JP4867079B2 - Quartz polymer plate manufacturing method - Google Patents
Quartz polymer plate manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4867079B2 JP4867079B2 JP2001131431A JP2001131431A JP4867079B2 JP 4867079 B2 JP4867079 B2 JP 4867079B2 JP 2001131431 A JP2001131431 A JP 2001131431A JP 2001131431 A JP2001131431 A JP 2001131431A JP 4867079 B2 JP4867079 B2 JP 4867079B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- plate
- polymerized
- plasma cutting
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種センサやアクチュエータなどに用いられる水晶重合板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来例を図13から図17を用いて説明する。
【0003】
図13に示すように、この水晶重合板は2枚の水晶板1,2を重合し、この状態で加熱を行う。この加熱により両者の当接部に存在していた水分が蒸発することにより、この部分においては酸素原子を仲介とする原子間結合が行われることとなる。
【0004】
このような重合済み水晶板の表面にそれぞれ金のマスク3,4を設け、この状態で図14に示すごとく、両方から同時にウェットエッチングによる溶解を行うことになる。この溶解によって図15に示すごとく上下に貫通する加工が行われ、これにより図16に示すような個片となる水晶重合板5が形成されることになる。この水晶重合板5はその後、図17に示すように、その両側をウェットエッチングにより更に溶解させ、これにより共振周波数調整を行うようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例において問題となるのは、この水晶重合板の感度が低下してしまうということであった。すなわちこの水晶重合板は上述したようにセンサやアクチュエータとして活用されるものであり、このように水晶板1,2を重合させて、その分極軸を反転させることにより2倍の感度が得られるようにしているものであるが、図17に示すごとく、その共振周波数調整を行うに際し、ウェットエッチングを行った場合に、この水晶板1,2の原子間接合部から内方に大きく溶解が進んでしまうことになる。
【0006】
この溶解した部分は上下の水晶板1,2が重合できていない部分となるので、つまり上下の水晶板1,2の重合面積が減少することとなるので、結論として上述したようにその感度が低下してしまうものである。
【0007】
そこで本発明は、この水晶重合板の感度を高めることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
そしてこの目的を達成するために本発明は、少なくとも2枚の水晶板を原子間結合し、この重合済み水晶板を一方の表面側からプラズマにより切削し、次にこの一方からの切削面に対応する前記重合済み水晶板の他方の表面側からプラズマ切削を行うものである。
【0009】
すなわち、以上のように重合済み水晶板を一方と他方の表面側からプラズマにより切削を行った場合には、その切削は物理的な切削となるので、従来のウェットエッチングの場合とは異なり、その結晶面のエッチングレートの差による形状変化が起きにくくなるものである。
【0010】
つまりこのような表裏面からのプラズマ切削を行った場合にはこの重合済み水晶板の外周部は、それぞれ外方に突出した形状となっており、このように外方に突出した形状になったものを、その後、例えばウェットエッチングにより溶解することで共振周波数調整を行ったとしても、上下に当接し、しかも外方に突出した部分が若干内方に切り込まれた状態となるだけであって、このようなものであれば、本来の上下の水晶板の接合面積は減少せず、この事によって感度を高めることが出来るものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項1に記載の発明は、少なくとも2枚の水晶板を原子間結合し、この重合済み水晶板を一方の表面側からプラズマにより切削し、次にこの一方からの切削面に対応する前記重合済み水晶板の他方の表面側からプラズマ切削を行う水晶重合板の製造方法であって、以上のように重合済み水晶板を一方と他方の表面側からプラズマにより切削を行った場合には、その切削は物理的な切削となるので、従来のウェットエッチングの場合とは異なり、その結晶面のエッチングレートの差による形状変化が起きにくくなるものである。
【0012】
つまりこのような表裏面からのプラズマ切削を行った場合には、この重合済み水晶板の外周部は、それぞれ外方に突出した形状となっており、このように外方に突出した形状になったものを、その後、例えばウェットエッチングにより溶解することで共振周波数調整を行ったとしても、上下に当接し、しかも外方に突出した部分が若干内方に切り込まれた状態となるだけであって、このようなものであれば、本来の上下の水晶板の接合面積は減少せず、この事によって感度を高めることが出来るものである。
【0013】
次に請求項2に記載の発明は、重合済み水晶板の一方の表面の切削部に島状のマスクを設け、この島状マスクの周りをこの水晶板に重合する他の水晶板にまで到達するようプラズマ切削を行い、その後他方の表面からプラズマ切削を行う請求項1に記載の水晶重合板の製造方法であって、先ず最初に行う側の一方の切削部に島状のマスクを設け、この状態でプラズマ切削を行った場合にはこの島状マスクの外周に、例えば円形の溝が掘られた状態となる。
【0014】
この円形の溝は、他方の水晶板にまで到達した状態となっており、このような状態で次に他方の水晶板からプラズマ切削を行った場合には、この他方の水晶板からのプラズマ切削による先端側、つまり底部分が、先に掘られている溝に到達する状態となり、このような状態とすれば、必ずその上下のプラズマ切削の当接部は、この重合済み水晶板の当接部において両者が外方に突出した状態を保てるようになる。
【0015】
従って、このように両者が同じように突出した状態において、その後ウェットエッチングにより溶解を行ったとしても、その接合部分も十分に外方に突出した位置に存在するのであって、このように十分に外方に存在できている重合部分から、たとえ、その内方に例えばウェットエッチングによる溶解が進行したとしても、本来の上下の水晶板の重合面積を減少させること無く、この結果としてその感度を高く維持することが出来るものである。
【0016】
次に本発明の請求項3に記載の発明は、一方と他方の表面側からプラズマ切削を行った重合済み水晶板のプラズマ切削部を、ウェットエッチングにより溶解して、この重合済み水晶板の共振周波数調整を行う請求項1あるいは2に記載の水晶重合板の製造方法であって、上述のごとく、本発明においては上下の水晶板の当接部分は外方に突出した状態となっているので、このような状態でウェットエッチングによる溶解をして、その共振周波数調整を行おうとした場合に、このように十分に外方に突出できている当接部分に若干の内方への溶解が生じたとしても、本来の上下の水晶板の重合面積を減少させること無く、この結果として、その感度を高く維持することが出来るものである。
【0017】
またこのように上下の水晶板の重合面積の減少を気にすること無く、ウェットエッチングにより溶解して共振周波数調整を行うことが出来るようになるので、この共振周波数調整も、より行い易いものとなるのである。
【0018】
以下本発明の一実施形態を添付図面にしたがって説明する。
【0019】
図1は例えば車などに用いられる角速度センサを示しており、この角速度センサ6は音叉型をしている。この音叉型の角速度センサ6の製造は図2から図9に示すような工程を追って作られる。
【0020】
具体的には図2に示すように、先ず水晶板7,8をその当接面を十分研磨し、非常にクリーンな状態を保ったまま当接させ、次に加熱を行う。この加熱により、その当接部に存在していた水分が蒸散し、この結果として、酸素を共有する原子間結合が行われることとなる。
【0021】
次にこのように重合一体化された重合済み水晶板9を図3に示すごとく、その表裏面側に金のマスク10を形成する。その後、この金のマスク10の上に図示していないが樹脂のフォトレジストを形成し、所定の形状にパターニングを行った後で、金を例えば沃化カリウム溶液で溶解し、金のマスク10のパターニングを行う。その後樹脂のフォトレジストを除去したものが図4である。つまり図4においては、重合済み水晶板9の表裏面にパターニングされた金のマスク10が存在した状態となっている。
【0022】
この状態で金のマスク10の表面に図5に示すごとく、ニッケルのマスク11を設ける。そしてこの状態で図6に示すごとく、基本的にはまずは一方側から、例えば図6に示す上方側から、例えばCF4、CHF3、Arなどのガスを用いてプラズマ切削を行う。そして次に図6の下方から同じように、そのガスを用いてプラズマ切削を行う。それによって出来たものが図7である。
【0023】
この図7に示すごとく、重合済み水晶板9はその当接部が、外方に突出したいわゆる太鼓状の状態となっている。なお、この図7に示す重合済み水晶板9は、図1に示す角速度センサ6の一本の共振子6Aを示したものとなっている。これからも理解されるように、図6において右側の重合済み水晶板9は図1の共振子6Aに対応し、図6の左側の重合済み水晶板9は図1の共振子6Bに対応するようになっている。
【0024】
さて図7に戻って説明を続けると、この図7に示すごとく、この上下の水晶板7,8の当接部は十分に外方に突出した状態となっている。この状態でそれぞれの図1に示す共振子6A,6Bに対する共振周波数調整を行うことになる。この場合、図7に示すものに対してウェットエッチングを行うことになる。このウェットエッチングを行った結果が図8に示す状態である。
【0025】
この図8に示すごとく、ウェットエッチングを行うことにより、水晶板7,8の当接部の両側(外方突出部)に内方に進入した切り込み12が形成された状態となってしまうが、この図8において、図17との比較からも明らかであるが、上下の水晶板7,8の重合面積をそれほど小さくすることはない。逆に言えば、この切り込み12が形成されたとしても上下の水晶板7,8の重合面積は十分に大きく保つことができ、このことが感度を大きくすることが出来ることにつながるものである。
【0026】
図9はその後の状態を示しており、つまり、図8の状態のものからニッケルのマスク11を除去したものを示している。従って水晶板7,8の表面には金のマスク10が存在した状態となっている。この金のマスク10はそのまま電極として活用することも出来るが、例えば図1に示す角速度センサであれば、このような表裏面だけでなく、その側面にも金の電極を付けることが要求される。従って、その場合には側面の電極との膜厚の違いを避けるために、一旦、この図9に示す金のマスク10も剥離させ、その後改めて図1に示す共振子6A,6Bの表裏面及び側面に電極を形成することになる。なお、図1に示す共振子は従来より知られたものであるので、この電極の関係に付いては、これ以上説明することは避ける。
【0027】
次に図10から図12は本発明の他の実施形態を示したものである。
【0028】
すなわち、図10に示すのは、図6で示したように先ず上方からプラズマ切削を行うとした場合に、この切削部分に対応する中央部分にも先ほどの金のマスク10およびニッケルのマスク11を設けることになる。このように島状のマスク10,11をプラズマ切削部の中央部分に残しておくことにより、この状態でプラズマ切削を例えば上方から行ったとすると、図11に示すごとく、この島状のマスク10,11の外方がたとえば円形の溝状に掘り進まれることとなる。そしてその先端は下方の水晶板8にまで到達することになる。
【0029】
この状態で次に図12に示すごとく、下方からプラズマ切削を行うと、この下方からプラズマ切削を行った穴がまず到達するのは図11に示す上方からの円形の溝13である。このような状態が作られることによって、図12にも示したが、上下の水晶板7,8の当接部分は外方に突出した状態、つまり上記説明で太鼓状と説明したがこの状態が再現されることとなる。このようになることにより、図8に示したように、その後の共振周波数調整のためのウェットエッチングに対して十分に効果を上げることが出来るものである。
【0030】
【発明の効果】
以上のように本発明は、少なくとも2枚の水晶板を原子間結合し、この重合済み水晶板を一方の表面側からプラズマにより切削し、次にこの一方からの切削面に対応する前記重合済み水晶板の他方の表面側からプラズマ切削を行うものであり、重合済み水晶板を一方と他方の表面側からプラズマにより切削を行った場合には、その切削は物理的な切削となるので、従来のウェットエッチングとは異なり、その結晶面のエッチングレートの差による形状変化が起きにくくなるものである。
【0031】
つまりこのような表裏面からのプラズマ切削を行った場合には、この重合済み水晶板の当接部は、それぞれ外方に突出した形状となっており、このように外方に突出した形状になったものを、その後例えばウェットエッチングにより、溶解することで共振周波数調整を行ったとしても、上下に当接し、しかも外方に突出した部分が若干内方に切り込まれた状態となるだけであって、このようなものであれば、本来の上下の水晶板の重合面積は減少せず、この事によって感度を高めることが出来るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を採用した角速度センサの斜視図
【図2】その製造工程を示した断面図
【図3】同断面図
【図4】同断面図
【図5】同断面図
【図6】同断面図
【図7】同断面図
【図8】同断面図
【図9】同断面図
【図10】本発明の他の実施形態を示す断面図
【図11】同断面図
【図12】同断面図
【図13】従来例を示す断面図
【図14】同断面図
【図15】同断面図
【図16】同断面図
【図17】同断面図
【符号の説明】
1,2 水晶板
3,4 金のマスク
5 重合済み水晶板
6 角速度センサ
7,8 水晶板
9 重合済み水晶板
10 金のマスク
11 ニッケルのマスク
12 切り込み[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing a quartz polymer plate used for various sensors, actuators and the like.
[0002]
[Prior art]
A conventional example will be described with reference to FIGS.
[0003]
As shown in FIG. 13, the quartz crystal plate superposes two
[0004]
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The problem in the above conventional example is that the sensitivity of the quartz polymer plate is lowered. That is, this quartz superposition plate is used as a sensor or actuator as described above, and double sensitivity can be obtained by superposing the
[0006]
Since the melted portion is a portion where the upper and
[0007]
Accordingly, the present invention aims to increase the sensitivity of the quartz polymer plate.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve this object, the present invention connects at least two quartz plates between atoms, cuts this superposed quartz plate with plasma from one surface side, and then corresponds to the cut surface from one side. Plasma cutting is performed from the other surface side of the superposed crystal plate.
[0009]
That is, when the polymerized quartz plate is cut by plasma from one and the other surface side as described above, the cutting is a physical cutting, so unlike the case of conventional wet etching, The shape change due to the difference in the etching rate of the crystal plane is less likely to occur.
[0010]
In other words, when such plasma cutting from the front and back surfaces is performed, the outer peripheral portion of the polymerized quartz plate has a shape protruding outward, and thus has a shape protruding outward. Then, even if the resonance frequency is adjusted by, for example, dissolving by wet etching, it is only in contact with the top and bottom, and the part protruding outward is slightly cut inward. In such a case, the original bonding area of the upper and lower quartz plates is not reduced, and this can increase the sensitivity.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
According to the first aspect of the present invention, at least two quartz plates are interatomically bonded, the superposed quartz plate is cut by plasma from one surface side, and then corresponds to the cut surface from the one side. A method for producing a crystal polymerized plate that performs plasma cutting from the other surface side of the polymerized crystal plate, wherein the polymerized crystal plate is cut by plasma from one and the other surface side as described above. Since the cutting is a physical cutting, unlike the conventional wet etching, the shape change due to the difference in the etching rate of the crystal plane is less likely to occur.
[0012]
In other words, when plasma cutting is performed from the front and back surfaces, the outer peripheral portion of the polymerized crystal plate has a shape protruding outward, and thus has a shape protruding outward. Then, even if the resonance frequency is adjusted by, for example, dissolving by wet etching, it is only in contact with the top and bottom and the portion protruding outward is slightly cut inward. In this case, the original bonding area of the upper and lower quartz plates is not reduced, and this can increase the sensitivity.
[0013]
Next, according to the second aspect of the present invention, an island-shaped mask is provided in a cut portion on one surface of the polymerized quartz plate, and the periphery of the island-shaped mask reaches another quartz plate that is superposed on this quartz plate. The method for producing a quartz polymer plate according to claim 1, wherein plasma cutting is performed so as to perform plasma cutting from the other surface, and an island-shaped mask is first provided on one cutting portion on the side to be performed first, When plasma cutting is performed in this state, for example, a circular groove is dug on the outer periphery of the island mask.
[0014]
This circular groove reaches the other quartz plate, and when plasma cutting is performed from the other quartz plate in this state, the plasma cutting from the other quartz plate is performed. The tip side, i.e., the bottom part, due to the above will reach a groove that has been excavated, and if this is the case, the upper and lower plasma cutting contact parts will always be in contact with this superposed crystal plate It becomes possible to maintain the state where both protrude outwardly at the portion.
[0015]
Therefore, even in the state where both of them protrude in the same manner as described above, even if dissolution is performed by wet etching, the joint portion is present in a position protruding sufficiently outward, and thus sufficiently Even if dissolution by wet etching, for example, progresses inward from the polymerized portion that exists outside, the sensitivity is increased as a result without reducing the polymerized area of the original upper and lower quartz plates. It can be maintained.
[0016]
Next, in the invention according to
[0017]
In addition, since the resonance frequency can be adjusted by dissolving by wet etching without worrying about the decrease in the overlapping area of the upper and lower quartz plates in this way, this resonance frequency adjustment is also easier to perform. It becomes.
[0018]
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0019]
FIG. 1 shows an angular velocity sensor used for a car, for example, and this
[0020]
Specifically, as shown in FIG. 2, first, the abutting surfaces of the
[0021]
Next, as shown in FIG. 3, a
[0022]
In this state, a
[0023]
As shown in FIG. 7, the superposed
[0024]
Now, returning to FIG. 7 and continuing the description, as shown in FIG. 7, the contact portions of the upper and
[0025]
As shown in FIG. 8, by performing wet etching, the
[0026]
FIG. 9 shows a subsequent state, that is, a state in which the
[0027]
Next, FIGS. 10 to 12 show another embodiment of the present invention.
[0028]
That is, FIG. 10 shows that when the plasma cutting is first performed from above as shown in FIG. 6, the
[0029]
In this state, as shown in FIG. 12, when the plasma cutting is performed from below, the hole from which the plasma cutting is performed first reaches the
[0030]
【Effect of the invention】
As described above, in the present invention, at least two quartz plates are interatomically bonded, the polymerized quartz plate is cut with plasma from one surface side, and then the polymerized plate corresponding to the cut surface from the one side is used. Plasma cutting is performed from the other surface side of the quartz plate, and when the polymerized quartz plate is cut by plasma from one and the other surface side, the cutting is a physical cutting. Unlike the wet etching, the shape change due to the difference in the etching rate of the crystal plane hardly occurs.
[0031]
In other words, when plasma cutting is performed from the front and back surfaces, the contact portions of the superposed quartz plates have shapes that protrude outward, and thus have shapes that protrude outward. Even if the resonance frequency is adjusted by dissolving it by, for example, wet etching after that, it is only in contact with the top and bottom and the part protruding outward is slightly cut inward. In such a case, the original superposed area of the upper and lower quartz plates is not reduced, and this can increase the sensitivity.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of an angular velocity sensor adopting an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process thereof. FIG. 3 is a cross-sectional view of the same. [Fig. 6] Cross-sectional view [Fig. 7] Cross-sectional view [Fig. 8] Cross-sectional view [Fig. 9] Cross-sectional view [Fig. 10] Cross-sectional view showing another embodiment of the present invention [Fig. Fig. 12 Cross-sectional view Fig. 13 Cross-sectional view showing a conventional example Fig. 14 Cross-sectional view Fig. 15 Cross-sectional view Fig. 16 Cross-sectional view Fig. 17 Cross-sectional view ]
1, 2
Claims (3)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001131431A JP4867079B2 (en) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Quartz polymer plate manufacturing method |
US10/132,717 US6719914B2 (en) | 2001-04-27 | 2002-04-26 | Method of manufacturing piezoelectric device using direct bonded quartz plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001131431A JP4867079B2 (en) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Quartz polymer plate manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329901A JP2002329901A (en) | 2002-11-15 |
JP4867079B2 true JP4867079B2 (en) | 2012-02-01 |
Family
ID=18979620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001131431A Expired - Fee Related JP4867079B2 (en) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Quartz polymer plate manufacturing method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6719914B2 (en) |
JP (1) | JP4867079B2 (en) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050044819A1 (en) | 2003-09-02 | 2005-03-03 | Chomik Richard S. | Waste storage device |
US7708188B2 (en) * | 2001-05-02 | 2010-05-04 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a hamper accessible through a movable door |
US7617659B2 (en) * | 2001-05-02 | 2009-11-17 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a cartridge movable by rollers |
US7712285B2 (en) * | 2001-05-02 | 2010-05-11 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a sensing mechanism for delaying the rotation of a cartridge |
US7503152B2 (en) * | 2001-05-02 | 2009-03-17 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including rotating cartridge coupled to lid |
US7958704B2 (en) * | 2001-05-02 | 2011-06-14 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a mechanism for scoring a flexible tubing dispensed from a cartridge |
US7434377B2 (en) * | 2001-05-02 | 2008-10-14 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a rotatable geared rim to operate a cartridge |
US7694493B2 (en) * | 2001-05-02 | 2010-04-13 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a geared rotating cartridge |
US8091325B2 (en) * | 2001-05-02 | 2012-01-10 | Playtex Products, Inc. | Waste disposal device including a diaphragm for twisting a flexible tubing dispensed from a cartridge |
JP4631329B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | Angular velocity sensor and manufacturing method thereof |
JP4525623B2 (en) * | 2006-03-23 | 2010-08-18 | エプソントヨコム株式会社 | Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece |
JP4197001B2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-12-17 | エプソントヨコム株式会社 | Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece |
JP5216288B2 (en) * | 2007-09-25 | 2013-06-19 | 日本電波工業株式会社 | Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece, method for manufacturing piezoelectric device |
JP4987684B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-07-25 | シチズンホールディングス株式会社 | Method for manufacturing gyro sensor element |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3248630B2 (en) * | 1991-10-02 | 2002-01-21 | 松下電器産業株式会社 | Direct bonding method of crystal blank and crystal resonator, crystal oscillator and crystal filter using the method |
US5438343A (en) * | 1992-07-28 | 1995-08-01 | Philips Electronics North America Corporation | Gas discharge displays and methodology for fabricating same by micromachining technology |
JPH09171992A (en) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
JPH11118823A (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mechanical and electric converting element, its manufacture, and acceleration sensor |
JP3335122B2 (en) * | 1998-05-06 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | Angular velocity sensor |
JP2000188434A (en) * | 1998-12-15 | 2000-07-04 | Yoshiaki Nagaura | Piezoelectric element and its processing method |
JP4060972B2 (en) * | 1999-01-29 | 2008-03-12 | セイコーインスツル株式会社 | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
JP2000258167A (en) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Tokin Corp | Oscillator for piezoelectric oscillators and manufacture thereof |
JP3492933B2 (en) * | 1999-03-30 | 2004-02-03 | 九州電通株式会社 | Etching method for crystalline lens |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001131431A patent/JP4867079B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-26 US US10/132,717 patent/US6719914B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020177313A1 (en) | 2002-11-28 |
US6719914B2 (en) | 2004-04-13 |
JP2002329901A (en) | 2002-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4867079B2 (en) | Quartz polymer plate manufacturing method | |
TWI339496B (en) | Piezoelectric resonator and method for manufacturing thereof | |
JP4435758B2 (en) | Method for manufacturing crystal piece | |
US8156621B2 (en) | Methods of producing piezoelectric vibrating devices | |
JP2007024861A5 (en) | ||
JP2001007346A (en) | Manufacture of external force detection sensor | |
US7859173B2 (en) | Tuning fork type quartz crystal resonator | |
JP6207680B2 (en) | Method for obtaining an AlN layer having substantially vertical sides | |
JP4525623B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece | |
JP3915640B2 (en) | Method of etching quartz Z plate and quartz wafer formed by the method | |
JP2010183138A (en) | Method of manufacturing tuning fork crystal oscillator | |
JP4349283B2 (en) | Etching method | |
JP4400651B2 (en) | Manufacturing method of tuning fork type resonator element | |
JPH11346137A (en) | Manufacture of quartz oscillator | |
JP3577566B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor dynamic quantity sensor | |
JP2004040399A (en) | Etching method, and etched product formed by the same | |
US7138288B2 (en) | Method for manufacturing small crystal resonator | |
JP4259019B2 (en) | Manufacturing method of electronic parts | |
US20230126632A1 (en) | Method For Manufacturing Vibration Element | |
JP2007096756A (en) | Forming method of substrate, crystal resonance chip, and gyro resonance chip | |
US20230179164A1 (en) | Method For Manufacturing Vibrator Element | |
JP2607669Y2 (en) | Crystal oscillator | |
JP2023065836A (en) | Method for manufacturing vibration element | |
JP3442517B2 (en) | Manufacturing method of crystal unit | |
JP2024049642A (en) | Manufacturing method of vibration element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080306 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080414 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111031 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |