JP4909816B2 - 電子スピン共鳴測定装置および電子スピン共鳴測定方法 - Google Patents
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Description
そして、この電子スピン共鳴を測定すれば、試料を分解することなく、物質の特性を高感度に検出することができるため、磁性体の他、半導体や有機物など様々の物質の分析に頻繁に利用されている。
ここで、試料に印加される電磁波の周波数は、10GHz帯(磁場の強度は0.3テスラ程度以下)が一般的に使用されているが、より高い分解能が得られるようにするために、Wバンド(95GHz帯)の他、さらに高い周波数の電磁波が利用され始めている。なお、Xバンドの9GHzの電磁波を用いる場合は、波長は数cmである。
http://www.kobe−u.biz/seeds/ppdoc/rigakubu/bunya2/ootahitishisensei/slide0003.htm
また、非特許文献1に開示された方法では、電子スピン共鳴を高感度に測定するためには、パルス状の強力な磁場を印加する必要があり、装置の構成が複雑化するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、空洞共振器を用いることなく、電子スピン共鳴を測定することが可能な電子スピン共鳴測定装置および電子スピン共鳴測定方法を提供することである。
また、前記電子スピン検出手段は、前記電子スピン系を持つ試料から放射される光もしくは前記試料を透過または反射する光を検出する光検出手段を備えることを特徴とする。
また、前記電子スピン検出手段は、熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を形成するための円偏光成分を有する光を照射する励起光源を有するとともに、前記電子スピン系における電子スピンの偏極度が反映された電気特性を計測する電気特性計測手段を備えることを特徴とする。
また、本発明の電子スピン共鳴測定方法によれば、電子スピン系に磁場を印加することで、前記電子スピン系のエネルギー準位を分裂させるステップと、レーザ光を発生する光源とレーザ光の円偏光成分を制御する偏光制御素子とを有する実効振動磁場発生用光源からなり、前記電子スピン系に少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を照射する第1の光照射手段により、前記分裂幅または前記分裂幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させるステップと、前記共鳴に伴う物理現象の変化を検出するステップとを備えることを特徴とする。
図1は、本発明の光励起電子スピン共鳴における実効振動磁場の発生方法を概念的に示す図である。
図1において、電子スピン系のエネルギー準位の分裂幅またはその分裂幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させる方法として、スピン依存ACシュタルク効果の原理を応用することができる。このスピン依存ACシュタルク効果は、共鳴励起エネルギーよりも小さなエネルギーを持った円偏光状態を有するレーザ光を電子スピン系に照射すると、電子スピンの向きに応じてエネルギー準位が分裂する現象である。なお、スピン依存ACシュタルク効果については、例えば、“J.A.Gupta,R.Knobel,N.Samarth,D.D.Awschalom「Ultrafast Manipulation Electron Spin Coherence」29 June 2001 VOL292 SCIENCE”に開示されている。
ここで、複数の周波数成分を持つレーザ光を重ね合わせると、それらの周波数の差分に対応したビートが発生する。そして、上向きスピンおよび下向きスピンを持つ伝導帯電子のエネルギー準位2、3に対し、共鳴励起エネルギーよりも小さなエネルギーを持ったビートを有する円偏光が照射されると、エネルギー分裂がビート周波数で振動することにより、その周波数に対応した実効的な振動磁場5が発生する。そして、この実効的な振動磁場5を従来の電子スピン共鳴で用いられる振動磁場の代わり用い、その時の試料の光学特性変化または電気特性変化を検出することで、空洞共振器を設けることなく、電子スピン共鳴を測定することができる。
図2において、電子スピン共鳴測定装置には、電子スピン系に磁場を印加することで、電子スピン系のエネルギー準位を分裂させる磁場発生部8、エネルギー準位が分裂された電子スピン系に光を照射することで、その分裂幅またはその分裂幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させる実効振動磁場発生光源部6およびエネルギー準位の分裂幅またはその分裂幅の近傍のエネルギーへの共鳴に伴う物理現象の変化を検出する電子スピン検出部7が設けられている。
また、電子スピン検出部7には、試料9から放射される光もしくは試料9を透過または反射する光を検出する光検出手段を設けるようにしてもよいし、試料9における電子スピンの偏極度が反映された電気特性を計測する電気特性計測手段を設けるようにしてもよい。また、電子スピン検出部7には、試料9における電子スピンの偏極度を計測するための光または熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を形成するための光を照射する光照射手段を設けるようにしてもよい。
図3(a)において、実効振動磁場発生光源部6には、周波数f1、f2のレーザ光をそれぞれ発生する単一周波数光源10、11およびレーザ光の円偏光成分を制御する偏光制御素子12aを設けることができる。
そして、単一周波数光源10、11からそれぞれ出射された周波数f1、f2のレーザ光は重ね合わされた後、偏光制御素子12aに入射し、偏光制御素子12aにて円偏光成分を付与されてから、図2の試料9に入射することで、周波数f1、f2の差分に対応した実効的な振動磁場を発生させることができる。
そして、単一周波数光源13から出射された周波数fのレーザ光は、光周波数シフタ14に入射し、光周波数シフタ14にて周波数Δfだけシフトされてから、偏光制御素子12aに入射する。そして、周波数fのレーザ光と、偏光制御素子12aにて周波数Δfだけシフトされた周波数f−Δfのレーザ光が重ね合わされた後、偏光制御素子12aに入射し、偏光制御素子12aにて円偏光成分を付与されてから、図2の試料9に入射することで、周波数Δfに対応した実効的な振動磁場を発生させることができる。
そして、単一周波数光源13から出射された周波数fのレーザ光は、光変調素子15に入射し、光変調素子15にて変調されてから、偏光制御素子12aに入射する。そして、光変調素子15にて変調された周波数fのレーザ光は、偏光制御素子12aに入射し、偏光制御素子12aにて円偏光成分を付与されてから、図2の試料9に入射することで、変調周波数に対応した実効的な振動磁場を発生させることができる。
そして、二周波数モード光源16から出射された2つの周波数のレーザ光は、偏光制御素子12aに入射し、偏光制御素子12aにて円偏光成分を付与されてから、図2の試料9に入射することで、レーザ光の周波数差に対応した実効的な振動磁場を発生させることができる。
図4(a)において、電子スピン検出部7には、電子スピン共鳴に伴って試料9から発生した発光17を検出する光検出器18を設けることができる。そして、図2の実効振動磁場発生光源部6にて発生された光を試料9に照射することで、その光のビート周波数に対応した実効的な振動磁場を試料9中に発生させ、試料9から発生した発光17を光検出器18にて検出することで、電子スピン共鳴を測定することができる。
あるいは、図4(b)において、電子スピン検出部7には、熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を試料9に形成するための励起光源19および電子スピン共鳴に伴って試料9から発生した発光17を検出する光検出器18を設けることができる。
あるいは、図4(c)において、電子スピン検出部7には、電子スピンの偏極度を計測するためのプローブ光を発生させるプローブ光源20、レーザ光の円偏光成分を制御する偏光制御素子12bおよび試料9を透過したプローブ光のファラデー回転角を測定する偏光測定器21を設けることができる。
あるいは、図4(d)において、電子スピン検出部7には、電子スピンの偏極度を計測するためのプローブ光を発生させるプローブ光源20、レーザ光の円偏光成分を制御する偏光制御素子12bおよび試料9で反射したプローブ光のカー回転角を測定する偏光測定器21を設けることができる。
あるいは、図4(e)において、電子スピン検出部7には、熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を試料9に形成するための励起光源19、試料9の電気特性を測定する電気特性測定器22および試料9と電気特性測定器22とを接続する電気信号線路23を設けることができる。
あるいは、図4(f)において、電子スピン検出部7には、試料9の電気特性を測定する電気特性測定器22および試料9と電気特性測定器22とを接続する電気信号線路23を設けることができる。
なお、図4(f)の電子スピン検出部7に組み合わされる実効振動磁場発生光源部6としては、図3(a)から図3(d)のいずれの構成を用いるようにしてもよい。
なお、この図5の実施形態では、図2の実効振動磁場発生光源部6として、図3(b)の単一周波数光源13、周波数シフタ14および偏光制御素子12aを設けた構成、図2の電子スピン検出部7として、図4(c)のプローブ光源20および偏光測定器21を設けた構成を示す。また、図2の試料9として、GaAs/AlGaAs多重量子井戸構造34、図2の磁場発生部8として、常伝導マグネット32を用いた。
ここで、ファラデー回転角は、試料9を透過する前の直線偏光軸に対する試料9を透過した後の直線偏光軸の相対角度を示し、その大きさは、熱平衡状態での電子スピンの偏極率に比例する。
また、測定データのS/N比を向上させるために、実効的な振動磁場を発生させる光とプローブ光とについて、それぞれ周波数の異なる光強度変調を行い、ヘテロダイン検波にてファラデー回転角を測定するようにしてもよい。
図6において、常伝導マグネット32にて発生される磁場を掃引しながら、プローブ光のファラデー回転角を測定すると、磁場の強度が0.27Tの時に、電子スピンの偏極率の減少に伴ってファラデー回転角が変化する様子が観測された。このファラデー回転角の変化量ΔθFのピークは、試料9の電子のg因子の値=0.45から計算されるESRの共鳴条件に一致した。
なお、この図7の実施形態では、図2の実効振動磁場発生光源部6として、図3(a)の単一周波数光源10、11および偏光制御素子12aを設けた構成、図2の電子スピン検出部7として、図4(b)の励起光源19および光検出器18を設けた構成を示す。また、図2の試料9として、InAs量子ドット構造42、図2の磁場発生部8として、超伝導マグネット43を用いた。
図8において、非共鳴状態(ビート周波数Δf=153.90GHz)と、共鳴状態(ビート周波数Δf=153.96GHz)とでは、フォトルミネッセンス39のスペクトルが異なることが判る。すなわち、ESRの共鳴条件が満たされると、ゼーマン分裂した2つのピーク強度が等しい値に近づく方向に変化する様子が観測された。
なお、この図9の実施形態では、図2の実効振動磁場発生光源部6として、図3(c)の単一周波数光源13、光変調素子15および偏光制御素子12aを設けた構成、図2の電子スピン検出部7として、図4(e)の励起光源19、電気特性測定器22および電気信号線路23を設けた構成を示す。また、図2の試料9として、GaAs/AlGaAs量子ドットが埋め込まれたn−iショットキーダイオード構造48、図2の磁場発生部8として、超伝導マグネット43を用いた。
なお、チタンサファイアレーザ29から出射される励起光は、試料9の光吸収およびそれに伴う光電流に寄与する電子・正孔対を生成させることが目的である。
そして、チタンサファイアレーザ29から出射された励起光を対物レンズ38にて集光させ、その励起光を試料9のピンホール下の量子ドットに照射する。そして、チタンサファイアレーザ29から出射された励起光が試料9のピンホール下の量子ドットに照射されると、試料9での負の荷電励起子の生成に伴ってフォトカレントが流れ、そのフォトカレントが微小電流測定器47にて計測されることで、励起スペクトルが計測される。
そして、20GHzで強度変調されたレーザ光は液晶リターダ45に入射し、液晶リターダ45にて円偏光に変換されてから、対物レンズ38に入射し、対物レンズ38にて集光されることで、励起光の照射領域と重なるように試料9に入射する。
図10において、ゼーマン分裂した2つのフォトカレントピークを検出し、試料9に印加される磁場を掃引しながらプロットすると、6.804TになったところでESRの共鳴条件が満たされ、ゼーマン分裂した2つのピーク強度が等しい値に近づく方向に変化する様子が観測された。
なお、上述した実施形態では、光源から試料までの光の経路がフリースペースである例を示したが、光源から試料までの光の経路に光ファイバーを用いるようにしてもよい。また、光の波長以下の高い空間分解能を得るために、走査型近接場光学顕微鏡(SNOM)の技術を取り入れるようにしてもよい。
4 ビートを有するレーザ光
5 実効的な振動磁場
6 実効振動磁場発生光源部
7 電子スピン検出部
8 磁場発生部
9 試料
10、11、13 単一周波数光源
12a、12b 偏光制御素子
14 光周波数シフタ
15 光変調素子
16 二周波数モード光源
17 発光
18 光検出器
19 励起光源
20 プローブ光源
21 偏光測定器
22 電気特性測定器
23 電気信号線路
24 チタンサファイアリングレーザ
25 音響変調素子
26 ミラー
27 ビームスピリッタ
28 1/4波長板
29 チタンサファイアレーザ
30 偏光ビームスピリッタ
31 光バランス検出器
32 常伝導マグネット
33 クライオスタット
34 GaAs/AlGaAs多重量子井戸構造
35、36 波長可変半導体レーザ
37 アルゴンイオンレーザ
38 対物レンズ
39 フォトルミネッセンス
40 分光器
41 CCD検出器
42 InAs量子ドット構造
43 超伝導マグネット
44 EO変調器
45 液晶リターダ
46 直流電圧源
47 微小電流測定器
48 n−iショットキーダイオード構造
Claims (9)
- 電子スピン系に磁場を印加することで電子スピン系のエネルギー準位を分裂させるエネルギー準位分裂手段と、
レーザ光を発生する光源とレーザ光の円偏光成分を制御する偏光制御素子とを有する実効振動磁場発生用光源からなり、前記電子スピン系に少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を照射する第1の光照射手段により、前記分裂幅または前記分裂幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させる実効振動磁場発生手段と、
前記共鳴に伴う物理現象の変化を検出する電子スピン検出手段と
を備えることを特徴とする電子スピン共鳴測定装置。 - 前記電子スピン検出手段は、電子スピンの偏極度を計測するための光または熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を形成するための円偏光成分を有する光を照射する第2の光照射手段を備えることを特徴とする請求項1記載の電子スピン共鳴測定装置。
- 前記電子スピン検出手段は、前記電子スピン系を持つ試料から放射される光もしくは前記試料を透過または反射する光を検出する光検出手段を備えることを特徴とする請求項1または2記載の電子スピン共鳴測定装置。
- 前記電子スピン検出手段は、前記電子スピン系における電子スピンの偏極度が反映された電気特性を計測する電気特性計測手段を備えることを特徴とする請求項1記載の電子スピン共鳴測定装置。
- 前記電子スピン検出手段は、熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を形成するための円偏光成分を有する光を照射する励起光源を有するとともに、前記電子スピン系における電子スピンの偏極度が反映された電気特性を計測する電気特性計測手段を備えることを特徴とする請求項1記載の電子スピン共鳴測定装置。
- 電子スピン系に磁場を印加することで、前記電子スピン系のエネルギー準位を分裂させるステップと、
レーザ光を発生する光源とレーザ光の円偏光成分を制御する偏光制御素子とを有する実効振動磁場発生用光源からなり、前記電子スピン系に少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を照射する第1の光照射手段により、前記分裂幅または前記分裂幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させるステップと、
前記共鳴に伴う物理現象の変化を検出するステップと
を備えることを特徴とする電子スピン共鳴測定方法。 - 電子スピン系に磁場を印加することで、前記電子スピン系のエネルギー準位を分裂させるステップと、
少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を前記電子スピン系に照射することで、前記分列幅または前記分列幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させるステップと、
前記少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を前記電子スピン系に照射しながら、前記電子スピン系を持つ試料から放射される光もしくは前記試料を透過または反射する光を検出するステップと
を備えることを特徴とする電子スピン共鳴測定方法。 - 電子スピン系に磁場を印加することで、前記電子スピン系のエネルギー準位を分裂させるステップと、
少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を前記電子スピン系に照射することで、前記分列幅または前記分列幅の近傍のエネルギーに共鳴する実効的な振動磁場を発生させるステップと、
前記少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を前記電子スピン系に照射しながら、前記電子スピン系における電子スピンの偏極度が反映された電気特性を計測するステップと
を備えることを特徴とする電子スピン共鳴測定方法。 - 前記少なくとも2つの周波数成分を有する円偏光成分を有する光または強度変調された円偏光成分を有する光を前記電子スピン系に照射する場合、熱平衡状態よりも高い偏極度を持つ電子スピン系を形成するための円偏光成分を有する光を同時に照射することを特徴とする請求項6から8のいずれか1項記載の電子スピン共鳴測定方法。
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JP2007160254A JP4909816B2 (ja) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | 電子スピン共鳴測定装置および電子スピン共鳴測定方法 |
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