JP4780500B2 - 超音波トランスデューサ - Google Patents
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Description
fLn=VL/λ=(2n-1)VL/(2d)
fSn=VS/λ=(2n-1)VS/(2d)
((2n-1)次モード、n=1, 2, 3...、λ:圧電体層内での波長)と表される。
fLn≒2(2n-1)VS/(2d)
fSn≒(2n-1)VS/(2d)
となる。即ち、横波共振周波数fSnはVS/(2d)のほぼ奇数倍になるのに対して、縦波共振周波数fLnはVS/(2d)のほぼ偶数倍になる。
従って、非特許文献1及び2に記載のトランスデューサは、縦波と横波を同一周波数で励振させることができず、それゆえ、縦波と横波を同時に励振することもできない。
第1の圧電体層と第2の圧電体層を上下電極の間に設けて成る超音波トランスデューサにおいて、
前記第1圧電体層の分極ベクトル(第1分極ベクトル)がトランスデューサに平行な面(トランスデューサ面)の法線に対して傾斜するように配向しており、
前記第2圧電体層の分極ベクトル(第2分極ベクトル)が前記法線に対して傾斜するように配向しており、
前記第1分極ベクトルのトランスデューサ面への射影が前記第2分極ベクトルのトランスデューサ面への射影と逆方向であり、
前記第1分極ベクトルの前記法線への射影が、前記第2分極ベクトルの前記法線への射影と同方向である、
ことを特徴とする。
fL1=VL/λ=VL/(2d)
fS2=2VS/λ=VS/d
と表される。ここで、dは第1圧電体層111と第2圧電体層112を合わせた圧電体層11全体の厚さ、即ちd1+d2である。前述のように、圧電体層内での縦波の音速VLは圧電体層内での横波の音速VSのおよそ2倍であるため、上式にVL≒2VSを代入すると、
fL1≒2VS/(d1+d2)
fS2≒2VS/(d1+d2)
、即ち、
fL1≒fS2
となる。このように、本発明に係るトランスデューサにより、縦波の共振周波数と横波の共振周波数をほぼ一致させることができる。
電気機械結合定数k'15はθ=28°において最大となり、9 °〜54°において0.2以上の値となる。一般に放射媒質(トランスデューサから放射された振動を伝搬させる媒質であり、例えば、非破壊検査では被測定物に該当する。)中では縦波よりも横波の方が減衰しやすいことから、横波への変換損失を抑えて横波の強度を高めるためには、θ1やθ2の絶対値は、電気機械結合定数k'15が上記の値以上となる9°〜54°とすることが望ましい。
一方、k'15とk'33はθ=12°において同じ値となる。縦波と横波を同程度の変換効率で励振させる場合には、θ1やθ2の絶対値は12°程度とするとよい。
図9に、第1圧電体層211及び第2圧電体層212につき、X線回折測定により得られた、上記所定位置における(0002)面極点図を示す。極点図では、仰角ψ=32°、方位角φ=90°付近を中心とする第1圧電体層211での回折による強度分布411と、仰角ψ=26°、方位角φ=270°付近を中心とする第2圧電体層212での回折による強度分布412が見られる。
11…圧電体層
111、211…第1圧電体層
112、222…第2圧電体層
121、221…上部電極
122、222…下部電極
131…第1圧電体層111の法線
132…第2圧電体層112の法線
24…石英製基板
30…RFマグネトロンスパッタリング装置
31、31A…陽極
32、32A…陰極
33、33A…マグネトロン回路
34…基板台
39…ZnOターゲット
411…第1圧電体層211での回折による強度分布
412…第2圧電体層212での回折による強度分布
50…トランスデューサ製造装置
51…基板搬送装置
52…スリット
Claims (6)
- 第1の圧電体層と第2の圧電体層を上下電極の間に設けて成る超音波トランスデューサにおいて、
前記第1圧電体層の分極ベクトルである第1分極ベクトルが超音波トランスデューサに平行な面の法線に対して傾斜するように配向しており、
前記第2圧電体層の分極ベクトルである第2分極ベクトルが前記法線に対して傾斜するように配向しており、
前記第1分極ベクトルの前記面への射影が、前記第2圧電体層の分極ベクトルの前記面への射影と逆方向であり、
前記第1分極ベクトルの前記法線への射影が、前記第2圧電体層の分極ベクトルの前記法線への射影と同方向である、
ことを特徴とする超音波トランスデューサ。 - 前記法線と前記第1分極ベクトルの成す角度の絶対値と、前記法線と前記第2分極ベクトルの成す角度の絶対値が略同一であることを特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ。
- 前記第1圧電体層の厚さと前記第2圧電体層の厚さが略同一であることを特徴とする請求項1又は2に記載の超音波トランスデューサ。
- 前記第1圧電体層及び前記第2圧電体層の材料がウルツ鉱構造を有するものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の超音波トランスデューサ。
- 前記第1圧電体層及び前記第2圧電体層の材料が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項4に記載の超音波トランスデューサ。
- 前記法線と前記第1分極ベクトルの成す角度の絶対値と、前記法線と前記第2分極ベクトルの成す角度の絶対値が5°〜45°であることを特徴とする請求項5に記載の超音波トランスデューサ。
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