JP4907257B2 - Circuit board wiring method and wiring support device - Google Patents

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Description

この発明は、複数の低温焼成多層セラミック基板(LTCC;Low Temperature Co-fired Ceramics)を相互に連結して単一の回路基板を構成し、この単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線方法及び配線支援装置に関する。   The present invention forms a single circuit board by interconnecting a plurality of low temperature fired multilayer ceramic substrates (LTCC), and a plurality of low temperature fired multilayer ceramic substrates in the single circuit board. The present invention relates to a circuit board wiring method and a wiring support device for wiring between chips mounted on the board.

従来の配線方法においては、予め定められた2点間AとBとを縦及び横の線分を組み合わせて最短距離の接続線を形成する方法において、ラインサーチ法と迷路法とを併用して最短接続線を形成する(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−216963号公報(第3頁左欄第13行−第4頁左欄第8行、図1)
In a conventional wiring method, a line search method and a maze method are used in combination in a method of forming a shortest connection line by combining vertical and horizontal line segments between two predetermined points A and B. The shortest connection line is formed (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-5-216963 (page 3, left column, line 13-page 4, left column, line 8, FIG. 1)

従来の配線方法は、配線対象となる基板が複数の基板をコネクタで接続するものではなく、1つの基板を対象に、最適な配線設計やレイアウト設計を行なうものであり、複数の低温焼成多層セラミック基板を相互に連結して単一の基板を構成した回路基板に、従来の配線方法をそのまま適用することは、コネクタによる制約があるために困難であるという問題点があった。   The conventional wiring method does not connect a plurality of substrates with a connector as a wiring target, but performs an optimal wiring design and layout design for a single substrate. There is a problem that it is difficult to apply the conventional wiring method as it is to a circuit board in which the boards are connected to each other to form a single board due to restrictions imposed by the connectors.

このため、複数の低温焼成多層セラミック基板を相互に連結した単一の回路基板における配線は、LSIや基板の端子間の接続状況を配線設計者が考え、人手により配線する以外に有効な手段がなく、この人手の作業では、作業に時間が掛かり、精度及び信頼性に欠けるという問題点があった。   For this reason, wiring on a single circuit board in which a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are connected to each other is an effective means other than manual wiring by the wiring designer considering the connection status between the terminals of the LSI and the board. However, this manual operation has a problem that it takes time and lacks accuracy and reliability.

この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、複数の低温焼成多層セラミック基板を相互に連結した単一の回路基板における配線を自動的に行なうことができる配線方法及び配線支援装置を提供するものであり、特に、複数の低温焼成多層セラミック基板にそれぞれ搭載されたチップ間の配線長を最適な配線経路で最短にすることができる回路基板の配線方法及び配線支援装置を提供するものである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and a wiring method and wiring capable of automatically performing wiring on a single circuit board in which a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are interconnected. A circuit board wiring method and a wiring support apparatus capable of minimizing the wiring length between chips respectively mounted on a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates with an optimal wiring path are provided. It is to provide.

の発明に係る回路基板の配線方法においては、複数の低温焼成多層セラミック基板がコネクタを介して相互に連結されて単一の回路基板をなし、当該単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線支援装置が実行する、回路基板の配線方法であって、前記配線支援装置が備える概略自動配線処理手段が、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点から前記全てのターゲット地点に達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てる第1のステップと、前記配線支援装置が備える詳細自動配線処理手段が、前記ネットを参照して、各低温焼成多層セラミック基板内におけるチップの各端子又はコネクタの各ポートのうち1つをスタート地点、当該スタート地点に対応するチップの端子又はコネクタのポートをターゲット地点とし、迷路法により、当該スタート地点からターゲット地点に達するまでグリッド値を設定し、バックトレース処理を行なうことで、前記ネットの配線経路とする第2のステップと、を有するものである。 In the method of wiring circuit board according to this invention, without a single circuit board are connected to each other by a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrate via a connector, a plurality of low temperature co-fired multilayer in the single circuit board A circuit board wiring method executed by a circuit board wiring support device for wiring between chips mounted on a ceramic substrate, wherein the schematic automatic wiring processing means provided in the wiring support device is an arbitrary in a net to be wired The terminal of the start point, the terminal corresponding to the start point as a target point, by line search method to generate line segments from the start point until reaching all the target points, by performing a backtrace process, a first step of assigning said net to a connector, the details automatic wiring processing means for the wiring support apparatus comprises, Referring to the net, one of the chip terminals or connector ports in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate is a starting point, the chip terminal or connector port corresponding to the starting point is a target point, A grid value is set from the start point to the target point by the maze method, and a back trace process is performed to provide a second step of setting the net wiring route.

また、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、前記配線支援装置が備える端子形状補正手段が前記チップの一辺にある全ての端子を端子群と定義するステップを、前記第1のステップの前に有し、前記第1のステップにおける前記概略自動配線処理手段が、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点を含む端子群から前記ターゲット地点を含む端子群の全てに達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てるものである。 Further, in the circuit board wiring method according to the present invention, the step of the terminal shape correcting means provided in the wiring support device defining all the terminals on one side of the chip as a terminal group as needed is the first step . has in front of the first steps, the first of the general automatic wiring process means in step, any terminal the starting point in the wiring nets, the terminals corresponding to the start point and the target point, line search method Thus, a line segment is generated from the terminal group including the start point until reaching all the terminal groups including the target point, and the net is allocated to the connector by performing a backtrace process.

また、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、前記配線支援装置が備えるビア引出配線手段が前記チップの各端子からビア落とし込み領域の縁部における各ビアまで配線を引き出すステップと、前記配線支援装置が備えるポート引出配線手段が前記コネクタの各ポートからビア禁止領域の縁部まで配線を引き出すステップとを、前記第1のステップと前記第2のステップとの間に有し、前記第2のステップにおけるチップの各端子が前記ビア落とし込み領域の縁部における各ビア、前記第2のステップにおけるコネクタの各ポートが前記ビア禁止領域の縁部における各ポート引出配線の端部、にそれぞれ対応するものである。 Further, in the circuit board wiring method according to the present invention, the via lead-out wiring means included in the wiring support device pulls out the wiring from each terminal of the chip to each via at the edge of the via dropping area, if necessary. When, a step of ports leading wiring means the wiring support apparatus comprises draws wires from each port of the connector to the edge of the via prohibition area, between said first step the second steps a, the second step each via at the edge of each terminal is the via darken areas of the definitive chips flop, each port at the edge of the ports of the connector definitive said second steps is the via prohibition area These correspond to the end portions of the lead wires.

さらに、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、チップの端子は、前記ビアを介してポート引出配線が形成された層まで落とし込み、当該層上の配線により、当該ポート引出配線の端部と接続するものである。   Further, in the circuit board wiring method according to the present invention, the terminal of the chip is dropped to the layer where the port lead wiring is formed through the via as necessary, and the port lead is drawn by the wiring on the layer. It connects to the end of the wiring.

また、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、チップの電源又はグランド端子は、前記ビアを介して所定の層まで落とし込み、当該所定の層上の配線を経由して、ビアを介してポート引出配線の端部と接続するものである。   In the circuit board wiring method according to the present invention, if necessary, the power supply or ground terminal of the chip drops to a predetermined layer through the via, and via the wiring on the predetermined layer, It is connected to the end of the port lead wiring through the via.

また、この発明に係る回路基板の配線支援装置においては、複数の低温焼成多層セラミック基板がコネクタを介して相互に連結されて単一の回路基板をなし、当該単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線支援装置であって、前記チップの一辺にある全ての端子を端子群と定義する端子形状補正手段と、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点を含む端子群からターゲット地点を含む端子群の全てに達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てる概略自動配線処理手段と、前記チップの各端子からビア落とし込み領域の縁部における各ビアまで配線を引き出すビア引出配線手段と、前記コネクタの各ポートからビア禁止領域の縁部まで配線を引き出すポート引出配線手段と、前記ネットを参照して、各低温焼成多層セラミック基板内における複数のビア又はポート引出配線の端部のうち1つをスタート地点、当該スタート地点に対応するビア又はポート引出配線の端部をターゲット地点とし、迷路法により、当該スタート地点からターゲット地点に達するまでグリッド値を設定し、バックトレース処理を行なうことで、前記ネットの配線経路とする詳細自動配線処理手段と、を備えているものである。   Further, in the circuit board wiring support apparatus according to the present invention, a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are connected to each other via a connector to form a single circuit board, A wiring support device for a circuit board for wiring between chips mounted on a fired multilayer ceramic substrate, wherein terminal shape correcting means for defining all terminals on one side of the chip as a terminal group, and a wiring net Using any line as the starting point and the terminal corresponding to the starting point as the target point, the line search method generates a line segment from the terminal group including the starting point until reaching all of the terminal group including the target point. By performing the trace processing, the rough automatic wiring processing means for assigning the net to the connector, and each terminal of the chip Via extraction wiring means for drawing wiring to each via at the edge of the via dropping area, port extraction wiring means for drawing wiring from each port of the connector to the edge of the via prohibited area, and each low temperature with reference to the net One of the ends of the plurality of vias or port lead wires in the fired multilayer ceramic substrate is a start point, and the end of the via or port lead wire corresponding to the start point is a target point. And a detailed automatic wiring processing means for setting the grid value until the target point is reached and performing the back trace process, thereby setting the wiring path of the net.

の発明に係る回路基板の配線方法においては、複数の低温焼成多層セラミック基板がコネクタを介して相互に連結されて単一の回路基板をなし、当該単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線支援装置が実行する、回路基板の配線方法であって、前記配線支援装置が備える概略自動配線処理手段が、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点から前記全てのターゲット地点に達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てる第1のステップと、前記配線支援装置が備える詳細自動配線処理手段が、前記ネットを参照して、各低温焼成多層セラミック基板内におけるチップの各端子又はコネクタの各ポートのうち1つをスタート地点、当該スタート地点に対応するチップの端子又はコネクタのポートをターゲット地点とし、迷路法により、当該スタート地点からターゲット地点に達するまでグリッド値を設定し、バックトレース処理を行なうことで、前記ネットの配線経路とする第2のステップと、を有することにより、回路基板内の複数の低温焼成多層セラミック基板にそれぞれ搭載されたチップ間の配線長を、コネクタによる制限内で最短にする配線を自動的かつ効率的に行なうことができる。特に、三次元で連結される複数の低温焼成多層セラミック基板に対しても、最適な配線経路で最短長となる配線を行なうことができる。 In the method of wiring circuit board according to this invention, without a single circuit board are connected to each other by a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrate via a connector, a plurality of low temperature co-fired multilayer in the single circuit board A circuit board wiring method executed by a circuit board wiring support device for wiring between chips mounted on a ceramic substrate, wherein the schematic automatic wiring processing means provided in the wiring support device is an arbitrary in a net to be wired The terminal of the start point, the terminal corresponding to the start point as a target point, by line search method to generate line segments from the start point until reaching all the target points, by performing a backtrace process, a first step of assigning said net to a connector, the details automatic wiring processing means for the wiring support apparatus comprises, Referring to the net, one of the chip terminals or connector ports in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate is a starting point, the chip terminal or connector port corresponding to the starting point is a target point, By setting a grid value from the start point to the target point by the maze method, and performing a backtrace process, the second step is used as a wiring route of the net. Wiring can be automatically and efficiently performed to minimize the wiring length between chips mounted on the low-temperature fired multilayer ceramic substrate within the limits of the connector. In particular, even for a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates connected in three dimensions, wiring having the shortest length can be performed with an optimal wiring path.

また、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、前記配線支援装置が備える端子形状補正手段が前記チップの一辺にある全ての端子を端子群と定義するステップを、前記第1のステップの前に有し、前記第1のステップにおける前記概略自動配線処理手段が、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点を含む端子群から前記ターゲット地点を含む端子群の全てに達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てることにより、ラインサーチ法における線分が到達できるターゲット地点の許容範囲を広げることができ、スタート地点からターゲット地点に到達するまでの線分の生成する回数を減少させることができる。 Further, in the circuit board wiring method according to the present invention, the step of the terminal shape correcting means provided in the wiring support device defining all the terminals on one side of the chip as a terminal group as needed is the first step . has in front of the first steps, the first of the general automatic wiring process means in step, any terminal the starting point in the wiring nets, the terminals corresponding to the start point and the target point, line search method By generating a line segment from the terminal group including the start point until reaching all of the terminal group including the target point, and performing a backtrace process, the net is allocated to the connector. You can widen the allowable range of the target point that the line can reach from the start point to the target point The number of times of generation of the line segment to reach can be reduced.

また、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、前記配線支援装置が備えるビア引出配線手段が前記チップの各端子からビア落とし込み領域の縁部における各ビアまで配線を引き出すステップと、前記配線支援装置が備えるポート引出配線手段が前記コネクタの各ポートからビア禁止領域の縁部まで配線を引き出すステップとを、前記第1のステップと前記第2のステップとの間に有し、前記第2のステップにおけるチップの各端子が前記ビア落とし込み領域の縁部における各ビア、前記第2のステップにおけるコネクタの各ポートが前記ビア禁止領域の縁部における各ポート引出配線の端部、にそれぞれ対応することにより、チップの端子及びコネクタのポートと配線との接続を容易に行なうことができる。 Further, in the circuit board wiring method according to the present invention, the via lead-out wiring means included in the wiring support device pulls out the wiring from each terminal of the chip to each via at the edge of the via dropping area, if necessary. When, a step of ports leading wiring means the wiring support apparatus comprises draws wires from each port of the connector to the edge of the via prohibition area, between said first step the second steps a, the second step each via at the edge of each terminal is the via darken areas of the definitive chips flop, each port at the edge of the ports of the connector definitive said second steps is the via prohibition area Corresponding to the ends of the lead-out wiring, the chip terminals and connector ports can be easily connected to the wiring.

さらに、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、チップの端子は、前記ビアを介してポート引出配線が形成された層まで落とし込み、当該層上の配線により、当該ポート引出配線の端部と接続することにより、低温焼成多層セラミック基板内の各基板層に対してチップの端子とコネクタのポートとの間の配線長が最短となる基板層を選択し、複数の低温焼成多層セラミック基板にそれぞれ搭載されたチップ間の配線長を最短にすることができる。   Further, in the circuit board wiring method according to the present invention, the terminal of the chip is dropped to the layer where the port lead wiring is formed through the via as necessary, and the port lead is drawn by the wiring on the layer. By connecting to the end of the wiring, select the substrate layer that minimizes the wiring length between the chip terminal and connector port for each substrate layer in the low-temperature fired multilayer ceramic substrate, and multiple low-temperature firing The wiring length between the chips mounted on the multilayer ceramic substrate can be minimized.

また、この発明に係る回路基板の配線方法においては、必要に応じて、チップの電源又はグランド端子は、前記ビアを介して所定の層まで落とし込み、当該所定の層上の配線を経由して、ビアを介してポート引出配線の端部と接続することにより、配線設計者が指定した層に電源又はグランドネットの配線を引き回すことができる。特に、電源又はグランドネットの配線は、引き回し配線長よりも、配線設計者が指定した層に配線することを優先しており、ノイズの影響が大きいクロック配線などのような配線長を優先する配線を、優先してチップの端子とポートとの間の配線長が最短となる基板層に配線することができる。   In the circuit board wiring method according to the present invention, if necessary, the power supply or ground terminal of the chip drops to a predetermined layer through the via, and via the wiring on the predetermined layer, By connecting to the end of the port lead wiring through the via, the power supply or ground net wiring can be routed to the layer designated by the wiring designer. In particular, the power supply or ground net wiring has priority over the wiring length specified by the wiring designer rather than the routing wiring length, and wiring that prioritizes wiring length, such as clock wiring, which is highly affected by noise. Can be preferentially wired to the substrate layer where the wiring length between the terminal and the port of the chip is the shortest.

また、この発明に係る回路基板の配線支援装置においては、複数の低温焼成多層セラミック基板がコネクタを介して相互に連結されて単一の回路基板をなし、当該単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線支援装置であって、前記チップの一辺にある全ての端子を端子群と定義する端子形状補正手段と、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点を含む端子群からターゲット地点を含む端子群の全てに達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てる概略自動配線処理手段と、前記チップの各端子からビア落とし込み領域の縁部における各ビアまで配線を引き出すビア引出配線手段と、前記コネクタの各ポートからビア禁止領域の縁部まで配線を引き出すポート引出配線手段と、前記ネットを参照して、各低温焼成多層セラミック基板内における複数のビア又はポート引出配線の端部のうち1つをスタート地点、当該スタート地点に対応するビア又はポート引出配線の端部をターゲット地点とし、迷路法により、当該スタート地点からターゲット地点に達するまでグリッド値を設定し、バックトレース処理を行なうことで、前記ネットの配線経路とする詳細自動配線処理手段と、を備えていることにより、回路基板内の複数の低温焼成多層セラミック基板にそれぞれ搭載されたチップ間の配線長を、コネクタによる制限内で最短にする配線を自動的かつ効率的に行なうことができる。特に、三次元で連結される複数の低温焼成多層セラミック基板に対して、最適な配線経路で最短長となる配線を行なうことができる。   Further, in the circuit board wiring support apparatus according to the present invention, a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are connected to each other via a connector to form a single circuit board, A wiring support device for a circuit board for wiring between chips mounted on a fired multilayer ceramic substrate, wherein terminal shape correcting means for defining all terminals on one side of the chip as a terminal group, and a wiring net Using any line as the starting point and the terminal corresponding to the starting point as the target point, the line search method generates a line segment from the terminal group including the starting point until reaching all of the terminal group including the target point. By performing the trace processing, the rough automatic wiring processing means for assigning the net to the connector, and each terminal of the chip Via extraction wiring means for drawing wiring to each via at the edge of the via dropping area, port extraction wiring means for drawing wiring from each port of the connector to the edge of the via prohibited area, and each low temperature with reference to the net One of the ends of the plurality of vias or port lead wires in the fired multilayer ceramic substrate is a start point, and the end of the via or port lead wire corresponding to the start point is a target point. A plurality of low-temperature firing multilayers in the circuit board, by providing detailed automatic wiring processing means for setting the grid value from the first to the target point and performing backtrace processing to perform wiring of the net. Wiring that minimizes the wiring length between chips mounted on each ceramic substrate within the limits of the connector Automatically and can be efficiently performed. In particular, wiring having the shortest length can be performed with an optimal wiring path for a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates connected in three dimensions.

(本発明の第1の実施形態)
図1(a)はこの発明を実施するための第1の実施形態における配線方法を適用する回路基板の一例を示す平面図、図1(b)は図1(a)に示す回路基板の矢視A−A線の断面図、図2(a)は図1に示す回路基板の構成部材である低温焼成多層セラミック基板の一例を示す平面図、図2(b)は図2(a)に示す低温焼成多層セラミック基板の矢視B−B線の断面図、図3(a)は複数の低温焼成多層セラミック基板を三次元で連結した一例を示す部分断面斜視図、図3(b)は複数の低温焼成多層セラミック基板を三次元で連結した他の例を示す斜視図である。
(First embodiment of the present invention)
FIG. 1A is a plan view showing an example of a circuit board to which the wiring method according to the first embodiment for carrying out the present invention is applied, and FIG. 1B is an arrow of the circuit board shown in FIG. FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line AA, FIG. 2A is a plan view showing an example of a low-temperature fired multilayer ceramic substrate that is a component of the circuit board shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 3A is a partial cross-sectional perspective view showing an example in which a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are connected in three dimensions, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate shown in FIG. It is a perspective view which shows the other example which connected the some low-temperature baking multilayer ceramic substrate in three dimensions.

図1乃至図3において、低温焼成多層セラミック基板1は、表面又は背面にチップ2を搭載しており、表面、背面又は側面にコネクタ3(凸状のオス型コネクタ3a又は凹状のメス型コネクタ3b)を配設することで、複数の低温焼成多層セラミック基板1をコネクタ3によって連結することができる。なお、チップ2は、複数の回路素子とそれらを結ぶ配線を一体のものとして高度に集積して組みこんだ集積回路であり、集積された回路素子の数によって、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)、VLSI(Very Large Scale Integration)、ULSI(Ultra Large Scale Integration)などに分けられる。複数の低温焼成多層セラミック基板1がコネクタ3を介して相互に連結され単一の回路基板100を構成している。   1 to 3, a low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 has a chip 2 mounted on the front surface or back surface, and a connector 3 (a convex male connector 3a or a concave female connector 3b on the front surface, back surface, or side surface. ) Can be connected to the plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 by the connector 3. The chip 2 is an integrated circuit in which a plurality of circuit elements and wirings connecting them are integrated and integrated, and depending on the number of integrated circuit elements, IC (Integrated Circuit), LSI ( Large scale integration (VLSI), very large scale integration (VLSI), and ultra large scale integration (ULSI). A plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 are connected to each other via a connector 3 to form a single circuit board 100.

なお、図1においては、低温焼成多層セラミック基板1の側面にコネクタ3を配設することで、複数の低温焼成多層セラミック基板1を二次元で連結しているが、図3に示すように、低温焼成多層セラミック基板1の表面又は背面にコネクタ3を配設することで、複数の低温焼成多層セラミック基板1を三次元で連結することも可能である。   In FIG. 1, a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 are two-dimensionally connected by disposing a connector 3 on the side surface of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1, but as shown in FIG. By arranging the connector 3 on the front or back surface of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1, it is possible to connect a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 in three dimensions.

この場合に、低温焼成多層セラミック基板1の表面及び背面には、凸状のオス型コネクタ3aを配設することが困難であるために、凹状のメス型コネクタ3bを配設することが好ましい。また、このメス型コネクタタ2bが配設された低温焼成多層セラミック基板1と連結する他の低温焼成多層セラミック基板1には、側面に凸状のオス型コネクタ3aを配設することで、メス型コネクタ3bとオス型コネクタ3aとを嵌合することができる。   In this case, since it is difficult to dispose the convex male connector 3a on the front and back surfaces of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1, it is preferable to dispose the concave female connector 3b. Further, another low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 connected to the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 provided with the female connector 2b is provided with a female connector by providing a convex male connector 3a on the side surface. The connector 3b and the male connector 3a can be fitted.

つぎに、複数の低温焼成多層セラミック基板1を相互に連結した回路基板100における、複数の低温焼成多層セラミック基板1にそれぞれ搭載されたチップ2間を配線するための配線支援装置10について説明する。   Next, the wiring support device 10 for wiring between the chips 2 mounted on the plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 in the circuit board 100 in which the plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 are connected to each other will be described.

図4はこの発明を実施するための第1の実施形態における配線支援装置の構成を示す図、図5は図4に示す配線支援装置のうち配線条件記憶手段に格納された配線条件の一例を示した説明図、図6は図4に示す配線支援装置のうち配線条件記憶手段に格納された配線条件の他の例を示した説明図、図7は図4に示す配線支援装置のうち配線条件記憶手段に格納された配線条件のさらに他の例を示した説明図、図8(a)は図4に示す配線支援装置のうち端子形状補正手段による端子形状の補正処理前を説明するための説明図、図8(b)は図4に示す配線支援装置のうち端子形状補正手段による端子形状の補正処理後を説明するための説明図、図9は図4に示す配線支援装置のうちビア引出配線手段による千鳥配線処理を説明するための説明図、図10は図4に示す配線支援装置のうちポート引出配線手段によるポートからの引出配線処理を説明するための説明図、図11は図4に示す配線支援装置のうち概略自動配線処理手段に用いるラインサーチ法を説明するための説明図、図12は図4に示す配線支援装置のうち詳細自動配線処理手段に用いる迷路法を説明するための説明図、図13は図12に示す迷路法の続きを説明するための説明図、図14は図13に示す迷路法の続きを説明するための説明図、図15は図14に示す迷路法の続きを説明するための説明図、図16は図4に示す配線支援装置のうち詳細自動配線処理手段による電源及びグランド配線の落とし込みを説明するための説明図、図17は図4に示す配線支援装置のうち詳細自動配線処理手段による電源及びグランド配線の配線処理を説明するための説明図、図18(a)は図4に示す配線支援装置のうち配線マージ手段によるポート引出配線近傍の配線のマージ前を説明するための説明図、図18(b)は図4に示す配線支援装置のうち配線マージ手段によるポート引出配線近傍の配線のマージ後を説明するための説明図である。   4 is a diagram showing the configuration of the wiring support apparatus according to the first embodiment for carrying out the present invention. FIG. 5 is an example of wiring conditions stored in the wiring condition storage means in the wiring support apparatus shown in FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram showing another example of the wiring conditions stored in the wiring condition storage means in the wiring support device shown in FIG. 4, and FIG. 7 is a wiring diagram in the wiring support device shown in FIG. FIG. 8A is an explanatory diagram showing still another example of the wiring conditions stored in the condition storage means, and FIG. 8A is for explaining the terminal shape correction means before the terminal shape correction processing in the wiring support apparatus shown in FIG. FIG. 8B is an explanatory diagram for explaining the terminal shape correcting unit after the terminal shape correction processing in the wiring support apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 9 is the wiring support apparatus shown in FIG. Explanation for explaining staggered wiring processing by via lead wiring means 10 is an explanatory diagram for explaining the lead wiring processing from the port by the port lead wiring means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 11 is a schematic automatic wiring processing means in the wiring support apparatus shown in FIG. FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining the line search method used, FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining the maze method used for the detailed automatic wiring processing means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 13 is the maze method shown in FIG. FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining the continuation of the maze method shown in FIG. 13, FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining the continuation of the maze method shown in FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining dropping of power supply and ground wiring by the detailed automatic wiring processing means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4, and FIG. 17 is a power supply by detailed automatic wiring processing means in the wiring support apparatus shown in FIG. G 18A is an explanatory diagram for explaining the wiring processing of the terminal wiring, and FIG. 18A is an explanatory diagram for explaining the wiring merging means before the merging of the wiring in the vicinity of the port lead wiring in the wiring support apparatus shown in FIG. 18 (b) is an explanatory diagram for explaining a state after the merging of the wiring in the vicinity of the port lead wiring by the wiring merging means in the wiring support apparatus shown in FIG.

図4において、レイアウト情報記憶手段11は、チップ2の形状及び配置設計、並びにコネクタ3の形状及び配置設計などを行なう配置設計CAD装置200によって生成されるレイアウト情報が記憶されている。レイアウト情報には、チップ配置データ、チップ形状データ、チップ端子データ、チップ端子属性データ、コネクタ配置データ、コネクタ形状データ、コネクタポートデータ、基板形状データ、基板層数データ及び配線禁止領域データなどが含まれている。   In FIG. 4, the layout information storage unit 11 stores layout information generated by the layout design CAD device 200 that performs the shape and layout design of the chip 2 and the shape and layout design of the connector 3. The layout information includes chip arrangement data, chip shape data, chip terminal data, chip terminal attribute data, connector arrangement data, connector shape data, connector port data, board shape data, board layer number data, wiring prohibited area data, etc. It is.

ここで、チップ配置データとは、各チップ2の配置座標に関するデータである。具体的には、チップ2の位置を代表する点(例えば、チップ2の下部の頂点のうちの一つ。)の座標データなどである。また、チップ形状データとは、各チップ2の形状に関するデータである。具体的には、直方体のチップ2の場合に、縦、横及び高さのデータである。また、チップ端子データとは、各チップ2における、フリップチップボンディング用の端子2aの位置のデータである。チップ端子データにおける端子2aの位置は、チップ2の代表する点に対しての相対座標を示す。また、チップ端子属性データとは、チップ2に設けられている端子2aと、それぞれの入出力がどの端子2aで行われているかを示すデータである。   Here, the chip arrangement data is data relating to the arrangement coordinates of each chip 2. Specifically, it is coordinate data of a point representing the position of the chip 2 (for example, one of the vertices at the lower part of the chip 2). The chip shape data is data relating to the shape of each chip 2. Specifically, in the case of a rectangular parallelepiped chip 2, the data is vertical, horizontal, and height data. The chip terminal data is data of the position of the flip chip bonding terminal 2 a in each chip 2. The position of the terminal 2 a in the chip terminal data indicates relative coordinates with respect to the point represented by the chip 2. The chip terminal attribute data is data indicating the terminal 2a provided on the chip 2 and which terminal 2a performs the respective input / output.

さらに、コネクタ配置データとは、各コネクタ3の配置座標に関するデータである。具体的には、コネクタ3の位置を代表する点(例えば、オス型コネクタ3aであれば凸部の頂点のうちの一つ。メス型コネクタ3bであれば凹部の頂点のうちの一つ。)の座標データなどである。また、コネクタ形状データとは、各コネクタ3の形状に関するデータである。具体的には、オス型又はメス型の区別や、直方体のコネクタ3の場合に、縦、横及び厚さのデータである。また、コネクタポートデータとは、各コネクタ3における、連結用のポート3cの位置のデータである。コネクタポートデータにおけるポート3cの位置は、コネクタ3の代表する点に対しての相対座標を示す。   Further, the connector arrangement data is data relating to the arrangement coordinates of each connector 3. Specifically, the point representing the position of the connector 3 (for example, one of the vertices of the convex portion in the case of the male connector 3a and one of the vertices of the concave portion in the case of the female connector 3b). Coordinate data. The connector shape data is data related to the shape of each connector 3. Specifically, in the case of a male type or a female type or a rectangular parallelepiped connector 3, the data is vertical, horizontal, and thickness data. The connector port data is data on the position of the connection port 3c in each connector 3. The position of the port 3 c in the connector port data indicates relative coordinates with respect to the point represented by the connector 3.

また、基板形状データとは、対象となる低温焼成多層セラミック基板1がどのような形状を有しているかを示すデータである。例えば、長方形の基板であれば、縦及び横の寸法のことある。また、基板層数データとは、対象となる低温焼成多層セラミック基板1が何層で形成されているかを示すデータである。また、配線禁止領域データとは、各基板層上で配線を配置できない禁止領域に関するデータである。   The substrate shape data is data indicating what shape the target low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 has. For example, a rectangular substrate may have vertical and horizontal dimensions. The substrate layer number data is data indicating how many layers of the target low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 are formed. Further, the wiring prohibition area data is data related to a prohibition area in which wiring cannot be arranged on each substrate layer.

配線条件記憶手段12は、配線を行なう場合の配線条件が記憶されている。この発明に係るコネクタ3による特別な配線条件として、後述する概略自動配線処理を実行する場合に、ラインサーチ法において、コネクタ3の部分はコネクタ方向と同一方向の線分しか通れないという制約や、隣接する低温焼成多層セラミック基板1間を跨いで線分を生成できるのはコネクタ3の部分だけであるという制約や、コネクタ3に割り当てられたネット数がコネクタ3のポート数に達した場合にはそのコネクタ3に線分は通過できないという制約などがある。   The wiring condition storage unit 12 stores wiring conditions for wiring. As a special wiring condition by the connector 3 according to the present invention, in the case of executing a rough automatic wiring process to be described later, in the line search method, the restriction that the portion of the connector 3 can pass only a line segment in the same direction as the connector direction, In the case where only the portion of the connector 3 can generate a line segment across adjacent low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 or when the number of nets allocated to the connector 3 reaches the number of ports of the connector 3 There is a restriction that a line segment cannot pass through the connector 3.

また、後述する詳細自動配線処理を実行する場合に、図5(a)に示すように、低温焼成多層セラミック基板1の最上位基板層におけるチップ2に対して所定の範囲を有するビア落とし込み領域4を設け、ビア落とし込み領域4の縁部4aに沿って隣接するビア5を千鳥配置で配置する制約や、図5(b)に示すように、低温焼成多層セラミック基板1のコネクタ3を配設する辺から所定の範囲を有するビア禁止領域6を設ける制約などがある。   Further, when executing a detailed automatic wiring process described later, as shown in FIG. 5A, a via drop region 4 having a predetermined range with respect to the chip 2 in the uppermost substrate layer of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1. And the connector 3 of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 is disposed as shown in FIG. 5 (b), and the restriction that the adjacent vias 5 are disposed along the edge 4a of the via dropping region 4 in a staggered arrangement. For example, there is a restriction that a via-forbidden area 6 having a predetermined range from the side is provided.

なお、図6(a)に示すように、ネットBの配線7bとネットAの配線7aとが同一基板層で重ならないよう別基板層にすると、層の乗り換えによってコスト高となる。このため、図6(b)に示すように、ネットBの配線7bの実配線長が長くなるが、ネットAの配線7aと同一基板層となるネットBの配線7bの部分を回り込ませることで、ネットBの配線7bの基板層を変えることなくネットBの配線7bを行なうことができ、層の乗り換えコストを0とすることができる。ここで、配線7の破線部分は実線部分の下層に配設される配線である。また、図7に示すように、チップ2の端子2aに接続することなく低温焼成多層セラミック基板1の異なる辺にあるコネクタ3のポート3a間を配線することで、他の複数の低温焼成多層セラミック基板1におけるチップ2間を結ぶネットの配線7をスルー配線として、機能させることもできる。   Note that, as shown in FIG. 6A, if the wiring 7b of the net B and the wiring 7a of the net A are formed on different substrate layers so as not to overlap each other, cost increases due to layer switching. Therefore, as shown in FIG. 6B, the actual wiring length of the net B wiring 7b becomes long, but the net B wiring 7b, which is the same substrate layer as the net A wiring 7a, wraps around. The net B wiring 7b can be performed without changing the substrate layer of the net B wiring 7b, and the layer transfer cost can be reduced to zero. Here, a broken line portion of the wiring 7 is a wiring arranged in a lower layer of the solid line portion. Further, as shown in FIG. 7, a plurality of other low-temperature fired multilayer ceramics can be obtained by wiring between ports 3a of the connector 3 on different sides of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 without being connected to the terminals 2a of the chip 2. The net wiring 7 connecting the chips 2 on the substrate 1 can also function as a through wiring.

端子形状補正手段13は、レイアウト情報記憶手段11に記憶されたチップ端子データをもとに、配線条件記憶手段12に記憶されたルールに従って、各低温焼成多層セラミック基板1にあるチップ2の端子2aを、チップ2の一辺にある全ての端子を端子群2bと定義する処理を行なう。   The terminal shape correction means 13 is based on the chip terminal data stored in the layout information storage means 11 and in accordance with the rules stored in the wiring condition storage means 12, the terminals 2 a of the chips 2 on each low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1. To define all terminals on one side of the chip 2 as a terminal group 2b.

具体的には、図8(a)及び図8(b)に示すように、各基板インスタンス(低温焼成多層セラミック基板1に対応)にあるポートインスタンス(P01〜P08:端子2aに対応)を、チップインスタンス(チップ2に対応)の辺全体として端子群2bとする。なお、後述する概略自動配線処理では厳密な経路を求める必要はなく、配線処理でチップ2の辺まで到達すれば経路が求められたものとしている。   Specifically, as shown in FIGS. 8A and 8B, port instances (P01 to P08: corresponding to the terminal 2a) in each substrate instance (corresponding to the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1) The entire side of the chip instance (corresponding to chip 2) is a terminal group 2b. Note that it is not necessary to obtain a precise route in the rough automatic wiring process described later, and it is assumed that the route is obtained when the side of the chip 2 is reached by the wiring process.

ビア引出配線手段14は、レイアウト情報記憶手段11に記憶されたチップ端子データをもとに、配線条件記憶手段12に記憶されたルールに従って、各低温焼成多層セラミック基板1にあるチップ2の各端子2aからビア落とし込み領域4の縁部4aの各ビア5まで配線を引き出す処理を行なう。なお、ビア落とし込み領域4の縁部4aにおける隣り合うビア5を千鳥配置とすることで、ビア5を打ち込むスペースを確保することができる。   Via lead wiring means 14 is based on the chip terminal data stored in the layout information storage means 11, and according to the rules stored in the wiring condition storage means 12, each terminal of the chip 2 in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 A process of drawing the wiring from 2a to each via 5 at the edge 4a of the via drop region 4 is performed. In addition, by arranging the adjacent vias 5 at the edge 4a of the via dropping region 4 in a staggered arrangement, a space for driving the vias 5 can be secured.

具体的には、図9に示すように、チップインスタンス(チップ2に対応)のポートインスタンス(端子2aに対応)からビア落とし込み領域4の縁部4aまで、配線を引き出し、ビア落とし込み領域4の縁部4aで千鳥配置としてビア5を打ち込むのであるが、ビア引出配線手段14は、以下の手順にて処理を行なう。   Specifically, as shown in FIG. 9, the wiring is drawn from the port instance (corresponding to the terminal 2 a) of the chip instance (corresponding to the chip 2) to the edge 4 a of the via dropping region 4, and the edge of the via dropping region 4 The vias 5 are driven in a staggered arrangement at the part 4a, and the via lead-out wiring means 14 performs processing in the following procedure.

まず、レイアウト情報記憶手段11に記憶されたチップインスタンスのゾーン座標と配線条件記憶手段12に記憶されたルールファイルのビアレンジの値からビア落とし込み領域4を計算する。   First, the via drop region 4 is calculated from the zone coordinates of the chip instance stored in the layout information storage unit 11 and the via range value of the rule file stored in the wiring condition storage unit 12.

つぎに、チップインスタンスのポートインスタンスを全て抽出し、座標軸が同じポートインスタンスを関連付ける。なお、基板に対するチップ3の配置によって対象軸が変化するのであるが、例えば、X座標が同じポートインスタンスとY座標が同じポートインスタンスとで分類する。   Next, all port instances of the chip instance are extracted, and port instances having the same coordinate axis are associated. Note that the target axis changes depending on the arrangement of the chip 3 with respect to the substrate.

以下、ポートインスタンスを分類したそれぞれの組に対して行なう。
ポートインスタンスを、X座標(Y座標)を基準に昇順ソートを行ない、ポートインスタンスを順次取得する。
奇数番目に取得したポートインスタンスからは、ビア落とし込み領域4の縁部4aまで配線を引き出し、ビア5を打つ。なお、図9においては、紙面においてチップの左右にあるポートインスタンスからは左右のそれぞれの方向に配線を引き出しているが、紙面においてチップの上下にあるポートインスタンスからは上下のそれぞれの方向に配線を引き出すことになる。
また、偶数番目に取得したポートインスタンスからは、ビア落とし込む領域4の縁部4aからビア1個分だけ内側まで配線を引き出し、ビア5を打つ。
Hereinafter, the process is performed for each group in which the port instances are classified.
The port instances are sorted in ascending order based on the X coordinate (Y coordinate), and the port instances are obtained sequentially.
From the odd-numbered port instance, the wiring is drawn up to the edge 4a of the via dropping area 4 and the via 5 is formed. In FIG. 9, wiring is drawn in the left and right directions from the port instances on the left and right sides of the chip on the paper surface. However, the wiring is drawn in the upper and lower directions from the port instances on the top and bottom of the chip on the paper surface. It will be pulled out.
Further, from the even-numbered port instance, the wiring is drawn from the edge 4a of the via drop region 4 to the inside by one via, and the via 5 is formed.

以上のように作成したビア5を、後述する詳細自動配線処理における迷路法によって配線する場合に、スタート地点又はターゲット地点として配線処理を行なうことになる。
ポート引出配線手段15は、レイアウト情報記憶手段11に記憶されたコネクタポートデータをもとに、配線条件記憶手段12に記憶されたルールに従って、各低温焼成多層セラミック基板1にあるコネクタ3のポート3cからビア禁止領域6の縁部6aまで配線を引き出す処理を行なう。
When the via 5 created as described above is wired by the maze method in the detailed automatic wiring process described later, the wiring process is performed as a start point or a target point.
The port lead-out wiring means 15 is based on the connector port data stored in the layout information storage means 11 and in accordance with the rules stored in the wiring condition storage means 12, the port 3 c of the connector 3 in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1. The wiring is drawn out from the edge 6a to the edge 6a of the via prohibited area 6.

具体的には、以下の手順にて処理を行なう。
まず、レイアウト情報記憶手段11に記憶された基板情報ファイルに書かれたコネクタ3のゾーン座標と配線条件記憶手段12に記憶されたルールファイルのビアレンジの値からビア禁止領域6を計算する。
Specifically, processing is performed according to the following procedure.
First, the via prohibition area 6 is calculated from the zone coordinates of the connector 3 written in the board information file stored in the layout information storage means 11 and the via range value of the rule file stored in the wiring condition storage means 12.

つぎに、コネクタ3にあるポート3cを順次取得する。
取得したポート3cからビア禁止領域6の縁部6aまで、基板の外側から内側に向かって、各ポート3cの延在方向に沿って配線を引き出す。なお、図10においては、紙面において低温焼成多層セラミック基板1の左右にあるコネクタからは水平方向に配線を引き出しているが、紙面において低温焼成多層セラミック基板1の上下にあるコネクタからは鉛直方向に配線を引き出すことになる。なお、ポート引出配線3dを配線する基板層は、ポート3cが配置されている基板層に対応した配線層とする。また、オス型コネクタ3a及びメス型コネクタ3bの全てのコネクタ3に対して行なう。
以上のように作成したポート引出配線3dを、後述する詳細自動配線処理における迷路法によって配線する場合に、スタート地点又はターゲット地点として配線処理を行なうことになる。
Next, the port 3c in the connector 3 is acquired sequentially.
From the acquired port 3c to the edge 6a of the via-forbidden area 6, the wiring is drawn along the extending direction of each port 3c from the outside to the inside of the substrate. In FIG. 10, the wiring is drawn horizontally from the connectors on the left and right sides of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 on the paper surface, but from the connectors on the upper and lower sides of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 on the paper surface in the vertical direction. Pull out the wiring. The substrate layer for wiring the port lead wiring 3d is a wiring layer corresponding to the substrate layer on which the port 3c is disposed. Moreover, it carries out with respect to all the connectors 3 of the male connector 3a and the female connector 3b.
When the port lead wiring 3d created as described above is wired by the labyrinth method in the detailed automatic wiring process described later, the wiring process is performed as a start point or a target point.

パラメータ設定手段16は、レイアウト情報記憶手段11及び配線条件記憶手段12に対して、配線する基板層の指定や配線禁止領域の設定などのルールファイル、基板情報ファイル又はコネクタ情報ファイルを入力する。具体的には、例えば、パラメータ設定手段16は、CRTや液晶ディスプレイなどの表示装置17に入力ダイアログを表示してユーザに対して配線条件、基板情報又はコネクタ情報の入力を促し、ユーザによりマウスやキーボードなどの入力装置18から入力されたルールファイル、基板情報ファイル又はコネクタ情報ファイルをレイアウト情報記憶手段11及び配線条件記憶手段12に保存するようなプログラム・モジュールを使用することができる。   The parameter setting unit 16 inputs a rule file such as designation of a board layer to be wired and setting of a wiring prohibited area to the layout information storage unit 11 and the wiring condition storage unit 12, a board information file, or a connector information file. Specifically, for example, the parameter setting unit 16 displays an input dialog on the display device 17 such as a CRT or a liquid crystal display, prompts the user to input wiring conditions, board information, or connector information. A program module that saves the rule file, board information file, or connector information file input from the input device 18 such as a keyboard in the layout information storage means 11 and the wiring condition storage means 12 can be used.

概略自動配線処理手段19は、レイアウト情報記憶手段11に記憶されたデータ及び端子形状補正手段13で得られたデータをもとに、配線条件記憶手段12に記憶されたルールに従って、ラインサーチ法により、コネクタ3にネットを割り当てる。   The rough automatic wiring processing means 19 is based on the data stored in the layout information storage means 11 and the data obtained by the terminal shape correction means 13 according to the rules stored in the wiring condition storage means 12 by the line search method. Assign a net to the connector 3.

ここで、概略自動配線処理手段19で用いるラインサーチ法について、図11を用いて説明する。なお、図11においては、チップAを搭載した第1の低温焼成多層セラミック基板1aとチップBを搭載した第2の低温焼成多層セラミック基板1bとチップCを搭載した第3の低温焼成多層セラミック基板1cとチップDを搭載した第4の低温焼成多層セラミック基板1dとがコネクタ3によって相互に連結して単一の回路基板100をなし、この回路基板100を対象に配線処理を行なうことを想定している。以下、図11において、紙面における上下左右を回路基板100における上下左右とする。   Here, the line search method used in the general automatic wiring processing means 19 will be described with reference to FIG. In FIG. 11, a first low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1a on which chip A is mounted, a second low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1b on which chip B is mounted, and a third low-temperature fired multilayer ceramic substrate on which chip C is mounted. It is assumed that 1c and the fourth low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1d on which the chip D is mounted are connected to each other by a connector 3 to form a single circuit substrate 100, and wiring processing is performed on this circuit substrate 100. ing. Hereinafter, in FIG. 11, the top, bottom, left, and right on the paper surface are the top, bottom, left and right of the circuit board 100.

まず、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点とし、このスタート地点に対応する端子をターゲット地点とする。
つぎに、スタート地点を含む端子群2bから第1の線分8a(図11の実線部分)を発生させる。ここで、第1の線分8aは、配線領域内であり障害物に当たるまで線分を伸ばす。なお、図11においては、第1の低温焼成多層セラミック基板1a上にあるチップAの左辺が第1のスタート地点を含む端子群2bとし、チップCの左辺が第1のターゲット地点を含む端子群2bとしている。また、チップAの左辺から発生した第1の線分8aは、コネクタ3を介して隣接する第2の低温焼成多層セラミック基板1bに伸び、配線領域外となる低温焼成多層セラミック基板1bの左辺で第1の線分8aの端点となる。
First, an arbitrary terminal in the net to be wired is set as a start point, and a terminal corresponding to the start point is set as a target point.
Next, the first line segment 8a (solid line portion in FIG. 11) is generated from the terminal group 2b including the start point. Here, the first line segment 8a extends within the wiring area until it hits an obstacle. In FIG. 11, the left side of the chip A on the first low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1a is the terminal group 2b including the first start point, and the left side of the chip C is the terminal group including the first target point. 2b. The first line segment 8a generated from the left side of the chip A extends to the adjacent second low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1b via the connector 3 and is on the left side of the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1b outside the wiring region. This is the end point of the first line segment 8a.

つぎに、第1の線分8aと垂直に交わる第2の線分8b(図11の破線部分)を配線領域内であり障害物に当たるまで線分を伸ばす。なお、図11においては、複数の第2の線分8bのうち障害物であるチップBの下辺に当たる線分は、チップBの下辺が端点となっている。また、第1の低温焼成多層セラミック基板1aの上辺及び下辺並びに第2の低温焼成多層セラミック基板2の上辺及び下辺で端点となる。また、コネクタ3の部分ではコネクタ方向と同一方向(図11においては水平方向)の線分しか通れないために、コネクタ3の部分には第2の線分8bを生成していない。ちなみに、コネクタ3が低温焼成多層セラミック基板1の上又は下側にある場合は垂直方向のみ、左又は右側にある場合は水平方向のみの線分を生成する。   Next, the second line segment 8b (broken line part in FIG. 11) perpendicularly intersecting the first line segment 8a is extended in the wiring area until it hits an obstacle. In FIG. 11, the lower side of the chip B is the end point of the line corresponding to the lower side of the chip B that is an obstacle among the plurality of second line segments 8 b. Further, the upper and lower sides of the first low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1a and the upper and lower sides of the second low-temperature fired multilayer ceramic substrate 2 serve as end points. Further, since only the line segment in the same direction as the connector direction (horizontal direction in FIG. 11) passes through the connector 3 portion, the second line segment 8b is not generated in the connector 3 portion. Incidentally, when the connector 3 is above or below the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1, a line segment is generated only in the vertical direction, and when it is on the left or right side, a line segment only in the horizontal direction is generated.

つぎに、第2の線分8bと垂直に交わる第3の線分8c(図11の一点鎖線部分)を配線領域内であり障害物に当たるまで線分を伸ばす。なお、図11においては、隣接する低温焼成多層セラミック基板1間を跨いで線分を生成できるのはコネクタ3の部分だけである(コネクタ3の部分以外では隣接する基板を乗り換えることはできない)ために、コネクタ3の部分を除き第2の低温焼成多層セラミック基板1bの右辺で端点となる。また、第2の低温焼成多層セラミック基板1bの左辺で端点となる。また、図11においては、第3の線分8cが第1のターゲット地点であるチップCの左辺に到達している。
以上の動作を、第1のターゲット地点を含む端子群2bからターゲット地点を含む端子群2bの全てに線分が到達するまで行なう。
Next, a third line segment 8c (a chain line portion in FIG. 11) perpendicularly intersecting the second line segment 8b is extended in the wiring area until it hits an obstacle. In FIG. 11, it is only the portion of the connector 3 that can generate a line segment across the adjacent low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 (the adjacent substrate cannot be changed except for the portion of the connector 3). Moreover, it becomes an end point on the right side of the second low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1b except for the connector 3 portion. Moreover, it becomes an end point on the left side of the second low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1b. In FIG. 11, the third line segment 8 c reaches the left side of the chip C that is the first target point.
The above operation is performed until the line segment reaches all of the terminal group 2b including the target point from the terminal group 2b including the first target point.

第1のターゲット地点を含む端子群2bからターゲット地点を含む端子群2bの全てに線分が到達した場合に、線分を逆順に戻る(バックトレース処理を行なう)ことで、通過するコネクタにネットを設定していく。   When the line segment reaches all of the terminal group 2b including the target point from the terminal group 2b including the first target point, the line segment is returned in the reverse order (back trace processing is performed), so that the network is connected to the passing connector. Will be set.

なお、コネクタ3の全てのポート3cにネットが割り当てられた場合には、このコネクタ3には線分が通過することができないために、線分がコネクタ3の部分を通過する場合は、そのコネクタ3に割り当てられたネット数がコネクタ3のポート数に達しているかを確認する。また、同じ折れ曲がり回数で複数の配線経路が存在する場合には、通過した低温焼成多層セラミック基板1の数の少ない経路を配線経路として選択する。   When nets are assigned to all the ports 3c of the connector 3, a line segment cannot pass through the connector 3. Therefore, when the line segment passes through the connector 3, the connector is not connected. It is confirmed whether the number of nets assigned to 3 has reached the number of ports of the connector 3. When a plurality of wiring paths exist with the same number of bends, a path with a small number of low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 that have passed is selected as the wiring path.

前述したラインサーチ法は、二次元で連結した回路基板100に適用したラインサーチ法について説明したが、図3(a)又は図3(b)で示したような、複数の低温焼成多層セラミック基板1を三次元で連結した回路基板100に対しても、前述したラインサーチ法を適用することが可能である。   In the above-described line search method, the line search method applied to the two-dimensionally connected circuit boards 100 has been described. However, a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates as shown in FIG. 3A or FIG. The above-described line search method can also be applied to the circuit board 100 in which 1s are connected in three dimensions.

この場合に、隣接する低温焼成多層セラミック基板1を互いに垂直に連結しているコネクタ3の部分においては、一方の低温焼成多層セラミック基板1を延在している線分を他方の低温焼成多層セラミック基板1を障害物として途切れさせるのではなく、他方の低温焼成多層セラミック基板1にわたって線分を延在させる点が新たに追加される。   In this case, in the portion of the connector 3 that connects the adjacent low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 vertically to each other, the line extending from one low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 is connected to the other low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1. The point which makes a line segment extend over the other low-temperature-fired multilayer ceramic substrate 1 instead of interrupting the substrate 1 as an obstacle is newly added.

詳細自動配線処理手段20は、概略自動配線処理手段19により得られたネットを参照し、レイアウト情報記憶手段11に記憶されたデータ、ビア引出配線手段14で得られたデータ、及びポート引出配線手段15で得られたデータをもとに、配線条件記憶手段12に記憶されたルールに従って、迷路法により、ネットの配線経路とする処理を行なう。   The detailed automatic wiring processing means 20 refers to the net obtained by the general automatic wiring processing means 19, the data stored in the layout information storage means 11, the data obtained by the via lead wiring means 14, and the port lead wiring means. Based on the data obtained in step 15, the net wiring path is processed by the maze method according to the rules stored in the wiring condition storage means 12.

ここで、詳細自動配線処理手段20で用いる迷路法について、図12乃至図17を用いて説明する。なお、この第1の実施形態においては、45/90度・多層の迷路法を用いている。また、配線はデータの取得順とする。以下、基板層が1層である場合の迷路法の適用について説明する。   Here, the maze method used in the detailed automatic wiring processing means 20 will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, a 45/90 degree multi-layer maze method is used. The wiring is in the data acquisition order. Hereinafter, application of the maze method when the substrate layer is one layer will be described.

まず、図12(a)に示すように、配線領域全体(全基板層)に対してグリッド化を行なう。この場合に、コネクタ3が存在する基板層についてはコネクタ3の部分の凹凸も考慮してグリッド化を行なう。   First, as shown in FIG. 12A, grid formation is performed on the entire wiring region (all substrate layers). In this case, the board layer on which the connector 3 exists is grid-formed in consideration of the unevenness of the connector 3 portion.

つぎに、図12(b)に示すように、スタート地点S及びターゲット地点Tをグリッド上に設定する。この場合に、各低温焼成多層セラミック基板1内を迷路法を用いる対象範囲とし、各低温焼成多層セラミック基板1内におけるチップ2の各端子2a又はコネクタ3の各ポート3cのうち1つをスタート地点S、このスタート地点Sに対応するチップ2の端子2a又はコネクタ3のポート3cをターゲット地点Tとする。すなわち、前述した千鳥配置のビア5又はポート引出配線3dの端部がスタート地点S又はターゲット地点Tとなる。また、配線禁止領域9をグリッド上に設定する。なお、配線禁止領域9としては、チップインスタンスのゾーン(最上位基板層のみ)、コネクタポートのゾーン(ポートのある基板層のみ)、既配線図形(配線図形の外形をスペーシングルール分サイジングしたもの)、Z座標が設定されているレクト図形(図形Z1座標<=基板のZ2座標<図形のZ2座標に該当する基板のみ)がある。   Next, as shown in FIG. 12B, the start point S and the target point T are set on the grid. In this case, the inside of each low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 is a target range using the maze method, and one of the terminals 2a of the chip 2 or each port 3c of the connector 3 in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 is a starting point. S, the terminal 2a of the chip 2 or the port 3c of the connector 3 corresponding to the start point S is set as the target point T. That is, the end of the staggered via 5 or the port lead wiring 3d is the start point S or the target point T. Further, the wiring prohibited area 9 is set on the grid. The wiring prohibited area 9 includes a chip instance zone (only the uppermost board layer), a connector port zone (only the board layer with the port), and an existing wiring figure (the outline of the wiring figure is sized according to the spacing rule) ), A rect figure (Z figure coordinate <= Z2 coordinate of the substrate <only a board corresponding to the Z2 coordinate of the figure) is set.

つぎに、図13(a)に示すように、スタート地点Sのグリッドに「0」の値を設定する。そして、スタート地点Sのグリッドに対して上下左右斜めに隣接するグリッドに「1」(スタート地点Sのグリッド値0+1=1とする)の値を設定する。また、スタート地点SとZ方向(紙面に対して鉛直方向)の上下で隣接するグリッドには、ルールファイルのビアコスト値で指定した値を設定する(例えば、ビアコスト値が「3」の場合、0+3=3とする)。なお、配線禁止領域9となっている部分には値を設定しない。   Next, as shown in FIG. 13A, a value of “0” is set in the grid at the start point S. Then, a value of “1” (the grid value of the start point S is 0 + 1 = 1) is set to the grid that is obliquely adjacent to the grid of the start point S. In addition, the value specified by the via cost value in the rule file is set in the grid adjacent to the start point S in the vertical direction with respect to the Z direction (perpendicular to the page) (for example, 0 + 3 when the via cost value is “3”). = 3). It should be noted that no value is set for the portion that is the wiring prohibited area 9.

また、図13(b)に示すように、「1」の値が設定されたグリッドに対して上下左右斜めに隣接するグリッドに「2」(1+1=2)の値を設定する。また、「1」の値が設定されているグリッドに対してZ方向(紙面に対して鉛直方向)の上下で接するグリッドにも、ルールファイルのビアコスト値で指定した値を設定する(例えば、ビアコスト値が「3」の場合、1+3=4とする)。この場合に、既にグリッドに値が設定されていれば、上書きは行なわないものとする。   Further, as shown in FIG. 13B, a value of “2” (1 + 1 = 2) is set in a grid that is diagonally adjacent to the grid in which a value of “1” is set. Also, the value specified by the via cost value in the rule file is set to the grid that is in contact with the grid in which the value of “1” is set in the upper and lower directions in the Z direction (vertical direction with respect to the page) (for example, the via cost). When the value is “3”, 1 + 3 = 4). In this case, if a value has already been set in the grid, overwriting is not performed.

つぎに、図14(a)に示すように、「2」の値が設定されているグリッドの周囲に「3」を設定し、「3」の値が設定されているグリッドの周囲に「4」を設定し、以下同様に処理を繰り返し、ターゲット地点Tに到達した時点で処理を止める。なお、スタート地点Sから辿れる全てのグリッドに値を設定してもターゲット地点Tに値が設定できなかった場合には、配線経路が無いと判断する。   Next, as shown in FIG. 14A, “3” is set around the grid where the value “2” is set, and “4” is set around the grid where the value “3” is set. ”Is set, and the process is repeated in the same manner, and the process is stopped when the target point T is reached. If a value cannot be set for the target point T even if values are set for all the grids traced from the start point S, it is determined that there is no wiring route.

つぎに、図14(b)に示すように、ターゲット地点Tからスタート地点Sまで、グリッドの値が小さくなる方向に向かって進んでいく(バックトレース処理を行なう)。なお、このバックトレース処理では、冗長な折れ曲がりや基板層の移動が無いようにする。
図15に示すように、スタート地点Sまで到達したら、バックトレース処理で辿った経路をネットの配線経路とし、配線図形として登録する。なお、基板層が変わる場合には、その位置にビアセルを配置する。
Next, as shown in FIG. 14B, the grid value proceeds from the target point T to the start point S in a direction in which the grid value decreases (back trace processing is performed). In this backtrace process, there is no redundant bending or movement of the substrate layer.
As shown in FIG. 15, when the vehicle reaches the start point S, the route traced by the backtrace process is registered as a wiring diagram as a net wiring route. When the substrate layer changes, a via cell is disposed at that position.

ここで、電源又はグランドネットの配線は、配線長よりも指定する基板層で引き回すことを優先する。このため、図16に示すように、チップ2の電源端子又はグランド端子は、ビア5からルールファイルで指定された所定の基板層30a,30bまで落とし込む。また、配線の終点となるコネクタ3のポート引出配線3dが存在する位置まで、障害物がある場合には他の基板層を使用してもよいが、可能な限り所定の基板層30a,30bで配線する。この場合に、ビア5a,5bを介して所定の基板層30a,30bの配線をポート引出配線3dの端部と接続する。   Here, the wiring of the power supply or the ground net has priority over the wiring of the specified substrate layer rather than the wiring length. For this reason, as shown in FIG. 16, the power supply terminal or the ground terminal of the chip 2 drops from the via 5 to the predetermined substrate layers 30a and 30b specified by the rule file. Further, if there is an obstacle up to the position where the port lead wiring 3d of the connector 3 which is the end point of the wiring exists, another substrate layer may be used, but as much as possible with the predetermined substrate layers 30a and 30b. Wiring. In this case, the wiring of the predetermined substrate layers 30a and 30b is connected to the end of the port lead wiring 3d through the vias 5a and 5b.

なお、配線長を可能な限り短くする必要があるクロック配線などの配線には、ビア5を介してポート引出配線3dが形成された基板層まで落とし込み、その基板層上の配線により、ポート引出配線3dの端部とチップ2の端子2aとを接続することで、低温焼成多層セラミック基板1内の各基板層に対してチップ2の端子2aとポート引出配線3dとの間の配線長を最短とすることができる。   For wiring such as clock wiring that needs to be as short as possible, it is dropped to the substrate layer where the port lead wiring 3d is formed via the via 5, and the port lead wiring is formed by wiring on the substrate layer. By connecting the end of 3d and the terminal 2a of the chip 2, the wiring length between the terminal 2a of the chip 2 and the port lead wiring 3d is minimized with respect to each substrate layer in the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1. can do.

図17を用いて、電源又はグランドネットの配線における前述した迷路法での各グリッドの値設定方法について説明する。なお、図17においては、4層からなる低温焼成多層セラミック基板1を想定しており、チップ2がフリップチップボンディングされる最上位基板層にスタート地点Sを設定し、ポート引出配線3dが形成される第2基板層にターゲット地点Tを設定し、第3基板層を電源指定層として設定している。   A value setting method for each grid in the above-described maze method for wiring of a power supply or a ground net will be described with reference to FIG. In FIG. 17, a low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 consisting of four layers is assumed. A start point S is set in the uppermost substrate layer to which the chip 2 is flip-chip bonded, and a port lead wiring 3d is formed. The target point T is set on the second substrate layer, and the third substrate layer is set as the power supply designation layer.

まず、スタート地点S及びターゲット地点Tは前述した迷路法と同様に設定する。
つぎに、最も小さい値が設定されているグリッドを取得し、その周囲に値を設定する。この値の設定の仕方は、電源又はグランドが指定された基板層(図17においては、第3基板層)のグリッドの場合は、前述した迷路法と同様に、1グリッド進む毎にグリッドの値を「1」ずつ増やす。また、電源又はグランドが指定された基板層以外のグリッドの場合は、1グリッド進む毎にグリッドの値を「1000」ずつ増やす。また、ビアを介して他の基板層のグリッドに値を設定する場合は、前述した迷路法と同様にルールファイルのビアコスト(例えば、図17においては、ビアコスト値が「5」の場合を示している)で指定された値を増やす。
First, the start point S and the target point T are set in the same manner as the maze method described above.
Next, the grid with the smallest value is acquired, and values are set around it. In the case of a grid of a substrate layer (the third substrate layer in FIG. 17) for which a power supply or a ground is specified, this value is set every time one grid is advanced, as in the maze method described above. Is increased by "1". In the case of a grid other than the substrate layer for which the power supply or the ground is designated, the value of the grid is increased by “1000” every time one grid is advanced. Further, when a value is set to a grid of another substrate layer through a via, the via cost of the rule file (for example, in FIG. 17, the case where the via cost value is “5” is shown in the same manner as the maze method described above. Increase the value specified in

以下同様に、ターゲット地点Tに到達するまで処理を繰り返す。なお、グリッドに値を設定する場合は、既にグリッドに値が設定されていれば、上書きは行なわないものとする。また、バックトレース処理をする場合は、隣接するグリッドの中で最も値の小さいグリッドを経路として選択する。   Similarly, the process is repeated until the target point T is reached. When a value is set in the grid, overwriting is not performed if a value has already been set in the grid. When performing backtrace processing, a grid having the smallest value among adjacent grids is selected as a route.

配線マージ手段21は、詳細自動配線処理手段20で得られたデータをもとに、配線条件記憶手段12に記憶されたルールに従って、ポート引出配線3dと同一ネットであり同一層の配線図形がポート引出配線3dと接する場合には、ポート引出配線3dと配線図形をマージする。   The wiring merging means 21 is based on the data obtained by the detailed automatic wiring processing means 20, and in accordance with the rules stored in the wiring condition storage means 12, is the same net as the port lead-out wiring 3d and the wiring figure in the same layer is the port. When contacting with the lead wiring 3d, the port lead wiring 3d and the wiring figure are merged.

具体的には、図18に示すように、ポート引出配線3dと、ポート引出配線3dに接する配線処理によって追加した部分の配線図形7cとをマージすることで、1本の配線7にする処理である。
出力手段22は、配線マージ手段21を介して詳細自動配線処理手段20により得られた配線処理結果を、ファイルや表示装置17に出力する。
Specifically, as shown in FIG. 18, the port lead wiring 3d and the portion of the wiring figure 7c added by the wiring processing in contact with the port lead wiring 3d are merged to form one wiring 7. is there.
The output unit 22 outputs the wiring processing result obtained by the detailed automatic wiring processing unit 20 via the wiring merging unit 21 to a file or the display device 17.

つぎに、この発明を実施するための第1の実施形態における回路基板の配線方法について説明する。図19はこの発明を実施するための第1の実施形態における配線方法の全体の流れを示すフローチャート、図20は図19に示す配線方法の全体フローのうち概略自動配線処理の全体の流れを示すフローチャート、図21は図20に示すフローチャートの続きを示すフローチャート、図22は図19に示す配線方法の全体フローのうち詳細自動配線処理の流れを示すフローチャート、図23は図22に示す詳細自動配線処理の全体フローのうち迷路法の流れを示すフローチャート、図24は図23に示すフローチャートの続きを示すフローチャート、図25は図24に示すフローチャートの続きを示すフローチャートである。   Next, a circuit board wiring method according to the first embodiment for carrying out the present invention will be described. FIG. 19 is a flowchart showing the overall flow of the wiring method according to the first embodiment for carrying out the present invention, and FIG. 20 shows the overall flow of the general automatic wiring process in the overall flow of the wiring method shown in FIG. FIG. 21 is a flowchart showing the continuation of the flowchart shown in FIG. 20, FIG. 22 is a flowchart showing the flow of the detailed automatic wiring process in the overall flow of the wiring method shown in FIG. 19, and FIG. 23 is the detailed automatic wiring shown in FIG. FIG. 24 is a flowchart showing a continuation of the flowchart shown in FIG. 23, and FIG. 25 is a flowchart showing a continuation of the flowchart shown in FIG. 24.

まず、配置設計CAD装置200により、チップ2の形状の設計、低温焼成多層セラミック基板1上のチップ2の配置、コネクタ3の形状の設計、低温焼成多層セラミック基板1のコネクタ3の配置、並びにチップ2の端子2a及びコネクタ3のポート3cの配置を行なう。この作業は、従来のCAD装置による作業であるため、詳細な説明は省略する。ここで作成された低温焼成多層セラミック基板1上に配置される各チップ2及びコネクタ3の位置情報、各チップ2及びコネクタ3の形状情報、各チップ2の端子2aおよびコネクタ3のポート3cの位置情報などは、レイアウト情報記憶手段11に保存される。   First, the layout design CAD apparatus 200 is used to design the shape of the chip 2, the layout of the chip 2 on the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1, the design of the connector 3, the layout of the connector 3 on the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1, and the chip. 2 terminal 2a and connector 3 port 3c are arranged. Since this operation is performed by a conventional CAD apparatus, detailed description thereof is omitted. Position information of each chip 2 and connector 3 arranged on the low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 created here, shape information of each chip 2 and connector 3, position of terminal 2a of each chip 2 and port 3c of connector 3 Information and the like are stored in the layout information storage unit 11.

つぎに、前述した配線支援装置10を用いて、隣接する低温焼成多層セラミック基板1間でネットの配線が通過するコネクタ3を自動的に決定し、コネクタ3にネットを割り当てる概略自動配線処理を実行する(ステップS1)。この概略自動配線処理の詳細な動作については後述する。   Next, using the wiring support apparatus 10 described above, a connector 3 through which net wiring passes between adjacent low-temperature fired multilayer ceramic substrates 1 is automatically determined, and rough automatic wiring processing for assigning nets to the connector 3 is executed. (Step S1). The detailed operation of this general automatic wiring process will be described later.

ここで、コネクタ3が割り当てられたネット以外の他のネットに対する配線経路が存在するかを判断し(ステップS2)、配線経路が存在しない場合には、コネクタ3が割り当てられたネットの配線が通過するコネクタを変更し(ステップS3)、再びステップS1に戻って、ネットの配線が通過するコネクタを自動決定する。   Here, it is determined whether or not there is a wiring path for another net other than the net to which the connector 3 is assigned (step S2). If there is no wiring path, the wiring of the net to which the connector 3 is assigned passes. The connector to be changed is changed (step S3), and the process returns to step S1 again to automatically determine the connector through which the net wiring passes.

ステップS2で、全てのネットに対する配線経路が存在すると判断した場合に、配線支援装置10は各低温焼成多層セラミック基板1内を対象としてネットの配線経路を算出し配線処理を行なう詳細自動配線処理を実行する(ステップS4)。この詳細自動配線処理の詳細な動作については後述する。   When it is determined in step S2 that there are wiring paths for all the nets, the wiring support device 10 performs a detailed automatic wiring process for calculating the wiring paths of the nets in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate 1 and performing the wiring process. Execute (step S4). The detailed operation of the detailed automatic wiring process will be described later.

まず、概略自動配線処理における配線処理について、図20及び図21を用いて説明する。
初期状態として、基板情報がレイアウト情報記憶手段11に保存された状態にある。そこで、まず、概略自動配線処理手段19は、レイアウト情報記憶手段11からこの基板情報を読み出す。そして、これから配線するネットにおける任意の端子をスタート地点とし、このスタート地点に対応する端子をターゲット地点とする(ステップS5)。
First, the wiring process in the general automatic wiring process will be described with reference to FIGS.
As an initial state, the board information is stored in the layout information storage unit 11. Therefore, first, the general automatic wiring processing means 19 reads this board information from the layout information storage means 11. Then, an arbitrary terminal in the net to be wired is set as a start point, and a terminal corresponding to the start point is set as a target point (step S5).

つぎに、スタート地点を含む端子群から、配置領域の端又は配線禁止領域に達するまで第1の線分を発生させる。ここで、第1の線分を1本目の線分としてメモリに格納する(ステップS6)。なお、端子群とは、前述した端子形状補正手段13によりチップの一辺にある全ての端子を定義しており、スタート地点を含む端子群とは、スタート地点である端子を含む端子群を指している。また、ステップS6の処理は、前述したラインサーチ法の処理である。   Next, a first line segment is generated from the terminal group including the start point until reaching the end of the arrangement area or the wiring prohibited area. Here, the first line segment is stored in the memory as the first line segment (step S6). The terminal group defines all terminals on one side of the chip by the terminal shape correcting means 13 described above, and the terminal group including the start point refers to the terminal group including the terminal that is the start point. Yes. Further, the process of step S6 is the process of the line search method described above.

つぎに、第1の線分は、ターゲット地点を含む端子群と接続するかを判断する(ステップS7)。ステップS7で、第1の線分がターゲット地点を含む端子群と接続すると判断した場合には、接続するターゲット地点を含む端子群に、結線フラグを立てる(ステップS8)。   Next, it is determined whether the first line segment is connected to the terminal group including the target point (step S7). If it is determined in step S7 that the first line segment is connected to the terminal group including the target point, a connection flag is set in the terminal group including the target point to be connected (step S8).

つぎに、ターゲット地点を含む端子群の全てに、結線フラグが設定されたかを判断する(ステップS9)。ステップS9で、ターゲットを含む端子群の全てに、結線フラグが設定されたと判断した場合には、前述したラインサーチ法におけるバックトレース処理を行なう(ステップS10)。なお、バックトレース処理時に、コネクタを通過した場合には、そのコネクタにネット割り当てる。これで1つのネットの配線処理が終えたことになる。   Next, it is determined whether the connection flag has been set for all the terminal groups including the target point (step S9). If it is determined in step S9 that the connection flag has been set for all the terminal groups including the target, the backtrace process in the above-described line search method is performed (step S10). In addition, when passing through a connector during backtrace processing, a net is assigned to that connector. This completes the wiring process for one net.

さらに、全てのネットの配線処理が終えたかを判断する(ステップS11)。ステップS11で、全てのネットの配線処理が終えたと判断した場合には、配線処理を終了する。なお、全てのネットの配線処理が終えていないと判断した場合には、次のネットの配線処理を行なうために(ステップS12)、最初に戻って配線処理を開始する。   Further, it is determined whether all net wiring processing has been completed (step S11). If it is determined in step S11 that the wiring processing for all nets has been completed, the wiring processing ends. If it is determined that all net wiring processes have not been completed, the process returns to the beginning to start the wiring process in order to perform the next net wiring process (step S12).

また、ステップS7で、第1の線分は、ターゲット地点を含む端子群と接続しないと判断した場合、又は、ステップS9で、ターゲット地点を含む端子群の全てに、結線フラグが設定されていない判断した場合には、n=1とし(ステップS13)、取得した第nの線分と垂直に交わる線分を、配置領域の端又は配線禁止領域に達するまで発生させる。ここで、第nの線分をn+1本目の線分としてメモリに格納する(ステップS14)。この場合に、線分は、配線条件記憶手段12に記憶されたルールファイルのピッチで指定した間隔で発生させる。   Further, if it is determined in step S7 that the first line segment is not connected to the terminal group including the target point, or in step S9, no connection flag is set for all the terminal groups including the target point. If it is determined, n = 1 is set (step S13), and a line segment perpendicular to the acquired n-th line segment is generated until the end of the arrangement area or the wiring prohibited area is reached. Here, the nth line segment is stored in the memory as the (n + 1) th line segment (step S14). In this case, the line segments are generated at intervals specified by the pitch of the rule file stored in the wiring condition storage unit 12.

つぎに、n本目と交わる線分を1本も引けなかったかを判断する(ステップS15)。ステップS15で、n本目と交わる線分を1本も引けなかったと判断した場合には、「エラー:配線できない。」を表示し(ステップS16)、次のネットの配線処理を行なうために(ステップS17)、最初に戻って配線処理を開始する。   Next, it is determined whether or not one line segment intersecting with the nth line could be drawn (step S15). If it is determined in step S15 that no line segment intersecting with the nth line has been drawn, “error: cannot be wired” is displayed (step S16), and the next net is routed (step S16). S17) Returning to the beginning and starting the wiring process.

n本目と交わる線分を1本でも引けたと判断した場合には、n=n+1とし(ステップS18)、第nの線分は、ターゲット地点を含む端子群と接続するかを判断する(ステップS19)。第nの線分は、ターゲット地点を含む端子群と接続しないと判断した場合には、ステップS14に戻る。また、第nの線分は、ターゲット地点を含む端子群と接続すると判断した場合には、接続するターゲット地点を含む端子群に、結線フラグを立てる(ステップS20)。   If it is determined that at least one line segment intersecting the nth line has been drawn, n = n + 1 is set (step S18), and it is determined whether the nth line segment is connected to the terminal group including the target point (step S19). ). If it is determined that the nth line segment is not connected to the terminal group including the target point, the process returns to step S14. When it is determined that the nth line segment is connected to the terminal group including the target point, a connection flag is set in the terminal group including the target point to be connected (step S20).

つぎに、ターゲット地点を含む端子群の全てに、結線フラグが設定されたかを判断する(ステップS21)。ターゲット地点を含む端子群の全てに、結線フラグが設定されていないと判断した場合には、ステップS14に戻る。また、ターゲット地点を含む端子群の全てに、結線フラグが設定されたと判断した場合には、前述したラインサーチ法におけるバックトレース処理を行なう(ステップS22)。   Next, it is determined whether the connection flag has been set for all the terminal groups including the target point (step S21). If it is determined that the connection flag is not set for all the terminal groups including the target point, the process returns to step S14. If it is determined that the connection flag has been set for all the terminal groups including the target point, the back trace process in the above-described line search method is performed (step S22).

さらに、全てのネットの配線処理が終えたかを判断する(ステップS23)。ステップS23で、全てのネットの配線処理が終えたと判断した場合には、配線処理を終了する。なお、全てのネットの配線処理が終えていないと判断した場合には、次のネットの配線処理を行なうために(ステップS24)、最初に戻って配線処理を開始する。   Further, it is determined whether all net wiring processing has been completed (step S23). If it is determined in step S23 that all nets have been wired, the wiring process is terminated. If it is determined that all net wiring processes have not been completed, the process returns to the beginning to start the wiring process in order to perform the next net wiring process (step S24).

つぎに、詳細自動配線処理における配線処理について、図22乃至図25を用いて説明する。
まず、詳細自動配線処理手段20は、レイアウト情報記憶手段11から基板情報を読み出し、この基板情報をもとに全基板層をグリッド化し(ステップS25)、配線禁止領域を設定する(ステップS26)。
Next, the wiring process in the detailed automatic wiring process will be described with reference to FIGS.
First, the detailed automatic wiring processing means 20 reads board information from the layout information storage means 11, forms a grid on all board layers based on this board information (step S25), and sets a wiring prohibited area (step S26).

つぎに、前述した概略自動配線処理によって取得したネットを迷路法によって配線する(ステップS27)のであるが、このステップS27における迷路法については後述する。   Next, the net acquired by the above-described schematic automatic wiring process is wired by the maze method (step S27). The maze method in step S27 will be described later.

つぎに、ステップS27で得られた結果について配線できないかを判断する(ステップS28)。ステップS28で、配線できないと判断した場合には、「Warning:NetXXXは配線できない。」を表示し(ステップS29)、次のネットの配線処理を行なう(ステップS30)ために、ステップS27に戻る。   Next, it is determined whether or not the result obtained in step S27 can be wired (step S28). If it is determined in step S28 that wiring cannot be performed, “Warning: NetXXX cannot be wired” is displayed (step S29), and the process returns to step S27 to perform wiring processing for the next net (step S30).

また、ステップS27で、次のネットを迷路法によって配線処理し、ステップS28で配線できると判断した場合には、さらに全てのネットの配線処理を終えたかを判断し(ステップS31)、全てのネットの配線処理を終えた場合には、配線処理を終了する。また、全てのネットの配線処理を終えていない場合に、次のネットの配線処理を行なう(ステップS30)ために、ステップS27に戻る。   If it is determined in step S27 that the next net is routed by the maze method and it is determined in step S28 that all nets have been routed (step S31), it is determined whether all nets have been routed. When the wiring process is completed, the wiring process is terminated. If all the nets have not been routed, the process returns to step S27 to perform the next net routing process (step S30).

つぎに、ステップS27における迷路法について、図23乃至図35を用いて説明する。
まず、ポートインスタンス(チップの端子に対応)から引き出したビアをスタート地点とする。このビアが存在しない場合には、コネクタのポートから引き出した配線(ポート引出配線に対応)の端部をスタート地点とする(ステップS32)。
Next, the maze method in step S27 will be described with reference to FIGS.
First, a via drawn from a port instance (corresponding to a chip terminal) is set as a start point. If this via does not exist, the end of the wiring drawn out from the connector port (corresponding to the port drawing wiring) is set as the start point (step S32).

つぎに、ターゲット地点はスタート地点としなかった残りのポート引出配線の端部とする(ステップS33)。なお、ターゲット地点は複数ある場合がある。
全グリッドの値の初期化を行なう(ステップS34)。また、スタート地点のグリッドの値を「0」とし(ステップS35)、カレント番号=0とする(ステップS36)。
Next, the target point is the end of the remaining port lead wiring that is not the start point (step S33). There may be a plurality of target points.
All grid values are initialized (step S34). Further, the grid value at the start point is set to “0” (step S35), and the current number = 0 is set (step S36).

取得したグリッドと同じ層の隣接するグリッドに、カレント番号+1の値を設定(ステップS37)し、取得したグリッドと層を跨いで接するグリッドに、カレント番号+ビアコストの値を設定する(ステップS38)。なお、既に値が設定されているグリッドには、上書きをしない。   The value of the current number + 1 is set to the adjacent grid in the same layer as the acquired grid (step S37), and the value of the current number + via cost is set to the grid that is in contact with the acquired grid across the layer (step S38). . Note that grids that already have values are not overwritten.

つぎに、ターゲット地点のグリッドに値が設定されたかを判断する(ステップS39)。ステップS39で、ターゲット地点のグリッドに値が設定されたと判断した場合には、ターゲット地点からスタート地点まで、グリッドに振られた距離が小さくなるように経路を前述した迷路法におけるバックトレース処理を行なう(ステップS40)。なお、経路における屈曲する数が少なくなるように、バックトレース処理を行なう。ステップS40で取得した経路を、そのネットの配線経路とする(ステップS41)。   Next, it is determined whether a value has been set for the grid at the target point (step S39). If it is determined in step S39 that a value has been set for the grid at the target location, the backtrace process in the maze method described above is performed so that the distance from the target location to the start location is reduced. (Step S40). Note that backtrace processing is performed so that the number of bends in the path is reduced. The route acquired in step S40 is set as the wiring route of the net (step S41).

つぎに、他のターゲット地点が存在するかを判断する(ステップS42)。ステップS42で、他のターゲット地点が存在すると判断した場合には、次のターゲット地点を取得する(ステップS43)。つぎに、先に配線した配線経路の全てのグリッドをスタート地点とし(ステップS44)、ステップS34に戻る。   Next, it is determined whether another target point exists (step S42). If it is determined in step S42 that another target point exists, the next target point is acquired (step S43). Next, all grids of the wiring route previously wired are set as start points (step S44), and the process returns to step S34.

また、ステップS39で、ターゲット地点のグリッドに値が設定されていないと判断した場合には、さらに、どのグリッドにも値を設定できなかったかを判断する(ステップS45)。
ステップS45で、どのグリッドにも値を設定できなくはなかった場合には、現カレント番号+1とし(ステップS46)、ステップS37に戻る。
If it is determined in step S39 that no value is set for the grid at the target location, it is further determined whether a value could not be set for any grid (step S45).
If it is determined in step S45 that no value can be set for any grid, the current current number is set to +1 (step S46), and the process returns to step S37.

また、ステップS45で、どのグリッドにも値を設定できなかった場合には、「エラー:ネットxxxは配線できない。」を表示し(ステップS47)、全ターゲットへの配線が正常に終わったかを判断する(ステップS48)。   If no value can be set for any grid in step S45, “Error: Net xxx cannot be wired” is displayed (step S47), and it is determined whether wiring to all targets has been completed normally. (Step S48).

ステップS48で、全ターゲットへの配線が正常に終わらなかった場合には、迷路法を終了する。また、全ターゲットへの配線が正常に終わった場合には、求めた配線経路をライン図形にする(ステップS49)。なお、複数の基板層を跨ぐ配線経路が存在する場合には、跨いでいる場所にビアセルを配置する。また、ポート引出配線と同一層で接する配線がある場合には、ポート引出配線と接する配線とをマージする処理を行なう。また、配線経路のグリッドについて、その周囲nグリッドを配線禁止領域とし(ステップS50)、迷路法を終了する。
なお、ステップS42で、他のターゲット地点が存在しないと判断した場合には、ステップS48に進む。
In step S48, when the wiring to all the targets is not completed normally, the maze method is terminated. Further, when the wiring to all the targets is completed normally, the obtained wiring path is made into a line figure (step S49). In addition, when there is a wiring route straddling a plurality of substrate layers, a via cell is arranged at a straddling location. Further, when there is a wiring that contacts the port lead wiring in the same layer, a process of merging the port lead wiring and the wiring touching is performed. Further, regarding the grid of the wiring path, the surrounding n grid is set as a wiring prohibited area (step S50), and the maze method is terminated.
If it is determined in step S42 that no other target point exists, the process proceeds to step S48.

以上のように、この発明の第1の実施形態における配線方法及び配線支援装置においては、複数の低温焼成多層セラミック基板を相互に連結した単一の回路基板に対して、概略自動配線処理によって、回路基板全体を対象にラインサーチ法により、隣接する低温焼成多層セラミック基板間を結ぶネットの配線が通るコネクタを決定し、ネットを割り当てたうえで、詳細自動配線処理によって、各低温焼成多層セラミック基板を対象に迷路法により、各低温焼成多層セラミック基板内の詳細な配線処理を行なうことで、隣接する低温焼成多層セラミック基板間を連結するコネクタによる制約を考慮しつつ、回路基板内の複数のチップ間を結ぶネットの配線を、最適な配線経路で最短長となるように効率的かつ自動的に行なうことができる。   As described above, in the wiring method and the wiring support apparatus according to the first embodiment of the present invention, a substantially automatic wiring process is performed on a single circuit board in which a plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are connected to each other. The line search method for the entire circuit board is used to determine the connector through which the net wiring connecting adjacent low-temperature fired multilayer ceramic boards passes, and after assigning the nets, each low-temperature fired multilayer ceramic board is subjected to detailed automatic wiring processing. By performing detailed wiring processing in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate by a maze method, a plurality of chips in a circuit board are considered while considering restrictions due to connectors connecting adjacent low-temperature fired multilayer ceramic substrates It is possible to efficiently and automatically perform the wiring of the nets connecting between them so as to be the shortest length with the optimal wiring route.

この発明を実施するための第1の実施形態における配線方法を適用する回路基板の一例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は図1(a)に示す回路基板の矢視A−A線の断面図である。It is a figure which shows an example of the circuit board to which the wiring method in 1st Embodiment for implementing this invention is applied, (a) is a top view, (b) is the arrow of the circuit board shown to Fig.1 (a) It is sectional drawing of a view AA. 図1に示す回路基板の構成部材である低温焼成多層セラミック基板の一例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は図2(a)に示す低温焼成多層セラミック基板の矢視B−B線の断面図である。It is a figure which shows an example of the low-temperature baking multilayer ceramic substrate which is a structural member of the circuit board shown in FIG. 1, (a) is a top view, (b) is an arrow view of the low-temperature baking multilayer ceramic substrate shown in FIG. It is sectional drawing of a BB line. 複数の低温焼成多層セラミック基板を三次元で連結した一例を示す図であり、(a)は部分断面斜視図、(b)は他の例を示す斜視図である。It is a figure which shows an example which connected the several low-temperature baking multilayer ceramic substrate in three dimensions, (a) is a fragmentary sectional perspective view, (b) is a perspective view which shows another example. この発明を実施するための第1の実施形態における配線支援装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the wiring assistance apparatus in 1st Embodiment for implementing this invention. 図4に示す配線支援装置のうち配線条件記憶手段に格納された配線条件の一例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed an example of the wiring conditions stored in the wiring condition memory | storage means among the wiring assistance apparatuses shown in FIG. 図4に示す配線支援装置のうち配線条件記憶手段に格納された配線条件の他の例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the other example of the wiring conditions stored in the wiring condition memory | storage means among the wiring assistance apparatuses shown in FIG. 図4に示す配線支援装置のうち配線条件記憶手段に格納された配線条件のさらに他の例を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the further another example of the wiring conditions stored in the wiring condition memory | storage means among the wiring assistance apparatuses shown in FIG. 図4に示す配線支援装置のうち端子形状補正手段による端子形状の補正処理を説明するための説明図であり、(a)は補正処理前を説明するための説明図、(b)は補正処理後を説明するための説明図である。5A and 5B are explanatory diagrams for explaining a terminal shape correction process performed by a terminal shape correcting unit in the wiring support apparatus shown in FIG. 4, wherein FIG. 5A is an explanatory diagram for explaining before the correction process, and FIG. It is explanatory drawing for demonstrating the back. 図4に示す配線支援装置のうちビア引出配線手段による千鳥配線処理を説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining staggered wiring processing by via lead wiring means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4. 図4に示す配線支援装置のうちポート引出配線手段によるポートからの引出配線処理を説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a lead wiring process from a port by a port lead wiring means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4. 図4に示す配線支援装置のうち概略自動配線処理手段に用いるラインサーチ法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the line search method used for a rough automatic wiring process means among the wiring assistance apparatuses shown in FIG. 図4に示す配線支援装置のうち詳細自動配線処理手段に用いる迷路法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the maze method used for a detailed automatic wiring process means among the wiring assistance apparatuses shown in FIG. 図12に示す迷路法の続きを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the continuation of the maze method shown in FIG. 図13に示す迷路法の続きを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the continuation of the maze method shown in FIG. 図14に示す迷路法の続きを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the continuation of the maze method shown in FIG. 図4に示す配線支援装置のうち詳細自動配線処理手段による電源及びグランド配線の落とし込みを説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining dropping of power supply and ground wiring by detailed automatic wiring processing means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4. 図4に示す配線支援装置のうち詳細自動配線処理手段による電源及びグランド配線の配線処理を説明するための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining wiring processing of power supply and ground wiring by detailed automatic wiring processing means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4. 図4に示す配線支援装置のうち配線マージ手段によるポート引出配線近傍の配線のマージを説明するための説明図であり、(a)はマージ前を説明するための説明図、(b)はマージ後を説明するための説明図である。5A and 5B are explanatory diagrams for explaining the merging of the wiring in the vicinity of the port lead wiring by the wiring merging means in the wiring support apparatus shown in FIG. 4, (a) is an explanatory diagram for explaining before merging, and (b) is the merging. It is explanatory drawing for demonstrating the back. この発明を実施するための第1の実施形態における配線方法の全体の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the whole flow of the wiring method in 1st Embodiment for implementing this invention. 図19に示す配線方法の全体フローのうち概略自動配線処理の全体の流れを示すフローチャートである。FIG. 20 is a flowchart showing an overall flow of a schematic automatic wiring process in the entire flow of the wiring method shown in FIG. 19. FIG. 図20に示すフローチャートの続きを示すフローチャートである。FIG. 21 is a flowchart showing a continuation of the flowchart shown in FIG. 20. FIG. 図19に示す配線方法の全体フローのうち詳細自動配線処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a detailed automatic wiring process among the whole flows of the wiring method shown in FIG. 図22に示す詳細自動配線処理の全体フローのうち迷路法の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a maze method among the whole flows of the detailed automatic wiring process shown in FIG. 図23に示すフローチャートの続きを示すフローチャートである。24 is a flowchart showing a continuation of the flowchart shown in FIG. 図24に示すフローチャートの続きを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the continuation of the flowchart shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 低温焼成多層セラミック基板
1a 第1の低温焼成多層セラミック基板
1b 第2の低温焼成多層セラミック基板
1c 第3の低温焼成多層セラミック基板
1d 第4の低温焼成多層セラミック基板
2 チップ
2a 端子
2b 端子群
3 コネクタ
3a オス型コネクタ
3b メス型コネクタ
3c ポート
3d ポート引出配線
4 ビア落とし込み領域
4a 縁部
5 ビア
6 ビア禁止領域
6a 縁部
7,7a,7b 配線
7c 配線図形
8 線分
8a 第1の線分
8b 第2の線分
8c 第3の線分
9 配線禁止領域
10 配線支援装置
11 レイアウト情報記憶手段
12 配線条件記憶手段
13 端子形状補正手段
14 ビア引出配線手段
15 ポート引出配線手段
16 パラメータ設定手段
17 表示装置
18 入力装置
19 概略自動配線処理手段
20 詳細自動配線処理手段
21 配線マージ手段
22 出力手段
30a,30b 所定の基板層
100 回路基板
200 配線設計CAD装置

1 Low temperature fired multilayer ceramic substrate
1a First low-temperature fired multilayer ceramic substrate
1b Second low-temperature fired multilayer ceramic substrate
1c Third low-temperature fired multilayer ceramic substrate
1d Fourth low-temperature fired multilayer ceramic substrate
2 chips
2a terminal
2b terminal group
3 Connector
3a Male connector
3b Female connector
3c port
3d port lead wiring
4 Via drop area
4a Edge
5 Beer
6 Via prohibited area
6a Edge 7, 7a, 7b Wiring
7c Wiring figure
8 line segments
8a First line segment
8b Second line segment
8c 3rd line segment
9 Wiring prohibited area
10 Wiring support device
11 Layout information storage means
12 Wiring condition storage means
13 Terminal shape correction means
14 Via lead wiring means
15 Port lead wiring means
16 Parameter setting means
17 Display device
18 Input device
19 Outline automatic wiring processing means
20 Detailed automatic wiring processing means
21 Wiring merge means
22 Output means 30a, 30b Predetermined substrate layer 100 Circuit board 200 Wiring design CAD device

Claims (6)

複数の低温焼成多層セラミック基板がコネクタを介して相互に連結されて単一の回路基板をなし、当該単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線支援装置が実行する、回路基板の配線方法であって、
前記配線支援装置が備える概略自動配線処理手段が、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点から前記全てのターゲット地点に達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てる第1のステップと、
前記配線支援装置が備える詳細自動配線処理手段が、前記ネットを参照して、各低温焼成多層セラミック基板内におけるチップの各端子又はコネクタの各ポートのうち1つをスタート地点、当該スタート地点に対応するチップの端子又はコネクタのポートをターゲット地点とし、迷路法により、当該スタート地点からターゲット地点に達するまでグリッド値を設定し、バックトレース処理を行なうことで、前記ネットの配線経路とする第2のステップと、
を有することを特徴とする回路基板の配線方法。
A plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are interconnected via a connector to form a single circuit board, and wiring between chips mounted on the plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates in the single circuit board A circuit board wiring method executed by a circuit board wiring support apparatus ,
The rough automatic wiring processing means provided in the wiring support device uses any terminal in the net to be wired as a start point, a terminal corresponding to the start point as a target point, and from the start point to all the target points by a line search method. A first step of assigning the net to the connector by generating a line segment until it reaches
The detailed automatic wiring processing means provided in the wiring support device refers to the net, and corresponds to the start point of each terminal of the chip or each port of the connector in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate. A second terminal is used as a wiring path of the net by setting a grid value from the start point to the target point by a maze method and performing a backtrace process by using a chip terminal or a connector port as a target point. Steps,
Circuit board how to wire characterized in that it comprises a.
請求項に記載の回路基板の配線方法において、
前記配線支援装置が備える端子形状補正手段が前記チップの一辺にある全ての端子を端子群と定義するステップを、前記第1のステップの前に有し、
前記第1のステップにおける前記概略自動配線処理手段が、配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点を含む端子群から前記ターゲット地点を含む端子群の全てに達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てることを特徴とする回路基板の配線方法。
The circuit board wiring method according to claim 1 ,
The terminal shape correcting means provided in the wiring support device has a step of defining all terminals on one side of the chip as a terminal group before the first step,
The rough automatic wiring processing means in the first step uses a terminal corresponding to the start point as an arbitrary terminal in the net to be wired, and a terminal corresponding to the start point as a target point, and from a terminal group including the start point by a line search method. A circuit board wiring method , wherein a line segment is generated until reaching all of the terminal groups including the target point, and the net is assigned to the connector by performing a backtrace process .
請求項1又は2に記載の回路基板の配線方法において、
前記配線支援装置が備えるビア引出配線手段が前記チップの各端子からビア落とし込み領域の縁部における各ビアまで配線を引き出すステップと、前記配線支援装置が備えるポート引出配線手段が前記コネクタの各ポートからビア禁止領域の縁部まで配線を引き出すステップとを、前記第1のステップと前記第2のステップとの間に有し、
前記第2のステップにおけるチップの各端子が前記ビア落とし込み領域の縁部における各ビア、前記第2のステップにおけるコネクタの各ポートが前記ビア禁止領域の縁部における各ポート引出配線の端部、にそれぞれ対応することを特徴とする回路基板の配線方法。
In the circuit board wiring method according to claim 1 or 2,
A step of drawing out wiring from each terminal of the chip to each via at an edge of a via dropping area; and a port leading wiring means provided in the wiring support device from each port of the connector. Drawing the wiring to the edge of the via-forbidden region, between the first step and the second step,
Each terminal of the chip in the second step is each via in the edge of the via dropping area, each port of the connector in the second step is an end of each port lead wiring in the edge of the via prohibited area, A circuit board wiring method characterized by corresponding to each .
前記請求項に記載の配線方法において、
前記チップの端子は、前記ビアを介してポート引出配線が形成された層まで落とし込み、当該層上の配線により、当該ポート引出配線の端部と接続することを特徴とする回路基板の配線方法。
In the wiring method according to claim 3 ,
The circuit board wiring method according to claim 1, wherein the terminal of the chip is dropped to a layer in which the port lead wiring is formed through the via and is connected to an end portion of the port lead wiring by the wiring on the layer .
前記請求項2又は3に記載の配線方法において、
前記チップの電源又はグランド端子は、前記ビアを介して所定の層まで落とし込み、当該所定の層上の配線を経由して、ビアを介してポート引出配線の端部と接続することを特徴とする回路基板の配線方法。
In the wiring method according to claim 2 or 3 ,
The power supply or ground terminal of the chip is dropped to a predetermined layer through the via, and is connected to the end of the port lead wiring through the via via the wiring on the predetermined layer. Circuit board wiring method.
複数の低温焼成多層セラミック基板がコネクタを介して相互に連結されて単一の回路基板をなし、当該単一の回路基板における複数の低温焼成多層セラミック基板に搭載されたチップ間を配線するための回路基板の配線支援装置であって、  A plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates are interconnected via a connector to form a single circuit board, and wiring between chips mounted on the plurality of low-temperature fired multilayer ceramic substrates in the single circuit board A circuit board wiring support device,
前記チップの一辺にある全ての端子を端子群と定義する端子形状補正手段と、  Terminal shape correcting means for defining all terminals on one side of the chip as a terminal group;
配線するネットにおける任意の端子をスタート地点、当該スタート地点に対応する端子をターゲット地点とし、ラインサーチ法により、当該スタート地点を含む端子群からターゲット地点を含む端子群の全てに達するまで線分を発生させ、バックトレース処理を行なうことで、前記コネクタに前記ネットを割り当てる概略自動配線処理手段と、  Arbitrary terminals on the net to be wired are set as start points, terminals corresponding to the start points are set as target points, and line segments are used to search for line segments from the terminal group including the start point to all the terminal groups including the target point. Generating an automatic trace processing unit that assigns the net to the connector by performing backtrace processing;
前記チップの各端子からビア落とし込み領域の縁部における各ビアまで配線を引き出すビア引出配線手段と、  Via lead wiring means for drawing wiring from each terminal of the chip to each via at the edge of the via drop region;
前記コネクタの各ポートからビア禁止領域の縁部まで配線を引き出すポート引出配線手段と、  Port lead-out wiring means for drawing wiring from each port of the connector to the edge of the via-prohibited area;
前記ネットを参照して、各低温焼成多層セラミック基板内における複数のビア又はポート引出配線の端部のうち1つをスタート地点、当該スタート地点に対応するビア又はポート引出配線の端部をターゲット地点とし、迷路法により、当該スタート地点からターゲット地点に達するまでグリッド値を設定し、バックトレース処理を行なうことで、前記ネットの配線経路とする詳細自動配線処理手段と、  Referring to the net, one end of a plurality of vias or port lead wires in each low-temperature fired multilayer ceramic substrate is a start point, and the end of the via or port lead wire corresponding to the start point is a target point. And, by setting the grid value from the start point to the target point by the maze method, by performing the back trace process, detailed automatic wiring processing means as the wiring path of the net,
を備えていることを特徴とする回路基板の配線支援装置。A circuit board wiring support apparatus comprising:
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