JP4800077B2 - Plasma etching method - Google Patents
Plasma etching method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4800077B2 JP4800077B2 JP2006075324A JP2006075324A JP4800077B2 JP 4800077 B2 JP4800077 B2 JP 4800077B2 JP 2006075324 A JP2006075324 A JP 2006075324A JP 2006075324 A JP2006075324 A JP 2006075324A JP 4800077 B2 JP4800077 B2 JP 4800077B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma etching
- etching
- plasma
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本発明は、CFx膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法に関する。 The present invention relates to a plasma etching method for plasma etching a CFx film.
従来から半導体装置の製造工程においては、エッチングガスのプラズマを発生させ、このプラズマの作用によってエッチングを行うプラズマエッチングが多用されている。また、半導体装置においては、層間絶縁膜として低誘電率膜が使用されるようになっており、このような低誘電率膜の1つとして、CFx膜を使用することも検討されている(例えば、特許文献1参照。)。また、このようなCFx膜をプラズマエッチングする方法としては、エッチングガスとしてN2とH2の混合ガスを使用する方法がある。
しかしながら、上記したように、エッチングガスとしてN2とH2の混合ガスを使用してCFx膜をプラズマエッチングし、トレンチ等を形成すると、トレンチの底部等にマイクロトレンチが発生するという課題がある。 However, as described above, there is a problem that when a CF x film is plasma-etched using a mixed gas of N 2 and H 2 as an etching gas to form a trench or the like, a micro-trench is generated at the bottom of the trench or the like. .
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、CFx膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a plasma etching method capable of suppressing the generation of micro-trench in plasma etching of a CFx film as compared with the conventional one.
請求項1記載のプラズマエッチング方法は、上部電極と下部電極とを備える容量結合型平行平板エッチング装置を用い、その処理チャンバ内で前記上部電極と前記下部電極に高周波を印加してエッチングガスのプラズマを発生させ、当該プラズマにより被処理基板に形成されたCFx膜をエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスをCH4ガスとO2ガスとを含む混合ガスとし、前記CFx膜を前記プラズマでエッチングしてトレンチを形成する際にマイクロトレンチの発生を抑制することを特徴とする。
The plasma etching method according to
請求項2記載のプラズマエッチング方法は、請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスが、さらに水素含有ガスを含むことを特徴とする。
The plasma etching method according to
請求項3記載のプラズマエッチング方法は、請求項2記載のプラズマエッチング方法であって、前記水素含有ガスが、CHF3又はCH2F2であることを特徴とする。
The plasma etching method of
本発明によれば、CFx膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチ(トレンチの底部が山形状になり裾部分が極端に削られた形状となること)の発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法を提供することができる。 According to the present invention, plasma etching that can suppress the occurrence of micro-trench in the CFx film plasma etching (the bottom of the trench has a mountain shape and the skirt portion is extremely sharpened) compared to the prior art. it is possible to provide a mETHODS.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマエッチング方法における半導体ウエハ(半導体基板)Wの断面構成を拡大して示すものであり、図2は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示すものである。まず、図2を参照してプラズマエッチング装置の構成について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows an enlarged cross-sectional configuration of a semiconductor wafer (semiconductor substrate) W in the plasma etching method according to the present embodiment, and FIG. 2 shows a configuration of the plasma etching apparatus according to the present embodiment. is there. First, the configuration of the plasma etching apparatus will be described with reference to FIG.
プラズマエッチング装置1は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
The
プラズマエッチング装置1は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー(処理容器)2を有しており、この処理チャンバー2は接地されている。処理チャンバー2内の底部にはセラミックなどの絶縁板3を介して、被処理物、例えば半導体ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ支持台4が設けられている。さらに、このサセプタ支持台4の上には、下部電極を構成するサセプタ5が設けられている。このサセプタ5には、ハイパスフィルター(HPF)6が接続されている。
The
サセプタ支持台4の内部には、冷媒室7が設けられており、この冷媒室7には、冷媒が冷媒導入管8を介して導入されて循環し冷媒排出管9から排出される。そして、その冷熱がサセプタ5を介して半導体ウエハWに対して伝熱され、これにより半導体ウエハWが所望の温度に制御される。
A refrigerant chamber 7 is provided inside the
サセプタ5は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハWと略同形の静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12を配置して構成されている。そして、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハWを静電吸着する。
The upper center portion of the
絶縁板3、サセプタ支持台4、サセプタ5、静電チャック11には、半導体ウエハWの裏面に、伝熱媒体(例えばHeガス等)を供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ5の冷熱が半導体ウエハWに伝達され半導体ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。
The
サセプタ5の上端周縁部には、静電チャック11上に載置された半導体ウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されており、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。
An
サセプタ5の上方には、このサセプタ5と平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、処理チャンバー2の上部に支持されている。上部電極21は、電極板24と、この電極板24を支持する導電性材料からなる電極支持体25とによって構成されている。電極板24は、例えば、表面に陽極酸化処理(アルマイト処理)されたアルミニウムに石英カバーを設けて構成され、多数の吐出孔23を有する。この電極板24は、サセプタ5との対向面を形成する。サセプタ5と上部電極21とは、その間隔を変更可能とされている。
An
上部電極21における電極支持体25の中央にはガス導入口26が設けられ、このガス導入口26には、ガス供給管27が接続されている。さらにこのガス供給管27には、バルブ28、並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続されている。処理ガス供給源30から、プラズマエッチング処理のためのエッチングガスが供給される。
A
処理チャンバー2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35が接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー2内を所定の減圧雰囲気、例えば1Pa以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー2の側壁にはゲートバルブ32が設けられており、このゲートバルブ32を開にした状態で半導体ウエハWが隣接するロードロック室(図示せず)との間で搬送されるようになっている。
An
上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が介挿されている。また、上部電極21にはローパスフィルター(LPF)42が接続されている。この第1の高周波電源40は、50〜150MHzの範囲の周波数を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー2内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
A first high
下部電極としてのサセプタ5には、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が介挿されている。この第2の高周波電源50は、第1の高周波電源40より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体である半導体ウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は1〜20MHzの範囲が好ましい。
A second high-
上記構成のプラズマエッチング装置1は、制御部60によって、その動作が統括的に制御される。この制御部60には、CPUを備えプラズマエッチング装置1の各部を制御するプロセスコントローラ61と、ユーザインタフェース62と、記憶部63とが設けられている。
The operation of the
ユーザインタフェース62は、工程管理者がプラズマエッチング装置1を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
The
記憶部63には、プラズマエッチング装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース62からの指示等にて任意のレシピを記憶部63から呼び出してプロセスコントローラ61に実行させることで、プロセスコントローラ61の制御下で、プラズマエッチング装置1での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体(例えば、ハードディスク、CD、フレキシブルディスク、半導体メモリ等)などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
The
上記構成のプラズマエッチング装置1によって、半導体ウエハWのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハWは、ゲートバルブ32が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー2内へと搬入され、静電チャック11上に載置される。そして、直流電源13から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハWが静電チャック11上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ32が閉じられ、排気装置35によって、処理チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。
When performing plasma etching of the semiconductor wafer W by the
その後、バルブ28が開放されて、処理ガス供給源30から所定のエッチングガスが、マスフローコントローラ29によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管27、ガス導入口26を通って上部電極21の中空部へと導入され、さらに電極板24の吐出孔23を通って、図2の矢印に示すように、半導体ウエハWに対して均一に吐出される。
Thereafter, the
そして、処理チャンバー2内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第1の高周波電源40から所定の周波数の高周波電力が上部電極21に印加される。これにより、上部電極21と下部電極としてのサセプタ5との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。
Then, the pressure in the
他方、第2の高周波電源50から、上記の第1の高周波電源40より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ5に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ5側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
On the other hand, high frequency power having a frequency lower than that of the first high
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー2内から搬出される。
Then, when the predetermined plasma etching process is completed, the supply of high-frequency power and the supply of process gas are stopped, and the semiconductor wafer W is unloaded from the
次に、図1を参照して、本実施形態に係るプラズマエッチング方法について説明する。図1は、後述する実施例において使用した被処理基板としての半導体ウエハWの断面構成を模式的に示すものである。図1(a)に示すように、シリコンからなる半導体ウエハWには、CFx膜101が形成されており、CFx膜101の上部には、SiCN膜102、反射防止膜(BARC)103、フォトレジスト膜104が下側からこの順で形成されている。また、フォトレジスト膜104には、トレンチを形成するための開口部105が形成されている。
Next, the plasma etching method according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 schematically shows a cross-sectional configuration of a semiconductor wafer W as a substrate to be processed used in examples described later. As shown in FIG. 1 (a), the semiconductor wafer W made of silicon, CF x film 101 is formed in the upper portion of the CF x film 101,
なお、上記の半導体ウエハWの構造は、CFx膜のエッチング状態を検証するためのサンプルのものであり、実際の半導体装置の製造工程においては、CFx膜101の下層及び上層に、SiCN膜、絶縁膜等の種々の膜が形成される場合がある。 The structure of the semiconductor wafer W is a sample for verifying the etching state of the CF x film. In the actual manufacturing process of the semiconductor device, the SiCN film is formed on the lower layer and the upper layer of the CF x film 101. Various films such as an insulating film may be formed.
そして、図1(a)の状態から、フォトレジスト膜104をマスクとして、反射防止膜(BARC)103、SiCN膜102をプラズマエッチングして図1(b)の状態とする。
Then, from the state of FIG. 1A, the antireflection film (BARC) 103 and the
次に、エッチングガスとして、CH4とO2とを含む混合ガスを用い、CFx膜101をプラズマエッチングし、図1(c)に示すように、CFx膜101にトレンチ106を形成する。CFx膜101をプラズマエッチングするためのエッチングガスとしては、例えば、CH4とO2との混合ガス、あるいは、この混合ガスに更に他のガスを添加した混合ガスを用いることができる。添加ガスとしては、例えば水素含有ガス(CH3F又はCH2F2等)を用いることができる。このように、水素含有ガスを添加すると、Hラジカルが増加し等方性エッチングの傾向が強くなることで、マイクロトレンチの発生を抑制することができる。また、例えば、CFx膜の下層がSiCN系の膜やSiCOH系の膜であると、CFxのエッチング中に発生するFラジカルにより、下層膜が削られてエッチング形状が悪化する可能性があるが、この不要なFラジカルをHラジカルによって排除することができ、エッチング形状の悪化を防止することができる。
Next, using a mixed gas containing CH 4 and O 2 as an etching gas, the CF x film 101 is plasma-etched to form a
実施例として、図2に示したプラズマエッチング装置1を使用し、図1に示した構造の半導体ウエハW(直径20cm)に、プラズマエッチングを、以下に示すようなレシピにより実施した。
As an example, the
なお、以下に示される実施例の処理レシピは、制御部60の記憶部63から読み出されて、プロセスコントローラ61に取り込まれ、プロセスコントローラ61がプラズマエッチング装置1の各部を制御プログラムに基づいて制御することにより、読み出された処理レシピ通りのプラズマエッチング工程が実行される。
The processing recipe of the embodiment shown below is read from the
(反射防止膜(BARC)103のエッチング)
エッチングガス:CF4 =100sccm、圧力6.65Pa(50mTorr)、電力(上部/下部)=1000/100W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=60mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=20秒。
(Etching of antireflection film (BARC) 103)
Etching gas: CF 4 = 100 sccm, pressure 6.65 Pa (50 mTorr), power (upper / lower) = 1000/100 W, temperature (lower / upper / side wall) = 20/60/50 ° C., distance between electrodes = 60 mm, Helium pressure for cooling (center / peripheral) = 1330/4655 Pa (10/35 Torr), etching time = 20 seconds.
(SiCN膜102のエッチング)
エッチングガス:CH2F2 /Ar/O2=20/200/15sccm、圧力6.65Pa(50mTorr)、電力(上部/下部)=2000/100W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=55mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=25秒。
(Etching of SiCN film 102)
Etching gas: CH 2 F 2 / Ar / O 2 = 20/200/15 sccm, pressure 6.65 Pa (50 mTorr), power (upper / lower) = 2000/100 W, temperature (lower / upper / side wall) = 20 / 60/50 ° C., distance between electrodes = 55 mm, cooling helium pressure (center / peripheral) = 1330/4655 Pa (10/35 Torr), etching time = 25 seconds.
(CFx膜101のエッチング)
エッチングガス:CH4/O2 =450/300sccm、圧力7.98Pa(60mTorr)、電力(上部/下部)=2000/200W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=45mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=45秒。
(Etching of CF x film 101)
Etching gas: CH 4 / O 2 = 450/300 sccm, pressure 7.98 Pa (60 mTorr), power (upper / lower) = 2000/200 W, temperature (lower / upper / side wall) = 20/60/50 ° C., electrode Inter-space distance = 45 mm, cooling helium pressure (center / peripheral) = 1330/4655 Pa (10/35 Torr), etching time = 45 seconds.
上記のプラズマエッチングにおけるCFx膜101のエッチングレートは、半導体ウエハ中央部で288nm/min、半導体ウエハ周辺部で296nm/minであった。また、電子顕微鏡で観察したところ、CFx膜101のトレンチ106内にマイクロトレンチは見られなかった。
The etching rate of the CF x film 101 in the above plasma etching was 288 nm / min at the central portion of the semiconductor wafer and 296 nm / min at the peripheral portion of the semiconductor wafer. When observed with an electron microscope, no micro-trench was found in the
次に、比較例として、上記実施例と同じ工程で、反射防止膜(BARC)103のエッチング、SiCN膜102のエッチングを行った後、以下のようにしてCFx膜のエッチングを行った。
Next, as a comparative example, after the antireflection film (BARC) 103 and the
(CFx膜101のエッチング)
エッチングガス:N2/H2 =300/300sccm、圧力3.99Pa(30mTorr)、電力(上部/下部)=1500/200W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=45mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=30秒。
(Etching of CF x film 101)
Etching gas: N 2 / H 2 = 300/300 sccm, pressure 3.99 Pa (30 mTorr), power (upper / lower) = 1500/200 W, temperature (lower / upper / side wall) = 20/60/50 ° C., electrode Inter-space distance = 45 mm, cooling helium pressure (center / peripheral) = 1330/4655 Pa (10/35 Torr), etching time = 30 seconds.
上記のプラズマエッチングにおけるCFx膜101のエッチングレートは、半導体ウエハ中央部で257nm/min、半導体ウエハ周辺部で266nm/minであった。また、電子顕微鏡で観察したところ、図3に示すように、CFx膜101のトレンチ106の底部106aが山形状になり、裾部分106bが極端に削られたマイクロトレンチ形状が見られた。
The etching rate of the CF x film 101 in the above plasma etching was 257 nm / min at the central portion of the semiconductor wafer and 266 nm / min at the peripheral portion of the semiconductor wafer. Moreover, was observed with an electron microscope, as shown in FIG. 3, bottom 106a of the
以上説明したとおり、本実施形態によれば、CFx膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することができる。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマエッチング装置は、図2に示した平行平板型の上下部高周波印加型に限らず、各種のプラズマエッチング装置を使用することができる。 As described above, according to the present embodiment, generation of micro-trench in plasma etching of the CF x film can be suppressed as compared with the conventional case. In addition, this invention is not limited to said embodiment, Various deformation | transformation are possible. For example, the plasma etching apparatus is not limited to the parallel plate type upper and lower high frequency application type shown in FIG. 2, and various plasma etching apparatuses can be used.
101……CFx膜、102……SiCN膜、103……反射防止膜(BARC)、104……フォトレジスト膜、105……開口部、106……トレンチ、W……半導体ウエハ。 101 ...... CF x film, 102 ...... SiCN film, 103 ...... antireflection film (BARC), 104 ...... photoresist film, 105 ...... opening 106 ...... trenches, W ...... semiconductor wafer.
Claims (3)
前記エッチングガスをCH4ガスとO2ガスとを含む混合ガスとし、前記CFx膜を前記プラズマでエッチングしてトレンチを形成する際にマイクロトレンチの発生を抑制する
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 A capacitively coupled parallel plate etching apparatus having an upper electrode and a lower electrode is used, and a plasma of an etching gas is generated by applying a high frequency to the upper electrode and the lower electrode in the processing chamber. A plasma etching method for etching a CFx film formed in
A plasma etching method, wherein the etching gas is a mixed gas containing CH 4 gas and O 2 gas, and the generation of micro-trench is suppressed when the CFx film is etched with the plasma to form a trench.
前記エッチングガスが、さらに水素含有ガスを含む
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 A claim 1 Symbol placement of the plasma etching method,
The plasma etching method, wherein the etching gas further contains a hydrogen-containing gas.
前記水素含有ガスが、CHF3又はCH2F2である
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 The plasma etching method according to claim 2 ,
The plasma etching method, wherein the hydrogen-containing gas is CHF 3 or CH 2 F 2 .
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006075324A JP4800077B2 (en) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Plasma etching method |
US11/687,414 US20070218691A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-03-16 | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006075324A JP4800077B2 (en) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Plasma etching method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007251044A JP2007251044A (en) | 2007-09-27 |
JP4800077B2 true JP4800077B2 (en) | 2011-10-26 |
Family
ID=38594985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006075324A Expired - Fee Related JP4800077B2 (en) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Plasma etching method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4800077B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5405012B2 (en) * | 2007-11-19 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma etching method and storage medium |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000024048A1 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
US6180518B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-01-30 | Lucent Technologies Inc. | Method for forming vias in a low dielectric constant material |
-
2006
- 2006-03-17 JP JP2006075324A patent/JP4800077B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007251044A (en) | 2007-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4652140B2 (en) | Plasma etching method, control program, computer storage medium | |
JP4663368B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, and computer storage medium | |
JP6035117B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
JP4912907B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
JP2006203035A (en) | Plasma etching method | |
JP2007258426A (en) | Plasma etching method | |
JP5064319B2 (en) | Plasma etching method, control program, and computer storage medium | |
US9177781B2 (en) | Plasma processing method and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2014096500A (en) | Plasma etching method and plasma etching device | |
US7351665B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, computer recording medium and recording medium having processing recipe recorded thereon | |
JP2010199475A (en) | Cleaning method of plasma processing apparatus and storage medium | |
JP4684924B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium | |
JP2008172184A (en) | Plasma etching method, plasma etching device, control program and computer storage medium | |
US10651077B2 (en) | Etching method | |
JP2007116031A (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program, and computer storage medium | |
JP5089871B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US7655572B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus, control program and computer storage medium | |
US7883631B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium | |
JP4800077B2 (en) | Plasma etching method | |
JP2012195569A (en) | Semiconductor device manufacturing method and computer storage medium | |
JP4615290B2 (en) | Plasma etching method | |
US20070102399A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, control program and computer-readable storage medium | |
JP5058478B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, plasma processing method, semiconductor device manufacturing apparatus, control program, and computer storage medium | |
US20070218691A1 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium | |
JP2007242753A (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, and computer storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |