JP4780287B2 - DC / DC converter - Google Patents
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Description
本発明は、DC/DCコンバータに関し、特に、昇圧型DC/DCコンバータに関する。 The present invention relates to a DC / DC converter, in particular, it relates to a step-up DC / DC converter.
この技術分野において周知のように、DC/DCコンバータとは、ある電圧レベルの直流電圧(電源入力電圧)を他の電圧レベルの直流電圧(電源出力電圧)に変換する電力変換器のことをいう。DC/DCコンバータはスイッチングレギュレータとも呼ばれる。ここで、電源入力電圧の電圧レベルよりも電源出力電圧の電圧レベルが高いDC/DCコンバータは昇圧型DC/DCコンバータと呼ばれ、電源入力電圧の電圧レベルよりも電源出力電圧の電圧レベルが低いDC/DCコンバータは降圧型DC/DCコンバータと呼ばれる。本発明は、特に、昇圧型DC/DCコンバータに係る。 As is well known in this technical field, a DC / DC converter refers to a power converter that converts a DC voltage (power supply input voltage) at a certain voltage level into a DC voltage (power supply output voltage) at another voltage level. . The DC / DC converter is also called a switching regulator. Here, a DC / DC converter in which the voltage level of the power supply output voltage is higher than the voltage level of the power supply input voltage is called a step-up DC / DC converter, and the voltage level of the power supply output voltage is lower than the voltage level of the power supply input voltage. The DC / DC converter is called a step-down DC / DC converter. The present invention particularly relates to a step-up DC / DC converter.
昇圧型DC/DCコンバータでは、トランジスタをスイッチング素子として用い、これをスイッチングさせ、電源入力電圧をいったん交流電圧に変えて、インダクタやトランスなどのインダクタンス素子によって電圧を昇圧した後、整流することによって、電源入力電圧を電源出力電圧に変換する。 In a step-up DC / DC converter, a transistor is used as a switching element, this is switched, a power supply input voltage is once changed to an AC voltage, a voltage is boosted by an inductance element such as an inductor or a transformer, and then rectified. Converts power input voltage to power output voltage.
図1を参照して、従来の昇圧型DC/DCコンバータ10について説明する。昇圧型DC/DCコンバータ10には、電源入力端子VINと、スイッチ端子SWと、電源出力端子VOUTと、フィードバック端子FBとを持つ。電源入力端子VINと接地端子との間には、図示しない入力電源から電源入力電圧Vinが印加される。電源入力電圧Vinは例えば12Vである。
A conventional step-up DC /
電源入力端子VINとスイッチ端子SWとの間には、インダクタL1が接続されている。すなわち、インダクタL1の一端は電源入力端子VINに接続され、インダクタL1の他端は、スイッチ端子SWに接続されている。 An inductor L1 is connected between the power input terminal VIN and the switch terminal SW. That is, one end of the inductor L1 is connected to the power input terminal VIN, and the other end of the inductor L1 is connected to the switch terminal SW.
スイッチ端子SWと電源出力端子VOUTとの間にはショットキーバリアダイオードSBDが接続されている。すなわち、ショットキーバリアダイオードSBDのアノードはスイッチ端子SWに接続され、ショットキーバリアダイオードSBDのカソードは電源出力端子VOUTに接続されている。 A Schottky barrier diode SBD is connected between the switch terminal SW and the power supply output terminal VOUT. That is, the anode of the Schottky barrier diode SBD is connected to the switch terminal SW, and the cathode of the Schottky barrier diode SBD is connected to the power output terminal VOUT.
電源出力端子VOUTと接地端子との間には、出力コンデンサCoutが接続されている。この出力コンデンサCoutの両端間には電源入力電圧Vinよりも高い電源出力電圧Voutが生成される。電源出力電圧Voutは例えば32Vである。図示の例では、出力コンデンサCoutは1μFの容量値を持つ。 An output capacitor Cout is connected between the power supply output terminal VOUT and the ground terminal. A power supply output voltage Vout higher than the power supply input voltage Vin is generated between both ends of the output capacitor Cout. The power supply output voltage Vout is, for example, 32V. In the illustrated example, the output capacitor Cout has a capacitance value of 1 μF.
出力コンデンサCoutと並列に第1及び第2の抵抗器R1、R2が直列に接続されている。詳述すると、第1の抵抗器R1の一端は出力端子VOUTに接続され、第1の抵抗器R1の他端は第2の抵抗器R2の一端に接続され、第2の抵抗器R2の他端は接地端子に接続されている。第1の抵抗器R1と第2の抵抗器R2との接続点はフィードバック端子FBに接続されている。図示の例において、第1の抵抗器R1は150kΩの抵抗値を持ち、第2の抵抗器R2は10kΩの抵抗値を持つ。したがって、電源出力電圧Voutが32Vの場合、フィードバック端子FBには2Vのフィードバック電圧VFBが現れる。 First and second resistors R1 and R2 are connected in series in parallel with the output capacitor Cout. More specifically, one end of the first resistor R1 is connected to the output terminal VOUT, the other end of the first resistor R1 is connected to one end of the second resistor R2, and other than the second resistor R2. The end is connected to the ground terminal. A connection point between the first resistor R1 and the second resistor R2 is connected to the feedback terminal FB. In the illustrated example, the first resistor R1 has a resistance value of 150 kΩ, and the second resistor R2 has a resistance value of 10 kΩ. Therefore, when the power supply output voltage Vout is 32V, a feedback voltage VFB of 2V appears at the feedback terminal FB.
とにかく、第1及び第2の抵抗器R1、R2の組み合わせは、電源出力電圧Voutを検出して、フィードバック電圧VFBを出力する出力電圧検圧手段(分圧器)として動作する。 In any case, the combination of the first and second resistors R1 and R2 operates as output voltage detection means (voltage divider) that detects the power supply output voltage Vout and outputs the feedback voltage VFB .
スイッチ端子SWと接地端子との間には、スイッチング素子11が接続されている。図示のスイッチング素子11は、制御端子としてゲートを持つNチャネルFETで構成されている。スイッチング素子11はインダクタL1を周期的に接地端子へショートするためのものである。インダクタL1をショートすると、インダクタL1に磁気的エネルギーが蓄えられる。このショートが解除されると、インダクタL1の両端の電圧と直流入力電圧Vinとが組み合わさった電圧が、ショットキーバリアダイオードSBDを介して、昇圧電圧(電源出力電圧)Voutとして出力コンデンサCoutに蓄えられる。尚、スイッチング素子11のオン/オフは、後述するパルス幅変調(PWM)信号によって制御される。
A
昇圧型DC/DCコンバータ10は、発振器(OSC)12と、基準電圧発生回路13と、ソフトスタート回路14と、誤差増幅器15と、パルス幅変調(PWM)比較器16とを更に有する。
The step-up DC /
発振器12は、電源入力端子VINと接地端子との間に接続され、三角波の発振信号を発振する。三角波の発振信号の代わりに、発振器12はノコギリ波の発振信号を発振しても良い。
The
基準電圧発生回路13は、電源入力端子VINと接地端子との間に接続され、基準電圧Vrefを発生する。図示の例では、基準電圧発生回路13は、2Vの基準電圧Vrefを発生する。この基準電圧Vrefは、後述するソフトスタート回路14を介して、誤差増幅器15の反転入力端子に印加される。誤差増幅器15の非反転入力端子には、前述したフィードバック端子FBからフィードバック電圧VFBが供給される。誤差増幅器15は、ソフトスタート回路14の出力電圧とフィードバック電圧VFBとの間の差を求めて、誤差信号を出力する。誤差信号はPWM比較器16の反転入力端子に供給される。PWM比較器16の非反転入力端子には、発振器12からの発振信号が供給される。PWM比較器16は、誤差信号と発振信号とを比較して、上記パルス幅変調(PWM)信号をスイッチング素子11のゲートへ供給する。
The reference
このような構成の昇圧型DC/DCコンバータ10において、入力電源を投入すると、ソフトスタート回路14により、誤差増幅器15の反転入力端子の電位は0Vから2Vの基準電圧Vrefまでゆっくりと立ち上がる。これにより、電源出力電圧Voutの昇圧スピードを押さえて、電源出力端子VOUTへの突入電流等を抑えている。
In the step-up DC /
尚、本発明に関連する先行技術文献として、ソフトスタートが働く電源立上げ時から、帰還回路により負荷側出力を出力設定電圧に維持する通常動作時へ移行する際に発生するオーバシュート電圧を抑制するようにした「スイッチングレギュレータ」が知られている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に開示されているスイッチングレギュレータでは、三角波電圧を発生する三角波発生器と、誤差増幅器と、ソフトスタート回路とを備え、コンパレータは、ソフトスタート回路の出力電圧と誤差増幅器の出力電圧との低い方の電圧と三角波電圧とを比較している。そして、ソフトスタート回路と誤差増幅器との間にクランプ回路を設け、ソフトスタート回路の出力から誤差増幅器の出力までの上限値を設定している。
In addition, as a prior art document related to the present invention, an overshoot voltage generated when a power supply is activated to start a normal operation in which the load side output is maintained at an output set voltage by a feedback circuit is suppressed. A “switching regulator” is known (see, for example, Patent Document 1). The switching regulator disclosed in
しかしながら、従来の昇圧型DC/DCコンバータ10は、電源投入時等に各回路部品の電位が不安定なときに、誤動作が起き易いという問題がある。
However, the conventional step-up DC /
図2にその誤動作の一例を示す。図2において、(A)は電源出力端子VOUTでの電源出力電圧Voutを示し、(B)はスイッチ端子SWでの電圧VSWを示し、(C)はフィードバック端子FBでのフィードバック電圧VFBを示し、(D)はインダクタL1に入力する入力電流Iinを示す。 FIG. 2 shows an example of the malfunction. 2, the (A) shows the power supply output voltage Vout at the power output terminal VOUT, (B) shows the voltage V SW at the switching terminal SW, (C) is a feedback voltage V FB at the feedback terminal FB (D) shows the input current Iin input to the inductor L1.
図2の例では、時刻が0.0秒で入力電源を投入し、その後、時刻が1.0ミリ秒で、制御をオンとした例である。ソフトスタート回路14は、時刻が1.0ミリ秒から3.0ミリ秒までの2ミリ秒間の間、動作している。換言すれば、ソフトスタート回路14は、制御がオンした1.0ミリ秒の時刻で動作を開始し、2ミリ秒の時間をかけて、誤差増幅器15の反転入力端子の電位を、0Vから2Vの基準電圧Vrefまでゆっくりと立ち上げている。
In the example of FIG. 2, the input power is turned on at the time of 0.0 seconds, and then the control is turned on at the time of 1.0 milliseconds. The
制御をオンした1.0ミリ秒の時刻の直後に、インダクタL1へは400mAのピーク電流であるパルス状の入力電流Iinが流れている。これにより、図2(B)に示されるように、スイッチ端子SWでの電圧VSWが脈動し、図2(A)及び(C)に示されるように、電源出力電圧Vout及びフィードバック電圧VFBも急激に上昇していることが分かる。すなわち、制御をオンとした直後に、従来の昇圧型DC/DCコンバータ10において誤動作が起きている。
Immediately after the 1.0 millisecond time point when the control is turned on, a pulsed input current Iin having a peak current of 400 mA flows to the inductor L1. Thus, as shown in FIG. 2 (B), the voltage V SW at the switching terminal SW is pulsated, as shown in FIG. 2 (A) and (C), power supply output voltage Vout and the feedback voltage V FB It can be seen that the rate is rising rapidly. That is, a malfunction occurs in the conventional step-up DC /
また、従来の誤差増幅器15では、ループゲインを下げるために、その出力段に位相補償用のコンデンサ及び抵抗器を接続している。
Further, in the
図3に従来の昇圧型DC/DCコンバータ10の電源投入時の動作を説明するためのタイムチャートを示す。図3において、(A)は電源入力電圧Vinを示し、(B)は誤差増幅器15の出力電圧を示し、(C)は電源出力電圧Voutを示す。
FIG. 3 shows a time chart for explaining the operation of the conventional step-up DC /
電源投入時、従来のDC/DCコンバータ10では、誤差増幅器15の出力電圧は位相補償用コンデンサの充電のために、論理ハイレベルに張り付いた状態で立ち上がる(図3(B)参照)。誤差増幅器15の出力電圧が論理ハイレベルに張り付いている期間T1の間、DC/DCコンバータ10の電源出力電圧Voutは急激に上がり続けてしまう。電源投入後からこの期間T1の間中、DC/DCコンバータ10の電源出力電圧Voutは上がり続けるため、従来の昇圧型DC/DCコンバータ10では目的の電源出力電圧を得ることが出来ない(図3(C)参照)。尚、上記期間T1は、例えば、数ミリ秒である。
When the power is turned on, in the conventional DC /
尚、上記特許文献1に開示されたスイッチングレギュレータは、ソフトスタート回路の配置が、図1に示したような本発明が対象としているDC/DCコンバータとは異なり、構成が全く相違するものである。
Note that the switching regulator disclosed in
したがって、本発明の課題は、電源投入時の誤動作を防止することが出来るDC/DCコンバータを提供することにある。 Therefore, the subject of this invention is providing the DC / DC converter which can prevent the malfunctioning at the time of power activation.
本発明の第1の態様によれば、発振信号を発振する発振器(12)と、基準電圧(Vref)を発生する基準電圧発生回路(13)と、前記基準電圧発生回路に接続され、電源投入時に0Vから前記基準電圧まで徐々に上昇した電圧を出力するソフトスタート回路(14)と、電源出力電圧(Vout)を検出してフィードバック電圧(VFB)を出力する出力電圧検出手段(R1,R2)と、前記ソフトスタート回路の出力電圧と前記フィードバック電圧との差を求めて、誤差信号を出力する誤差増幅器(15)と、前記誤差信号と前記発振信号とを比較して、パルス幅変調信号を生成してインダクタ(L1)に接続されたスイッチング素子(11)へ供給するパルス幅変調比較器(16A)であって、前記パルス幅変調信号により前記スイッチング素子をオン/オフし、前記スイッチング素子(11)をオンすることにより前記インダクタ(L1)へ入力電流を流して前記インダクタ(L1)に磁気的エネルギーを蓄えさせる、前記パルス幅変調器(16A)と、前記電源投入時に、前記パルス幅変調比較器の出力電圧を所定の期間(T 2 )だけ強制的に実質的に零電位にするイニシャル回路(18A)と、有するDC/DCコンバータ(10B)であって、前記イニシャル回路(18A)は、一端が接地端子に接続されたコンデンサ(C3)と、前記コンデンサの他端に接続され、制御回路のオンに応答して、前記コンデンサを充電する充電手段(M14〜M17)と、前記コンデンサの他端に第1のゲートが接続され、第1のソースが前記接地端子に接続され、第1のドレインが抵抗器(R6)を介して電源入力端子(VIN)に接続された第1のNチャネルFETから成り、前記コンデンサ(C3)の充電期間に等しい前記所定の期間(T 2 )の間、前記第1のドレインから論理Hレベルのイニシャル信号を出力する手段(M18)と、前記パルス幅変調比較器(16A)の出力端子と前記接地端子との間に接続され、前記第1のドレインに第2のゲートが接続され、第2のソースが前記接地端子に接続され、第2のドレインが前記パルス幅変調比較器(16A)の出力端子に接続された第2のNチャネルFETから成り、前記イニシャル信号に応答してオンすることにより、前記パルス幅変調比較器の出力端子を実質的に零電位にして、前記スイッチング素子(11)をオフにし、前記インダクタ(L1)に流れる前記入力電流を前記所定の期間(T 2 )だけ零にするスイッチ手段(M19)と、を有することを特徴とするDC/DCコンバータ(10B)が得られる。 According to the first aspect of the present invention, an oscillator (12) that oscillates an oscillation signal, a reference voltage generation circuit (13) that generates a reference voltage (Vref), and the reference voltage generation circuit are connected and turned on. A soft start circuit (14) that outputs a voltage that gradually increases from 0V to the reference voltage, and output voltage detection means (R1, R2) that detects a power supply output voltage (Vout) and outputs a feedback voltage (V FB ) ), The difference between the output voltage of the soft start circuit and the feedback voltage, and an error amplifier (15) that outputs an error signal, and the error signal and the oscillation signal are compared, and a pulse width modulation signal a generates a pulse width modulation comparator for supplying to the inductor connected to the switching element (L1) (11) (16A ), said switch by the pulse width modulated signal On / off grayed element, the cause switching element (11) by supplying an input current to said inductor (L1) by turning on the stored magnetic energy to said inductor (L1), said pulse width modulator (16A ), And an initial circuit (18A) forcing the output voltage of the pulse width modulation comparator to substantially zero potential for a predetermined period (T 2 ) when the power is turned on, and a DC / DC converter (10B) The initial circuit (18A) is connected to the capacitor (C3) having one end connected to the ground terminal and the other end of the capacitor, and charges the capacitor in response to turning on of the control circuit. A first gate is connected to the charging means (M14 to M17) and the other end of the capacitor, a first source is connected to the ground terminal, and a first drain is connected Comprises a first N-channel FET connected via anti vessels the (R6) to the power input terminal (VIN), during said predetermined time period is equal to the charging period of the capacitor (C3) (T 2), said first 1 is connected between the output terminal of the pulse width modulation comparator (16A) and the ground terminal, and the second drain is connected to the second drain. And a second source connected to the ground terminal and a second drain connected to the output terminal of the pulse width modulation comparator (16A). By turning on in response to the signal, the output terminal of the pulse width modulation comparator is made substantially zero potential, the switching element (11) is turned off, and the current flows through the inductor (L1). Wherein said input current predetermined period (T 2) by the switching means (M19) to zero, DC / DC converter, characterized in Rukoto to have a (10B) is obtained.
本発明の第2の態様によれば、発振信号を発振する発振器(12)と、基準電圧(Vref)を発生する基準電圧発生回路(13)と、前記基準電圧発生回路に接続され、電源投入時に0Vから前記基準電圧まで徐々に上昇した電圧を出力するソフトスタート回路(14)と、電源出力電圧(Vout)を検出してフィードバック電圧(VFB)を出力する出力電圧検出手段(R1,R2)と、前記ソフトスタート回路の出力電圧と前記フィードバック電圧との差を求めて、誤差信号を出力する誤差増幅器(15A;15B)と、前記誤差信号と前記発振信号とを比較して、パルス幅変調信号を生成してインダクタ(L1)に接続されたスイッチング素子(11)へ供給するパルス幅変調比較器(16A)であって、前記パルス幅変調信号により前記スイッチング素子をオン/オフし、前記スイッチング素子(11)をオンすることにより前記インダクタ(L1)へ入力電流を流して前記インダクタ(L1)に磁気的エネルギーを蓄えさせる、前記パルス幅変調器(16A)と、前記電源投入時に、前記誤差増幅器及び前記パルス幅変調比較器の両方の出力電圧を所定の期間(T 2 )だけ強制的に実質的に零電位にするイニシャル回路(18B)と、を有するDC/DCコンバータ(10C)であって、前記イニシャル回路(18B)は、一端が接地端子に接続された第1のコンデンサ(C3)と、前記第1のコンデンサの他端に接続され、制御回路のオンに応答して、前記第1のコンデンサを充電する充電手段(M14〜M17)と、前記第1のコンデンサの他端に第1のゲートが接続され、第1のソースが前記接地端子に接続され、第1のドレインが第1の抵抗器(R6)を介して電源入力端子(VIN)に接続された第1のNチャネルFETから成り、前記第1のコンデンサ(C3)の充電期間に等しい前記所定の期間(T 2 )の間、前記第1のドレインから論理Hレベルのイニシャル信号を出力する手段(M18)と、前記誤差増幅器(15A;15B)及び前記パルス幅変調比較器(16A)の出力端子と前記接地端子との間に接続され、前記第1のドレインに第2のゲートが接続され、第2のソースが前記接地端子に接続され、第2のドレインが前記パルス幅変調比較器(16A)の出力端子に接続された第2のNチャネルFETから成り、前記イニシャル信号に応答してオンすることにより、前記誤差増幅器(15A;15B)及び前記パルス幅変調比較器(16A)の出力端子を実質的に零電位にして、前記スイッチング素子(11)をオフにし、前記インダクタ(L1)に流れる前記入力電流を前記所定の期間(T 2 )だけ零にする第1のスイッチ手段(M19)と、を有し、前記誤差増幅器(15A;15B)は、中間ノード(B)と当該誤差増幅器の出力端子との間に、位相補償用の第2のコンデンサ(C1)と第2の抵抗器(R5)とを含む出力段であって、前記中間ノード(B)に第3のゲートが接続され、電源入力端子に第3のソースが接続された第1のPチャネルFET(M10)と、該第1のPチャネルFETの第3のドレインに第4のゲートが接続され、第4のソースが前記誤差増幅器の出力端子に接続された第3のNチャネルFET(M12)とを有する、前記出力段と、前記第3のNチャネルFETの第4のドレインと前記電源入力端子との間に接続され、前記第3のNチャネルFETの第4のドレインに第5のドレインが接続され、第5のゲートに前記イニシャル信号を受け、第5のソースが前記電源入力端子に接続された第2のPチャネルFETから成り、前記イニシャル信号に応答してオフすることより、前記第3のNチャネルFETに貫通電流が流れるのを阻止する第2のスイッチ手段(M13)と、前記電源入力端子と前記中間ノード(B)との間に接続され、前記中間ノードに第6のドレインが接続され、第6のゲートに前記イニシャル信号を反転した信号を受け、第6のソースが前記電源入力端子に接続された第3のPチャネルFETから成り、前記イニシャル信号を反転した信号に応答してオンすることにより、前記位相補償用の第2のコンデンサの充電を急速に行うための第3のスイッチ手段(M11)と、を有することを特徴とするDC/DCコンバータ(10C)が得られる。 According to the second aspect of the present invention, an oscillator (12) that oscillates an oscillation signal, a reference voltage generation circuit (13) that generates a reference voltage (Vref), and the reference voltage generation circuit are connected and turned on. A soft start circuit (14) that outputs a voltage that gradually increases from 0V to the reference voltage, and output voltage detection means (R1, R2) that detects a power supply output voltage (Vout) and outputs a feedback voltage (V FB ) ), And the difference between the output voltage of the soft start circuit and the feedback voltage, and an error amplifier (15A; 15B) that outputs an error signal is compared with the error signal and the oscillation signal to obtain a pulse width. a generates a modulated signal PWM comparator for supplying to the inductor (L1) connected to a switching element (11) (16A), before the said pulse width modulated signal The switching element is turned on / off, causing accumulated magnetic energy of the switching element (11) by supplying an input current to said inductor (L1) by turning on the said inductor (L1), said pulse width modulator (16A ) and, before the SL at power, and the error amplifier and the pulse width both of the output voltage a predetermined time period modulation comparator (T 2) by forcing substantially initial circuit to zero voltage (18B), The initial circuit (18B) includes a first capacitor (C3) having one end connected to a ground terminal and the other end of the first capacitor. Charging means (M14 to M17) for charging the first capacitor in response to turning on of the control circuit, and a first gate connected to the other end of the first capacitor A first N channel FET having a first source connected to the ground terminal and a first drain connected to a power input terminal (VIN) via a first resistor (R6), Means (M18) for outputting a logic H level initial signal from the first drain during the predetermined period (T 2 ) equal to the charging period of the first capacitor (C3) ; and the error amplifier (15A; 15B) and an output terminal of the pulse width modulation comparator (16A) and the ground terminal, a second gate is connected to the first drain, and a second source is connected to the ground terminal. The second drain is composed of a second N-channel FET connected to the output terminal of the pulse width modulation comparator (16A), and is turned on in response to the initial signal, whereby the error amplifier (1 5A; 15B) and the output terminal of the pulse width modulation comparator (16A) are set to substantially zero potential, the switching element (11) is turned off, and the input current flowing through the inductor (L1) is set to the predetermined value. First switch means (M19) for zeroing for a period (T 2 ), and the error amplifier (15A; 15B) is between the intermediate node (B) and the output terminal of the error amplifier, An output stage including a second capacitor (C1) for phase compensation and a second resistor (R5), a third gate is connected to the intermediate node (B), and a third input terminal is connected to the power input terminal. A first P-channel FET (M10) connected to the source of the first P-channel FET, a fourth gate connected to the third drain of the first P-channel FET, and the fourth source connected to the output terminal of the error amplifier. Connected third N channel ET (M12), connected between the output stage, the fourth drain of the third N-channel FET and the power input terminal, and connected to the fourth drain of the third N-channel FET. A fifth drain is connected, the initial signal is received by a fifth gate, and a fifth source is formed of a second P-channel FET connected to the power input terminal, and is turned off in response to the initial signal. Thus, the second switch means (M13) for preventing a through current from flowing through the third N-channel FET is connected between the power input terminal and the intermediate node (B), and the intermediate node A sixth drain is connected to the first gate, a sixth gate receives a signal obtained by inverting the initial signal, and a sixth source includes a third P-channel FET connected to the power input terminal. DC switch comprising third switch means (M11) for rapidly charging the second capacitor for phase compensation by turning on in response to a signal obtained by inverting the initial signal. / DC converter (10C) is obtained.
上記DC/DCコンバータにおいて、前記所定の期間が、前記ソフトスタート回路がその出力電圧を0Vから前記基準電圧まで上昇するのに要する時間より短くて良い。上記DC/DCコンバータは昇圧型であって良い。 In the DC / DC converter, the predetermined period may be shorter than the time required for the soft start circuit to increase its output voltage from 0V to the reference voltage. The DC / DC converter may be a boost type.
尚、上記括弧内の符号は、本発明の理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、これらに限定されないのは勿論である。 In addition, the code | symbol in the said parenthesis is attached | subjected in order to make an understanding of this invention easy, and it is only an example, and of course is not limited to these.
本発明では、イニシャル回路が、電源投入時に、誤差増幅器及びパルス幅変調比較器のうち少なくとも一方の出力電圧を所定の期間だけ強制的に実質的に零電位にするので、電源投入時の誤動作を防止することができるという効果を奏する。 In the present invention, the initial circuit forcibly sets the output voltage of at least one of the error amplifier and the pulse width modulation comparator to substantially zero potential for a predetermined period when the power is turned on. There is an effect that it can be prevented.
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図4を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る昇圧型DC/DCコンバータ10Aについて説明する。図示の昇圧型DC/DCコンバータ10Aは、イニシャル回路18を更に備えていると共に、誤差増幅器が後述するように変更されている点を除いて、図1に示した従来の昇圧型DC/DCコンバータ10と同様の構成を有し、動作をする。従って、誤差増幅器に15Aの参照符号を付してある。図1に示したものと同様の機能を有するものには同一の参照符号を付して、説明の簡略化のためにそれらの説明については省略する。
With reference to FIG. 4, a step-up DC /
図示のイニシャル回路18は、ソフトスタート回路14が動作を開始した時点から所定の期間(後述する)だけ誤差増幅器15Aの出力電圧を強制的に実質的に零電位にする回路である。
The illustrated
図5を参照して、図4に図示した昇圧型DC/DCコンバータ10Aの動作について説明する。図5において、(A)は電源出力端子VOUTでの電源出力電圧Voutを示し、(B)はスイッチ端子SWでの電圧VSWを示し、(C)はフィードバック端子FBでのフィードバック電圧VFBを示し、(D)は出力コンデンサCoutへ流れ込む出力電流Ioutを示し、(E)はインダクタL1に入力する入力電流Iinを示す。
With reference to FIG. 5, the operation of the step-up DC /
図5の例では、時刻が0.1ミリ秒で入力電源を投入し、その後、時刻が1.0ミリ秒で、制御をオンとした例である。ソフトスタート回路14は、時刻が1.0ミリ秒から3.0ミリ秒までの2ミリ秒間の間、動作している。換言すれば、ソフトスタート回路14は、制御がオンした1.0ミリ秒の時刻で動作を開始し、2ミリ秒の時間をかけて、誤差増幅器15Aの反転入力端子の電位を、0Vから2Vの基準電圧Vrefまでゆっくりと立ち上げている。
In the example of FIG. 5, the input power is turned on at a time of 0.1 milliseconds, and then the control is turned on at a time of 1.0 milliseconds. The
また、制御をオンした1.0ミリ秒の時刻から、イニシャル回路18は、1.0ミリ秒の所定の期間だけ誤差増幅器15Aの出力電圧を強制的に実質的に零電位にする。その結果、図5(E)に示されるように、インダクタL1へ流れる入力電流Iinがその所定の期間の間だけ零となっている。これにより、図5(B)に示されるように、スイッチ端子SWでの電圧VSWもその所定の期間の間、脈動することなく一定で、図5(A)、(C)および(D)に示されるように、電源出力電圧Vout、フィードバック電圧VFB、および出力電流Ioutもその所定の期間の間、一定となる。従って、制御をオンしても、昇圧型DC/DCコンバータ10Aでは誤動作が起きることはない。
Further, from the time of 1.0 millisecond when the control is turned on, the
すなわち、昇圧型DC/DCコンバータ10Aは、電源投入時の誤動作を防止することができる。
That is, the step-up DC /
次に、図6を参照して、図4に図示したイニシャル回路18の具体的な回路例について、誤差増幅器15A及びインバータ回路20と共に説明する。
Next, a specific circuit example of the
最初に誤差増幅器15Aの回路例について説明する。誤差増幅器15Aは、第1及び第2のnpn形バイポーラトランジスタQ1及びQ2を有する。第1のnpn形バイポーラトランジスタQ1のベースは抵抗器R3を介してフィードバック端子FBに接続されている。第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のベースは抵抗器R4を介してソフトスタート回路14の出力端子に接続されている。第1のnpn形バイポーラトランジスタQ1のコレクタは、第1の電界効果トランジスタM1を介して電源入力端子VINに接続されている。第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のコレクタは、第2の電界効果トランジスタM2を介して電源入力端子VINに接続されている。
First, a circuit example of the
詳述すると、第1及び第2の電界効果トランジスタM1及びM2の各々はPチャネルFETから成る。第1の電界効果トランジスタM1のドレインとゲートは第1のnpn形バイポーラトランジスタQ1のコレクタに接続され、第1の電界効果トランジスタM1のソースとサブストレートは電源入力端子VINに接続されている。第2の電界効果トランジスタM2のドレインは第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のコレクタに接続され、第2の電界効果トランジスタM2のゲートは第1のnpn形バイポーラトランジスタQ1のコレクタに接続され、第2の電界効果トランジスタM2のソースとサブストレートは電源入力端子に接続されている。すなわち、第1及び第2の電界効果トランジスタM1及びM2の組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 More specifically, each of the first and second field effect transistors M1 and M2 comprises a P-channel FET. The drain and gate of the first field effect transistor M1 are connected to the collector of the first npn-type bipolar transistor Q1, and the source and substrate of the first field effect transistor M1 are connected to the power input terminal VIN. The drain of the second field effect transistor M2 is connected to the collector of the second npn bipolar transistor Q2, the gate of the second field effect transistor M2 is connected to the collector of the first npn bipolar transistor Q1, and the second The source and substrate of the field effect transistor M2 are connected to the power input terminal. That is, a current mirror circuit is configured by a combination of the first and second field effect transistors M1 and M2.
第1及び第2のnpn形バイポーラトランジスタQ1及びQ2のエミッタは、互いに接続されて、第3の電界効果トランジスタM3を介して接地されている。詳述すると、第3の電界効果トランジスタM3はNチャネルFETから成る。第3の電界効果トランジスタM3のドレインは、第1及び第2のnpn形バイポーラトランジスタQ1及びQ2のエミッタに接続されている。第3の電界効果トランジスタM3のソースとサブストレートは接地端子に接続されている。 The emitters of the first and second npn-type bipolar transistors Q1 and Q2 are connected to each other and grounded via the third field effect transistor M3. More specifically, the third field effect transistor M3 is composed of an N-channel FET. The drain of the third field effect transistor M3 is connected to the emitters of the first and second npn bipolar transistors Q1 and Q2. The source and substrate of the third field effect transistor M3 are connected to the ground terminal.
第3の電界効果トランジスタM3のゲートは、外部の電界効果トランジスタM0を介してバイアス回路(図示せず)に接続されている。詳述すると、電界効果トランジスタM0はNチャネルFETから成る。電界効果トランジスタM0のゲートとドレインは、バイアス回路と第3の電界効果トランジスタM3のゲートとに接続されている。電界効果トランジスタM0のソースとサブストレートは接地端子に接続されている。従って、外部の電界効果トランジスタM0と第3の電界効果トランジスタM3との組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 The gate of the third field effect transistor M3 is connected to a bias circuit (not shown) via an external field effect transistor M0. More specifically, the field effect transistor M0 is composed of an N-channel FET. The gate and drain of the field effect transistor M0 are connected to the bias circuit and the gate of the third field effect transistor M3. The source and substrate of the field effect transistor M0 are connected to the ground terminal. Therefore, a current mirror circuit is configured by a combination of the external field effect transistor M0 and the third field effect transistor M3.
第3の電界効果トランジスタM3のゲートは、第4の電界効果トランジスタM4のゲートに接続されている。第4の電界効果トランジスタM4はNチャネルFETから成る。第4の電界効果トランジスタM4のソースとサブストレートは接地端子に接続されている。すなわち、外部の電界効果トランジスタM0と第4の電界効果トランジスタM4との組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 The gate of the third field effect transistor M3 is connected to the gate of the fourth field effect transistor M4. The fourth field effect transistor M4 is composed of an N-channel FET. The source and substrate of the fourth field effect transistor M4 are connected to the ground terminal. That is, a current mirror circuit is configured by a combination of the external field effect transistor M0 and the fourth field effect transistor M4.
第4の電界効果トランジスタM4のドレインは、第5及び第6の電界効果トランジスタM5及びM6を介して電源入力端子VINに接続されている。詳述すると、第5及び第6の電界効果トランジスタM5及びM6の各々はPチャネルFETで構成されている。第5の電界効果トランジスタM5のドレインとゲートは、第4の電界効果トランジスタM4のドレインに接続されている。第5の電界効果トランジスタM5のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。第6の電界効果トランジスタM6のゲートは、第4の電界効果トランジスタM4のドレインに接続されている。第6の電界効果トランジスタM5のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。すなわち、第5及び第6の電界効果トランジスタM5及びM6の組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 The drain of the fourth field effect transistor M4 is connected to the power supply input terminal VIN via the fifth and sixth field effect transistors M5 and M6. More specifically, each of the fifth and sixth field effect transistors M5 and M6 is composed of a P-channel FET. The drain and gate of the fifth field effect transistor M5 are connected to the drain of the fourth field effect transistor M4. The source and substrate of the fifth field effect transistor M5 are connected to the power input terminal VIN. The gate of the sixth field effect transistor M6 is connected to the drain of the fourth field effect transistor M4. The source and substrate of the sixth field effect transistor M5 are connected to the power input terminal VIN. That is, a current mirror circuit is configured by a combination of the fifth and sixth field effect transistors M5 and M6.
第6の電界効果トランジスタM6のドレインは、第7乃至第9の電界効果トランジスタM7、M8、およびM9を介して接地端子に接続されている。詳述すると、第7乃至第9の電界効果トランジスタM7〜M9の各々はNチャネルFETから構成されている。第7の電界効果トランジスタM7のドレインとゲートは、第6の電界効果トランジスタM6のドレインに接続されている。第7の電界効果トランジスタM7のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。第8の電界効果トランジスタM8のゲートは、第6の電界効果トランジスタM6のドレインに接続されている。第8の電界効果トランジスタM8のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。すなわち、第7及び第8の電界効果トランジスタM7及びM8の組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。第9の電界効果トランジスタM9のゲートは、第6の電界効果トランジスタM6のドレインに接続されている。第9の電界効果トランジスタM9のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。すなわち、第7及び第9の電界効果トランジスタM7及びM9の組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 The drain of the sixth field effect transistor M6 is connected to the ground terminal via the seventh to ninth field effect transistors M7, M8, and M9. More specifically, each of the seventh to ninth field effect transistors M7 to M9 is composed of an N-channel FET. The drain and gate of the seventh field effect transistor M7 are connected to the drain of the sixth field effect transistor M6. The source and substrate of the seventh field effect transistor M7 are connected to the ground terminal. The gate of the eighth field effect transistor M8 is connected to the drain of the sixth field effect transistor M6. The source and substrate of the eighth field effect transistor M8 are connected to the ground terminal. That is, the current mirror circuit is configured by a combination of the seventh and eighth field effect transistors M7 and M8. The gate of the ninth field effect transistor M9 is connected to the drain of the sixth field effect transistor M6. The source and substrate of the ninth field effect transistor M9 are connected to the ground terminal. That is, a current mirror circuit is configured by a combination of the seventh and ninth field effect transistors M7 and M9.
尚、第9の電界効果トランジスタM9のドレインは、誤差増幅器15Aの出力端子Aに接続されている。
The drain of the ninth field effect transistor M9 is connected to the output terminal A of the
第8の電界効果トランジスタM8のドレインは、第10の電界効果トランジスタM10を介して電源入力端子VINに接続されている。詳述すると、第10の電界効果トランジスタM10はPチャネルFETから構成されている。第10の電界効果トランジスタM10のドレインは第8の電界効果トランジスタM8のドレインに接続されている。第10の電界効果トランジスタM10のゲートは、第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のコレクタに接続されている。第10の電界効果トランジスタM10のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。 The drain of the eighth field effect transistor M8 is connected to the power supply input terminal VIN via the tenth field effect transistor M10. More specifically, the tenth field effect transistor M10 is composed of a P-channel FET. The drain of the tenth field effect transistor M10 is connected to the drain of the eighth field effect transistor M8. The gate of the tenth field effect transistor M10 is connected to the collector of the second npn bipolar transistor Q2. The source and substrate of the tenth field effect transistor M10 are connected to the power input terminal VIN.
尚、第10の電界効果トランジスタM10のゲート(第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のコレクタ)は、中間ノードBに接続されている。この中間ノードBは、コンデンサC1及び抵抗器R5を介して、誤差増幅器15の出力端子Aに接続されている。これらコンデンサC1と抵抗器R5は、誤差増幅器15Aのループゲインを下げるための位相補償用である。
Note that the gate of the tenth field effect transistor M10 (the collector of the second npn-type bipolar transistor Q2) is connected to the intermediate node B. The intermediate node B is connected to the output terminal A of the
すなわち、誤差増幅器15Aは、中間ノードBと出力端子Aとの間に、位相補償用のコンデンサC1と抵抗器R5とを含む出力段を備えている。
That is, the
従来の誤差増幅器15とは異なり図示の誤差増幅器15Aでは、第10の電界効果トランジスタM10に第11の電界効果トランジスタM11が接続されている。詳述すると、第11の電界効果トランジスタM11はPチャネルFETで構成されている。第11の電界効果トランジスタM11のドレインは第10の電界効果トランジスタM10のゲート(中間ノードB)に接続されている。第11の電界効果トランジスタM11のゲートは、後述するインバータ回路20の出力端子に接続され、第11の電界効果トランジスタM11のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。後の説明で明らかになるように、この第11の電界効果トランジスタM11は、位相補償用コンデンサC1の充電を急速に行うためのものである。
Unlike the
第10の電界効果トランジスタM10のドレインは、コンデンサC2を介して接地端子に接続されると共に、第12の電界効果トランジスタM12のゲートに接続されている。第12の電界効果トランジスタM12はNチャネルFETで構成されている。第12の電界効果トランジスタM12のソースは第9の電界効果トランジスタM9のドレインに接続され、第12の電界効果トランジスタM12のサブストレートは接地端子に接続されている。すなわち、この第12の電界効果トランジスタM12は、誤差増幅器15Aの出力ソースフォロアを構成している。
The drain of the tenth field effect transistor M10 is connected to the ground terminal via the capacitor C2, and is also connected to the gate of the twelfth field effect transistor M12. The twelfth field effect transistor M12 is composed of an N-channel FET. The source of the twelfth field effect transistor M12 is connected to the drain of the ninth field effect transistor M9, and the substrate of the twelfth field effect transistor M12 is connected to the ground terminal. That is, the twelfth field effect transistor M12 constitutes an output source follower of the
従来の誤差増幅器15とは異なり図示の誤差増幅器15Aでは、第12の電界効果トランジスタM12のドレインは、第13の電界効果トランジスタM13のドレインを介して電源入力端子VINに接続されている。詳述すると、第13の電界効果トランジスタM13はPチャネルFETで構成されている。第13の電界効果トランジスタM13のドレインは、第12の電界効果トランジスタM12のドレインに接続されている。第13の電界効果トランジスタM13のゲートは、後述するイニシャル回路18に接続されている。第13の電界効果トランジスタM13のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。
Unlike the
このように、誤差増幅器15Aの出力ソースフォロアの電源側(電源入力端子VIN)に第13の電界効果トランジスタM13を接続することによって、電源投入時に論理Hレベルをキープするイニシャル信号(後述する)によって、誤差増幅器15Aの出力電圧Aが確実に論理Lレベルからスタートするようにしている。
In this way, by connecting the thirteenth field effect transistor M13 to the power source side (power input terminal VIN) of the output source follower of the
このような構成の誤差増幅器15Aは、第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のベースに供給されるソフトスタート回路14の出力電圧と、第1のnpn形バイポーラトランジスタQ1のベースに供給されるフィードバック端子FBからのフィードバック電圧VFBとの間の差を増幅して、その出力端子Aから誤差信号を出力する。
The
次に、イニシャル回路18について説明する。図示のイニシャル回路18は、第14乃至第19の電界効果トランジスタM14〜M19と、コンデンサC3と、抵抗器R6とから構成されている。
Next, the
詳述すると、第14及び第15の電界効果トランジスタM14及びM15の各々はNチャネルFETで構成されている。第14の電界効果トランジスタM14のゲートとドレインは、図示しないバイアス回路に接続されている。第14の電界効果トランジスタM14のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。第15の電界効果トランジスタM15のゲートは、第14の電界効果トランジスタM14のゲートに接続されている。第15の電界効果トランジスタM15のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。すなわち、第14及び第15の電界効果トランジスタM14及びM15の組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 Specifically, each of the fourteenth and fifteenth field effect transistors M14 and M15 is composed of an N-channel FET. The gate and drain of the fourteenth field effect transistor M14 are connected to a bias circuit (not shown). The source and substrate of the fourteenth field effect transistor M14 are connected to the ground terminal. The gate of the fifteenth field effect transistor M15 is connected to the gate of the fourteenth field effect transistor M14. The source and substrate of the fifteenth field effect transistor M15 are connected to the ground terminal. That is, a current mirror circuit is configured by a combination of the fourteenth and fifteenth field effect transistors M14 and M15.
第15の電界効果トランジスタM15のドレインは、第16及び第17の電界効果トランジスタM16及びM17を介して電源入力端子VINに接続されている。第16及び第17の電界効果トランジスタM16及びM17の各々はPチャネルFETで構成されている。第16の電界効果トランジスタM16のゲートとドレインは、第15の電界効果トランジスタM15のドレインに接続されている。第16の電界効果トランジスタM16のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。第17の電界効果トランジスタM17のゲートは、第16の電界効果トランジスタM16のゲートに接続されている。第17の電界効果トランジスタM17のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。すなわち、第16及び第17の電界効果トランジスタM16及びM17の組み合わせによってカレントミラー回路が構成されている。 The drain of the fifteenth field effect transistor M15 is connected to the power supply input terminal VIN via the sixteenth and seventeenth field effect transistors M16 and M17. Each of the sixteenth and seventeenth field effect transistors M16 and M17 is composed of a P-channel FET. The gate and drain of the sixteenth field effect transistor M16 are connected to the drain of the fifteenth field effect transistor M15. The source and substrate of the sixteenth field effect transistor M16 are connected to the power input terminal VIN. The gate of the seventeenth field effect transistor M17 is connected to the gate of the sixteenth field effect transistor M16. The source and substrate of the seventeenth field effect transistor M17 are connected to the power input terminal VIN. That is, a current mirror circuit is configured by a combination of the sixteenth and seventeenth field effect transistors M16 and M17.
第17の電界効果トランジスタM17のドレインは、コンデンサC3を介して接地端子に接続されると共に、第18の電界効果トランジスタM18のゲートに接続されている。第18の電界効果トランジスタM18はNチャネルFETで構成されている。第18の電界効果トランジスタM18のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。第18の電界効果トランジスタM18のドレインは、抵抗器R6を介して電源入力端子VINに接続されている。 The drain of the seventeenth field effect transistor M17 is connected to the ground terminal via the capacitor C3, and is connected to the gate of the eighteenth field effect transistor M18. The eighteenth field effect transistor M18 is composed of an N-channel FET. The source and substrate of the eighteenth field effect transistor M18 are connected to the ground terminal. The drain of the eighteenth field effect transistor M18 is connected to the power supply input terminal VIN via the resistor R6.
尚、第18の電界効果トランジスタM18のドレインからイニシャル信号が出力される。そして、第18の電界効果トランジスタM18のドレインは、前述した誤差増幅器15Aの第13の電界効果トランジスタM13のゲートにも接続されている。
An initial signal is output from the drain of the eighteenth field effect transistor M18. The drain of the eighteenth field effect transistor M18 is also connected to the gate of the thirteenth field effect transistor M13 of the
更に、第18の電界効果トランジスタM18のドレインは、第19の電界効果トランジスタM19のゲートにも接続されている。第19の電界効果トランジスタM19は、NチャネルFETで構成されている。第19の電界効果トランジスタM19のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。第19の電界効果トランジスタM19のドレインは、前述した誤差増幅器15Aの出力端子Aに接続されている。
Further, the drain of the eighteenth field effect transistor M18 is also connected to the gate of the nineteenth field effect transistor M19. The nineteenth field effect transistor M19 is composed of an N-channel FET. The source and substrate of the nineteenth field effect transistor M19 are connected to the ground terminal. The drain of the nineteenth field effect transistor M19 is connected to the output terminal A of the
図示の例では、第19の電界効果トランジスタM19はイニシャル回路18に含まれているが、この第19の電界効果トランジスタM19は、誤差増幅器15Aに含まれてもよい。何故なら、この第19の電界効果トランジスタM19は、第18の電界効果トランジスタM18のドレインから出力される、電源投入時に論理Hレベルをキープするイニシャル信号によって、誤差増幅器15Aの出力電圧Aを論理Lレベルに抑える働きをするトランジスタだからである。とにかく、第19の電界効果トランジスタM19は、出力端子Aと接地端子との間に接続されて、イニシャル信号に応答してオンすることにより、出力端子Aを実質的に零電位にする第1のスイッチ手段として働く。
In the illustrated example, the nineteenth field effect transistor M19 is included in the
次に、インバータ回路20について説明する。インバータ回路20は、第20及び第21の電界効果トランジスタM20及びM21から構成されている。第20の電界効果トランジスタM20はPチャネルFETから構成され、第21の電界効果トランジスタM21はNチャネルFETから構成されている。第20及び第21の電界効果トランジスタM20及びM21のゲートは、互いに接続されて、上記イニシャル回路18の第18の電界効果トランジスタM18のドレインに接続されている。第20の電界効果トランジスタM20のソースとサブストレートは、電源入力端子VINに接続されている。第21の電界効果トランジスタM21のソースとサブストレートは、接地端子に接続されている。第20及び第21の電界効果トランジスタM20及びM21のドレインは、互いに接続されて、上記誤差増幅器15Aの第11の電界効果トランジスタM11のゲートに接続されている。
Next, the
上述したように、従来の誤差増幅器15と本発明に係る誤差増幅器15Aとの間の相違点は、本発明に係る誤差増幅器15Aが、第11の電界効果トランジスタM11と第13の電界効果トランジスタM13とを(場合によっては、第19の電界効果トランジスタM19をも)更に備えていることである。
As described above, the difference between the
次に、図7を参照して、図6に示した回路の動作について説明する。図7において、(A)は電源入力電圧Vinを示し、(B)はイニシャル回路18から出力されるイニシャル信号を示し、(C)は誤差増幅器15Aの出力電圧Aを示し、(D)は昇圧型DC/DCコンバータ10Aの電源出力電圧Voutを示す。また、図6において、前述したように、誤差増幅器15Aの第2のnpn形バイポーラトランジスタQ2のコレクタは中間ノードBに接続されている。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. 7A shows the power supply input voltage Vin, FIG. 7B shows the initial signal output from the
図示しない制御回路がオンすると、バイアス回路からイニシャル回路18及び誤差増幅器15Aにバイアス電流が供給されて、イニシャル回路18及び誤差増幅器15Aは動作を開始する。
When a control circuit (not shown) is turned on, a bias current is supplied from the bias circuit to the
制御回路がオンした時点では、イニシャル回路18のコンデンサC3は充電されていないので、コンデンサC3の両端電圧は0Vである。従って、第18の電界効果トランジスタM18はオフし、第19の電界効果トランジスタM19はオンする。すなわち、コンデンサC3の充電期間のみ、第18の電界効果トランジスタM18はオフし続け、第19の電界効果トランジスタM19はオンし続ける。このコンデンサC3の充電期間は、イニシャル回路18の所定の期間(イニシャル期間)T2に等しい(図7(B)参照)。このイニシャル期間T2の間、イニシャル回路18から出力されるイニシャル信号は、論理Hレベルをキープする。尚、このイニシャル期間T2は、例えば、0.5ミリ秒〜1ミリ秒の範囲にある。
Since the capacitor C3 of the
第18の電界効果トランジスタM18はオフ状態であるので、イニシャル期間T2の間、インバータ回路20の入力端子および誤差増幅器15Aの第13の電界効果トランジスタM13のゲートには、論理Hレベルの電圧(イニシャル信号)が供給される。その結果、イニシャル期間T2の間、第13の電界効果トランジスタM13はオフ状態となる。とにかく、第13の電界効果トランジスタM13は、NチャネルFETである第12の電界効果トランジスタM12のドレインと電源入力端子VINとの間に接続されて、第12の電界効果トランジスタM12に貫通電流が流れるのを阻止する第2のスイッチ手段として動作する。
Since the field-effect transistor M18 of the 18 is in the off state, during the initial period T 2, the 13th gate of the field effect transistor M13 of the input terminal and the
インバータ回路20には、論理Hレベルの電圧(イニシャル信号)が入力するので、インバータ回路20は、イニシャル期間T2の間、論理Lレベルの電圧を出力する。インバータ回路20からの論理Lレベルの電圧は、誤差増幅器15Aの第11の電界効果トランジスタM11のゲートに供給される。従って、イニシャル期間T2の間、第11の電界効果トランジスタM11はオン状態となる。その結果、誤差増幅器15Aの中間ノードBは、イニシャル期間T2の間、論理Hレベルに維持される。換言すれば、第11の電界効果トランジスタM11を追加することによって、位相補償用コンデンサC1の充電を急速に行い、電源立上げ時に、イニシャル信号が論理Hレベルをキープする時間(イニシャル期間)T2を短縮することができる。とにかく、第11の電界効果トランジスタM11は、電源入力端子VINと中間ノードBとの間に接続されて、イニシャル信号を反転した信号に応答してオンすることにより、位相補償用のコンデンサC1の充電を急速に行うための第3のスイッチ手段として働く。
The
一方、第19の電界効果トランジスタM19はオン状態であるので、イニシャル期間T2の間、誤差増幅器15Aの出力端子Aは、強制的に、論理Lレベルの電圧、すなわち、実質的に零電位に維持される(図7(C)参照)。
On the other hand, since the field effect transistor M19 of the 19 is in the ON state, during the initial period T 2, the output terminal A of the
尚、イニシャル期間T2の間、誤差増幅器15Aの出力端子Aは論理Lレベルの電圧に、中間ノードBは論理Hレベルの電圧に維持される。このとき、図6に示されるような、貫通電流Iが第12の電界効果トランジスタM12を流れるので、第13の電界効果トランジスタM13をオフにしている。これにより、誤差増幅器15Aの出力電圧Aを確実に論理Lレベルからスタートするようにしている。
Incidentally, during the initial period T 2, the output terminal A is logic L level of the voltage of the
イニシャル回路18のコンデンサC3の充電が完了して、その充電期間T2が経過すると、第18の電界効果トランジスタM18はオンし、第19の電界効果トランジスタQ19はオフする。その結果、イニシャル回路18による誤差増幅器15Aのイニシャル動作が終了するので、それ以降、誤差増幅器15Aは通常の動作を行う。
Charging is completed capacitor C3
図6に示した誤差増幅器15Aでは、フィードバック電圧VFBとソフトスタート回路14の出力電圧とをそれぞれ受けるメイントランジスタとして、第1及び第2のnpn形バイポーラトランジスタQ1及びQ2を備えているが、バイポーラトランジスタの代わりに電界効果トランジスタを使用しても良い。
The
図8に、全てのトランジスタを電界効果トランジスタで構成した、別の誤差増幅器15Bの例を示す。以下では、図6に示したものと同様の構成要素には同一の参照符号を付してそれらの説明については省略し、異なる点についてのみ説明する。
FIG. 8 shows an example of another
誤差増幅器15Bは、第1及び第2のnpn形バイポーラトランジスタQ1及びQ2の代わりに、第1及び第2のメイン電界効果トランジスタM22及びM23を有する。第1及び第2のメイン電界効果トランジスタM22及びM23の各々はPチャネルFETから成る。第1のメイン電界効果トランジスタM22のゲートにはフィードバック電圧VFBが供給され、第2のメイン電界効果トランジスタM23のゲートにはソフトスタート回路14の出力電圧が供給されている。第1及び第2のメイン電界効果トランジスタM22及びM23のソースとサブストレートは、互いに接続されて、第2の電界効果トランジスタM2のドレインに接続されている。
The
誤差増幅器15Bは、第3の電界効果トランジスタM3の代わりに一対の電界効果トランジスタM31、M32を備え、第4の電界効果トランジスタM4の代わりに一対の電界効果トランジスタM41、M42を備え、第7の電界効果トランジスタM7の代わりに一対の電界効果トランジスタM71、M72を備えている。また、誤差増幅器15Bは、図6の例ではイニシャル回路18に備えられてた、第19の電界効果トランジスタM19を更に有する。外部の電界効果トランジスタM0の代わりに、一対の電界効果トランジスタM01、M02と抵抗器R7を有する。また、誤差増幅器15Bは、誤差増幅器15Aに備えられていたコンデンサC2が省かれている。
The
バイアス回路と誤差増幅器15Bとの間に、一対の電界効果トランジスタM01、M02と抵抗器R7とが接続されている。電界効果トランジスタM01、M02の各々はNチャネルFETから成る。電界効果トランジスタM01のゲートはバイアス回路の出力端子に接続され、電界効果トランジスタM01のドレインは抵抗器R7を介してバイアス回路の出力端子に接続されている。電界効果トランジスタM01のサブストレートは接地端子に接続されている。電界効果トランジスタM01のソースは電界効果トランジスタM02のドレインに接続されている。電界効果トランジスタM02のソースとサブストレートは接地端子に接続され、電界効果トランジスタM02のゲートは電界効果トランジスタM01のドレインに接続されている。
A pair of field effect transistors M01 and M02 and a resistor R7 are connected between the bias circuit and the
電界効果トランジスタM31、M32の各々はNチャネルFETから成る。電界効果トランジスタM31のゲートはバイアス回路の出力端子に接続され、電界効果トランジスタM31のドレインは第1の電界効果トランジスタM1のドレインとゲートに接続されている。電界効果トランジスタM31のソースは電界効果トランジスタM32のドレインに接続され、電界効果トランジスタM31のサブストレートは接地端子に接続されている。電界効果トランジスタM32のゲートは電界効果トランジスタM02のゲートに接続され、電界効果トランジスタM32のソースとサブストレートは接地端子に接続されている。 Each of field effect transistors M31 and M32 is composed of an N-channel FET. The gate of the field effect transistor M31 is connected to the output terminal of the bias circuit, and the drain of the field effect transistor M31 is connected to the drain and gate of the first field effect transistor M1. The source of the field effect transistor M31 is connected to the drain of the field effect transistor M32, and the substrate of the field effect transistor M31 is connected to the ground terminal. The gate of the field effect transistor M32 is connected to the gate of the field effect transistor M02, and the source and substrate of the field effect transistor M32 are connected to the ground terminal.
電界効果トランジスタM41、M42の各々はNチャネルFETから成る。電界効果トランジスタM41のゲートはバイアス回路の出力端子に接続され、電界効果トランジスタM41のドレインは第5の電界効果トランジスタM5のドレインとゲートに接続されている。電界効果トランジスタM41のソースは電界効果トランジスタM42のドレインに接続され、電界効果トランジスタM41のサブストレートは接地端子に接続されている。電界効果トランジスタM42のゲートは電界効果トランジスタM02のゲートに接続され、電界効果トランジスタM42のソースとサブストレートは接地端子に接続されている。電界効果トランジスタM41のソースと電界効果トランジスタM42のドレインとは、第1のメイン電界効果トランジスタM22のドレインに接続されている。 Each of field effect transistors M41 and M42 is formed of an N-channel FET. The gate of the field effect transistor M41 is connected to the output terminal of the bias circuit, and the drain of the field effect transistor M41 is connected to the drain and gate of the fifth field effect transistor M5. The source of the field effect transistor M41 is connected to the drain of the field effect transistor M42, and the substrate of the field effect transistor M41 is connected to the ground terminal. The gate of the field effect transistor M42 is connected to the gate of the field effect transistor M02, and the source and substrate of the field effect transistor M42 are connected to the ground terminal. The source of the field effect transistor M41 and the drain of the field effect transistor M42 are connected to the drain of the first main field effect transistor M22.
電界効果トランジスタM71、M72の各々はNチャネルFETから成る。電界効果トランジスタM71のゲートはバイアス回路の出力端子に接続され、電界効果トランジスタM71のドレインは第6の電界効果トランジスタM6のドレインに接続されている。電界効果トランジスタM71のソースは電界効果トランジスタM72のドレインに接続され、電界効果トランジスタM71のサブストレートは接地端子に接続されている。電界効果トランジスタM72のゲートは電界効果トランジスタM02のゲートに接続され、電界効果トランジスタM72のソースとサブストレートは接地端子に接続されている。電界効果トランジスタM71のソースと電界効果トランジスタM72のドレインとは、第2のメイン電界効果トランジスタM23のドレインに接続されている。 Each of field effect transistors M71 and M72 is composed of an N-channel FET. The gate of the field effect transistor M71 is connected to the output terminal of the bias circuit, and the drain of the field effect transistor M71 is connected to the drain of the sixth field effect transistor M6. The source of the field effect transistor M71 is connected to the drain of the field effect transistor M72, and the substrate of the field effect transistor M71 is connected to the ground terminal. The gate of the field effect transistor M72 is connected to the gate of the field effect transistor M02, and the source and substrate of the field effect transistor M72 are connected to the ground terminal. The source of the field effect transistor M71 and the drain of the field effect transistor M72 are connected to the drain of the second main field effect transistor M23.
尚、第8および第9の電界効果トランジスタM8、M9のゲートは、電界効果トランジスタM72のゲートに接続されている。 The gates of the eighth and ninth field effect transistors M8 and M9 are connected to the gate of the field effect transistor M72.
このような構成の誤差増幅器15Bは、図6に図示した誤差増幅器16Aと同様の動作をするので、その動作説明については省略する。
The
図9を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る昇圧型DC/DCコンバータ10Bについて説明する。図示の昇圧型DC/DCコンバータ10Bは、イニシャル回路18Aを更に備えていると共に、PWM比較器の構成が変更されている点を除いて、図1に示した従来の昇圧型DC/DCコンバータ10と同様の構成を有し、動作をする。従って、PWM比較器に16Aの参照符号を付してある。図1に示したものと同様の機能を有するものには同一の参照符号を付して、説明の簡略化のためにそれらの説明については省略する。
With reference to FIG. 9, a step-up DC /
図示のイニシャル回路18Aは、ソフトスタート回路14が動作を開始した時点から所定の期間だけPWM比較器16Aの出力を強制的に実質的に零電位にする回路である。
The illustrated
このような構成の昇圧型DC/DCコンバータ10Bでも、電源投入時の誤動作を防止することができる。
Even the step-up DC /
図10を参照して、本発明の第3の実施の形態に係る昇圧型DC/DCコンバータ10Cについて説明する。図示の昇圧型DC/DCコンバータ10Cは、イニシャル回路18Bを更に備えていると共に、誤差増幅器15およびPWM比較器16がそれぞれ誤差増幅器15AおよびPWM比較器16Aに変更されている点を除いて、図1に示した従来の昇圧型DC/DCコンバータ10と同様の構成を有し、動作をする。図1に示したものと同様の機能を有するものには同一の参照符号を付して、説明の簡略化のためにそれらの説明については省略する。
With reference to FIG. 10, a step-up DC / DC converter 10C according to a third embodiment of the present invention will be described. The illustrated step-up DC / DC converter 10C further includes an
図示のイニシャル回路18Bは、ソフトスタート回路14が動作を開始した時点から所定の期間だけ、誤差増幅器15AとPWM比較器16Aの両方の出力電圧を強制的に実質的に零電位にする回路である。
The illustrated
このような構成の昇圧型DC/DCコンバータ10Cでも、電源投入時の誤動作を防止することができる。 Even the step-up DC / DC converter 10C having such a configuration can prevent malfunction at power-on.
以上、本発明について好ましい実施の形態によって説明してきたが、本発明は上述した実施の形態に限定しないのは勿論である。例えば、上述した実施の形態では、DC/DCコンバータとして昇圧型の場合を例に挙げて説明したが、降圧型や極性反転型など他の型のDC/DCコンバータにも同様に適用可能なのは勿論である。 Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, in the above-described embodiment, the step-up type DC / DC converter has been described as an example. However, the present invention can be similarly applied to other types of DC / DC converters such as a step-down type and a polarity inversion type. It is.
L1 インダクタ
SBD ショットキーバリアダイオード
Cout 出力コンデンサ
10A、10B、10C 昇圧型DC/DCコンバータ
11 スイッチング素子
12 発振器(OSC)
13 基準電圧発生回路
14 ソフトスタート回路
15、15A 誤差増幅器
16、16A パルス幅変調(PWM)比較器
18、18A、18B イニシャル回路
20 インバータ回路
L1 Inductor SBD Schottky Barrier Diode
DESCRIPTION OF
Claims (4)
基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
前記基準電圧発生回路に接続され、電源投入時に0Vから前記基準電圧まで徐々に上昇した電圧を出力するソフトスタート回路と、
電源出力電圧を検出してフィードバック電圧を出力する出力電圧検出手段と、
前記ソフトスタート回路の出力電圧と前記フィードバック電圧との差を求めて、誤差信号を出力する誤差増幅器と、
前記誤差信号と前記発振信号とを比較して、パルス幅変調信号を生成してインダクタに接続されたスイッチング素子へ供給するパルス幅変調比較器であって、前記パルス幅変調信号により前記スイッチング素子をオン/オフし、前記スイッチング素子をオンすることにより前記インダクタへ入力電流を流して前記インダクタに磁気的エネルギーを蓄えさせる、前記パルス幅変調比較器と、
前記電源投入時に、前記パルス幅変調比較器の出力電圧を所定の期間だけ強制的に実質的に零電位にするイニシャル回路と、を有するDC/DCコンバータであって、
前記イニシャル回路は、
一端が接地端子に接続されたコンデンサと、
前記コンデンサの他端に接続され、制御回路のオンに応答して、前記コンデンサを充電する充電手段と、
前記コンデンサの他端に第1のゲートが接続され、第1のソースが前記接地端子に接続され、第1のドレインが抵抗器を介して電源入力端子に接続された第1のNチャネルFETから成り、前記コンデンサの充電期間に等しい前記所定の期間の間、前記第1のドレインから論理Hレベルのイニシャル信号を出力する手段と、
前記パルス幅変調比較器の出力端子と前記接地端子との間に接続され、前記第1のドレインに第2のゲートが接続され、第2のソースが前記接地端子に接続され、第2のドレインが前記パルス幅変調比較器の出力端子に接続された第2のNチャネルFETから成り、前記イニシャル信号に応答してオンすることにより、前記パルス幅変調比較器の出力端子を実質的に零電位にして、前記スイッチング素子をオフにし、前記インダクタに流れる前記入力電流を前記所定の期間の間だけ零にするスイッチ手段と、
を有することを特徴とするDC/DCコンバータ。 An oscillator that oscillates an oscillation signal;
A reference voltage generating circuit for generating a reference voltage;
A soft start circuit connected to the reference voltage generating circuit and outputting a voltage gradually rising from 0 V to the reference voltage when the power is turned on;
Output voltage detection means for detecting a power supply output voltage and outputting a feedback voltage;
An error amplifier that obtains a difference between the output voltage of the soft start circuit and the feedback voltage and outputs an error signal;
By comparing the oscillating signal with the error signal, a pulse width modulation comparator generates a pulse width modulated signal is supplied to the switching element connected to the inductor, the switching elements by the pulse width modulated signal Turning on / off and turning on the switching element to cause an input current to flow to the inductor and to store magnetic energy in the inductor ;
A DC / DC converter having an initial circuit for forcibly setting the output voltage of the pulse width modulation comparator to a substantially zero potential for a predetermined period when the power is turned on,
The initial circuit is:
A capacitor with one end connected to the ground terminal;
Charging means connected to the other end of the capacitor and charging the capacitor in response to turning on the control circuit;
A first gate is connected to the other end of the capacitor, a first source is connected to the ground terminal, and a first drain is connected to a power input terminal via a resistor. Means for outputting a logic H level initial signal from the first drain during the predetermined period equal to the charging period of the capacitor;
A second gate is connected to the first drain, a second source is connected to the ground terminal, and a second drain is connected between the output terminal of the pulse width modulation comparator and the ground terminal. Consists of a second N-channel FET connected to the output terminal of the pulse width modulation comparator, and is turned on in response to the initial signal to make the output terminal of the pulse width modulation comparator substantially zero potential. Switching means for turning off the switching element and setting the input current flowing through the inductor to zero only for the predetermined period;
DC / DC converter, characterized in that it comprises a.
基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
前記基準電圧発生回路に接続され、電源投入時に0Vから前記基準電圧まで徐々に上昇した電圧を出力するソフトスタート回路と、
電源出力電圧を検出してフィードバック電圧を出力する出力電圧検出手段と、
前記ソフトスタート回路の出力電圧と前記フィードバック電圧との差を求めて、誤差信号を出力する誤差増幅器と、
前記誤差信号と前記発振信号とを比較して、パルス幅変調信号を生成してインダクタに接続されたスイッチング素子へ供給するパルス幅変調比較器であって、前記パルス幅変調信号により前記スイッチング素子をオン/オフし、前記スイッチング素子をオンすることにより前記インダクタへ入力電流を流して前記インダクタに磁気的エネルギーを蓄えさせる、前記パルス幅変調比較器と、
前記電源投入時に、前記誤差増幅器及び前記パルス幅変調比較器の両方の出力電圧を所定の期間だけ強制的に実質的に零電位にするイニシャル回路と、を有するDC/DCコンバータであって、
前記イニシャル回路は、
一端が接地端子に接続された第1のコンデンサと、
前記第1のコンデンサの他端に接続され、制御回路のオンに応答して、前記第1のコンデンサを充電する充電手段と、
前記第1のコンデンサの他端に第1のゲートが接続され、第1のソースが前記接地端子に接続され、第1のドレインが第1の抵抗器を介して電源入力端子に接続された第1のNチャネルFETから成り、前記第1のコンデンサの充電期間に等しい前記所定の期間の間、前記第1のドレインから論理Hレベルのイニシャル信号を出力する手段と、
前記誤差増幅器及び前記パルス幅変調比較器の出力端子と前記接地端子との間に接続され、前記第1のドレインに第2のゲートが接続され、第2のソースが前記接地端子に接続され、第2のドレインが前記パルス幅変調比較器の出力端子に接続された第2のNチャネルFETから成り、前記イニシャル信号に応答してオンすることにより、前記誤差増幅器及び前記パルス幅変調比較器の出力端子を実質的に零電位にして、前記スイッチング素子をオフにし、前記インダクタに流れる前記入力電流を前記所定の期間の間だけ零にする第1のスイッチ手段と、
を有し、
前記誤差増幅器は、
中間ノードと当該誤差増幅器の出力端子との間に、位相補償用の第2のコンデンサと第2の抵抗器とを含む出力段であって、前記中間ノードに第3のゲートが接続され、電源入力端子に第3のソースが接続された第1のPチャネルFETと、該第1のPチャネルFETの第3のドレインに第4のゲートが接続され、第4のソースが前記誤差増幅器の出力端子に接続された第3のNチャネルFETとを有する、前記出力段と、
前記第3のNチャネルFETの第4のドレインと前記電源入力端子との間に接続され、前記第3のNチャネルFETの第4のドレインに第5のドレインが接続され、第5のゲートに前記イニシャル信号を受け、第5のソースが前記電源入力端子に接続された第2のPチャネルFETから成り、前記イニシャル信号に応答してオフすることより、前記第3のNチャネルFETに貫通電流が流れるのを阻止する第2のスイッチ手段と、
前記電源入力端子と前記中間ノードとの間に接続され、前記中間ノードに第6のドレインが接続され、第6のゲートに前記イニシャル信号を反転した信号を受け、第6のソースが前記電源入力端子に接続された第3のPチャネルFETから成り、前記イニシャル信号を反転した信号に応答してオンすることにより、前記位相補償用の第2のコンデンサの充電を急速に行うための第3のスイッチ手段と、
を有することを特徴とするDC/DCコンバータ。 An oscillator that oscillates an oscillation signal;
A reference voltage generating circuit for generating a reference voltage;
A soft start circuit connected to the reference voltage generating circuit and outputting a voltage gradually rising from 0 V to the reference voltage when the power is turned on;
Output voltage detection means for detecting a power supply output voltage and outputting a feedback voltage;
An error amplifier that obtains a difference between the output voltage of the soft start circuit and the feedback voltage and outputs an error signal;
By comparing the oscillating signal with the error signal, a pulse width modulation comparator generates a pulse width modulated signal is supplied to the switching element connected to the inductor, the switching elements by the pulse width modulated signal Turning on / off and turning on the switching element to cause an input current to flow to the inductor and to store magnetic energy in the inductor ;
A DC / DC converter having an initial circuit for forcibly setting the output voltages of both the error amplifier and the pulse width modulation comparator to substantially zero potential for a predetermined period when the power is turned on,
The initial circuit is:
A first capacitor having one end connected to the ground terminal;
Charging means connected to the other end of the first capacitor and charging the first capacitor in response to turning on of a control circuit;
A first gate is connected to the other end of the first capacitor, a first source is connected to the ground terminal, and a first drain is connected to a power supply input terminal via a first resistor. Means for outputting a logic H level initial signal from the first drain during the predetermined period equal to a charging period of the first capacitor, the N channel FET comprising:
Connected between the output terminal of the error amplifier and the pulse width modulation comparator and the ground terminal, a second gate is connected to the first drain, and a second source is connected to the ground terminal; A second drain is composed of a second N-channel FET connected to the output terminal of the pulse width modulation comparator, and is turned on in response to the initial signal, so that the error amplifier and the pulse width modulation comparator First switch means for setting the output terminal to substantially zero potential, turning off the switching element, and setting the input current flowing through the inductor to zero only during the predetermined period;
Have
The error amplifier is
An output stage including a second capacitor for phase compensation and a second resistor between the intermediate node and the output terminal of the error amplifier, wherein a third gate is connected to the intermediate node, A first P-channel FET having a third source connected to the input terminal, a fourth gate connected to the third drain of the first P-channel FET, and a fourth source serving as the output of the error amplifier Said output stage comprising a third N-channel FET connected to a terminal;
A third drain is connected between the fourth drain of the third N-channel FET and the power input terminal, a fifth drain is connected to the fourth drain of the third N-channel FET, and a fifth gate is connected. Upon receiving the initial signal, the fifth source is composed of a second P-channel FET connected to the power input terminal, and is turned off in response to the initial signal. Second switch means for blocking the flow of
Connected between the power input terminal and the intermediate node, a sixth drain is connected to the intermediate node, a signal obtained by inverting the initial signal is received at a sixth gate, and a sixth source is the power input A third P-channel FET connected to the terminal, and turned on in response to a signal obtained by inverting the initial signal, thereby quickly charging the second capacitor for phase compensation. Switch means;
DC / DC converter, characterized in that it comprises a.
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