JP4802399B2

JP4802399B2 - Manufacturing method of electronic parts

Info

Publication number: JP4802399B2
Application number: JP2001177256A
Authority: JP
Inventors: 輝久柴原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-12
Filing date: 2001-06-12
Publication date: 2011-10-26
Anticipated expiration: 2021-06-12
Also published as: JP2002367873A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、角速度センサ等の電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
図６には電子部品の一つの例である角速度センサの一断面構成例が模式的に示されている。この角速度センサ１は、基台（例えばガラス）２と、半導体部（例えばシリコン）３と、蓋部（例えばガラス）４とを有し、それら基台２と半導体部３と蓋部４は積層一体化されている。基台２と蓋部４にはそれぞれ凹部２ａ，４ａが形成されており、それら凹部２ａ，４ａによって真空空間６が形成されている。
【０００３】
半導体部３には、例えばエッチング等の半導体加工技術を利用して、センサ部８と、このセンサ部８を囲むシール部９とが形成されている。シール部９は、基台２と蓋部４によって挟み込まれ当該基台２および蓋部４に陽極接合されており、真空空間６を封止している。
【０００４】
図７にはセンサ部８の一形態例が模式的に示されている。このセンサ部８は、四角形状の振動体７と、振動体支持固定部１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ）と、電極支持固定部１１（１１ａ，１１ｂ）と、検出用電極パット形成部１２と、梁１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）と、櫛歯形状の可動電極部１４（１４ａ，１４ｂ）と、櫛歯形状の固定電極部１５（１５ａ，１５ｂ）とを有して構成されている。
【０００５】
振動体支持固定部１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ）と電極支持固定部１１（１１ａ，１１ｂ）と検出用電極パット形成部１２は基台２および蓋部４に陽極接合されて固定される。振動体７は梁１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）によって振動体支持固定部１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ）にそれぞれ連接されている。また、振動体７の端縁部から櫛歯形状の可動電極部１４（１４ａ，１４ｂ）がＸ方向に沿って突出形成されている。この可動電極部１４と間隔を介して噛み合うように櫛歯形状の固定電極部１５（１５ａ，１５ｂ）が電極支持固定部１１（１１ａ，１１ｂ）からＸ方向に沿って伸長形成されている。
【０００６】
基台２と蓋部４の各凹部２ａ，４ａは、それぞれ、振動体７と梁１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）と可動電極部１４（１４ａ，１４ｂ）の形成領域に対向する部位に形成されている。これら凹部２ａ，４ａによって、振動体７と梁１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）と可動電極部１４（１４ａ，１４ｂ）は基台２、蓋部４に対して浮いた状態と成し、可動可能となっている。
【０００７】
振動体支持固定部１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ）と電極支持固定部１１（１１ａ，１１ｂ）と検出用電極パット形成部１２の各上面には金属膜である電極パット（図示せず）がそれぞれ形成されている。蓋部４には各電極パットに対応する部位にスルーホール（図示せず）がそれぞれ形成され、これにより、各電極パットは外部の回路と導通接続することができる。
【０００８】
基台２の凹部２ａの底面には振動体７と間隔を介して対向する部位に検出用電極部（図示せず）が形成されている。また、基台２には、その検出用電極部と検出用電極パット形成部１２を導通接続させるための配線パターン１６が形成されている。
【０００９】
この例のセンサ部８では、例えば、外部の回路から固定電極部１５ａ，１５ｂにそれぞれ駆動用の交流電圧が印加されると、固定電極部１５ａと可動電極部１４ａ間、固定電極部１５ｂと可動電極部１４ｂ間に生じる静電力が交流電圧に応じて変化して振動体７はＸ方向に駆動振動を行う。このように振動体７が駆動振動している状態で、Ｙ軸回りに回転すると、Ｚ方向のコリオリ力が発生する。このコリオリ力が振動体７に加えられて該振動体７はＺ方向に検出振動する。
【００１０】
この振動体７のＺ方向の振動によって、該振動体７と検出用電極部間の間隔が変化して当該振動体７と検出用電極部間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検出用電極部から配線パターン１６と電極パットを介して外部に取り出し、この検出値に基づいて、Ｙ軸回りの回転の角速度の大きさ等を検出することができる。
【００１１】
以下に、角速度センサ１の製造工程の一例を図８に基づいて説明する。なお、図８では図７に示すＡ−Ａ部分に対応する部位が断面により示されている。
【００１２】
まず、基台２を複数形成するための基台作製用基板を用意し、図８（ａ）に示すように、この基台作製用基板２０には設定の各基台形成領域Ｋ毎にそれぞれ凹部２ａを形成する。そして、各凹部２ａの内周面にそれぞれ検出用電極部や配線パターン１６をスパッタ等の成膜形成技術を利用して形成する。
【００１３】
次に、図８（ｂ）に示すように、それら凹部２ａの開口部を塞ぐように基台作製用基板２０の上側に半導体基板２１を陽極接合する。そして、図８（ｃ）に示すように、半導体基板２１を例えば平面研削によって設定の厚みに薄肉化し、その後に、その半導体基板２１の上面を鏡面研磨する。
【００１４】
然る後に、図８（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーを利用して、半導体基板２１の上面にフォトレジストから成る型パターン２２を形成する。この型パターン２２は、半導体基板２１の加工対象位置を定める半導体基板加工用の型である。この型パターン２２は、図７に示されるような半導体部３のセンサ部８およびシール部９のパターンが複数配置された形態と成している。
【００１５】
その後、図８（ｅ）に示すように、型パターン２２に基づいて半導体基板２１をエッチング等により加工する。これにより、半導体部３のセンサ部８とシール部９を形成することができる。このように形成されたセンサ部８の振動体７が基台２０の凹部２ａの上方側に配置するように、前段階の型パターン２２の形成工程において、型パターン２２の配置の位置決めが成されている。
【００１６】
次に、図８（ｆ）に示すように、半導体基板２１の上面から型パターン２２を例えば硫酸と過酸化水素水の混合液により除去する。そして、半導体基板２１の上面にスパッタ等の薄膜形成技術により電極パット等を形成する。
【００１７】
その後に、図８（ｇ）に示すように、真空排気が行われている真空室内で、半導体基板２１の上側に蓋部作製用基板２３を陽極接合する。蓋部作製用基板２３は複数の蓋部４を形成するものであり、この蓋部作製用基板２３には各蓋部形成領域毎に凹部４ａおよび複数のスルーホール（図示せず）が予め形成されている。この蓋部作製用基板２３を半導体基板２１の上側に接合する際には、各凹部４ａがそれぞれ対応する振動体７と間隔を介して対向し、かつ、複数のスルーホールがそれぞれ対応する振動体支持固定部１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ）や電極支持固定部１１（１１ａ，１１ｂ）や検出用電極パット形成部１２の上面に形成された電極パットの形成位置と一致するように位置合わせされる。
【００１８】
これにより、基台作製用基板２０と半導体基板２１と蓋部作製用基板２３の接合体の内部に複数の角速度センサ１が形成されている状態となる。然る後に、その接合体を図８（ｈ）に示されるようなダイシングラインＬに沿って切断して、複数の角速度センサ１が切り出される。このようにして、角速度センサ１を作製することができる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような角速度センサ１の製造工程において、半導体基板２１の上面に型パターン２２を形成する際には、前述したように、基台作製用基板２０の凹部２ａの形成位置に基づいて、その型パターン２２の配置の位置決めを行う必要がある。しかし、基台作製用基板２０の凹部２ａは半導体基板２１に隠れて半導体基板２１の上面側から基台作製用基板２０の凹部２ａの形成位置を見ることができない。このため、型パターン２２の配置の位置決めを行う際には、両面マスクアライナ装置という特殊な装置を用いていた。
【００２０】
しかしながら、両面マスクアライナ装置は、一般的な装置ではないために、高価なものであり、設備コストを増大させて、角速度センサ１の製造コストの増大を招いてしまう。このことは角速度センサ１の低価格化を妨げている原因の一つとなっている。
【００２１】
この発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、角速度センサ等の電子部品の低価格化を促進させることができる電子部品の製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決する手段としている。すなわち、第１の発明は、第１の基板の少なくとも上面を加工した後に、その第１の基板の上面に第２の基板を接合し、その後、第１の基板の加工位置に基づいた第２の基板の加工対象部位を第２の基板の上面側から加工して電子部品を製造する方法において、第１の基板と第２の基板を接合する際には第１の基板の上面の一部を露出させる態様とし、その第１の基板の露出する上面部分には、第１の基板の加工位置を決定するための位置決め用マークを形成しておき、第１の基板と第２の基板を接合した後に、前記位置決め用マークを利用して第２の基板の上面側から当該第２の基板の加工対象位置を定めて、第２の基板を加工することを特徴として構成されている。
【００２３】
第２の発明は、第１の発明の構成を備え、位置決め用マークは凹部により形成されていることを特徴として構成されている。
【００２４】
第３の発明は、第１の発明の構成を備え、位置決め用マークは膜パターンにより形成されていることを特徴として構成されている。
【００２５】
第４の発明は、第１又は第２又は第３の発明の構成を備え、第２の基板を加工した後に、第１の基板と第２の基板の接合体を分割して複数の電子部品を作り出すことを特徴として構成されている。
【００２６】
第５の発明は、第１〜第４の発明の何れか１つの発明の構成を備え、第１の基板はガラス基板と成し、第２の基板は半導体基板と成しており、第１の基板と第２の基板を陽極接合法により接合することを特徴として構成されている。
【００２７】
第６の発明は、第１〜第５の発明の何れか１つの発明の構成を備え、第２の基板を第１の基板の上面に配置する際に、第１の基板に対する第２の基板の配置位置を位置決め用マークに基づいて位置決めすることを特徴として構成されている。
【００２８】
この発明では、第１の基板と第２の基板を接合する際には第１の基板の上面の一部を露出する態様とし、その第１の基板の露出する上面部分には第１の基板の加工位置を決定するための位置決め用マークを形成しておく。この位置決め用マークを利用することで、両面マスクアライナ装置という特殊な装置を用いることなく、第２の基板の上面側から、第１の基板の加工位置に基づいた第２の基板の加工対象位置を定めることができることとなる。
【００２９】
このように、両面マスクアライナ装置を利用しなくて済むので、設備コストの増大を抑制することができて、電子部品の製造コストを抑えることができ、これにより、電子部品の低価格化を促進させることが可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。
【００３１】
この実施形態例では、図６、図７に示した角速度センサ１を例にして、電子部品の製造手法の一例を説明する。なお、その角速度センサ１の構成は、前述したので、その重複説明は省略する。
【００３２】
この実施形態例における角速度センサ１の製造手法は、従来例に示した角速度センサ１の製造手法とほぼ同様であるが、第１の基板である基台作製用基板２０の上面に第２の基板である半導体基板２１を接合した後に、半導体基板２１の加工対象位置を定める型パターン２２の配置の位置決め手法が従来例と異なる特徴点となっている。
【００３３】
この実施形態例では、角速度センサ１を製造する際には、図２（ａ）、（ｂ）に示されるような基台作製用基板（例えばガラス基板）２０と、半導体基板（例えばシリコン基板）２１とを用いる。これら基台作製用基板２０と半導体基板２１は両方共に略円形状と成し、基台作製用基板２０の径は半導体基板２１の径よりも大きいものとなっている。半導体基板２１には、結晶方位を表す切り欠き部３０以外に、位置決め用切り欠き部３１（３１ａ，３１ｂ）が形成されている。
【００３４】
この実施形態例では、基台作製用基板２０の上面に半導体基板２１を接合する際には、半導体基板２１の中心Ｏ'を基台作製用基板２０の中心Ｏに略一致させて半導体基板２１を基台作製用基板２０の上面に配置する。この際、基台作製用基板２０は半導体基板２１よりも大きいので、基台作製用基板２０の端縁部分は半導体基板２１に隠れずに露出する。この基台作製用基板２０の露出する上面部分には、位置決め用マークである位置決め用凹部３３（３３ａ，３３ｂ）が形成されている。
【００３５】
この実施形態例では、位置決め用凹部３３は、図１（ａ）の基台作製用基板２０の断面図に示されるように、Ｖ溝の形態と成し、この位置決め用凹部３３の縁部と、凹部２ａの縁部との間隔Ｄは予め定められている。これにより、基台作製用基板２０の凹部２ａ上に半導体基板２１が配置されて凹部２ａの加工位置を半導体基板２１の上面側から見ることができなくとも、位置決め用凹部３３を利用して、基台作製用基板２０の凹部２ａの加工位置を決定することができる。
【００３６】
また、この位置決め用凹部３３（３３ａ，３３ｂ）は、基台作製用基板２０と半導体基板２１を中心位置を略一致させて重ね合わせた際に半導体基板２１の位置決め用切り欠き部３１（３１ａ，３１ｂ）の縁に沿うように、かつ、位置決め用切り欠き部３１（３１ａ，３１ｂ）の長さとほぼ等しい長さに、形成されている。このため、半導体基板２１の位置決め用切り欠き部３１ａ，３１ｂがそれぞれ基台作製用基板２０の位置決め用凹部３３ａ，３３ｂの縁部にほぼ一致するように、基台作製用基板２０の上面に半導体基板２１を配置することによって、半導体基板２１を基台作製用基板２０の上面に互いの中心位置をほぼ一致させて配置することができることとなる。このように、位置決め用凹部３３ａ，３３ｂを利用することで、簡単に、基台作製用基板２０に対する半導体基板２１の配置位置を決めることができる。
【００３７】
なお、従来では、基台作製用基板２０と半導体基板２１は両方共に略円形状で、同じ大きさを持つ場合が多く、その直径や切り欠き部３０（３２）の幅Ｈ等の寸法の標準規格が定められている。このため、その標準規格に基づいて製造された電子部品の製造装置が多い。この実施形態例では、基台作製用基板２０や半導体基板２１の寸法は特に限定されるものではないが、従来から用いられている製造装置を利用することを考慮すると、基台作製用基板２０や半導体基板２１の寸法は標準規格とほぼ同程度とすることが好ましい。
【００３８】
このような基台作製用基板２０および半導体基板２１を用いた角速度センサの製造手法の一例を図１に基づいて説明する。なお、図１では図７に示すＡ−Ａ部分に対応する部位が断面により示されている。
【００３９】
まず、図１（ａ）に示すように、基台作製用基板２０の上面に、例えばサンドブラスト加工法を利用して凹部２ａを形成する。このとき、凹部２ａの形成と同時に、位置決め用凹部３３（３３ａ，３３ｂ）を形成する。これにより、凹部２ａに対する位置決め用凹部３３の形成位置を精度良く設計通りとすることができる。
【００４０】
次に、図１（ｂ）に示されるように、基台作製用基板２０の上面の位置決め用凹部３３（３３ａ，３３ｂ）と、半導体基板２１の位置決め用切り欠き部３１（３１ａ，３１ｂ）とを利用して、基台作製用基板２０の上面に半導体基板２１を中心位置を略一致させて陽極接合する。そして、図１（ｃ）に示すように、半導体基板２１を例えば平面切削手法によって設定の厚みまで肉薄化し、その後、半導体基板２１の上面を鏡面研磨する。
【００４１】
次に、図１（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィにより、半導体基板２１の上面に型パターン２２を形成する。この際、型パターン２２の配置の位置決めは、両面マスクアライナ装置を用いることなく、半導体基板２１の上面側から基台作製用基板２０の位置決め用凹部３３（３３ａ，３３ｂ）を利用して行われる。このように、型パターン２２を形成することによって、半導体基板２１の加工対象位置が定まることとなる。
【００４２】
その後、従来例と同様に、図１（ｅ）に示すように、型パターン２２に基づいて半導体基板２１を加工して、センサ部８とシール部９を持つ半導体部３を半導体基板２１に複数形成する。その後、図１（ｆ）に示すように、半導体基板２１の上面から型パターン２２を例えば硫酸と過酸化水素水の混合液によって除去する。
【００４３】
そして、図１（ｇ）に示すように、半導体基板２１の上面に蓋部作製用基板２３を陽極接合する。蓋部作製用基板２３は、この実施形態例では、半導体基板２１と同じ形状および等しい大きさを持つものであり、この蓋部作製用基板２３は半導体基板２１に略一致した形態で半導体基板２１の上面に接合されている。なお、この蓋部作製用基板２３には、予め、凹部４ａやスルーホール（図示せず）が形成されている。
【００４４】
そして、然る後に、図１（ｈ）に示されるように、基台作製用基板２０と半導体基板２１と蓋部作製用基板２３の接合体を設定のダイシングラインＬに沿って切断して、複数の角速度センサ１が切り出される。このようにして、角速度センサ１を作製することができる。
【００４５】
この実施形態例によれば、基台作製用基板２０の上面に半導体基板２１を接合する際には、基台作製用基板２０の上面の一部を露出させる態様とし、基台作製用基板２０の露出する上面部分には位置決め用凹部３３（３３ａ，３３ｂ）を形成した。この位置決め用凹部３３は、基台作製用基板２０の凹部２ａから予め定められた間隔だけ離れて形成されている。このため、半導体基板２１の上面に型パターン２２を形成する際に、両面マスクアライナ装置を用いることなく、位置決め用凹部３３を利用して、半導体基板２１の上面側から型パターン２２の配置の位置決めを行うことができて、半導体基板２１の加工対象位置を定めることが可能となる。
【００４６】
このように、両面マスクアライナ装置を用いなくて済むので、設備コストの増大を抑制することができて、角速度センサ１の製造コストを抑えることができる。これにより、角速度センサ１の低価格化を促進させることができる。
【００４７】
また、この実施形態例では、基台作製用基板２０に凹部２ａを形成すると同時に、位置決め用凹部３３を形成しているので、位置決め用凹部３３を形成するための工程を別に設ける必要が無い。その上、凹部２ａに対する位置決め用凹部３３の形成位置を精度良く設計通りにすることができるので、型パターン２２の配置の位置決めを高精度に行うことができる。
【００４８】
なお、この発明は、この実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得るものである。例えば、この実施形態例では、基台作製用基板２０の露出する上面部分に形成される位置決め用マークは凹部の形態であったが、この位置決め用マークは基台作製用基板２０の上面に形成した膜パターン（例えば金やアルミニウム等の金属膜のパターン）の形態としてもよい。
【００４９】
また、この実施形態例では、基台作製用基板２０は半導体基板２１よりも大きく、これにより、基台作製用基板２０の上面に半導体基板２１を重ね合わせた際に、基台作製用基板２０の上面の一部を露出させる構成としたが、例えば、基台作製用基板２０と半導体基板２１は同じ形状、かつ、等しい大きさとしてもよく、この場合には、図３に示すように、基台作製用基板２０と半導体基板２１をずらすことによって、基台作製用基板２０の上面の一部を露出させることができる。
【００５０】
さらに、基台作製用基板２０と半導体基板２１は略円形状でなくともよく、例えば、図４に示すように、基台作製用基板２０と半導体基板２１を長方形としてもよい。この場合には、基台作製用基板２０の上面に半導体基板２１を接合する際に、基台作製用基板２０の長手方向αと半導体基板２１の長手方向βとが交差するように（図４の例では直交するように）、基台作製用基板２０に対して半導体基板２１を配置することによって、基台作製用基板２０と半導体基板２１の大きさが等しい場合にも、基台作製用基板２０の上面の一部を露出させることができる。
【００５１】
さらに、図５に示すように、基台作製用基板２０と半導体基板２１を接合する際に、基台作製用基板２０の切り欠き部３２と、半導体基板２１の切り欠き部３０との位置を異ならせることにより、基台作製用基板２０の上面の一部を露出させることができる。
【００５２】
さらに、基台作製用基板２０と半導体基板２１は互いに異なる形状としてもよい。この場合にも、もちろん、基台作製用基板２０に半導体基板２１を接合した際に、基台作製用基板２０の上面の一部が露出する態様とする。
【００５３】
さらに、この実施形態例では、半導体基板２１を基台作製用基板２０の上面に配置する際に、位置決め用凹部３３を利用して、基台作製用基板２０に対する半導体基板２１の位置決めを行っていたが、位置決め用凹部３３を利用せずに、他の手段によって、基台作製用基板２０に対する半導体基板２１の配置の位置決めを行ってもよい。この場合には、例えば、位置決め用凹部３３は半導体基板２１の切り欠き部３１の形成位置に規制されずに形成することができる。
【００５４】
さらに、この実施形態例では、角速度センサ１を例にして説明したが、この発明は、角速度センサ以外の電子部品の製造にも適用することができるものである。さらに、この実施形態例では、ガラス基板である基台作製用基板（第１の基板）２０と半導体基板（第２の基板）２１は陽極接合法により接合されていたが、電子部品の種類に応じて、第１の基板と第２の基板の各構成材料は適宜設定されるものであり、それら基板の構成材料によって、それら基板の接合手法は適宜設定してよいものであり、陽極接合法に限定されるものではない。さらに、この実施形態例では、第１の基板と第２の基板を接合した後に、その接合体を分割して複数の電子部品を作り出していたが、この発明は、第１の基板と第２の基板を接合して１つの電子部品を作り出す場合にも適用することができるものである。
【００５５】
【発明の効果】
この発明によれば、第１の基板と第２の基板を接合する際には第１の基板の上面の一部を露出させる態様とし、その第１の基板の露出する上面部分には、第１の基板の加工位置を決定するための位置決め用マークを形成した。これにより、第１の基板と第２の基板を接合して、第１の基板の上面の加工部分を第２の基板の上面側から見ることができなくとも、位置決め用マークを利用することで、第２の基板の上面側から、第１の基板の加工位置に基づいた第２の基板の加工対象位置を定めることができることとなる。
【００５６】
このため、第２の基板の加工対象位置を定める際に、両面マスクアライナ装置という特殊な装置を用いなくて済むこととなる。これにより、設備コストの増大を抑制することができて、電子部品の製造コストを下げることができる。よって、電子部品の低価格化を促進させることができる。
【００５７】
位置決め用マークが凹部又は膜パターンであるものにあっては、第１の基板の上面を加工する際に、その加工と同時に、位置決め用マークである凹部や膜パターンを形成することができる。これにより、位置決め用マークを形成するための工程を別に設ける必要が無い。また、第１の基板の上面の加工部分と、位置決め用マークとの位置関係をほぼ確実に設計通りにすることができて、位置決め用マークを利用して、第１の基板の加工位置に基づいた第２の基板の加工対象位置を精度良く定めることができる。
【００５８】
第１の基板と第２の基板の接合体を分割して複数の電子部品を製造するものにあっては、電子部品は非常に小さく、第１の基板や第２の基板の加工は非常に微細なものであり、第２の基板の加工対象位置の位置決めは非常に高精度なものが要求されるが、このような場合にも、位置決め用マークを利用して、第２の基板の加工対象位置を精度良く第１の基板の加工位置に合わせて決定することができる。
【００５９】
第１の基板と第２の基板を陽極接合法により接合するものにあっては、第１の基板と第２の基板を強固に接合することができる。
【００６０】
第２の基板を第１の基板の上面に配置する際に、第１の基板に対する第２の基板の配置位置を位置決め用マークに基づいて位置決めするものにあっては、第１の基板に対する第２の基板の配置位置を簡単に位置決めすることができることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品の製造方法の一実施形態例を説明するための図である。
【図２】実施形態例で利用した基台作製用基板（第１の基板）と、半導体基板（第２の基板）とを説明するための図である。
【図３】その他の実施形態例を説明するための図である。
【図４】さらに、その他の実施形態例を説明するための図である。
【図５】さらにまた、その他の実施形態例を説明するための図である。
【図６】電子部品の一つの例である角速度センサの一断面構成例を模式的に示したモデル図である。
【図７】角速度センサの主要な構成部分の一例を模式的に示したモデル図である。
【図８】従来の電子部品の製造手法の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
１角速度センサ
２０基台作製用基板
２１半導体基板
３３位置決め用凹部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component such as an angular velocity sensor.
[0002]
[Background]
FIG. 6 schematically shows a cross-sectional configuration example of an angular velocity sensor which is an example of an electronic component. The angular velocity sensor 1 has a base (for example, glass) 2, a semiconductor part (for example, silicon) 3, and a lid (for example, glass) 4, and the base 2, the semiconductor part 3, and the lid 4 are laminated. It is integrated. Recesses 2a and 4a are formed in the base 2 and the lid part 4, respectively, and a vacuum space 6 is formed by the recesses 2a and 4a.
[0003]
The semiconductor portion 3 is formed with a sensor portion 8 and a seal portion 9 surrounding the sensor portion 8 by using a semiconductor processing technique such as etching. The seal portion 9 is sandwiched between the base 2 and the lid portion 4 and is anodically bonded to the base 2 and the lid portion 4 to seal the vacuum space 6.
[0004]
FIG. 7 schematically shows an example of the sensor unit 8. The sensor unit 8 includes a rectangular vibrating body 7, a vibrating body support fixing portion 10 (10a, 10b, 10c, 10d), an electrode support fixing portion 11 (11a, 11b), and a detection electrode pad forming portion 12. And a beam 13 (13a, 13b, 13c, 13d), a comb-shaped movable electrode portion 14 (14a, 14b), and a comb-shaped fixed electrode portion 15 (15a, 15b). ing.
[0005]
The vibrating body support fixing portion 10 (10a, 10b, 10c, 10d), the electrode support fixing portion 11 (11a, 11b), and the detection electrode pad forming portion 12 are anodically bonded and fixed to the base 2 and the lid portion 4. . The vibrating body 7 is connected to the vibrating body support fixing portion 10 (10a, 10b, 10c, 10d) by a beam 13 (13a, 13b, 13c, 13d). Further, comb-shaped movable electrode portions 14 (14 a, 14 b) are formed so as to protrude from the edge of the vibrating body 7 along the X direction. Comb-shaped fixed electrode portions 15 (15a, 15b) are formed to extend from the electrode support fixing portions 11 (11a, 11b) along the X direction so as to mesh with the movable electrode portions 14 with a gap therebetween.
[0006]
The recesses 2a and 4a of the base 2 and the lid 4 are respectively located at portions facing the formation regions of the vibrating body 7, the beams 13 (13a, 13b, 13c, and 13d) and the movable electrode portion 14 (14a and 14b). Is formed. By these recesses 2a and 4a, the vibrating body 7, the beam 13 (13a, 13b, 13c, 13d) and the movable electrode portion 14 (14a, 14b) are in a state of floating with respect to the base 2 and the lid portion 4, It is movable.
[0007]
Electrode pads (not shown), which are metal films, are provided on the upper surfaces of the vibrating body support fixing portion 10 (10a, 10b, 10c, 10d), the electrode support fixing portion 11 (11a, 11b), and the detection electrode pad forming portion 12. Are formed respectively. Through holes (not shown) are formed in the lid portion 4 at portions corresponding to the respective electrode pads, whereby each electrode pad can be electrically connected to an external circuit.
[0008]
On the bottom surface of the recess 2a of the base 2, a detection electrode portion (not shown) is formed at a portion facing the vibrating body 7 with an interval. The base 2 is formed with a wiring pattern 16 for electrically connecting the detection electrode portion and the detection electrode pad forming portion 12.
[0009]
In the sensor unit 8 of this example, for example, when an AC voltage for driving is applied to the fixed electrode units 15a and 15b from an external circuit, the fixed electrode unit 15b and the fixed electrode unit 15b are movable. The electrostatic force generated between the electrode portions 14b changes according to the AC voltage, and the vibrating body 7 performs driving vibration in the X direction. When the vibrating body 7 is driven and vibrated in this way, when it rotates around the Y axis, a Coriolis force in the Z direction is generated. This Coriolis force is applied to the vibrating body 7, and the vibrating body 7 vibrates in the Z direction.
[0010]
Due to the vibration of the vibrating body 7 in the Z direction, the distance between the vibrating body 7 and the detection electrode portion changes, and the capacitance between the vibration body 7 and the detection electrode portion changes. This change in capacitance can be taken out from the detection electrode section via the wiring pattern 16 and the electrode pad, and based on this detection value, the magnitude of the angular velocity of rotation around the Y axis can be detected.
[0011]
Below, an example of the manufacturing process of the angular velocity sensor 1 is demonstrated based on FIG. In FIG. 8, a portion corresponding to the AA portion shown in FIG. 7 is shown in cross section.
[0012]
First, a base manufacturing substrate for forming a plurality of bases 2 is prepared. As shown in FIG. 8A, each base forming region K is set in the base manufacturing substrate 20 respectively. A recess 2a is formed. Then, the detection electrode portion and the wiring pattern 16 are formed on the inner peripheral surface of each recess 2a by using a film forming technique such as sputtering.
[0013]
Next, as shown in FIG. 8B, the semiconductor substrate 21 is anodically bonded to the upper side of the base manufacturing substrate 20 so as to close the openings of the recesses 2a. Then, as shown in FIG. 8C, the semiconductor substrate 21 is thinned to a set thickness by, for example, surface grinding, and then the upper surface of the semiconductor substrate 21 is mirror-polished.
[0014]
Thereafter, as shown in FIG. 8D, a mold pattern 22 made of a photoresist is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 21 using photolithography. The mold pattern 22 is a mold for processing a semiconductor substrate that defines a processing target position of the semiconductor substrate 21. The mold pattern 22 has a configuration in which a plurality of patterns of the sensor unit 8 and the seal unit 9 of the semiconductor unit 3 are arranged as shown in FIG.
[0015]
Thereafter, as shown in FIG. 8E, the semiconductor substrate 21 is processed by etching or the like based on the mold pattern 22. Thereby, the sensor part 8 and the seal part 9 of the semiconductor part 3 can be formed. In the formation process of the mold pattern 22 in the previous stage, the arrangement of the mold pattern 22 is positioned so that the vibrating body 7 of the sensor unit 8 formed in this way is disposed above the recess 2a of the base 20. ing.
[0016]
Next, as shown in FIG. 8F, the mold pattern 22 is removed from the upper surface of the semiconductor substrate 21 with, for example, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. Then, an electrode pad or the like is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 21 by a thin film forming technique such as sputtering.
[0017]
Thereafter, as shown in FIG. 8G, the lid forming substrate 23 is anodically bonded to the upper side of the semiconductor substrate 21 in a vacuum chamber in which evacuation is performed. The lid manufacturing substrate 23 forms a plurality of lids 4, and the lid manufacturing substrate 23 is previously formed with a recess 4a and a plurality of through holes (not shown) for each lid forming region. Has been. When joining this lid-forming substrate 23 to the upper side of the semiconductor substrate 21, each recess 4 a faces the corresponding vibrating body 7 with a space therebetween, and a plurality of through holes correspond to each vibrating body. Positioning so as to coincide with the electrode pad forming position formed on the upper surface of the support fixing part 10 (10a, 10b, 10c, 10d), the electrode support fixing part 11 (11a, 11b) or the detection electrode pad forming part 12. Is done.
[0018]
As a result, a plurality of angular velocity sensors 1 are formed in the joined body of the base manufacturing substrate 20, the semiconductor substrate 21, and the lid manufacturing substrate 23. Thereafter, the joined body is cut along a dicing line L as shown in FIG. 8H, and a plurality of angular velocity sensors 1 are cut out. In this way, the angular velocity sensor 1 can be manufactured.
[0019]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in such a manufacturing process of the angular velocity sensor 1, when the mold pattern 22 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 21, as described above, based on the formation position of the recess 2a of the base manufacturing substrate 20, It is necessary to position the mold pattern 22 for positioning. However, the concave portion 2 a of the base manufacturing substrate 20 is hidden by the semiconductor substrate 21, and the formation position of the concave portion 2 a of the base manufacturing substrate 20 cannot be seen from the upper surface side of the semiconductor substrate 21. For this reason, a special apparatus called a double-sided mask aligner apparatus has been used when positioning the arrangement of the mold pattern 22.
[0020]
However, since the double-sided mask aligner device is not a general device, it is expensive and increases the equipment cost, leading to an increase in the manufacturing cost of the angular velocity sensor 1. This is one of the causes that hinder the price reduction of the angular velocity sensor 1.
[0021]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic component that can promote cost reduction of an electronic component such as an angular velocity sensor.
[0022]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration as means for solving the above problems. That is, in the first invention, after processing at least the upper surface of the first substrate, the second substrate is bonded to the upper surface of the first substrate, and then the second based on the processing position of the first substrate. In a method of manufacturing an electronic component by processing a portion to be processed of the substrate from the upper surface side of the second substrate, a part of the upper surface of the first substrate is bonded to the first substrate and the second substrate. A positioning mark for determining the processing position of the first substrate is formed on the exposed upper surface portion of the first substrate, and the first substrate and the second substrate are mounted on the exposed upper surface portion of the first substrate. After bonding, the second substrate is processed by determining the processing target position of the second substrate from the upper surface side of the second substrate using the positioning marks.
[0023]
The second invention comprises the configuration of the first invention, and is characterized in that the positioning mark is formed by a recess.
[0024]
According to a third aspect of the invention, there is provided the configuration of the first aspect of the invention, wherein the positioning mark is formed by a film pattern.
[0025]
A fourth invention includes the configuration of the first, second, or third invention, and after processing the second substrate, the joined body of the first substrate and the second substrate is divided into a plurality of electronic components. It is structured to produce.
[0026]
5th invention is equipped with the structure of any one invention of 1st-4th invention, the 1st board | substrate comprises a glass substrate, the 2nd board | substrate comprises a semiconductor substrate, The substrate and the second substrate are bonded by an anodic bonding method.
[0027]
A sixth invention comprises the configuration of any one of the first to fifth inventions, and the second substrate relative to the first substrate when the second substrate is disposed on the upper surface of the first substrate. The arrangement position is positioned based on the positioning mark.
[0028]
In the present invention, when joining the first substrate and the second substrate, a part of the upper surface of the first substrate is exposed, and the first substrate is exposed on the exposed upper surface portion of the first substrate. A positioning mark for determining the machining position is formed in advance. By using this positioning mark, the processing target position of the second substrate based on the processing position of the first substrate from the upper surface side of the second substrate without using a special device called a double-sided mask aligner device. Can be determined.
[0029]
In this way, since it is not necessary to use a double-sided mask aligner, the increase in equipment cost can be suppressed, and the manufacturing cost of electronic parts can be reduced, thereby promoting the cost reduction of electronic parts. It becomes possible to make it.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0031]
In this embodiment, an example of a method for manufacturing an electronic component will be described using the angular velocity sensor 1 shown in FIGS. 6 and 7 as an example. In addition, since the structure of the angular velocity sensor 1 was mentioned above, the duplication description is abbreviate | omitted.
[0032]
The manufacturing method of the angular velocity sensor 1 in this embodiment is substantially the same as the manufacturing method of the angular velocity sensor 1 shown in the conventional example, but the second substrate is formed on the upper surface of the base manufacturing substrate 20 which is the first substrate. After the semiconductor substrate 21 is bonded, the positioning method of the arrangement of the mold pattern 22 that determines the processing target position of the semiconductor substrate 21 is a different feature from the conventional example.
[0033]
In this embodiment, when the angular velocity sensor 1 is manufactured, a base manufacturing substrate (for example, a glass substrate) 20 as shown in FIGS. 2A and 2B and a semiconductor substrate (for example, a silicon substrate). 21 is used. Both the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 are substantially circular, and the diameter of the base manufacturing substrate 20 is larger than the diameter of the semiconductor substrate 21. The semiconductor substrate 21 is formed with positioning notches 31 (31a, 31b) in addition to the notches 30 representing the crystal orientation.
[0034]
In this embodiment, when the semiconductor substrate 21 is bonded to the upper surface of the base manufacturing substrate 20, the center O ′ of the semiconductor substrate 21 is substantially aligned with the center O of the base manufacturing substrate 20. Is arranged on the upper surface of the base manufacturing substrate 20. At this time, since the base manufacturing substrate 20 is larger than the semiconductor substrate 21, the edge portion of the base manufacturing substrate 20 is exposed without being hidden by the semiconductor substrate 21. A positioning recess 33 (33a, 33b), which is a positioning mark, is formed on the exposed upper surface portion of the base manufacturing substrate 20.
[0035]
In this embodiment, the positioning recess 33 is in the form of a V-groove as shown in the cross-sectional view of the base manufacturing substrate 20 in FIG. The distance D from the edge of the recess 2a is determined in advance. Thereby, even if the semiconductor substrate 21 is arranged on the recess 2a of the base manufacturing substrate 20 and the processing position of the recess 2a cannot be seen from the upper surface side of the semiconductor substrate 21, the positioning recess 33 is used. The processing position of the recess 2a of the base manufacturing substrate 20 can be determined.
[0036]
The positioning recesses 33 (33a, 33b) are formed by positioning notches 31 (31a, 33b) of the semiconductor substrate 21 when the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 are overlapped with their center positions substantially coincided with each other. 31b) and is formed to have a length substantially equal to the length of the positioning notch 31 (31a, 31b). For this reason, the semiconductor is formed on the upper surface of the base manufacturing substrate 20 so that the positioning notches 31a and 31b of the semiconductor substrate 21 substantially coincide with the edges of the positioning recesses 33a and 33b of the base manufacturing substrate 20, respectively. By disposing the substrate 21, the semiconductor substrate 21 can be disposed on the upper surface of the base manufacturing substrate 20 so that the center positions thereof are substantially coincident with each other. Thus, by using the positioning recesses 33a and 33b, the arrangement position of the semiconductor substrate 21 relative to the base manufacturing substrate 20 can be easily determined.
[0037]
Conventionally, both the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 are both substantially circular and have the same size, and the standard of the dimensions such as the diameter and the width H of the notch 30 (32) is often used. A standard has been established. For this reason, there are many electronic component manufacturing apparatuses manufactured based on the standard. In this embodiment, the dimensions of the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 are not particularly limited. However, in consideration of using a conventional manufacturing apparatus, the base manufacturing substrate 20 is used. In addition, the dimensions of the semiconductor substrate 21 are preferably approximately the same as the standard.
[0038]
An example of a method for manufacturing an angular velocity sensor using such a base manufacturing substrate 20 and a semiconductor substrate 21 will be described with reference to FIG. In FIG. 1, a section corresponding to the AA portion shown in FIG. 7 is shown in cross section.
[0039]
First, as shown in FIG. 1A, a recess 2a is formed on the upper surface of the base manufacturing substrate 20 by using, for example, a sandblasting method. At this time, the positioning recess 33 (33a, 33b) is formed simultaneously with the formation of the recess 2a. Thereby, the formation position of the positioning concave portion 33 with respect to the concave portion 2a can be accurately set as designed.
[0040]
Next, as shown in FIG. 1B, positioning recesses 33 (33a, 33b) on the upper surface of the base manufacturing substrate 20, and positioning notches 31 (31a, 31b) of the semiconductor substrate 21 , The semiconductor substrate 21 is anodically bonded to the upper surface of the base manufacturing substrate 20 with the center position substantially coincided. Then, as shown in FIG. 1C, the semiconductor substrate 21 is thinned to a set thickness by, for example, a plane cutting method, and then the upper surface of the semiconductor substrate 21 is mirror-polished.
[0041]
Next, as shown in FIG. 1D, a mold pattern 22 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 21 by photolithography. At this time, the positioning of the mold pattern 22 is performed using the positioning recesses 33 (33a, 33b) of the base manufacturing substrate 20 from the upper surface side of the semiconductor substrate 21 without using a double-sided mask aligner. . Thus, by forming the mold pattern 22, the processing target position of the semiconductor substrate 21 is determined.
[0042]
Thereafter, as in the conventional example, as shown in FIG. 1E, the semiconductor substrate 21 is processed based on the mold pattern 22, and a plurality of semiconductor portions 3 having the sensor portion 8 and the seal portion 9 are formed on the semiconductor substrate 21. Form. Thereafter, as shown in FIG. 1F, the mold pattern 22 is removed from the upper surface of the semiconductor substrate 21 by, for example, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.
[0043]
Then, as shown in FIG. 1G, the lid preparation substrate 23 is anodically bonded to the upper surface of the semiconductor substrate 21. In this embodiment, the lid manufacturing substrate 23 has the same shape and the same size as the semiconductor substrate 21, and the lid manufacturing substrate 23 substantially coincides with the semiconductor substrate 21. It is joined to the upper surface of. In addition, the concave portion 4a and a through hole (not shown) are formed in the lid portion manufacturing substrate 23 in advance.
[0044]
After that, as shown in FIG. 1 (h), the joined body of the base manufacturing substrate 20, the semiconductor substrate 21, and the lid manufacturing substrate 23 is cut along the set dicing line L, A plurality of angular velocity sensors 1 are cut out. In this way, the angular velocity sensor 1 can be manufactured.
[0045]
According to this embodiment, when the semiconductor substrate 21 is bonded to the upper surface of the base manufacturing substrate 20, a part of the upper surface of the base manufacturing substrate 20 is exposed, and the base manufacturing substrate 20. A positioning recess 33 (33a, 33b) was formed on the exposed upper surface portion. The positioning recess 33 is formed away from the recess 2 a of the base manufacturing substrate 20 by a predetermined interval. For this reason, when forming the mold pattern 22 on the upper surface of the semiconductor substrate 21, the positioning recess 33 is used to position the mold pattern 22 from the upper surface side of the semiconductor substrate 21 without using a double-sided mask aligner. Thus, the processing target position of the semiconductor substrate 21 can be determined.
[0046]
Thus, since it is not necessary to use a double-sided mask aligner device, an increase in equipment cost can be suppressed, and the manufacturing cost of the angular velocity sensor 1 can be suppressed. Thereby, the price reduction of the angular velocity sensor 1 can be promoted.
[0047]
In this embodiment, the positioning recess 33 is formed at the same time as the recess 2a is formed in the base manufacturing substrate 20, so that it is not necessary to provide a separate process for forming the positioning recess 33. In addition, the positioning position of the positioning concave portion 33 with respect to the concave portion 2a can be accurately made as designed, so that the positioning of the mold pattern 22 can be positioned with high accuracy.
[0048]
In addition, this invention is not limited to this embodiment example, Various embodiments can be taken. For example, in this embodiment, the positioning mark formed on the exposed upper surface portion of the base manufacturing substrate 20 is in the form of a recess, but this positioning mark is formed on the upper surface of the base manufacturing substrate 20. A film pattern (for example, a pattern of a metal film such as gold or aluminum) may be used.
[0049]
Further, in this embodiment, the base manufacturing substrate 20 is larger than the semiconductor substrate 21, so that when the semiconductor substrate 21 is overlaid on the upper surface of the base manufacturing substrate 20, the base manufacturing substrate 20. However, for example, the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 may have the same shape and the same size. In this case, as shown in FIG. By shifting the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21, a part of the upper surface of the base manufacturing substrate 20 can be exposed.
[0050]
Furthermore, the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 do not have to be substantially circular. For example, as shown in FIG. 4, the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 may be rectangular. In this case, when the semiconductor substrate 21 is bonded to the upper surface of the base manufacturing substrate 20, the longitudinal direction α of the base manufacturing substrate 20 and the longitudinal direction β of the semiconductor substrate 21 intersect (FIG. 4). In the example of FIG. 5, the semiconductor substrate 21 is disposed with respect to the base manufacturing substrate 20 so that the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 are equal in size even when the base substrate manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 are equal in size. A part of the upper surface of the substrate 20 can be exposed.
[0051]
Further, as shown in FIG. 5, when joining the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21, the positions of the notch 32 of the base manufacturing substrate 20 and the notch 30 of the semiconductor substrate 21 are determined. By making it different, a part of the upper surface of the base manufacturing substrate 20 can be exposed.
[0052]
Furthermore, the base manufacturing substrate 20 and the semiconductor substrate 21 may have different shapes. Also in this case, of course, when the semiconductor substrate 21 is bonded to the base manufacturing substrate 20, a part of the upper surface of the base manufacturing substrate 20 is exposed.
[0053]
Furthermore, in this embodiment, when the semiconductor substrate 21 is disposed on the upper surface of the base manufacturing substrate 20, the positioning substrate 33 is used to position the semiconductor substrate 21 with respect to the base manufacturing substrate 20. However, the positioning of the semiconductor substrate 21 relative to the base manufacturing substrate 20 may be performed by other means without using the positioning recess 33. In this case, for example, the positioning recess 33 can be formed without being restricted by the formation position of the notch 31 of the semiconductor substrate 21.
[0054]
Furthermore, in this embodiment, the angular velocity sensor 1 has been described as an example, but the present invention can also be applied to the manufacture of electronic components other than the angular velocity sensor. Further, in this embodiment, the base substrate (first substrate) 20 and the semiconductor substrate (second substrate) 21 which are glass substrates are bonded by the anodic bonding method. Accordingly, the constituent materials of the first substrate and the second substrate are appropriately set, and the joining method of the substrates may be appropriately set according to the constituent materials of the substrates. It is not limited to. Further, in this embodiment example, after joining the first substrate and the second substrate, the joined body is divided to create a plurality of electronic components. However, the present invention provides the first substrate and the second substrate. The present invention can also be applied to the case where a single electronic component is produced by bonding the substrates.
[0055]
【The invention's effect】
According to the present invention, when the first substrate and the second substrate are bonded, a part of the upper surface of the first substrate is exposed, and the exposed upper surface portion of the first substrate includes the first substrate A positioning mark for determining the processing position of one substrate was formed. Thus, even if the first substrate and the second substrate are joined and the processed portion on the upper surface of the first substrate cannot be seen from the upper surface side of the second substrate, the positioning mark is used. From the upper surface side of the second substrate, the processing target position of the second substrate based on the processing position of the first substrate can be determined.
[0056]
For this reason, it is not necessary to use a special device called a double-sided mask aligner device when determining the processing target position of the second substrate. Thereby, the increase in equipment cost can be suppressed and the manufacturing cost of an electronic component can be reduced. Therefore, it is possible to promote the price reduction of electronic parts.
[0057]
In the case where the positioning mark is a recess or a film pattern, when the upper surface of the first substrate is processed, the recess or the film pattern that is the positioning mark can be formed simultaneously with the processing. Thereby, there is no need to provide a separate process for forming the positioning marks. In addition, the positional relationship between the processed portion on the upper surface of the first substrate and the positioning mark can be almost as designed, and the positioning mark is used to determine the position based on the processing position of the first substrate. In addition, the processing target position of the second substrate can be accurately determined.
[0058]
In the case of manufacturing a plurality of electronic components by dividing the joined body of the first substrate and the second substrate, the electronic components are very small, and the processing of the first substrate and the second substrate is very small. The positioning of the processing target position of the second substrate is required to be very precise, but in such a case as well, processing of the second substrate is performed using positioning marks. The target position can be determined with high accuracy in accordance with the processing position of the first substrate.
[0059]
In the case of bonding the first substrate and the second substrate by the anodic bonding method, the first substrate and the second substrate can be firmly bonded.
[0060]
When the second substrate is disposed on the upper surface of the first substrate, the second substrate relative to the first substrate is positioned based on the positioning mark. Therefore, the arrangement position of the two substrates can be easily determined.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of an electronic component manufacturing method according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining a base manufacturing substrate (first substrate) and a semiconductor substrate (second substrate) used in the embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining another embodiment.
FIG. 4 is a diagram for explaining another embodiment.
FIG. 5 is a diagram for explaining still another embodiment.
FIG. 6 is a model diagram schematically illustrating a cross-sectional configuration example of an angular velocity sensor that is an example of an electronic component.
FIG. 7 is a model diagram schematically showing an example of main components of the angular velocity sensor.
FIG. 8 is an explanatory view showing an example of a conventional method for manufacturing an electronic component.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Angular velocity sensor 20 Substrate preparation substrate 21 Semiconductor substrate 33 Recess for positioning

Claims

After processing at least the upper surface of the first substrate, the second substrate is bonded to the upper surface of the first substrate, and then the processing target portion of the second substrate based on the processing position of the first substrate is changed to the first substrate. In the method of manufacturing an electronic component by processing from the upper surface side of the second substrate, when joining the first substrate and the second substrate, a part of the upper surface of the first substrate is exposed, and the first A positioning mark for determining the processing position of the first substrate is formed on the exposed upper surface portion of the first substrate, and after the first substrate and the second substrate are joined, the positioning mark A method of manufacturing an electronic component, wherein the second substrate is processed by determining a processing target position of the second substrate from the upper surface side of the second substrate by using the method.

2. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the positioning mark is formed by a concave portion.

2. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the positioning mark is formed by a film pattern.

The electronic device according to claim 1, 2 or 3, wherein after processing the second substrate, the joined body of the first substrate and the second substrate is divided to produce a plurality of electronic components. A manufacturing method for parts.

The first substrate is a glass substrate, the second substrate is a semiconductor substrate, and the first substrate and the second substrate are bonded by an anodic bonding method. Item 5. The method for manufacturing an electronic component according to any one of Items 4 to 5.

The positioning position of the second substrate relative to the first substrate is positioned based on the positioning mark when the second substrate is disposed on the upper surface of the first substrate. The manufacturing method of the electronic component as described in any one of these.