに合わせる。これにより、超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓを介して磁束量子ビットＱ_i，Ｑ_jの和周波遷移が可能になる。

超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓの共振周波数ｆを和周波数ω_i＋ω_jに合わせた状態で、マイクロ波照射線ＭＲから和周波数ω_i＋ω_jのマイクロ波パルスを照射することによって、以下のような磁束量子ビットＱ_i，Ｑ_jの量子もつれ状態を生成することができる。
（１／２^1/2）（｜ｇ_i，ｇ_j＞＋｜ｅ_i，ｅ_j＞） ・・・（３）
（１／２^1/2）（｜ｇ_i，ｇ_j＞−｜ｅ_i，ｅ_j＞） ・・・（４）

また、この状態でマイクロ波照射線ＭＲからω_iまたはω_jの周波数のπパルスを照射することで、以下のような磁束量子ビットＱ_i，Ｑ_jの量子もつれ状態を生成することができる。
（１／２^1/2）（｜ｇ_i，ｅ_j＞＋｜ｅ_i，ｇ_j＞） ・・・（５）
（１／２^1/2）（｜ｇ_i，ｅ_j＞−｜ｅ_i，ｇ_j＞） ・・・（６）

式（３）〜式（６）の４つのベル状態を用いて磁束量子ビットＱ_iと磁束量子ビットＱ_jの任意のもつれ状態を表すことができる。状態の計測は、磁束量子ビットＱ_i，Ｑ_jと磁気的に結合したＳＱＵＩＤ磁束計Ｄ_i，Ｄ_jを用いて行えばよい。こうして、本実施の形態によれば、超伝導ＬＣ共振回路ＬＣｒｅｓと相互作用する任意の２ビット間のゲートを実現可能である。
また、和周波用の超伝導ＬＣ共振回路のほかに差周波用の超伝導ＬＣ共振回路も用意すれば、ω_iまたはω_jのπパルスと差周波遷移を利用して同様の量子もつれ状態の生成が可能である。

なお、本実施の形態は、共振器（超伝導ＬＣ共振回路）をコヒーレント状態に励起する場合のものであるが、理想的な量子もつれ状態を実現するためにはフォック状態に励起することが望ましい。フォック状態の励起は共振器に別個の量子ビットを結合させることで実現することができる。共振器に別個の量子ビットを結合させても、共振器の共振周波数の可変性が損なわれることはない。

また、本実施の形態では、超伝導磁束量子ビットを例に挙げて説明しているが、原子を量子ビットとして用いてもよい。トラップされた複数の原子に非線形磁場勾配をかけると、それぞれ量子ビットの励起エネルギーが異なる状態が実現する。このような状態で原子系と結合する共振器を圧電素子等の共振周波数制御手段で動かし、共振器の共振周波数を変化できるようにする。これにより、量子ビットとして原子を用いる場合でも、同様の量子もつれスイッチが実現できる。
また、本発明は、超伝導磁束量子ビットや原子のみに限定されるものではなく、超伝導電荷量子ビットや、超伝導位相量子ビットあるいはその他の量子ビットにも適用可能である。

本発明は、量子計算装置に適用することができる。

本発明の量子計算装置における量子もつれ制御方法の概念を示す図である。 本発明の量子もつれ制御方法における量子ビット間の遷移を示す状態遷移図である。 本発明の実施の形態に係る量子計算装置の量子もつれスイッチの構成を示すブロック図である。 量子ビット間の直接相互作用を用いて量子もつれ状態を作る従来の方法の概念を示す図である。 共振器を介して量子もつれ状態を作る従来の方法の概念を示す図である。

符号の説明

Ｑ₁，Ｑ₂，Ｑ₃，Ｑ₄，Ｑ₅，Ｑ_N-1，Ｑ_N…量子ビット、ｖｒｅｓ…可変共振器、ＬＣｒｅｓ…超伝導ＬＣ共振回路、ＭＲ…マイクロ波照射線、Ｄ₁，Ｄ₂，Ｄ₃，Ｄ_N-1，Ｄ_N…ＳＱＵＩＤ磁束計、ＲＥＧ…電源、Ｃ₁…キャパシタ、Ｌ₁…超伝導インダクタ、Ｊ…ジョセフソン接合。

Claims (4)

1. 複数の量子ビットと相互作用する、共振周波数が可変な共振器と、
   この共振器の共振周波数を任意に選択した量子ビットの遷移周波数に一致させる共振周波数制御手段と、
   前記共振器の共振周波数を前記遷移周波数に一致させた状態で、前記選択した量子ビットに前記遷移周波数のマイクロ波パルスを照射する照射手段とを備え、
   前記選択した量子ビットの量子もつれ状態を生成することを特徴とする量子計算装置。
2. 請求項１記載の量子計算装置において、
   前記共振周波数制御手段と前記照射手段とは、任意の複数の量子ビットの共鳴周波数の和周波数または差周波数を前記遷移周波数とすることにより、この複数の量子ビット間の量子もつれ状態を生成することを特徴とする量子計算装置。
3. 複数の量子ビットと相互作用する共振器の共振周波数を任意に選択した量子ビットの遷移周波数に一致させる共振周波数制御手順と、
   前記共振器の共振周波数を前記遷移周波数に一致させた状態で、前記選択した量子ビットに前記遷移周波数のマイクロ波パルスを照射する照射手順とを有し、
   前記選択した量子ビットの量子もつれ状態を生成することを特徴とする量子もつれ制御方法。
4. 請求項３記載の量子もつれ制御方法において、
   前記共振周波数制御手順と前記照射手順とは、任意の複数の量子ビットの共鳴周波数の和周波数または差周波数を前記遷移周波数とすることにより、この複数の量子ビット間の量子もつれ状態を生成することを特徴とする量子もつれ制御方法。

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