JP4879522B2 - Display device and electronic apparatus using the same - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子を含む表示装置及びその駆動方法、テレビジョン装置に関する。 The present invention relates to a display device including a light-emitting element, a driving method thereof, and a television device.

また本発明は、発光素子を含む表示装置を用いた電子機器に関する。 The present invention also relates to an electronic device using a display device including a light emitting element.

近年、EL(Electro Luminescence)素子を代表とする発光素子を含む表示装置の開発が進められ、自発光型ゆえの高画質、広視野角、薄型、軽量等の利点を活かして、幅広い利用が期待されている。 In recent years, the development of display devices including light emitting elements typified by EL (Electro Luminescence) elements has been promoted, and a wide range of uses is expected by taking advantage of self-luminous type such as high image quality, wide viewing angle, thinness, and light weight. Has been.

発光素子を含む表示装置において、新規の駆動方法および回路を用いることにより、デューティ比(発光期間と、発光期間と非発光期間の合計の期間との比)の低下に起因した、輝度不足を始めとした問題点を改善することを目的とするものがある(例えば、特許文献1参照)。上記の特許文献1は、1ゲート信号線選択期間内に、異なる複数段の画素に信号を書き込む点に特徴がある。それにより、ある段の画素において、信号を入力してから次の信号を入力するまでの時間を、画素への書き込み時間を確保した上である程度任意に設定することにより、サステイン(点灯)期間を任意に設定し、高デューティ比を実現する。また、リセット線を設けることなく、電気光学装置の多階調表示を時間階調方式により行う方法を提供するものがある(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−324958号公報 特開2002−175047号公報
In a display device including a light emitting element, by using a novel driving method and circuit, luminance shortage due to a decrease in duty ratio (a ratio of a light emitting period to a total period of a light emitting period and a non-light emitting period) is started. There is one that aims to improve the problem described above (for example, see Patent Document 1). The above-mentioned Patent Document 1 is characterized in that a signal is written to a plurality of different stages of pixels within one gate signal line selection period. As a result, in a pixel at a certain stage, the time from when a signal is input to when the next signal is input is set arbitrarily to some extent while ensuring the writing time to the pixel, thereby reducing the sustain (lighting) period. Set arbitrarily to achieve a high duty ratio. In addition, there is a method that performs multi-gradation display of an electro-optical device by a time gradation method without providing a reset line (see, for example, Patent Document 2).
JP 2001-324958 A JP 2002-175047 A

上記の特許文献1、2の駆動方法を採用すると、ゴーストとよばれる表示不良が発生することがあった。ゴーストとは、例えば、表示画面の中央に画像(ここでは白いボックスとする)を表示する際に、その上下に、同じ画像が表示されてしまう現象である(図15参照)。このようなゴーストとよばれる表示不良の発生は、ソースドライバが画素にビデオ信号を出力する期間と、消去用の第2のゲートドライバがゲート線を選択する期間(ここではi行目のゲート線とする)とが重なった期間(図面ではTkで示す)が生じてしまい、消去動作を行う画素に対してビデオ信号の書き込みが行われてしまうことが原因である(図16参照)。上記の実情を鑑み、本発明は、ゴーストとよばれる表示不良の発生を防止する表示装置及びその駆動方法、並びにテレビジョン装置を提供することを課題とする。 When the driving methods disclosed in Patent Documents 1 and 2 are employed, a display defect called ghost may occur. Ghost is a phenomenon in which, for example, when an image (here, a white box) is displayed at the center of the display screen, the same image is displayed above and below (see FIG. 15). Such a display failure called ghost occurs in a period in which the source driver outputs a video signal to the pixel and a period in which the second gate driver for erasing selects a gate line (here, the gate line in the i-th row). This is because a video signal is written to a pixel to be erased (see FIG. 16). In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a display device, a driving method thereof, and a television device that prevent a display defect called a ghost.

本発明は、従来は1つであったゲート用制御信号(GWE)を、第1のゲート用制御信号(GWE1)と第2のゲート用制御信号(GWE2)の2つに分けることで、ソースドライバが画素にビデオ信号を出力する期間と、消去用のゲートドライバがゲート線を選択する期間とが重ならないように設定する。そして、消去動作を行う画素に対してビデオ信号の書き込みが行われないようにすることで、ゴーストとよばれる表示不良の発生を防止する。 The present invention divides a gate control signal (GWE), which has conventionally been one, into two signals, a first gate control signal (GWE1) and a second gate control signal (GWE2). The period in which the driver outputs a video signal to the pixel and the period in which the erasing gate driver selects the gate line are set so as not to overlap. Then, by preventing the video signal from being written to the pixel for which the erasing operation is performed, the occurrence of a display defect called a ghost is prevented.

本発明は、従来用いていた1つのゲート用制御信号(GWE)に加えて、パルス幅制御信号(PWC)を用いることで、ソースドライバが画素にビデオ信号を出力する期間と、消去用のゲートドライバがゲート線を選択する期間とが重ならないように設定する。そして、消去動作を行う画素に対してビデオ信号の書き込みが行われないようにすることで、ゴーストとよばれる表示不良の発生を防止する。 The present invention uses a pulse width control signal (PWC) in addition to one conventionally used gate control signal (GWE), so that a source driver outputs a video signal to a pixel and an erasing gate. Set so that it does not overlap with the period when the driver selects the gate line. Then, by preventing the video signal from being written to the pixel for which the erasing operation is performed, the occurrence of a display defect called a ghost is prevented.

本発明の表示装置は、複数の画素を含む画素領域と、ソースドライバと、第1のゲートドライバと、第2のゲートドライバと、制御信号発生回路を有する。複数の画素の各々は、発光素子と、画素に対するビデオ信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ(第1のトランジスタ)と、発光素子の発光と非発光を制御する駆動用トランジスタ(第2のトランジスタ)と、ビデオ信号を保持する容量素子とを有する。ソースドライバは、パルス出力回路と、ラッチ回路と、制御信号発生回路から出力されるソース用制御信号に基づき動作する選択回路とを有する。 The display device of the present invention includes a pixel region including a plurality of pixels, a source driver, a first gate driver, a second gate driver, and a control signal generation circuit. Each of the plurality of pixels includes a light emitting element, a switching transistor (first transistor) that controls input of a video signal to the pixel, and a driving transistor (second transistor) that controls light emission and non-light emission of the light emitting element. And a capacitor for holding a video signal. The source driver includes a pulse output circuit, a latch circuit, and a selection circuit that operates based on a source control signal output from the control signal generation circuit.

第1のゲートドライバと第2のゲートドライバの各々は、パルス出力回路と、制御信号発生回路から出力される第1のゲート用制御信号と第2のゲート用制御信号に基づき動作するバッファ回路とを有する。 Each of the first gate driver and the second gate driver includes a pulse output circuit, a buffer circuit that operates based on the first gate control signal and the second gate control signal output from the control signal generation circuit, and Have

または、第1のゲートドライバと第2のゲートドライバの各々は、パルス出力回路と、制御信号発生回路から出力されるゲート用制御信号とパルス幅制御信号に基づき動作するバッファ回路とを有する。 Alternatively, each of the first gate driver and the second gate driver includes a pulse output circuit, and a buffer circuit that operates based on the gate control signal and the pulse width control signal output from the control signal generation circuit.

上記構成を有する表示装置において、バッファ回路は、少なくとも3つの入力ノードと、1つの出力ノードとを有する。そして、3つの入力ノードのうち、1つはパルス出力回路に接続し、1つは第1のゲート用制御信号線を介して制御信号発生回路に接続し、残りの1つは第2のゲート用制御信号線を介して制御信号発生回路に接続し、出力ノードはゲート線に接続する。 In the display device having the above structure, the buffer circuit has at least three input nodes and one output node. Of the three input nodes, one is connected to the pulse output circuit, one is connected to the control signal generation circuit via the first gate control signal line, and the remaining one is the second gate. The control node is connected to the control signal generation circuit via the control signal line, and the output node is connected to the gate line.

または、上記構成を有する表示装置において、バッファ回路は、3つの入力ノードのうち、1つはパルス出力回路に接続し、1つはゲート用制御信号線に接続し、残りの1つはパルス幅制御信号線に接続し、出力ノードはゲート線に接続する。 Alternatively, in the display device having the above structure, one of the three input nodes of the buffer circuit is connected to the pulse output circuit, one is connected to the gate control signal line, and the remaining one is the pulse width. Connected to the control signal line, the output node is connected to the gate line.

本発明の表示装置は、複数の画素を含む画素領域と、ソースドライバと、第1のゲートドライバと、第2のゲートドライバと、信号を生成する回路(制御信号発生回路に相当)を有する。複数の画素の各々は、発光素子と、画素に対するビデオ信号の入力を制御する第1のトランジスタ(スイッチング用トランジスタに相当)と、発光素子の発光と非発光を制御する第2のトランジスタ(駆動用トランジスタに相当)と、ビデオ信号を保持する容量素子とを有する。ソースドライバは、パルス出力回路と、ラッチ回路と、回路から出力される第1の信号に基づき動作する選択回路を有する。第1のゲートドライバと第2のゲートドライバの各々は、パルス出力回路と、信号を生成する回路から出力される第2の信号と第3の信号に基づき動作するバッファ回路を有する。 The display device of the present invention includes a pixel region including a plurality of pixels, a source driver, a first gate driver, a second gate driver, and a circuit (corresponding to a control signal generation circuit) that generates a signal. Each of the plurality of pixels includes a light emitting element, a first transistor for controlling input of a video signal to the pixel (corresponding to a switching transistor), and a second transistor for controlling light emission and non-light emission of the light emitting element (for driving). Equivalent to a transistor) and a capacitor for holding a video signal. The source driver includes a pulse output circuit, a latch circuit, and a selection circuit that operates based on a first signal output from the circuit. Each of the first gate driver and the second gate driver includes a pulse output circuit, and a buffer circuit that operates based on the second signal and the third signal output from the signal generation circuit.

第1の信号は、ソース用制御信号に相当する。また、第2の信号と第3の信号は、第2の信号が第1のゲート用制御信号に相当し、第3の信号が第2のゲート用制御信号に相当する場合と、第2の信号がゲート用制御信号に相当し、第3の信号がパルス幅制御信号に相当する場合の2つの場合がある。 The first signal corresponds to a source control signal. The second signal and the third signal include a case where the second signal corresponds to the first gate control signal and the third signal corresponds to the second gate control signal, There are two cases where the signal corresponds to the gate control signal and the third signal corresponds to the pulse width control signal.

第1のゲートドライバと第2のゲートドライバの各々は、パルス出力回路と、回路から出力される第2の信号と第3の信号に基づき動作するバッファ回路を有する。バッファ回路は、少なくとも3つの入力ノードと、1つの出力ノードとを有する。3つの入力ノードのうち、1つはパルス出力回路に接続し、1つは第1の信号線(第1の制御信号線ともいう)を介して回路に接続し、残りの1つは第2の信号線(第2の制御信号線ともいう)を介して回路に接続する。また、出力ノードはゲート線に接続する。第1の信号線と第2の信号線は、第1の信号線が第1のゲート用制御信号線に相当し、第2の信号線が第2のゲート用制御信号線に相当する場合と、第1の信号線がゲート用制御信号線に相当し、第2の信号線がパルス幅制御信号線に相当する場合の2つの場合がある。 Each of the first gate driver and the second gate driver includes a pulse output circuit and a buffer circuit that operates based on the second signal and the third signal output from the circuit. The buffer circuit has at least three input nodes and one output node. Of the three input nodes, one is connected to the pulse output circuit, one is connected to the circuit via the first signal line (also referred to as the first control signal line), and the other one is the second. Are connected to the circuit via a signal line (also referred to as a second control signal line). The output node is connected to the gate line. Of the first signal line and the second signal line, the first signal line corresponds to the first gate control signal line, and the second signal line corresponds to the second gate control signal line. There are two cases where the first signal line corresponds to a gate control signal line and the second signal line corresponds to a pulse width control signal line.

第1のゲート用制御信号と第2のゲート用制御信号は、第1の電位のときの第1の期間と、第2の電位のときの第2の期間の長さが異なる信号である。また、パルス幅制御信号は、第1の電位のときの第1の期間と、第2の電位のときの第2の期間の長さが異なる信号である。第1の電位と第2の電位の一方の電位は、Hレベルの信号の電位に相当し、第1の電位と第2の電位の他方の電位は、Lレベルの信号の電位に相当する。 The first gate control signal and the second gate control signal are signals having different lengths of the first period at the first potential and the second period at the second potential. The pulse width control signal is a signal in which the length of the first period at the first potential is different from the length of the second period at the second potential. One of the first potential and the second potential corresponds to the potential of the H level signal, and the other of the first potential and the second potential corresponds to the potential of the L level signal.

本発明の表示装置は、複数の画素を含む画素領域と、ソースドライバと、第1のゲートドライバと、第2のゲートドライバと、制御信号発生回路を有する。1フレーム期間は書き込み期間と点灯期間を有し、書き込み期間は複数のゲート選択期間を有し、複数のゲート選択期間の各々は第1のサブゲート選択期間と第2のサブゲート選択期間を有する。 The display device of the present invention includes a pixel region including a plurality of pixels, a source driver, a first gate driver, a second gate driver, and a control signal generation circuit. One frame period has a writing period and a lighting period, the writing period has a plurality of gate selection periods, and each of the plurality of gate selection periods has a first sub-gate selection period and a second sub-gate selection period.

第1のサブゲート選択期間において、制御信号発生回路から伝達される第1のゲート用制御信号と第2のゲート用制御信号、又はゲート用制御信号とパルス幅制御信号に基づき、第1のゲートドライバが含むバッファ回路は動作状態となり、第2のゲートドライバが含むバッファ回路はハイインピーダンス状態となり、第1のゲートドライバが含むバッファ回路は第1のゲート線を選択する。また、制御信号発生回路から伝達されるソース用制御信号に基づき、ソースドライバは第1のゲート線に接続するトランジスタを含む画素にビデオ信号を出力する。 Based on the first gate control signal and the second gate control signal or the gate control signal and the pulse width control signal transmitted from the control signal generation circuit in the first sub-gate selection period, the first gate driver The buffer circuit included in the first gate driver enters the operating state, the buffer circuit included in the second gate driver enters the high impedance state, and the buffer circuit included in the first gate driver selects the first gate line. Further, based on the source control signal transmitted from the control signal generation circuit, the source driver outputs a video signal to a pixel including a transistor connected to the first gate line.

第2のサブゲート選択期間において、制御信号発生回路から伝達される第1のゲート用制御信号と第2のゲート用制御信号、又はゲート用制御信号とパルス幅制御信号に基づき、第1のゲートドライバが含むバッファ回路はハイインピーダンス状態となり、第2のゲートドライバが含むバッファ回路は動作状態となり、第2のゲートドライバが含むバッファ回路は第2のゲート線を選択する。また、制御信号発生回路から伝達されるソース用制御信号に基づき、ソースドライバは第2のゲート線に接続するトランジスタを含む画素に消去信号を出力する。 In the second sub-gate selection period, the first gate driver based on the first gate control signal and the second gate control signal or the gate control signal and the pulse width control signal transmitted from the control signal generation circuit The buffer circuit included in the second gate driver enters the high impedance state, the buffer circuit included in the second gate driver enters the operating state, and the buffer circuit included in the second gate driver selects the second gate line. Further, based on the source control signal transmitted from the control signal generation circuit, the source driver outputs an erase signal to the pixel including the transistor connected to the second gate line.

そして、ソースドライバがビデオ信号を出力する期間と、第2のゲート線を選択する期間は重ならないことを特徴とする。 The period in which the source driver outputs the video signal and the period in which the second gate line is selected do not overlap.

なお、ハイインピーダンス状態とは、回路の出力が電気的に接続されていない状態を指す。また、動作状態とは、ハイインピーダンス状態の反対の意味であり、回路の出力が電気的に接続された状態を指す。 Note that the high impedance state refers to a state where the output of the circuit is not electrically connected. Further, the operating state means the opposite of the high impedance state, and indicates a state where the output of the circuit is electrically connected.

上記構成を有する本発明により、ゴーストとよばれる表示不良の発生を防止することができる。 According to the present invention having the above-described configuration, it is possible to prevent the occurrence of display failure called ghost.

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
(実施の形態1)
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in the structures of the present invention described below, the same reference numerals are used in common in different drawings.
(Embodiment 1)

本発明の表示装置は、画素10がマトリクス状に複数配置された画素領域40と、第1のゲートドライバ41と、第2のゲートドライバ42と、ソースドライバ43とを有する(図1参照)。第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42は、画素領域40を挟んで対向するように配置するか、画素領域40の上下左右の四方のうちの一方に配置する。 The display device of the present invention includes a pixel region 40 in which a plurality of pixels 10 are arranged in a matrix, a first gate driver 41, a second gate driver 42, and a source driver 43 (see FIG. 1). The first gate driver 41 and the second gate driver 42 are disposed so as to face each other with the pixel region 40 interposed therebetween, or are disposed in one of the upper, lower, left, and right sides of the pixel region 40.

また、本発明の表示装置は、ソース用制御信号(SWE)と、第1の制御信号(Signal1)と、第2の制御信号(Signal2)とを生成する制御信号発生回路39とを有する。 In addition, the display device of the present invention includes a control signal generation circuit 39 that generates a source control signal (SWE), a first control signal (Signal1), and a second control signal (Signal2).

制御信号発生回路39が発生する信号を具体的に説明すると、第1の制御信号(Signal1)が第1のゲート用制御信号(GWE1、GWE1B、GWE1BはGWE1の反転信号)であり、第2の制御信号(Signal2)が第2のゲート用制御信号(GWE2、GWE2B、GWE2BはGWE2の反転信号)の場合と、第1の制御信号(Signal1)がゲート用制御信号(GWE、GWEB、GWEBはGWEの反転信号)であり、第2の制御信号(Signal2)がパルス幅制御信号(PWC)の場合の合わせて2つの場合がある。 The signal generated by the control signal generation circuit 39 will be described in detail. The first control signal (Signal1) is the first gate control signal (GWE1, GWE1B, GWE1B is the inverted signal of GWE1), and the second When the control signal (Signal2) is the second gate control signal (GWE2, GWE2B, GWE2B is an inverted signal of GWE2), the first control signal (Signal1) is the gate control signal (GWE, GWEB, GWEB is GWE). Inverted signal), and the second control signal (Signal2) is a pulse width control signal (PWC).

第1の制御信号が第1のゲート用制御信号(GWE1、GWE1B)であり、第2の制御信号が第2のゲート用制御信号(GWE2、GWE2B)の場合、制御信号発生回路39は、第1の制御信号線37を介してGWE1を出力し、第2の制御信号線38を介してGWE2を出力し、第1の制御信号線71を介してGWE1B(GWE1の反転信号)を出力し、第2の制御信号線72を介してGWE2B(GWE2の反転信号)を出力する。または、制御信号発生回路39は、第1の制御信号線37を介してGWE1Bを出力し、第2の制御信号線38を介してGWE2Bを出力し、第1の制御信号線71を介してGWE1を出力し、第2の制御信号線72を介してGWE2を出力する。 When the first control signal is the first gate control signal (GWE1, GWE1B) and the second control signal is the second gate control signal (GWE2, GWE2B), the control signal generation circuit 39 GWE1 is output via the first control signal line 37, GWE2 is output via the second control signal line 38, and GWE1B (inverted signal of GWE1) is output via the first control signal line 71. GWE2B (inverted signal of GWE2) is output via the second control signal line 72. Alternatively, the control signal generation circuit 39 outputs GWE1B via the first control signal line 37, outputs GWE2B via the second control signal line 38, and GWE1 via the first control signal line 71. And GWE2 is output via the second control signal line 72.

上記の2つの場合、第1の制御信号線37、71は第1のゲート用制御信号線ともよび、第2の制御信号線38、72は第2のゲート用制御信号線ともよぶ。また、第1のゲート用制御信号は、GWE1とGWE1Bの総称とし、第2のゲート用制御信号は、GWE2とGWE2Bの総称とする。なお、第1の制御信号線37と第2の制御信号線38、又は、第1の制御信号線71と第2の制御信号線72にインバータを設けることで、第1の制御信号線37、71に同じ信号(つまりGWE1又はGWE1B)を出力し、第2の制御信号線38、72に同じ信号(つまりGWE2又はGWE2B)を出力してもよい。 In the above two cases, the first control signal lines 37 and 71 are also called first gate control signal lines, and the second control signal lines 38 and 72 are also called second gate control signal lines. The first gate control signal is a generic name for GWE1 and GWE1B, and the second gate control signal is a generic name for GWE2 and GWE2B. The first control signal line 37 and the second control signal line 38, or the first control signal line 71 and the second control signal line 72 are provided with inverters, so that the first control signal line 37 and The same signal (that is, GWE1 or GWE1B) may be output to 71, and the same signal (that is, GWE2 or GWE2B) may be output to the second control signal lines 38 and 72.

第1の制御信号がゲート用制御信号(GWE)であり、第2の制御信号がパルス幅制御信号(PWC)の場合、制御信号発生回路39は、第1の制御信号線37を介してGWEを出力し、第2の制御信号線38を介してPWCを出力し、第1の制御信号線71を介してGWEB(GWEの反転信号)を出力し、第2の制御信号線72を介してPWCを出力する。または、制御信号発生回路39は、第1の制御信号線37を介してGWEBを出力し、第2の制御信号線38を介してPWCを出力し、第1の制御信号線71を介してGWEを出力し、第2の制御信号線72を介してPWCを出力する。 When the first control signal is the gate control signal (GWE) and the second control signal is the pulse width control signal (PWC), the control signal generation circuit 39 sends the GWE via the first control signal line 37. , PWC is output via the second control signal line 38, GWEB (inverted signal of GWE) is output via the first control signal line 71, and via the second control signal line 72 Output PWC. Alternatively, the control signal generation circuit 39 outputs GWEB via the first control signal line 37, outputs PWC via the second control signal line 38, and GWE via the first control signal line 71. And PWC is output via the second control signal line 72.

上記の2つの場合、第1の制御信号線37、71はゲート用制御信号線ともよび、第2の制御信号線38、72はパルス幅制御信号線ともよぶ。また、ゲート用制御信号はGWEとGWEBの総称とする。なお、第1の制御信号線37又は71には、インバータを設けることで、第1の制御信号線37と71に同じ信号(つまりGWE又はGWEB)を出力してもよい。 In the above two cases, the first control signal lines 37 and 71 are also called gate control signal lines, and the second control signal lines 38 and 72 are also called pulse width control signal lines. The gate control signal is a generic name for GWE and GWEB. Note that the first control signal line 37 or 71 may be provided with an inverter to output the same signal (that is, GWE or GWEB) to the first control signal lines 37 and 71.

画素10は、ソース線Sx(xは自然数、mは2以上の整数、1≦x≦m)と、ゲート線Gy(yは自然数、nは2以上の整数、1≦y≦n)が絶縁体を介して交差する領域に複数の素子を含む。また、画素10は、発光素子13と、容量素子16と、2つのトランジスタとを有する。2つのトランジスタのうち、1つは画素10に対するビデオ信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ11であり、もう1つは発光素子13の点灯(発光)と非点灯(非発光)を制御する駆動用トランジスタ12である。スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12は共に電界効果型トランジスタであり、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3つの端子を有する。 In the pixel 10, the source line Sx (x is a natural number, m is an integer of 2 or more, 1 ≦ x ≦ m) and the gate line Gy (y is a natural number, n is an integer of 2 or more, 1 ≦ y ≦ n) are insulated. A plurality of elements are included in a region intersecting with the body. The pixel 10 includes a light emitting element 13, a capacitor element 16, and two transistors. Of the two transistors, one is a switching transistor 11 that controls input of a video signal to the pixel 10, and the other is a driving transistor that controls lighting (light emission) and non-lighting (non-light emission) of the light emitting element 13. This is the transistor 12. Each of the switching transistor 11 and the driving transistor 12 is a field effect transistor, and has three terminals of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.

スイッチング用トランジスタ11のゲート電極はゲート線Gyに接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方はソース線Sxに接続し、他方は駆動用トランジスタ12のゲート電極に接続する。駆動用トランジスタ12のソース電極及びドレイン電極の一方は電源線Vx(xは自然数、1≦x≦m)に接続し、他方は発光素子13の画素電極に接続する。発光素子13の対向電極は対向電源18に接続する。容量素子16は駆動用トランジスタ12のゲート電極とソース電極の間に設けられる。 The gate electrode of the switching transistor 11 is connected to the gate line Gy, one of the source electrode and the drain electrode is connected to the source line Sx, and the other is connected to the gate electrode of the driving transistor 12. One of the source electrode and the drain electrode of the driving transistor 12 is connected to the power supply line Vx (x is a natural number, 1 ≦ x ≦ m), and the other is connected to the pixel electrode of the light emitting element 13. The counter electrode of the light emitting element 13 is connected to the counter power source 18. The capacitor 16 is provided between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor 12.

駆動用トランジスタ12のソース電極(ソース、ソース領域ともいう)及びドレイン電極(ドレイン、ドレイン領域ともいう)の一方(電源線Vxに接続されている側のノードに相当)は、一定の電位に保たれている。また、発光素子13の対向電極は、配線を介して、対向電源18に接続されている。発光素子13の対向電極は、一定の電位に保たれている。 One of a source electrode (also referred to as a source and a source region) and a drain electrode (also referred to as a drain and a drain region) of the driving transistor 12 (corresponding to a node connected to the power supply line Vx) is kept at a constant potential. I'm leaning. Further, the counter electrode of the light emitting element 13 is connected to the counter power source 18 through a wiring. The counter electrode of the light emitting element 13 is kept at a constant potential.

スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12の導電型は制約されず、N型(Nチャネル型)とP型(Pチャネル型)のどちらの導電型でもよいが、図示する構成では、スイッチング用トランジスタ11はN型、駆動用トランジスタ12はP型の場合を示す。電源線Vxの電位と対向電源18の電位も制約されないが、発光素子13に順方向バイアス又は逆方向バイアスの電圧が印加されるように、互いに異なる電位に設定する。 The conductivity types of the switching transistor 11 and the driving transistor 12 are not limited and may be either N-type (N-channel type) or P-type (P-channel type). However, in the illustrated configuration, the switching transistor 11 Indicates an N type, and the driving transistor 12 is a P type. The potential of the power supply line Vx and the potential of the counter power supply 18 are not limited, but are set to different potentials so that a forward bias voltage or a reverse bias voltage is applied to the light emitting element 13.

上記構成を有する本発明の表示装置は、画素10に配置するトランジスタの個数が2つである点を特徴とする。上記特徴により、1つの画素10にレイアウトするトランジスタの個数が少なくし、またトランジスタの個数が少ないことから、必然的に配置する配線の本数を少なくすることができるため、高開口率、高精細化、高歩留まりを実現する。また、高開口率が実現すると、光を発する面積の増加に伴って、ある電圧に対する発光素子の輝度を下げることができる。つまり、ある電圧に対する発光素子の電流密度を下げることができる。従って、表示装置の駆動電圧を下げることができるため、表示装置の消費電力を削減することができる。また、表示装置の駆動電圧を下げることで、発光素子13の信頼性を向上させることができる。 The display device of the present invention having the above structure is characterized in that the number of transistors arranged in the pixel 10 is two. With the above feature, the number of transistors laid out in one pixel 10 is reduced, and the number of transistors is small, so that the number of wirings inevitably arranged can be reduced, so that a high aperture ratio and high definition are achieved. Realize high yield. Further, when a high aperture ratio is realized, the luminance of the light-emitting element with respect to a certain voltage can be lowered with an increase in the area that emits light. That is, the current density of the light emitting element with respect to a certain voltage can be lowered. Therefore, since the driving voltage of the display device can be reduced, the power consumption of the display device can be reduced. In addition, the reliability of the light emitting element 13 can be improved by reducing the driving voltage of the display device.

また、本発明の表示装置は、駆動用トランジスタ12を線形領域で動作させることを特徴とする。上記特徴により、飽和領域で動作させる場合と比較すると、表示装置自体の駆動電圧を低くすることができるため、消費電力を削減することができる。 The display device of the present invention is characterized in that the driving transistor 12 is operated in a linear region. With the above characteristics, the driving voltage of the display device itself can be lowered compared with the case of operating in the saturation region, so that power consumption can be reduced.

スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12を構成する半導体は、非晶質半導体(アモルファスシリコン)、微結晶半導体、多結晶半導体(ポリシリコン)、有機半導体等のいずれもよい。微結晶半導体は、シランガス(SiH4)とフッ素ガス(F2)を用いて形成するか、シランガスと水素ガスを用いて形成するか、上記に挙げたガスを用いて薄膜を形成後にレーザ光の照射を行って形成するとよい。 The semiconductor constituting the switching transistor 11 and the driving transistor 12 may be any of an amorphous semiconductor (amorphous silicon), a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor (polysilicon), an organic semiconductor, and the like. The microcrystalline semiconductor is formed by using silane gas (SiH 4 ) and fluorine gas (F 2 ), by using silane gas and hydrogen gas, or after forming a thin film by using the gas mentioned above, It may be formed by irradiation.

スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12のゲート電極は、導電性材料により単層又は積層で形成する。例えば、タングステン(W)、窒化タングステン(WN、タングステン(W)と窒素(N)の組成比は制約されない)の積層構造や、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、Moの積層構造、Mo、窒化モリブデン(MoN、モリブデン(Mo)と窒素(N)の組成比は制約されない)の積層構造を採用するとよい。 The gate electrodes of the switching transistor 11 and the driving transistor 12 are formed of a single layer or stacked layers using a conductive material. For example, a laminated structure of tungsten (W), tungsten nitride (WN, composition ratio of tungsten (W) and nitrogen (N) is not limited), a laminated structure of molybdenum (Mo), aluminum (Al), Mo, Mo, A laminated structure of molybdenum nitride (MoN, the composition ratio of molybdenum (Mo) and nitrogen (N) is not limited) may be employed.

スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12が含む不純物領域(ソース電極とドレイン電極)に接続する導電層(ソースドレイン配線)は、導電性材料により単層又は積層で形成する。例えば、チタン(Ti)、アルミニウムシリコン(Al−Si、珪素(Si)が添加されたアルミニウム(Al)に相当する)、Tiの積層構造、Mo、Al−Si、Moの積層構造、MoN、Al−Si、MoNの積層構造を採用するとよい。または、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料を用いて形成するとよい。 The conductive layer (source / drain wiring) connected to the impurity regions (source and drain electrodes) included in the switching transistor 11 and the driving transistor 12 is formed as a single layer or a stacked layer using a conductive material. For example, titanium (Ti), aluminum silicon (Al-Si, equivalent to aluminum (Al) with silicon (Si) added), Ti laminated structure, Mo, Al-Si, Mo laminated structure, MoN, Al A stacked structure of -Si and MoN may be employed. Alternatively, a material containing aluminum as a main component and containing nickel or an alloy material containing aluminum as a main component and containing nickel and one or both of carbon and silicon may be used.

ソースドライバ43は、パルス出力回路44、ラッチ回路45及び選択回路46を有する。ラッチ回路45は第1のラッチ回路47と第2のラッチ回路48を有する。 The source driver 43 includes a pulse output circuit 44, a latch circuit 45, and a selection circuit 46. The latch circuit 45 includes a first latch circuit 47 and a second latch circuit 48.

選択回路46は、制御信号発生回路39から出力されるソース用制御信号(SWE)に基づき動作するものであり、消去用トランジスタ49と、アナログスイッチ50を有する。消去用トランジスタ49とアナログスイッチ50は、ソース線Sxに対応して、各列に設けられる。インバータ51は、ソース用制御信号の反転信号を生成するためのものであり、外部からソース用制御信号の反転信号を供給する場合には設けなくてもよい。消去用トランジスタ49のゲート電極はソース用制御信号線52を介して制御信号発生回路39に接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方はソース線Sxに接続し、他方は消去用電源53に接続する。 The selection circuit 46 operates based on the source control signal (SWE) output from the control signal generation circuit 39, and includes an erasing transistor 49 and an analog switch 50. The erasing transistor 49 and the analog switch 50 are provided in each column corresponding to the source line Sx. The inverter 51 is for generating an inverted signal of the source control signal, and may not be provided when an inverted signal of the source control signal is supplied from the outside. The gate electrode of the erasing transistor 49 is connected to the control signal generating circuit 39 via the source control signal line 52, one of the source electrode and the drain electrode is connected to the source line Sx, and the other is connected to the erasing power supply 53. .

アナログスイッチ50は、第2のラッチ回路48とソース線Sxの間に設けられる。アナログスイッチ50の入力ノードは第2のラッチ回路48に接続し、出力ノードはソース線Sxに接続する。アナログスイッチ50の2つの制御ノードは、一方はソース用制御信号線52に接続し、他方はインバータ51を介してソース用制御信号線52に接続する。 The analog switch 50 is provided between the second latch circuit 48 and the source line Sx. The input node of the analog switch 50 is connected to the second latch circuit 48, and the output node is connected to the source line Sx. One of the two control nodes of the analog switch 50 is connected to the source control signal line 52, and the other is connected to the source control signal line 52 via the inverter 51.

消去用電源53は、画素10が含む駆動用トランジスタ12をオフにする電位を供給するものであり、駆動用トランジスタ12がN型の場合は消去用電源53の電位をLレベルとし、駆動用トランジスタ12がP型の場合は消去用電源53の電位をHレベルとする。 The erasing power supply 53 supplies a potential for turning off the driving transistor 12 included in the pixel 10. When the driving transistor 12 is N-type, the potential of the erasing power supply 53 is set to L level, and the driving transistor If 12 is P-type, the potential of the erasing power supply 53 is set to H level.

ソースドライバ43が含むパルス出力回路44は、複数のフリップフロップ回路からなるシフトレジスタに相当する。ソースドライバ43の構成は上記の記載に制約されず、レベルシフタやバッファ、保護回路などを設けてもよい。 The pulse output circuit 44 included in the source driver 43 corresponds to a shift register including a plurality of flip-flop circuits. The configuration of the source driver 43 is not limited to the above description, and a level shifter, a buffer, a protection circuit, and the like may be provided.

パルス出力回路44には、クロック信号(図面ではSCKと表記)、クロック反転信号(図面ではSCKBと表記)及びスタートパルス(図面ではSSPと表記)が入力され、これらの信号のタイミングに従って、第1のラッチ回路47にサンプリングパルスを出力する。 A clock signal (denoted as SCK in the drawing), a clock inversion signal (denoted as SCKB in the drawing), and a start pulse (denoted as SSP in the drawing) are input to the pulse output circuit 44, and the first signal is output in accordance with the timing of these signals. A sampling pulse is output to the latch circuit 47.

データ(図面ではDATAと表記)が入力される第1のラッチ回路47は、サンプリングパルスが入力されるタイミングに従って、1列目から最終列目までビデオ信号を保持する。第2のラッチ回路48は、ラッチパルス(図面ではSLATと表記)が入力されると、第1のラッチ回路47に保持されていたビデオ信号を、一斉に第2のラッチ回路48に転送する。 The first latch circuit 47 to which data (indicated as DATA in the drawing) is input holds the video signal from the first column to the last column in accordance with the timing at which the sampling pulse is input. When a latch pulse (denoted as SLAT in the drawing) is input, the second latch circuit 48 transfers the video signals held in the first latch circuit 47 to the second latch circuit 48 all at once.

第1のゲートドライバ41はパルス出力回路54とバッファ回路55を有する。第2のゲートドライバ42はパルス出力回路56とバッファ回路57を有する。バッファ回路55、57の各々は、制御信号発生回路39から出力される第1の制御信号(Signal1)と第2の制御信号(Signal2)に基づき動作する。バッファ回路55、57の各々は少なくとも3つの入力ノードと1つの出力ノードを有する。3つの入力ノードのうち、1つはパルス出力回路54又はパルス出力回路56に接続し、1つは第1の制御信号線37、71を介して制御信号発生回路39に接続し、残りの1つは第2の制御信号線38、72を介して制御信号発生回路39に接続する。出力ノードはゲート線Gyに接続する。バッファ回路55とバッファ回路57は、第1の制御信号と第2の制御信号に基づき、一方が動作状態となり、他方がハイインピーダンス状態となる。 The first gate driver 41 has a pulse output circuit 54 and a buffer circuit 55. The second gate driver 42 has a pulse output circuit 56 and a buffer circuit 57. Each of the buffer circuits 55 and 57 operates based on the first control signal (Signal 1) and the second control signal (Signal 2) output from the control signal generation circuit 39. Each of the buffer circuits 55 and 57 has at least three input nodes and one output node. Of the three input nodes, one is connected to the pulse output circuit 54 or the pulse output circuit 56, and one is connected to the control signal generation circuit 39 via the first control signal lines 37 and 71, and the remaining 1 One is connected to the control signal generating circuit 39 via the second control signal lines 38 and 72. The output node is connected to the gate line Gy. One of the buffer circuit 55 and the buffer circuit 57 is in an operating state and the other is in a high impedance state based on the first control signal and the second control signal.

なお、バッファ回路55、57は、少なくとも3つ以上の入力ノードを有する。但し、バッファ回路55、57は、3つ以上の入力ノードを有していてもよい。 The buffer circuits 55 and 57 have at least three or more input nodes. However, the buffer circuits 55 and 57 may have three or more input nodes.

第1のゲートドライバ41が含むパルス出力回路54、第2のゲートドライバ42が含むパルス出力回路56は、複数のフリップフロップ回路からなるシフトレジスタやデコーダ回路に相当する。パルス出力回路54、56として、デコーダ回路を適用すれば、ゲート線Gyをランダムに選択することができる。ゲート線Gyをランダムに選択することができると、時間階調方式を適用した場合に生じる疑似輪郭の発生を抑制することができる。また、第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42の構成も上記の記載に制約されず、レベルシフタやバッファを設けてもよい。また、第1のゲートドライバ41、第2のゲートドライバ42内に保護回路を設けてもよい。 The pulse output circuit 54 included in the first gate driver 41 and the pulse output circuit 56 included in the second gate driver 42 correspond to a shift register or a decoder circuit including a plurality of flip-flop circuits. If a decoder circuit is applied as the pulse output circuits 54 and 56, the gate line Gy can be selected at random. If the gate line Gy can be selected at random, it is possible to suppress the generation of a pseudo contour that occurs when the time gray scale method is applied. The configurations of the first gate driver 41 and the second gate driver 42 are not limited to the above description, and a level shifter or a buffer may be provided. Further, a protection circuit may be provided in the first gate driver 41 and the second gate driver 42.

パルス出力回路54、56がシフトレジスタの場合、パルス出力回路54には、クロック信号(図面ではG1CKと表記)、クロック反転信号(図面ではG1CKBと表記)、スタートパルス(図面ではG1SPと表記)が入力され、これらの信号のタイミングに従って、バッファ回路55に順次パルスを出力する。パルス出力回路56には、クロック信号(図面ではG2CKと表記)、クロック反転信号(図面ではG2CKBと表記)、スタートパルス(図面ではG2SPと表記)が入力され、これらの信号のタイミングに従って、バッファ回路57に順次パルスを出力する When the pulse output circuits 54 and 56 are shift registers, the pulse output circuit 54 has a clock signal (denoted as G1CK in the drawing), a clock inversion signal (denoted as G1CKB in the drawing), and a start pulse (denoted as G1SP in the drawing). A pulse is sequentially output to the buffer circuit 55 in accordance with the timing of these signals. A clock signal (denoted as G2CK in the drawing), a clock inversion signal (denoted as G2CKB in the drawing), and a start pulse (denoted as G2SP in the drawing) are input to the pulse output circuit 56, and a buffer circuit is provided according to the timing of these signals. Sequentially output pulses to 57

次に、上記構成を有する本発明の表示装置の動作について図2のタイミングチャートを参照して説明する。 Next, the operation of the display device of the present invention having the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG.

まず、第1の制御信号が第1のゲート用制御信号(GWE1)であり、第2の制御信号が第2のゲート用制御信号(GWE2)の場合について説明する。また、期間T1、T2をゲート選択期間の半分の期間とし、期間T1は第1のサブゲート選択期間、期間T2は第2のサブゲート選択期間とする。そして、GWE1がHレベルでGWE2がLレベルのときを期間T3、GWE1がLレベルでGWE2がHレベルのときを期間T4、GWE1とGWE2が共にLレベルのときを期間T5とし、期間T3〜T5における動作について説明する。 First, the case where the first control signal is the first gate control signal (GWE1) and the second control signal is the second gate control signal (GWE2) will be described. In addition, the periods T1 and T2 are half the gate selection period, the period T1 is a first subgate selection period, and the period T2 is a second subgate selection period. When GWE1 is at H level and GWE2 is at L level, period T3, when GWE1 is at L level and GWE2 is at H level, period T4 is set, and when both GWE1 and GWE2 are at L level, period T5 is set, and periods T3 to T5 are set. The operation in will be described.

なお、図示するタイミングチャートにおいて、期間T1〜T4は、期間T1>期間T3、期間T2>期間T4を満たす。また、期間T5は、期間T3と期間T4の間に設けられている。GWE1は、Hレベル(第1の電位と第2の電位の一方の電位に相当)のときの期間(期間T3に相当)、Lレベル(第1の電位と第2の電位の他方の電位に相当)のときの期間(期間T1と期間T2の合計の期間から、期間T3をのぞいた期間)が異なる信号である。また、GWE2は、Hレベルのときの期間(期間T4に相当)、Lレベルのときの期間(期間T1と期間T2の合計の期間から、期間T4をのぞいた期間)が異なる信号である。一方、SWEは、Hレベルのときの期間(期間T1に相当)、Lレベルのときの期間(期間T2に相当)が同じ信号である。 Note that in the timing chart illustrated, the periods T1 to T4 satisfy the period T1> the period T3 and the period T2> the period T4. The period T5 is provided between the period T3 and the period T4. GWE1 has a period (corresponding to the period T3) at the H level (corresponding to one potential of the first potential and the second potential), and the L level (corresponding to the other potential of the first potential and the second potential). Corresponding period) (a period excluding the period T3 from the total period of the period T1 and the period T2). GWE2 is a signal having a different period at the H level (corresponding to the period T4) and a period at the L level (a period excluding the period T4 from the total period of the periods T1 and T2). On the other hand, SWE is a signal having the same period during H level (corresponding to period T1) and period during L level (corresponding to period T2).

期間T3において、第1のゲート用制御信号はHレベルであり、第2のゲート用制御信号はLレベルである。第1のゲート用制御信号と第2のゲート用制御信号に基づき、バッファ回路55とバッファ回路57の一方が動作状態となり、他方がハイインピーダンス状態となるが、ここでは、バッファ回路55が動作状態となり、バッファ回路57がハイインピーダンス状態になったとする。動作状態のバッファ回路55は、j行目(jは自然数)のゲート線Gjに、Hレベルの信号を伝達する。つまり、バッファ回路55は、ゲート線Gjを選択する。そうすると、ゲート線Gjに接続するスイッチング用トランジスタ11はオン状態となる。 In the period T3, the first gate control signal is at the H level, and the second gate control signal is at the L level. Based on the first gate control signal and the second gate control signal, one of the buffer circuit 55 and the buffer circuit 57 is in an operating state and the other is in a high impedance state. Here, the buffer circuit 55 is in an operating state. Thus, it is assumed that the buffer circuit 57 is in a high impedance state. The buffer circuit 55 in the operating state transmits an H level signal to the gate line Gj in the j-th row (j is a natural number). That is, the buffer circuit 55 selects the gate line Gj. Then, the switching transistor 11 connected to the gate line Gj is turned on.

また、このとき、ソース用制御信号はHレベルであり、消去用トランジスタ49はオフ状態、アナログスイッチ50は導通状態となる。そうすると、ソースドライバ43が第2のラッチ回路48に保持されたビデオ信号は、1行分が同時に複数の信号線S1〜Smに伝達される。つまり、ソースドライバ43は、ゲート線Gjに接続するトランジスタを含む画素に、ビデオ信号を出力する。 At this time, the source control signal is at the H level, the erasing transistor 49 is turned off, and the analog switch 50 is turned on. Then, the video signal held by the source driver 43 in the second latch circuit 48 is transmitted for one row to the plurality of signal lines S1 to Sm simultaneously. That is, the source driver 43 outputs a video signal to a pixel including a transistor connected to the gate line Gj.

そうすると、ビデオ信号は駆動用トランジスタ12のゲート電極に伝達され、入力されたビデオ信号に従って、駆動用トランジスタ12はオン状態又はオフ状態となり、発光素子13が含む2つの電極は、互いに異なる電位又は同電位となる。具体的には、駆動用トランジスタ12がオン状態になると、発光素子13が含む2つの電極は互いに異なる電位となり、発光素子13に電流が流れる。一方、駆動用トランジスタ12がオフ状態になると、発光素子13が含む2つの電極は同電位となり、発光素子13に電流は流れない。このように、ビデオ信号に従って、駆動用トランジスタ12がオン状態又はオフ状態になり、発光素子13が含む2つの電極の電位が互いに異なる電位又は同電位となる動作は、書き込み動作とよぶ。 Then, the video signal is transmitted to the gate electrode of the driving transistor 12, and the driving transistor 12 is turned on or off according to the input video signal, and the two electrodes included in the light-emitting element 13 have different potentials or the same potential. It becomes a potential. Specifically, when the driving transistor 12 is turned on, two electrodes included in the light emitting element 13 are at different potentials, and a current flows through the light emitting element 13. On the other hand, when the driving transistor 12 is turned off, the two electrodes included in the light emitting element 13 have the same potential, and no current flows through the light emitting element 13. In this manner, the operation in which the driving transistor 12 is turned on or off in accordance with the video signal and the potentials of the two electrodes included in the light-emitting element 13 are different from each other or the same potential is referred to as a writing operation.

期間T5において、第1のゲート用制御信号はLレベルであり、第2のゲート用制御信号はLレベルである。このとき、ゲート線GyはLレベルにあり、書き込み動作も消去動作も行われない。 In the period T5, the first gate control signal is at the L level, and the second gate control signal is at the L level. At this time, the gate line Gy is at the L level, and neither the write operation nor the erase operation is performed.

期間T4において、第1のゲート用制御信号はLレベルであり、第2のゲート用制御信号はHレベルである。ここでは、第1のゲートドライバ41が含むバッファ回路55はハイインピーダンス状態となり、第2のゲートドライバ42が含むバッファ回路57は動作状態になったとする。動作状態のバッファ回路57は、i行目(iは自然数)のゲート線Giに、Hレベルの信号を伝達する。つまり、バッファ回路57は、i行目のゲート線Giを選択する。そうすると、画素10が含むスイッチング用トランジスタ11はオン状態となる。 In the period T4, the first gate control signal is at the L level, and the second gate control signal is at the H level. Here, it is assumed that the buffer circuit 55 included in the first gate driver 41 is in a high impedance state, and the buffer circuit 57 included in the second gate driver 42 is in an operating state. The buffer circuit 57 in the operating state transmits an H level signal to the i-th (i is a natural number) gate line Gi. That is, the buffer circuit 57 selects the i-th gate line Gi. Then, the switching transistor 11 included in the pixel 10 is turned on.

また、このとき、ソース用制御信号はLレベルであり、消去用トランジスタ49はオン状態、アナログスイッチ50は非導通状態となる。そうすると、複数の信号線S1〜Smは、各列に配置された消去用トランジスタ49を介して、消去用電源53と電気的に接続する。つまり、複数の信号線S1〜Smは、消去用電源53と同電位になる。つまり、ソースドライバ43が含む選択回路46は、ゲート線Giに接続するトランジスタを含む画素に、消去信号に相当する消去用電源53の電位を出力する。 At this time, the source control signal is at L level, the erasing transistor 49 is turned on, and the analog switch 50 is turned off. Then, the plurality of signal lines S1 to Sm are electrically connected to the erasing power supply 53 through the erasing transistors 49 arranged in each column. That is, the plurality of signal lines S <b> 1 to Sm have the same potential as the erasing power supply 53. That is, the selection circuit 46 included in the source driver 43 outputs the potential of the erasing power supply 53 corresponding to the erasing signal to the pixel including the transistor connected to the gate line Gi.

そうすると、消去信号に相当する消去用電源53の電位は、駆動用トランジスタ12のゲート電極に伝達され、駆動用トランジスタ12はオフ状態となり、発光素子13が含む2つの電極は同電位となる。つまり、発光素子13が含む両電極間には電流が流れず非発光となる。消去用電源53の電位が駆動用トランジスタ12のゲート電極に伝達されて、当該スイッチング用トランジスタ11がオフ状態になり、発光素子13が含む2つの電極の電位が同電位になる動作は、消去動作とよぶ。 Then, the potential of the erasing power supply 53 corresponding to the erasing signal is transmitted to the gate electrode of the driving transistor 12, the driving transistor 12 is turned off, and the two electrodes included in the light emitting element 13 have the same potential. That is, no current flows between both electrodes included in the light emitting element 13 and no light is emitted. An operation in which the potential of the erasing power supply 53 is transmitted to the gate electrode of the driving transistor 12, the switching transistor 11 is turned off, and the potentials of the two electrodes included in the light emitting element 13 are the same potential is an erasing operation. Called.

このように、ゲート線Gyは、期間T3において第1のゲートドライバ41により選択され、期間T4において第2のゲートドライバ42により選択される。つまり、ゲート線Gyは、第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42により、相補的に制御される。第1のサブゲート選択期間T1が含むT3と第2のサブゲート選択期間T2が含むT4の一方の期間で書き込み動作を行って、他方の期間で消去動作を行う。 As described above, the gate line Gy is selected by the first gate driver 41 in the period T3 and selected by the second gate driver 42 in the period T4. That is, the gate line Gy is complementarily controlled by the first gate driver 41 and the second gate driver 42. The write operation is performed in one period T3 included in the first sub-gate selection period T1 and T4 included in the second sub-gate selection period T2, and the erase operation is performed in the other period.

上記の動作を行う本発明によると、消去用の第2のゲートドライバ42によりゲート線Gy(上記の形態ではi行目のゲート線Gi)を選択する期間と、ソースドライバ43がビデオ信号を出力する期間は重ならない。つまり、ソースドライバ43がビデオ信号を出力する期間であって、いずれのゲート線Gyを選択していない期間(図面ではT5で示す)が存在する。そのために、ゴーストとよばれる表示不良の発生を防止することができる。 According to the present invention performing the above operation, the source driver 43 outputs a video signal during a period in which the gate line Gy (i-th gate line Gi in the above embodiment) is selected by the second gate driver 42 for erasure. The period to do does not overlap. That is, there is a period (indicated by T5 in the drawing) in which the source driver 43 outputs a video signal and no gate line Gy is selected. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of display defects called ghosts.

次に、第1の制御信号がゲート用制御信号(GWE)であり、第2の制御信号がパルス幅制御信号(PWC)の場合について、図3のタイミングチャートを参照して説明する。また、期間T1、T2をゲート選択期間の半分の期間とし、そして、GWEがHレベルでPWCがLレベルのときを期間T3、GWEがLレベルでPWCがLレベルのときを期間T4、GWEがHレベル又はLレベルでPWCがHレベルのときを期間T5とし、期間T3〜T5における動作について説明する。 Next, the case where the first control signal is the gate control signal (GWE) and the second control signal is the pulse width control signal (PWC) will be described with reference to the timing chart of FIG. The periods T1 and T2 are half the gate selection period, the period T3 is when the GWE is at the H level and the PWC is at the L level, and the periods T4 and GWE are when the GWE is at the L level and the PWC is at the L level. The period T5 is the time when the PWC is at the H level or the L level, and the operation in the periods T3 to T5 will be described.

なお、図示するタイミングチャートにおいて、期間T1〜T4は、期間T1>期間T3、期間T2>期間T4を満たす。また、期間T5は、期間T3と期間T4の間に設けられている。GWEは、Hレベル(第1の電位と第2の電位の一方の電位に相当)のときの期間(期間T1に相当)、Lレベル(第1の電位と第2の電位の一方の電位に相当)のときの期間(期間T2に相当)が同じ信号である。また、SWEは、Hレベルのときの期間(期間T1に相当)、Lレベルのときの期間(期間T2に相当)が同じ信号である。また、PWCは、Lレベルのときの期間(期間T3に相当)と、Hレベルのときの期間(期間T5に相当)が異なる信号である。 Note that in the timing chart illustrated, the periods T1 to T4 satisfy the period T1> the period T3 and the period T2> the period T4. The period T5 is provided between the period T3 and the period T4. GWE has a period (corresponding to the period T1) at the H level (corresponding to one potential of the first potential and the second potential) and an L level (corresponding to one potential of the first potential and the second potential). Corresponding period) (corresponding to the period T2). SWE is a signal having the same period during H level (corresponding to the period T1) and the period during L level (corresponding to the period T2). The PWC is a signal having a different period at the L level (corresponding to the period T3) and a period at the H level (corresponding to the period T5).

期間T3において、バッファ回路55とバッファ回路57の一方が動作状態となり、他方がハイインピーダンス状態となるが、ここでは、バッファ回路55が動作状態となり、バッファ回路57がハイインピーダンス状態になったとする。動作状態のバッファ回路55は、j行目(jは自然数)のゲート線Gjに、Hレベルの信号を伝達する。つまり、バッファ回路55は、ゲート線Gjを選択する。また、このとき、ソース用制御信号はHレベルであり、ソースドライバ43は、ゲート線Gjに接続するトランジスタを含む画素に、ビデオ信号を出力する。 In the period T3, one of the buffer circuit 55 and the buffer circuit 57 is in an operating state and the other is in a high impedance state. Here, it is assumed that the buffer circuit 55 is in an operating state and the buffer circuit 57 is in a high impedance state. The buffer circuit 55 in the operating state transmits an H level signal to the gate line Gj in the j-th row (j is a natural number). That is, the buffer circuit 55 selects the gate line Gj. At this time, the source control signal is at the H level, and the source driver 43 outputs a video signal to the pixel including the transistor connected to the gate line Gj.

期間T5において、ゲート用制御信号はHレベル又はLレベルであり、パルス幅制御信号はHレベルである。このとき、ゲート線GyはLレベルにあり、書き込み動作も消去動作も行われない。 In the period T5, the gate control signal is at the H level or the L level, and the pulse width control signal is at the H level. At this time, the gate line Gy is at the L level, and neither the write operation nor the erase operation is performed.

期間T4において、ここでは、第1のゲートドライバ41が含むバッファ回路55はハイインピーダンス状態となり、第2のゲートドライバ42が含むバッファ回路57は動作状態になったとする。動作状態のバッファ回路57は、i行目(iは自然数)のゲート線Giに、Hレベルの信号を伝達する。つまり、バッファ回路55は、i行目のゲート線Giを選択する。また、このとき、ソースドライバ43が含む選択回路46は、ゲート線Giに接続するトランジスタを含む画素に、消去信号に相当する消去用電源53の電位を出力する。 In the period T4, it is assumed here that the buffer circuit 55 included in the first gate driver 41 is in a high impedance state and the buffer circuit 57 included in the second gate driver 42 is in an operating state. The buffer circuit 57 in the operating state transmits an H level signal to the i-th (i is a natural number) gate line Gi. That is, the buffer circuit 55 selects the i-th gate line Gi. At this time, the selection circuit 46 included in the source driver 43 outputs the potential of the erasing power supply 53 corresponding to the erasing signal to the pixel including the transistor connected to the gate line Gi.

このように、ゲート線Gyは、期間T3において第1のゲートドライバ41により選択され、期間T4において第2のゲートドライバ42により選択される。つまり、ゲート線Gyは、第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42により、相補的に制御される。第1のサブゲート選択期間T1が含むT3と第2のサブゲート選択期間T2が含むT4の一方の期間で書き込み動作を行って、他方の期間で消去動作を行う。 As described above, the gate line Gy is selected by the first gate driver 41 in the period T3 and selected by the second gate driver 42 in the period T4. That is, the gate line Gy is complementarily controlled by the first gate driver 41 and the second gate driver 42. The write operation is performed in one period T3 included in the first sub-gate selection period T1 and T4 included in the second sub-gate selection period T2, and the erase operation is performed in the other period.

上記の動作を行う本発明によると、消去用の第2のゲートドライバ42によりゲート線Gy(上記の形態ではi行目のゲート線Gi)を選択する期間と、ソースドライバ43がビデオ信号を出力する期間は重ならない。つまり、ソースドライバ43がビデオ信号を出力する期間であって、いずれのゲート線Gyを選択していない期間(図面ではT5で示す)が存在する。そのために、ゴーストとよばれる表示不良の発生を防止することができる。 According to the present invention performing the above operation, the source driver 43 outputs a video signal during a period in which the gate line Gy (i-th gate line Gi in the above embodiment) is selected by the second gate driver 42 for erasure. The period to do does not overlap. That is, there is a period (indicated by T5 in the drawing) in which the source driver 43 outputs a video signal and no gate line Gy is selected. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of display defects called ghosts.

また、このように、n行目(nは自然数)のゲート線は、第1のゲートドライバ41のn段目の出力と、第2のゲートドライバ42のn段目の出力により制御される。第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42のうち、一方は、書き込み動作が行われる画素行を選択するゲートドライバであり、他方は、消去動作が行われる画素行を選択するゲートドライバである。 In this way, the n-th (n is a natural number) gate line is controlled by the n-th stage output of the first gate driver 41 and the n-th stage output of the second gate driver 42. One of the first gate driver 41 and the second gate driver 42 is a gate driver that selects a pixel row in which a write operation is performed, and the other is a gate driver that selects a pixel row in which an erase operation is performed. is there.

また、上記のような動作を行う本発明は、発光素子13を強制的にオフにすることができるために、デューティ比の向上を実現する。さらに、発光素子13を強制的にオフにすることができるにも関わらず、容量素子16の電荷を放電するTFT(薄膜トランジスタ)を設ける必要がないために、高開口率を実現する。高開口率を実現すると、光を発する面積の増加に伴って、発光素子の輝度を下げることができる。つまり、駆動電圧を下げることができるため、消費電力を削減することができる。 In addition, since the light emitting element 13 can be forcibly turned off according to the present invention that performs the above operation, the duty ratio can be improved. Furthermore, although the light emitting element 13 can be forcibly turned off, it is not necessary to provide a TFT (thin film transistor) for discharging the charge of the capacitor 16, and thus a high aperture ratio is realized. When a high aperture ratio is realized, the luminance of the light-emitting element can be lowered with an increase in the area that emits light. That is, since the driving voltage can be lowered, power consumption can be reduced.

なお、本発明は、ゲート選択期間を2分割する上記の形態に制約されない。ゲート選択期間を3つ以上に分割してもよい。
(実施の形態2)
Note that the present invention is not limited to the above-described form in which the gate selection period is divided into two. The gate selection period may be divided into three or more.
(Embodiment 2)

本発明の表示装置の構成について図面を参照して説明する。本発明の表示装置は、1つ又は複数のモニター用発光素子66を含むモニター用回路64と、定電流源67と、バッファアンプ68とを有することを特徴とする(図1参照)。発光素子13とモニター用発光素子66は、同一の基板上に設けられており、同一の作製条件により、同一の工程で作成されたものであり、環境温度の変化と経時変化に対して同じ特性又はほぼ同じ特性を有する。1つ又は複数のモニター用発光素子66を含むモニター用回路64は、画素領域40内に設けてもよいし、それ以外の領域に設けてもよい。但し、モニター用回路64は、画像の表示に影響を及ぼさないように、画素領域40以外の領域に設けるとよい。定電流源67と、バッファアンプ68は、発光素子13とモニター用発光素子66と共に、同一の基板20上に設けられていてもよいし、別の基板上に設けられていてもよい。 The structure of the display device of the present invention will be described with reference to the drawings. The display device of the present invention includes a monitor circuit 64 including one or a plurality of monitor light emitting elements 66, a constant current source 67, and a buffer amplifier 68 (see FIG. 1). The light-emitting element 13 and the monitor light-emitting element 66 are provided on the same substrate and are manufactured in the same process under the same manufacturing conditions, and have the same characteristics with respect to changes in environmental temperature and changes over time. Or have approximately the same characteristics. The monitor circuit 64 including one or a plurality of monitor light emitting elements 66 may be provided in the pixel region 40 or in other regions. However, the monitor circuit 64 may be provided in an area other than the pixel area 40 so as not to affect the image display. The constant current source 67 and the buffer amplifier 68 may be provided on the same substrate 20 together with the light emitting element 13 and the monitor light emitting element 66, or may be provided on different substrates.

モニター用発光素子66には定電流源67により一定の電流が供給される。この状態で環境温度の変化と経時変化が生じると、モニター用発光素子66自体の抵抗値が変化する。そうすると、モニター用発光素子66の電流値は常に一定なため、モニター用発光素子66の両電極間の電位差が変化する。 A constant current source 67 supplies a constant current to the monitor light emitting element 66. When the environmental temperature changes and changes with time occur in this state, the resistance value of the monitoring light emitting element 66 itself changes. Then, since the current value of the monitor light emitting element 66 is always constant, the potential difference between both electrodes of the monitor light emitting element 66 changes.

上記構成の場合、モニター用発光素子66が含む2つの電極のうち、対向電源18に接続する側の電極の電位は変化せず、モニター用発光素子66が含む2つの電極のうち、定電流源67に接続する側の電極(ここでは第1の電極とよぶ)の電位が変化する。変化したモニター用発光素子66の第1の電極の電位は、バッファアンプ68の入力端子に入力される。そして、バッファアンプ68は、出力端子から電位を出力し、当該電位は、駆動用トランジスタ12を介して、発光素子13の第1の電極に与えられる。 In the case of the above configuration, the potential of the electrode connected to the counter power source 18 among the two electrodes included in the monitor light emitting element 66 does not change, and the constant current source among the two electrodes included in the monitor light emitting element 66 does not change. The potential of the electrode on the side connected to 67 (herein referred to as the first electrode) changes. The changed potential of the first electrode of the monitor light emitting element 66 is input to the input terminal of the buffer amplifier 68. The buffer amplifier 68 outputs a potential from the output terminal, and the potential is applied to the first electrode of the light emitting element 13 through the driving transistor 12.

バッファアンプ68は、モニター用発光素子66の第1の電極の電位を発光素子13の第1の電極に伝達する際に、電位の変動を防止するために設けられている。バッファアンプ68のように、電位の変動を防止することが可能な回路ならば、バッファアンプ68ではなく、別の回路を用いてもよい。つまり、モニター用発光素子66の一方の電極の電位を発光素子13に伝達する際には、モニター用発光素子66と発光素子13の間に、電位の変動を防止するための回路を設けるが、そのような回路として、上記のバッファアンプ68に制約されず、どのような構成の回路を用いてもよい。上記構成を有する本発明は、環境温度の変化や経時変化による発光素子の電流値の変動を抑制して、信頼性を向上させることができる。 The buffer amplifier 68 is provided to prevent potential fluctuation when the potential of the first electrode of the monitor light emitting element 66 is transmitted to the first electrode of the light emitting element 13. Any circuit other than the buffer amplifier 68 may be used as long as it is a circuit that can prevent potential fluctuations, such as the buffer amplifier 68. That is, when the potential of one electrode of the monitor light emitting element 66 is transmitted to the light emitting element 13, a circuit for preventing potential fluctuation is provided between the monitor light emitting element 66 and the light emitting element 13. Such a circuit is not limited to the buffer amplifier 68 described above, and a circuit having any configuration may be used. The present invention having the above structure can improve the reliability by suppressing the fluctuation of the current value of the light emitting element due to the change of the environmental temperature or the change with time.

なお、バッファアンプ68は、電位の変動を防止する回路であり、このような回路は、入力された電位と同じ電位を出力する回路、入力される電位と出力する電位が同じ電位である回路、入力される電位に対応した電位を出力する回路とよぶことができる。図示する構成では、バッファアンプ68の反転入力端子と出力端子とが互いに接続されている。バッファアンプ68の入力端子はモニター用発光素子66(第2の発光素子とよぶことがある)の第1の電極に接続され、バッファアンプ68の出力端子は発光素子13(第1の発光素子とよぶことがある)の第1の電極に接続されている。モニター用発光素子66の第2の電極と発光素子13の第2の電極は、一定の電位に保たれている。 Note that the buffer amplifier 68 is a circuit that prevents fluctuations in potential. Such a circuit includes a circuit that outputs the same potential as the input potential, a circuit that outputs the same potential as the input potential, It can be called a circuit that outputs a potential corresponding to an input potential. In the illustrated configuration, the inverting input terminal and the output terminal of the buffer amplifier 68 are connected to each other. The input terminal of the buffer amplifier 68 is connected to the first electrode of the monitor light emitting element 66 (sometimes referred to as a second light emitting element), and the output terminal of the buffer amplifier 68 is the light emitting element 13 (with the first light emitting element). Connected to the first electrode. The second electrode of the monitoring light emitting element 66 and the second electrode of the light emitting element 13 are maintained at a constant potential.

なお、モニター用発光素子66に電流が流れすぎないようにするために、モニター用発光素子66に直列に接続するリミッタ用トランジスタを設けてもよい。そして、リミッタ用トランジスタは常にオン状態にしておく。 Note that a limiter transistor connected in series to the monitoring light emitting element 66 may be provided in order to prevent an excessive current from flowing through the monitoring light emitting element 66. The limiter transistor is always turned on.

また、発光素子13とモニター用発光素子66は、普通に動作させると、そのDuty比が異なるものとなる。具体的には、モニター用発光素子66のDuty比が100%である一方、発光素子13のDuty比は全白点灯を行ったとしても、70%程度となる。そうすると、発光素子13の総電流量と、モニター用発光素子66の総電流量が異なるため、モニター用発光素子66の経時変化の方が早く進んでしまう。従って、発光素子13とモニター用発光素子66の総電流量を同じにするために、抵抗素子を設けたり、外部に制御回路を設けたりしてもよい。 Further, when the light emitting element 13 and the monitor light emitting element 66 are operated normally, their duty ratios are different. Specifically, the duty ratio of the monitor light emitting element 66 is 100%, while the duty ratio of the light emitting element 13 is about 70% even when all white lighting is performed. Then, since the total current amount of the light emitting element 13 and the total current amount of the monitoring light emitting element 66 are different, the time-dependent change of the monitoring light emitting element 66 proceeds faster. Therefore, in order to make the total current amount of the light emitting element 13 and the monitor light emitting element 66 the same, a resistance element may be provided or a control circuit may be provided outside.

また、本発明の表示装置は、電源制御回路63を有することを特徴とする(図1参照)。電源制御回路63は、発光素子13に電源を供給する電源回路61と制御回路62を有する。電源回路61は、駆動用トランジスタ12と電源線Vxを介して発光素子13の画素電極に接続する。また、電源回路61は、電源線を介して、発光素子13の対向電極に接続する。 In addition, the display device of the present invention includes a power supply control circuit 63 (see FIG. 1). The power supply control circuit 63 includes a power supply circuit 61 that supplies power to the light emitting element 13 and a control circuit 62. The power supply circuit 61 is connected to the pixel electrode of the light emitting element 13 through the driving transistor 12 and the power supply line Vx. The power supply circuit 61 is connected to the counter electrode of the light emitting element 13 through a power supply line.

発光素子13の電流が画素電極から対向電極に向かって流れる場合、発光素子13に順方向バイアスの電圧を印加して、発光素子13を発光させるときは、電源線Vxの電位が、対向電源18の電位よりも高くなるように、電源線Vxと対向電源18の電位差を設定する。一方、発光素子13に逆方向バイアスの電圧を印加する際は、電源線Vxの電位が、対向電源18の電位よりも低くなるように、電源線Vxと対向電源18の電位を設定する。このような電源の設定は、制御回路62から電源回路61に所定の信号を供給して行う。 When the current of the light emitting element 13 flows from the pixel electrode toward the counter electrode, when the forward bias voltage is applied to the light emitting element 13 to cause the light emitting element 13 to emit light, the potential of the power supply line Vx is set to the counter power supply 18. The potential difference between the power supply line Vx and the counter power supply 18 is set so as to be higher than the first potential. On the other hand, when a reverse bias voltage is applied to the light emitting element 13, the potentials of the power supply line Vx and the counter power supply 18 are set so that the potential of the power supply line Vx is lower than the potential of the counter power supply 18. Such power supply setting is performed by supplying a predetermined signal from the control circuit 62 to the power supply circuit 61.

つまり、発光素子13の一方の電極は、駆動用トランジスタ12を介して電源線Vx(第1の電源線ともいう)に接続され、発光素子13の他方の電極は、第2の電源線を介して対向電源18に接続されている。電源制御回路63(単に回路ともいう)は、発光素子13に順方向バイアスの電圧、又は逆方向バイアスの電圧を印加するために、第1の電源線の電位と第2の電源線の電位を制御する。 That is, one electrode of the light emitting element 13 is connected to the power supply line Vx (also referred to as the first power supply line) via the driving transistor 12, and the other electrode of the light emitting element 13 is connected via the second power supply line. Are connected to the counter power source 18. A power supply control circuit 63 (also simply referred to as a circuit) sets the potential of the first power supply line and the potential of the second power supply line in order to apply a forward bias voltage or a reverse bias voltage to the light emitting element 13. Control.

電源制御回路63を用いて、発光素子13に逆方向バイアスの電圧を印加することで、発光素子13の経時劣化を抑制し、信頼性を向上させることができる。また、発光素子13は、異物の付着や、陽極又は陰極にある微細な突起によるピンホール、電界発光層の不均一性を起因として、陽極と陰極の短絡部が発生する初期不良が生じることがある。このような初期不良が発生すると、信号に応じた点灯及び非点灯が行われず、電流のほとんどすべてが短絡部を流れて素子全体が消光する現象が生じたり、特定の画素が点灯又は非点灯しない現象が生じたりして、画像の表示が良好に行われない。 By applying a reverse bias voltage to the light emitting element 13 using the power supply control circuit 63, deterioration with time of the light emitting element 13 can be suppressed and reliability can be improved. In addition, the light emitting element 13 may have an initial failure in which a short-circuit portion between the anode and the cathode is generated due to adhesion of foreign matters, pinholes due to fine protrusions on the anode or cathode, and non-uniformity of the electroluminescent layer. is there. When such an initial failure occurs, lighting and non-lighting according to the signal are not performed, and almost all of the current flows through the short-circuit portion, causing a phenomenon that the entire element is extinguished, or a specific pixel is not lighted or not lighted A phenomenon occurs, and the image is not displayed well.

しかしながら、本発明の構成によると、発光素子に逆方向バイアスを印加することができるため、陽極と陰極の短絡部のみに局所的に電流を流し、短絡部を発熱させ、その結果、短絡部を酸化又は炭化して絶縁化(高抵抗化)することができる。その結果、初期不良が生じても、その不良を解消し、画像の表示を良好に行うことができる。 However, according to the configuration of the present invention, since a reverse bias can be applied to the light emitting element, a current is supplied locally only to the short-circuited portion of the anode and the cathode, and the short-circuited portion is heated. It can be insulated (increased resistance) by oxidation or carbonization. As a result, even if an initial failure occurs, the failure can be resolved and an image can be displayed favorably.

なお、このような初期不良の絶縁化(高抵抗化)は、出荷前に行うとよい。また、初期不良だけでなく、時間の経過に伴い、新たに陽極と陰極の短絡部が発生することがある。このような不良は進行性不良とも呼ばれるが、本発明の構成によると、定期的に発光素子に逆方向バイアスを印加することができるので、進行性不良が生じても、その不良を解消し、画像の表示を良好に行うことができる。なお、発光素子13に逆方向バイアスの電圧を印加するタイミングには特に制約はない。
(実施の形態3)
It should be noted that such initial failure insulation (high resistance) may be performed before shipment. In addition to the initial failure, a short-circuit portion between the anode and the cathode may be newly generated as time passes. Such a defect is also called a progressive defect, but according to the configuration of the present invention, a reverse bias can be periodically applied to the light emitting element, so even if a progressive defect occurs, the defect is eliminated, An image can be displayed satisfactorily. Note that there is no particular limitation on the timing at which the reverse bias voltage is applied to the light emitting element 13.
(Embodiment 3)

本発明のゲートドライバの構成について図面を参照して説明する。第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42の構成は同じであり、ここでは、第1のゲートドライバ41の構成について説明する。 The configuration of the gate driver of the present invention will be described with reference to the drawings. The configurations of the first gate driver 41 and the second gate driver 42 are the same. Here, the configuration of the first gate driver 41 will be described.

第1のゲートドライバ41は、パルス出力回路54とバッファ回路55を有する(図4参照)。また、パルス出力回路54とバッファ回路55の間に設けられたインバータ206、NAND207を有する。パルス出力回路54は複数の単位回路201を有し、バッファ回路55も複数の単位回路202を有する。パルス出力回路54は、GCK、GCKB、GSPに基づき、サンプリングパルスを下段に出力する。バッファ回路55は、パルス出力回路54の出力と、第1の制御信号(Signal1)と、第2の制御信号(Signal2)に基づき、ゲート線Gyを選択する。 The first gate driver 41 includes a pulse output circuit 54 and a buffer circuit 55 (see FIG. 4). In addition, an inverter 206 and a NAND 207 are provided between the pulse output circuit 54 and the buffer circuit 55. The pulse output circuit 54 includes a plurality of unit circuits 201, and the buffer circuit 55 also includes a plurality of unit circuits 202. The pulse output circuit 54 outputs a sampling pulse to the lower stage based on GCK, GCKB, and GSP. The buffer circuit 55 selects the gate line Gy based on the output of the pulse output circuit 54, the first control signal (Signal1), and the second control signal (Signal2).

パルス出力回路54を構成する単位回路201は、トランジスタ210〜218と、アナログスイッチ219と、インバータ220とを有する(図5参照)。 The unit circuit 201 constituting the pulse output circuit 54 includes transistors 210 to 218, an analog switch 219, and an inverter 220 (see FIG. 5).

また、第1の制御信号(Signal1)が第1のゲート用制御信号であり、第2の制御信号(Signal2)が第2のゲート用制御信号の場合、バッファ回路55を構成する単位回路202は、NAND232、233と、インバータ231、234〜238と、トランジスタ240〜245と、レベルシフタ203、204と、保護回路205とを有する(図6参照)。 When the first control signal (Signal 1) is the first gate control signal and the second control signal (Signal 2) is the second gate control signal, the unit circuit 202 constituting the buffer circuit 55 is , NANDs 232 and 233, inverters 231 and 234 to 238, transistors 240 to 245, level shifters 203 and 204, and a protection circuit 205 (see FIG. 6).

また、第1の制御信号(Signal1)がゲート用制御信号であり、第2の制御信号(Signal2)がパルス幅制御信号の場合、バッファ回路55を構成する単位回路202は、インバータ271〜274と、NAND275と、NOR276と、トランジスタ279、280と、レベルシフタ277、278と、保護回路281とを有する(図7参照)。 When the first control signal (Signal 1) is a gate control signal and the second control signal (Signal 2) is a pulse width control signal, the unit circuit 202 constituting the buffer circuit 55 includes inverters 271 to 274 and , NAND 275, NOR 276, transistors 279, 280, level shifters 277, 278, and a protection circuit 281 (see FIG. 7).

レベルシフタ203、204、277、278は、電圧を昇圧する回路である。保護回路205、281は、静電気に起因した素子の劣化や破壊を抑制することを目的として設けられるものである。保護回路205、281は、トランジスタ、抵抗素子、容量素子及び整流素子から選択された1種又は複数種から構成される。整流素子とは、整流性を有する素子であり、ゲート電極とドレイン電極が接続されたトランジスタ又はダイオードに相当する。
(実施の形態4)
Level shifters 203, 204, 277, and 278 are circuits for boosting the voltage. The protection circuits 205 and 281 are provided for the purpose of suppressing deterioration and destruction of the element due to static electricity. The protection circuits 205 and 281 are configured of one or more types selected from transistors, resistor elements, capacitor elements, and rectifier elements. The rectifying element is an element having a rectifying property and corresponds to a transistor or a diode in which a gate electrode and a drain electrode are connected.
(Embodiment 4)

本発明の表示装置の構成する画素10のレイアウトについて図8を参照して説明する。このレイアウトでは、スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12、容量素子16、発光素子13の画素電極に相当する導電層19を示す。 A layout of the pixel 10 included in the display device of the present invention will be described with reference to FIG. In this layout, the conductive layer 19 corresponding to the pixel electrode of the switching transistor 11, the driving transistor 12, the capacitor 16, and the light emitting element 13 is shown.

次に、このレイアウトのA−B−Cに対応する断面構造について図9を参照して説明する。ガラスや石英などの絶縁表面を有する基板20上にスイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12、発光素子13、容量素子16が設けられている。 Next, a cross-sectional structure corresponding to ABC in this layout will be described with reference to FIG. A switching transistor 11, a driving transistor 12, a light emitting element 13, and a capacitor 16 are provided over a substrate 20 having an insulating surface such as glass or quartz.

発光素子13は、画素電極に相当する導電層19、電界発光層33、対向電極に相当する導電層34の積層体に相当する。導電層19、34の両者が透光性を有する場合、発光素子13は、導電層19に向かう方向と、導電層34に向かう方向に光を発する。つまり発光素子13は両面出射を行う。また、導電層19、34の一方が透光性を有し、他方が遮光性を有する場合、発光素子13は導電層19に向かう方向のみか、導電層34に向かう方向のみに光を発する。つまり発光素子13は上面出射又は下面出射を行う。図示する構造では、発光素子13が下面出射を行う場合の断面構造を示す。 The light emitting element 13 corresponds to a stacked body of a conductive layer 19 corresponding to a pixel electrode, an electroluminescent layer 33, and a conductive layer 34 corresponding to a counter electrode. When both the conductive layers 19 and 34 have translucency, the light emitting element 13 emits light in a direction toward the conductive layer 19 and in a direction toward the conductive layer 34. That is, the light emitting element 13 performs double-sided emission. When one of the conductive layers 19 and 34 has a light-transmitting property and the other has a light-blocking property, the light-emitting element 13 emits light only in the direction toward the conductive layer 19 or in the direction toward the conductive layer 34. That is, the light emitting element 13 performs top emission or bottom emission. The structure shown in the figure shows a cross-sectional structure in the case where the light emitting element 13 performs bottom emission.

容量素子16は、駆動用トランジスタ12のゲート電極とソース電極の間に配置され、当該駆動用トランジスタ12のゲート・ソース間電圧を保持する。容量素子16は、スイッチング用トランジスタ11と駆動用トランジスタ12のゲート電極と同じ層に設けられた導電層22a、22b(以下総称して導電層22と表記)と、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線に相当する導電層26と、導電層22と導電層26の間の絶縁層により容量を形成する点を特徴とする。 The capacitive element 16 is disposed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor 12 and holds the gate-source voltage of the driving transistor 12. The capacitor 16 includes conductive layers 22a and 22b (hereinafter collectively referred to as a conductive layer 22) provided in the same layer as the gate electrodes of the switching transistor 11 and the driving transistor 12, and a source / drain wiring of the driving transistor 12. The capacitor is formed by the conductive layer 26 corresponding to the above and the insulating layer between the conductive layer 22 and the conductive layer 26.

また、容量素子16は、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線に相当する導電層26と、発光素子13の画素電極と同じ層に設けられた導電層36と、導電層26と導電層36との間の絶縁層により容量を形成する点を特徴とする。なお、図9のレイアウトに示すように、導電層35は導電層36に接続する。 The capacitor 16 includes a conductive layer 26 corresponding to the source / drain wiring of the driving transistor 12, a conductive layer 36 provided in the same layer as the pixel electrode of the light emitting element 13, and the conductive layer 26 and the conductive layer 36. It is characterized in that a capacitor is formed by an insulating layer therebetween. Note that the conductive layer 35 is connected to the conductive layer 36 as shown in the layout of FIG.

上記特徴により、容量素子16は駆動用トランジスタ12のゲート・ソース間電圧を保持するのに十分な容量値を得ることができる。また、容量素子16は、電源線を構成する導電層の下部に設けられており、そのために、容量素子16の配置による開口率の減少は生じない。また、容量素子16に、スイッチング用トランジスタ11と駆動用トランジスタ12のゲート絶縁膜を用いていないため、ゲートリーク電流を減少させることができ、消費電力を削減することができる。 With the above characteristics, the capacitor 16 can obtain a capacitance value sufficient to hold the gate-source voltage of the driving transistor 12. In addition, the capacitive element 16 is provided below the conductive layer constituting the power supply line, and therefore, the aperture ratio is not reduced by the arrangement of the capacitive element 16. In addition, since the gate insulating films of the switching transistor 11 and the driving transistor 12 are not used for the capacitor 16, the gate leakage current can be reduced and the power consumption can be reduced.

また、スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線に相当する導電層24〜27の厚さは、500乃至2000nm、好ましくは500乃至1300nmである点を特徴とする。導電層24〜27は、ソース線Sxや電源線Vxを構成しているため、上記特徴のように、導電層24〜27の膜厚を厚くすることで、電圧降下による影響を抑制することができる。なお、導電層24〜27を厚くすると配線抵抗を小さくすることができるが、逆に、導電層24〜27を厚くしすぎると、パターン加工を正確に行うことが困難になったり、表面の凸凹が問題になったりする。つまり、導電層24〜27の厚さは、配線抵抗と、パターン加工のし易さと表面の凸凹の影響とを考慮して、上記の範囲内で決定するとよい。 The conductive layers 24 to 27 corresponding to the source and drain wirings of the switching transistor 11 and the driving transistor 12 have a thickness of 500 to 2000 nm, preferably 500 to 1300 nm. Since the conductive layers 24 to 27 constitute the source line Sx and the power supply line Vx, the influence of the voltage drop can be suppressed by increasing the film thickness of the conductive layers 24 to 27 as described above. it can. If the conductive layers 24 to 27 are thickened, the wiring resistance can be reduced. Conversely, if the conductive layers 24 to 27 are excessively thick, it becomes difficult to perform pattern processing accurately or the surface irregularities are formed. Becomes a problem. That is, the thicknesses of the conductive layers 24 to 27 are preferably determined within the above range in consideration of the wiring resistance, the ease of pattern processing, and the influence of surface irregularities.

また、本発明の表示装置は、スイッチング用トランジスタ11、駆動用トランジスタ12を覆う絶縁層28、29(以下総称して第1の絶縁層30と表記)と、第1の絶縁層30上に設けられた第2の絶縁層31とを有し、第2の絶縁層31上に画素電極に相当する導電層19を有する点を特徴とする。仮に、第2の絶縁層31を設けないとすると、ソースドレイン配線に相当する導電層24〜27と、導電層19とは同じ層に設けることになる。そうすると、導電層19を設ける領域は、導電層24〜27を設けた領域以外に制約されてしまう。しかしながら、第2の絶縁層31を設けることにより、導電層19を設ける領域のマージンが広がり、高開口率を実現する。この構成は、上面出射の場合に特に有効である。高開口率を実現すると、光を発する面積の増加に伴って、駆動電圧を下げて、消費電力を削減することができる。 In addition, the display device of the present invention is provided on the first insulating layer 30 with insulating layers 28 and 29 (hereinafter collectively referred to as the first insulating layer 30) covering the switching transistor 11 and the driving transistor 12. The second insulating layer 31 is provided, and the conductive layer 19 corresponding to a pixel electrode is provided on the second insulating layer 31. If the second insulating layer 31 is not provided, the conductive layers 24 to 27 corresponding to the source / drain wiring and the conductive layer 19 are provided in the same layer. If it does so, the area | region which provides the conductive layer 19 will be restrict | limited except the area | region which provided the conductive layers 24-27. However, by providing the second insulating layer 31, the margin of the region where the conductive layer 19 is provided is widened, and a high aperture ratio is realized. This configuration is particularly effective in the case of top emission. When a high aperture ratio is realized, the driving voltage can be lowered and the power consumption can be reduced as the area for emitting light increases.

なお第1の絶縁層30と第2の絶縁層31は、酸化珪素や窒化珪素等の無機材料、ポリイミドやアクリル等の有機材料等を用いて形成する。第1の絶縁層30と第2の絶縁層31を同じ材料で形成してもよいし、互いに異なる材料で形成してもよい。また、シロキサン系の材料を用いてもよい。シロキサン系の材料とは、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成される。置換基に少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。又は、置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基とを用いてもよい。 Note that the first insulating layer 30 and the second insulating layer 31 are formed using an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, an organic material such as polyimide or acrylic, or the like. The first insulating layer 30 and the second insulating layer 31 may be formed of the same material, or may be formed of different materials. A siloxane-based material may also be used. A siloxane-based material has a skeletal structure with a bond of silicon and oxygen. An organic group containing at least hydrogen as a substituent (for example, an alkyl group or aromatic hydrocarbon) is used. A fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as a substituent.

また、隔壁層(絶縁層、バンクともよぶ)32は、無機材料と有機材料のどちらの材料を用いて形成してもよい。但し、隔壁層32に接するように、発光素子13の電界発光層を設けるため、当該電界発光層にピンホールなどが生じないように、隔壁層32はその曲率半径が連続的に変化する形状を有するとよい。また、隔壁層32は、画素間の境界を明確にするために、遮光性を有する材料により形成するとよい。
(実施の形態5)
Further, the partition layer (also referred to as an insulating layer or a bank) 32 may be formed using either an inorganic material or an organic material. However, since the electroluminescent layer of the light emitting element 13 is provided so as to be in contact with the partition layer 32, the partition layer 32 has a shape in which the radius of curvature continuously changes so that no pinhole or the like is generated in the electroluminescent layer. It is good to have. The partition layer 32 is preferably formed of a light-shielding material in order to clarify the boundary between pixels.
(Embodiment 5)

本発明の表示装置に適用することができる画素回路の例について説明する。 Examples of pixel circuits that can be applied to the display device of the present invention will be described.

図10は、図1に示した画素10の駆動用トランジスタ12を削除して、新たに、トランジスタ92、93と、電源線Vax(xは自然数、1≦x≦l、lは自然数)とを設けた画素回路)である。電源線Vaxは電源94に接続する。本構成では、トランジスタ92のゲート電極を一定の電位に保持した電源線Vaxに接続することにより、トランジスタ92のゲート電極の電位を固定にし、なおかつ飽和領域で動作させる。また、トランジスタ93は線形領域で動作させて、そのゲート電極には、画素10の点灯又は非点灯の情報を含むビデオ信号を入力する。線形領域で動作するトランジスタ93のソースドレイン間電圧の値は小さいため、トランジスタ93のゲート・ソース間電圧の僅かな変動は、発光素子13に流れる電流値には影響を及ぼさない。従って、発光素子13に流れる電流値は、飽和領域で動作するトランジスタ92により決定される。上記構成を有する本発明は、トランジスタ92の特性バラツキに起因した発光素子13の輝度ムラを改善して画質を高めることができる。 In FIG. 10, the driving transistor 12 of the pixel 10 shown in FIG. 1 is deleted, and transistors 92 and 93 and a power supply line Vax (x is a natural number, 1 ≦ x ≦ l, and l is a natural number) are newly added. Provided pixel circuit). The power supply line Vax is connected to the power supply 94. In this configuration, the potential of the gate electrode of the transistor 92 is fixed by operating the transistor 92 in the saturation region by connecting the gate electrode of the transistor 92 to the power supply line Vax held at a constant potential. The transistor 93 is operated in a linear region, and a video signal including information on lighting or non-lighting of the pixel 10 is input to a gate electrode thereof. Since the value of the source-drain voltage of the transistor 93 operating in the linear region is small, a slight variation in the gate-source voltage of the transistor 93 does not affect the value of the current flowing through the light emitting element 13. Accordingly, the value of the current flowing through the light emitting element 13 is determined by the transistor 92 operating in the saturation region. The present invention having the above structure can improve the image quality by improving the luminance unevenness of the light emitting element 13 due to the characteristic variation of the transistor 92.

つまり、トランジスタ92のゲート電極(ゲートともいう)は、電源線Vaxに接続され、一定の電位に保たれている。また、トランジスタ93のソース又はドレインの一方は、電源線Vxに接続され、一定の電位に保たれている。 That is, the gate electrode (also referred to as a gate) of the transistor 92 is connected to the power supply line Vax and kept at a constant potential. One of the source and the drain of the transistor 93 is connected to the power supply line Vx and is kept at a constant potential.

また、上記以外の画素回路として、図示しないが、カレントミラー回路を適用した画素回路を用いてもよい。 Although not shown, a pixel circuit to which a current mirror circuit is applied may be used as a pixel circuit other than the above.

本発明の表示装置には、アナログのビデオ信号、ディジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。但し、ディジタルのビデオ信号を用いる場合、そのビデオ信号が電圧を用いているのか、電流を用いているのかで異なる。つまり、発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、電圧のものと、電流のものがある。ビデオ信号が電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。ビデオ信号が電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明の表示装置には、定電流駆動と、定電圧駆動のどちらを用いてもよいが、ビデオ信号は電圧のものを用いる。 The display device of the present invention may use either an analog video signal or a digital video signal. However, when a digital video signal is used, it differs depending on whether the video signal uses voltage or current. That is, when the light emitting element emits light, a video signal input to the pixel includes a voltage signal and a current signal. A video signal having a voltage includes a constant voltage applied to the light emitting element and a constant current flowing through the light emitting element. There are two types of video signals that are currents: a voltage that is applied to the light emitting element is constant, and a current that flows through the light emitting element is constant. A constant voltage applied to the light emitting element is constant voltage driving, and a constant current flowing through the light emitting element is constant current driving. In constant current driving, a constant current flows regardless of the resistance change of the light emitting element. In the display device of the present invention, either constant current driving or constant voltage driving may be used, but a video signal having a voltage is used.

また、電界発光層には、一重項励起からの発光を呈する材料(以下一重項励起発光材料と表記)や、三重項励起からの発光を呈する材料(以下三重項励起発光材料と表記)を用いる。例えば、赤色に発光する発光素子、緑色に発光する発光素子及び青色に発光する発光素子のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色のものを三重項励起発光材料で形成し、他のものを一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという利点がある。 For the electroluminescent layer, a material that emits light from singlet excitation (hereinafter referred to as singlet excited light emitting material) or a material that emits light from triplet excitation (hereinafter referred to as triplet excited light emitting material) is used. . For example, among the light emitting elements that emit red light, the light emitting elements that emit green light, and the light emitting elements that emit blue light, a red one having a relatively short luminance half time is formed of a triplet excited light emitting material, and the other one is single. It is formed of a term excitation luminescent material. The triplet excited light-emitting material has an advantage in that the light emission efficiency is good, so that less power is required to obtain the same luminance.

また、赤色のものと緑色のものとを三重項励起発光材料で形成し、青色のものを一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、さらなる低消費電力化を図ることができる。なお三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などがある。また、電界発光層には、低分子材料、中分子材料、高分子材料のいずれの材料を用いてもよい。 Alternatively, the red and green materials may be formed of a triplet excited light emitting material, and the blue material may be formed of a singlet excited light emitting material. By forming a green light-emitting element having high human visibility with a triplet excitation light-emitting material, further reduction in power consumption can be achieved. Note that examples of triplet excited light emitting materials include those using a metal complex as a dopant, such as a metal complex having platinum as a third transition series element as a central metal, and a metal complex having iridium as a central metal. In addition, any material of a low molecular material, a medium molecular material, and a high molecular material may be used for the electroluminescent layer.

発光素子は、下から陽極、電界発光層、陰極を順に積層する順積み構造と、下から陰極、電界発光層、陽極を順に積層する逆積み構造のどちらを用いてもよい。発光素子が含む陽極又は陰極には、透光性を有するインジウム錫酸化物(ITO)や、酸化珪素が添加されたITO、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、ガリウム(Ga)をドープした酸化亜鉛(GZO)などを用いるとよい。 The light emitting element may have either a stacked structure in which an anode, an electroluminescent layer, and a cathode are sequentially stacked from the bottom, or a reverse stacked structure in which a cathode, an electroluminescent layer, and an anode are sequentially stacked from the bottom. An anode or a cathode included in the light-emitting element has light-transmitting indium tin oxide (ITO), ITO to which silicon oxide is added, indium zinc oxide (IZO), zinc oxide doped with gallium (Ga) ( GZO) may be used.

また、発光素子は、陽極、電界発光層、電荷発生層、・・・、電界発光層、電荷発生層、・・・、電界発光層、陰極というように、陽極と陰極の間に電界発光層と電荷発生層を積層した構造でもよい。このような素子はタンデム素子ともよばれる。電荷発生層は、金属、酸化モリブデン等の無機半導体、リチウムをドープした有機化合物などからなる。 In addition, the light emitting element has an electroluminescent layer between the anode and the cathode, such as an anode, an electroluminescent layer, a charge generation layer,..., An electroluminescent layer, a charge generation layer,. And a charge generation layer may be laminated. Such an element is also called a tandem element. The charge generation layer is made of a metal, an inorganic semiconductor such as molybdenum oxide, or an organic compound doped with lithium.

また、発光素子を含むパネルを用いてカラー表示を行う場合、発光波長帯の異なる電界発光層を画素毎に設けるとよく、典型的には、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色に対応した電界発光層を設けるとよい。この場合、赤、緑、青の各色に対応したモニター用発光素子66を設けて、各色に電源電位を補正するとよい。この場合、発光素子の光の出射側に、その発光波長帯の光を透過するフィルター(着色層)を設けた構成とすると、色純度の向上や、画素部の鏡面化(映り込み)の防止を図ることができる。また、フィルターを設けると、従来必要であるとされていた円偏光板等を省略することが可能となり、電界発光層から出射する光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素領域を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。 When color display is performed using a panel including a light-emitting element, an electroluminescent layer having a different emission wavelength band is preferably provided for each pixel. Typically, red (R), green (G), and blue (B It is preferable to provide an electroluminescent layer corresponding to each color. In this case, monitor light emitting elements 66 corresponding to the respective colors of red, green, and blue may be provided to correct the power supply potential for each color. In this case, if a filter (colored layer) that transmits light in the emission wavelength band is provided on the light emitting side of the light emitting element, the color purity is improved and the mirroring of the pixel portion (reflection) is prevented. Can be achieved. In addition, when a filter is provided, it is possible to omit a circularly polarizing plate that has been conventionally required, and it is possible to eliminate loss of light emitted from the electroluminescent layer. Furthermore, a change in color tone that occurs when the pixel region is viewed obliquely can be reduced.

また、電界発光層は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料を用いる場合には、発光素子の光の出射側に特定の波長の光を透過するフィルターを設けた構成とすれば、カラー表示を行うことができる。
(実施の形態6)
The electroluminescent layer can be configured to emit monochromatic or white light. In the case of using a white light emitting material, color display can be performed if a filter that transmits light of a specific wavelength is provided on the light emitting side of the light emitting element.
(Embodiment 6)

本発明の表示装置の一形態である、画素領域40と、第1のゲートドライバ41と、第2のゲートドライバ42と、ソースドライバ43とを搭載したパネルについて説明する。基板20上には、発光素子13を含む画素を複数有する画素領域40、第1のゲートドライバ41、第2のゲートドライバ42、ソースドライバ43及び接続フィルム407が設けられる(図11(A)参照)。接続フィルム407は外部回路(ICチップ)と接続する。 A panel mounted with a pixel region 40, a first gate driver 41, a second gate driver 42, and a source driver 43, which is an embodiment of the display device of the present invention, will be described. A pixel region 40 having a plurality of pixels including the light-emitting element 13, a first gate driver 41, a second gate driver 42, a source driver 43, and a connection film 407 are provided over the substrate 20 (see FIG. 11A). ). The connection film 407 is connected to an external circuit (IC chip).

図11(B)はパネルのA−Bにおける断面図を示し、画素領域40に設けられた駆動用トランジスタ12と発光素子13と容量素子16と、ソースドライバ43に設けられたCMOS回路410を示す。 FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line AB of the panel, and shows the driving transistor 12, the light emitting element 13, the capacitor 16, and the CMOS circuit 410 provided in the source driver 43 provided in the pixel region 40. .

画素領域40と第1のゲートドライバ41、第2のゲートドライバ42及びソースドライバ43の周囲にはシール材408が設けられ、発光素子13は、シール材408と対向基板406により封止される。この封止処理は、発光素子13を水分から保護するための処理であり、ここではカバー材(ガラス、セラミックス、プラスチック、金属等)により封止する方法を用いるが、熱硬化性樹脂や紫外光硬化性樹脂を用いて封止する方法、金属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法を用いてもよい。基板20上に形成される素子は、非晶質半導体に比べて移動度等の特性が良好な結晶質半導体(ポリシリコン)により形成することが好適であり、そうすると、同一表面上におけるモノリシック化が実現される。上記構成を有するパネルは、接続する外部ICの個数が減少するため、小型・軽量・薄型が実現される。 A sealing material 408 is provided around the pixel region 40, the first gate driver 41, the second gate driver 42, and the source driver 43, and the light emitting element 13 is sealed with the sealing material 408 and the counter substrate 406. This sealing process is a process for protecting the light emitting element 13 from moisture. Here, a method of sealing with a cover material (glass, ceramics, plastic, metal, etc.) is used, but a thermosetting resin or ultraviolet light is used. A method of sealing with a curable resin or a method of sealing with a thin film having a high barrier ability such as a metal oxide or a nitride may be used. The element formed on the substrate 20 is preferably formed of a crystalline semiconductor (polysilicon) having favorable characteristics such as mobility as compared with an amorphous semiconductor, so that monolithic formation on the same surface can be achieved. Realized. Since the number of external ICs to be connected is reduced, the panel having the above configuration can be made small, light, and thin.

また、図12はパネルのC−Dにおける断面図を示し、画素領域40に設けられた駆動用トランジスタ12と発光素子13と容量素子16と、第1のゲートドライバ41に設けられたCMOS回路412、第2のゲートドライバ42に設けられたCMOS回路411を示す。図示するパネルでは、第1のゲートドライバ41と第2のゲートドライバ42と重なるようにシール材408が設けられている点を特徴とする。上記特徴により、狭額縁化を実現する。 FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line C-D of the panel. The driving transistor 12, the light emitting element 13, the capacitor element 16, and the CMOS circuit 412 provided in the first gate driver 41 are provided in the pixel region 40. The CMOS circuit 411 provided in the second gate driver 42 is shown. The panel shown in the figure is characterized in that a sealing material 408 is provided so as to overlap the first gate driver 41 and the second gate driver 42. Narrowing of the frame is realized by the above feature.

なお上記の図11、12に示す構成では、発光素子13の画素電極は透光性を有し、発光素子13の対向電極は遮光性を有する。従って、発光素子13は下面出射を行う。 11 and 12, the pixel electrode of the light-emitting element 13 has a light-transmitting property, and the counter electrode of the light-emitting element 13 has a light-shielding property. Therefore, the light emitting element 13 performs bottom emission.

また上記とは異なる構成として、発光素子13の画素電極は遮光性を有し、発光素子13の対向電極は透光性を有する場合がある(図13(A)参照)。この場合、発光素子13は上面出射を行う。 As a structure different from the above, the pixel electrode of the light-emitting element 13 may have a light-shielding property, and the counter electrode of the light-emitting element 13 may have a light-transmitting property (see FIG. 13A). In this case, the light emitting element 13 performs top emission.

また上記とは異なる構成として、発光素子13の画素電極と、発光素子13の対向電極の両者が透光性を有する場合がある(図13(B)参照)。この場合、発光素子13は両面出射を行う。 Further, as a structure different from the above, there are cases where both the pixel electrode of the light-emitting element 13 and the counter electrode of the light-emitting element 13 have a light-transmitting property (see FIG. 13B). In this case, the light emitting element 13 performs double-sided emission.

下面出射と両面出射を行う場合は、駆動用トランジスタ12が含む不純物領域に接続する導電層(ソースドレイン配線)は、アルミニウム(Al)と、モリブデン(Mo)等の反射率の低い材料とを組み合わせたもので形成するとよい。具体的には、Mo、Al−Si、Moの積層構造、MoN、Al−Si、MoN等の積層構造を採用するとよい。そうすれば、発光素子から発せられた光がソースドレイン配線に反射することを防止することができ、光を外部に取り出すことができる。本発明の表示装置には、下面出射、上面出射、両面出射のいずれの構成を採用してもよい。 In the case of performing bottom emission and double emission, the conductive layer (source / drain wiring) connected to the impurity region included in the driving transistor 12 is a combination of aluminum (Al) and a material having low reflectance such as molybdenum (Mo). It is good to form it with a stick. Specifically, a laminated structure of Mo, Al—Si, Mo, a laminated structure of MoN, Al—Si, MoN, or the like may be employed. If it does so, it can prevent that the light emitted from the light emitting element reflects in source-drain wiring, and can take out light outside. The display device of the present invention may employ any of bottom emission, top emission, and dual emission.

なお、図11、12に示す構成では、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線上に絶縁層を設けて、当該絶縁層上に発光素子13の画素電極を設けている。しかしながら、本発明はこの構成に制約されず、図13(A)(B)に示す構成のように、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線と同じ層に、発光素子13の画素電極が設けられてもよい。また、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線と、発光素子13の画素電極とが積層する部分は、図13(A)に示すように、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線が下層で、発光素子13の画素電極が上層でもよいし、図13(B)に示すように、発光素子13の画素電極が下層で、駆動用トランジスタ12のソースドレイン配線が上層でもよい。 11 and 12, an insulating layer is provided on the source / drain wiring of the driving transistor 12, and the pixel electrode of the light emitting element 13 is provided on the insulating layer. However, the present invention is not limited to this configuration, and the pixel electrode of the light-emitting element 13 is provided in the same layer as the source / drain wiring of the driving transistor 12 as in the configuration shown in FIGS. Also good. Further, in the portion where the source / drain wiring of the driving transistor 12 and the pixel electrode of the light emitting element 13 are stacked, the source / drain wiring of the driving transistor 12 is the lower layer as shown in FIG. The pixel electrode of the light emitting element 13 may be the lower layer and the source / drain wiring of the driving transistor 12 may be the upper layer as shown in FIG. 13B.

なお、画素領域40は絶縁表面上に形成された非晶質半導体(アモルファスシリコン)をチャネル部としたTFT(薄膜トランジスタ)により構成し、第1のゲートドライバ41と、第2のゲートドライバ42と、ソースドライバ43とはICチップにより構成してもよい。ICチップは、COG方式により基板20上に貼り合わせたり、基板20に接続する接続フィルム407に貼り合わせたりしてもよい。非晶質半導体は、CVD法を用いることで、大面積の基板に簡単に形成することができ、かつ結晶化の工程が不要であることから、安価なパネルの提供を可能とする。また、この際、インクジェット法に代表される液滴吐出法により導電層を形成すると、より安価なパネルの提供を可能とする。
(実施の形態7)
The pixel region 40 is constituted by a TFT (thin film transistor) using an amorphous semiconductor (amorphous silicon) formed on an insulating surface as a channel portion, and includes a first gate driver 41, a second gate driver 42, The source driver 43 may be constituted by an IC chip. The IC chip may be bonded onto the substrate 20 by the COG method, or may be bonded to the connection film 407 connected to the substrate 20. An amorphous semiconductor can be easily formed on a large-area substrate by using the CVD method and does not require a crystallization step, so that an inexpensive panel can be provided. At this time, if a conductive layer is formed by a droplet discharge method typified by an ink jet method, a cheaper panel can be provided.
(Embodiment 7)

発光素子を含む画素領域を備えた電子機器として、テレビジョン装置(単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置(単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図14を参照して説明する。 As an electronic device including a pixel region including a light-emitting element, a television device (also simply referred to as a television or a television receiver), a digital camera, a digital video camera, a mobile phone device (also simply referred to as a mobile phone or a mobile phone), Examples thereof include portable information terminals such as PDAs, portable game machines, computer monitors, computers, sound reproduction apparatuses such as car audio, and image reproduction apparatuses equipped with recording media such as home game machines. A specific example thereof will be described with reference to FIG.

携帯情報端末は、本体9201、表示部9202等を含んでいる(図14(A)参照)。表示部9202は、実施の形態1〜6で示すものを適用することができる。 The portable information terminal includes a main body 9201, a display portion 9202, and the like (see FIG. 14A). The display portion 9202 can be any of those described in Embodiment Modes 1 to 6.

デジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる(図14(B)参照)。表示部9701は、実施の形態1〜6で示すものを適用することができる。 The digital video camera includes a display portion 9701, a display portion 9702, and the like (see FIG. 14B). The display portion 9701 can be any of those described in Embodiment Modes 1 to 6.

携帯端末は、本体9101、表示部9102等を含んでいる(図14(C)参照)。表示部9102は、実施の形態1〜6で示すものを適用することができる。 The portable terminal includes a main body 9101, a display portion 9102, and the like (see FIG. 14C). The display portion 9102 can be any of those described in Embodiment Modes 1 to 6.

携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる(図14(D)参照)。表示部9302は、実施の形態1〜6で示すものを適用することができる。このようなテレビジョン装置は携帯電話などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの(例えば40インチ以上)まで、幅広く適用することができる。 A portable television device includes a main body 9301, a display portion 9302, and the like (see FIG. 14D). The display portion 9302 can be any of those described in Embodiment Modes 1 to 6. Such a television device can be widely applied from a small one mounted on a portable terminal such as a cellular phone to a medium-sized one that can be carried and a large one (for example, 40 inches or more). .

携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる(図14(E)参照)。表示部9402は、実施の形態1〜6で示すものを適用することができる。 A portable computer includes a main body 9401, a display portion 9402, and the like (see FIG. 14E). As the display portion 9402, the display portion described in Embodiments 1 to 6 can be used.

テレビジョン装置は、本体9501、表示部9502等を含んでいる(図14(F)参照)。表示部9502は、実施の形態1〜6で示すものを適用することができる。 The television device includes a main body 9501, a display portion 9502, and the like (see FIG. 14F). The display portion 9502 can be any of those described in Embodiment Modes 1 to 6.

上記に挙げた電子機器において、二次電池を用いているものは、消費電力を削減した分、電子機器の使用時間を長持ちさせることができ、二次電池を充電する手間を省くことができる。 Among the electronic devices listed above, those using a secondary battery can extend the usage time of the electronic device as much as power consumption is reduced, and can save the trouble of charging the secondary battery.

表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. タイミングチャートを示す図。The figure which shows a timing chart. タイミングチャートを示す図。The figure which shows a timing chart. ゲートドライバの構成を説明する図。The figure explaining the structure of a gate driver. ゲートドライバの構成を説明する図。The figure explaining the structure of a gate driver. ゲートドライバの構成を説明する図。The figure explaining the structure of a gate driver. ゲートドライバの構成を説明する図。The figure explaining the structure of a gate driver. 表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. 表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. 表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. 表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. 表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. 表示装置の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of a display device. 電子機器の構成を説明する図。FIG. 6 illustrates a structure of an electronic device. ゴーストとよばれる表示不良を説明するための図。The figure for demonstrating the display defect called a ghost. タイミングチャートを示す図。The figure which shows a timing chart.

符号の説明Explanation of symbols

10 画素、11 スイッチング用トランジスタ
12 駆動用トランジスタ、13 発光素子
16 容量素子、18 対向電源
19 導電層、20 基板
37 第1の制御信号線、38 第2の制御信号線
39 制御信号発生回路、40 画素領域
41 第1のゲートドライバ、42 第2のゲートドライバ
43 ソースドライバ、44 パルス出力回路
45、47、48 ラッチ回路
46 選択回路、49 消去用トランジスタ
50 アナログスイッチ、51 インバータ
52 ソース用制御信号線、53 消去用電源
54、56 パルス出力回路、55、57 バッファ回路
58 インバータ、61 電源回路
62 制御回路、63 電源制御回路
64 モニター用回路、66 モニター用発光素子
67 定電流源、68 バッファアンプ
71 第1の制御信号線、72 第2の制御信号線
92、93 トランジスタ、94 電源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Pixel, 11 Switching transistor 12 Drive transistor, 13 Light emitting element 16 Capacitance element, 18 Opposite power supply 19 Conductive layer, 20 Substrate 37 1st control signal line, 38 2nd control signal line 39 Control signal generation circuit, 40 Pixel area 41 First gate driver, 42 Second gate driver 43 Source driver, 44 Pulse output circuit 45, 47, 48 Latch circuit 46 Selection circuit, 49 Erasing transistor 50 Analog switch, 51 Inverter 52 Source control signal line , 53 Erase power supply 54, 56 Pulse output circuit, 55, 57 Buffer circuit 58 Inverter, 61 Power supply circuit 62 Control circuit, 63 Power supply control circuit 64 Monitor circuit, 66 Monitor light emitting element 67 Constant current source, 68 Buffer amplifier 71 First control signal line, 72 Second control signal 92 and 93 transistor, 94 power supply

Claims (8)

複数の画素を含む画素領域、ソースドライバ、書き込み動作が行われる画素行を選択する第1のゲートドライバ、消去動作が行われる画素行を選択する第2のゲートドライバ及び信号を生成する回路を有し、
前記複数の画素の各々は、発光素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子を有し、
前記第1のトランジスタは、ゲートはゲート線に、ソース又はドレインの一方はソース線に、ソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソース又はドレインの一方は電源線に、ソース又はドレインの他方は前記発光素子に電気的に接続され、
前記容量素子は、一方の電極は前記第2のトランジスタのゲートに、他方の電極は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記ゲート線は前記第1のゲートドライバと第2のゲートドライバのそれぞれに電気的に接続され、
前記ソースドライバは、パルス出力回路、ラッチ回路及び前記信号を生成する回路から出力されるソース用制御信号に基づき前記書き込み動作によって出力されるビデオ信号を出力するか前記消去動作によって出力される消去信号を出力するかを選択する回路を有し、
前記第1のゲートドライバと前記第2のゲートドライバの各々は、パルス出力回路と、前記信号を生成する回路から出力される第1のゲート用制御信号第2のゲート用制御信号に基づき動作するバッファ回路を有し、
前記ソースドライバが前記書き込み動作を行う期間であって、いずれの画素行も選択しない期間を有することを特徴とする表示装置。
A pixel region including a plurality of pixels; a source driver; a first gate driver that selects a pixel row on which a write operation is performed; a second gate driver that selects a pixel row on which an erase operation is performed; and a circuit that generates a signal. And
Each of the plurality of pixels includes a light emitting element, a first transistor, a second transistor, and a capacitor.
In the first transistor, the gate is electrically connected to the gate line, one of the source and the drain is electrically connected to the source line, and the other of the source and the drain is electrically connected to the gate of the second transistor,
In the second transistor, one of a source and a drain is electrically connected to a power supply line, and the other of the source and the drain is electrically connected to the light-emitting element,
The capacitor element has one electrode electrically connected to the gate of the second transistor and the other electrode electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor,
The gate line is electrically connected to each of the first gate driver and the second gate driver;
The source driver outputs a video signal output by the write operation based on a source control signal output from a pulse output circuit, a latch circuit, and a circuit for generating the signal , or an erase signal output by the erase operation A circuit for selecting whether to output
Each of the first gate driver and the second gate driver operates based on a pulse output circuit and a first gate control signal and a second gate control signal output from the signal generating circuit. a buffer circuit to possess,
A display device, wherein the source driver performs the writing operation and has a period in which no pixel row is selected .
請求項1において、
前記第1のゲート用制御信号と前記第2のゲート用制御信号の少なくとも一方は、第1の電位のときの第1の期間と、第2の電位のときの第2の期間の長さが異なる信号であることを特徴とする表示装置。
In claim 1,
At least one of the first gate control signal and the second gate control signal has a length of a first period when it is a first potential and a second period when it is a second potential. A display device having different signals.
複数の画素を含む画素領域、ソースドライバ、書き込み動作が行われる画素行を選択する第1のゲートドライバ、消去動作が行われる画素行を選択する第2のゲートドライバ及び信号を生成する回路を有し、
前記複数の画素の各々は、発光素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子を有し、
前記第1のトランジスタは、ゲートはゲート線に、ソース又はドレインの一方はソース線に、ソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソース又はドレインの一方は電源線に、ソース又はドレインの他方は前記発光素子に電気的に接続され、
前記容量素子は、一方の電極は前記第2のトランジスタのゲートに、他方の電極は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記ゲート線は前記第1のゲートドライバと第2のゲートドライバのそれぞれに電気的に接続され、
前記ソースドライバは、パルス出力回路、ラッチ回路及び前記信号を生成する回路から出力されるソース用制御信号に基づき前記書き込み動作によって出力されるビデオ信号を出力するか前記消去動作によって出力される消去信号を出力するかを選択する回路を有し、
前記第1のゲートドライバと前記第2のゲートドライバの各々は、パルス出力回路と、前記信号を生成する回路から出力されるゲート用制御信号パルス幅制御信号に基づき動作するバッファ回路を有し、
前記ソースドライバが前記書き込み動作を行う期間であって、いずれの画素行も選択しない期間を有することを特徴とする表示装置。
A pixel region including a plurality of pixels; a source driver; a first gate driver that selects a pixel row on which a write operation is performed; a second gate driver that selects a pixel row on which an erase operation is performed; and a circuit that generates a signal. And
Each of the plurality of pixels includes a light emitting element, a first transistor, a second transistor, and a capacitor.
In the first transistor, the gate is electrically connected to the gate line, one of the source and the drain is electrically connected to the source line, and the other of the source and the drain is electrically connected to the gate of the second transistor,
In the second transistor, one of a source and a drain is electrically connected to a power supply line, and the other of the source and the drain is electrically connected to the light-emitting element,
The capacitor element has one electrode electrically connected to the gate of the second transistor and the other electrode electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor,
The gate line is electrically connected to each of the first gate driver and the second gate driver;
The source driver outputs a video signal output by the write operation based on a source control signal output from a pulse output circuit, a latch circuit, and a circuit for generating the signal , or an erase signal output by the erase operation A circuit for selecting whether to output
Each of the first gate driver and the second gate driver, possess a pulse output circuit, a buffer circuit operating on the basis of the gate control signal and the pulse width control signal output from the circuit for generating the signal ,
A display device, wherein the source driver performs the writing operation and has a period in which no pixel row is selected .
請求項3において、In claim 3,
前記ゲート用制御信号と前記パルス幅制御信号の少なくとも一方は、第1の電位のときの第1の期間と、第2の電位のときの第2の期間の長さが異なる信号であることを特徴とする表示装置。At least one of the gate control signal and the pulse width control signal is a signal in which the length of the first period at the first potential is different from the length of the second period at the second potential. Characteristic display device.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、In any one of Claims 1 thru | or 4,
1水平期間の前半にデータ信号の書き込みを行い、後半に別の画素行に消去信号を書き込むことを特徴する表示装置。A display device, wherein a data signal is written in the first half of one horizontal period and an erase signal is written in another pixel row in the second half.
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第2のトランジスタは、線形領域で動作することを特徴とする表示装置。
In any one of Claims 1 thru | or 5 ,
The display device, wherein the second transistor operates in a linear region.
請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記画素領域、前記第1のゲートドライバ、前記第2のゲートドライバ及び前記ソースドライバは、同一の絶縁表面上に設けられていることを特徴とする表示装置。 7. The pixel region according to claim 1 , wherein the pixel region, the first gate driver, the second gate driver, and the source driver are provided on the same insulating surface. Display device. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の前記表示装置を用いた電子機器。 An electronic apparatus using the display device according to any one of claims 1 to 7 .
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