JP4793801B2 - 超電導体への最適化された着磁方法 - Google Patents
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電源(9)間に直列に充電用のスイッチ(10)と複数のインダクタ素子(12)と着磁コイル(5)と着磁開始用のスイッチ(14)を接続し、前記複数のインダクタ素子(12)の段間と前記電源(9)の接地端子の間に複数のキャパシタ(11)を接続した回路を提供する段階と、
前記着磁コイル(5)近傍にバルク超電導体(8)を配置する段階と、
前記充電用のスイッチ(10)をオンにして前記キャパシタに電荷を貯留する段階と、
前記着磁開始用のスイッチ(14)をオンにして前記バルク超電導体(8)にパルス磁場を印加する段階と、を有し、
前記パルス磁場の磁場波形は、前記キャパシタ(11)とインダクタ素子(12)の整流により、
前記キャパシタ(11)とインダクタ素子(12)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、
前記バルク超電導体(8)に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に前記侵入した磁束線がピン止めされるのに十分な時間保持された着磁段階と、
前記キャパシタ(11)とインダクタ素子(12)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、
を有することを特徴とするものである。
また、本発明に係る他の超電導体への最適化された着磁方法は、
超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、
電源(9)間に直列に着磁コイル(5)とIGBT、MOSFET、SITを含むパルス波形制御用スイッチ(14)を接続し、前記パルス波形制御用スイッチ(14)に対してゲート電圧を与える高周波電源(15)を接続した回路を提供する段階と、
前記着磁コイル(5)近傍にバルク超電導体(8)を配置する段階と、
前記高周波電源(15)により前記パルス波形制御用スイッチ(14)にゲート電圧を与え、前記パルス波形制御用スイッチ(14)をオンオフすることにより前記バルク超電導体(8)に波形制御されたパルス磁場を印加する段階と、を有し、 前記パルス磁場の磁場波形は、前記パルス波形制御用スイッチ(14)の波形制御により、
前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、
前記バルク超電導体(8)に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に前記侵入した磁束線がピン止めされるのに十分な時間保持された着磁段階と、
前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、
を有することを特徴とするものである。
超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、
電源(9)間に直列に充電用のスイッチ(10)と複数のインダクタ素子(12)と着磁コイル(5)と着磁開始用のスイッチ(14)を接続し、前記複数のインダクタ素子(12)の段間と前記電源(9)の接地端子の間に複数のキャパシタ(11)を接続した回路を提供する段階と、
前記着磁コイル(5)近傍にバルク超電導体(8)を配置する段階と、
前記充電用のスイッチ(10)をオンにして前記キャパシタに電荷を貯留する段階と、
前記着磁開始用のスイッチ(14)をオンにして前記バルク超電導体(8)にパルス磁場を印加する段階と、を有し、
前記パルス磁場の磁場波形は、前記キャパシタ(11)とインダクタ素子(12)の整流により、
前記キャパシタ(11)とインダクタ素子(12)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の増加の比率が大きくなるように制御された増磁段階と、
前記バルク超電導体(8)に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に前記侵入した磁束線がピン止めされるのに十分な時間保持された着磁段階と、
前記キャパシタ(11)とインダクタ素子(12)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、
を有することを特徴とするものである。
2 充電回路
3 パルス波形整形回路
4 パルス波形制御用スイッチ回路
5 着磁コイル
6 第1半導体
7 第2半導体
8 バルク超電導体
9 電源
10 スイッチ
11 キャパシタ
12 インダクタ素子
13 切り替えスイッチ
14 パルス波形制御用スイッチ
15 高周波電源
Claims (2)
- 超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、
電源(9)間に直列に着磁コイル(5)とIGBT、MOSFET、SITを含むパルス波形制御用スイッチ(14)を接続し、前記パルス波形制御用スイッチ(14)に対してゲート電圧を与える高周波電源(15)を接続した回路を提供する段階と、
前記着磁コイル(5)近傍にバルク超電導体(8)を配置する段階と、
前記高周波電源(15)により前記パルス波形制御用スイッチ(14)にゲート電圧を与え、前記パルス波形制御用スイッチ(14)をオンオフすることにより前記バルク超電導体(8)に波形制御されたパルス磁場を印加する段階と、を有し、
前記パルス磁場の磁場波形は、前記パルス波形制御用スイッチ(14)の波形制御により、
前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、
前記バルク超電導体(8)に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に前記侵入した磁束線がピン止めされるのに十分な時間保持された着磁段階と、
前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、
を有することを特徴とする超電導体への最適化された着磁方法。 - 少なくとも前記着磁段階の磁場波形はパルス状の小波形を有することを特徴とする請求項1に記載の超電導体への最適化された着磁方法。
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JP2004250368A JP4793801B2 (ja) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | 超電導体への最適化された着磁方法 |
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