JP4817609B2 - Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device - Google Patents

Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device Download PDF

Info

Publication number
JP4817609B2
JP4817609B2 JP2004089729A JP2004089729A JP4817609B2 JP 4817609 B2 JP4817609 B2 JP 4817609B2 JP 2004089729 A JP2004089729 A JP 2004089729A JP 2004089729 A JP2004089729 A JP 2004089729A JP 4817609 B2 JP4817609 B2 JP 4817609B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
forming
metal
manufacturing
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004089729A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005276689A (en
Inventor
忠弘 大見
秀利 若松
作太郎 星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2004089729A priority Critical patent/JP4817609B2/en
Priority to TW094131805A priority patent/TW200714123A/en
Publication of JP2005276689A publication Critical patent/JP2005276689A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4817609B2 publication Critical patent/JP4817609B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Description

本発明は導電酸化物膜を含む電極または配線を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a process for manufacturing an organic electroluminescent element and a display device provided with an electrode or wiring including a conductive oxide film.

電子装置には導電酸化物膜（多くの場合実質的に透明である）を含む電極または配線を備えたものがある。有機エレクトロルミネッセンス素子はその一例である。有機エレクトロルミネッセンス素子は互いに対向する２つの電極間に、発光層を含む有機材料膜を設けた構成を備え、両電極間に電圧を印加することにより、有機物材料膜中の発光層に電子及びホールを注入して、電子とホールの再結合により発光を行なっている。従来、この種の有機エレクトロルミネッセンス素子には、透明な基盤上に、透明な電極を形成しておき、発光層から発光を基盤側から取り出す形式のものと、基盤の電極上に形成された有機物材料膜上に透明電極を設け、透明電極から発光層からの発光を取り出す形式のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子があり、ここでは、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子に限って説明する。   Some electronic devices have electrodes or wiring that include a conductive oxide film (often substantially transparent). An organic electroluminescence element is an example. The organic electroluminescence device has a configuration in which an organic material film including a light emitting layer is provided between two electrodes facing each other, and a voltage is applied between the two electrodes, whereby electrons and holes are formed in the light emitting layer in the organic material film. To emit light by recombination of electrons and holes. Conventionally, in this type of organic electroluminescence device, a transparent electrode is formed on a transparent substrate, and light emitted from the light emitting layer is extracted from the substrate side, and an organic material formed on the substrate electrode There is a top emission type organic electroluminescence element in which a transparent electrode is provided on a material film and light emission from the light emitting layer is extracted from the transparent electrode. Here, only the top emission type organic electroluminescence element will be described.

光の透過性を有する導電性透明電極膜には、ITO（In2O3-SnO2）、IZO（In2O3-ZnO）、AZO（ZnO-Al2O3），ＳｎＯ２などの金属酸化膜材料がある。例えば、ITOなどは、LCDや有機ＥＬ素子（以下：OLED）などのフラットパネルディスプレーに広く用いられている。また透明でない導電性酸化物膜の電極または配線は、仕事関数の調整や密着性の向上などの目的で各種電子装置に用いられている。このような導電性酸化物膜を反応性スパッタリング法などで成膜する方法は、生産性、膜質（導電性、光透過性、表面平坦性）の点で優れているため広く用いられている。 Conductive transparent electrode films with light transmission properties include metal oxides such as ITO (In 2 O 3 —SnO 2 ), IZO (In 2 O 3 —ZnO), AZO (ZnO—Al 2 O 3 ), and SnO 2. There is a membrane material. For example, ITO is widely used for flat panel displays such as LCDs and organic EL elements (hereinafter referred to as OLEDs). Non-transparent conductive oxide film electrodes or wirings are used in various electronic devices for the purpose of adjusting work function and improving adhesion. A method for forming such a conductive oxide film by a reactive sputtering method or the like is widely used because it is excellent in terms of productivity and film quality (conductivity, light transmittance, and surface flatness).

図１（ａ）及び（ｂ）を参照して、従来のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構成、並びに、プロセス工程をそれぞれ説明する。図１（ａ）及び（ｂ）に示されたように、この形式の有機エレクトロルミネッセンス素子は、非透明な基盤１０を洗浄した後、当該基盤１０の表面に、第１の金属電極（陰極）１２を形成する。続いて、第１の金属電極１２上に、発光層を含む有機物材料膜１４（通常は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含む）が形成され、当該有機物材料膜１４上には、陽極を構成する透明な第２の電極１６が設けられている。図１（ａ）に示されているように、第２の電極１６と第１の電極１２との間に、電圧を印加することにより、発光層１４からの発光は第２の電極１６側から出射される。   With reference to FIG. 1 (a) and (b), the element structure of the conventional top emission type organic electroluminescent element and a process process are each demonstrated. As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), this type of organic electroluminescent element is formed by cleaning a non-transparent substrate 10 and then forming a first metal electrode (cathode) on the surface of the substrate 10. 12 is formed. Subsequently, an organic material film 14 including a light emitting layer (usually including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer) is formed on the first metal electrode 12, and the organic material film On 14, a transparent second electrode 16 constituting an anode is provided. As shown in FIG. 1A, light is emitted from the light emitting layer 14 from the second electrode 16 side by applying a voltage between the second electrode 16 and the first electrode 12. Emitted.

ここで、金属酸化膜を成膜して透明な第２の電極１６を形成する場合、前述したように、反応性スパッタリング法が用いられることが多い。   Here, when forming the transparent second electrode 16 by forming a metal oxide film, the reactive sputtering method is often used as described above.

更に、特開２００３−７７６５１（特許文献１）には、この種のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造において、透明な第２の電極の成膜の際、有機物材料膜にダメージが発生することが指摘されている。更に、特許文献１は有機物材料膜のダメージを軽減するために、有機物材料膜上にスパッタ保護膜を形成することが提案されている。   Furthermore, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-77651 (Patent Document 1), in the production of this type of top emission type organic electroluminescence element, the organic material film is damaged when the transparent second electrode is formed. Has been pointed out. Further, Patent Document 1 proposes forming a sputter protective film on the organic material film in order to reduce damage to the organic material film.

特開２００３−７７６５１号公報JP 2003-77651 A

前述した従来の成膜方法では、形成する基材（下層の有機物材料）に対する化学的な、あるいは物理的なダメージが原因となり、性能低下の問題が発生する場合がある。例えば、LCDでは、高分子などの有機物材料からなるカラーフィルムへの化学的構造欠陥ダメージがある。また、OLEDでは、トップエミッション構造の場合の正孔注入層、正孔輸送層、あるいは発光層への物理的欠陥準位ダメージ層が形成されホールの発生を抑制したりするダメージや、あるいは、電子とホールの再結合を妨げる欠陥準位を形成したりするトラップ欠陥準位形成ダメージがある。   In the conventional film forming method described above, there may be a problem of performance degradation due to chemical or physical damage to the base material (lower organic material) to be formed. For example, LCDs have chemical structural defect damage to color films made of organic materials such as polymers. In addition, in the OLED, a physical defect level damage layer is formed on the hole injection layer, hole transport layer, or light emitting layer in the case of the top emission structure, and damage that suppresses the generation of holes or electrons There is a trap defect level formation damage that forms a defect level that prevents recombination of holes and holes.

このようなトラップ欠陥準位ダメージの発生原因には、一般的には成膜時の熱や、プラズマイオンなどの影響が大きいと言われている。これは、プラズマ空間の高エネルギの希ガス（例えば、アルゴン）成分のイオン照射による基材表面温度上昇と、プラズマ励起空間中のラジカル活性種の発生が原因と考えられている。特に、透明電極材料などの金属酸化物膜では、一番大きなダメージ形成の要因は成膜時に発生する酸素イオンや酸素ラジカルイオンなどの電荷を持った活性な酸化種成分による基材となる有機物材料表面への酸化反応の促進や、あるいはアルゴンイオンなどのイオン照射による熱的化学反応による酸化反応の促進や有機物材料膜の結晶化反応の促進という問題がある。これは、金属酸化物膜を反応性スパッタリング法で形成する場合、金属酸化物材料や金属非酸化物材料をターゲット電極材料にし、かつ、スパッタリング雰囲気中における金属酸化物膜への酸化効率を向上させるために酸化反応促進用の酸素ガスや微量な水分（H2O）を混合供給しながら最適な金属酸化物膜を形成するプロセスが必要であるためである。また、このように、プロセス空間の清浄度の劣化原因となる不純物成分を混合することは、スパッタリング膜形成雰囲気のプラズマ励起空間において活性化した酸素が基材である有機物材料などとも表面化学反応して、基材の膜組成変化あるいは基材構成分子の分解を生じてしまうという問題になる。   In general, it is said that the cause of the occurrence of such trap defect level damage is greatly affected by heat during film formation and plasma ions. This is considered to be caused by the substrate surface temperature rise due to ion irradiation of a high energy rare gas (for example, argon) component in the plasma space and the generation of radical active species in the plasma excitation space. In particular, in the case of metal oxide films such as transparent electrode materials, the largest cause of damage formation is the organic material that serves as a base material due to active oxidizing species having a charge such as oxygen ions or oxygen radical ions generated during film formation. There are problems such as promotion of oxidation reaction on the surface, promotion of oxidation reaction by thermal chemical reaction by irradiation of ions such as argon ions, and promotion of crystallization reaction of organic material film. This is because when a metal oxide film is formed by a reactive sputtering method, a metal oxide material or a metal non-oxide material is used as a target electrode material, and the oxidation efficiency to the metal oxide film in a sputtering atmosphere is improved. This is because a process for forming an optimal metal oxide film while mixing and supplying oxygen gas for promoting the oxidation reaction and a small amount of moisture (H2O) is necessary. In addition, mixing impurity components that cause deterioration of the cleanliness of the process space in this way causes a surface chemical reaction with an organic material or the like that is a base material of oxygen activated in the plasma excitation space of the sputtering film forming atmosphere. As a result, the film composition of the base material changes or the base material constituent molecules are decomposed.

このような問題に対しての解決方法として、特許文献１は、基材である有機物材料と成膜する透明電極材料の間に光透過性を損なわない程度に非常に薄い金属膜材料をスパッタするなどのスパッタ保護膜を設けることで、基材有機物材料表面の直接酸化を防ぐ方法を開示している。しかし、このような方法ではスパッタ保護膜と反応性スパッタ膜との間に基材との意図しない反応生成物膜（たとえば、酸化ニッケルなど）が生じるためこれが素子の電気的特性を劣化させるという問題がある。また、膜積層工程が一つ増えるため、生産性が下がり（プロセスのTAT時間の増大）、コスト（設備費用、材料費）が増大する上、透明電極材料の光透過性の低下を避けることができないという問題がある。   As a solution to such a problem, Patent Document 1 sputters a very thin metal film material between the organic material which is a base material and the transparent electrode material to be formed so as not to impair the light transmittance. A method of preventing direct oxidation of the surface of the base material organic material by providing a sputter protective film such as is disclosed. However, in such a method, an unintended reaction product film (for example, nickel oxide) with the base material is generated between the sputter protective film and the reactive sputtered film, which deteriorates the electrical characteristics of the device. There is. In addition, one additional film stacking process reduces productivity (increases process TAT time), increases costs (equipment costs, material costs), and avoids reducing the light transmission of transparent electrode materials. There is a problem that you can not.

一方、対向電極スパッタリング法やECRスパッタリング法のように、プラズマ励起空間領域と成膜材料の化学反応領域を基材から物理的に遠ざけることで、トラップ欠陥準位ダメージ層の発生を低減する方法もある。このような方法では、製造装置が大きく、複雑な構造をとるだけでなく、さらにコストが増える上、完全に活性化酸素による表面化学反応の影響や基盤の温度上昇という影響を回避することができないという問題がある。   On the other hand, there is also a method of reducing the generation of trap defect level damage layers by physically separating the plasma excitation space region and the chemical reaction region of the film forming material from the substrate, such as the counter electrode sputtering method and the ECR sputtering method. is there. In such a method, not only the manufacturing apparatus is large and has a complicated structure, but also the cost is increased, and the influence of the surface chemical reaction due to the activated oxygen and the temperature rise of the substrate cannot be avoided completely. There is a problem.

さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子の多くは、基材上に形成する透明な第１電極材料として、ITO導電膜が用いられており、このITO導電膜は、電子ビームやスパッタリング法で形成された後透過率や導電率を向上させるための比較的高温での熱処理が施される。この熱処理工程が行われることにより、基材である有機物材料の膜組成や構成分子が熱的なストレスや欠陥準位形成ダメージにより透過率や導電率が劣化するという問題が生じる。   Furthermore, most of the organic electroluminescence elements use an ITO conductive film as a transparent first electrode material formed on a base material, and this ITO conductive film is transmitted after being formed by an electron beam or a sputtering method. Heat treatment is performed at a relatively high temperature to improve the rate and conductivity. By performing this heat treatment step, there arises a problem that the film composition and constituent molecules of the organic material that is the base material are deteriorated in transmittance and conductivity due to thermal stress and defect level formation damage.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基盤上の第１電極材料の上に設けられた発光層を有する有機物材料膜の上に、非反応性スパッタリング法で金属合金保護膜、あるいは、窒化金属保護膜を積層し、その保護膜の表面から酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して金属酸化膜、あるいは、金属窒化酸化膜へと変換させて、透明な第２の電極を形成する。   The method for producing an organic electroluminescence device according to the present invention includes a metal alloy protective film by a non-reactive sputtering method on an organic material film having a light emitting layer provided on a first electrode material on a substrate, or A metal nitride protective film is stacked, and the surface of the protective film is converted into a metal oxide film or a metal oxynitride film using a plasma oxidation method using oxygen radical ions to form a transparent second electrode. Form.

本発明によれば、
第１の電極と、発光層を有する有機物材料膜と、ＩＴＯ膜を有する第２の電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
第１の電極を形成する工程と、
発光層を有する有機物材料膜を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程と、を順に有し、
前記第２の電極を形成する工程は、
ＩｎとＳｎとを含む第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜を、酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を用いて酸化し、ＩＴＯ膜からなる第１の金属酸化膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
また、
「前記第１の金属膜を形成する工程は、非反応性スパッタリングで第１の金属膜を形成する工程であること」、
「前記第１の金属膜は、窒素を含むこと」、
「前記第１の金属酸化膜は、窒素を含むこと」、
「前記第２の電極を形成する工程は、前記第１の金属酸化膜を形成する工程の後にＩＴＯからなる第２の金属酸化膜を形成する工程を有すること」、
「前記第２の金属酸化膜を形成する工程は、前記第１の金属酸化膜を形成する工程の後に、ＩｎとＳｎとを含む第２の金属膜を形成する工程と、前記第２の金属膜を、酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を用いて酸化し、ＩＴＯからなる第２の金属酸化膜を形成する工程と、を有すること」、
「前記第２の金属膜は、窒素を含むこと」、
「前記第２の金属酸化膜は、窒素を含むこと」、
「前記第２の電極を形成する工程は、前記第１の金属膜を形成する工程の前に、ＩｎまたはＳｎの単元素金属膜もしくはＩｎとＳｎとを含む第３の金属膜を形成する工程を有すること」、
「前記第１の金属酸化膜を形成する工程は、前記第１の金属膜の全体を、酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を用いて酸化する工程を有すること」、
「前記プラズマ酸化法は、マイクロ波励起プラズマによる酸化であること」、
「前記プラズマ酸化法は、１３．５６ＭＨｚ以下の高周波を印加することにより、前記第１の金属膜に入射するイオンエネルギとイオン照射量を制御してプラズマ酸化レートを精密制御すること」、
「前記第１の金属酸化膜を形成する工程は、減圧雰囲気のもとで、あるいは、水分濃度を制御した不活性ガスまたはドライエアーガスに雰囲気を置換して大気圧から１００Ｔｏｒｒまでの範囲の圧力のもとで、前記第１の金属膜を酸化する工程であること」、
も本発明の態様である。 According to the present onset Akira,
In a method for manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, an organic material film having a light emitting layer, and a second electrode having an ITO film,
Forming a first conductive electrode,
Forming a organic material film having a light emission layer,
Includes a step of forming a second conductive electrode, in this order,
Forming a pre-Symbol second electrode,
Forming a first metal film containing In and Sn ;
Said first metal layer, and oxidized with plasma oxidizing method using oxygen radicals ions to form a first metal oxide film made of ITO film process,
There is provided a method for producing an organic electroluminescent device characterized by comprising:
Also,
"Said step of forming a first metal film is a step of forming a first metal film in a non-reactive sputtering",
"The first metal film contains nitrogen",
"The first metal oxide film contains nitrogen",
“The step of forming the second electrode includes a step of forming a second metal oxide film made of ITO after the step of forming the first metal oxide film.”
“The step of forming the second metal oxide film includes a step of forming a second metal film containing In and Sn after the step of forming the first metal oxide film, and the step of forming the second metal oxide film. Oxidizing the film using a plasma oxidation method using oxygen radical ions to form a second metal oxide film made of ITO, "
"The second metal film contains nitrogen",
"The second metal oxide film contains nitrogen",
“The step of forming the second electrode is a step of forming a single metal film of In or Sn or a third metal film containing In and Sn before the step of forming the first metal film. Having "
“The step of forming the first metal oxide film includes a step of oxidizing the whole of the first metal film using a plasma oxidation method using oxygen radical ions.”
"The plasma oxidizing method, it is oxidized by the micro Nami励Okoshipu plasma"
“In the plasma oxidation method , by applying a high frequency of 13.56 MHz or less, the ion energy and ion irradiation amount incident on the first metal film are controlled to precisely control the plasma oxidation rate. ”
“ The step of forming the first metal oxide film is performed under a reduced pressure atmosphere, or by substituting the atmosphere with an inert gas or a dry air gas with a controlled moisture concentration, and a pressure ranging from atmospheric pressure to 100 Torr. The step of oxidizing the first metal film under the conditions "
Is also an aspect of the present invention.

本発明では、有機エレクトロルミネッセンス素子を含む表示装置の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を、上記いずれかに記載の製造方法で製造することを特徴とする表示装置の製造方法も提供される。 In the present invention, a manufacturing method of a display device including an organic electroluminescence element,
There is also provided a method for producing a display device, wherein the organic electroluminescence element is produced by any one of the production methods described above.

本発明によれば、従来から使用されている製造装置をそのまま用いることが可能であり、有機物材料自身やその表面層への酸化ダメージやプラズマダメージを抑制することが出来る上、堆積速度も従来技術とほとんど変わらないプロセスTAT時間を実現できるという効果がある。   According to the present invention, a conventionally used manufacturing apparatus can be used as it is, and it is possible to suppress oxidation damage and plasma damage to the organic material itself and its surface layer, and the deposition rate is also conventional. The process TAT time that is almost the same as that can be realized.

また、反応性スパッタリングにより電極材料膜を形成した場合に生じる基材のダメージ、あるいは基材との意図しない酸化化合物膜が基材とスパッタ膜の間に生じて基材層、あるいは基板層とスパッタリング膜との層間での電流-電圧特性が低下するという問題を回避することができるという効果がある。すなわち、従来技術に対して、本発明を用いた素子においては、電圧に対する電流量が向上することになる。   In addition, damage to the base material that occurs when an electrode material film is formed by reactive sputtering, or an unintended oxide compound film with the base material occurs between the base material and the sputtered film, resulting in the base material layer or the substrate layer and sputtering. There is an effect that it is possible to avoid the problem that the current-voltage characteristics between the layers with the film are deteriorated. That is, the current amount with respect to the voltage is improved in the element using the present invention as compared with the prior art.

また、基材が単にキャリアの注入や輸送といった導電性だけでなく、発光などの機能を有する場合、基材が酸化劣化することにより生じる発光色のシフト、非可視光発光化あるいは非発光-熱失活になることを回避できるという効果がある。   In addition, when the base material has not only conductivity such as carrier injection and transport but also functions such as light emission, the base material undergoes oxidative degradation, resulting in luminescence color shift, non-visible light emission or non-light emission-heat. There is an effect that it is possible to avoid being deactivated.

本発明は、金属酸化物膜を形成する際、当該金属酸化物膜材料に対応した金属材料膜または窒化金属材料膜を成膜した後、それを酸化することにより金属酸化物材料膜を形成するという方法にある。具体的に言えば、本発明は、まず、非酸化の単体金属、合金、または窒化金属材料膜だけを酸素ガスを供給しない条件でスパッタリング法で成膜し、次に酸素プラズマ雰囲気でこの膜を表面から酸化し、所望の金属酸化物材料膜、あるいは、金属窒化酸化物材料膜を形成する方法である。また、金属酸化物材料膜または金属窒化酸化物材料膜の導電率を向上させるために、酸素ガスを供給しながら単体金属膜、金属合金材料膜、窒化金属材料膜、金属酸化物材料膜あるいは金属窒化酸化物材料膜をスパッタリングして、先の膜の上に積層する工程を組み合わせた方法である。   In the present invention, when forming a metal oxide film, a metal material film or a metal nitride material film corresponding to the metal oxide film material is formed, and then oxidized to form a metal oxide material film. It is in the method. Specifically, in the present invention, first, a non-oxidized single metal, alloy, or metal nitride material film is formed by sputtering under the condition that oxygen gas is not supplied, and then this film is formed in an oxygen plasma atmosphere. In this method, a desired metal oxide material film or metal nitride oxide material film is formed by oxidation from the surface. In order to improve the conductivity of the metal oxide material film or the metal nitride oxide material film, a simple metal film, a metal alloy material film, a metal nitride material film, a metal oxide material film, or a metal while supplying oxygen gas This method combines the steps of sputtering a nitrided oxide material film and laminating it on the previous film.

図２（ａ）〜（ｆ）を参照して、本発明の第１の実施例に係る製造方法を工程順に説明する。第１の実施例は、例えば、第２の電極としてITO膜を形成する場合、まず、基盤１０を用意し（図２（ａ））、当該基盤１０を洗浄後、第１の電極１２を形成する（図２（ｂ））。次に、前記第１の電極１２上に有機物材料膜１４を通常の手法により形成する（図２（ｃ））。図示された有機物材料膜１４中には、発光層が含まれていることは言うまでも無い。   With reference to FIGS. 2A to 2F, the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention will be described in the order of steps. In the first embodiment, for example, when forming an ITO film as the second electrode, first, the base 10 is prepared (FIG. 2A), and after the base 10 is cleaned, the first electrode 12 is formed. (FIG. 2B). Next, an organic material film 14 is formed on the first electrode 12 by a normal method (FIG. 2C). Needless to say, the illustrated organic material film 14 includes a light emitting layer.

次に、第２の電極を形成するが、本発明では、第２の電極の形成の際、先ず、図２（ｄ）に示すように、InSnの金属合金材料等の非酸化金属材料をターゲット電極材料とするスパッタリング法で形成し、このInSnの金属合金材料膜１８を1〜2nmの範囲の膜厚まで積層する。次に、図２（ｅ）に示すように、プラズマ装置を用いた酸素ラジカルイオンを発生させたプラズマ条件下で酸化処理を行う。このとき、先に形成されたInSnの金属合金材料膜１８は、活性な酸素ラジカルイオンによって酸化され、金属酸化膜材料（ここでは、ITO）膜１８’に変換させる。このような方法で、第２の電極を形成すると、基材である有機物材料膜１４の表面は金属酸化膜材料膜（酸化InSn膜）１８’が酸化抑制のための保護膜になり、酸化ダメージやプラズマダメージを生じなくなる。   Next, the second electrode is formed. In the present invention, when forming the second electrode, first, as shown in FIG. 2D, a non-oxidized metal material such as an InSn metal alloy material is used as a target. The InSn metal alloy material film 18 is laminated to a film thickness in the range of 1 to 2 nm. Next, as shown in FIG. 2 (e), oxidation treatment is performed under plasma conditions in which oxygen radical ions are generated using a plasma apparatus. At this time, the previously formed InSn metal alloy material film 18 is oxidized by active oxygen radical ions and converted into a metal oxide film material (here, ITO) film 18 ′. When the second electrode is formed by such a method, the surface of the organic material film 14 as a base material becomes a protective film for suppressing oxidation on the surface of the metal oxide film material film (oxidized InSn film) 18 ′, and oxidative damage And no plasma damage.

上記した工程は、真空を維持した雰囲気のもとで、あるいは、水分濃度を制御したN2ガス、またはドライエアーガスの雰囲気を維持した大気圧から100Torrまでの範囲の圧力のもとで、基盤を搬送し、連続して行なわれることが望ましい。   The above-mentioned process is performed under an atmosphere maintaining a vacuum, or under a pressure ranging from atmospheric pressure to 100 Torr maintaining an atmosphere of N2 gas or dry air gas with controlled moisture concentration. It is desirable to carry and carry out continuously.

最後に、第２の電極の導電率を向上させるために、InSnの金属合金材料膜などの非酸化金属材料膜をターゲット電極材料とするスパッタリング法で堆積速度を向上させたプロセス条件で形成し、このInSnの金属合金材料膜を100〜200nmの範囲の膜厚まで積層した後、金属酸化膜材料膜１８’と同様に、当該金属酸化膜材料膜２０に変換する。ここで、金属合金材料膜18’及び２０としては、窒素を含んだ金属合金材料膜（窒化金属材料膜）を使うと、さらに酸化ダメージを低減できる。   Finally, in order to improve the conductivity of the second electrode, a non-oxidized metal material film such as a metal alloy material film of InSn is formed under a process condition with an improved deposition rate by sputtering using a target electrode material, After the InSn metal alloy material film is laminated to a thickness in the range of 100 to 200 nm, it is converted into the metal oxide film material film 20 in the same manner as the metal oxide film material film 18 ′. Here, if a metal alloy material film containing nitrogen (metal nitride material film) is used as the metal alloy material films 18 ′ and 20, oxidation damage can be further reduced.

図３を参照して、本発明の第２の実施例に係る製造方法を工程順に説明する。この実施例は、例えば、第２の電極としてITO膜を形成する場合、まず、図３（ａ）に示すように、基盤１０を用意し、この基盤１０を洗浄後、第１の金属電極膜１２を図３（ｂ）に示すように形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、前記第１の金属電極膜１２上に、発光層を含む有機物材料膜１４を形成する。   With reference to FIG. 3, the manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described in the order of steps. In this embodiment, for example, when forming an ITO film as the second electrode, first, as shown in FIG. 3A, a base 10 is prepared, and after cleaning the base 10, the first metal electrode film 12 is formed as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 3C, an organic material film 14 including a light emitting layer is formed on the first metal electrode film 12.

更に、この実施例では、第２の電極を形成するために、図３（ｄ）に示すように、先ず、InSnのような金属合金などの非酸化金属材料をターゲット電極材料とするスパッタリング法で形成し、このInSnの金属合金材料膜を1〜2nmの範囲の膜厚まで積層して、金属合金材料膜２２を成膜する。   Furthermore, in this embodiment, in order to form the second electrode, as shown in FIG. 3D, first, a sputtering method using a non-oxide metal material such as a metal alloy such as InSn as a target electrode material is used. Then, this InSn metal alloy material film is laminated to a thickness in the range of 1 to 2 nm to form a metal alloy material film 22.

金属合金材料膜２２上に、第１の実施例と同様に、InSnの金属合金材料膜１８を成膜する。即ち、図示された金属合金材料膜は、非酸化金属材料をターゲット電極材料とするスパッタリング法で1〜2nmの膜厚まで積層される。続いて、当該金属合金材料膜１８には、図３（ｅ）に示すように、プラズマ装置を用いた酸素ラジカルイオンを発生させたプラズマ条件下で酸化処理が施される。この結果、先に形成されたInSnの金属合金材料膜は、活性な酸素ラジカルイオンによって酸化され、金属酸化膜材料（ここでは、ITO）膜１８’に変換される。このように、プラズマ装置を用いた酸素ラジカルイオンを発生させたプラズマ条件下で酸化処理を行うと、先に形成されたInSnの金属合金材料膜１８は、活性な酸素ラジカルイオンによって0.5〜1nmの範囲の膜厚まで酸化され、金属合金膜の表面層の一部を金属酸化膜材料（ITO）膜１８’に変換される。   An InSn metal alloy material film 18 is formed on the metal alloy material film 22 as in the first embodiment. That is, the illustrated metal alloy material film is laminated to a thickness of 1 to 2 nm by a sputtering method using a non-oxidized metal material as a target electrode material. Subsequently, as shown in FIG. 3 (e), the metal alloy material film 18 is subjected to an oxidation treatment under plasma conditions in which oxygen radical ions are generated using a plasma apparatus. As a result, the previously formed metal alloy material film of InSn is oxidized by active oxygen radical ions and converted into a metal oxide film material (here ITO) film 18 '. As described above, when the oxidation process is performed using the plasma apparatus under the plasma conditions in which oxygen radical ions are generated, the previously formed InSn metal alloy material film 18 has a thickness of 0.5 to 1 nm due to active oxygen radical ions. The film is oxidized to a thickness within the range, and a part of the surface layer of the metal alloy film is converted into a metal oxide film material (ITO) film 18 ′.

更に、図３（ｆ）に示すように、金属酸化膜材料膜１８’上には、InSnの金属合金材料膜などの非酸化金属材料膜をターゲット電極材料とするスパッタリング法で堆積速度を向上させたプロセス条件で形成し、このInSnの金属合金膜材料を100〜200nmの範囲の膜厚まで積層した後、金属酸化膜材料膜１８’と同様に、当該金属酸化膜材料膜２０に変換する。ここで、金属合金材料膜１８’及び２０としては、窒素を含んだ単体金属または金属合金の材料膜（窒化金属材料膜）を使うと、さらに酸化ダメージを低減できる。   Further, as shown in FIG. 3 (f), the deposition rate is improved on the metal oxide film material film 18 'by sputtering using a non-oxide metal material film such as an InSn metal alloy material film as a target electrode material. After the InSn metal alloy film material is laminated to a thickness in the range of 100 to 200 nm, it is converted into the metal oxide film material film 20 in the same manner as the metal oxide film material film 18 ′. Here, as the metal alloy material films 18 ′ and 20, the use of a single metal or metal alloy material film (metal nitride material film) containing nitrogen can further reduce oxidation damage.

このような方法で、第２の電極を形成すると、基材である有機物材料の表面層は、界面層に残っている金属合金材料膜２２が酸化抑制のための保護膜になり、酸化ダメージやプラズマダメージをさらに低減できる。   When the second electrode is formed by such a method, the surface layer of the organic material that is the base material becomes a protective film for suppressing the oxidation of the metal alloy material film 22 remaining in the interface layer. Plasma damage can be further reduced.

図４を参照して、本発明の第３の実施例に係る製造方法を工程順に説明する。図４（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）に示すように、基盤１０上に第１の金属電極膜１２を成膜し、当該第１の金属電極膜１２上に、有機物材料膜１４を形成する点は前述した他の実施例と同様である。この実施例では、有機物材料膜１４の保護膜として、図４（ｄ）に示すように、非晶質の単元素金属材料膜２４を有機物材料膜１４上に形成している点で、他の実施例と相違している。この例では、Ｉｎ又はＳｎ等を非酸化金属材料をターゲット材料とするスパッタリングが行なわれ、第１の単元素金属材料膜２４が１ｎｍの膜厚だけ成膜される。   With reference to FIG. 4, the manufacturing method according to the third embodiment of the present invention will be described in the order of steps. As shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C, a first metal electrode film 12 is formed on the substrate 10, and an organic material film 14 is formed on the first metal electrode film 12. The point of forming is the same as in the other embodiments described above. In this embodiment, as a protective film for the organic material film 14, an amorphous single element metal material film 24 is formed on the organic material film 14 as shown in FIG. This is different from the embodiment. In this example, sputtering using In or Sn as a target material with a non-oxide metal material is performed, and the first single element metal material film 24 is formed to a thickness of 1 nm.

次に、図４（ｅ）に示すように、InまたはSnの第１の単元素金属材料膜２４上に、ＩｎＳｎの第２の金属合金材料等の非酸化金属をターゲット電極材料とするスパッタリング法で形成し、このInSnの金属合金材料膜を1〜2nmの範囲の膜厚だけ積層して、金属合金材料膜１８を形成する。次に、プラズマ装置を用いた酸素ラジカルイオンを発生させたプラズマ条件下で上層の第２の金属膜材料膜１８のみを酸化処理して、図４（ｆ）に示すように、第２の金属酸化物材料膜１８’を形成する。このとき、図４（ｅ）で形成されたInSnの第２金属合金材料膜１８は、活性な酸素ラジカルイオンによって1〜2nmの範囲の膜厚だけ酸化され、第２の金属合金材料膜１８のみが金属酸化膜材料（ITO）膜１８’に変換される。このような方法で、第２の電極を形成すると、基材である有機物材料の表面は、界面層に保護膜として残っている単元素金属材料膜２４により保護され、酸化ダメージやプラズマダメージを完全に抑制できる。   Next, as shown in FIG. 4E, a sputtering method using a non-oxidized metal such as a second metal alloy material of InSn on the first single element metal material film 24 of In or Sn as a target electrode material. The InSn metal alloy material film is laminated to a thickness in the range of 1 to 2 nm to form the metal alloy material film 18. Next, only the second metal film material film 18 as an upper layer is oxidized under a plasma condition in which oxygen radical ions are generated using a plasma apparatus, and as shown in FIG. An oxide material film 18 ′ is formed. At this time, the InSn second metal alloy material film 18 formed in FIG. 4E is oxidized by active oxygen radical ions to a thickness in the range of 1 to 2 nm, and only the second metal alloy material film 18 is oxidized. Is converted into a metal oxide film material (ITO) film 18 '. When the second electrode is formed by such a method, the surface of the organic material that is the base material is protected by the single element metal material film 24 remaining as the protective film in the interface layer, and the oxidation damage and the plasma damage are completely prevented. Can be suppressed.

最後に、第２の電極の導電率を向上させるために、InSnの金属合金材料膜などの非酸化金属材料膜をターゲット電極材料とするスパッタリング法で堆積速度を向上させたプロセス条件で形成し、このInSnの金属合金材料膜を100〜200nmの範囲の膜厚まで積層すると共に、当該金属合金材料膜を上記した酸化処理と同様に金属酸化物材料膜２０にする。ここで、単元素金属膜材料、あるいは金属合金材料膜としては、窒素を含んだ金属合金材料膜を使うと、さらに酸化ダメージを低減できる。   Finally, in order to improve the conductivity of the second electrode, a non-oxidized metal material film such as a metal alloy material film of InSn is formed under a process condition with an improved deposition rate by sputtering using a target electrode material, The InSn metal alloy material film is laminated to a thickness in the range of 100 to 200 nm, and the metal alloy material film is made into the metal oxide material film 20 in the same manner as the oxidation treatment described above. Here, if a metal alloy material film containing nitrogen is used as the single element metal film material or metal alloy material film, oxidation damage can be further reduced.

図５を参照して、本発明の第４の実施例に係る製造方法を工程順に説明する。この実施例においても、第２の電極として、ITO膜を形成する場合を説明する。まず、基盤１０（図５（ａ））を洗浄後、当該基盤１０上に窒素を含む第１の金属電極膜１２を第１の電極として成膜し（図５（ｂ））、続いて、第１の電極上に有機物材料膜１４を形成する。   With reference to FIG. 5, the manufacturing method which concerns on the 4th Example of this invention is demonstrated in order of a process. Also in this embodiment, the case where an ITO film is formed as the second electrode will be described. First, after cleaning the substrate 10 (FIG. 5A), a first metal electrode film 12 containing nitrogen is formed on the substrate 10 as a first electrode (FIG. 5B). An organic material film 14 is formed on the first electrode.

次に、有機物材料膜１４上に第２の電極を形成するが、この実施例では、第２の電極の形成工程が他の実施例と異なっている。具体的に説明すると、先ず、InSnに窒素を含む第１の金属合金、あるいは窒素を含む金属などの非酸化金属材料をターゲット電極材料とするスパッタリング法で、InSnの合金または単体金属に窒素を含む非晶質の第１の窒化金属材料膜２６が１ｎｍの膜厚だけ成膜される（図５（ｄ））。この場合、第１の窒化金属材料膜２６は、上に述べたように単体金属たとえばInまたはSnと窒素を含む窒化金属材料膜であっても良い。   Next, a second electrode is formed on the organic material film 14, and in this embodiment, the formation process of the second electrode is different from the other embodiments. Specifically, first, a sputtering method using a first metal alloy containing nitrogen in InSn or a non-oxidized metal material such as a metal containing nitrogen as a target electrode material will contain nitrogen in the InSn alloy or single metal. An amorphous first metal nitride material film 26 is formed to a thickness of 1 nm (FIG. 5D). In this case, the first metal nitride material film 26 may be a single metal such as a metal nitride material film containing In or Sn and nitrogen as described above.

次に、図５（ｅ）に示すように、窒化金属材料膜２６上に、InSnと窒素を含む金属合金材料、あるいは、窒素を含む金属膜材料などの非酸化金属材料をターゲット電極材料とするスパッタリング法で、第２の窒化金属材料膜２８が形成される。この場合、第２の窒化金属材料膜は1〜2nmの範囲の膜厚を有している。   Next, as shown in FIG. 5E, a non-oxide metal material such as a metal alloy material containing InSn and nitrogen or a metal film material containing nitrogen is used as a target electrode material on the metal nitride material film 26. A second metal nitride material film 28 is formed by sputtering. In this case, the second metal nitride material film has a thickness in the range of 1 to 2 nm.

続いて、プラズマ装置を用いた酸素ラジカルイオンを発生させたプラズマ条件下で上層の第２の窒化金属材料膜２８のみが酸化処理され、第２の窒化金属酸化物材料膜２８’が形成される。このとき、第２の窒化金属材料膜２８のみが活性な酸素ラジカルイオンによって1〜2nmの範囲の膜厚だけ酸化され、窒化金属酸化膜材料（ITO）膜２８’に変換される。このような方法で、第２の電極を形成すると、基材である有機物材料の表面層は、界面層に一部分残っているInSn膜（第１の窒化金属材料膜２６）が酸化抑制のための保護膜になり、酸化ダメージやプラズマダメージを完全に抑制できる。最後に、第２の電極の導電率を向上させるために、InSnと窒素を含む窒化金属合金材料などの非酸化金属材料をターゲット電極材料とするスパッタリング法で、堆積速度を向上させたプロセス条件で、窒化金属合金材料膜などの非酸化金属材料膜を100〜200nmの範囲の膜厚まで積層した後、前述と同様な酸化処理を行い、第２の窒化金属酸化物材料膜３０を形成する。   Subsequently, only the upper second metal nitride material film 28 is oxidized under a plasma condition in which oxygen radical ions are generated using a plasma apparatus, thereby forming a second metal nitride oxide material film 28 '. . At this time, only the second metal nitride material film 28 is oxidized by active oxygen radical ions to a film thickness in the range of 1 to 2 nm and converted into a metal nitride oxide film material (ITO) film 28 '. When the second electrode is formed by such a method, the InSn film (first metal nitride material film 26) partially remaining on the interface layer is used for suppressing oxidation of the surface layer of the organic material that is the base material. It becomes a protective film and can completely suppress oxidation damage and plasma damage. Finally, in order to improve the electrical conductivity of the second electrode, a sputtering method using a non-oxide metal material such as a metal nitride alloy material containing InSn and nitrogen as a target electrode material under process conditions with an improved deposition rate. After stacking a non-oxidized metal material film such as a metal nitride alloy material film to a thickness in the range of 100 to 200 nm, the same oxidation treatment as described above is performed to form the second metal nitride oxide material film 30.

なお、上記の実施例は全てトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に例をとり、かつその上部電極の形成に本発明を適用した場合について説明したが、下部電極の形成にも本発明を適用しても良い。また、図６（ａ）及び（ｂ）、並びに、図８（ａ）及び（ｂ）に断面図および平面図でそれぞれ示すボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子の導電性透明電極（下部電極）の形成にも、さらにそれに加えて対向電極（上部電極）の形成にも本発明を適用できるし、図７（ａ）及び（ｂ）、図８（ａ）及び（ｂ）に一部断面図・平面図で示すようなアクティブマトリックス形のトップエミッション型およびボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子の透明電極の形成、対向電極の形成にも本発明は適用できる。さらに、液晶表示装置の透明電極等の導電性酸化物電極または配線、半導体装置やその他あらゆる電子装置における導電性酸化物を含む電極または配線の形成に本発明は適用して効果がある。   In addition, although all the above embodiments have been described with respect to the method of manufacturing a top emission type organic electroluminescence element and the present invention is applied to the formation of the upper electrode, the present invention is also applied to the formation of the lower electrode. It may be applied. Also, the formation of the conductive transparent electrode (lower electrode) of the bottom emission type organic electroluminescence element shown in the sectional view and the plan view in FIGS. 6A and 6B and FIGS. 8A and 8B, respectively. Furthermore, in addition to this, the present invention can be applied to the formation of the counter electrode (upper electrode). FIGS. 7 (a) and 7 (b) and FIGS. The present invention can also be applied to the formation of transparent electrodes and counter electrodes of active matrix top emission type and bottom emission type organic electroluminescence elements as shown in the drawings. Furthermore, the present invention is effective when applied to the formation of conductive oxide electrodes or wirings such as transparent electrodes of liquid crystal display devices, and electrodes or wirings containing conductive oxides in semiconductor devices and all other electronic devices.

以上説明したように、本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を含む表示装置、及び、表示装置を含む電子装置に適用できる。また、液晶表示装置の透明電極等の導電性酸化物電極または配線、半導体装置やその他あらゆる電子装置における導電性酸化物を含む電極または配線の形成にも本発明は適用できる。   As described above, the present invention can be applied to an organic electroluminescence element, a display device including the organic electroluminescence element, and an electronic device including the display device. The present invention can also be applied to the formation of conductive oxide electrodes or wirings such as transparent electrodes of liquid crystal display devices, and electrodes or wirings containing conductive oxides in semiconductor devices and all other electronic devices.

（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構成及び製造工程を説明する図である。(A) And (b) is a figure explaining the schematic structure and manufacturing process of the conventional organic electroluminescent element, respectively. （ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を工程順に説明する断面図である。(A)-(f) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent element which concerns on the 1st Example of this invention in order of a process. （ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を工程順に説明する断面図である。(A)-(f) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent element which concerns on the 2nd Example of this invention in order of a process. （ａ）〜（ｇ）は本発明の第３の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を工程順に説明する断面図である。(A)-(g) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent element which concerns on the 3rd Example of this invention in order of a process. （ａ）〜（ｇ）は本発明の第４の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を工程順に説明する断面図である。(A)-(g) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent element which concerns on the 4th Example of this invention in order of a process. （ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明が適用される他の有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構成断面図及び平面図である。(A) And (b) is a schematic structure sectional drawing and a top view of the other organic electroluminescent element to which this invention is applied, respectively. （ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明が適用される他の有機エレクトロルミネッセンス素子の一部断面図及び平面図である。(A) And (b) is the partial cross section figure and top view of the other organic electroluminescent element to which this invention is applied, respectively. （ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明が適用される他の有機エレクトロルミネッセンス素子の一部断面図及び平面図である。(A) And (b) is the partial cross section figure and top view of the other organic electroluminescent element to which this invention is applied, respectively.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 基盤
１２ 第１の金属電極膜
１４ 有機物材料膜
１８ 金属合金材料膜
１８’ 金属酸化物材料膜
２０ 金属酸化物材料膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base 12 1st metal electrode film 14 Organic material film 18 Metal alloy material film 18 'Metal oxide material film 20 Metal oxide material film

Claims (14)

第１の電極と、発光層を有する有機物材料膜と、ＩＴＯ膜を有する第２の電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
第１の電極を形成する工程と、
発光層を有する有機物材料膜を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程と、を順に有し、
前記第２の電極を形成する工程は、
ＩｎとＳｎとを含む第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜を、酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を用いて酸化し、ＩＴＯ膜からなる第１の金属酸化膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 In a method for manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, an organic material film having a light emitting layer, and a second electrode having an ITO film,
Forming a first conductive electrode,
Forming a organic material film having a light emission layer,
Includes a step of forming a second conductive electrode, in this order,
Forming a pre-Symbol second electrode,
Forming a first metal film containing In and Sn ;
Said first metal layer, and oxidized with plasma oxidizing method using oxygen radicals ions to form a first metal oxide film made of ITO film process,
The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by having. 前記第１の金属膜を形成する工程は、非反応性スパッタリングで第１の金属膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 It said step of forming a first metal film, method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, characterized in that a non-reactive sputtering is a process for forming the first metal film. 前記第１の金属膜は、窒素を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the first metal film contains nitrogen. 前記第１の金属酸化膜は、窒素を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。4. The method of manufacturing an organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the first metal oxide film contains nitrogen. 5. 前記第２の電極を形成する工程は、前記第１の金属酸化膜を形成する工程の後にＩＴＯからなる第２の金属酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。5. The step of forming the second electrode includes a step of forming a second metal oxide film made of ITO after the step of forming the first metal oxide film. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one. 前記第２の金属酸化膜を形成する工程は、前記第１の金属酸化膜を形成する工程の後に、ＩｎとＳｎとを含む第２の金属膜を形成する工程と、前記第２の金属膜を、酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を用いて酸化し、ＩＴＯからなる第２の金属酸化膜を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The step of forming the second metal oxide film includes a step of forming a second metal film containing In and Sn after the step of forming the first metal oxide film, and the second metal film. And a step of forming a second metal oxide film made of ITO by plasma oxidation using oxygen radical ions. 6. Production method. 前記第２の金属膜は、窒素を含むことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The method of manufacturing an organic electroluminescence element according to claim 6, wherein the second metal film contains nitrogen. 前記第２の金属酸化膜は、窒素を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The method of manufacturing an organic electroluminescence element according to claim 5, wherein the second metal oxide film contains nitrogen. 前記第２の電極を形成する工程は、前記第１の金属膜を形成する工程の前に、ＩｎまたはＳｎの単元素金属膜もしくはＩｎとＳｎとを含む第３の金属膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The step of forming the second electrode includes a step of forming a single metal film of In or Sn or a third metal film containing In and Sn before the step of forming the first metal film. The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic electroluminescent element is provided. 前記第１の金属酸化膜を形成する工程は、前記第１の金属膜の全体を、酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を用いて酸化する工程を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。10. The step of forming the first metal oxide film includes a step of oxidizing the entire first metal film using a plasma oxidation method using oxygen radical ions. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of these. 前記プラズマ酸化法は、マイクロ波励起プラズマによる酸化であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The plasma oxidation method, a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the oxidation by micro Nami励Okoshipu plasma. 前記プラズマ酸化法は、１３．５６ＭＨｚ以下の高周波を印加することにより、前記第１の金属膜に入射するイオンエネルギとイオン照射量を制御してプラズマ酸化レートを精密制御することを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 In the plasma oxidation method , a high frequency of 13.56 MHz or less is applied to control ion energy and ion irradiation amount incident on the first metal film, thereby precisely controlling a plasma oxidation rate. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of Claim 11 . 前記第１の金属酸化膜を形成する工程は、減圧雰囲気のもとで、あるいは、水分濃度を制御した不活性ガスまたはドライエアーガスに雰囲気を置換して大気圧から１００Ｔｏｒｒまでの範囲の圧力のもとで、前記第１の金属膜を酸化する工程であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The step of forming the first metal oxide film is performed under a reduced pressure atmosphere or by replacing the atmosphere with an inert gas or a dry air gas with a controlled moisture concentration and at a pressure ranging from atmospheric pressure to 100 Torr. under method for producing an organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the step of oxidizing the first metal film. 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む表示装置の製造方法であって、A method of manufacturing a display device including an organic electroluminescence element,
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の製造方法で製造することを特徴とする表示装置の製造方法。A manufacturing method of a display device, wherein the organic electroluminescence element is manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
JP2004089729A 2004-03-25 2004-03-25 Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device Expired - Fee Related JP4817609B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004089729A JP4817609B2 (en) 2004-03-25 2004-03-25 Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device
TW094131805A TW200714123A (en) 2004-03-25 2005-09-15 Method of producing an organic electroluminescence device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004089729A JP4817609B2 (en) 2004-03-25 2004-03-25 Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005276689A JP2005276689A (en) 2005-10-06
JP4817609B2 true JP4817609B2 (en) 2011-11-16

Family

ID=35176113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004089729A Expired - Fee Related JP4817609B2 (en) 2004-03-25 2004-03-25 Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4817609B2 (en)
TW (1) TW200714123A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4692581B2 (en) * 2008-06-09 2011-06-01 ソニー株式会社 Display device manufacturing method and display device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266063A (en) * 1987-04-23 1988-11-02 Sharp Corp Ito film formation
JP3724733B2 (en) * 2002-06-25 2005-12-07 富士電機ホールディングス株式会社 ORGANIC EL LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP2004087369A (en) * 2002-08-28 2004-03-18 Nippon Sheet Glass Co Ltd Sealing plate for el element and its manufacturing method, as well as mother glass substrate for multiple arrangement of seal plate
JP2004087321A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Konica Minolta Holdings Inc Manufacturing method for organic electroluminescent element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005276689A (en) 2005-10-06
TW200714123A (en) 2007-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5927311B2 (en) Light emitting device
US8937428B2 (en) Organic electroluminescence device with silver alloy anode and method of manufacturing the same
KR100865445B1 (en) Fabrication method for organic electronic device and organic electronic device fabricated by the same method
KR20080010455A (en) Organic el element, organic el display device, and process for producing organic el element
KR100844788B1 (en) Fabrication method for organic light emitting device and organic light emitting device fabricated by the same method
JP2003288983A (en) Light emitting device, method for preparing and manufacturing the device
US20070159071A1 (en) Organic light emitting diode device
US20060279206A1 (en) Organic el element, organic el display using same and manufacturing method for organic el element
US20080268567A1 (en) Method for fabricating organic light emitting display
JP2000068073A (en) Organic electroluminescent element and its manufacture
JP2007234259A (en) Organic el display device
US7628669B2 (en) Organic light emitting devices with conductive layers having adjustable work function and fabrication methods thereof
JP2000077190A (en) Organic electroluminescent element and manufacture thereof
JP4817609B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescence element and method for manufacturing display device
JP2005243604A (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing same
JP2001076887A (en) Forming method of transparent conductive film and manufacture of organic el device using this
JP2011091093A (en) Organic el element
KR100784487B1 (en) Anode fabricating method of organic light emitting device and organic light emitting device including the anode
KR100685832B1 (en) inorganic layer and Fabricating method of the same
US7009749B2 (en) Optical element and manufacturing method therefor
US20080268136A1 (en) Method of producing organic light emitting apparatus
TWI220852B (en) An organic light emitting diode structure
JP4737369B2 (en) Manufacturing method of organic EL element
KR100761112B1 (en) Method of Manufacturing Light Emitting Diode Device
JP2005101008A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070305

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20091207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110823

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110830

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees