JP4826496B2 - Electrode plating anode electrode mounting structure - Google Patents

Electrode plating anode electrode mounting structure Download PDF

Info

Publication number
JP4826496B2
JP4826496B2 JP2007036231A JP2007036231A JP4826496B2 JP 4826496 B2 JP4826496 B2 JP 4826496B2 JP 2007036231 A JP2007036231 A JP 2007036231A JP 2007036231 A JP2007036231 A JP 2007036231A JP 4826496 B2 JP4826496 B2 JP 4826496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode electrode
mounting structure
power supply
electrolytic plating
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007036231A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008202065A (en
Inventor
昭裕 増田
正好 小日向
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2007036231A priority Critical patent/JP4826496B2/en
Publication of JP2008202065A publication Critical patent/JP2008202065A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4826496B2 publication Critical patent/JP4826496B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、電解メッキ槽内に設けられる電解メッキ用アノード電極取付構造に係り、特に、アノード電極に電源を効果的に供給できるようにしたアノード電極取付構造に関する。   The present invention relates to an electrolytic plating anode electrode mounting structure provided in an electrolytic plating tank, and more particularly, to an anode electrode mounting structure that can effectively supply power to an anode electrode.

従来、例えば、LSI(半導体集積回路)の半導体基板上に配線材料としての銅(Cu)の薄膜を形成するときには、電解メッキ法が採用されている(特許文献1参照)。この銅の薄膜を形成するための電解メッキ装置は、メッキ槽内の上部にカソード電極が配置されるとともに、そのメッキ槽内の下部に銅電極からなるアノード電極が配置されている。
そして、半導体基板は、カソード電極に接続された状態を保って、かつ、その半導体基板に形成されている導電膜の面が電解液に浸漬されるようにして設けられている。
Conventionally, for example, when a thin film of copper (Cu) as a wiring material is formed on a semiconductor substrate of an LSI (semiconductor integrated circuit), an electrolytic plating method is employed (see Patent Document 1). In this electrolytic plating apparatus for forming a copper thin film, a cathode electrode is arranged at the upper part in the plating tank, and an anode electrode made of a copper electrode is arranged at the lower part in the plating tank.
The semiconductor substrate is provided so as to be connected to the cathode electrode and so that the surface of the conductive film formed on the semiconductor substrate is immersed in the electrolytic solution.

前記構成からなる電解メッキ装置において、カソード電極とアノード電極との間に電源を接続して通電すると、半導体基板の導電膜面上には、銅の薄膜(メッキ膜)が形成される。
上述のアノード電極の材質は、メッキ膜の性質によって決められる。このため、半導体基板上にハンダの突起電極であるバンプを電解メッキ法で形成するときには、ハンダ合金のアノード電極が用いられる。
このアノード電極に電源を接続する構造としては、単に電源に連なる金属製の給電部の上にアノード電極を載置したもの、あるいは、アノード電極本体をなす金属製ボディに電源に連なる金属製電極シャフトを植設したものが知られている(特許文献2参照)。
特開2006−219697号公報 特表2005−503485号公報
In the electrolytic plating apparatus having the above configuration, when a power source is connected between the cathode electrode and the anode electrode and energized, a copper thin film (plating film) is formed on the conductive film surface of the semiconductor substrate.
The material of the above-mentioned anode electrode is determined by the properties of the plating film. For this reason, when forming bumps, which are solder bump electrodes, on the semiconductor substrate by electrolytic plating, a solder alloy anode electrode is used.
As a structure for connecting a power source to the anode electrode, a metal electrode shaft connected to the power source is simply mounted on the metal power supply portion connected to the power source or a metal body forming the anode electrode body. Is known (see Patent Document 2).
JP 2006-219697 A JP 2005-503485 gazette

しかしながら、前記従来のアノード電極取付構造のうち、電源に連なる金属製の給電部の上にアノード電極を載置したものは、給電部とアノード電極との間に電解液が浸透しやすく、電解液が浸透すると、アノード電極の給電部に接触する部分も電解により侵食して、メッキ電圧を上昇させてしまい、その結果、アノード電極を使い切らないうちにメッキできなくなってしまうという問題があった。
また、アノード電極本体をなす金属製ボディに金属製電極シャフトを植設したものは、金属製ボディの剛性が低いために細心の注意を払って製造する必要があり、さらに、金属製電極シャフトがメッキ槽壁に接触するとアノード電極本体への給電に悪影響を与えてしまうとともに、アノード電極本体を変形させてしまうという問題があった。
However, in the conventional anode electrode mounting structure, the one in which the anode electrode is placed on the metal power feeding part connected to the power source is easy to permeate the electrolyte between the power feeding part and the anode electrode. When the electrode penetrates, the portion of the anode electrode that contacts the power feeding portion is also eroded by electrolysis, increasing the plating voltage. As a result, there is a problem that plating cannot be performed before the anode electrode is used up.
In addition, the metal electrode shaft implanted in the metal body forming the anode electrode body must be manufactured with great care due to the low rigidity of the metal body. When contacting the plating tank wall, there is a problem in that the power supply to the anode electrode body is adversely affected and the anode electrode body is deformed.

そこで、本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、アノード電極に安定して電源を供給することができるとともに、電解液の浸透を防止して耐久性を向上させ、しかも、アノード電極の設置が容易な電解メッキ用アノード電極取付構造を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and the object thereof is to stably supply power to the anode electrode and to prevent the penetration of the electrolytic solution to improve the durability. Moreover, it is an object to provide an anode electrode mounting structure for electrolytic plating in which an anode electrode can be easily installed.

本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造は、上面に突起部を有する給電プレートと、該給電プレートの上面に前記突起部を食い込ませた状態で載置されたアノード電極とを備えることを特徴とする。
前記構成からなる電解メッキ用アノード電極構造は、給電プレートの上面にアノード電極が載置されると、給電プレートの突起部がアノード電極に食い込み、給電プレートとアノード電極とが電気的に一体化される。そして、その食い込んでいる部分では、電解液の接触による侵食が防止される。
An anode electrode mounting structure for electrolytic plating according to the present invention includes a power supply plate having a protrusion on an upper surface, and an anode electrode placed in a state where the protrusion is bitten on the upper surface of the power supply plate. And
In the anode structure for electrolytic plating having the above structure, when the anode electrode is placed on the upper surface of the power feeding plate, the protrusion of the power feeding plate bites into the anode electrode, and the power feeding plate and the anode electrode are electrically integrated. The And the erosion by the contact of electrolyte solution is prevented in the biting-in part.

また、本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造において、前記突起部が、給電プレートの上面にリング状に設けられている構成としてもよい。
前記構成からなる電解メッキ用アノード電極取付構造は、リング状の突起部に囲まれた領域内への電解液の浸入が防止され、給電をより確実にすることができる。
さらに、本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造において、前記突起部が、給電プレートの上面に互いに間隔を保って点状に複数個設けられている構成としてもよく、突起部を点状に複数設けたことにより、これら突起部が食い込む個所が複数に増えることから、電解液の浸入防止をより確実にすることができる。
In the electrolytic plating anode electrode mounting structure according to the present invention, the protrusion may be provided in a ring shape on the upper surface of the power feeding plate.
The electrolytic plating anode electrode mounting structure having the above-described structure prevents the electrolyte from entering the region surrounded by the ring-shaped protrusions, thereby ensuring power supply.
Furthermore, in the anode electrode mounting structure for electrolytic plating according to the present invention, a plurality of the protrusions may be provided on the upper surface of the power supply plate in a dotted manner with a space between each other. By providing a plurality, the number of locations where these protrusions bite increases to a plurality, so that it is possible to more reliably prevent the electrolyte from entering.

また、本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造において、前記給電プレートとアノード電極との間に直径の異なる複数のリング状のシール部材が設けられ、これらシール部材の間に前記突起部が配置されている構成としてもよい。
前記構成からなる電解メッキ用アノード電極構取付造は、アノード電極に食い込まれている給電プレートの突起部の部分がシール部材で囲まれた状態となるので、これらシール部材によって食い込み部分を電解液から確実に隔離することができる。
In the electrolytic plating anode electrode mounting structure according to the present invention, a plurality of ring-shaped seal members having different diameters are provided between the power supply plate and the anode electrode, and the protrusions are disposed between the seal members. It is good also as the structure currently made.
The anode structure for electrolytic plating having the above-described structure is in a state in which the protruding portion of the power feeding plate that is bitten into the anode electrode is surrounded by the sealing member. It can be reliably isolated.

また、本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造において、前記アノード電極の中心部には、電解液を通過させる通液孔が設けられている。
この場合、アノード電極には給電プレートの突起部が食い込んでいるので、通液孔に電解液を通過させても食い込み部に電解液が浸入することを確実に防止することができる。
そして、本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造において、前記給電プレートは不溶性電極材からなり、前記アノード電極はハンダ合金からなる構成とすればハンダバンプを電界メッキで形成することができ、その際にアノード電極は硬度が低いので、給電プレートの突起部を自重等によって簡単に食い込ませることができる。
In the electrolytic plating anode electrode mounting structure according to the present invention, a liquid passage hole through which an electrolytic solution passes is provided at the center of the anode electrode.
In this case, since the protruding portion of the power feeding plate bites into the anode electrode, it is possible to reliably prevent the electrolyte from entering the biting portion even if the electrolytic solution is passed through the liquid passage hole.
In the electrolytic plating anode electrode mounting structure according to the present invention, if the power feeding plate is made of an insoluble electrode material and the anode electrode is made of a solder alloy, solder bumps can be formed by electroplating. In addition, since the anode electrode has low hardness, the protruding portion of the power feeding plate can be easily bited by its own weight or the like.

本発明に係る電解メッキ用アノード電極取付構造によれば、給電プレートの突起部がアノード電極に食い込んだ状態でこれら給電プレートとアノード電極とが電気的に一体化されるので、給電プレートとアノード電極との接合部分への電解液の浸透を防止することができる。したがって、アノード電極に安定して電源を供給することができ、効率よくメッキ処理を行うことができるとともに、アノード電極を最後まで使い切ることができる。しかも、給電プレートにアノード電極を載置するだけの簡単な構造であり、アノード電極の設置も容易である。   According to the anode mounting structure for electrolytic plating according to the present invention, since the power feeding plate and the anode electrode are electrically integrated with the protruding portion of the power feeding plate biting into the anode electrode, the power feeding plate and the anode electrode It is possible to prevent the electrolyte from penetrating into the joint portion. Therefore, power can be stably supplied to the anode electrode, plating can be performed efficiently, and the anode electrode can be used up to the end. In addition, it is a simple structure in which the anode electrode is simply placed on the power supply plate, and the anode electrode can be easily installed.

以下、本発明の電解メッキ用アノード電極取付構造の実施形態について、図面に基づいて説明する。
図1は本発明の第一の実施形態に係る電解メッキ用アノード電極取付構造を適用した電解メッキ装置1の概略構成を示す断面図である。
この電解メッキ装置1は、上部が開口した所定の容積を有するメッキ槽2の上端部に、該メッキ槽2に架け渡すように半導体基板3を搭載するカソード電極4が設けられ、そのメッキ槽1内の下部に、円板状の給電プレート5と、その給電プレート5上に載置される円板状のアノード電極6とが積み重ね状態に設けられている。
Hereinafter, an embodiment of an anode electrode mounting structure for electrolytic plating according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of an electrolytic plating apparatus 1 to which an electrolytic plating anode electrode mounting structure according to a first embodiment of the present invention is applied.
The electrolytic plating apparatus 1 is provided with a cathode electrode 4 on which a semiconductor substrate 3 is mounted so as to be bridged over the plating tank 2 at the upper end of a plating tank 2 having a predetermined volume with an open top. A disk-shaped power supply plate 5 and a disk-shaped anode electrode 6 placed on the power supply plate 5 are provided in a stacked state in the lower part.

前記カソード電極4は、メッキ槽2の壁の上端部の複数個所に突起状に設けられており、その上端部との間にわずかな隙間を介して半導体基板3を搭載することにより、メッキ槽1からオーバーフローする硫酸等を含む電解液Lの液面上に半導体基板3のメッキ面を浸漬させた状態に保持できるようになっている。   The cathode electrode 4 is provided in a projecting shape at a plurality of locations on the upper end of the wall of the plating tank 2, and the semiconductor substrate 3 is mounted with a slight gap between the upper end of the cathode 4, thereby providing a plating tank. The plating surface of the semiconductor substrate 3 can be held in a state of being immersed on the liquid surface of the electrolytic solution L containing sulfuric acid or the like overflowing from 1.

前記給電プレート5は、剛性を有するチタン又はチタン合金、白金、あるいはチタンやチタン合金に白金をコーティングした電極材等の不溶性電極材からなり、容易に変形しないように所定の厚さを有して構成されている。そして、この給電プレート5の中心部には、電解液Lを供給するための給液管11を挿通させる貫通孔12が形成されている。また、この給電プレート5の上面の外周側には、先端が鋭角に形成されたリング状の突起部13が一体に形成されている。   The power feeding plate 5 is made of insoluble electrode material such as titanium or titanium alloy having rigidity, platinum, or electrode material obtained by coating titanium or titanium alloy with platinum, and has a predetermined thickness so as not to be easily deformed. It is configured. A through hole 12 through which the liquid supply pipe 11 for supplying the electrolyte L is inserted is formed at the center of the power supply plate 5. Further, on the outer peripheral side of the upper surface of the power supply plate 5, a ring-shaped protrusion 13 having a tip formed at an acute angle is integrally formed.

前記アノード電極6は、その平面形状は前記給電プレート5と同じか、それより大径の円板状に形成されるが、給電プレート5よりも硬度の低い金属によって構成され、その材質はメッキの性質によって決められる。例えば、そのメッキが半導体基板3上にハンダバンプを形成するときには、ハンダ合金のアノード電極が用いられる。また、半導体基板3上に配線材料としての銅(Cu)の薄膜を形成するときには、銅合金のアノード電極が用いられる。その他、このアノード電極の材料としては、給電プレートがチタン又はチタン合金からなる場合は、Sn,SnAg,SnAgCu,PbSn,Pbであれば問題なく採用することができる。そして、このアノード電極6の中心部には、給電プレート5の給液管11に対向するように、電解液Lを通過させるための通液孔14が形成されている。   The anode electrode 6 has a planar shape that is the same as or larger than that of the power supply plate 5, but is made of a metal having a lower hardness than that of the power supply plate 5. It depends on the nature. For example, when the plating forms solder bumps on the semiconductor substrate 3, a solder alloy anode electrode is used. When a copper (Cu) thin film as a wiring material is formed on the semiconductor substrate 3, a copper alloy anode electrode is used. In addition, when the power supply plate is made of titanium or a titanium alloy, Sn, SnAg, SnAgCu, PbSn, and Pb can be used as the material for the anode electrode without any problem. A liquid passage hole 14 for allowing the electrolytic solution L to pass therethrough is formed at the center of the anode electrode 6 so as to face the liquid supply pipe 11 of the power supply plate 5.

また、前記給電プレート5とアノード電極6との間には、直径の異なる二つのリング状のシール部材15,16が設けられており、このうちの一方のシール部材15は、給電プレート5の上面に設けられている突起部13の外側に位置できるように大きさが決められ、他方のシール部材16は、その突起部13の内側に位置できるように大きさが決められている。つまり、これらシール部材15,16の間に給電プレート5の突起部13が配置される構成である。
なお、この図1中、符号17は、メッキ槽1の外側に設けられた外槽で、メッキ槽2の上端壁から溢流してくる電解液Lを受け入れることができるように構成されている。そして、その外槽17に受け入れた電解液Lは、前記給液管11を介してメッキ槽2の下部から供給できるように構成されている。
Further, two ring-shaped seal members 15 and 16 having different diameters are provided between the power supply plate 5 and the anode electrode 6, and one of the seal members 15 is an upper surface of the power supply plate 5. The size of the sealing member 16 is determined so that it can be located outside the protrusion 13 provided on the other side, and the size of the other seal member 16 is determined so that it can be positioned inside the protrusion 13. That is, the protrusion 13 of the power feeding plate 5 is disposed between the seal members 15 and 16.
In FIG. 1, reference numeral 17 denotes an outer tank provided outside the plating tank 1 and is configured to receive the electrolyte L overflowing from the upper end wall of the plating tank 2. The electrolyte L received in the outer tank 17 is configured to be supplied from the lower part of the plating tank 2 through the liquid supply pipe 11.

このように構成した電解メッキ装置1において、給電プレート5にアノード電極6が載置されると、アノード電極6の重量により給電プレート5の突起部13がアノード電極6の裏面に食い込み、図2に示すようにアノード電極6と給電プレート5とが突起部13の頂部において一体化される。したがって、この食い込んでいる突起部13の頂部においては、その接触部分への電解液Lの浸透が防止される。   In the electrolytic plating apparatus 1 configured as described above, when the anode electrode 6 is placed on the power supply plate 5, the protrusion 13 of the power supply plate 5 bites into the back surface of the anode electrode 6 due to the weight of the anode electrode 6. As shown, the anode electrode 6 and the power feeding plate 5 are integrated at the top of the protrusion 13. Therefore, the penetration of the electrolytic solution L into the contact portion is prevented at the top of the protruding portion 13 that bites in.

この場合、アノード電極6はハンダ合金からなり、給電プレート5に比べて硬度が低いので、アノード電極6を給電プレート5に載置するだけで、給電プレート5の突起部13に食い込んだ状態とすることができる。
そして、この突起部13が食い込んでいる部分は、2つのシール部材15,16で突起部13が囲まれた状態となっているので、両シール部材15,16の間に電解液Lが侵入することが防止され、電解液Lの浸透を効果的に防止することができる。
In this case, since the anode electrode 6 is made of a solder alloy and has a hardness lower than that of the power feeding plate 5, the anode electrode 6 is simply placed on the power feeding plate 5 and is in a state of being bitten into the protrusion 13 of the power feeding plate 5. be able to.
And since the projection part 13 is in the state where the projection part 13 was surrounded by the two seal members 15 and 16 in the part which this projection part 13 bites in, the electrolyte solution L penetrate | invades between both the seal members 15 and 16. And the penetration of the electrolyte L can be effectively prevented.

このような構成の電解メッキ装置1において、カソード電極4に電源Eの陰極を接続するとともに、アノード電極6に電源Eの陽極を接続し、給電プレート5の給液管11から電解液Lを流通させながら両電極3,6間に通電すると、半導体基板3の電解液Lに浸漬されている面上に薄膜のメッキ膜が形成される。このとき、前記したように、給電プレート5とアノード電極6との接触部分には電解液Lが浸透しないので、アノード電極6に安定して電源を供給することができ、半導体基板3に高品質でメッキすることができるものである。   In the electrolytic plating apparatus 1 having such a configuration, the cathode of the power source E is connected to the cathode electrode 4, the anode of the power source E is connected to the anode electrode 6, and the electrolyte L is circulated from the liquid supply pipe 11 of the power feeding plate 5. When a current is applied between the electrodes 3 and 6, the thin plated film is formed on the surface of the semiconductor substrate 3 immersed in the electrolyte L. At this time, as described above, since the electrolytic solution L does not penetrate into the contact portion between the power feeding plate 5 and the anode electrode 6, power can be stably supplied to the anode electrode 6, and the semiconductor substrate 3 can be supplied with high quality. It can be plated with.

一方、図3及び図4は本発明の第二の実施形態に係るアノード電極取付構造を示したものである。この実施形態における給電プレート21には、複数個の突起部22が互いに間隔を保って点状に設けられているとともに、給電プレート21とアノード電極6との間の内周部と外周部とにそれぞれシール部材15,16が設けられ、これらシール部材15,16の間の領域に各突起部22が配置されるように構成されている。その他の構成は、上述した第一の実施形態の構造と同じである。   On the other hand, FIGS. 3 and 4 show an anode electrode mounting structure according to the second embodiment of the present invention. In the power supply plate 21 in this embodiment, a plurality of protrusions 22 are provided in the form of dots spaced from each other, and at the inner peripheral portion and the outer peripheral portion between the power supply plate 21 and the anode electrode 6. Seal members 15 and 16 are provided, and each protrusion 22 is arranged in a region between the seal members 15 and 16. Other configurations are the same as the structure of the first embodiment described above.

このような電極取付構造においても、給電プレート21にアノード電極6が載置されると、アノード電極6の重量により給電プレート21の突起部22がアノード電極6の裏面に食い込み、アノード電極6と給電プレート21とが一体化される。したがって、アノード電極21に安定して電源を供給することができる。また、突起部22が食い込んでいる部分は、二つのシール部材15,16で電解液から隔絶されるので、電解液の浸透を効果的に防止することができる。   Also in such an electrode mounting structure, when the anode electrode 6 is placed on the power feeding plate 21, the protrusion 22 of the power feeding plate 21 bites into the back surface of the anode electrode 6 due to the weight of the anode electrode 6, and feeds power to the anode electrode 6. The plate 21 is integrated. Therefore, power can be stably supplied to the anode electrode 21. Moreover, since the part into which the protrusion part 22 bites is isolated from electrolyte solution by the two sealing members 15 and 16, penetration of electrolyte solution can be prevented effectively.

なお、上述の両実施形態におけるアノード電極取付構造では、給電プレート5,21上にアノード電極6を載置するだけの構造であるが、必要であれば、給電プレート5,21上にアノード電極6を載置した状態で両者をクリップ機構等を用いて挟持するなどにより、若干アノード電極6を上方から押圧して給電プレート5の突起部13,22に食い込ませるようにしてもよい。
また、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において変更可能である。例えば、突起部の付近を電解液からシールするためのシール部材を二つ設けたが、三つ以上設けてもよいし、点状に突起部を配置する場合は各突起部を囲むように設けてもよい。また、突起部がアノード電極に食い込んで電解液の浸透を防止する効果があるので、シール部材を省略することも可能である。
In addition, in the anode electrode mounting structure in both the above-described embodiments, the anode electrode 6 is simply placed on the power feeding plates 5, 21. However, if necessary, the anode electrode 6 is placed on the power feeding plates 5, 21. Alternatively, the anode electrode 6 may be slightly pressed from above so as to bite into the protrusions 13 and 22 of the power supply plate 5 by sandwiching the two using a clip mechanism or the like.
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed without departing from the gist of the present invention. For example, two seal members are provided to seal the vicinity of the protrusions from the electrolyte, but three or more may be provided, and when the protrusions are arranged in a dotted shape, they are provided so as to surround each protrusion. May be. In addition, since the protruding portion has an effect of biting into the anode electrode and preventing permeation of the electrolytic solution, the sealing member can be omitted.

本発明の第一の実施形態に係るアノード電極取付構造を適用した電解メッキ装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the electroplating apparatus to which the anode electrode attachment structure which concerns on 1st embodiment of this invention is applied. 図1における給電プレート及びアノード電極の要部の拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of main parts of a power feeding plate and an anode electrode in FIG. 本発明の第二の実施形態に係るアノード電極取付構造における給電プレート及びアノード電極の断面図である。It is sectional drawing of the electric power feeding plate and anode electrode in the anode electrode attachment structure which concerns on 2nd embodiment of this invention. 図3におけるA−A線に沿う矢視図である。FIG. 4 is an arrow view along the line AA in FIG. 3.

符号の説明Explanation of symbols

1 電解メッキ装置
2 メッキ槽
3 半導体基板
4 カソード電極
5 給電プレート
6 アノード電極
11 給液管
12 貫通孔
13 突起部
14 通液孔
15,16 シール部材
17 外槽
21 給電プレート
22 突起部
L 電解液
E 電源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electroplating apparatus 2 Plating tank 3 Semiconductor substrate 4 Cathode electrode 5 Power supply plate 6 Anode electrode 11 Supply pipe 12 Through-hole 13 Protrusion part 14 Liquid passage hole 15,16 Seal member 17 Outer tank 21 Power supply plate 22 Protrusion part L Electrolyte E Power supply

Claims (6)

上面に突起部を有する給電プレートと、該給電プレートの上面に前記突起部を食い込ませた状態で載置されたアノード電極とを備えることを特徴とする電解メッキ用アノード電極取付構造。   An anode electrode mounting structure for electrolytic plating, comprising: a power supply plate having a protrusion on an upper surface; and an anode electrode placed in a state where the protrusion is bitten on the upper surface of the power supply plate. 前記突起部は、前記給電プレートの上面にリング状に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電解メッキ用アノード電極取付構造。   2. The anode mounting structure for electrolytic plating according to claim 1, wherein the protrusion is provided in a ring shape on the upper surface of the power supply plate. 前記突起部は、前記給電プレートの上面に互いに間隔を保って点状に複数個設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電解メッキ用アノード電極取付構造。   2. The anode mounting structure for electrolytic plating according to claim 1, wherein a plurality of the projecting portions are provided in a dotted shape on the upper surface of the power supply plate with a space between each other. 前記給電プレートとアノード電極との間に直径の異なる複数のリング状のシール部材が設けられ、これらシール部材の間に前記突起部が配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電解メッキ用アノード電極取付構造。   4. A plurality of ring-shaped seal members having different diameters are provided between the power supply plate and the anode electrode, and the protrusions are disposed between the seal members. An anode electrode mounting structure for electrolytic plating according to claim 1. 前記アノード電極の中心部には、電解液を通過させる通液孔が設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電解メッキ用アノード電極取付構造。   The anode electrode mounting structure for electrolytic plating according to any one of claims 1 to 4, wherein a liquid passage hole through which an electrolytic solution passes is provided in a central portion of the anode electrode. 前記給電プレートは不溶性電極材からなり、前記アノード電極はハンダ合金からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電解メッキ用アノード電極取付構造。   6. The anode mounting structure for electrolytic plating according to claim 1, wherein the power feeding plate is made of an insoluble electrode material, and the anode electrode is made of a solder alloy.
JP2007036231A 2007-02-16 2007-02-16 Electrode plating anode electrode mounting structure Expired - Fee Related JP4826496B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007036231A JP4826496B2 (en) 2007-02-16 2007-02-16 Electrode plating anode electrode mounting structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007036231A JP4826496B2 (en) 2007-02-16 2007-02-16 Electrode plating anode electrode mounting structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008202065A JP2008202065A (en) 2008-09-04
JP4826496B2 true JP4826496B2 (en) 2011-11-30

Family

ID=39779862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007036231A Expired - Fee Related JP4826496B2 (en) 2007-02-16 2007-02-16 Electrode plating anode electrode mounting structure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4826496B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2009278385B2 (en) 2008-08-05 2015-06-11 Toray Industries, Inc. Immunity-inducing agent
JP5400408B2 (en) * 2009-02-13 2014-01-29 株式会社荏原製作所 Current-carrying member for anode holder and anode holder
JP6164920B2 (en) * 2013-05-13 2017-07-19 株式会社 後島精工 Manufacturing method of plating jig
TWI658175B (en) * 2014-02-25 2019-05-01 日商荏原製作所股份有限公司 Anode unit and plating apparatus having such anode unit

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58181898A (en) * 1982-04-14 1983-10-24 Fujitsu Ltd Current supply apparatus used in plating
JPH0536698A (en) * 1991-07-31 1993-02-12 Matsushita Electron Corp Jig for plating wafer
JP3241430B2 (en) * 1992-04-21 2001-12-25 沖電気工業株式会社 Semiconductor wafer bump electrode plating apparatus and bump electrode plating method
JP3112119B2 (en) * 1992-04-30 2000-11-27 沖電気工業株式会社 Semiconductor wafer plating equipment
JPH11209898A (en) * 1998-01-23 1999-08-03 Ebara Corp Plating anode
JP2000144497A (en) * 1998-11-16 2000-05-26 Shin Etsu Polymer Co Ltd Jig for plating, and its manufacture
JP2001262399A (en) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc Electrodeposition apparatus
JP2001316887A (en) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd Plating equipment
JP4280685B2 (en) * 2004-06-30 2009-06-17 株式会社フジクラ Plating jig
JP2006037140A (en) * 2004-07-23 2006-02-09 Renesas Technology Corp Plating device
JP2006219697A (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrolytic plating apparatus and electrolytic plating method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008202065A (en) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4826496B2 (en) Electrode plating anode electrode mounting structure
US9708724B2 (en) Anode unit and plating apparatus having such anode unit
TWI386523B (en) Sn-b electro-plating solution and electro-plating method using it
JP6015239B2 (en) Terminal structure, and semiconductor element and module substrate having the same
WO2017204246A1 (en) Soluble copper anode, electrolytic copper plating device, electrolytic copper plating method, and method for preserving acidic electrolytic copper plating liquid
JP4997837B2 (en) Semiconductor element bonding method and semiconductor device
JP2014055356A (en) Nickel plating solution and method for forming nickel plating layer using the same
US7507319B2 (en) Anode holder
JPWO2010005088A1 (en) Electronic component and manufacturing method thereof
US20220325426A1 (en) An electrode assembly for electrochemical processes
KR102500973B1 (en) Electrode structure
CN110230079B (en) Gold plating solution and method
CN107761156A (en) Electroplating bath
US20200291538A1 (en) Porous Cu on Cu Surface for Semiconductor Packages
JP4038194B2 (en) Insoluble electrode, electrode plate used therefor, and method of using the same
JP5302140B2 (en) Removal method of displacement plating layer
JP2012002248A (en) Assembly including plurality of structural members, and method of manufacturing structural member or fastening member
KR100653962B1 (en) A method for electroplating
JP2007100185A (en) Plating device and method for producing semiconductor device
WO2019163269A1 (en) Device for electrolysis
JP6257110B1 (en) Galvanic anode for cathodic protection
JP4672881B2 (en) Electrode and electrode unit
JPH08236402A (en) Electrolytic capacitor
TH2001001573A (en) Method for electrolytic deposition of a zinc-nickel alloy layer on at least one substrate to be treated.
JP2017112315A (en) Electrolytic treatment device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090331

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110816

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110829

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4826496

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees