JP4839323B2 - 配線基板の設計方法 - Google Patents
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Description
HHBT試験で該配線基板に形成された配線からのイオンマイグレーションによる金属溶出距離が急速に長くなる領域において、
(i)絶対温度(T)および相対湿度(H)を固定した条件で電界強度(E)を変動させて、電界強度(E)がイオンマイグレーションに及ぼす影響を示す関数f(E)を得、
(ii)電界強度(E)および絶対温度(T)を固定した条件で相対湿度(H)を変動させて、相対湿度(H)がイオンマイグレーションに及ぼす影響を示す関数g(H)を得、
(iii)相対湿度(H)および電界強度(E)を固定した条件で絶対温度(T)を変動させて、絶対温度(T)がイオンマイグレーションに及ぼす影響を示す関数h(T)を得、
(iv)上記のようにして得られた関数f(E)、g(H)およびh(T)を次式(2’)に代入してαを公式化し、
(vi)前記予測溶出距離(L)よりも、前記配線の内の任意の一の配線(A)とこの配線(A)に隣接する配線(A-1)との配線間距離が大きくなるように、配線の配置を設計することを特徴としている。
さらに、本発明では上記絶縁性樹脂からなるフィルムが、ポリイミドからなる厚さ8〜75μmのフィルムであることが好ましい。
さらに、本発明で設計された配線基板に形成された個々の配線に印加される電圧は、通常は1〜200Vの範囲内にある。
以下、本発明において、HHBT試験の条件を、温度358K、湿度85%RH、印加電圧60Vとした場合のαの値を算定する手法を説明する。
γは、αが、金属の溶出距離(L)を示す式(1)において、金属の溶出という化学反応の反応速度定数であると考えられることから、アレニウスの式を用いて温度の関数として表すことができる。なお、図4に示された直線の傾きが、アレニウスの式における活性化エネルギーを気体定数で割り、さらにネイピア数の常用対数およびマイナス1をかけた値に相当するので、前記のようにして得られた関数に前記傾きから求まる活性化エネルギーの数値を代入することで、γは下記式(4)で表される。
の両辺を、配線間距離L'で割って変形すると、式(1)は次式(6)で表すことができる。
式(1)(tとしてHHBT試験において要求される耐久時間1000時間(60000分)を採用する)より、L=α・60000 1/2 であり、また式(7)の導出過程で述べたように、今回はLを基材配線ギャップL’で割って得られた指数θは1であるから、これらと式(8)より次式(9)の関係が得られる。
厚さ38μmのポリイミドフィルム(ピロメリット酸2無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、デュポン社製、商品名:カプトン)の一方の面に設けた厚さ200〜250Åのニッケル-クロムからなる基材金属層の表面に、市販の銅メッキ液を用いた電解メッキ法により、厚さ8μmの銅層を形成した。
Claims (9)
- 絶縁性樹脂からなるフィルムの表面にNiおよびCrからなり厚さが50〜10,000Åの範囲内にある基材金属層および銅層がこの順序で積層された金属からなる多数の配線を、10〜30μmの範囲内の距離で離間して配置する配線基板を設計する方法であって、
HHBT試験で、HHBT試験開始後6000分間以上(100時間以上)の領域において、
(i)絶対温度(T)および相対湿度(H)を固定した条件で電界強度(E)を変動させて、電界強度(E)がイオンマイグレーションに及ぼす影響を示す関数f(E)を得、
(ii)電界強度(E)および絶対温度(T)を固定した条件で相対湿度(H)を変動させて、相対湿度(H)がイオンマイグレーションに及ぼす影響を示す関数g(H)を得、
(iii)相対湿度(H)および電界強度(E)を固定した条件で絶対温度(T)を変動させて、絶対温度(T)がイオンマイグレーションに及ぼす影響を示す関数h(T)を得、
(iv)上記のようにして得られた関数f(E)、g(H)およびh(T)を次式(2')に代入してαを公式化し、
(vi)前記予測溶出距離(L)よりも、前記配線の内の任意の一の配線(A)とこの配線(A)に隣接する配線(A-1)との配線間距離が大きくなるように、配線の配置を設計することを特徴とする配線基板の設計方法。 - 前記関数f(E)は、次式(2)で表されることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板の設計方法;
- 前記関数g(H)は、次式(3)で表されることを特徴とする請求項第1項または第2項記載の配線基板の設計方法;
- 前記関数h(T)は、次式(4)で表されることを特徴とする請求項第1項〜第3項のいずれかに記載の配線基板の設計方法;
- 前記式(1)におけるαが次式で表されることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板の設計方法:
- 前記HHBT試験において要求される耐久時間(t)が60,000分間(1000時間)であることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板の設計方法。
- 上記絶縁性樹脂からなるフィルムが、ポリイミドからなる厚さ8〜75μmのフィルムであることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板の設計方法。
- 上記配線からの溶出金属が、ニッケルであることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板の設計方法。
- 上記配線基板に形成された個々の配線に印加される電圧が1〜200Vの範囲内にあることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板の設計方法。
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