JP4786687B2 - 二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法 - Google Patents
二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4786687B2 JP4786687B2 JP2008164209A JP2008164209A JP4786687B2 JP 4786687 B2 JP4786687 B2 JP 4786687B2 JP 2008164209 A JP2008164209 A JP 2008164209A JP 2008164209 A JP2008164209 A JP 2008164209A JP 4786687 B2 JP4786687 B2 JP 4786687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- binary alloy
- metal
- substance
- nanowire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/62—Whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
反応炉において、気相合成法によりPdxAu1-x(前記xは0.01≦x≦0.99)単結晶ナノワイヤを合成した。
反応炉において、気相合成法により、CoyAg1-y(前記yは0.01≦y≦0.5)単結晶ナノワイヤを合成した。
反応炉において、気相合成法によりAg2Te単結晶ナノワイヤを合成した。
反応炉において、気相合成法によりBi1Te1単結晶ナノベルトを合成した。
Claims (23)
- 二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトである、二元合金単結晶ナノ構造体の前記二元合金はPdとAuの合金、CoとAgの合金、AgとTeの合金またはBiとTeの合金のいずれかから選択され、前記二元合金を構成する1金属の金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属を含めてなる第1物質、前記二元合金を構成する他の金属の金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属を含めてなる第2物質、または、前記二元合金の二元合金物質を含めてなる第3物質において、
前記第1物質乃至第3物質から選択された2つの物質、前記第1物質乃至第3物質から選択された2つの混合物、または、前記第3物質を前駆物質として用い、
反応炉の前端部に位置させた前記前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた半導体または不導体の単結晶基板を、不活性気体が流れる雰囲気下で熱処理し、前記単結晶基板上に二元合金(binary alloy)単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを形成することを特徴とする二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。 - 前記前駆物質は、第1物質と第2物質との混合物、第1物質と第3物質との混合物、または、第3物質であることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記第1物質または第2物質のハロゲン化金属は、フッ化金属(metal fluoride)、塩化金属(metal chloride)、臭化金属(metal bromide)またはヨウ化金属(metal iodide)から選択されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記不活性気体は、前記反応炉の前端部から前記反応炉の後端部の方に10〜600sccm流すことを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記熱処理は、2〜30torrの圧力下で実施されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記前駆物質は、500〜1200℃に保持されるとともに、前記単結晶基板は、700〜1100℃に保持されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記前駆物質は、500〜1200℃に保持されるとともに、前記単結晶基板は、100〜200℃に保持されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記前駆物質が、前記第1物質のハロゲン化金属及び前記第2物質の混合物であり、前記第1物質のハロゲン化金属と前記第2物質とを物理的に分離して前記反応炉の前記前端部に位置させることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記第1物質のハロゲン化金属は、500〜800℃に保持され、前記第2物質は800〜1200℃に保持され、前記単結晶基板は、700〜1100℃に保持されることを特徴とする請求項8に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記第1物質または第2物質としての金属酸化物は、酸化銀、酸化金、酸化コバルト、酸化パラジウム、酸化ビスマス、または酸化テルルから選択されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記第1物質または第2物質としての金属物質は、銀、金、コバルト、パラジウム、ビスマス、またはテルルから選択されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記第1物質または第2物質としてのハロゲン化金属は、ハロゲン化銀、ハロゲン化金、ハロゲン化コバルト、ハロゲン化パラジウムまたはハロゲン化テルルから選択されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前記単結晶基板上に形成される二元合金単結晶ナノ構造体は、PdxAu1-x(前記xは0.01≦x≦0.99)単結晶ナノワイヤ、CoyAg1-y(前記yは0.01≦y≦0.5)単結晶ナノワイヤ、Ag2Te単結晶ナノワイヤまたはBi1Te1単結晶ナノベルトから選択されることを特徴とする請求項1に記載の二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法。
- 前駆物質を利用して無触媒の条件下で気相合成法によって製造されるナノワイヤまたはナノベルト形態の構造体であり、金属及び半金属から選択される2つの元素の固溶体相の単結晶体、または化合物相の単結晶体であり、
Pd x Au 1-x (前記xは0.01≦x≦0.99)単結晶ナノワイヤ、Co y Ag 1-y (前記yは0.01≦y≦0.5)単結晶ナノワイヤ、Ag 2 Te単結晶ナノワイヤ、またはBi 1 Te 1 単結晶ナノベルトであり、
前記Pd x Au 1-x (前記xは0.01≦x≦0.99)単結晶ナノワイヤは、固溶体相の単結晶体であることを特徴とする二元合金単結晶ナノ構造体。 - 前記前駆物質は、前記二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを構成する1金属の金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属を含めてなる第1物質、前記二元合金を構成する他の金属の金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属を含めてなる第2物質、または、前記二元合金の二元合金物質を含めてなる第3物質において、前記第1物質乃至第3物質から選択された2つの物質、前記第1物質乃至第3物質から選択された2つの物質の混合物、または前記第3物質であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記気相合成法は、前記前駆物質が500〜1200℃に保持されるとともに、二元合金単結晶ナノワイヤが形成される基板が、700〜1100℃に保持され、2〜30torrの圧力下で前記前駆物質から前記基板の方に不活性気体を10〜600sccm流す熱処理であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記気相合成法は、前記前駆物質が500〜1200℃に保持されるとともに、二元合金単結晶ナノベルトが形成される基板が、100〜200℃に保持され、2〜30torrの圧力下で前記前駆物質から前記基板の方に不活性気体を10〜600sccm流す熱処理であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記PdxAu1-x(前記xは0.01≦x≦0.99)単結晶ナノワイヤは、面心立方構造(FCC;Face Centered Cubic)であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記CoyAg1-y(前記yは0.01≦y≦0.5)単結晶ナノワイヤは、面心立方構造であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記CoyAg1-y(前記yは0.01≦y≦0.5)単結晶ナノワイヤは、固溶体相の単結晶体であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記Ag2Te単結晶ナノワイヤは、単純単斜晶構造(Simple monoclinic)であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記Ag2Te単結晶ナノワイヤは、化合物相の単結晶体であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
- 前記Bi1Te1単結晶ナノベルトは、六方晶系(hexagonal)の構造であることを特徴とする請求項14に記載の二元合金単結晶ナノ構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070068548 | 2007-07-09 | ||
KR10-2007-0068548 | 2007-07-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009035474A JP2009035474A (ja) | 2009-02-19 |
JP4786687B2 true JP4786687B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=40176078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008164209A Expired - Fee Related JP4786687B2 (ja) | 2007-07-09 | 2008-06-24 | 二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090013824A1 (ja) |
JP (1) | JP4786687B2 (ja) |
KR (1) | KR100974606B1 (ja) |
DE (1) | DE102008029784A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5564508B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2014-07-30 | エルジー・ケム・リミテッド | 金属ナノベルト、その製造方法、それを含む導電性インク組成物および導電性フィルム |
WO2010033005A2 (ko) * | 2008-09-22 | 2010-03-25 | 한국과학기술원 | 금속 단결정 나노플레이트 및 그 제조방법 |
DE102008043447A1 (de) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Orientierter einkristalliner Edelmetall-Nanodraht und Verfahren zur Herstellung desselben |
TWI437106B (zh) * | 2008-12-03 | 2014-05-11 | Tatung Co | 磁性奈米一維金屬線及其製作方法 |
US9017449B2 (en) * | 2010-12-09 | 2015-04-28 | Carestream Health, Inc. | Nanowire preparation methods, compositions, and articles |
KR101413607B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-07-08 | 부산대학교 산학협력단 | 금속 원자가 치환된 금속 단결정 |
WO2019109033A1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | Fasetto, Inc. | Systems and methods for improved data encryption |
CN109440148A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-03-08 | 钟祥博谦信息科技有限公司 | 一种钯钴纳米线的制备方法及其应用 |
CN112719281A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-04-30 | 大连理工大学 | 一种尺寸可控的钴磁性金属纳米线制备方法 |
KR102341177B1 (ko) | 2021-04-16 | 2021-12-17 | 장동익 | 절첩식 샤워장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6444256B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-09-03 | The Regents Of The University Of California | Formation of nanometer-size wires using infiltration into latent nuclear tracks |
KR100439579B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-07-12 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기 나노관의 합성 및 이를 주형으로 이용한 초미세 금속나노선의 합성 |
KR100456016B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-11-06 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노선 |
US7344753B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-03-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nanostructures including a metal |
JP4308103B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2009-08-05 | 日本電信電話株式会社 | ナノ結晶成長方法および装置 |
US20070087470A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sunkara Mahendra K | Vapor phase synthesis of metal and metal oxide nanowires |
KR100772661B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-11-01 | 학교법인 포항공과대학교 | 촉매의 사용 없이 전자기파 방사를 통한 나노와이어의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노와이어 |
KR20070068548A (ko) | 2005-12-27 | 2007-07-02 | 주식회사 포스코 | 스테인리스강 열연코일 레이저 용접방법 |
US20100221894A1 (en) * | 2006-12-28 | 2010-09-02 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | Method for manufacturing nanowires by using a stress-induced growth |
-
2008
- 2008-06-24 DE DE102008029784A patent/DE102008029784A1/de not_active Withdrawn
- 2008-06-24 JP JP2008164209A patent/JP4786687B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-01 KR KR1020080063424A patent/KR100974606B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-07-07 US US12/217,757 patent/US20090013824A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008029784A1 (de) | 2009-02-05 |
KR20090005972A (ko) | 2009-01-14 |
KR100974606B1 (ko) | 2010-08-06 |
US20090013824A1 (en) | 2009-01-15 |
JP2009035474A (ja) | 2009-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4786687B2 (ja) | 二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法 | |
Wang et al. | Zn nanobelts: a new quasi one-dimensional metal nanostructure | |
JP5269904B2 (ja) | 金属単結晶ナノプレートの製造方法 | |
Liu et al. | Self-assembly of [101 [combining macron] 0] grown ZnO nanowhiskers with exposed reactive (0001) facets on hollow spheres and their enhanced gas sensitivity | |
Kim et al. | Epitaxy-driven vertical growth of single-crystalline cobalt nanowire arrays by chemical vapor deposition | |
Feng et al. | Controlled growth and characterization of In2O3 nanowires by chemical vapor deposition | |
Ge et al. | Controllable CVD route to CoS and MnS single-crystal nanowires | |
Zhang et al. | Controlled growth of nanomaterials | |
JP5318866B2 (ja) | 貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法 | |
KR100906503B1 (ko) | 귀금속 단결정 나노와이어 및 그 제조방법 | |
KR100904204B1 (ko) | 강자성 단결정 금속 나노와이어 및 그 제조방법 | |
US20100272951A1 (en) | Twin-free single crystal noble-metal nano wire and fabrication method of twin-free single crystal noble-metal nano wire | |
Li et al. | Controlled growth of 2D ultrathin Ga 2 O 3 crystals on liquid metal | |
KR101993365B1 (ko) | 전이금속 칼코젠 화합물의 제조 방법 | |
EP2241534A2 (en) | Method for manufacturing bismuth single crystal nonowires | |
KR100952615B1 (ko) | 방향성을 갖는 귀금속 단결정 나노와이어 및 그 제조방법 | |
Cheng et al. | Interfaces determine the nucleation and growth of large NbS 2 single crystals | |
WO2009005261A2 (en) | Noble metal single crystalline nanowire and the fabrication method thereof | |
US20110008568A1 (en) | Oriented noble metal single crystalline nanowire and preparation method thereof | |
Wang et al. | Self-organization of various “phase-separated” nanostructures in a single chemical vapor deposition | |
KR102263567B1 (ko) | 도핑된 전이금속-칼코젠 화합물 구조체 및 그 제조 방법 | |
Pillai | Single Crystalline Highly Pure Long Ag2Te Nanowires for Thermoelectric Applications and its Structural Analysis. | |
Shariati | The indium oxide micro and nanopyramids: Morphology materializing and H 2 S sensing properties | |
JP2010095407A (ja) | 方向性を有する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法 | |
Parsafar et al. | Synthesis of crystalline Tellurium nanowires by thin film fabrication via thermal evaporation method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110614 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4786687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |