JP4846011B2 - Solid electrolytic capacitor - Google Patents

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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Description

本発明は、導電性高分子を固体電解質層として用いた固体電解コンデンサに関する。   The present invention relates to a solid electrolytic capacitor using a conductive polymer as a solid electrolyte layer.

近年、電子機器の小型化、軽量化に伴って、高周波領域におけるインピーダンスが低く、小型で大容量の高周波用のコンデンサが要求されるようになってきた。   In recent years, along with the reduction in size and weight of electronic devices, there has been a demand for high-frequency capacitors that have a low impedance in the high-frequency region and are small and have a large capacity.

高周波用のコンデンサとしては、マイカコンデンサ、フィルムコンデンサ、セラミックコンデンサなどが使用されているものの、これらのコンデンサは、大容量には適さない種類のコンデンサである。   Although a mica capacitor, a film capacitor, a ceramic capacitor, or the like is used as a high-frequency capacitor, these capacitors are not suitable for a large capacity.

一方、大容量化に適するコンデンサとしては、アルミ電解コンデンサや、タンタル電解コンデンサなどがある。しかしながら、アルミ電解コンデンサは低コストで大容量が達成可能であるが、電解液を使用しているために電解液の蒸発による経時変化や、高周波でのインピーダンスが高いなどの問題がある。   On the other hand, capacitors suitable for increasing the capacity include aluminum electrolytic capacitors and tantalum electrolytic capacitors. However, although the aluminum electrolytic capacitor can achieve a large capacity at low cost, there are problems such as a change over time due to evaporation of the electrolytic solution and high impedance at high frequency because the electrolytic solution is used.

タンタル固体電解コンデンサは、電解質に固体の二酸化マンガンを用いているために容量劣化が少ないコンデンサである。しかしながら、二酸化マンガンの皮膜は、自己修復性が乏しいため通電中に誘電体皮膜が損傷した場合、発火などの危険性があるなどの短所があった。   The tantalum solid electrolytic capacitor is a capacitor with little capacity deterioration because solid manganese dioxide is used as an electrolyte. However, the manganese dioxide film has poor self-healing properties, and thus has a disadvantage in that there is a risk of ignition or the like when the dielectric film is damaged during energization.

そこで近年、上述した問題を解決するため、電気伝導性が優れ、固体電解質の形成が容易な導電性高分子を固体電解質として用いることが提案されている。この手法により、上述した固体電解コンデンサと比較して製造コストが安く、静電容量が確実に得られ、誘電体皮膜の損傷がなく、漏れ電流の少ない固体電解コンデンサが得られるようになった。   Therefore, in recent years, in order to solve the above-described problems, it has been proposed to use a conductive polymer that is excellent in electrical conductivity and easy to form a solid electrolyte as the solid electrolyte. By this method, the manufacturing cost is lower than that of the above-described solid electrolytic capacitor, the capacitance is surely obtained, the dielectric film is not damaged, and a solid electrolytic capacitor with little leakage current can be obtained.

ここで導電性高分子は、ピロール、チオフェン、フラン、アニリン等を重合して得られる高分子のことを示す。   Here, the conductive polymer refers to a polymer obtained by polymerizing pyrrole, thiophene, furan, aniline, or the like.

このような固体電解コンデンサにおいても、信頼性向上のため、ESR(Equivalent SeriESResistance:等価直列抵抗)の低下や、LC(Leakage Current:漏れ電流)の低減等が求められている。   Also in such a solid electrolytic capacitor, in order to improve reliability, reduction of ESR (Equivalent Seri ESRistance: equivalent series resistance), reduction of LC (Leakage Current), etc. are required.

上記のような課題を解決するため、固体電解質層として、異なった性質を持つ複数のドーパントを混合した電解重合液を用いて導電性高分子を形成する方法が提案されている。(例えば特許文献1)   In order to solve the above-described problems, a method has been proposed in which a conductive polymer is formed using an electrolytic polymerization solution in which a plurality of dopants having different properties are mixed as a solid electrolyte layer. (For example, Patent Document 1)

特開2005−116777号公報JP 2005-116777 A

しかしながら、上述の特許文献1の手法では、重合液の中に同時に特性の異なるドーパントを複数種入れているが、これらのドーパントは夫々反応に最適な条件が異なり、重合のバラツキがでるという問題があった。   However, in the method of Patent Document 1 described above, a plurality of dopants having different characteristics are simultaneously added to the polymerization solution. However, these dopants have different conditions optimal for the reaction, and there is a problem that variations in polymerization occur. there were.

また、上述の方法で作られた固体電解コンデンサは、ESRが低く且つ耐熱性に優れているが、漏れ電流が大きいという問題があった。   Further, the solid electrolytic capacitor produced by the above-described method has a problem that the ESR is low and the heat resistance is high, but the leakage current is large.

本発明における第1の態様は、陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、第一電解重合層はアルキルナフタレンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり、第二電解重合層はナフタレンジスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする。 A first aspect of the present invention is a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body. The solid electrolyte layer is formed by electrolytic polymerization of the same monomer. At least first and second electropolymerization layers, wherein the first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer, and the first electropolymerization layer has an alkylnaphthalene sulfonate ion as a dopant. a conductive polymer to the second electrolytic polymerization layer is characterized Rukoto such a conductive polymer to the naphthalene disulfonic acid ion as a dopant.

本発明における第2の態様は、陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、第一電解重合層はアルキルナフタレンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなりをドーパントとする導電性高分子からなり、第二電解重合層はフルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする。 The second aspect of the present invention is a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body. The solid electrolyte layer is formed by electrolytic polymerization of the same monomer. At least first and second electropolymerization layers, wherein the first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer, and the first electropolymerization layer has an alkylnaphthalene sulfonate ion as a dopant. the a conductive polymer to a conductive polymer to the dopant, the second electrolytic polymerization layer is characterized Rukoto such a conductive polymer to the fluoroalkyl naphthalene polysulfonic acid ion as a dopant.

本発明における第3の態様は、陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、第一電解重合層はアルキルベンゼンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり、第二電解重合層はナフタレンジスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする。 A third aspect of the present invention is a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body. The solid electrolyte layer is formed by electrolytic polymerization of the same monomer. At least first and second electropolymerization layers, the first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer, and the first electropolymerization layer has an alkylbenzenesulfonate ion as a dopant. a conductive polymer, the second electrolytic polymerization layer is characterized Rukoto such a conductive polymer to the naphthalene disulfonic acid ion as a dopant.

本発明における第4の態様は、陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、第一電解重合層はアルキルベンゼンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり、第二電解重合層はフルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする。 A fourth aspect of the present invention is a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body. The solid electrolyte layer is formed by electrolytic polymerization of the same monomer. At least first and second electropolymerization layers, the first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer, and the first electropolymerization layer has an alkylbenzenesulfonate ion as a dopant. a conductive polymer, the second electrolytic polymerization layer is characterized Rukoto such a conductive polymer to the fluoroalkyl naphthalene polysulfonic acid ion as a dopant.

本発明によれば、各々のドーパントに最適な反応条件を設定できるため、安定した電解重合が容易となる。さらに、LCが大きい重合膜だと、誘電体皮膜、焼結体方向に電荷が流れることになり、容量に寄与しなくなる。また、LC特性が良好でもESRが大きいと高周波に対応できなくなる。そのため、焼結体、誘電体、化学重合膜に近い側にはLC特性の良好な電解重合膜を形成することで容量の減少を防ぎ、その上にESR特性の良好な電解重合膜を積層することで、高周波にも対応できる固体電解コンデンサを提供できる。   According to the present invention, since the optimum reaction conditions can be set for each dopant, stable electropolymerization is facilitated. Furthermore, if the polymer film has a large LC, electric charge flows in the direction of the dielectric film and the sintered body, which does not contribute to the capacity. Further, even if the LC characteristics are good, if the ESR is large, it becomes impossible to cope with high frequencies. Therefore, an electrolytic polymer film having good LC characteristics is formed on the side close to the sintered body, dielectric, and chemical polymer film to prevent a decrease in capacity, and an electrolytic polymer film having good ESR characteristics is laminated thereon. Thus, it is possible to provide a solid electrolytic capacitor that can cope with high frequency.

本発明の固体電解コンデンサの断面図。Sectional drawing of the solid electrolytic capacitor of this invention.

本発明の実施の最良の形態について、図を用いて説明する。図1は本発明の固体電解コンデンサの断面図である。陽極リード(10)を有する陽極体(1)の周面に誘電体皮膜(2)、導電性高分子層からなる固体電解質層(3)を形成する。   The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a solid electrolytic capacitor of the present invention. A solid electrolyte layer (3) comprising a dielectric film (2) and a conductive polymer layer is formed on the peripheral surface of the anode body (1) having the anode lead (10).

前記固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具えている。第一電解重合層は、第二電解重合層より誘電体皮膜側に位置し、第一電解重合層は第一のドーパントを、第二電解重合層は第二のドーパントを含有している。   The solid electrolyte layer includes at least first and second electrolytic polymerization layers formed by electrolytic polymerization of the same monomer. The first electropolymerization layer is located on the dielectric film side of the second electropolymerization layer, the first electropolymerization layer contains the first dopant, and the second electropolymerization layer contains the second dopant.

ここで、前記モノマーは、具体的にはピロール、チオフェン、フラン等の複素環化合物のことである。   Here, the monomer is specifically a heterocyclic compound such as pyrrole, thiophene, and furan.

第一のドーパントを含む電解重合層を具えた固体電解コンデンサは、漏れ電流が小さくなる。このようなドーパントとして、例えば、アルキル芳香族スルホン酸イオンや、アダマンタンスルホン酸イオン、アダマンタンカルボン酸イオン等がある。ここで、アルキル芳香族スルホン酸イオンとは、アルキル基を有するベンゼンスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、テトラヒドロナフタレンスルホン酸イオン等のことをいう。   A solid electrolytic capacitor having an electrolytic polymerization layer containing the first dopant has a small leakage current. Examples of such dopants include alkyl aromatic sulfonate ions, adamantane sulfonate ions, and adamantane carboxylate ions. Here, the alkyl aromatic sulfonate ion refers to an alkyl group-containing benzene sulfonate ion, naphthalene sulfonate ion, tetrahydronaphthalene sulfonate ion, and the like.

ここで、ベンゼンスルホン酸イオンは、次の一般式にあらわされる。   Here, the benzenesulfonate ion is represented by the following general formula.

Figure 0004846011
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上記一般式(1)において、m1はアルキル基(R基)の数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、R1は炭素数1〜20のアルキル基を表わす。アルキル基(R1基)を1以上含むベンゼンスルホン酸イオン(m1≧1)は、アルキル基(R1基)を含まないベンゼンスルホン酸イオン(m1=0)に比べて導電性高分子への乳化力が大きく溶けやすい。アルキル基(R1基)の炭素数が20を超えると耐熱性が下がる傾向にある。なお、アルキル基(R1基)を2以上含む場合において、各アルキル基(R1基)の炭素数は、互いに異なっていても同じであってもよい。 In the above general formula (1), m 1 is the number of alkyl groups (R 1 group), and can be any integer of 0 or more within a substitutable range. R 1 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Alkyl group (R 1 group) one or more benzenesulfonic acid ion (m 1 ≧ 1), the conductive polymer than the benzenesulfonate ion containing no alkyl group (R 1 group) (m 1 = 0) The emulsifying power is greatly soluble. When the carbon number of the alkyl group (R 1 group) exceeds 20, the heat resistance tends to decrease. Note that in the case of containing alkyl groups (R 1 group) more, the number of carbon atoms in each alkyl group (R 1 group) may be the same or different from each other.

上記一般式(1)で示されるベンゼンスルホン酸イオンの具体例としては、ベンゼンスルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、モノドデシルベンゼンスルホン酸イオン、モノオクチルベンゼンスルホン酸イオン、ジオクチルベンゼンスルホン酸イオンなどが挙げられる。ここで、アルキル基(R1)がモノ体か、ジ体か、トリ体であるかは、固体電解コンデンサのLC低減に関して違いは少なく、いずれを用いてもよい。 Specific examples of the benzenesulfonate ion represented by the general formula (1) include benzenesulfonate ion, p-toluenesulfonate ion, monododecylbenzenesulfonate ion, monooctylbenzenesulfonate ion, dioctylbenzenesulfonate ion. Etc. Here, there is little difference regarding whether the alkyl group (R 1 ) is mono-, di-, or tri-form in terms of LC reduction of the solid electrolytic capacitor, and either may be used.

また、ナフタレンスルホン酸イオンは、次の化式であらわされる。   The naphthalene sulfonate ion is represented by the following chemical formula.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

上記一般式(2)において、m2はアルキル基(R基)の数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、Rは、炭素数1〜20のアルキル基を表す。アルキル基(R基)を1以上含むナフタレンスルホン酸イオン(m≧1)は、アルキル基(R基)を含まないナフタレンスルホン酸イオン(m=0)に比べて導電性高分子への乳化力が大きく溶けやすい。アルキル基(R基)を2以上含む場合において、各アルキル基(R基)の炭素数は、互いに異なっていても同じであってもよい。なお、一般式(2)において、アルキル基(R基)及びスルホン酸イオン基(SO 基)は、ナフタレン環の水素が置換可能な範囲で、かつ配向性 の条件を満たす限り、ナフタレン環の任意の場所に位置することが可能であることを意味するものとする。 In the above general formula (2), m 2 is the number of alkyl groups (R 2 groups), and can take any integer of 0 or more within a substitutable range. R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Naphthalene sulfonate ion containing alkyl groups (R 2 group) one or more (m 2 ≧ 1), the conductive polymer as compared to the naphthalene sulfonate ion containing no alkyl group (R 2 group) (m 2 = 0) The emulsifying power is greatly soluble. In the case where two or more alkyl groups (R 2 groups) are contained, the number of carbon atoms of each alkyl group (R 2 group) may be different or the same. In the general formula (2), the alkyl group (R 2 group) and the sulfonate ion group (SO 3 group) are naphthalene as long as the hydrogen of the naphthalene ring can be replaced and the orientation condition is satisfied. It shall mean that it can be located anywhere in the ring.

上記一般式(2)で示されるナフタレンスルホン酸イオンの具体例としては、ナフタレン、モノメチルナフタレンスルホン酸イオン、ジメチルナフタレンスルホン酸イオン、モノブチルナフタレンスルホン酸イオン、ジブチルナフタレンスルホン酸イオン等が挙げられる。ここで、アルキル基(R基)がモノ体か、ジ体か、トリ体であるかは、固体電解コンデンサのLC低減に関して違いはなく、いずれを用いてもよい。 Specific examples of the naphthalenesulfonate ion represented by the general formula (2) include naphthalene, monomethylnaphthalenesulfonate ion, dimethylnaphthalenesulfonate ion, monobutylnaphthalenesulfonate ion, dibutylnaphthalenesulfonate ion, and the like. Here, there is no difference in whether the alkyl group (R 2 group) is a mono-body, a di-body or a tri-body in terms of LC reduction of the solid electrolytic capacitor, and any of them may be used.

テトラヒドロナフタレンスルホン酸イオンは、下記の式で表される。   The tetrahydronaphthalene sulfonate ion is represented by the following formula.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

上記一般式(3)において、mはアルキル基(R基)の数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、Rは、炭素数1〜20のアルキル基を表す。アルキル基(R基)を1以上含むテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオン(m≧1)は、アルキル基(R基)を含まないテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオン(m=0)に比べて導電性高分子への乳化力が大きく、溶けやすい。アルキル基(R基)の炭素数が20を超えると耐熱性が下がる傾向にある。また、アルキル基(R基)を2以上含む場合において、各アルキル基(R基)の炭素数は、互いに異なっていても同じであってもよい。 In the above general formula (3), m 3 is the number of alkyl groups (R 3 groups), and can take any integer of 0 or more within a substitutable range. R 3 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Tetrahydronaphthalene sulfonate ion containing alkyl groups (R 3 group) of one or more (m 3 ≧ 1), the conductive resistance than tetrahydronaphthalene sulfonate ion containing no alkyl group (R 3 group) (m 3 = 0) Emulsifying power to polymer is large and easily melts. When the carbon number of the alkyl group (R 3 group) exceeds 20, the heat resistance tends to decrease. In addition, when two or more alkyl groups (R 3 groups) are contained, the number of carbon atoms of each alkyl group (R 3 group) may be different or the same.

上記一般式(3)で示されるテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオンの具体例としては、テトラヒドロナフタレンスルホン酸イオン、モノブチルテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオン、ジイソプロピルテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオン、ジノニルテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオンなどが挙げられる。ここで、アルキル基(R基)がモノ体か、ジ体か、トリ体であるかは、固体電解コンデンサのLC低減に関して違いはなく、いずれを用いてもよい。また、上記アルキル芳香族スルホン酸イオンは、アルキル基(R、R、R)の一部が置換した置換アルキル基でもよい。例えばアルキルの一部がハロゲン基(F基、Cl基、Br基、I基)で置換されたハロゲン置換アルキルでもよい。 Specific examples of the tetrahydronaphthalenesulfonate ion represented by the general formula (3) include tetrahydronaphthalenesulfonate ion, monobutyltetrahydronaphthalenesulfonate ion, diisopropyltetrahydronaphthalenesulfonate ion, dinonyltetrahydronaphthalenesulfonate ion, and the like. Can be mentioned. Here, whether the alkyl group (R 3 group) is mono, di or tri is not different in terms of LC reduction of the solid electrolytic capacitor, and any of them may be used. The alkyl aromatic sulfonate ion may be a substituted alkyl group in which a part of the alkyl group (R 4 , R 5 , R 6 ) is substituted. For example, some alkyl halide group (F - group, Cl - group, Br - group, I - group) or a halogen-substituted alkyl substituted with.

また、アダマンタンカルボン酸イオン及びアダマンタンスルホン酸イオンは、下記の構造を有している。   Moreover, the adamantane carboxylate ion and the adamantane sulfonate ion have the following structures.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

上記一般式(4)において、置換基Wが、カルボン酸イオン基([COO]基)であるものがアダマンタンカルボン酸イオン、置換基Wがスルホン酸イオン基([SO ]基)であるものがアダマンタンスルホン酸イオンである。 In the above general formula (4), the substituent W is a carboxylate ion group ([COO ] group) is an adamantanecarboxylate ion, and the substituent W is a sulfonate ion group ([SO 3 ] group). Some are adamantane sulfonate ions.

また、第二のドーパントを含有する電解重合層を具えた固体電解コンデンサは、ESR特性及び、耐熱性に優れている。このようなドーパントとして、例えば芳香族ポリスルホン酸イオンや、カルボニル芳香族スルホン酸イオン、芳香族スルホジカルボン酸イオン、芳香族キノンスルホン酸イオン等が挙げられる。   Moreover, the solid electrolytic capacitor provided with the electrolytic polymerization layer containing the second dopant is excellent in ESR characteristics and heat resistance. Examples of such a dopant include aromatic polysulfonate ions, carbonyl aromatic sulfonate ions, aromatic sulfodicarboxylate ions, and aromatic quinone sulfonate ions.

ここで芳香族ポリスルホン酸イオンとは、2つ以上のスルホン酸イオン基を有していることを特徴とし、具体的にはアルキルベンゼンポリスルホン酸イオン、アルキルナフタレンポリスルホン酸イオン、アルキルテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオンが挙げられる。   Here, the aromatic polysulfonate ion is characterized by having two or more sulfonate ion groups. Specifically, the alkylbenzene polysulfonate ion, the alkylnaphthalene polysulfonate ion, and the alkyltetrahydronaphthalene polysulfonate ion are Can be mentioned.

ここで、アルキルベンゼンポリスルホン酸イオンは、次の一般式で表される。   Here, the alkylbenzene polysulfonate ion is represented by the following general formula.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

上記一般式(5)において、mはアルキル基(R基)の数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、Rは炭素数1〜20のアルキル基を表わす。アルキル基(R基)を1以上含むベンゼンスルホン酸イオン(m≧1)は、アルキル基(R基)を含まないベンゼンスルホン酸イオン(m=0)に比べて導電性高分子への乳化力が大きく溶けやすい。アルキル基(R基)の炭素数が20を超えると耐熱性が下がる傾向にある。なお、アルキル基(R基)を2以上含む場合において、各アルキル基(R基)の炭素数は、互いに異なっていても同じであってもよい。また、pはスルホン酸イオン基([SO ]基)の数であり、置換可能な範囲で2以上の任意の数をとることができる。 In the above general formula (5), m 4 is the number of alkyl groups (R 4 groups), and can take any integer of 0 or more within a substitutable range. R 4 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Benzenesulfonate ion containing alkyl groups (R 4 groups) of one or more (m 4 ≧ 1), the conductive polymer than the benzenesulfonate ion containing no alkyl group (R 4 group) (m 4 = 0) The emulsifying power is greatly soluble. When the carbon number of the alkyl group (R 4 group) exceeds 20, the heat resistance tends to decrease. In the case where two or more alkyl groups (R 4 groups) are contained, the carbon number of each alkyl group (R 4 group) may be different or the same. Further, p is the number of sulfonate ion groups ([SO 3 ] groups), and can take any number of 2 or more as long as substitution is possible.

上記一般式(5)で示されるベンゼンポリスルホン酸イオンの具体例としては、ベンゼンジスルホン酸イオン、ジメチルベンゼンジスルホン酸イオン、モノドデシルベンゼンジスルホン酸イオン、ベンゼントリスルホン酸イオン、ジメチルベンゼントリスルホン酸イオン、モノドデシルベンゼントリスルホン酸イオン等がある。ここで、スルホン酸イオン基([SO ]基)がジ体かトリ体であるか、アルキル基(R基)がモノ体か、ジ体か、トリ体であるかは、固体電解コンデンサのLC低減に関して違いはなく、いずれを用いてもよい。 Specific examples of the benzene polysulfonate ion represented by the general formula (5) include benzene disulfonate ion, dimethylbenzene disulfonate ion, monododecylbenzene disulfonate ion, benzene trisulfonate ion, dimethylbenzene trisulfonate ion, Monododecylbenzene trisulfonate ion and the like. Here, whether the sulfonate ion group ([SO 3 ] group) is di-form or tri-form, or whether the alkyl group (R 4 group) is mono-form, di-form or tri-form is determined by solid electrolysis. There is no difference regarding the LC reduction of the capacitor, and either may be used.

また、アルキルナフタレンポリスルホン酸イオンは、下記の一般式で表される。   Further, the alkylnaphthalene polysulfonate ion is represented by the following general formula.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

上記一般式(6)において、qは、スルホン酸イオン基([SO ]基)の数であり、置換可能な範囲で2以上の任意の数をとることができる。mはアルキル基(R基)の数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、Rは、炭素数1〜20のアルキル基を表す。アルキル基(R基)を1以上含むナフタレンスルホン酸イオン(m≧1)は、アルキル基(R基)を含まないナフタレンスルホン酸イオン(m=0)に比べて導電性高分子への乳化力が大きく溶けやすい。アルキル基(R基)を2以上含む場合において、各アルキル基(R基)の炭素数は、互いに異なっていても同じであってもよい。なお、一般式(6)において、アルキル基(R基)及びスルホン酸イオン基(SO 基)は、ナフタレン環の水素が置換可能な範囲で、かつ配向性の条件を満たす限り、ナフタレン環の任意の場所に位置することが可能であることを意味するものとする。 In the general formula (6), q is the number of sulfonate ion groups ([SO 3 ] groups), and can take any number of 2 or more as long as substitution is possible. m 5 is the number of alkyl groups (R 5 groups), and can take any integer of 0 or more within a substitutable range. R 5 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Naphthalene sulfonate ion containing alkyl groups (R 5 groups) one or more (m 5 ≧ 1), the conductive polymer as compared to the naphthalene sulfonate ion containing no alkyl group (R 5 group) (m 5 = 0) The emulsifying power is greatly soluble. In the case where two or more alkyl groups (R 5 groups) are contained, the number of carbon atoms of each alkyl group (R 5 group) may be different or the same. In the general formula (6), the alkyl group (R 5 group) and the sulfonate ion group (SO 3 group) are naphthalene as long as hydrogen in the naphthalene ring can be substituted and the orientation condition is satisfied. It shall mean that it can be located anywhere in the ring.

上記一般式(6)で示されるナフタレンポリスルホン酸イオンの具体例としては、ナフタレンジスルホン酸イオン、ジメチルナフタレンジスルホン酸イオン、ジブチルナフタレンジスルホン酸イオン、ナフタレントリスルホン酸イオン、ジメチルナフタレントリスルホン酸イオン、ジブチルナフタレントリスルホン酸イオンなどが挙げられる。ここで、スルホン酸イオン基([SO ]基)がジ体かトリ体であるか、アルキル基(R基)がモノ体か、ジ体か、トリ体であるかは、固体電解コンデンサのLC低減に関して違いはなく、いずれを用いてもよい。 Specific examples of the naphthalene polysulfonate ion represented by the general formula (6) include naphthalene disulfonate ion, dimethyl naphthalene disulfonate ion, dibutyl naphthalene disulfonate ion, naphthalene trisulfonate ion, dimethyl naphthalene trisulfonate ion, dibutyl. And naphthalene trisulfonate ion. Here, whether the sulfonate ion group ([SO 3 ] group) is di-form or tri-form, or whether the alkyl group (R 5 group) is mono-form, di-form or tri-form is determined by solid electrolysis. There is no difference regarding the LC reduction of the capacitor, and either may be used.

また、アルキルテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオンは、次の一般式で表される。   Further, the alkyltetrahydronaphthalene polysulfonate ion is represented by the following general formula.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

上記一般式(7)において、rは、スルホン酸イオン基([SO ]基)の数であり、置換可能な範囲で2以上の任意の数をとることができる。mはアルキル基(R基)の数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、Rは、炭素数1〜20のアルキル基を表す。アルキル基(R基)を1以上含むテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオン(m≧1)は、アルキル基(R基)を含まないテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオン(m=0)に比べて導電性高分子への乳化力が大きく溶けやすい。アルキル基(R基)を2以上含む場合において、各アルキル基(R基)の炭素数は、互いに異なっていても同じであってもよい。なお、一般式(7)において、アルキル基(R基)及びスルホン酸イオン基([SO ]基)は、テトラヒドロナフタレン環の水素が置換可能な範囲で、かつ配向性の条件を満たす限り、テトラヒドロナフタレン環の任意の場所に位置することが可能であることを意味するものとする。 In the general formula (7), r is the number of sulfonate ion groups ([SO 3 ] groups), and can take any number of 2 or more as long as substitution is possible. m 6 is the number of alkyl groups (R 6 group), and can take any integer of 0 or more within a substitutable range. R 6 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Alkyl group (R 6 groups) one or more comprises tetrahydronaphthalene polysulfonic acid ion (m 6 ≧ 1), the conductive resistance than tetrahydronaphthalene polysulfonic acid ions containing no alkyl group (R 6 groups) (m 6 = 0) Emulsifying power to polymer is large and easy to dissolve. When two or more alkyl groups (R 6 groups) are contained, the carbon number of each alkyl group (R 6 group) may be the same or different. In the general formula (7), the alkyl group (R 6 group) and the sulfonic acid ion group ([SO 3 ] group) are in a range in which hydrogen of the tetrahydronaphthalene ring can be substituted and satisfy the orientation condition. As long as it can be located anywhere on the tetrahydronaphthalene ring.

上記一般式(7)で示されるテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオンの具体例としては、テトラヒドロナフタレンジスルホン酸イオン、モノブチルテトラヒドロナフタレンジスルホン酸イオン、イソプロピルテトラヒドロナフタレンジスルホン酸イオン、テトラヒドロナフタレントリスルホン酸イオン、ジブチルテトラヒドロナフタレントリスルホン酸イオン等が挙げられる。ここで、スルホン酸イオン基([SO ]基)がジ体かトリ体であるか、アルキル基(R基)がモノ体か、ジ体か、トリ体であるかは、固体電解コンデンサのLC低減に関して違いはなく、いずれを用いてもよい。 Specific examples of the tetrahydronaphthalene polysulfonate ion represented by the general formula (7) include tetrahydronaphthalene disulfonate ion, monobutyl tetrahydronaphthalene disulfonate ion, isopropyl tetrahydronaphthalene disulfonate ion, tetrahydronaphthalene trisulfonate ion, dibutyl tetrahydro And naphthalene trisulfonate ion. Here, whether the sulfonate ion group ([SO 3 ] group) is di-form or tri-form, or whether the alkyl group (R 6 group) is mono-form, di-form or tri-form is determined by solid electrolysis. There is no difference regarding the LC reduction of the capacitor, and either may be used.

また、上記アルキル芳香族ポリスルホン酸イオンは、アルキル基(R、R、R)の一部が置換した置換アルキル基でもよい。例えばアルキル基の一部がハロゲン基(F基、Cl基、Br基、I基)で置換されたハロゲン置換アルキルでもよい。具体的には、フルオロアルキルベンゼンポリスルホン酸イオン、フルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオン、フルオロアルキルテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオン、クロロアルキルベンゼンポリスルホン酸イオン、クロロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオン、クロロアルキルテトラヒドロナフタレンポリスルホン酸イオン、ブロモアルキルベンゼンポリスルホン酸イオン、ブロモアルキルナフタレンポリスルホン酸イオン等がある。 The alkyl aromatic polysulfonic acid ion may be a substituted alkyl group in which a part of the alkyl group (R 4 , R 5 , R 6 ) is substituted. For example, a halogen-substituted alkyl in which a part of the alkyl group is substituted with a halogen group (F - group, Cl - group, Br - group, I - group) may be used. Specifically, fluoroalkylbenzene polysulfonate ion, fluoroalkylnaphthalene polysulfonate ion, fluoroalkyltetrahydronaphthalene polysulfonate ion, chloroalkylbenzene polysulfonate ion, chloroalkylnaphthalene polysulfonate ion, chloroalkyltetrahydronaphthalene polysulfonate ion, bromoalkylbenzene polysulfone ion Acid ions, bromoalkylnaphthalene polysulfonate ions, and the like.

ここで、カルボニル芳香族スルホン酸イオンとして、カルボニルベンゼンスルホン酸イオン、カルボニルナフタレンスルホン酸イオン、カルボニルテトラヒドロナフタレンスルホン酸イオンが挙げられる。ここで、カルボニルベンゼンスルホン酸イオンは、下記の一般式で表される。   Here, examples of the carbonyl aromatic sulfonate ion include a carbonylbenzene sulfonate ion, a carbonyl naphthalene sulfonate ion, and a carbonyl tetrahydronaphthalene sulfonate ion. Here, the carbonylbenzenesulfonate ion is represented by the following general formula.

Figure 0004846011
Figure 0004846011

一般式(8)において、Xは、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N−ジアリールアミノ基からなる群から選ばれた基のいずれかである。Yは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基のいずれかである。また、mは置換基Yの数であり、置換可能な範囲で0以上の任意の整数をとることができる。また、スルホン酸イオン基([SO ]基)及び置換基(Y基)は、置換可能な範囲で任意の場所に位置することができる
芳香族キノンスルホン酸イオンは、具体的には、ベンゾキノンスルホン酸イオン、ナフトキノンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸イオンのことをいう。
In the general formula (8), X is an alkoxy group, alkenyloxy group, alkynyloxy group, aryloxy group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N- One of the groups selected from the group consisting of diarylamino groups. Y is any group selected from a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, and an aryloxy group. M 7 is the number of the substituent Y, and can take any integer of 0 or more as long as substitution is possible. In addition, the sulfonate ion group ([SO 3 ] group) and the substituent (Y group) can be located at any position within the substitutable range. Specifically, the aromatic quinone sulfonate ion is It means benzoquinone sulfonate ion, naphthoquinone sulfonate ion, anthraquinone sulfonate ion.

これらの方法で得た固体電解質層の周面に、カーボン層(4)、銀ペースト層(5)を形成して、コンデンサ素子を得る。得られたコンデンサ素子の陽極リード部材(10)と陽極リード端子(20)、銀ペースト層(5)と陰極端子(21)を接続し、陽極端子(20)と陰極端子(21)の一部を残してコンデンサ素子(8)を外装樹脂(7)で被覆し、露出している陽極端子(20)と陰極端子(21)を外装樹脂(7)表面に沿って折り曲げ、固体電解コンデンサが完成する。   A carbon layer (4) and a silver paste layer (5) are formed on the peripheral surface of the solid electrolyte layer obtained by these methods to obtain a capacitor element. The anode lead member (10) of the obtained capacitor element and the anode lead terminal (20), the silver paste layer (5) and the cathode terminal (21) are connected, and the anode terminal (20) and a part of the cathode terminal (21). The capacitor element (8) is covered with the exterior resin (7), and the exposed anode terminal (20) and cathode terminal (21) are bent along the exterior resin (7) surface to complete the solid electrolytic capacitor. To do.

本発明の具体的な実施例について説明する。
(実施例1)
弁作用金属からなり、陽極リードを具えた陽極体(1)の周面に、誘電体皮膜(2)を形成し、その表面に化学重合法を用いて導電性高分子層を形成した。次に、ピロールを0.2mol/l、アルキルナフタレンスルホン酸イオンを0.1mol/l含有する電解重合液を用いて第一の電解重合層を形成し、次いでピロールを0.2mol/l、フルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンを0.1mol/l含む電解重合液を用いてとして用いた第二の電解重合層を形成し、固体電解質層(3)を形成した。
Specific examples of the present invention will be described.
Example 1
A dielectric film (2) was formed on the peripheral surface of the anode body (1) made of a valve metal and provided with an anode lead, and a conductive polymer layer was formed on the surface using a chemical polymerization method. Next, a first electrolytic polymerization layer is formed using an electrolytic polymerization liquid containing 0.2 mol / l of pyrrole and 0.1 mol / l of alkyl naphthalene sulfonate ion, and then 0.2 mol / l of pyrrole, fluoro A second electropolymerization layer was formed using an electropolymerization liquid containing 0.1 mol / l of alkylnaphthalene polysulfonate ion, and a solid electrolyte layer (3) was formed.

前記固体電解質層(3)の表面にカーボン層(4)、銀ペースト層(5)を形成し、コンデンサ素子(8)を作製した。さらに、陽極リード(10)に陽極端子(20)、銀ペースト層(5)に陰極端子(21)を夫々接続し、陽極端子(20)と陰極端子(21)の一部を残してコンデンサ素子(8)を外装樹脂(7)で被覆し、露出している陽極端子(20)と陰極端子(21)を外装樹脂(7)表面に沿って折り曲げ、固体電解コンデンサを完成させた。
(実施例2)
第二の電解重合層に用いるドーパントをフルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンでなくナフタレンジスルホン酸イオンにしたこと以外は製法、使用量共に実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
(実施例3)
第一の電解重合層の形成に用いるドーパントをアルキルナフタレンスルホン酸イオンでなくアルキルベンゼンスルホン酸イオンにしたこと以外は製法、使用量共に実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
(実施例4)
第二の電解重合層の形成に用いるドーパントをフルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンでなくナフタレンジスルホン酸イオンにしたこと以外は製法、使用量共に実施例と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
(比較例1)
第二の電解重合層を形成しないこと以外は実施例1と同様にして、固体電解コンデンサを作製した。
(比較例2)
フルオロアルキルナフタレンスルホン酸イオンを0.1mol/lと、アルキルナフタレンスルホン酸イオンを0.1mol/lと、ピロールを0.2mol/l含む電解液を用いて電解重合層を形成したこと以外は比較例1と同様にして、固体電解コンデンサを作製した。
A carbon layer (4) and a silver paste layer (5) were formed on the surface of the solid electrolyte layer (3) to produce a capacitor element (8). Furthermore, the anode terminal (20) is connected to the anode lead (10), and the cathode terminal (21) is connected to the silver paste layer (5), respectively, and the capacitor element is left leaving a part of the anode terminal (20) and the cathode terminal (21). (8) was covered with the exterior resin (7), and the exposed anode terminal (20) and cathode terminal (21) were bent along the surface of the exterior resin (7) to complete a solid electrolytic capacitor.
(Example 2)
A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the dopant used for the second electrolytic polymerization layer was changed to naphthalenedisulfonate ions instead of fluoroalkylnaphthalene polysulfonate ions.
(Example 3)
A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the dopant used for forming the first electrolytic polymerization layer was not an alkylnaphthalene sulfonate ion but an alkylbenzene sulfonate ion.
Example 4
A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 3 except that the dopant used for forming the second electrolytic polymerization layer was naphthalenedisulfonic acid ion instead of fluoroalkylnaphthalene polysulfonic acid ion.
(Comparative Example 1)
A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the second electrolytic polymerization layer was not formed.
(Comparative Example 2)
Comparison except that an electrolytic polymerization layer was formed using an electrolytic solution containing 0.1 mol / l of fluoroalkylnaphthalene sulfonate ion, 0.1 mol / l of alkyl naphthalene sulfonate ion and 0.2 mol / l of pyrrole. In the same manner as in Example 1, a solid electrolytic capacitor was produced.

上記全ての実施例及び比較例について、リフロー前のESR,255℃でリフロー後のESR及び漏れ電流を測定した。結果を表1に示す。   For all the examples and comparative examples described above, ESR before reflow, ESR after reflow at 255 ° C., and leakage current were measured. The results are shown in Table 1.

Figure 0004846011
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表1より、実施例1、2、3、4は、単一のドーパントを用いた比較例1に比べ、漏れ電流は同程度であるが、ESRが低減されている。また、実施例1、2、3、4は比較例2と比べて、リフロー前後のESR変化は同程度であるが、漏れ電流が著しく小さくなっている。このことから、本発明の固体電解コンデンサは、漏れ電流特性及びESR特性に優れ、且つ耐熱性に優れていることがわかる。   From Table 1, Examples 1, 2, 3, and 4 have the same leakage current as that of Comparative Example 1 using a single dopant, but the ESR is reduced. Further, in Examples 1, 2, 3, and 4, the ESR change before and after the reflow is similar to that in Comparative Example 2, but the leakage current is remarkably reduced. This indicates that the solid electrolytic capacitor of the present invention is excellent in leakage current characteristics and ESR characteristics, and excellent in heat resistance.

以上より、本発明によると、化学重合層に接する電解重合層に、漏れ電流を低減させる効果のあるドーパントを、前記電解重合層より陰極引出層に近い側にESRを低減させる効果を有するドーパントを用いて固体電解コンデンサを形成することによって、1種類のドーパントで電解重合層を一層しか有さない固体電解コンデンサや、異なる性質を有する複数種のドーパントを混合させた一層の電解重合を有する固体電解コンデンサに比べ、漏れ電流を低く維持したまま、ESR特性及び耐熱性に優れた固体電解コンデンサを提供できる。   As described above, according to the present invention, a dopant having an effect of reducing leakage current is added to the electrolytic polymerization layer in contact with the chemical polymerization layer, and a dopant having an effect of reducing ESR closer to the cathode extraction layer than the electrolytic polymerization layer. Solid electrolytic capacitors that have only one layer of electropolymerization layer with one type of dopant, and solid electrolysis that has one layer of electropolymerization mixed with multiple types of dopants with different properties A solid electrolytic capacitor excellent in ESR characteristics and heat resistance can be provided while maintaining a low leakage current as compared with the capacitor.

上記実施例は、本発明を説明するためのものに過ぎず、特許請求の範囲に記載の発明を限定する様に解すべきでない。本発明は、特許請求の範囲内及び均等の意味の範囲内で自由に変更することができる。   The above embodiments are merely illustrative of the present invention and should not be construed as limiting the invention described in the claims. The present invention can be freely modified within the scope of the claims and the scope of equivalent meanings.

例えば、実施例では電解重合による導電性高分子層は2層であるが、本発明は2層と限定されず、3層及びそれ以上とすることも可能である。   For example, in the examples, the conductive polymer layer formed by electrolytic polymerization is two layers, but the present invention is not limited to two layers, and may be three layers or more.

(1) 陽極体
(2) 誘電体皮膜
(3) 固体電解質層
(31) 化学重合による導電性高分子層
(32) 電解重合による導電性高分子層
(4) カーボン層
(5) 銀ペースト層
(7) 外装樹脂
(8) コンデンサ素子
(10) 陽極リード
(20) 陽極端子
(21) 陰極端子
(1) Anode body (2) Dielectric film (3) Solid electrolyte layer (31) Conductive polymer layer by chemical polymerization (32) Conductive polymer layer by electrolytic polymerization (4) Carbon layer (5) Silver paste layer (7) Exterior resin (8) Capacitor element (10) Anode lead (20) Anode terminal (21) Cathode terminal

Claims (4)

陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、
前記固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、
第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、
前記第一電解重合層はアルキルナフタレンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり
前記第二電解重合層はナフタレンジスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
In a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body,
The solid electrolyte layer comprises at least first and second electrolytic polymerization layers formed by electrolytic polymerization of the same monomer,
The first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer,
The first electropolymerization layer is made of a conductive polymer having an alkylnaphthalene sulfonate ion as a dopant ,
The second electrolytic polymerization layer solid electrolytic capacitor according to claim Rukoto such a conductive polymer to the naphthalene disulfonic acid ion as a dopant.
陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、
前記固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、
第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、
前記第一電解重合層はアルキルナフタレンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり
前記第二電解重合層はフルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
In a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body,
The solid electrolyte layer comprises at least first and second electrolytic polymerization layers formed by electrolytic polymerization of the same monomer,
The first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer,
The first electropolymerization layer is made of a conductive polymer having an alkylnaphthalene sulfonate ion as a dopant ,
The second electrolytic polymerization layer solid electrolytic capacitor according to claim Rukoto such a conductive polymer to the fluoroalkyl naphthalene polysulfonic acid ion as a dopant.
陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、
前記固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、
第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、
前記第一電解重合層はアルキルベンゼンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり
前記第二電解重合層はナフタレンジスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする特徴とする固体電解コンデンサ。
In a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body,
The solid electrolyte layer comprises at least first and second electrolytic polymerization layers formed by electrolytic polymerization of the same monomer,
The first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer,
The first electropolymerization layer is made of a conductive polymer having an alkylbenzene sulfonate ion as a dopant ,
The second electrolytic polymerization layer solid electrolytic capacitor according to claim, characterized in Rukoto such a conductive polymer to the naphthalene disulfonic acid ion as a dopant.
陽極体周面に、誘電体皮膜、固体電解質層、陰極引出層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、
前記固体電解質層は、同一のモノマーを電解重合することにより形成される少なくとも第一、第二の電解重合層を具え、
第一電解重合層は第二電解重合層よりも誘電体皮膜側に形成され、
前記第一電解重合層はアルキルベンゼンスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなり
前記第二電解重合層はフルオロアルキルナフタレンポリスルホン酸イオンをドーパントとする導電性高分子からなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
In a solid electrolytic capacitor in which a dielectric film, a solid electrolyte layer, and a cathode lead layer are sequentially formed on the peripheral surface of the anode body,
The solid electrolyte layer comprises at least first and second electrolytic polymerization layers formed by electrolytic polymerization of the same monomer,
The first electropolymerization layer is formed on the dielectric film side of the second electropolymerization layer,
The first electropolymerization layer is made of a conductive polymer having an alkylbenzene sulfonate ion as a dopant ,
The second electrolytic polymerization layer solid electrolytic capacitor according to claim Rukoto such a conductive polymer to the fluoroalkyl naphthalene polysulfonic acid ion as a dopant.
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