JP4780983B2 - Organic EL device manufacturing method - Google Patents
Organic EL device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4780983B2 JP4780983B2 JP2005076760A JP2005076760A JP4780983B2 JP 4780983 B2 JP4780983 B2 JP 4780983B2 JP 2005076760 A JP2005076760 A JP 2005076760A JP 2005076760 A JP2005076760 A JP 2005076760A JP 4780983 B2 JP4780983 B2 JP 4780983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- cooling
- organic
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 117
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、真空中で有機EL素子を製造する技術に関し、特に成膜対象物である基板と成膜用のマスクを位置合わせする技術に関する。 The present invention relates to a technique for manufacturing an organic EL element in a vacuum, and more particularly to a technique for aligning a substrate that is a film formation target and a film formation mask.
一般に、有機EL素子を製造する際には、有機EL素子の発光輝度の低下を防止するため、透明電極付き基板に対し、加熱冷却処理及びプラズマ処理による前処理を行っている。 Generally, when manufacturing an organic EL element, in order to prevent a decrease in light emission luminance of the organic EL element, pretreatment by heating and cooling treatment and plasma treatment is performed on the substrate with a transparent electrode.
しかし、従来技術にあっては、大気圧中で基板の加熱及び冷却を行っているため、基板を真空中に配置したときに基板が汚染された状態になっているという問題があった。 However, in the prior art, since the substrate is heated and cooled at atmospheric pressure, there is a problem that the substrate is contaminated when the substrate is placed in a vacuum.
また、従来技術では、加熱処理及びプラズマ処理の際に基板が熱膨張するため、基板とマスクとの正確な位置合わせが困難であり、特に精細な有機発光層の形成に問題が生じていた。
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、前処理工程における基板の汚染の問題がなく、しかも基板とマスクとの正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を形成することが可能な有機EL素子製造技術を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and the object of the present invention is to prevent the problem of contamination of the substrate in the pretreatment process and to accurately position the substrate and the mask. An object of the present invention is to provide an organic EL element manufacturing technique capable of forming a fine organic light emitting layer by combining them.
上記目的を達成するためになされた請求項1記載の発明は、真空排気系に接続された基板搬送室の周囲に、基板仕込室、基板加熱室、マルチ冷却プレートが設けられた冷却室、及び前処理室を有する前処理部において、真空中で基板を搬送し、かつ、当該基板に対する前処理工程を行う有機EL素子製造方法であって、前記前処理工程は、前記基板加熱室内において真空中で前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後、当該基板を真空中で冷却プレートにより冷却する第一冷却工程と、前記第一冷却工程の後、前記前処理室内において真空中で当該基板をプラズマ処理する真空プラズマ処理工程と、前記真空プラズマ処理工程後、前記冷却室内において真空中で当該基板を冷却プレートにより冷却する第二冷却工程と、を有し、前記第二冷却工程の終了後、真空中で当該基板に対して成膜用マスクの位置合わせを行い、さらに、真空中で前記成膜用マスクを介して有機層の形成を行う工程を有するものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記有機層の形成を行う工程は、当該基板上にホール輸送層を形成する工程と、少なくとも1色の有機発光層の形成を行う工程を有するものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記第一冷却工程と前記第二冷却工程は同じ冷却室において行うものである。
The invention according to
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the step of forming the organic layer includes forming a hole transport layer on the substrate and forming an organic light emitting layer of at least one color. It has a process.
The invention according to
本発明にあっては、前処理工程の際に真空中で基板を冷却することから、基板の汚染の問題は発生せず、しかも短時間で冷却処理を行うことができる。 In the present invention, since the substrate is cooled in a vacuum during the pretreatment process, the problem of contamination of the substrate does not occur, and the cooling process can be performed in a short time.
また、本発明によれば、冷却工程の終了後、当該基板に対して成膜用マスクの位置合わせを行い、さらに、前記成膜用マスクを介して有機層(例えばホール輸送層及び少なくとも1色の有機発光層)の形成を行うことから、前処理工程後における基板の熱膨張を阻止することができ、これにより基板と成膜用マスクとの正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を形成することが可能になる。 In addition, according to the present invention, after the cooling step is completed, the film formation mask is aligned with respect to the substrate, and the organic layer (for example, the hole transport layer and at least one color is interposed through the film formation mask) The organic light-emitting layer) can prevent thermal expansion of the substrate after the pretreatment step, thereby accurately aligning the substrate and the film-forming mask, thereby providing a fine organic light-emitting layer. Can be formed.
さらに、本発明においては、前処理工程の際に第一冷却工程と第二冷却工程を行うことから、基板の温度を常に一定に保持することができるので、基板と成膜用マスクとの位置合わせをより正確に行うことができる。 Further, in the present invention, since the performing first cooling step and a second cooling step during the pretreatment step, it is possible to maintain the temperature of the substrate constant at all times, the position of the substrate and the deposition mask Matching can be performed more accurately.
そして、本発明によれば、有機層形成の前に基板と成膜用マスクとの正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を効率良く形成可能な有機EL素子製造装置を提供することができる。 Then, according to this onset bright, to provide an efficient formable organic EL device manufacturing apparatus a fine organic light-emitting layer by performing a precise alignment between the substrate and the deposition mask in front of the organic layer formation Can do.
本発明によれば、有機層形成の前に基板と成膜用マスクとの正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を形成することができる。 According to the present invention, a precise organic light-emitting layer can be formed by accurately aligning the substrate and the deposition mask before forming the organic layer.
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明に係る有機EL素子製造装置の第1の実施の形態を示す要部概略構成図、図2(a)(b)は、同実施の形態における前処理部の処理手順を示す概略構成図である。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a main part showing a first embodiment of an organic EL element manufacturing apparatus according to the present invention, and FIGS. 2A and 2B show a processing procedure of a preprocessing unit in the same embodiment. It is a schematic block diagram shown.
図1に示すように、本実施の形態の有機EL素子製造装置1は、基板10に対して前処理を行う前処理部2と、基板10上に有機発光層を蒸着形成する有機発光層形成部3とを有している。
As shown in FIG. 1, the organic EL
これら前処理部2及び有機発光層形成部3の後述する各室は、図示しない真空排気系に接続され、真空雰囲気下で図示しない搬送ロボットを用いて基板10の受け渡しを行うように構成されている。
The chambers to be described later of the
本実施の形態の前処理部2は、基板搬送室20の周囲に、基板仕込室21、ベーク室22、冷却室23、前処理室24が配設されて構成されている。
The
ここで、ベーク室22内には、図示しないマルチホットプレートが設けられ、このマルチホットプレートによって基板10に対して短時間で安定して加熱を行うようになっている。
Here, a multi-hot plate (not shown) is provided in the
一方、冷却室23内には、図示しないマルチ冷却プレートが設けられ、このマルチ冷却プレートによって基板10に対して短時間で安定して冷却を行うようになっている。
On the other hand, a multi-cooling plate (not shown) is provided in the
また、前処理室24は、例えば、ラジカルソースにより発生させた酸素(O2)プラズマを用いて基板10の表面のコンディショニングを行うように構成されている。
そして、基板搬送室20の後段には、基板受け渡し室25を介して第1の微調室26が設けられている。
The
A first fine-
この第1の微調室26は、マスク供給室27から基板受け渡し室25を介して供給された成膜用マスク(以下「マスク」という。)11に対し、図示しないアライメント機構を用いて基板10を位置合わせして組み付けるように構成されている。
The first fine-
本実施の形態の有機発光層形成部3は、上記第1の微調室26の後段に設けられた第1の有機蒸着室30Rを有している。
The organic light emitting
そして、第1の有機蒸着室30Rは、第1の搬送室31から受け渡されたマスク付き基板12を搬送しつつ、ホール輸送層用の有機材料と、例えば光の3原色のうち赤色発光用の第1の有機材料を基板10上に連続的に蒸着するように構成されている。
The first organic vapor deposition chamber 30 </ b> R transports the
第1の有機蒸着室30Rの後段には、第2の搬送室32と第2の微調室32aが隣接して設けられている。
この第2の微調室32aは、第2の第2の搬送室32から受け渡されたマスク付き基板12に対し、マスク11の位置を、次に行う有機材料の蒸着位置に対応してずらす機能を有している。
A
The second
そして、第2の搬送室32の後段には、第2の有機蒸着室30Gが設けられている。
A second organic vapor deposition chamber 30 </ b> G is provided downstream of the
この第2の有機蒸着室30Gは、第2の搬送室32から受け渡されたマスク付き基板12を搬送しつつ、例えば緑色発光用の第2の有機材料を基板10上に連続的に蒸着するように構成されている。
The second
第2の有機蒸着室30Gの後段には、第3の搬送室33と第3の微調室33aが隣接して設けられている。
この第3の微調室33aは、第3の搬送室33から受け渡されたマスク付き基板10に対し、マスク11の位置を、次に行う有機材料の蒸着位置に対応してずらす機能を有している。
A
The third of the
そして、第3の搬送室33の後段には、第3の有機蒸着室30Bが設けられている。
この第3の有機蒸着室30Bは、第3の搬送室33から受け渡されたマスク付き基板12を搬送しつつ、例えば青色発光用の第3の有機材料を基板10上に連続的に蒸着するように構成されている。
A third organic vapor deposition chamber 30 </ b> B is provided at the subsequent stage of the
The third
そして、第3の有機蒸着室30Bの後段には、第4の搬送室34が設けられ、さらに、この第4の搬送室34の後段には、マスク取り外し室35とマスク搬出室36が隣接して設けられている。
また、マスク取り外し室35の後段には、図示しない後処理工程部に基板10を搬送するための基板搬送室37が設けられている。
A
Further, a
このような構成を有する本実施の形態において基板10上に有機層を形成する際には、まず、図2(a)に示すように、基板仕込室21を介して基板搬送室20内に搬入された基板10を、ベーク室22に搬入して真空中で加熱を行った後、冷却室23において真空中で基板10を冷却する。
When the organic layer is formed on the
そして、前処理室24において基板10に対して真空プラズマ処理を行い、さらに、図2(b)に示すように、このプラズマ処理によって加熱された基板10を再び冷却室23に搬入して真空中で冷却する。
さらに、この基板10とマスク11を第1の微調室26に移送し、これら基板10とマスク11を位置合わせをして組み付ける。
Then, a vacuum plasma treatment is performed on the
Further, the
そして、第1の有機層蒸着室30Rにおいて、基板10上にホール輸送層及び第1の有機材料層を形成した後、図1に示すように、順次、マスク付き基板12を第2〜第3の有機層蒸着室30G、30Bに移送し、マスク11の位置をずらしながら各色の有機材料の蒸着を行う。
Then, after forming the hole transport layer and the first organic material layer on the
以上述べたように本実施の形態にあっては、前処理工程の際に真空中で基板10を冷却することから、基板10の汚染の問題は発生せず、しかも短時間で冷却処理を行うことができる。
As described above, in the present embodiment, since the
また、冷却工程の終了後、基板10に対してマスク11の位置合わせを行い、さらに、このマスク11を介してホール輸送層及び有機発光層の形成を行うことから、前処理工程後における基板10の熱膨張を阻止することができ、これにより基板10とマスク11との正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を形成することが可能になる。
In addition, after the cooling process is completed, the
さらに、本実施の形態では、加熱工程及び真空プラズマ処理工程の後にそれぞれ基板10を冷却することから、基板10の温度を常に一定に保持することができ、これにより基板10とマスク11との位置合わせをより正確に行うことができる。
Furthermore, in this embodiment, since the
そして、本実施の形態の有機EL素子製造装置1によれば、有機層形成の前に基板10とマスク11との正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を効率良く形成可能な有機EL素子製造装置を提供することができる。
And according to the organic EL
図3は、本発明に係る有機EL素子製造装置の第2の実施の形態を示す概略構成図である。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the organic EL element manufacturing apparatus according to the present invention.
図3に示すように、本実施の形態の有機EL素子製造装置100は、第1〜第4の基板搬送室100、110、120、130が、それぞれ受け渡し室140、150、160を介して連結され、順次、基板200に対して所定の処理を行い搬送するように構成されている。
As shown in FIG. 3, in the organic EL
ここで、第1〜第3の基板搬送室100、110、120の周囲に設けられた後述する各室は、図示しない真空排気系に接続され、真空雰囲気下で図示しない搬送ロボットを用いて基板200の受け渡しを行うように構成されている。
Here, each chamber, which will be described later, provided around the first to third
第1の基板搬送室100の周囲には、上記実施の形態と同様の処理を行う基板仕込室102、第1及び第2のベーク室103,104、冷却室105と、紫外線照射によってクリーニング処理を行うUVクリーニング室106が配設されている。
Around the first
第2の基板搬送室110の周囲には、上記実施の形態と同様の処理を行う冷却室111、前処理室112、ホール層蒸着室113、第1及び第2の有機層蒸着室114、115と、マスク201をストックしておくマスクストック室116が配設されている。
Around the second
第3の基板搬送室120の周囲には、上記実施の形態と同様の処理を行う第3の有機層蒸着室121、電極形成室122〜124と、マスク201をストックしておくマスクストック室125が配設されている。
Around the third
本実施の形態の場合は、ホール層蒸着室113、第1〜第3の有機層蒸着室114、115、121に、基板200とマスク201を位置合わせするためのアライメント機構(図示せず)が設けられ、位置合わせ室を兼用するようになっている。
In the case of the present embodiment, an alignment mechanism (not shown) for aligning the
第4の基板搬送室130の周囲には、封止工程を行うための各処理室、すなわち、レジン塗布室131、乾燥剤貼り付け室132、封止ガラスUVクリーニング室133、貼り合わせ室134と、デバイスを取り出すデバイス取出室135が配設されている。
Around the fourth
このような構成を有する本実施の形態において基板200上に有機層を形成する際には、上記実施の形態と同様に、まず基板仕込室102を介して基板搬送室100内に搬入された基板200を、第1及び第2のベーク室103,104に搬入して真空中で加熱を行った後、冷却室105において真空中で基板200を冷却する。
When the organic layer is formed on the
次に、基板200をUVクリーニング室106に搬送してUVクリーニングを行い、このUVクリーニングによって加熱された基板200を冷却室105に搬入して冷却を行う。
Next, the
そして、基板200を前処理室111に搬送して基板200に対して真空プラズマ処理を行い、さらに、このプラズマ処理によって加熱された基板200を冷却室112に搬入して真空中で冷却する。
Then, the
さらに、ホール層蒸着室113において基板200とマスク201の位置合わせをし、基板200上にホール輸送層を形成する。
Further, the
その後、順次、第1〜第3の有機層蒸着室114、115、121に移送し、マスク201の位置をずらしながら各色の有機材料の蒸着を行う。
After that, the materials are sequentially transferred to the first to third organic
以上述べたように本実施の形態においても、前処理工程の際に真空中で基板200を冷却することから、基板200の汚染の問題は発生せず、しかも短時間で冷却処理を行うことができる。
As described above, also in this embodiment, since the
また、冷却工程の終了後、基板200に対してマスク201の位置合わせを行い、さらに、このマスク201を介してホール輸送層及び有機発光層の形成を行うことから、前処理工程後における基板200の膨張を阻止することができ、これにより基板200とマスク201との正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を形成することが可能になる。
In addition, after the cooling process is completed, the
さらに、本実施の形態においても、加熱工程及び真空プラズマ処理工程の後にそれぞれ基板200を冷却することから、基板200の温度を常に一定に保持することができ、これにより基板200とマスク201との位置合わせをより正確に行うことができる。
Furthermore, also in this embodiment, since the
そして、本実施の形態の有機EL素子製造装置100によれば、有機層形成の前に基板200とマスク201との正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を効率良く形成可能な有機EL素子製造装置を提供することができる。
And according to the organic EL
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上述の実施の形態においては、基板上に光の3原色の有機層を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、例えば単色の有機層を形成する場合に適用することも可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made.
For example, in the above-described embodiment, the case where the organic layers of the three primary colors of light are formed on the substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and is applied to the case where, for example, a monochromatic organic layer is formed. It is also possible to do.
1…有機EL素子製造装置 2…前処理部 3…有機発光層形成部 10…基板 11…成膜用マスク 12…マスク付き基板 22…ベーク室 23…冷却室 24…前処理室 26…第1の微調室
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記前処理工程は、
前記基板加熱室内において真空中で前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後、当該基板を真空中で冷却プレートにより冷却する第一冷却工程と、
前記第一冷却工程の後、前記前処理室内において真空中で当該基板をプラズマ処理する真空プラズマ処理工程と、
前記真空プラズマ処理工程後、前記冷却室内において真空中で当該基板を冷却プレートにより冷却する第二冷却工程と、を有し、
前記第二冷却工程の終了後、真空中で当該基板に対して成膜用マスクの位置合わせを行い、さらに、真空中で前記成膜用マスクを介して有機層の形成を行う工程を有する有機EL素子製造方法。 Around the substrate transfer chamber connected to the vacuum exhaust system , the substrate preparation chamber, the substrate heating chamber, the cooling chamber provided with the multi-cooling plate, and the pretreatment section having the pretreatment chamber are used to transfer the substrate in vacuum. And the organic EL element manufacturing method which performs the pre-processing process with respect to the said board | substrate,
The pretreatment step includes
A heating step of heating the substrate in a vacuum in the substrate heating chamber;
After the heating step, a first cooling step of cooling the substrate with a cooling plate in vacuum,
After the first cooling step, a vacuum plasma processing step of plasma processing the substrate in a vacuum in the pretreatment chamber;
A second cooling step of cooling the substrate with a cooling plate in a vacuum in the cooling chamber after the vacuum plasma treatment step,
After completion of the second cooling step, the organic film has a step of aligning the film formation mask with respect to the substrate in vacuum , and further forming an organic layer through the film formation mask in vacuum EL element manufacturing method.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005076760A JP4780983B2 (en) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | Organic EL device manufacturing method |
TW095107065A TWI406442B (en) | 2005-03-17 | 2006-03-02 | Method for manufacturing organic el device and organic el device manufacturing apparatus |
KR1020060024554A KR101229595B1 (en) | 2005-03-17 | 2006-03-16 | Method for manufacturing organic el device and organic el device manufacturing apparatus |
CNA2006100596744A CN1835258A (en) | 2005-03-17 | 2006-03-17 | Manufacturing method and device of organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005076760A JP4780983B2 (en) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | Organic EL device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006260939A JP2006260939A (en) | 2006-09-28 |
JP4780983B2 true JP4780983B2 (en) | 2011-09-28 |
Family
ID=37002930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005076760A Active JP4780983B2 (en) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | Organic EL device manufacturing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4780983B2 (en) |
KR (1) | KR101229595B1 (en) |
CN (1) | CN1835258A (en) |
TW (1) | TWI406442B (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5081516B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-11-28 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | Vapor deposition method and vapor deposition apparatus |
CN102439195B (en) * | 2010-04-27 | 2014-09-03 | 株式会社新柯隆 | Process for production of semiconductor light-emitting element substrate |
JP5771372B2 (en) * | 2010-08-02 | 2015-08-26 | 株式会社アルバック | Plasma processing apparatus and pretreatment method |
JP5843779B2 (en) * | 2010-10-12 | 2016-01-13 | 株式会社カネカ | Organic EL device manufacturing equipment |
CN102054910B (en) * | 2010-11-19 | 2013-07-31 | 理想能源设备(上海)有限公司 | LED chip process integration system and treating method thereof |
EP3787016B1 (en) * | 2013-12-26 | 2023-09-20 | Kateeva, Inc. | Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices |
KR102300039B1 (en) | 2014-08-04 | 2021-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus |
JP6605657B1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-13 | キヤノントッキ株式会社 | Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method |
KR20210080776A (en) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film-forming system and substrate conveying system |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001072091A1 (en) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing organic el display |
JP2003208977A (en) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method of organic el device and its equipment, electrooptic equipment, and electronic device |
JP4368633B2 (en) * | 2002-08-01 | 2009-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing equipment |
JP2004171862A (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Seiko Epson Corp | Manufacturing device of organic el device, manufacturing method of organic el device, organic el device and electronic equipment |
CN1736129B (en) * | 2003-01-10 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | Light emitting element and method for manufacturing the same |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005076760A patent/JP4780983B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-02 TW TW095107065A patent/TWI406442B/en active
- 2006-03-16 KR KR1020060024554A patent/KR101229595B1/en active IP Right Grant
- 2006-03-17 CN CNA2006100596744A patent/CN1835258A/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006260939A (en) | 2006-09-28 |
CN1835258A (en) | 2006-09-20 |
KR101229595B1 (en) | 2013-02-04 |
TW200644312A (en) | 2006-12-16 |
KR20060101324A (en) | 2006-09-22 |
TWI406442B (en) | 2013-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4780983B2 (en) | Organic EL device manufacturing method | |
JP5043394B2 (en) | Vapor deposition apparatus and operation method thereof | |
US7964037B2 (en) | Deposition apparatus | |
CN106256925B (en) | Vacuum evaporation apparatus, method for manufacturing evaporated film, and method for manufacturing organic electronic device | |
KR102106414B1 (en) | Depositing chamber, depositing system comprising the same and method for manufacturing organic light emitting diode display | |
US20100170439A1 (en) | Vapor deposition apparatus | |
KR101230997B1 (en) | Substrate processing system | |
JP5173175B2 (en) | Vapor deposition equipment | |
JP4538650B2 (en) | Vapor deposition equipment | |
JP2001229828A5 (en) | ||
JP2006330684A (en) | Mask cleaning apparatus, mask cleaning method, method of forming vapor-deposited film, device for manufacturing el display device, and method of manufacturing el display device | |
JP2006309994A (en) | Base plate for transfer, transfer method, and manufacturing method of display device | |
WO2012039383A1 (en) | Vacuum processing apparatus and method for forming organic thin film | |
JP2003332052A (en) | Device and method for manufacturing organic electroluminescent display element | |
KR20070048491A (en) | Substrate processing system | |
JP4450589B2 (en) | Deposition equipment | |
JP7296204B2 (en) | Film forming apparatus, organic device manufacturing apparatus, and organic device manufacturing method | |
KR102456282B1 (en) | Vacuum apparatus, deposition apparatus, and gate valve | |
KR101088828B1 (en) | Deposition apparatus for organic el and evaporating apparatus | |
JP4327544B2 (en) | Deposition equipment | |
JP2008285698A (en) | Film deposition apparatus | |
KR20150081951A (en) | Apparatus of deposition and method of deposition using the same | |
JP2021106260A (en) | Deposition apparatus, deposition method, and method for manufacturing electronic device | |
JP5511767B2 (en) | Vapor deposition equipment | |
WO2013180204A1 (en) | Method and device for fabricating protective film for light emitting element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101227 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110705 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110705 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4780983 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |