JP4800883B2

JP4800883B2 - Infrared sensor manufacturing method

Info

Publication number: JP4800883B2
Application number: JP2006240902A
Authority: JP
Inventors: 健介村上
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2006-09-06
Filing date: 2006-09-06
Publication date: 2011-10-26
Anticipated expiration: 2026-09-06
Also published as: JP2008064516A

Description

本発明は、焦電効果を利用して赤外線を検出するタイプの赤外線センサを製造する製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing the type of infrared sensor for detecting infrared rays by using a pyroelectric effect.

この種の赤外線センサとして、複数の画素セルを有する赤外線２次元イメージセンサ（以下、「イメージセンサ」ともいう）が特開平１１−２７１１４１号公報に開示されている。このイメージセンサでは、下部電極、強誘電体膜および上部電極の積層体で構成された赤外線検出容量（センサ部）と、ＭＯＳトランジスタとで１つの画素セルが構成され、この画素セルがＳｉ基板上にマトリクス状に配設されてセンサアレイが構成されている。この場合、このイメージセンサでは、センサ部およびＭＯＳトランジスタがＳｉ基板の同一平面上に並んで配設されると共に、抵抗体などの各種素子がセンサ部およびＭＯＳトランジスタと共にＳｉ基板の同一平面上に配設されている。 As this type of infrared sensor, an infrared two-dimensional image sensor (hereinafter also referred to as “image sensor”) having a plurality of pixel cells is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-271141. In this image sensor, one pixel cell is composed of an infrared detection capacitor (sensor unit) composed of a laminate of a lower electrode, a ferroelectric film and an upper electrode, and a MOS transistor, and this pixel cell is formed on a Si substrate. Are arranged in a matrix to form a sensor array. In this case, in this image sensor, the sensor unit and the MOS transistor are arranged side by side on the same plane of the Si substrate, and various elements such as resistors are arranged on the same plane of the Si substrate together with the sensor unit and the MOS transistor. It is installed.

一方、特開平８−２４７８４３号公報には、支持基体の一面に形成された共通電極の表面に複数の焦電薄膜が形成された焦電型赤外線固体撮像装置（以下、「撮像装置」ともいう）が開示されている。この撮像装置では、上記の各焦電薄膜の一方の面（共通電極に接している面とは反対側の面）に電極パッドが形成されると共に、各電極パッドには、バンプ電極（金属製柱状電極）が設けられている。また、各電極パッドおよび各バンプ電極は、各焦電薄膜の形成位置に応じて読み出し回路の一面に設けられた複数の電極パッドに対して樹脂製バンプ電極（導電性樹脂）によって電気的に接続されている。これにより、この撮像装置では、焦電薄膜側の各電極パッドおよび各バンプ電極と、読み出し回路側の各電極パッドとが各樹脂製バンプ電極によって電気的に接続され、これにより、各焦電薄膜と読み出し回路とが電気的に接続されると共に支持基体と読み出し回路とが一体化されている。
特開平１１−２７１１４１号公報（第３−５頁、第１−１７図）特開平８−２４７８４３号公報（第４−６頁、第１−５図） On the other hand, JP-A-8-247843 discloses a pyroelectric infrared solid-state imaging device (hereinafter also referred to as “imaging device”) in which a plurality of pyroelectric thin films are formed on the surface of a common electrode formed on one surface of a support substrate. ) Is disclosed. In this imaging device, an electrode pad is formed on one surface (the surface opposite to the surface in contact with the common electrode) of each pyroelectric thin film, and a bump electrode (made of metal) is formed on each electrode pad. Columnar electrodes) are provided. In addition, each electrode pad and each bump electrode are electrically connected by a resin bump electrode (conductive resin) to a plurality of electrode pads provided on one surface of the readout circuit according to the formation position of each pyroelectric thin film Has been. Thereby, in this imaging device, each electrode pad and each bump electrode on the pyroelectric thin film side and each electrode pad on the readout circuit side are electrically connected by each resin bump electrode, whereby each pyroelectric thin film And the readout circuit are electrically connected, and the support base and the readout circuit are integrated.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-271141 (page 3-5, FIG. 1-17) Japanese Patent Laid-Open No. 8-247843 (page 4-6, FIG. 1-5)

ところが、従来のイメージセンサおよび撮像装置には、以下の問題点が存在する。すなわち、従来のイメージセンサでは、１つの画素セルを構成するセンサ部およびＭＯＳトランジスタと、この画素セルの駆動に必要な抵抗体等の各種素子とがＳｉ基板の同一平面上に並んで配設されている。このため、この従来のイメージセンサでは、ＭＯＳトランジスタや抵抗体等の配設に要する面積の分だけ、センサアレイの受光部の面積に占めるセンサ部の面積の割合が小さくなっている。したがって、この従来のイメージセンサには、赤外線の検出効率（感度）が低いという問題点がある。 However, the conventional image sensor and imaging apparatus have the following problems. That is, in a conventional image sensor, a sensor unit and a MOS transistor constituting one pixel cell and various elements such as a resistor necessary for driving the pixel cell are arranged side by side on the same plane of the Si substrate. ing. For this reason, in this conventional image sensor, the ratio of the area of the sensor portion to the area of the light receiving portion of the sensor array is reduced by the area required for disposing the MOS transistor, the resistor, and the like. Therefore, this conventional image sensor has a problem that the infrared detection efficiency (sensitivity) is low.

また、この従来のイメージセンサでは、上記のようにセンサ部およびＭＯＳトランジスタ等がＳｉ基板の同一平面上に並べて配設されている。この場合、センサ部の形成に好適なＳｉウエハ径と、ＭＯＳトランジスタ等の形成に好適なＳｉウエハ径とが相違するため、センサ部の形成に好適な直径のＳｉウエハを用いてイメージセンサを製造した場合には、ＭＯＳトランジスタ等の形成処理時に不良が生じ易くなり、ＭＯＳトランジスタ等の形成に好適な直径のＳｉウエハを用いてイメージセンサを製造した場合には、センサ部の形成処理時に不良が生じ易くなる。したがって、従来のイメージセンサには、その歩留まりが悪化していることに起因して、製造コストが高騰しているという問題点がある。 In this conventional image sensor, as described above, the sensor portion, the MOS transistor, and the like are arranged side by side on the same plane of the Si substrate. In this case, since the Si wafer diameter suitable for the formation of the sensor portion and the Si wafer diameter suitable for the formation of the MOS transistor or the like are different, an image sensor is manufactured using a Si wafer having a diameter suitable for the formation of the sensor portion. In such a case, a defect is likely to occur during the formation process of the MOS transistor or the like. When an image sensor is manufactured using a Si wafer having a diameter suitable for the formation of the MOS transistor or the like, the defect is generated during the formation process of the sensor portion. It tends to occur. Therefore, the conventional image sensor has a problem that the manufacturing cost is increased due to the deterioration of the yield.

一方、従来の撮像装置では、支持基体の一面に形成された共通電極の表面に複数の焦電薄膜が形成されると共に、支持基体とは別体に構成された読み出し回路を各樹脂製バンプ電極によって各焦電薄膜に対して電気的に接続する構成が採用されている。このため、従来の撮像装置では、共通電極、焦電薄膜および電極パッドからなる複数のセンサ部を支持基体の一面上において十分に接近させて配置することが可能となっている。また、各焦電薄膜等（センサ部）が配設された支持基体と読み出し回路とを各樹脂製バンプ電極によって接続する構成を採用したことにより、支持基体に対するセンサ部の形成処理と、読み出し回路の形成処理とを別個独立して実行することが可能となっている。このため、この従来の撮像装置では、センサ部の形成処理時には、センサ部の形成に好適な条件で処理を実行し、読み出し回路の形成処理時には、読み出し回路の形成に好適な条件で処理を実行することが可能となっている。 On the other hand, in a conventional imaging apparatus, a plurality of pyroelectric thin films are formed on the surface of a common electrode formed on one surface of a support base, and a readout circuit configured separately from the support base is provided for each resin bump electrode. Therefore, a configuration of electrically connecting to each pyroelectric thin film is adopted. For this reason, in the conventional imaging device, it is possible to arrange a plurality of sensor portions including a common electrode, a pyroelectric thin film, and an electrode pad sufficiently close to each other on one surface of the support base. In addition, by adopting a configuration in which the support base on which each pyroelectric thin film or the like (sensor part) is disposed and the readout circuit are connected by each resin bump electrode, the formation process of the sensor part on the support base and the readout circuit It is possible to execute the forming process separately. For this reason, in this conventional imaging apparatus, processing is performed under conditions suitable for the formation of the sensor portion during the formation processing of the sensor portion, and processing is performed under conditions suitable for formation of the readout circuit during the formation processing of the readout circuit. It is possible to do.

しかしながら、この従来の撮像装置では、支持基体に形成された各焦電薄膜（電極パッド）と、読み出し回路（各焦電薄膜に対応して形成された電極パッド）とを正確に位置合わせして各樹脂製バンプ電極によって接続する作業が非常に困難なため、支持基体（各焦電薄膜）に対して読み出し回路が位置ずれした状態で接続されることがある。このため、この従来の撮像装置には、その歩留まりが悪化することに起因して、製造コストが高騰しているという問題点がある。また、この従来の撮像装置では、各焦電薄膜（焦電薄膜側の電極パッドおよびバンプ電極）と読み出し回路側の電極パッドとを樹脂製バンプ電極によって電気的に接続する構成が採用されている。この場合、樹脂製バンプ電極（導電性樹脂）の導電率が低いため、電気的信号を確実に検出するためには、両電極パッドおよびバンプ電極に対して樹脂製バンプ電極を十分に広い面積で接触させる必要がある。このため、赤外線の検出時において各焦電薄膜の熱が両電極パッド、バンプ電極および樹脂製バンプ電極を介して読み出し回路側に伝わり易くなっている結果、この従来の撮像装置には、赤外線の検出効率（感度）を向上させるのが困難であるという問題点が存在する。 However, in this conventional imaging apparatus, each pyroelectric thin film (electrode pad) formed on the support base and the readout circuit (electrode pad formed corresponding to each pyroelectric thin film) are accurately aligned. Since it is very difficult to connect with each resin bump electrode, the readout circuit may be connected in a state of being displaced with respect to the support base (each pyroelectric thin film). For this reason, this conventional imaging apparatus has a problem that the manufacturing cost is increased due to the deterioration of the yield. In addition, this conventional imaging apparatus employs a configuration in which each pyroelectric thin film (electrode pad and bump electrode on the pyroelectric thin film side) and an electrode pad on the readout circuit side are electrically connected by a resin bump electrode. . In this case, since the conductivity of the resin bump electrode (conductive resin) is low, the resin bump electrode has a sufficiently large area with respect to both the electrode pad and the bump electrode in order to reliably detect the electrical signal. Need to contact. For this reason, at the time of detecting infrared rays, the heat of each pyroelectric thin film is easily transmitted to the readout circuit side through both electrode pads, bump electrodes, and resin bump electrodes. There is a problem that it is difficult to improve detection efficiency (sensitivity).

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、低コストでしかも高感度な赤外線センサの製造方法を提供することを主目的とする。 The present invention, such a problem has been made in view of, a main object to provide a method of manufacturing yet low cost sensitive infrared sensor.

上記目的を達成すべく、請求項１記載の赤外線センサの製造方法は、支持体の一方の面に第１の絶縁性支持層が形成されると共に当該支持体の他方の面に第２の絶縁性支持層が形成され、かつ、第１の電極、誘電体、および第２の電極をこの順で積層した焦電型のセンサ部が当該第２の絶縁性支持層の上に形成された中間体を加工して赤外線センサを製造する際に、第１の電極層、誘電体層および第２の電極層が前記第２の絶縁性支持層の上にこの順で形成された積層体に対するパターニング処理を実行して、当該第１の電極層で構成された前記第１の電極、当該誘電体層で構成された前記誘電体、および当該第２の電極層で構成された前記第２の電極を有する前記センサ部を前記第２の絶縁性支持層の上に形成して前記中間体を製造すると共に、前記両絶縁性支持層および前記支持体を貫通する少なくとも一対の貫通孔を前記センサ部の近傍に形成する貫通孔形成処理と、前記各貫通孔に導電性材料を充填して少なくとも一対の導電性柱状部を形成する柱状部形成処理と、前記少なくとも一対の導電性柱状部のうちの１つにおける前記第２の絶縁性支持層側の端部および前記第１の電極を電気的に相互に接続する第１の接続用導体を形成すると共に当該少なくとも一対の導電性柱状部のうち他の１つにおける当該第２の絶縁性支持層側の端部および前記第２の電極を電気的に相互に接続する第２の接続用導体を形成する接続用導体形成処理と、前記支持体を選択的にエッチング処理して当該支持体における少なくとも前記第２の絶縁性支持層側の一部を除去する支持体除去処理とをこの順で実行して前記赤外線センサを製造する。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing an infrared sensor according to claim 1 is characterized in that a first insulating support layer is formed on one surface of a support and a second insulation is formed on the other surface of the support. An intermediate layer in which a pyroelectric sensor unit in which a conductive support layer is formed and a first electrode, a dielectric, and a second electrode are stacked in this order is formed on the second insulating support layer When an infrared sensor is manufactured by processing a body, patterning is performed on a laminate in which a first electrode layer, a dielectric layer, and a second electrode layer are formed in this order on the second insulating support layer. The first electrode composed of the first electrode layer, the dielectric composed of the dielectric layer, and the second electrode composed of the second electrode layer by performing processing When the intermediate body is manufactured by forming the sensor unit having the above on the second insulating support layer To the two insulative support layer and at least one pair of through-holes penetrating the support and the through hole forming process for forming in the vicinity of the sensor unit, at least one pair of filling a conductive material into the through holes A columnar portion forming process for forming a conductive columnar portion and an end portion on the second insulating support layer side and the first electrode in one of the at least one pair of conductive columnar portions are electrically connected to each other. A first connecting conductor connected to the second insulating support layer side in the other one of the at least one pair of conductive columnar portions and the second electrode electrically A connecting conductor forming process for forming a second connecting conductor to be connected to each other and a selective etching process on the support to remove at least a part of the support on the second insulating support layer side To remove the support This order by running the production of the infrared sensor.

さらに、請求項２記載の赤外線センサの製造方法は、請求項１記載の赤外線センサの製造方法において、前記支持体除去処理時に前記第１の絶縁性支持層および前記第２の絶縁性支持層の間から前記支持体を完全またはほぼ完全に除去する。 Furthermore, the infrared sensor manufacturing method according to claim 2 is the infrared sensor manufacturing method according to claim 1 , wherein the first insulating support layer and the second insulating support layer are formed during the support removing process. The support is completely or almost completely removed from between.

また、請求項３記載の赤外線センサの製造方法は、請求項１または２記載の赤外線センサの製造方法において、前記各導電性柱状部における前記第１の絶縁性支持層側の端部にバンプを形成するバンプ形成処理を実行すると共に、前記各バンプに対して接触可能に配置された複数のパッドを有する基材と前記第１の絶縁性支持層とを当該各バンプおよび当該各パッドを互いに接触させた状態において相互に接着する接着処理を前記支持体除去処理に先立って実行する。 In the method of manufacturing the infrared sensor according to claim 3, wherein, in the method for manufacturing an infrared sensor according to claim 1 or 2, wherein a bump the on the end of the first insulating support layer side of each conductive pillar portion A bump forming process to be formed is performed, and the base having a plurality of pads arranged so as to be in contact with each bump and the first insulating support layer are brought into contact with each bump and each pad. Adhesion processing for adhering to each other in the state of being performed is performed prior to the support removing processing.

請求項１記載の赤外線センサの製造方法によれば、支持体の一方の面に第１の絶縁性支持層が形成されると共に他方の面に第２の絶縁性支持層が形成され、かつ、第２の絶縁性支持層の上に焦電型のセンサ部が形成された中間体を加工して赤外線センサを製造する際に、第１の電極層、誘電体層および第２の電極層が第２の絶縁性支持層の上にこの順で形成された積層体に対するパターニング処理を実行して第２の絶縁性支持層の上にセンサ部を形成して中間体を製造すると共に、少なくとも一対の貫通孔をセンサ部の近傍に形成する貫通孔形成処理と、各貫通孔に導電性材料を充填して少なくとも一対の導電性柱状部を形成する柱状部形成処理と、各導電性柱状部のうちの１つにおける第２の絶縁性支持層側の端部および第１の電極を電気的に相互に接続する第１の接続用導体を形成すると共に各導電性柱状部のうち他の１つにおける第２の絶縁性支持層側の端部および第２の電極を電気的に相互に接続する第２の接続用導体を形成する接続用導体形成処理と、支持体における少なくとも第２の絶縁性支持層側の一部を除去する支持体除去処理とをこの順で実行することにより、例えば別個に形成したセンサ部を第２の絶縁性支持層上に取り付けて中間体を形成する製造方法と比較して、第２の絶縁性支持層とセンサ部（第１の電極）との密着力を十分に強くすることができる。また、別体に構成したセンサ部を第２の絶縁性支持層上に取り付けて中間体を製造する製造方法と比較して、中間体を容易に製造することができる。さらに、第２の絶縁性支持層を十分に薄厚にすることができると共に第１の絶縁性支持層および第２の絶縁性支持層を十分に離間させることができるため、赤外線の照射時におけるセンサ部からの急速な熱の逃げを回避することができる結果、高感度な赤外線センサを製造することができる。また、センサ部以外の各素子（抵抗体やトランジスタ等）を各導電性柱状部における第１の絶縁性支持層側に配置することができるため、各センサ部を十分に接近させて配置することができる結果、赤外線センサの受光部の面積に占める各センサ部の面積の割合を十分に大きくすることができる。したがって、従来のイメージセンサと比較して、赤外線の検出効率（感度）を十分に向上させることができる。また、例えば、別体に構成された基材（各種素子等が実装された基板）を各導電性柱状部における第１の絶縁性支持層側の端部に電気的に接続して赤外線センサを製造することができるため、センサ部および各種素子をそれぞれ好適な条件下で製造することができる。したがって、赤外線センサの製造に関する歩留まりを十分に向上させて製造コストを低減することができる。また、従来の撮像装置と比較して、十分に細径の各導電性柱状部によって支持してセンサ部および第１の絶縁性支持層を十分に離間させることができるため、赤外線の照射時におけるセンサ部から急速な熱の逃げを回避することができる。したがって、赤外線の検出効率（感度）を十分に向上させることができる。 According to the infrared sensor manufacturing method of claim 1 , the first insulating support layer is formed on one surface of the support and the second insulating support layer is formed on the other surface, and When an infrared sensor is manufactured by processing an intermediate in which a pyroelectric sensor portion is formed on a second insulating support layer, the first electrode layer, the dielectric layer, and the second electrode layer are A patterning process is performed on the laminate formed in this order on the second insulating support layer to form a sensor unit on the second insulating support layer to produce an intermediate, and at least a pair A through hole forming process for forming a through hole in the vicinity of the sensor part, a columnar part forming process for filling each through hole with a conductive material to form at least a pair of conductive columnar parts, The end of the second insulating support layer and the first electrode in one of them Forming a first connecting conductor connected to each other, and electrically connecting the end on the second insulating support layer side and the second electrode in the other one of the conductive columnar portions to each other By performing in this order the connecting conductor forming process for forming the second connecting conductor and the support removing process for removing at least a part of the support on the second insulating support layer side, for example, Compared to the manufacturing method in which the separately formed sensor part is attached on the second insulating support layer to form an intermediate, the adhesion between the second insulating support layer and the sensor part (first electrode) Can be strong enough. Moreover, an intermediate body can be easily manufactured compared with the manufacturing method which attaches the sensor part comprised separately on the 2nd insulating support layer, and manufactures an intermediate body. Furthermore, since the second insulating support layer can be made sufficiently thin and the first insulating support layer and the second insulating support layer can be sufficiently separated from each other, a sensor at the time of infrared irradiation can be obtained. As a result of avoiding rapid heat escape from the part, a highly sensitive infrared sensor can be manufactured. Moreover, since each element (resistor, transistor, etc.) other than the sensor part can be arranged on the first insulating support layer side in each conductive columnar part, each sensor part should be arranged sufficiently close. As a result, the ratio of the area of each sensor unit to the area of the light receiving unit of the infrared sensor can be sufficiently increased. Therefore, infrared detection efficiency (sensitivity) can be sufficiently improved as compared with a conventional image sensor. In addition, for example, a base material (a substrate on which various elements are mounted) configured separately is electrically connected to an end of each conductive columnar portion on the first insulating support layer side, and an infrared sensor is connected. Since it can manufacture, a sensor part and various elements can each be manufactured on suitable conditions. Therefore, it is possible to sufficiently improve the yield for manufacturing the infrared sensor and reduce the manufacturing cost. In addition, the sensor unit and the first insulating support layer can be sufficiently separated by being supported by each conductive columnar part having a sufficiently small diameter as compared with the conventional imaging device. Rapid escape of heat from the sensor unit can be avoided. Therefore, infrared detection efficiency (sensitivity) can be sufficiently improved.

請求項２記載の赤外線センサの製造方法によれば、支持体除去処理時において、両絶縁性支持層の間から支持体を完全またはほぼ完全に除去することにより、赤外線の照射時におけるセンサ部から急速な熱の逃げを効果的に回避することができるため、一層高感度な赤外線センサを製造することができる。 According to the method for manufacturing an infrared sensor according to claim 2 , by removing the support completely or almost completely from between the two insulating support layers during the support removing process, the sensor portion at the time of infrared irradiation is removed. Since rapid heat escape can be effectively avoided, a more sensitive infrared sensor can be manufactured.

請求項３記載の赤外線センサの製造方法によれば、各バンプおよび各パッドを互いに接触させた状態において第１の絶縁性支持層と基材とを相互に接着する接着処理を支持体除去処理に先立って実行することにより、基材の接着に先立って支持体除去処理を実行する製造方法とは異なり、基材の接着によって第１の絶縁性支持層の機械的強度が十分に向上した状態において支持体を除去することができる。したがって、赤外線センサの製造工程において第１の絶縁性支持層が破損する事態を回避して、その歩留まりを一層向上させることができる。また、例えば第１の絶縁性支持層の一面（バンプの形成面）に各種素子を直接形成する構成と比較して容易に製造することができるため、その製造コストを十分に低減することができる。 According to the method for manufacturing an infrared sensor according to claim 3 , the bonding process for bonding the first insulating support layer and the substrate to each other in a state where each bump and each pad are in contact with each other is a support removing process. In the state where the mechanical strength of the first insulating support layer is sufficiently improved by the adhesion of the base material, unlike the manufacturing method in which the support body removing process is performed prior to the adhesion of the base material by performing in advance. The support can be removed. Therefore, it is possible to avoid the situation where the first insulating support layer is damaged in the manufacturing process of the infrared sensor, and to further improve the yield. Further, for example, since it can be easily manufactured as compared with a configuration in which various elements are directly formed on one surface (bump forming surface) of the first insulating support layer, the manufacturing cost can be sufficiently reduced. .

以下、本発明に係る赤外線センサの製造方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, the best mode of engagement Ru manufacturing method of infrared sensor of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、熱型赤外線イメージセンサ１の構成について、図面を参照して説明する。 First, the configuration of the thermal infrared image sensor 1 will be described with reference to the drawings.

図１，２に示す熱型赤外線イメージセンサ１（以下、「イメージセンサ１」ともいう）は、本発明に係る赤外線センサの一例であって、本体部２および基材３が接着剤４によって接着されて一体化されている。本体部２は、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂ、センサ部２２、導電性柱状部２６、接続用導体２７ａ，２７ｂ、絶縁性支持層２８およびバンプ２９を備えている。なお、同図では、本発明についての理解を容易とするために、２つのセンサ部２２を有するイメージセンサ１を図示しているが、実際には、イメージセンサ１の画素数分のセンサ部２２を備えると共に、センサ部２２の数に応じた数の導電性柱状部２６、接続用導体２７ａ，２７ｂ、絶縁性支持層２８およびバンプ２９を備えている。また、図２では、本発明についての理解を容易とするために、絶縁性支持層２８の図示を省略している。 A thermal infrared image sensor 1 (hereinafter also referred to as “image sensor 1”) shown in FIGS. 1 and 2 is an example of an infrared sensor according to the present invention, and the main body 2 and the substrate 3 are bonded together by an adhesive 4. Have been integrated. The main body 2 includes insulating support layers 12a and 12b, a sensor portion 22, a conductive columnar portion 26, connecting conductors 27a and 27b, an insulating support layer 28, and bumps 29. In the figure, in order to facilitate understanding of the present invention, the image sensor 1 having two sensor units 22 is illustrated, but actually, the sensor units 22 corresponding to the number of pixels of the image sensor 1 are illustrated. And the number of conductive columnar portions 26 corresponding to the number of sensor portions 22, connecting conductors 27 a and 27 b, an insulating support layer 28, and bumps 29. In FIG. 2, the insulating support layer 28 is not shown for easy understanding of the present invention.

絶縁性支持層１２ａは、本発明における第１の絶縁性支持層に相当し、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＮなどの絶縁性材料によって厚み１μｍ程度の薄膜状に形成されている。また、絶縁性支持層１２ｂは、本発明における第２の絶縁性支持層に相当し、絶縁性支持層１２ａと同様にして、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＮなどの絶縁性材料によって厚み１μｍ程度の薄膜状に形成されている。この両絶縁性支持層１２ａ，１２ｂは、図１に示すように、その厚み方向（同図における上下方向）において１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内において相互に離間させられた状態において、両絶縁性支持層１２ａ，１２ｂを貫通する３本の導電性柱状部２６（「少なくとも一対の導電性柱状部」の一例）によって支持されている。 The insulating support layer 12a corresponds to the first insulating support layer in the present invention, and is formed into a thin film having a thickness of about 1 μm with an insulating material such as Al ₂ O ₃ , SiO ₂ , SiN. The insulating support layer 12b corresponds to the second insulating support layer in the present invention, and has a thickness of 1 μm by an insulating material such as Al ₂ O ₃ , SiO ₂ , SiN, etc. in the same manner as the insulating support layer 12a. It is formed as a thin film. As shown in FIG. 1, the two insulating support layers 12a and 12b are both insulative support in a state where they are separated from each other within the range of 10 μm or more and 100 μm or less in the thickness direction (vertical direction in the figure). It is supported by three conductive columnar portions 26 (an example of “at least a pair of conductive columnar portions”) penetrating the layers 12a and 12b.

センサ部２２は、絶縁性支持層１２ｂの側から順に、下部電極２３ａ、強誘電体２４および上部電極２３ｂが積層されて、赤外線の照射に伴って強誘電体２４に生じる焦電気（ピロ電気）を出力可能に構成されている。この場合、下部電極２３ａは、本発明における第１の電極に相当し、Ｐｔ、Ｔｉ、ＳｒＲｕＯ_３などの導電性材料によって厚み０．１μｍ程度の薄膜状に形成されている。また、上部電極２３ｂは、本発明における第２の電極に相当し、下部電極２３ａと同様にして、一例として、Ｐｔ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ａｕなどの導電性材料によって厚み０．１μｍ程度の薄膜状に形成されている。さらに、強誘電体２４は、ＰＺＴ、ＰＴ、ＰＬＴなどの強誘電体によって厚み０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の薄膜状に形成されている。 In the sensor unit 22, the lower electrode 23a, the ferroelectric 24, and the upper electrode 23b are stacked in this order from the insulating support layer 12b side, and pyroelectricity (pyroelectricity) generated in the ferroelectric 24 due to infrared irradiation. Can be output. In this case, the lower electrode 23a corresponds to the first electrode in the present invention, and is formed in a thin film having a thickness of about 0.1 μm by a conductive material such as Pt, Ti, SrRuO ₃ or the like. Further, the upper electrode 23b corresponds to the second electrode in the present invention, and in the same manner as the lower electrode 23a, as an example, a thin film with a thickness of about 0.1 μm made of a conductive material such as Pt, Ni—Cr, or Au. Is formed. Further, the ferroelectric 24 is formed in a thin film shape with a thickness of 0.5 μm or more and 3.0 μm or less by a ferroelectric such as PZT, PT, or PLT.

導電性柱状部２６は、前述したように絶縁性支持層１２ａ，１２ｂを相互に離間させた状態において支持する柱状部としての機能を有すると共に、後述するように、センサ部２２の下部電極２３ａと基材３の所定部位とを電気的に接続すると共に上部電極２３ｂと基材３の所定部位とを電気的に接続するための導線としての機能を有している。この導電性柱状部２６は、ＣｕやＷなどの導電性材料によって直径１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内で長さ１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内の円柱状に形成されている。また、導電性柱状部２６の周面は、ＳｉＯ_２やＳｉＮなどの絶縁性材料によって厚み０．１μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の薄膜状に形成された絶縁膜２５ａで覆われている。 As described above, the conductive columnar portion 26 functions as a columnar portion that supports the insulating support layers 12a and 12b in a state of being separated from each other. As described later, the conductive columnar portion 26 and the lower electrode 23a of the sensor unit 22 It has a function as a conducting wire for electrically connecting a predetermined portion of the substrate 3 and electrically connecting the upper electrode 23b and a predetermined portion of the substrate 3. The conductive columnar portion 26 is formed in a columnar shape having a diameter in the range of 1 μm to 10 μm and a length in the range of 10 μm to 100 μm by a conductive material such as Cu or W. Further, the peripheral surface of the conductive columnar portion 26 is covered with an insulating film 25a formed in a thin film shape with a thickness of 0.1 μm or more and 1.0 μm or less by an insulating material such as SiO ₂ or SiN.

接続用導体２７ａは、本発明における第１の接続用導体に相当し、図１における中央部の導電性柱状部２６（本発明における「少なくとも一対の導電性柱状部のうちの１つ」）における絶縁性支持層１２ｂ側の端部と、上記のセンサ部２２における下部電極２３ａとを電気的に相互に接続する。また、接続用導体２７ｂは、本発明における第２の接続用導体に相当し、同図における左右両端部の導電性柱状部２６（本発明における「少なくとも一対の導電性柱状部のうちの他の１つ」）における絶縁性支持層１２ｂ側の端部と、上記のセンサ部２２における上部電極２３ｂとを電気的に相互に接続する。この場合、接続用導体２７ａ，２７ｂは、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒなどの導電性材料で厚み０．１μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の薄膜状に形成されている。 The connection conductor 27a corresponds to the first connection conductor in the present invention, and in the central conductive columnar portion 26 ("one of at least a pair of conductive columnar portions" in the present invention) in FIG. The end on the insulating support layer 12b side and the lower electrode 23a in the sensor unit 22 are electrically connected to each other. Further, the connecting conductor 27b corresponds to the second connecting conductor in the present invention, and the conductive columnar portions 26 at the left and right end portions in FIG. 1 ”) and the upper electrode 23b in the sensor unit 22 are electrically connected to each other. In this case, the connecting conductors 27a and 27b are made of a conductive material such as Au, Pt, Ni, and Cr and are formed in a thin film shape with a thickness in the range of 0.1 μm to 1.0 μm.

絶縁性支持層２８は、絶縁性支持層１２ｂと相俟って両センサ部２２を所定位置に支持する機能を備えると共に、上記の接続用導体２７ｂと、下部電極２３ａおよび強誘電体２４とを電気的に絶縁する絶縁体としての機能を有している。この絶縁性支持層２８は、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料で厚み０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の薄膜状に形成されている。バンプ２９は、各導電性柱状部２６および接続用導体２７ａ，２７ｂを介して下部電極２３ａおよび上部電極２３ｂを基材３に接続するためのものであって、各導電性柱状部２６における絶縁性支持層１２ａ側の端部に配設されてＡｕや半田等で半球状に形成されている。 The insulating support layer 28 has a function of supporting the two sensor portions 22 in a predetermined position together with the insulating support layer 12b, and includes the connection conductor 27b, the lower electrode 23a, and the ferroelectric 24. It functions as an insulator that electrically insulates. The insulating support layer 28 is formed of an insulating material such as a polyimide resin in a thin film shape with a thickness in the range of 0.5 μm to 3.0 μm. The bump 29 is for connecting the lower electrode 23a and the upper electrode 23b to the base material 3 via the conductive columnar portions 26 and the connecting conductors 27a and 27b, and has an insulating property in the conductive columnar portions 26. It is disposed at the end on the support layer 12a side and is formed in a hemispherical shape with Au, solder, or the like.

基材３は、赤外線の照射時において本体部２の各センサ部２２によって出力される電気的信号を取得するための各種素子（図示せず）が配設された回路基板であって、支持体３１の一面（図１における上面）に本体部２の各バンプ２９に対して接触可能に複数のパッド３２が配設されて構成されている。また、このイメージセンサ１では、本体部２の各バンプ２９と基材３の各パッド３２とを接触させた状態において基材３と絶縁性支持層１２ａ（本体部２）とが接着剤４によって相互に接着されて一体化されている。 The base material 3 is a circuit board on which various elements (not shown) for obtaining an electrical signal output by each sensor unit 22 of the main body unit 2 when irradiated with infrared rays are provided. A plurality of pads 32 are arranged on one surface (upper surface in FIG. 1) 31 so as to be in contact with each bump 29 of the main body 2. In the image sensor 1, the base material 3 and the insulating support layer 12 a (main body part 2) are bonded by the adhesive 4 in a state where the bumps 29 of the main body part 2 and the pads 32 of the base material 3 are in contact with each other. They are bonded together and integrated.

次に、イメージセンサ１の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、基材３における各パッド３２の形成処理については既に完了しているものとし、主として本体部２の製造工程について以下に説明する。 Next, a method for manufacturing the image sensor 1 will be described with reference to the drawings. In addition, about the formation process of each pad 32 in the base material 3, it has already been completed and the manufacturing process of the main-body part 2 is mainly demonstrated below.

上記のイメージセンサ１の製造に際しては、まず、図３に示す積層体１０を製造する。この積層体１０は、支持体１１の一方の面（同図における下面）に絶縁性支持層１２ａが形成されると共に、支持体１１の他方の面（同図における上面）に絶縁性支持層１２ｂが形成され、かつ、下部電極層１３ａ、強誘電体層１４および上部電極層１３ｂが絶縁性支持層１２ｂの上にこの順で積層されて構成されている。この場合、支持体１１は、厚み１０μｍ以上５００μｍ以下の範囲内のＳｉ基板で構成されている。また、この積層体１０では、下部電極層１３ａが本発明における第１の電極層に相当し、強誘電体層１４が本発明における誘電体層に相当し、上部電極層１３ｂが第２の電極層に相当する。 When the image sensor 1 is manufactured, first, the laminate 10 shown in FIG. 3 is manufactured. In this laminate 10, an insulating support layer 12a is formed on one surface (lower surface in the figure) of the support 11, and an insulating support layer 12b is formed on the other surface (upper surface in the figure) of the support 11. And the lower electrode layer 13a, the ferroelectric layer 14, and the upper electrode layer 13b are laminated on the insulating support layer 12b in this order. In this case, the support 11 is composed of a Si substrate having a thickness in the range of 10 μm to 500 μm. Further, in this laminate 10, the lower electrode layer 13a corresponds to the first electrode layer in the present invention, the ferroelectric layer 14 corresponds to the dielectric layer in the present invention, and the upper electrode layer 13b corresponds to the second electrode layer. Corresponds to the layer.

次いで、積層体１０に対するパターニング処理を実行して前述したセンサ部２２を絶縁性支持層１２ｂの上に形成する。具体的には、まず、積層体１０における上部電極層１３ｂの上にフォトレジスト１５ａを塗布した後に、フォトレジスト１５ａの層に対する露光処理および現像処理を実行することにより、図４に示すように、前述した上部電極２３ｂの形成領域にフォトレジスト１５ａを残留させたレジストパターン１５を形成する。次いで、レジストパターン１５をマスクとして用いて上部電極層１３ｂをエッチング処理することにより、図５に示すように、強誘電体層１４の上に上部電極２３ｂを形成する。 Next, a patterning process is performed on the stacked body 10 to form the sensor unit 22 described above on the insulating support layer 12b. Specifically, first, after applying the photoresist 15a on the upper electrode layer 13b in the laminate 10, by performing exposure processing and development processing on the layer of the photoresist 15a, as shown in FIG. A resist pattern 15 is formed in which the photoresist 15a remains in the formation region of the upper electrode 23b described above. Next, the upper electrode layer 13b is etched using the resist pattern 15 as a mask, thereby forming the upper electrode 23b on the ferroelectric layer 14 as shown in FIG.

続いて、積層体１０上に残留しているフォトレジスト１５ａを除去すると共に、強誘電体層１４および上部電極２３ｂの上にフォトレジスト１６ａを塗布した後に、フォトレジスト１６ａの層に対する露光処理および現像処理を実行することにより、図６に示すように、前述した強誘電体２４の形成領域にフォトレジスト１６ａを残留させたレジストパターン１６を形成する。次いで、レジストパターン１６をマスクとして用いて強誘電体層１４をエッチング処理することにより、図７に示すように、下部電極層１３ａの上に強誘電体２４を形成する。 Subsequently, the photoresist 15a remaining on the stacked body 10 is removed, and after applying the photoresist 16a on the ferroelectric layer 14 and the upper electrode 23b, exposure processing and development for the layer of the photoresist 16a are performed. By performing the processing, as shown in FIG. 6, a resist pattern 16 is formed in which the photoresist 16a remains in the formation region of the ferroelectric material 24 described above. Next, the ferroelectric layer 14 is etched using the resist pattern 16 as a mask, thereby forming a ferroelectric 24 on the lower electrode layer 13a as shown in FIG.

続いて、積層体１０上に残留しているフォトレジスト１６ａを除去すると共に、下部電極層１３ａ、強誘電体２４および上部電極２３ｂの上にフォトレジスト１７ａを塗布した後に、フォトレジスト１７ａの層に対する露光処理および現像処理を実行することにより、図８に示すように、前述した下部電極２３ａの形成領域にフォトレジスト１７ａを残留させたレジストパターン１７を形成する。次いで、レジストパターン１７をマスクとして用いて下部電極層１３ａをエッチング処理することにより、図９に示すように、絶縁性支持層１２ｂの上に下部電極２３ａを形成する。これにより、本発明におけるパターニング処理を完成し、下部電極２３ａ、強誘電体２４および上部電極２３ｂがこの順で積層されたセンサ部２２が絶縁性支持層１２ｂの上に形成される。この後、積層体１０上に残留しているフォトレジスト１７ａを除去することにより、中間体１０ａ（図１０参照）が完成する。 Subsequently, the photoresist 16a remaining on the stacked body 10 is removed, and after the photoresist 17a is applied on the lower electrode layer 13a, the ferroelectric 24, and the upper electrode 23b, the photoresist 17a is applied to the layer. By performing exposure processing and development processing, as shown in FIG. 8, a resist pattern 17 is formed in which the photoresist 17a remains in the formation region of the lower electrode 23a described above. Next, the lower electrode layer 13a is etched using the resist pattern 17 as a mask, thereby forming the lower electrode 23a on the insulating support layer 12b as shown in FIG. Thereby, the patterning process in the present invention is completed, and the sensor portion 22 in which the lower electrode 23a, the ferroelectric 24, and the upper electrode 23b are laminated in this order is formed on the insulating support layer 12b. Thereafter, the photoresist 17a remaining on the stacked body 10 is removed to complete the intermediate 10a (see FIG. 10).

次いで、前述した各導電性柱状部２６を形成するための貫通孔２５（図１１参照）を１０ａに形成する貫通孔形成処理を実行する。具体的には、まず、中間体１０ａにおけるセンサ部２２の形成面側にフォトレジスト１８ａを塗布した後に、フォトレジスト１８ａの層に対する露光処理および現像処理を実行することにより、図１０に示すように、各貫通孔２５の形成領域（センサ部２２の近傍の点的な領域）のフォトレジスト１８ａを中間体１０ａの上から取り除いてレジストパターン１８を形成する。次いで、レジストパターン１８をマスクとして用いて中間体１０ａをエッチング処理することにより、図１１に示すように、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂおよび支持体１１を貫通する貫通孔２５を形成する。 Next, a through hole forming process for forming the through holes 25 (see FIG. 11) for forming the conductive columnar portions 26 described above in 10a is performed. Specifically, first, after applying the photoresist 18a on the surface of the intermediate body 10a on which the sensor portion 22 is formed, an exposure process and a development process are performed on the layer of the photoresist 18a, as shown in FIG. The photoresist pattern 18a is formed by removing the photoresist 18a in the formation region of each through hole 25 (dotted region in the vicinity of the sensor portion 22) from above the intermediate body 10a. Next, the intermediate body 10a is etched using the resist pattern 18 as a mask, thereby forming the insulating support layers 12a and 12b and the through holes 25 penetrating the support body 11, as shown in FIG.

続いて、図１２に示すように、例えばＣＶＤ法によって各貫通孔２５の内壁面にＳｉＯ_２等の絶縁性材料を付着することによって絶縁膜２５ａを形成する。次いで、各貫通孔２５にＣｕ等の導電性材料を充填することによって前述した導電性柱状部２６を形成する柱状部形成処理を実行する。具体的には、絶縁膜２５ａの形成を完成した貫通孔２５の内壁面に対して、一例として、ＭＯ−ＣＶＤ法によってＣｕ／ＴｉＮの薄膜を形成した後に（図示せず）、この薄膜を電極として用いてＣｕ等の導電性材料をめっき処理することにより、図１３に示すように、各貫通孔２５内に導電性柱状部２６を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 12, an insulating film 25a is formed by depositing an insulating material such as SiO _{2 on} the inner wall surface of each through hole 25 by, for example, the CVD method. Next, the columnar portion forming process for forming the conductive columnar portion 26 described above is performed by filling each through hole 25 with a conductive material such as Cu. Specifically, for example, after forming a Cu / TiN thin film by MO-CVD (not shown) on the inner wall surface of the through hole 25 in which the formation of the insulating film 25a has been completed, this thin film is applied to the electrode. As shown in FIG. 13, conductive columnar portions 26 are formed in each through hole 25 by plating a conductive material such as Cu.

続いて、センサ部２２の下部電極２３ａおよび上部電極２３ｂと各導電性柱状部２６とを電気的に相互に接続する接続用導体２７ａ，２７ｂを形成する接続用導体形成処理を実行する。具体的には、図１４に示すように、まず、３本の導電性柱状部２６のうちの中央部の１本（本発明における「少なくとも一対の導電性柱状部のうちの１つ」）における絶縁性支持層１２ｂ側の端部（同図における上端部）と下部電極２３ａとを電気的に相互に接続する接続用導体２７ａを例えばスパッタ法によって形成する。 Subsequently, a connecting conductor forming process for forming connecting conductors 27a and 27b that electrically connect the lower electrode 23a and the upper electrode 23b of the sensor unit 22 and the respective conductive columnar portions 26 to each other is executed. Specifically, as shown in FIG. 14, first, in one of the central portions of the three conductive columnar portions 26 (“at least one of the pair of conductive columnar portions” in the present invention). A connection conductor 27a that electrically connects the end portion (upper end portion in the figure) on the insulating support layer 12b side and the lower electrode 23a to each other is formed by, for example, sputtering.

次いで、図１５に示すように、接続用導体２７ａの形成を完成した中間体１０ａの一面（同図における上面：センサ部２２の形成面）にポリイミド樹脂等の絶縁性材料を塗布した後に、例えばエッチング処理によって３本の導電性柱状部２６のうちの左右両端部の導電性柱状部２６の端面と、センサ部２２の上部電極２３ｂとを絶縁性材料の層から露出させることにより、中間体１０ａの上に絶縁性支持層２８を形成する。続いて、図１６に示すように、上記の両端部の導電性柱状部２６（本発明における「少なくとも一対の導電性柱状部のうちの他の１つ」）における絶縁性支持層１２ｂ側の端部（同図における上端部）と上部電極２３ｂとを電気的に相互に接続する接続用導体２７ｂを例えばスパッタ法によって形成する。以上により、本発明における接続用導体形成処理が完了する。 Next, as shown in FIG. 15, after an insulating material such as polyimide resin is applied to one surface of the intermediate body 10a that has completed the formation of the connecting conductor 27a (the upper surface in FIG. 15: the surface on which the sensor portion 22 is formed) By exposing the end surfaces of the conductive columnar portions 26 at the left and right ends of the three conductive columnar portions 26 and the upper electrode 23b of the sensor portion 22 from the layer of the insulating material by etching, the intermediate 10a is exposed. An insulating support layer 28 is formed thereon. Subsequently, as shown in FIG. 16, the end on the insulating support layer 12 b side in the conductive columnar portion 26 (“the other one of at least one pair of conductive columnar portions” in the present invention) at the both ends described above. A connection conductor 27b is formed by sputtering, for example, to electrically connect the portion (upper end portion in the figure) and the upper electrode 23b. Thus, the connection conductor forming process in the present invention is completed.

次いで、図１７に示すように、各導電性柱状部２６における絶縁性支持層１２ａ側の端部（同図における下端部）にバンプ２９をそれぞれ形成する。続いて、バンプ２９の形成を完成した中間体１０ａと基材３とを接着剤４で接着して一体化する接着処理を実行する。具体的には、図１８に示すように、中間体１０ａの各バンプ２９と基材３の各パッド３２とを接触させた状態において、エポキシ系等の接着剤４によって基材３の支持体３１と中間体１０ａの絶縁性支持層１２ａとを相互に接着する。 Next, as shown in FIG. 17, bumps 29 are respectively formed on the end portions (lower end portions in the figure) on the insulating support layer 12 a side in the respective conductive columnar portions 26. Subsequently, an adhesion process is performed in which the intermediate body 10 a completed with the formation of the bumps 29 and the base material 3 are bonded and integrated with the adhesive 4. Specifically, as shown in FIG. 18, in the state where each bump 29 of the intermediate body 10 a and each pad 32 of the base material 3 are in contact with each other, the support 31 of the base material 3 by the adhesive 4 such as an epoxy type. And the insulating support layer 12a of the intermediate 10a are bonded to each other.

続いて、中間体１０ａにおける支持体１１を除去する支持体除去処理を実行する。具体的には、まず、中間体１０ａにおけるセンサ部２２の形成面側にフォトレジスト１９ａを塗布した後に、フォトレジスト１９ａの層に対する露光処理および現像処理を実行することにより、図１９に示すように、エッチング用ホール４１の形成領域（図２０参照）のフォトレジスト１９ａを中間体１０ａの上から取り除いたレジストパターン１９を形成する。次いで、レジストパターン１９をマスクとして用いて中間体１０ａをエッチング処理することにより、図２０に示すように、センサ部２２および絶縁性支持層１２ｂを貫通するエッチング用ホール４１を形成する。 Then, the support body removal process which removes the support body 11 in the intermediate body 10a is performed. Specifically, first, after applying the photoresist 19a on the surface of the intermediate body 10a on which the sensor portion 22 is formed, an exposure process and a development process are performed on the layer of the photoresist 19a, as shown in FIG. Then, a resist pattern 19 is formed by removing the photoresist 19a in the formation region of the etching hole 41 (see FIG. 20) from the intermediate 10a. Next, by etching the intermediate 10a using the resist pattern 19 as a mask, an etching hole 41 penetrating the sensor portion 22 and the insulating support layer 12b is formed as shown in FIG.

続いて、中間体１０ａ上に残存するフォトレジスト１９ａを除去した後に、ＸｅＦ_２等のエッチングガスをエッチング用ホール４１から支持体１１側に向けて導入することにより、図２１に示すように、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂの間から支持体１１を除去する。この際に、センサ部２２およびその下の絶縁性支持層１２ｂを貫通するようにしてエッチング用ホール４１を形成しているため、このエッチング用ホール４１から導入したエッチングガスによってセンサ部２２の下方の支持体１１が絶縁性支持層１２ｂの側から徐々に除去される。この結果、同図に示すように、絶縁性支持層１２ｂの裏面側におけるセンサ部２２の下方に空間４２が形成される（「支持体における少なくとも第２の絶縁性支持層側の一部」が除去された状態）。 Subsequently, after removing the photoresist 19a remaining on the intermediate body 10a, an etching gas such as XeF ₂ is introduced from the etching hole 41 toward the support body 11 side, thereby insulating the substrate as shown in FIG. The support 11 is removed from between the conductive support layers 12a and 12b. At this time, since the etching hole 41 is formed so as to penetrate the sensor portion 22 and the insulating support layer 12b below the sensor portion 22, the etching gas introduced from the etching hole 41 is below the sensor portion 22. The support 11 is gradually removed from the insulating support layer 12b side. As a result, as shown in the figure, a space 42 is formed below the sensor portion 22 on the back surface side of the insulating support layer 12b (“at least a part of the support on the second insulating support layer side”). Removed state).

なお、本発明における赤外線センサの製造方法は、後述するように絶縁性支持層１２ａ，１２ｂの間の支持体１１が完全に除去されるまで支持体除去処理を継続する方法に限定されず、赤外線の照射時にセンサ部２２から急速に熱が逃げる事態（感度が低下する事態）を回避し得る広さの空間４２がセンサ部２２の下方に形成された時点において処理を完了してイメージセンサの製造を完成させることもできる。一方、センサ部２２からの急速な熱の逃げを回避するには、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂの間から支持体１１を完全またはほぼ完全に除去するのが好ましい。したがって、支持体１１の除去を完成するまで支持体除去処理（エッチングガスの導入）を継続することで、絶縁性支持層１２ａの表面を露出させる。これにより、図１，２に示すように、イメージセンサ１が完成する。 In addition, the manufacturing method of the infrared sensor in this invention is not limited to the method of continuing a support body removal process until the support body 11 between insulating support layers 12a and 12b is removed completely so that it may mention later, infrared rays When the space 42 is formed below the sensor unit 22 so as to avoid a situation in which heat escapes rapidly from the sensor unit 22 (a situation in which the sensitivity decreases) during the irradiation, the processing is completed and the image sensor is manufactured. Can also be completed. On the other hand, in order to avoid the rapid escape of heat from the sensor part 22, it is preferable to completely or almost completely remove the support 11 from between the insulating support layers 12a and 12b. Therefore, the surface of the insulating support layer 12a is exposed by continuing the support removing process (introduction of etching gas) until the removal of the support 11 is completed. As a result, the image sensor 1 is completed as shown in FIGS.

このように、この熱型赤外線イメージセンサ１の製造方法によれば、支持体１１の一方の面に絶縁性支持層１２ａが形成されると共に他方の面に絶縁性支持層１２ｂが形成され、かつ、絶縁性支持層１２ｂの上に焦電型のセンサ部２２が形成された中間体を加工して熱型赤外線イメージセンサ１を製造する際に、少なくとも一対（この例では、３つ）の貫通孔２５をセンサ部２２の近傍に形成する貫通孔形成処理と、各貫通孔２５に導電性材料を充填して少なくとも一対（この例では、３本）の導電性柱状部２６を形成する柱状部形成処理と、各導電性柱状部２６のうちの１つにおける絶縁性支持層１２ｂ側の端部および下部電極２３ａを電気的に相互に接続する接続用導体２７ａを形成すると共に各導電性柱状部２６のうち他の１つにおける絶縁性支持層１２ｂ側の端部および上部電極２３ｂを電気的に相互に接続する接続用導体２７ｂを形成する接続用導体形成処理と、支持体１１における少なくとも絶縁性支持層１２ｂ側の一部を除去する支持体除去処理とをこの順で実行することにより、絶縁性支持層１２ｂを十分に薄厚にすることができると共に絶縁性支持層１２ａ，１２ｂを十分に離間させることができるため、赤外線の照射時におけるセンサ部２２からの急速な熱の逃げを回避することができる結果、高感度なイメージセンサ１を製造することができる。また、センサ部２２以外の各素子（抵抗体やトランジスタ等）を各導電性柱状部２６における絶縁性支持層１２ａ側（この例では、基材３上）に配置することができるため、各センサ部２２を十分に接近させて配置することができる結果、イメージセンサ１の受光部の面積に占める各センサ部２２の面積の割合を十分に大きくすることができる。したがって、従来のイメージセンサと比較して、赤外線の検出効率（感度）を十分に向上させることができる。また、別体に構成された基材３（各種素子等が実装された基板）を各導電性柱状部２６における絶縁性支持層１２ａ側の端部に電気的に接続してイメージセンサ１を製造することができるため、センサ部２２等（本体部２）および各種素子等（基材３）をそれぞれ好適な条件下で製造することができる。したがって、イメージセンサ１の製造に関する歩留まりを十分に向上させて製造コストを低減することができる。また、従来の撮像装置と比較して、十分に細径の各導電性柱状部２６によって支持してセンサ部２２および絶縁性支持層１２ａを十分に離間させることができるため、赤外線の照射時におけるセンサ部２２から急速な熱の逃げを回避することができる。したがって、赤外線の検出効率（感度）を十分に向上させることができる。 Thus , according to the method for manufacturing the thermal infrared image sensor 1, the insulating support layer 12a is formed on one surface of the support 11 and the insulating support layer 12b is formed on the other surface, and When the thermal infrared image sensor 1 is manufactured by processing the intermediate body in which the pyroelectric sensor unit 22 is formed on the insulating support layer 12b, at least a pair (three in this example) is penetrated. A through-hole forming process for forming the holes 25 in the vicinity of the sensor part 22 and a columnar part that forms at least one pair (three in this example) of conductive columnar parts 26 by filling each through-hole 25 with a conductive material. And forming a connection conductor 27a for electrically connecting the end portion on the insulating support layer 12b side and the lower electrode 23a in one of the conductive columnar portions 26 and forming each of the conductive columnar portions. In one of 26 A connecting conductor forming process for forming a connecting conductor 27b for electrically connecting the end on the insulating support layer 12b side and the upper electrode 23b to each other; and at least a part of the support 11 on the insulating support layer 12b side. By performing the support removing process to be removed in this order, the insulating support layer 12b can be made sufficiently thin and the insulating support layers 12a and 12b can be sufficiently separated from each other. As a result of avoiding rapid heat escape from the sensor unit 22 during irradiation, the highly sensitive image sensor 1 can be manufactured. In addition, since each element (resistor, transistor, etc.) other than the sensor part 22 can be arranged on the insulating support layer 12a side (in this example, on the base material 3) in each conductive columnar part 26, each sensor As a result of the portions 22 being sufficiently close to each other, the ratio of the area of each sensor portion 22 to the area of the light receiving portion of the image sensor 1 can be sufficiently increased. Therefore, infrared detection efficiency (sensitivity) can be sufficiently improved as compared with a conventional image sensor. In addition, the image sensor 1 is manufactured by electrically connecting the base material 3 (substrate on which various elements and the like are mounted) separately configured to the end of each conductive columnar portion 26 on the insulating support layer 12a side. Therefore, the sensor part 22 and the like (main body part 2) and various elements and the like (base material 3) can be manufactured under suitable conditions. Therefore, it is possible to sufficiently improve the yield related to the manufacture of the image sensor 1 and reduce the manufacturing cost. Further, as compared with the conventional imaging device, the sensor unit 22 and the insulating support layer 12a can be sufficiently separated by being supported by the sufficiently small diameter conductive columnar portions 26. Rapid escape of heat from the sensor unit 22 can be avoided. Therefore, infrared detection efficiency (sensitivity) can be sufficiently improved.

さらに、この熱型赤外線イメージセンサ１の製造方法によれば、支持体除去処理時において、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂの間から支持体１１を完全またはほぼ完全に除去することにより、赤外線の照射時におけるセンサ部２２から急速な熱の逃げを効果的に回避することができるため、一層高感度なイメージセンサ１を製造することができる。 Further, according to the method for manufacturing the thermal infrared image sensor 1, during the support removing process, the support 11 is completely or almost completely removed between the insulating support layers 12a and 12b, thereby irradiating with infrared rays. Since rapid heat escape from the sensor unit 22 at the time can be effectively avoided, the image sensor 1 with higher sensitivity can be manufactured.

また、この熱型赤外線イメージセンサ１の製造方法によれば、各バンプ２９および各パッド３２を互いに接触させた状態において絶縁性支持層１２ａ（本体部２）と基材３とを相互に接着する接着処理を支持体除去処理に先立って実行することにより、基材３の接着に先立って支持体除去処理を実行する製造方法とは異なり、基材３の接着によって絶縁性支持層１２ａの機械的強度が十分に向上した状態において支持体１１を除去することができる。したがって、イメージセンサ１の製造工程において絶縁性支持層１２ａが破損する事態を回避して、その歩留まりを一層向上させることができる。また、例えば絶縁性支持層１２ａの一面（バンプ２９の形成面）に各種素子を直接形成する構成と比較して容易に製造することができるため、その製造コストを十分に低減することができる。 In addition, according to the method for manufacturing the thermal infrared image sensor 1, the insulating support layer 12a (main body 2) and the substrate 3 are bonded to each other in a state where the bumps 29 and the pads 32 are in contact with each other. Unlike the manufacturing method in which the support removing process is performed prior to the bonding of the base material 3 by performing the bonding process prior to the support removing process, the mechanical support of the insulating support layer 12a is achieved by the bonding of the base material 3. The support 11 can be removed in a state where the strength is sufficiently improved. Therefore, it is possible to avoid the situation where the insulating support layer 12a is damaged in the manufacturing process of the image sensor 1, and to further improve the yield. Further, for example, since it can be easily manufactured as compared with a configuration in which various elements are directly formed on one surface of the insulating support layer 12a (surface on which the bump 29 is formed), the manufacturing cost can be sufficiently reduced.

さらに、この熱型赤外線イメージセンサ１の製造方法によれば、下部電極層１３ａ、強誘電体層１４および上部電極層１３ｂが絶縁性支持層１２ｂの上にこの順で形成された積層体１０に対するパターニング処理を実行して絶縁性支持層１２ｂの上にセンサ部２２を形成して本発明における中間体を製造することにより、例えば別個に形成したセンサ部２２を絶縁性支持層１２ｂ上に取り付けて中間体１０ａを形成する製造方法と比較して、絶縁性支持層１２ｂとセンサ部２２（下部電極２３ａ）との密着力を十分に強くすることができる。また、別体に構成したセンサ部２２を絶縁性支持層１２ｂ上に取り付けて中間体１０ａを製造する製造方法と比較して、中間体１０ａを容易に製造することができる。 Furthermore, according to the method for manufacturing the thermal infrared image sensor 1, the lower electrode layer 13a, the ferroelectric layer 14, and the upper electrode layer 13b are formed on the insulating support layer 12b in this order. By performing the patterning process to form the sensor portion 22 on the insulating support layer 12b and manufacturing the intermediate in the present invention, for example, the separately formed sensor portion 22 is attached to the insulating support layer 12b. Compared with the manufacturing method for forming the intermediate body 10a, the adhesion between the insulating support layer 12b and the sensor part 22 (lower electrode 23a) can be sufficiently increased. Moreover, the intermediate body 10a can be easily manufactured compared with the manufacturing method which attaches the sensor part 22 comprised separately on the insulating support layer 12b, and manufactures the intermediate body 10a.

なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、上記の熱型赤外線イメージセンサ１の製造時において、センサ部２２および絶縁性支持層１２ｂを貫通させるようにして、センサ部２２の平面視中央部（図２参照）にエッチングガスを導入するためのエッチング用ホール４１を形成しているが、エッチング用ホールの形成位置はこれに限定されない。例えば、まず、中間体１０ａにおけるセンサ部２２の形成面側にフォトレジスト２０ａを塗布した後に、フォトレジスト２０ａの層に対する露光処理および現像処理を実行することにより、図２２に示すように、エッチング用ホール４１ａの形成領域（センサ部２２の近傍：図２３参照）のフォトレジスト２０ａを中間体１０ａの上から取り除いたレジストパターン２０を形成する。なお、以下の説明において参照する各図面では、前述したイメージセンサ１の製造時における各構成要素やイメージセンサ１の各構成要素と同一の機能を有するものについて同一の符号を付して重複する説明を省略する。次いで、レジストパターン２０をマスクとして用いて中間体１０ａをエッチング処理することにより、図２３に示すように、接続用導体２７ａ，２７ｂ、絶縁性支持層２８および絶縁性支持層１２ｂを貫通する４つのエッチング用ホール４１ａを形成する。 In addition, this invention is not limited to said structure and method. For example, when manufacturing the thermal infrared image sensor 1 described above, an etching gas is introduced into the central portion (see FIG. 2) in plan view of the sensor portion 22 so as to penetrate the sensor portion 22 and the insulating support layer 12b. Although the etching hole 41 is formed, the formation position of the etching hole is not limited to this. For example, first, after applying the photoresist 20a on the surface of the intermediate body 10a on which the sensor portion 22 is formed, an exposure process and a development process are performed on the layer of the photoresist 20a, as shown in FIG. A resist pattern 20 is formed by removing the photoresist 20a in the formation region of the hole 41a (in the vicinity of the sensor portion 22: see FIG. 23) from the intermediate 10a. In addition, in each drawing referred in the following description, the description which overlaps by attaching | subjecting the same code | symbol about each component at the time of manufacture of the image sensor 1 mentioned above, and what has the same function as each component of the image sensor 1. FIG. Is omitted. Next, by etching the intermediate 10a using the resist pattern 20 as a mask, as shown in FIG. 23, the four conductors penetrating the connecting conductors 27a and 27b, the insulating support layer 28, and the insulating support layer 12b are obtained. An etching hole 41a is formed.

続いて、中間体１０ａ上に残存するフォトレジスト２０ａを除去した後に、ＸｅＦ_２等のエッチングガスをエッチング用ホール４１ａから支持体１１側に向けて導入することにより、図２４に示すように、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂの間から支持体１１を除去する。この際に、エッチング用ホール４１ａから導入したエッチングガスによってセンサ部２２の下方の支持体１１が絶縁性支持層１２ｂの側から徐々に除去される。この結果、同図に示すように、絶縁性支持層１２ｂの裏面側に空間４２ａが形成される（「支持体における少なくとも第２の絶縁性支持層側の一部」が除去された状態）。この場合、本発明における赤外線センサの製造方法では、赤外線の照射時にセンサ部２２から急速に熱が逃げる事態を可否しえる程度の十分な広さの空間４２がセンサ部２２の下方に形成された時点において処理を完了してイメージセンサの製造を完成させることもできる。一方、センサ部２２からの急速な熱の逃げを回避するには、前述したように、絶縁性支持層１２ａ，１２ｂの間から支持体１１を完全またはほぼ完全に除去するのが好ましい。したがって、支持体１１の除去を完成するまで支持体除去処理（エッチングガスの導入）を継続することで、絶縁性支持層１２ａの表面を露出させる。これにより、図２５，２６に示すように、イメージセンサ１Ａが完成する。 Subsequently, after removing the photoresist 20a remaining on the intermediate body 10a, an insulating gas such as XeF ₂ is introduced from the etching hole 41a toward the support body 11 side, thereby insulating as shown in FIG. The support 11 is removed from between the conductive support layers 12a and 12b. At this time, the support 11 below the sensor portion 22 is gradually removed from the insulating support layer 12b side by the etching gas introduced from the etching hole 41a. As a result, as shown in the figure, a space 42a is formed on the back surface side of the insulating support layer 12b ("state where at least a part of the support on the second insulating support layer side" is removed). In this case, in the infrared sensor manufacturing method according to the present invention, a sufficiently large space 42 is formed below the sensor unit 22 so as to allow a situation where heat escapes rapidly from the sensor unit 22 during infrared irradiation. It is also possible to complete the processing of the image sensor at the point of time. On the other hand, in order to avoid a rapid escape of heat from the sensor unit 22, it is preferable to completely or almost completely remove the support 11 from between the insulating support layers 12a and 12b as described above. Therefore, the surface of the insulating support layer 12a is exposed by continuing the support removing process (introduction of etching gas) until the removal of the support 11 is completed. As a result, the image sensor 1A is completed as shown in FIGS.

加えて、複数のセンサ部２２を有するイメージセンサ１，１Ａについて説明したが、単一のセンサ部２２を有する赤外線センサ、およびその製造方法に本発明を適用することもできる。 Pressurized forte has been described an image sensor 1,1A having a plurality of sensor portions 22, the infrared sensor having a single sensor unit 22, and it is also possible to apply the present invention to a manufacturing method thereof.

熱型赤外線イメージセンサ１の断面図である。1 is a cross-sectional view of a thermal infrared image sensor 1. FIG. 熱型赤外線イメージセンサ１の平面図である。1 is a plan view of a thermal infrared image sensor 1. FIG. 積層体１０の断面図である。2 is a cross-sectional view of a laminated body 10. FIG. 上部電極層１３ｂの上にレジストパターン１５を形成した状態の積層体１０の断面図である。It is sectional drawing of the laminated body 10 in the state where the resist pattern 15 was formed on the upper electrode layer 13b. 上部電極層１３ｂをエッチングすることで強誘電体層１４の上に上部電極２３ｂを形成した状態の積層体１０の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer body 10 in a state in which an upper electrode 23b is formed on a ferroelectric layer 14 by etching the upper electrode layer 13b. 強誘電体層１４および上部電極２３ｂの上にレジストパターン１６を形成した状態の積層体１０の断面図である。2 is a cross-sectional view of the multilayer body 10 in a state in which a resist pattern 16 is formed on a ferroelectric layer 14 and an upper electrode 23b. FIG. 強誘電体層１４をエッチングすることで下部電極層１３ａの上に強誘電体２４を形成した状態の積層体１０の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer body 10 in a state where a ferroelectric 24 is formed on the lower electrode layer 13a by etching the ferroelectric layer 14. 下部電極層１３ａ、強誘電体２４および上部電極２３ｂの上にレジストパターン１７を形成した状態の積層体１０の断面図である。3 is a cross-sectional view of the multilayer body 10 in a state where a resist pattern 17 is formed on the lower electrode layer 13a, the ferroelectric body 24, and the upper electrode 23b. FIG. 下部電極層１３ａをエッチングすることで絶縁性支持層１２ｂの上に下部電極２３ａを形成した状態の積層体１０（中間体１０ａ）の断面図である。It is sectional drawing of the laminated body 10 (intermediate body 10a) in the state which formed the lower electrode 23a on the insulating support layer 12b by etching the lower electrode layer 13a. 絶縁性支持層１２ｂおよびセンサ部２２の上にレジストパターン１８を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the intermediate body 10a in a state in which a resist pattern 18 is formed on the insulating support layer 12b and the sensor unit 22. 絶縁性支持層１２ａ，１２ｂおよび支持体１１をエッチングすることで貫通孔２５を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which formed the through-hole 25 by etching the insulating support layers 12a and 12b and the support body 11. FIG. 各貫通孔２５の内壁面に絶縁膜２５ａを形成した状態の中間体１０ａの断面図である。3 is a cross-sectional view of the intermediate body 10a in a state where an insulating film 25a is formed on the inner wall surface of each through hole 25. FIG. 各貫通孔２５内に導電性材料を充填して導電性柱状部２６を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which filled the electroconductive material in each through-hole 25, and formed the electroconductive columnar part 26. FIG. 接続用導体２７ａの形成を完成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which completed formation of the conductor 27a for connection. 絶縁性支持層２８の形成を完成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which completed formation of the insulating support layer 28. FIG. 接続用導体２７ｂの形成を完成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which completed formation of the conductor 27b for connection. バンプ２９の形成を完成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which completed formation of the bump 29. FIG. 積層体１０と基材３とを接着剤４によって接着した状態の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a state in which a laminated body 10 and a base material 3 are bonded with an adhesive 4. センサ部２２の形成面側にレジストパターン１９を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the intermediate body 10a in a state in which a resist pattern 19 is formed on the formation surface side of the sensor unit 22. センサ部２２および絶縁性支持層１２ｂをエッチングすることでエッチング用ホール４１を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which formed the hole 41 for an etching by etching the sensor part 22 and the insulating support layer 12b. エッチング用ホール４１からエッチングガスを導入して支持体１１を除去することで空間４２を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which formed the space 42 by introduce | transducing etching gas from the etching hole 41, and removing the support body 11. FIG. センサ部２２の形成面側にレジストパターン２０を形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which formed the resist pattern 20 in the formation surface side of the sensor part 22. FIG. 接続用導体２７ｂ、絶縁性支持層２８および絶縁性支持層１２ｂをエッチングすることでエッチング用ホール４１ａを形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which formed the hole 41a for an etching by etching the connection conductor 27b, the insulating support layer 28, and the insulating support layer 12b. エッチング用ホール４１ａからエッチングガスを導入して支持体１１を除去することで空間４２ａを形成した状態の中間体１０ａの断面図である。It is sectional drawing of the intermediate body 10a of the state which formed the space 42a by introduce | transducing etching gas from the hole 41a for etching, and removing the support body 11. FIG. 熱型赤外線イメージセンサ１Ａの断面図である。It is sectional drawing of 1 A of thermal type | mold infrared image sensors. 熱型赤外線イメージセンサ１Ａの平面図である。It is a top view of thermal type infrared image sensor 1A.

Explanation of symbols

１，１Ａ熱型赤外線イメージセンサ
２本体部
３基材
４接着剤
１０積層体
１０ａ中間体
１１支持体
１２ａ，１２ｂ絶縁性支持層
１３ａ下部電極層
１３ｂ上部電極層
１４強誘電体層
１５，１６，１７，１８，１９，２０レジストパターン
１５ａ，１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａ，２０ａフォトレジスト
２２センサ部
２３ａ下部電極
２３ｂ上部電極
２４強誘電体
２５貫通孔
２６導電性柱状部
２７ａ，２７ｂ接続用導体
２８絶縁性支持層
２９バンプ
３１支持体
３２パッド
４１，４１ａエッチング用ホール
４２，４２ａ，４３空間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A Thermal type infrared image sensor 2 Main body part 3 Base material 4 Adhesive 10 Laminated body 10a Intermediate body 11 Support body 12a, 12b Insulating support layer 13a Lower electrode layer 13b Upper electrode layer 14 Ferroelectric layers 15, 16, 17, 18, 19, 20 Resist pattern 15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a Photoresist 22 Sensor part 23a Lower electrode 23b Upper electrode 24 Ferroelectric material 25 Through hole 26 Conductive columnar part 27a, 27b Connecting conductor 28 Insulating support layer 29 Bump 31 Support body 32 Pad 41, 41a Etching hole 42, 42a, 43 Space

Claims

A first insulating support layer is formed on one side of the support and a second insulating support layer is formed on the other side of the support, and the first electrode, the dielectric, and the first When an infrared sensor is manufactured by processing an intermediate body in which a pyroelectric sensor unit in which two electrodes are laminated in this order is formed on the second insulating support layer,
A patterning process is performed on the stacked body in which the first electrode layer, the dielectric layer, and the second electrode layer are formed in this order on the second insulating support layer, and the first electrode layer The second insulating support for the sensor unit having the first electrode configured, the dielectric configured by the dielectric layer, and the second electrode configured by the second electrode layer Forming the intermediate to form the intermediate,
A through hole forming process for forming at least a pair of through holes penetrating the both insulating support layers and the support body in the vicinity of the sensor unit;
Columnar part forming treatment for filling each through hole with a conductive material to form at least a pair of conductive columnar parts,
Forming a first connecting conductor that electrically connects the end of the second insulating support layer side of one of the at least one pair of conductive columnar portions and the first electrode to each other; A second connection conductor is formed to electrically connect the end of the other one of the at least one pair of conductive columnar portions on the second insulating support layer side and the second electrode. A conductor forming process for connection;
Infrared rays for manufacturing the infrared sensor by performing, in this order, a support removing process for selectively etching the support to remove at least a part of the support on the second insulating support layer side. Sensor manufacturing method.

Wherein during support removal process, the first insulating support layer and the second method for manufacturing an infrared sensor according to claim 1, wherein removing completely or nearly completely the support from between the insulating support layer.

While performing a bump formation process for forming a bump at the end of the conductive columnar portion on the first insulating support layer side,
Bonding process for bonding a base material having a plurality of pads arranged so as to be in contact with each bump and the first insulating support layer to each other in a state where each bump and each pad are in contact with each other The manufacturing method of the infrared sensor of Claim 1 or 2 performed prior to the said support body removal process.