JP4770780B2 - Method for producing fluorine-containing polymerizable monomer - Google Patents
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Description
本発明は、特定の構造すなわちヒドロキシ基またはそれを保護または修飾した置換基含有の含フッ素スチレン系単量体の製造方法、またはそれを用いて重合または共重合した高分子化合物、さらにその高分子化合物を用いた反射防止用コーティング材料またはレジスト材料に関する。 The present invention relates to a method for producing a particular structure or hydroxy group or a protected or modified substituents containing fluorine-containing styrenic monomer or polymerization or copolymerized polymeric compound therewith, and further the polymer The present invention relates to an antireflection coating material or a resist material using a compound.
フッ素系化合物は、フッ素の持つ撥水性、撥油性、低吸水性、耐熱性、耐候性、耐腐食性、透明性、感光性、低屈折率性、低誘電性などの特徴から先端材料分野を中心として幅広い応用分野で使用または開発が続けられている。特に、コーティング用途に関して言えば、低屈折率性と可視光の透明性を応用した反射防止膜、紫外線領域(特に真空紫外波長域)での透明性を応用したレジスト材料などの分野で活発な研究開発が行われている。これらの応用分野において共通の高分子設計としては、できるだけ多くのフッ素を導入することで各使用波長での透明性を実現しつつ、基板への密着性、高いガラス転移点(硬度)を実現させようとするものである。 Fluorine-based compounds are in the field of advanced materials due to the characteristics of fluorine such as water repellency, oil repellency, low water absorption, heat resistance, weather resistance, corrosion resistance, transparency, photosensitivity, low refractive index, and low dielectric properties. It continues to be used or developed in a wide range of application fields. In particular, with regard to coating applications, active research is being conducted in fields such as antireflective coatings that apply low refractive index and transparency of visible light, and resist materials that apply transparency in the ultraviolet region (particularly in the vacuum ultraviolet wavelength region). Development is underway. The common polymer design in these application fields is to introduce as much fluorine as possible to achieve transparency at each wavelength used, while achieving adhesion to the substrate and high glass transition point (hardness). It is about to try.
しかしながら、材料設計としてフッ素含量を高める工夫により各波長での透明性を高めることは種々提案されているが、フッ素含有単量体そのものに同時に親水性、密着性を高める工夫や高Tgを得る工夫をしている例は少ない。最近になって、特に真空紫外線領域の次世代F2レジスト分野においてヒドロキシ基含有のフッ素系スチレンやヒドロキシ基含有のフッ素系ノルボルネン化合物が発表されたことで、フッ素を含有し、かつヒドロキシ基の極性を共存させる考え方が見られるようになってきた。しかしながら、まだまだ反射防止膜に必要とされる十分な低屈折率が得られてなく、改善するべき要因は多く存在している。したがってこれら既存の化合物が発揮しうる機能は必ずしも充分ではなく、更に優れた高分子化合物を与え得る新規な単量体あるいはその原料の創出が望まれていた。 However, various proposals have been made to improve the transparency at each wavelength by improving the fluorine content as a material design. However, the fluorine-containing monomer itself can be improved at the same time by improving hydrophilicity and adhesion and by improving the Tg. There are few examples of doing. Recently, in particular by fluorine-based norbornene compound of the fluorine-based styrene and hydroxy group containing a hydroxy group-containing is presented in the next generation F 2 resist field of vacuum ultraviolet region, containing fluorine, and the polarity of the hydroxy groups The idea of coexisting has come to be seen. However, a sufficiently low refractive index required for an antireflection film is not yet obtained, and there are many factors to be improved. Therefore, the functions that these existing compounds can exhibit are not necessarily sufficient, and it has been desired to create a novel monomer or a raw material thereof that can give a more excellent polymer compound.
従って、本発明は、高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることで、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性と低屈折率性を有し、かつ基板への密着性、高い成膜性、エッチング耐性を併せ持つ、重合性単量体の製造方法を用いた高分子化合物、さらにはその高分子化合物を用いた反射防止用コーティング材料、レジスト材料を提供することにある。 Therefore, the present invention has a high transparency and a low refractive index from a wide wavelength region, that is, from a vacuum ultraviolet ray to an optical communication wavelength region, by having a polar group in the same molecule while having a high fluorine content. In addition, a polymer compound using a method for producing a polymerizable monomer, which has both adhesion to a substrate, high film formability, and etching resistance, and further, an antireflection coating material and a resist using the polymer compound To provide materials.
本発明者らは、前記の課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、工業的にも使いやすいとされるスチレン系の単量体であって、高いフッ素含量とヒドロキシ基を含有させた特定の化合物としての含フッ素重合性単量体を合成し、本発明の含フッ素重合性単量体の製造方法を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors are a styrene-based monomer that is considered to be industrially easy to use, and has a high fluorine content and a specific hydroxy group. The fluorine-containing polymerizable monomer as a compound was synthesized, and the production method of the fluorine-containing polymerizable monomer of the present invention was completed.
すなわち本発明は、一般式(2)の構造を有する含フッ素重合性単量体を提供する。
(式中、R3、R4は水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又は酸不安定基(アルコキシカルボニル基、又はアセタール基)を表す。)。
That is, this invention provides the fluorine-containing polymerizable monomer which has a structure of General formula (2) .
(Wherein R 3 and R 4 are a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, or an acid labile group (alkoxycarbonyl group or acetal group). Represents.)
また本発明は、次の3工程よりなる、一般式(2)で示される含フッ素重合性単量体の製造方法である。
第一工程: 一般式(4)で示されるベンゼン誘導体
Moreover, this invention is a manufacturing method of the fluorine-containing polymerizable monomer shown by General formula (2) which consists of the following three processes.
First step: benzene derivative represented by the general formula (4)
をルイス酸またはプロトン酸触媒下、臭化エチルと反応させてエチル化し、一般式(5)で示されるエチルベンゼン誘導体 Of ethylbenzene by reacting with ethyl bromide in the presence of a Lewis acid or protonic acid catalyst to give an ethylbenzene derivative represented by the general formula (5)
を製造する工程。
第二工程: 第一工程で得られた一般式(5)のエチルベンゼン誘導体をラジカル開始剤存在下、臭素と反応させて臭素化し、一般式(6)に示す化合物を製造する工程。
Manufacturing process.
Second step: A step of producing a compound represented by the general formula (6) by reacting the ethylbenzene derivative of the general formula (5) obtained in the first step with bromine in the presence of a radical initiator to form a bromine.
第三工程: 第二工程で得られた一般式(6)に示す化合物を熱分解し、一般式(2)に示した化合物を製造する工程。
(式(2)、(4)〜(6)中、R3、R4は、上記式(2)と同じ)。
Third step: A step of thermally decomposing the compound represented by the general formula (6) obtained in the second step to produce the compound represented by the general formula (2) .
(In the formulas (2) and (4) to (6), R 3 and R 4 are the same as the above formula (2) ).
さらに、本発明は、上述の重合性単量体を用いて単独重合された高分子化合物であり、さらには、該高分子化合物を用いた反射防止材料、レジスト材料である。 Furthermore, the present invention is a polymer compound homopolymerized using the above polymerizable monomer, and further an antireflection material and a resist material using the polymer compound.
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
本発明に係る一般式(2)で表される特定のスチレン系単量体は、分子内に2つの含フッ素カルビノール基またはそのヒドロキシル基を種々の官能基で保護された化合物であって、特にレジスト材料として使用する場合は含フッ素官能基あるいは酸不安定性官能基で保護することが可能である。 The specific styrenic monomer represented by the general formula (2) according to the present invention is a compound in which two fluorine-containing carbinol groups or hydroxyl groups thereof are protected with various functional groups in the molecule, In particular, when used as a resist material, it can be protected with a fluorine-containing functional group or an acid-labile functional group.
本発明の一般式(2)で示される単量体の構造としてはスチレンのベンゼン環にヘキサフルオロアセトンを結合させた構造を有する化合物である。その結合組成比は特に限定されないが、低屈折率や高透明性、特に紫外線波長領域の透明性を高めるためにヘキサフルオロアセトンが結合した構造を有する単量体であることが好ましい。 The monomer represented by the general formula (2) of the present invention has a structure in which hexafluoroacetone is bonded to the benzene ring of styrene. The bond composition ratio is not particularly limited, but is preferably a monomer having a structure in which hexafluoroacetone is bonded in order to improve low refractive index and high transparency, particularly transparency in the ultraviolet wavelength region.
ここで、R3、R4は水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基、芳香環を有する環状体、または酸脱離基であって、酸素原子、カルボニル結合を含んでも良い)。その構造には特に制限されないが、最も簡単で高い透明性を有するヒドロキシ基が基本となる。その上で、使用目的により置換基により修飾できる。かかる目的としては、有機溶媒やアルカリ水溶液への溶解性、高いガラス転移点、ハンダ耐熱性を目的とした架橋反応性、光酸発生剤によるポジ型感光性やエッチング耐性などの特徴を付与させることであり、本発明の応用分野ごとに使い分けることが可能である。 Here, R 3 and R 4 are a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, a cyclic body having an aromatic ring, or an acid leaving group. And may contain an oxygen atom or a carbonyl bond). The structure is not particularly limited, but is based on the simplest and most transparent hydroxy group. Moreover, it can be modified with a substituent depending on the purpose of use. The purpose is to provide such characteristics as solubility in organic solvents and aqueous alkali solutions, high glass transition point, cross-linking reactivity for solder heat resistance, positive photosensitivity by photoacid generator and etching resistance. Therefore, it can be used for each application field of the present invention.
炭素数1〜25のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−プロピル基、sec−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、エチルヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基などが例示できる。フッ素化されたアルキル基は、上記アルキル基の一部または全部がフッ素原子で置換されたものである。また、酸素原子を含むものとして、メトキシメチル(MOM)、メトキシエトキシメチル等の鎖状エーテル基、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル等の環状エーテル基、芳香環を有する環状体としてフェニル基、4−メトキシベンジル基、またカルボニル基を含むものとして、アセチル基、プロピルカルボニル基、ピバロイル基、ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基(tert−BOC)、ベンゾイル基、トリフルオロメチルカルボニル基、パーフルオロプロピルカルボニル基、パーフルオロピバロイル基、パーフルオロヘキシルカルボニル基、パーフルオロシクロヘキシルカルボニル基等が例示できる。 Examples of the alkyl group having 1 to 25 carbon atoms include methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-propyl group, sec-butyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, ethylhexyl group, norbornel group, and adamantyl group. Etc. can be exemplified. The fluorinated alkyl group is one in which a part or all of the alkyl group is substituted with a fluorine atom. In addition, those containing an oxygen atom include chain ether groups such as methoxymethyl (MOM) and methoxyethoxymethyl, cyclic ether groups such as tetrahydrofuranyl and tetrahydropyranyl, phenyl groups as aromatic cyclic rings, 4-methoxy As benzyl group and carbonyl group, acetyl group, propylcarbonyl group, pivaloyl group, hexylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group (tert-BOC), benzoyl group, trifluoromethylcarbonyl group, Examples thereof include a fluoropropylcarbonyl group, a perfluoropivaloyl group, a perfluorohexylcarbonyl group, and a perfluorocyclohexylcarbonyl group.
酸不安定基としては、アルキコキシカルボニル基、アセタール基、シリル基、アシル基等を挙げることができ、アルコキシカルボニル基としてはtert−ブトキシカルボニル基(t−BOC)、tert−アミルオキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基等を例示できる。アセタール基としては、メトキシメチル基(MOM)、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェネチルオキシエチル基、エトキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシイソブチル基などが挙げられ、シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、i−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−i−プロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−t−ブチルシリル基、トリ−t−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基等を挙げることができる。更に、これらの酸不安定基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。 Examples of the acid labile group include an alkoxycarbonyl group, an acetal group, a silyl group, and an acyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include a tert-butoxycarbonyl group (t-BOC) and a tert-amyloxycarbonyl group. Methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, and the like. As the acetal group, methoxymethyl group (MOM), ethoxyethyl group, butoxyethyl group, cyclohexyloxyethyl group, benzyloxyethyl group, phenethyloxyethyl group, ethoxypropyl group, benzyloxypropyl group, phenethyloxypropyl group, ethoxy Examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, an ethyldimethylsilyl group, a methyldiethylsilyl group, a triethylsilyl group, an i-propyldimethylsilyl group, a methyldi-i-propylsilyl group, and the like. Examples include tri-i-propylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, methyldi-t-butylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, phenyldimethylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, and triphenylsilyl group. Can. As the acyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, heptanoyl group, hexanoyl group, valeryl group, pivaloyl group, isovaleryl group, lauryl group, myristoyl group, palmitoyl group, stearoyl group, oxalyl group, malonyl group, succinyl group, Glutaryl group, adipoyl group, piperoyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoyl group, acryloyl group, propioroyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, oleoyl group, maleoyl group, fumaroyl group, mesaconoyl group, canholoyl group, benzoyl group, phthaloyl group Group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, cinnamoyl group, furoyl group, thenoyl group, nicotinoyl group, isonicotinoyl group And the like can be given. Furthermore, those in which some or all of the hydrogen atoms of these acid labile groups are substituted with fluorine atoms can also be used.
本発明の一般式(2)の構造を有する含フッ素重合性単量体は、以下の3工程よりなる製造方法により製造できる。
第一工程: 一般式(4)で示されるベンゼン誘導体
The fluorine-containing polymerizable monomer having the structure of the general formula (2) of the present invention can be produced by a production method comprising the following three steps.
First step: benzene derivative represented by the general formula (4)
をルイス酸またはプロトン酸触媒下、臭化エチルと反応させてエチル化し、一般式(5)で示されるエチルベンゼン誘導体 Of ethylbenzene by reacting with ethyl bromide in the presence of a Lewis acid or protonic acid catalyst to give an ethylbenzene derivative represented by the general formula (5)
を製造する工程。
第二工程: 第一工程で得られた一般式(3)のエチルベンゼン誘導体をラジカル開始剤存在下、臭素と反応させて臭素化し、一般式(6)に示す化合物を製造する工程。
Manufacturing process.
Second step: A step of producing a compound represented by the general formula (6) by reacting the ethylbenzene derivative of the general formula (3) obtained in the first step with bromine in the presence of a radical initiator to bromine.
第三工程: 第二工程で得られた一般式(6)に示す化合物を熱分解し、一般式(2)に示した化合物を製造する工程。
(式(2)、(4)〜(6)中、R3、R4は前記と同じ)。
Third step: A step of thermally decomposing the compound represented by the general formula (6) obtained in the second step to produce the compound represented by the general formula (2) .
(In formulas (2) and (4) to (6) , R 3 and R 4 are the same as above).
これらの3つの工程をスキームに表すと以下のようになる(スキーム中の各一般式において、式中のR 3 〜R4は前記一般式(2)と同じである)。 These three steps are represented in the scheme as follows (in each general formula in the scheme, R 3 to R 4 in the formula are the same as those in the general formula (2) ).
以下、各工程について詳細に説明する。
第1工程は、一般式(4)で示されるベンゼン誘導体のエチル化工程であるが、ルイス酸あるいはプロトン酸触媒の存在下、エチル化剤と反応させることにより、一般式(5)で示されるエチルベンゼン誘導体を製造する工程である。
Hereinafter, each step will be described in detail.
The first step is an ethylation step of the benzene derivative represented by the general formula (4), and is represented by the general formula (5) by reacting with an ethylating agent in the presence of a Lewis acid or a proton acid catalyst. This is a process for producing an ethylbenzene derivative.
エチル化剤としてはエチルブロミド、エチルクロリド、ヨウ化エチル、フッ化エチルなどが使用できるが、エチルブロミドを使用した場合には適度な反応速度が得られることから好適に採用される。エチル化剤の使用量は、原料となるベンゼン誘導体(一般式(4))1モルに対して1倍モル以上使用すればよく、反応速度と目的とするエチル化体(一般式(5))の収率の観点から1.1倍モルから20倍モルの量が好ましく、さらに好ましくは1.5倍モル〜10倍モルの量が使用される。 As the ethylating agent, ethyl bromide, ethyl chloride, ethyl iodide, ethyl fluoride and the like can be used. However, when ethyl bromide is used, it is preferably employed because an appropriate reaction rate can be obtained. The amount of the ethylating agent used may be at least 1 mol per mol of the raw material benzene derivative (general formula (4)), and the reaction rate and the desired ethylated compound (general formula (5)). From the viewpoint of the yield, the amount is preferably 1.1 times to 20 times mole, more preferably 1.5 times to 10 times mole.
また、使用する酸触媒としては、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化ガリウム、塩化第二鉄(FeCl3)、塩化亜鉛、塩化アンチモン、四塩化チタン、四塩化錫、三フッ化ホウ素、Ti(OCH3)4、Ti(OC2H5)4、Ti(OC4H9)4、Ti(OCH(CH3)2)4、Zn(CH3COO)2・2H2Oなどのルイス酸触媒、フッ化水素、硫酸、燐酸、塩化水素などのプロトン酸触媒などを用いることができる。この中で、ルイス酸触媒を用いた場合に収率よく目的物が得られることから、好ましく採用される。より好ましくは、反応が速やかに進行し、入手も容易な塩化アルミニウムが採用される。 The acid catalyst used is aluminum chloride, aluminum bromide, gallium chloride, gallium bromide, ferric chloride (FeCl 3 ), zinc chloride, antimony chloride, titanium tetrachloride, tin tetrachloride, boron trifluoride. Ti (OCH 3 ) 4, Ti (OC 2 H 5 ) 4 , Ti (OC 4 H 9 ) 4 , Ti (OCH (CH 3 ) 2 ) 4 , Zn (CH 3 COO) 2 .2H 2 O, etc. A Lewis acid catalyst, a proton acid catalyst such as hydrogen fluoride, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrogen chloride, or the like can be used. Among these, when a Lewis acid catalyst is used, the desired product can be obtained with a good yield, and therefore it is preferably employed. More preferably, aluminum chloride is used which allows the reaction to proceed quickly and is easily available.
酸触媒の量としては、原料となるベンゼン誘導体(一般式(4))1モルに対して0.1mol%から10倍モルの量が使用できるが、0.1mol%より少ない場合には反応速度が遅すぎることと目的のエチル化体(一般式(5))の収率が非常に小さいことから現実的ではなく、また10倍モル以上の酸触媒を加えても収率向上の効果は期待できない。より好ましくは基質に対して1倍モル〜5倍モルの酸触媒が使用され、適当な反応速度と良好な収率が達成される。 As the amount of the acid catalyst, an amount of 0.1 mol% to 10 times mol can be used with respect to 1 mol of the benzene derivative (general formula (4)) as a raw material. Is too slow and the yield of the target ethylated product (general formula (5)) is very small, and it is not realistic. Can not. More preferably, 1 to 5 moles of acid catalyst is used with respect to the substrate to achieve an appropriate reaction rate and good yield.
反応温度は特に限定されないが、通常、室温から100℃の範囲で反応が可能である。反応時間は前述の触媒種、触媒量、反応温度などによって反応速度が変わることから、これに合わせて適宜変更される。実際には、反応中に反応溶液を逐次分析しながら反応を行い、原料が消費されるまで反応することが可能である。反応用の溶媒は特に必要としないが、反応温度の制御や、反応溶液の粘度低下による取り扱い上の利点を利用しようとする目的で、溶媒を加えることは可能である。反応後の処理は特に限定されないが、反応溶液を水または氷水に加えた後、有機溶媒による抽出操作で目的物を取り出す方法やフラッシュ蒸留によって目的物を取り出す方法が可能である。 Although reaction temperature is not specifically limited, Usually, reaction is possible in the range of room temperature to 100 degreeC. Since the reaction rate varies depending on the above-mentioned catalyst type, catalyst amount, reaction temperature, and the like, the reaction time is appropriately changed according to this. In practice, it is possible to carry out the reaction while sequentially analyzing the reaction solution during the reaction, and to react until the raw materials are consumed. A solvent for the reaction is not particularly required, but it is possible to add a solvent for the purpose of controlling the reaction temperature and taking advantage of handling due to a decrease in the viscosity of the reaction solution. The treatment after the reaction is not particularly limited, but it is possible to add the reaction solution to water or ice water and then extract the target product by extraction with an organic solvent or to extract the target product by flash distillation.
第二工程は、第一工程で製造したエチルベンゼン誘導体(一般式(5))の臭素化であるが、ラジカル開始剤の存在下、臭素を反応させることによって、一般式(6)で示される臭素化体を製造する工程である。また、光によるラジカル臭素化反応も可能である。 The second step is bromination of the ethylbenzene derivative (general formula (5)) produced in the first step, but bromine represented by general formula (6) is reacted with bromine in the presence of a radical initiator. This is a process for producing a chemical compound. Moreover, radical bromination reaction by light is also possible.
エチルベンゼン誘導体にラジカル開始剤と臭素を加えて攪拌し、これを加熱することによってラジカル開始剤が分解してラジカルを発生し、ラジカル連鎖反応によってエチル化体のα位が選択的に臭素化される。ラジカル開始剤としては特に限定されないが、アゾ系の開始剤、過酸化物などが使用できる。その中でも、アゾビスイソブチロニトリル(以下、AIBN)が反応を制御させる上で好ましい。ラジカル発生剤の量は特に限定されないが、基質に対して0.001モル%から50モル%の範囲で行われ、反応速度の点から0.1モル%〜10モル%の範囲が適当であり、好ましく採用される。 A radical initiator and bromine are added to an ethylbenzene derivative, stirred, and heated to decompose the radical initiator to generate radicals, and the α-position of the ethylated product is selectively brominated by radical chain reaction. . Although it does not specifically limit as a radical initiator, An azo initiator, a peroxide, etc. can be used. Among these, azobisisobutyronitrile (hereinafter referred to as AIBN) is preferable for controlling the reaction. Although the amount of the radical generator is not particularly limited, it is carried out in the range of 0.001 mol% to 50 mol% with respect to the substrate, and the range of 0.1 mol% to 10 mol% is appropriate from the viewpoint of the reaction rate. Are preferably employed.
反応温度は用いる開始剤の分解温度に合わせて適宜選択されれば良いが、通常は0℃から50℃の範囲で行われる。また、反応時間は用いる開始剤の種類、反応温度によって異なるが、原料が消費されたところで反応を終了すれば良く、通常は1〜24時間の反応時間で行われる。 The reaction temperature may be appropriately selected according to the decomposition temperature of the initiator to be used, but is usually in the range of 0 ° C to 50 ° C. The reaction time varies depending on the type of initiator used and the reaction temperature, but the reaction may be terminated when the raw materials are consumed, and the reaction time is usually 1 to 24 hours.
本工程の反応において、溶媒を用いて反応させることもでき、溶媒を用いる場合には臭素ラジカルと反応しなければ特に制限されないが塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルムなどを用いることができる。 In the reaction of this step, the reaction can be carried out using a solvent. When a solvent is used, it is not particularly limited unless it reacts with a bromine radical, but methylene chloride, carbon tetrachloride, chloroform and the like can be used.
光によるラジカル臭素化反応もラジカル開始剤を用いる方法と基本的に類似した方法が可能である。光源としては高圧水銀灯などの紫外線ランプが好ましく用いられ、反応溶液に直接、またはパイレックス(登録商標)ガラス反応器の外側から紫外線を照射することによって発生した臭素ラジカルによる臭素化が可能である。この場合の反応温度は特に限定されないが、反応の制御性の観点から0℃から50℃の範囲が好ましく採用される。 The radical bromination reaction by light can be basically similar to the method using a radical initiator. An ultraviolet lamp such as a high-pressure mercury lamp is preferably used as the light source, and bromination with bromine radicals generated by irradiating the reaction solution with ultraviolet rays directly or from outside the Pyrex (registered trademark) glass reactor is possible. The reaction temperature in this case is not particularly limited, but a range of 0 ° C. to 50 ° C. is preferably employed from the viewpoint of controllability of the reaction.
第三工程は、第二工程で得られた臭素化体の化合物(一般式(6))を熱分解により脱臭素化し、一般式(2)で示されるスチレン誘導体を製造する工程である。 The third step is a step for producing a styrene derivative represented by the general formula (2) by debromination of the brominated compound (general formula (6)) obtained in the second step by thermal decomposition.
反応装置としては、バッチ式、流通式の何れもが可能であり、得られる生成物の収率、生産性の観点から流通式の加熱装置が好ましく採用される。熱分解による脱臭素化反応は100℃以上で起こることから、臭素化体を100℃に加熱できて生成した化合物をここから取り出せる装置によって反応が成され得る。バッチ式の場合には減圧蒸留装置と同様の装置が使用でき、臭素化体(一般式(6))を系内を100mmHg以下にした蒸留装置に入れて100℃以上に加熱することによって目的のスチレン誘導体(一般式(2))を留去させて取り出すことが可能である。 The reaction apparatus may be either a batch type or a flow type, and a flow type heating apparatus is preferably employed from the viewpoint of the yield of the product obtained and productivity. Since the debromination reaction by thermal decomposition occurs at 100 ° C. or higher, the reaction can be carried out by an apparatus capable of heating the brominated product to 100 ° C. and taking out the produced compound. In the case of the batch type, the same apparatus as the vacuum distillation apparatus can be used, and the brominated product (general formula (6)) is placed in a distillation apparatus whose system is 100 mmHg or less and heated to 100 ° C. or higher. The styrene derivative ( general formula (2) ) can be removed by distillation.
また、流通式の加熱装置の場合は、約500℃に加熱された管状の反応管の一方から臭素化体(一般式(6))を少しずつ導入し、反応管のもう一方から生成したスチレン誘導体(一般式(2))を冷却トラップに導き、捕集することによって得ることも可能である。この場合に、系内を100mmHg以下の減圧に保つことによって、臭素化体の導入が容易になり、反応率も高めることができる。流通式の反応温度は300℃から800℃が好ましく採用され、より好ましくは400℃から600℃の温度で収率よくスチレン誘導体(一般式(2))が得られる。臭素化体の流通式反応装置への導入法は特に限定されないが、縦型の管状炉であれば滴下する方法あるいは一旦気化室で気化させてから導入する方法が可能であり、横型の管状炉の場合には後者の方法が採用できる。 In the case of a flow-type heating device, brominated product (general formula (6)) is introduced little by little from one of the tubular reaction tubes heated to about 500 ° C., and styrene produced from the other reaction tube. It is also possible to obtain the derivative ( general formula (2) ) by introducing it into a cold trap and collecting it. In this case, by keeping the system at a reduced pressure of 100 mmHg or less, the brominated product can be easily introduced and the reaction rate can be increased. The flow reaction temperature is preferably 300 ° C. to 800 ° C., and more preferably a styrene derivative ( general formula (2) ) is obtained at a temperature of 400 ° C. to 600 ° C. with good yield. The method for introducing the brominated product into the flow reactor is not particularly limited, but if it is a vertical tubular furnace, a dripping method or a method of introducing it after once vaporizing in a vaporizing chamber is possible. In this case, the latter method can be adopted.
次に、本発明による高分子化合物について説明する。本発明の高分子化合物は、一般式(2)、(3)に示す重合性単量体の単独重合体または共重合可能な他種の単量体との共重合体である。 Next, the polymer compound according to the present invention will be described. The polymer compound of the present invention is a homopolymer of a polymerizable monomer represented by the general formulas (2) and (3) or a copolymer with another kind of copolymerizable monomer.
次に、本発明の一般式(7)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 Next, a copolymer having a repeating unit represented by the general formula (7) of the present invention will be described.
(式中、R5、R6の少なくともどちらか一方に酸不安定性基を含む。酸不安定性基は酸脱離基であって、酸素、カルボニル結合、フッ素を含んでも良い。a、bは任意の整数であって、a:bは共重合比を表す。)R5、R6の少なくともどちらか一方は酸不安定性基であり、その酸不安定性基とは酸脱離基であって、酸素、カルボニル結合、フッ素を含んでも良い。酸不安定性基としては、アルキコキシカルボニル基、アセタール基、シリル基、アシル基等を挙げることができ、アルコキシカルボニル基としてはtert−ブトキシカルボニル基(t−BOC)、tert−アミルオキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基等を例示できる。アセタール基としては、メトキシメチル基(MOM)、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェネチルオキシエチル基、エトキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシイソブチル基などが挙げられ、シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、i−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−i−プロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−t−ブチルシリル基、トリ−t−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基等を挙げることができる。更に、これら酸不安定性基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された官能基を使用することもできる。 (In the formula , at least one of R 5 and R 6 contains an acid labile group. The acid labile group is an acid leaving group and may contain oxygen, a carbonyl bond, or fluorine. Any integer, a: b represents a copolymerization ratio.) At least one of R 5 and R 6 is an acid labile group, and the acid labile group is an acid leaving group , Oxygen, carbonyl bond, and fluorine may be contained. Examples of the acid labile group include an alkoxycarbonyl group, an acetal group, a silyl group, and an acyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include a tert-butoxycarbonyl group (t-BOC) and a tert-amyloxycarbonyl group. Methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, and the like. As the acetal group, methoxymethyl group (MOM), ethoxyethyl group, butoxyethyl group, cyclohexyloxyethyl group, benzyloxyethyl group, phenethyloxyethyl group, ethoxypropyl group, benzyloxypropyl group, phenethyloxypropyl group, ethoxy Examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, an ethyldimethylsilyl group, a methyldiethylsilyl group, a triethylsilyl group, an i-propyldimethylsilyl group, a methyldi-i-propylsilyl group, and the like. Examples include tri-i-propylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, methyldi-t-butylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, phenyldimethylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, and triphenylsilyl group. Can. As the acyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, heptanoyl group, hexanoyl group, valeryl group, pivaloyl group, isovaleryl group, lauryl group, myristoyl group, palmitoyl group, stearoyl group, oxalyl group, malonyl group, succinyl group, Glutaryl group, adipoyl group, piperoyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoyl group, acryloyl group, propioroyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, oleoyl group, maleoyl group, fumaroyl group, mesaconoyl group, camphoroyl group, benzoyl group, phthaloyl group Group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, cinnamoyl group, furoyl group, thenoyl group, nicotinoyl group, isonicotinoyl group And the like can be given. Furthermore, a functional group in which some or all of the hydrogen atoms of these acid labile groups are substituted with fluorine atoms can also be used.
酸不安性基を使用する目的としては、その酸不安性基によるポジ型感光性および遠赤外線、300nm以下のエキシマレーザー、X線等の高エネルギー線もしくは電子線の露光後のアルカリ水溶液への溶解性を発現させることであり、その官能基にフッ素を持つものは透明性を、環状構造を含むものはエッチング耐性や高ガラス転移点などの特徴をさらに付与させるためで、本発明の応用分野ごとに使い分けることが可能である。 The purpose of using an acid-anxiety group is positive photosensitivity by the acid-anxiety group and dissolution in an alkaline aqueous solution after exposure to high-energy rays such as far-infrared rays, excimer lasers of 300 nm or less, and X-rays or electron beams. In order to further impart characteristics such as etching resistance and a high glass transition point, those having a fluorine group in the functional group further impart characteristics such as etching resistance and high glass transition point. It is possible to use properly.
次に、本発明の一般式(8)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 Next, a copolymer having a repeating unit represented by the general formula (8) of the present invention will be described.
(式中、R7,R8の少なくともどちらか一方に酸不安定性基以外の官能基を含む。その官能基は炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良い。a、bは任意の整数であって、a:bは共重合比を表す。)
R7、R8には少なくともどちらか一方に上記の酸不安定性基以外の官能基を含み、その官能基は炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良く、その構造に特に制限はないが、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、n−プロピル基、sec−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、エチルヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基などが例示できる。フッ素化されたアルキル基は、上記アルキル基の一部または全部がフッ素原子で置換されたものであり、例えば、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロメチルエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル基などが挙げられる。
(In the formula , at least one of R 7 and R 8 contains a functional group other than an acid labile group. The functional group is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, or fluorinated. And may include an aromatic ring, oxygen, a carbonyl bond, etc. a and b are arbitrary integers, and a: b represents a copolymerization ratio.)
At least one of R 7 and R 8 contains a functional group other than the above acid labile group, and the functional group is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or a fluorinated group. The alkyl group may contain an aromatic ring, oxygen, carbonyl bond, etc., and its structure is not particularly limited, but is preferably a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an n-propyl group, a sec-butyl group, a cyclo group. Examples thereof include a propyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an ethylhexyl group, a norbornel group, an adamantyl group and the like. The fluorinated alkyl group is a group in which a part or all of the alkyl group is substituted with a fluorine atom. For example, a trifluoromethyl group, a 2,2,2-trifluoromethylethyl group, 1,1, Examples include 1,3,3,3-hexafluoroisopropyl group.
酸不安性基以外の官能基を使用する目的としては親水性の低減や有機溶媒への溶解性を向上させるためである。その官能基にフッ素を持つものは透明性を、環状構造を含むものはエッチング耐性や高ガラス転移点などの特徴をさらに付与させるためで、本発明の応用分野ごとに使い分けることが可能である。 The purpose of using a functional group other than an acid-anxiety group is to reduce hydrophilicity and improve solubility in an organic solvent. Those having fluorine in the functional group provide transparency, and those having a cyclic structure further impart characteristics such as etching resistance and a high glass transition point, and can be used for each application field of the present invention.
次に、本発明の一般式(2)または式(3)に示す重合性単量体と共重合可能な単量体を具体的に例示するならば、少なくとも、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、含フッ素アクリル酸エステル、含フッ素メタクリル酸エステル、スチレン系化合物、含フッ素スチレン系化合物、ビニルエーテル、含フッ素ビニルエーテル、含フッ素オレフィンから選ばれた一種類以上の単量体との共重合が好適である。 Next, if the monomer copolymerizable with the polymerizable monomer represented by the general formula (2) or the formula (3) of the present invention is specifically exemplified, at least an acrylic ester, a methacrylic ester, Copolymerization with one or more monomers selected from fluorine-containing acrylic ester, fluorine-containing methacrylate ester, styrene compound, fluorine-containing styrene compound, vinyl ether, fluorine-containing vinyl ether, and fluorine-containing olefin is preferable. .
本発明で使用できるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルとしてはエステル側鎖について特に制限なく使用できるが、公知の化合物を例示するならば、メチルアクリレート又はメタクリレート、エチルアクリレート又はメタクリレート、n‐プロピルアクリレート又はメタクリレート、イソプロピルアクリレート又はメタクリレート、n‐ブチルアクリレート又はメタクリレート、イソブチルアクリレート又はメタクリレート、n‐ヘキシルアクリレート又はメタクリレート、n‐オクチルアクリレート又はメタクリレート、2‐エチルヘキシルアクリレート又はメタクリレート、ラウリルアクリレート又はメタクリレート、2‐ヒドロキシエチルアクリレート又はメタクリレート、2‐ヒドロキシプロピルアクリレート又はメタクリレートなどのアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル、エチレングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレングリコール基を含有したアクリレート又はメタクリレート、さらにアクリルアミド、メタクリルアミド、N‐メチロールアクリルアミド、N‐メチロールメタクリルアミド、ジアセトンアクリルアミドなどの不飽和アミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アルコキシシラン含有のビニルシランやアクリル酸またはメタクリル酸エステル、t−ブチルアクリレート又はメタクリレート、3‐オキソシクロヘキシルアクリレート又はメタクリレート、アダマンチルアクリレート又はメタクリレート、アルキルアダマンチルアクリレート又はメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート又はメタクリレート、トリシクロデカニルアクリレート又はメタクリレート、ラクトン環やノルボルネン環などの環構造を有したアクリレートまたはメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸などが使用できる。さらにαシアノ基含有の上記アクリレート類化合物や類似化合物としてマレイン酸、フマル酸、無水マレイン酸などを共重合することも可能である。 The acrylic ester or methacrylic ester that can be used in the present invention can be used with no particular limitation on the ester side chain, but examples of known compounds include methyl acrylate or methacrylate, ethyl acrylate or methacrylate, n-propyl acrylate or methacrylate. , Isopropyl acrylate or methacrylate, n-butyl acrylate or methacrylate, isobutyl acrylate or methacrylate, n-hexyl acrylate or methacrylate, n-octyl acrylate or methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate or methacrylate, lauryl acrylate or methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate or Methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate or meta Acrylic acid or methacrylic acid alkyl ester such as relate, ethylene glycol, propylene glycol, acrylate or methacrylate containing tetramethylene glycol group, acrylamide, methacrylamide, N-methylol acrylamide, N-methylol methacrylamide, diacetone acrylamide, etc. Unsaturated amide, acrylonitrile, methacrylonitrile, alkoxysilane-containing vinyl silane, acrylic acid or methacrylic acid ester, t-butyl acrylate or methacrylate, 3-oxocyclohexyl acrylate or methacrylate, adamantyl acrylate or methacrylate, alkyladamantyl acrylate or methacrylate, Cyclohexyl acrylate or methacrylate , Tricyclodecanyl acrylate or methacrylate, acrylate or methacrylate having a ring structure such as lactone ring or norbornene ring, acrylic acid, methacrylic acid, and the like. Furthermore, maleic acid, fumaric acid, maleic anhydride and the like can be copolymerized as the above acrylate compounds containing α cyano group or similar compounds.
また、本発明で使用できる含フッ素アクリル酸エステル、含フッ素メタクリル酸エステルとしては、フッ素原子を有する基がアクリルのα位またはエステル部位に有したアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルであって、α位にシアノ基が導入されていても良い。例えば、α位に含フッ素アルキル基が導入された単量体としては、上述した非フッ素系のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルのα位にトリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ノナフルオロ−n−ブチル基などが付与された単量体が好適に採用され、その場合のエステル部位には必ずしもフッ素を含有する必要はない。α−トリフルオロメチルアクリル酸アルキルエステルを共重合成分として使用した場合には、重合体の収率が比較的高く、また得られるポリマーの有機溶媒に対する溶解性が良好で好ましく採用される。さらに、α−トリフルオロメチルアクリル酸t−ブチルエステル(以下、TFMA−Bという)を使用した場合には、得られるポリマーが酸分解性能を有してレジスト材料への応用が可能になる。 The fluorine-containing acrylic ester or fluorine-containing methacrylate used in the present invention is an acrylic ester or methacrylic ester having a fluorine atom group at the α-position or ester site of the acrylic, A cyano group may be introduced. For example, as a monomer having a fluorine-containing alkyl group introduced at the α-position, a trifluoromethyl group, trifluoroethyl group, nonafluoro-n- A monomer having a butyl group or the like is preferably employed, and the ester moiety in that case does not necessarily contain fluorine. When α-trifluoromethylacrylic acid alkyl ester is used as a copolymerization component, the yield of the polymer is relatively high, and the solubility of the resulting polymer in an organic solvent is good, which is preferably employed. Furthermore, when α-trifluoromethylacrylic acid t-butyl ester (hereinafter referred to as TFMA-B) is used, the resulting polymer has an acid decomposability and can be applied to a resist material.
一方、そのエステル部位にフッ素を含有する単量体としては、エステル部位としてパーフルオロアルキル基、フルオロアルキル基であるフッ素アルキル基や、またエステル部位に環状構造とフッ素を共存する単位であって、その環状構造が例えばフッ素やトリフルオロメチル基で置換された含フッ素ベンゼン環、含フッ素シクロペンタン環、含フッ素シクロヘキサン環、含フッ素シクロヘプタン環等を有する単位などを有するアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルである。またエステル部位が含フッ素のt−ブチルエステル基であるアクリル酸またはメタクリル酸のエステルなども使用可能である。これらの含フッ素の官能基は、α位の含フッ素アルキル基と併用した単量体を用いることも可能である。そのような単位のうち特に代表的なものを単量体の形で例示するならば、2,2,2−トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルアクリレート、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルアクリレート、1,1−ジヒドロヘプタフルオロ−n−ブチルアクリレート、1,1,5−トリヒドロオクタフルオロ−n−ペンチルアクリレート、1,1,2,2−テトラヒドロトリデカフルオロ−n−オクチルアクリレート、1,1,2,2−テトラヒドロヘプタデカフルオロ−n−デシルアクリレート、2,2,2−トリフルオロエチルメタクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルメタクリレート、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルメタクリレート、1,1−ジヒドロヘプタフルオロ−n−ブチルメタクリレート、1,1,5−トリヒドロオクタフルオロ−n−ペンチルメタクリレート、1,1,2,2−テトラヒドロトリデカフルオロ−n−オクチルメタクリレート、1,1,2,2−テトラヒドロヘプタデカフルオロ−n−デシルメタクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタクリレートなどが挙げられる。 On the other hand, the monomer containing fluorine at the ester site is a perfluoroalkyl group as the ester site, a fluoroalkyl group that is a fluoroalkyl group, or a unit that coexists with a cyclic structure and fluorine at the ester site, Acrylic acid ester or methacrylic acid ester having a unit having a fluorinated benzene ring, a fluorinated cyclopentane ring, a fluorinated cyclohexane ring, a fluorinated cycloheptane ring or the like whose cyclic structure is substituted with, for example, fluorine or a trifluoromethyl group It is. An ester of acrylic acid or methacrylic acid in which the ester moiety is a fluorine-containing t-butyl ester group can also be used. As these fluorine-containing functional groups, a monomer used in combination with the α-position fluorine-containing alkyl group can be used. Among such units, particularly representative ones are exemplified in the form of monomers, 2,2,2-trifluoroethyl acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl acrylate, 1,1 , 1,3,3,3-hexafluoroisopropyl acrylate, heptafluoroisopropyl acrylate, 1,1-dihydroheptafluoro-n-butyl acrylate, 1,1,5-trihydrooctafluoro-n-pentyl acrylate, 1, 1,2,2-tetrahydrotridecafluoro-n-octyl acrylate, 1,1,2,2-tetrahydroheptadecafluoro-n-decyl acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl methacrylate, 2,2,3 , 3-Tetrafluoropropyl methacrylate, 1,1,1,3,3,3-hexafluo Isopropyl methacrylate, heptafluoroisopropyl methacrylate, 1,1-dihydroheptafluoro-n-butyl methacrylate, 1,1,5-trihydrooctafluoro-n-pentyl methacrylate, 1,1,2,2-tetrahydrotridecafluoro- Examples include n-octyl methacrylate, 1,1,2,2-tetrahydroheptadecafluoro-n-decyl methacrylate, perfluorocyclohexylmethyl acrylate, perfluorocyclohexylmethyl methacrylate, and the like.
さらに、本発明に使用できるスチレン系化合物、含フッ素スチレン系化合物としてはスチレン、フッ素化スチレン、ヒドロキシスチレンなどの他、ヘキサフルオロカルビノール基が一つ又は複数個結合した化合物も使用できる。またトリフルオロメチル基で水素を置換したスチレンまたはヒドロキシスチレン、α位にハロゲン、アルキル基、含フッ素アルキル基が結合した上記スチレンまたは含フッ素スチレン系化合物なども使用可能である。 Furthermore, as the styrene compound and fluorine-containing styrene compound that can be used in the present invention, a compound having one or more hexafluorocarbinol groups bonded thereto can be used in addition to styrene, fluorinated styrene, hydroxystyrene and the like. Further, styrene or hydroxystyrene substituted with hydrogen by a trifluoromethyl group, the above-mentioned styrene or fluorine-containing styrene compound in which a halogen, an alkyl group, or a fluorine-containing alkyl group is bonded to the α-position can be used.
また、ビニルエーテル、含フッ素ビニルエーテル、アリルエーテル、ビニルエステルなどは、一般的に本発明による一般式(2)または式(3)の単量体との重合反応性が乏しいとされているが、その共重合比により導入することが可能であり、例えば、メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシブチル基などのヒドロキシ基を含有しても良いアルキルビニルエーテルであって、その水素の一部または全部がフッ素で置換されていても良い。またシクロヘキシルビニルエーテルやその環状構造内に水素やカルボニル結合を有した環状型ビニルエーテル、またそれらの環状型ビニルエーテルの水素の一部または全部がフッ素で置換された単量体も使用できる。なお、アリルエーテル、ビニルエステル、ビニルシランについても公知の化合物であれば特に制限なく使用することが可能である。 In addition, vinyl ether, fluorine-containing vinyl ether, allyl ether, vinyl ester and the like are generally considered to have poor polymerization reactivity with the monomer of general formula (2) or formula (3) according to the present invention. It can be introduced by a copolymerization ratio, for example, an alkyl vinyl ether which may contain a hydroxy group such as a methyl group, an ethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxybutyl group, and a part or all of the hydrogen thereof May be substituted with fluorine. Further, cyclohexyl vinyl ether, cyclic vinyl ether having hydrogen or carbonyl bond in its cyclic structure, or a monomer in which part or all of hydrogen of the cyclic vinyl ether is substituted with fluorine can be used. Allyl ether, vinyl ester, and vinyl silane can be used without particular limitation as long as they are known compounds.
一方、共重合体の相手成分は一般式(2)または式(3)で表される重合性単量体と共重合反応性を有していれば特に制限なく他の重合性単量体を使用することもできる。すなわち、オレフィン、含フッ素オレフィン、ノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物なども使用できる。 On the other hand, the other component of the copolymer is not particularly limited as long as it has copolymerization reactivity with the polymerizable monomer represented by the general formula (2) or (3). It can also be used. That is, olefins, fluorine-containing olefins, norbornene compounds, fluorine-containing norbornene compounds, and the like can also be used.
オレフィンとしては、エチレン、プロピレンなど、フルオロオレフィンとしては、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ヘキサフルオロイソブテンなどが例示できる。 Examples of the olefin include ethylene and propylene, and examples of the fluoroolefin include vinyl fluoride, vinylidene fluoride, trifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene, tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene, and hexafluoroisobutene.
ノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物は、一核または複数の核構造を有するノルボルネン単量体であって、これらは特に制限なく一般式(2)または式(3)の単量体と共重合することが可能である。この際、アリルアルコール、含フッ素アリルアルコール、ホモアリルアルコール、含フッ素ホモアリルアルコールがアクリル酸、αフルオロアクリル酸、メタクリル酸、本明細書で記載したすべてのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、含フッ素アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルなどの不飽和化合物と、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンとのDiels Alder付加反応で生成するノルボルネン化合物で、3−(5−ビシクロ[2.2.1]ヘプテン−2−イル)−1,1,1−トリフルオロ−2−(トリフルオロメチル)−2−プロパノール等が例示できる。 The norbornene compound and the fluorine-containing norbornene compound are norbornene monomers having a mononuclear structure or a plurality of nuclear structures, and these are copolymerized with the monomer of the general formula (2) or the formula (3) without any particular limitation. Is possible. In this case, allyl alcohol, fluorine-containing allyl alcohol, homoallyl alcohol, fluorine-containing homoallyl alcohol is acrylic acid, α-fluoroacrylic acid, methacrylic acid, all acrylic esters or methacrylic esters described in this specification, fluorine-containing A norbornene compound produced by the Diels Alder addition reaction of an unsaturated compound such as an acrylic ester or a methacrylic ester with cyclopentadiene or cyclohexadiene. 3- (5-bicyclo [2.2.1] hepten-2-yl ) -1,1,1-trifluoro-2- (trifluoromethyl) -2-propanol and the like.
ここで説明した以上の共重合性化合物は単独使用でも2種以上の併用でもよい。 The above copolymerizable compounds described here may be used alone or in combination of two or more.
本発明によれば、一般式(2)または式(3)の単量体の共重合組成比としては特に制限はなく採用されるが、10〜100%の間で選択することが好ましい。さらに好ましくは30〜100%であり、30%未満では応用分野の波長域によっては十分な透明性や成膜性が発現しない。 According to the present invention, the copolymer composition ratio of the monomer of the general formula (2) or the formula (3) is not particularly limited and is preferably selected between 10 and 100%. More preferably, it is 30 to 100%. If it is less than 30%, sufficient transparency and film formability are not exhibited depending on the wavelength range of the application field.
次に、本発明の一般式(9)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 Next, a copolymer having a repeating unit represented by the general formula (9) of the present invention will be described.
(式中、R 3 またはR 4 は一般式(2)と同じ。R9は炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって、芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良い。a、bは任意の整数であって、a:bは共重合比を表す。)R9は炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって、芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良く、その構造には特に制限されないが、好ましいR9を例示するならば、メチル基、エチル基などのアルキル基、トリフルオロエチル基やCnF2n+1を有するフルオロアルキル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルネル基、アダマンチル基、ブチルラクトン基、さらにはこれらにヒドロキシ基、ヘキサフルオロカルビノール基を結合させたものが好ましく採用される。つまり、共重合成分のビニルエーテルとして具体的に例示すると、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、sec−ブチルビニルエーテル、t−ブチルビニルエーテル、ペンチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテルなどをあげることができる。また、パーフルオロアルキルビニルエーテルとしては、パーフルオロメチルビニルエーテル、パーフルオロエチルビニルエーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、パーフルオロイソプロピルビニルエーテル、パーフルオロブチルビニルエーテル、パーフルオロイソブチルビニルエーテル、パーフルオロ−sec−ブチルビニルエーテル、パーフルオロ−t−ブチルビニルエーテル、パーフルオロペンチルビニルエーテル、パーフルオロヘキシルビニルエーテル、パーフルオロオクチルビニルエーテル、パーフルオロドデシルビニルエーテルなどをあげることができる。また、ヒドロキシル基を有するビニルエーテル類でも良く、その例として、ヒドロキシメチルビニルエーテル、2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、3−ヒドロキシプロビルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、5−ヒドロキシペンチルビニルエーテル、6−ヒドロキシヘキシルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールモノビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールビニルエーテルなどがあげられる。 ( Wherein R 3 or R 4 is the same as in formula (2). R 9 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or a fluorinated alkyl group, It may contain a ring, oxygen, carbonyl bond, etc. a and b are arbitrary integers, and a: b represents a copolymerization ratio.) R 9 is a straight chain, branched or A cyclic alkyl group or a fluorinated alkyl group which may contain an aromatic ring, oxygen, carbonyl bond, etc., and its structure is not particularly limited, but preferred R 9 is exemplified by methyl group, ethyl group alkyl group such group, trifluoroethyl group or C n F 2n + 1 fluoroalkyl group having, hexafluoroisopropyl group, cyclopentyl, cyclohexyl, norbornel group, adamantyl group, butyl lactone group, further These hydroxy groups, those obtained by binding hexafluorocarbinol group is preferably employed. That is, specific examples of the vinyl ether of the copolymer component include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, sec-butyl vinyl ether, t-butyl vinyl ether, pentyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether. And dodecyl vinyl ether. In addition, as perfluoroalkyl vinyl ether, perfluoromethyl vinyl ether, perfluoroethyl vinyl ether, perfluoropropyl vinyl ether, perfluoroisopropyl vinyl ether, perfluorobutyl vinyl ether, perfluoroisobutyl vinyl ether, perfluoro-sec-butyl vinyl ether, perfluoro- Examples thereof include t-butyl vinyl ether, perfluoropentyl vinyl ether, perfluorohexyl vinyl ether, perfluorooctyl vinyl ether, and perfluorododecyl vinyl ether. Also, vinyl ethers having a hydroxyl group may be used. Examples thereof include hydroxymethyl vinyl ether, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 3-hydroxypropyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, 5-hydroxypentyl vinyl ether, 6-hydroxyhexyl vinyl ether, Examples include diethylene glycol monovinyl ether, polyethylene glycol monovinyl ether, and 1,4-cyclohexanedimethanol vinyl ether.
ビニルエーテルを共重合成分に使用する目的は、芳香環やカルボニル結合を低減させ、真空紫外線から可視域にいたるまで高い透明性を得るためで、さらに、含フッ素ビニルエーテルや水酸基をもつビニルエーテルを用いることで、更なる透明性の向上や、基板への密着性、高い成膜性等を併せ持つ新規な含フッ素共重合体を提供することにある。 The purpose of using vinyl ether as a copolymerization component is to reduce aromatic rings and carbonyl bonds, and to obtain high transparency from vacuum ultraviolet rays to the visible range, and by using fluorine-containing vinyl ethers and vinyl ethers having hydroxyl groups. Another object of the present invention is to provide a novel fluorine-containing copolymer having further improved transparency, adhesion to a substrate, and high film-forming properties.
次に、本発明の一般式(10)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 Next, a copolymer having a repeating unit represented by the general formula (10) of the present invention will be described.
(式中、R 3 またはR 4 は一般式(2)と同じ。R10は水素原子、メチル基あるいはトリフルオロメチル基を表し、R11は炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、または芳香環を有する環状体であってフッ素、酸素、カルボニル結合などを含んでも良い。R12は水素原子あるいは炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって、芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良く、または酸不安定性基でも良い。a、bは任意の整数であって、a:bは共重合比を表す。nは1から3の整数を表す。)
R10は水素原子、メチル基あるいはトリフルオロメチル基を表し、低屈折率や高透明性、特に紫外線波長領域の透明性を高めるために、R10はトリフルオロメチル基であることが好ましい。
(In the formula, R 3 or R 4 is the same as in the general formula (2). R 10 represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and R 11 is a linear, branched or A cyclic alkyl group or a cyclic product having an aromatic ring and may contain a fluorine, oxygen, carbonyl bond, etc. R 12 is a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms. Or a fluorinated alkyl group which may contain an aromatic ring, oxygen, a carbonyl bond, etc., or may be an acid labile group, a and b are arbitrary integers, and a: b is a copolymerization ratio. (N represents an integer of 1 to 3)
R 10 represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and R 10 is preferably a trifluoromethyl group in order to increase the low refractive index and high transparency, particularly transparency in the ultraviolet wavelength region.
R11は、直鎖または分岐を有しても良いアルキル基、環状構造を有するアルキレン基を表す。例えば、メチレン、エチレン、イソプロピレン、t−ブチレンなどの直鎖または分岐を有するアルキレン基、シクロブテン、シクロヘキサン、ノルボルネン、アダマンタン基などを含有する環状構造など、その構造は制限なく使用することができる。 R 11 represents an alkyl group that may be linear or branched, or an alkylene group that has a cyclic structure. For example, the structure can be used without limitation, such as a cyclic structure containing a linear or branched alkylene group such as methylene, ethylene, isopropylene, t-butylene, cyclobutene, cyclohexane, norbornene, adamantane group or the like.
R12は、水素原子、および分岐を含んでも良い炭化水素基、含フッ素アルキル基、芳香族や脂肪環を有する環状体であって、酸素、カルボニル等の結合を含んでも良く、または酸不安定基でも良い。その構造には特に制限はないが、最も簡単で高い透明性を有するヒドロキシ基が基本となる。その上で、使用目的により、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−プロピル基、sec−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、エチルヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基、ベンジル基などの環状を有しても良い炭素数1〜25のアルキル基、また、一部または全部がフッ素原子で置換された含フッ素アルキル基、また、酸素原子を含むものとして、メトキシメチル(MOM)、メトキシエトキシメチル等の鎖状エーテル基、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル等の環状エーテル基、芳香環を有する環状体としてフェニル基、4−メトキシベンジル基、またカルボニル基を含むものとして、アセチル基、プロピルカルボニル基、ピバロイル基、ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基(tert−BOC)、ベンゾイル基、トリフルオロメチルカルボニル基、パーフルオロプロピルカルボニル基、パーフルオロピバロイル基、パーフルオロヘキシルカルボニル基、パーフルオロシクロヘキシルカルボニル基等が例示できる。 R 12 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group which may contain a branch, a fluorine-containing alkyl group, a cyclic body having an aromatic or alicyclic ring, which may contain a bond such as oxygen or carbonyl, or an acid labile The group may be used. The structure is not particularly limited, but is based on the simplest and most transparent hydroxy group. In addition, depending on the purpose of use, methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-propyl group, sec-butyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, ethylhexyl group, norbornel group, adamantyl group, benzyl group An alkyl group having 1 to 25 carbon atoms which may have a ring, a fluorine-containing alkyl group partially or wholly substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom as methoxymethyl (MOM) A chain ether group such as methoxyethoxymethyl, a cyclic ether group such as tetrahydrofuranyl and tetrahydropyranyl, a cyclic group having an aromatic ring, a phenyl group, a 4-methoxybenzyl group, and a carbonyl group, Propylcarbonyl group, pivaloyl group, hexylcarbonyl group, cyclohexyl Examples include carbonyl group, tert-butoxycarbonyl group (tert-BOC), benzoyl group, trifluoromethylcarbonyl group, perfluoropropylcarbonyl group, perfluoropivaloyl group, perfluorohexylcarbonyl group, perfluorocyclohexylcarbonyl group, etc. it can.
酸不安定基としては、アルキコキシカルボニル基、アセタール基、シリル基、アシル基等を挙げることができ、アルコキシカルボニル基としてはtert−ブトキシカルボニル基(t−BOC)、tert−アミルオキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基等を例示できる。アセタール基としては、メトキシメチル基(MOM)、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェネチルオキシエチル基、エトキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシイソブチル基などが挙げられ、シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、i−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−i−プロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−t−ブチルシリル基、トリ−t−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基等を挙げることができる。更に、これら酸不安定基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。 Examples of the acid labile group include an alkoxycarbonyl group, an acetal group, a silyl group, and an acyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include a tert-butoxycarbonyl group (t-BOC) and a tert-amyloxycarbonyl group. Methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, and the like. As the acetal group, methoxymethyl group (MOM), ethoxyethyl group, butoxyethyl group, cyclohexyloxyethyl group, benzyloxyethyl group, phenethyloxyethyl group, ethoxypropyl group, benzyloxypropyl group, phenethyloxypropyl group, ethoxy Examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, an ethyldimethylsilyl group, a methyldiethylsilyl group, a triethylsilyl group, an i-propyldimethylsilyl group, a methyldi-i-propylsilyl group, and the like. Examples include tri-i-propylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, methyldi-t-butylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, phenyldimethylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, and triphenylsilyl group. Can. As the acyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, heptanoyl group, hexanoyl group, valeryl group, pivaloyl group, isovaleryl group, lauryl group, myristoyl group, palmitoyl group, stearoyl group, oxalyl group, malonyl group, succinyl group, Glutaryl group, adipoyl group, piperoyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoyl group, acryloyl group, propioroyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, oleoyl group, maleoyl group, fumaroyl group, mesaconoyl group, camphoroyl group, benzoyl group, phthaloyl group Group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, cinnamoyl group, furoyl group, thenoyl group, nicotinoyl group, isonicotinoyl group And the like can be given. Further, those in which some or all of the hydrogen atoms of these acid labile groups are substituted with fluorine atoms can also be used.
ヘキサフルオロアセトンが結合したエステルを共重合成分として導入する目的は透明性を向上させるためで、酸不安定性基の導入はポジ型感光性、遠赤外線および波長300nm以下のエキシマレーザー、X線等の高エネルギー線もしくは電子線の露光後のアルカリ水溶液への溶解性、および光酸発生剤によるポジ型感光性などの特徴を付与させることであり、本発明の応用分野ごとに使い分けることが可能である。 The purpose of introducing an ester bonded with hexafluoroacetone as a copolymerization component is to improve transparency. The introduction of an acid labile group is positive photosensitivity, far infrared, excimer laser with a wavelength of 300 nm or less, X-ray, etc. This is to impart characteristics such as solubility in an alkaline aqueous solution after exposure to high energy rays or electron beams, and positive photosensitivity by a photoacid generator, and can be used for each application field of the present invention. .
次に、本発明の一般式(11)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 Next, a copolymer having a repeating unit represented by the general formula (11) of the present invention will be described.
(式中、R 3 またはR 4 は一般式(2)、R12は一般式(10)と同じ。a、bは任意の整数であって、a:bは共重合比を表す。)
ノルボルネン骨格を有するエステルを導入する目的としては、高いガラス転移点、ハンダ耐熱性を目的とした架橋反応性、エッチング耐性などの特徴を付与させることである。
(In the formula, R 3 or R 4 is the same as that in the general formula (2) and R 12 is the same as in the general formula (10). A and b are arbitrary integers, and a: b represents a copolymerization ratio.)
The purpose of introducing an ester having a norbornene skeleton is to impart characteristics such as a high glass transition point, cross-linking reactivity for solder heat resistance, and etching resistance.
本発明の一般式(12)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 The copolymer having the repeating unit represented by the general formula (12) of the present invention will be described.
(式中、R5,R6は一般式(7)、R9は一般式(9)と同じ。R13は水素原子あるいは、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって、芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良い。a、b、cは任意の整数であって、a:b:cは共重合比を表す。)
R13は水素原子あるいは、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって、芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良く、その構造には特に制限されないが、酸不安定性基以外の官能基である必要がある。
(In the formula , R 5 and R 6 are the same as those in the general formula (7) and R 9 is the same as in the general formula (9). R 13 is a hydrogen atom, or a linear, branched or cyclic alkyl having 1 to 25 carbon atoms. Or a fluorinated alkyl group, which may contain an aromatic ring, oxygen, carbonyl bond, etc. a, b and c are arbitrary integers, and a: b: c represents a copolymerization ratio. )
R 13 is a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or a fluorinated alkyl group, and may contain an aromatic ring, oxygen, carbonyl bond, etc. Although it does not restrict | limit in particular, It is necessary to be functional groups other than an acid labile group.
含フッ素メタクリル酸エステルを導入する目的は、真空紫外線から可視域にいたるまでの波長で高い透明性を得るためである。 The purpose of introducing the fluorine-containing methacrylic acid ester is to obtain high transparency at wavelengths from vacuum ultraviolet rays to the visible range.
本発明の一般式(13)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 A copolymer having the repeating unit represented by the general formula (13) of the present invention will be described.
(式中、R5,R6は一般式(7)、R13は一般式(12)と同じ。R14は水素原子、あるいはメチル基を表す。a、cは任意の整数であって、a:cは共重合比を表す。)
アクリル酸エステルまたはメタアクリル酸エステルを導入する目的は、それらの共重合組成が調製しやすいので、目的の共重合体を容易に得るためである。
(Wherein, R 5, R 6 are the general formula (7), .a R 13 are the same .R 14 is a general formula (12) represents a hydrogen atom or a methyl group,, c is an arbitrary integer, a: c represents a copolymerization ratio.)
The purpose of introducing the acrylic ester or methacrylic ester is to easily obtain the desired copolymer because the copolymer composition thereof is easy to prepare.
本発明の一般式(14)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする共重合体について説明する。 The copolymer having the repeating unit represented by the general formula (14) of the present invention will be described.
(式中、R5,R6は一般式(7)、R9は一般式(9)と同じ。a、bは任意の整数であって、a:bは共重合比を表す。) R9は炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基であって、芳香環、酸素、カルボニル結合などを含んでも良く、その構造には特に制限されないが、好ましいR9を例示するならば、メチル基、エチル基などのアルキル基、トリフルオロエチル基やCnF2n+1を有するフルオロアルキル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルネル基、アダマンチル基、ブチルラクトン基、さらにはこれらにヒドロキシ基、ヘキサフルオロカルビノール基を結合させたものが好ましく採用される。つまり、共重合成分のアリルエーテルとして例示すると、メチルアリルエーテル、エチルアリルエーテル、プロピルアリルエーテル、ブチルアリルエーテル、ベンジルアリルエーテル、シクロヘキシルアリルエーテルなどがあげられる。ヒドロキシル基を有するアリルエーテルとしては、例えばエチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノアリルエーテル、ジエチレングリコールモノアリルエーテル、ポリエチレングリコールモノアリルエーテル、ヒドロキシブチルアリルエーテルなどのアルキレングリコールモノアリルエーテル類、またはアリルアルコール、グリセリンモノアリルエーテルなどの多価アルコールのアリルエーテルがあげられる。また、エポキシ基を有するアリルエーテルやβ−ケトエステル基を含有するアリルエーテルとしてアセト酢酸アリルなどがあげられる。また、含フッ素アリルエーテルとしては、トリフルオロメチルアリルエーテル、2,2,2−トリフルオロエチルアリルエーテル、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルアリルエーテルなどをあげることができる。さらに、ホモアリルエーテルおよび含フッ素ホモアリルエーテルも共重合成分として可能であり、例示すると3−ブテニルメチルエーテル、3−ブテニルメチルエーテル、3−ブテニルプロピルエーテルや1,1−トリフルオロメチル−3−ブテニルメチルエーテルなどが挙げられる。 (In the formula , R 5 and R 6 are the same as those in the general formula (7) and R 9 are the same as those in the general formula (9). A and b are arbitrary integers, and a: b represents a copolymerization ratio.) R 9 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or a fluorinated alkyl group, which may contain an aromatic ring, oxygen, carbonyl bond, etc., and its structure is not particularly limited. However, preferred examples of R 9 include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a trifluoroethyl group, a fluoroalkyl group having C n F 2n + 1 , a hexafluoroisopropyl group, a cyclopentyl, a cyclohexyl, a norbornel group, An adamantyl group, a butyl lactone group, and those obtained by binding a hydroxy group or a hexafluorocarbinol group to these groups are preferably employed. That is, examples of the allyl ether of the copolymer component include methyl allyl ether, ethyl allyl ether, propyl allyl ether, butyl allyl ether, benzyl allyl ether, and cyclohexyl allyl ether. As the allyl ether having a hydroxyl group, for example, ethylene glycol monoallyl ether, propylene glycol monoallyl ether, diethylene glycol monoallyl ether, polyethylene glycol monoallyl ether, alkylene glycol monoallyl ether such as hydroxybutyl allyl ether, or allyl alcohol, And allyl ethers of polyhydric alcohols such as glyceryl monoallyl ether. Moreover, as an allyl ether having an epoxy group or an allyl ether having a β-ketoester group, allyl acetoacetate is exemplified. Examples of the fluorinated allyl ether include trifluoromethyl allyl ether, 2,2,2-trifluoroethyl allyl ether, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl allyl ether, and the like. Further, homoallyl ether and fluorine-containing homoallyl ether can also be used as copolymerization components. For example, 3-butenyl methyl ether, 3-butenyl methyl ether, 3-butenyl propyl ether and 1,1-trifluoromethyl are exemplified. Examples include -3-butenyl methyl ether.
アリルエーテルを共重合成分に使用する目的は、芳香環やカルボニル結合を低減させ、真空紫外線から可視域にいたるまでの波長で高い透明性を得るためで、さらに、含フッ素アリルエーテルや水酸基をもつアリルエーテルを用いることで、更なる透明性の向上や、基板への密着性、高い成膜性等を併せ持つ新規な含フッ素共重合体を提供することにある。 The purpose of using allyl ether as a copolymerization component is to reduce aromatic rings and carbonyl bonds, and to obtain high transparency at wavelengths from vacuum ultraviolet to the visible range, and also has fluorine-containing allyl ether and hydroxyl groups. By using allyl ether, an object is to provide a novel fluorine-containing copolymer having further improved transparency, adhesion to a substrate, high film-forming properties, and the like.
そして、本発明にかかる高分子化合物の重合方法としては、一般的に使用される方法であれば特に制限されないが、ラジカル重合、イオン重合などが好ましく、場合により、配位アニオン重合やリビングアニオン重合などを使用することも可能である。ここではより一般的なラジカル重合法を説明する。
すなわち、ラジカル重合開始剤あるいはラジカル開始源の存在下で、塊状重合、溶液重合、懸濁重合または乳化重合などの公知の重合方法により、回分式、半連続式または連続式のいずれかの操作で行えばよい。
The polymer compound polymerization method according to the present invention is not particularly limited as long as it is a generally used method, but radical polymerization, ionic polymerization, etc. are preferable. Etc. can also be used. Here, a more general radical polymerization method will be described.
That is, in the presence of a radical polymerization initiator or a radical initiator, it can be carried out by a known polymerization method such as bulk polymerization, solution polymerization, suspension polymerization, or emulsion polymerization in either batch, semi-continuous or continuous operation. Just do it.
ラジカル重合開始剤としては特に限定されるものではないが、例としてアゾ系化合物、過酸化物系化合物、レドックス系化合物が挙げられ、とくにアゾビスイソブチロニトリル、t−ブチルパーオキシピバレート、過酸化ベンゾイル等が好ましい。 The radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds, peroxide compounds, and redox compounds. Particularly, azobisisobutyronitrile, t-butylperoxypivalate, Benzoyl peroxide is preferred.
重合反応に用いる反応容器は特に限定されない。また、重合反応においては、重合溶媒を用いてもよい。重合溶媒としては、ラジカル重合を阻害しないものが好ましく、代表的なものとしては、酢酸エチル、酢酸n−ブチルなどのエステル系、アセトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系、トルエン、シクロヘキサンなどの炭化水素系、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤などがある。また水、エーテル系、環状エーテル系、フロン系、芳香族系などの種々の溶媒を使用することも可能である。これらの溶剤は単独でもあるいは2種類以上を混合しても使用できる。また、メルカプタンのような分子量調整剤を併用してもよい。共重反応の反応温度はラジカル重合開始剤あるいはラジカル重合開始源により適宜変更され、通常は20〜200℃が好ましく、特に30〜140℃が好ましい。 The reaction vessel used for the polymerization reaction is not particularly limited. In the polymerization reaction, a polymerization solvent may be used. As the polymerization solvent, those which do not inhibit radical polymerization are preferable, and typical ones are ester-based solvents such as ethyl acetate and n-butyl acetate, ketone-based solvents such as acetone and methyl isobutyl ketone, and hydrocarbons such as toluene and cyclohexane. And alcohol solvents such as isopropyl alcohol and ethylene glycol monomethyl ether. It is also possible to use various solvents such as water, ether, cyclic ether, chlorofluorocarbon, and aromatic. These solvents can be used alone or in admixture of two or more. Moreover, you may use together molecular weight regulators, such as a mercaptan. The reaction temperature of the copolymerization reaction is appropriately changed depending on the radical polymerization initiator or the radical polymerization initiation source, and is usually preferably 20 to 200 ° C, particularly preferably 30 to 140 ° C.
このようにして得られる本発明にかかる高分子化合物の溶液または分散液から、媒質である有機溶媒または水を除去する方法としては、公知の方法のいずれも利用できるが、例を挙げれば再沈殿ろ過または減圧下での加熱留出等の方法がある。 As a method for removing the organic solvent or water as a medium from the solution or dispersion of the polymer compound according to the present invention thus obtained, any of the known methods can be used. There are methods such as filtration or heating distillation under reduced pressure.
そして、得られる本発明にかかる高分子化合物の数平均分子量としては、通常、1,000〜100,000、好ましくは3,000〜50,000の範囲が適切である。 And as a number average molecular weight of the high molecular compound concerning this invention obtained, the range of 1,000-100,000 is preferable normally, Preferably the range of 3,000-50,000 is suitable.
次に本発明による応用分野について記述する。本発明はコーティング用途を基本としており、通常は本発明の高分子化合物を有機溶媒に溶解させて成膜させることで応用に供する。したがって、使用する有機溶媒としては高分子化合物が可溶であれば特に制限されないが、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2‐ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレンリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類、キシレン、トルエンなどの芳香族系溶媒、フロン、代替フロン、パーフルオロ化合物、ヘキサフルオロイソプロピルアルコールなどのフッ素系溶剤、塗布性を高める目的で高沸点弱溶剤であるターペン系の石油ナフサ溶媒やパラフィン系溶媒などが使用可能である。これらは単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。 Next, application fields according to the present invention will be described. The present invention is based on coating applications, and is usually used for application by dissolving the polymer compound of the present invention in an organic solvent to form a film. Therefore, the organic solvent to be used is not particularly limited as long as the polymer compound is soluble, but ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, 2-heptanone, ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol Polyhydric alcohols such as dimethyl alcohol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol, or monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether of dipropylene glycol monoacetate and the like Derivatives, cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, pyrubi Esters such as methyl acid, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, aromatic solvents such as xylene and toluene, fluorinated solvents such as chlorofluorocarbons, alternative chlorofluorocarbons, perfluoro compounds, hexafluoroisopropyl alcohol, For the purpose of improving the coating property, a terpene-based petroleum naphtha solvent or a paraffinic solvent, which is a high-boiling weak solvent, can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明による反射防止膜としては、本発明による高分子化合物をガラス、プラスチック、液晶パネル、プラズマディスプレーパネル、エレクトロルミネッセンスパネルなどの表面に極薄膜でコーティングしたものであり、単層または他の屈折率を有する薄膜と組み合わせて使用することもできる。反射防止性能を高めるためには高分子化合物の可視光線における屈折率を1.42以下にする必要があり、好ましくは1.4以下である。通常、フッ素含量が高いほど屈折率が低下するが、一方でフッ素含量が高まった場合、基材との密着性が低下する欠点がある。その場合、本発明による一般式(2)の単量体でR3が水素のアルコール側鎖の単量体を重合することで基材への密着性を高めることが可能である。本発明による反射防止膜の膜厚としては被コート物の屈折率によって異なるが、一般的に500から2000オングストロームの範囲である。 The antireflection film according to the present invention is obtained by coating the polymer compound according to the present invention on the surface of glass, plastic, liquid crystal panel, plasma display panel, electroluminescence panel, etc. with a very thin film, and having a single layer or other refractive index. It can also be used in combination with a thin film having In order to improve the antireflection performance, the refractive index of the polymer compound in visible light needs to be 1.42 or less, preferably 1.4 or less. Usually, the higher the fluorine content, the lower the refractive index. On the other hand, when the fluorine content is increased, there is a drawback that the adhesion to the substrate is lowered. In that case, it is possible to improve the adhesion to the substrate by polymerizing the monomer of the general formula (2) according to the present invention and the monomer of the alcohol side chain in which R 3 is hydrogen. The thickness of the antireflection film according to the present invention varies depending on the refractive index of the object to be coated, but is generally in the range of 500 to 2000 angstroms.
本発明によるレジストとしては、酸の作用によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が変化する高分子化合物および酸発生剤を基本組成に含有するポジ型レジスト組成物が最も好ましい。特に最近の半導体の微細化に対応した248nmKrFまたは193nmArFエキシマレーザーまたは157nmに代表される真空紫外領域のF2レーザー用ポジ型レジストとして好適である。すなわち、酸の作用によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が変化する高分子化合物は、一般式(2)のR3、R4が酸不安定基になるようにしたものであるが、その構造は特に制限なく使用可能である。一般的な酸不安定基としては、本発明の一般式(2)のR3、R4の少なくとも一部にtert−ブチル基、tert−ブトキシカルボニル基、メトキシメチルエーテルやエトキシメチルエーテル基などの鎖状エーテル基、環状構造を有するラクトン基構造などを有し酸によってそのエステル部位が切断される官能基である。こういった単量体を用いた高分子化合物は活性エネルギー線が照射される前にはアルカリ性水溶液に不溶もしくは難溶であって、活性エネルギー線を照射したことにより酸発生剤から発生した酸により加水分解されアルカリ性水溶液に対して溶解性を示すようになる。 The resist according to the present invention is most preferably a positive resist composition containing, as a basic composition, a polymer compound whose solubility in an alkaline aqueous solution is changed by the action of an acid and an acid generator. In particular, it is suitable as a positive resist for F 2 laser in the vacuum ultraviolet region typified by 248 nm KrF or 193 nm ArF excimer laser or 157 nm corresponding to the recent miniaturization of semiconductors. That is, the polymer compound whose solubility in an alkaline aqueous solution is changed by the action of an acid is such that R 3 and R 4 in the general formula (2) are acid labile groups, but its structure is particularly limited. It is usable without. Examples of general acid labile groups include a tert-butyl group, a tert-butoxycarbonyl group, a methoxymethyl ether group and an ethoxymethyl ether group in at least part of R 3 and R 4 in the general formula (2) of the present invention. It is a functional group having a chain ether group, a lactone group structure having a cyclic structure, and the like, and an ester site thereof being cleaved by an acid. A polymer compound using such a monomer is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before being irradiated with active energy rays, and is generated by the acid generated from the acid generator by irradiating the active energy rays. It is hydrolyzed and becomes soluble in alkaline aqueous solution.
本発明組成物に用いられる光酸発生剤については特に制限はなく、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられるものの中から、任意のものを選択して使用することができる。このような酸発生剤の例としては、ビススルホニルジアゾメタン類、ニトロベンジル誘導体類、オニウム塩類、ハロゲン含有トリアジン化合物類、シアノ基含有オキシムスルホネート化合物類、その他のオキシムスルホネート化合物などが挙げられる。これらの酸発生剤は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよく、また、その含有量は、高分子化合物100重量部に対して、通常0.5〜20重量部の範囲で選ばれる。この量が0.5重量部未満では像形成性が不十分であるし、20重量部を超えると均一な溶液が形成されにくく、保存安定性が低下する傾向がみられる。 There is no restriction | limiting in particular about the photo-acid generator used for this invention composition, Arbitrary things can be selected and used from what is used as an acid generator of a chemically amplified resist. Examples of such acid generators include bissulfonyldiazomethanes, nitrobenzyl derivatives, onium salts, halogen-containing triazine compounds, cyano group-containing oxime sulfonate compounds, and other oxime sulfonate compounds. These acid generators may be used alone or in combination of two or more, and the content thereof is usually 0.5 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer compound. Is selected within the range. If this amount is less than 0.5 parts by weight, the image forming property is insufficient, and if it exceeds 20 parts by weight, a uniform solution is hardly formed, and the storage stability tends to be lowered.
本発明のレジストの使用方法としては、従来のフォトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられるが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような支持体上に、レジスト組成物の溶液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに露光装置などにより、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射し、加熱する。次いでこれを現像液、例えば0.1〜10重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。この形成方法でマスクパターンに忠実なパターンを得ることができる。 As a method of using the resist of the present invention, a resist pattern forming method of a conventional photoresist technique is used, but in order to suitably perform it, first, a resist composition solution is spinner or the like on a support such as a silicon wafer. And drying to form a photosensitive layer, which is irradiated with an excimer laser beam through a desired mask pattern by an exposure apparatus or the like and heated. Next, this is developed using a developer, for example, an alkaline aqueous solution such as a 0.1 to 10% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. With this forming method, a pattern faithful to the mask pattern can be obtained.
本発明の応用分野は、さらに所望により混和性のある添加物、例えば付加的樹脂、クエンチャー、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤、増粘剤、レベリング剤、消泡剤、相溶化剤、密着剤、酸化防止剤などの種々添加剤を含有させることができる。 The fields of application of the present invention further include optional miscible additives, such as additional resins, quenchers, plasticizers, stabilizers, colorants, surfactants, thickeners, leveling agents, antifoaming agents, phases. Various additives such as a solubilizer, an adhesion agent, and an antioxidant can be contained.
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention still in detail, this invention is not limited at all by these examples.
「実施例1」
式(3)に示すスチレン誘導体(3,5−D−HFA−ST)の製造
式(3)に示すスチレン誘導体(以下、3,5−D−HFA−STという)を以下に示す3つの工程に従って合成した。
"Example 1"
Production of Styrene Derivative (3,5-D-HFA-ST) represented by Formula (3) Three steps shown below for the styrene derivative represented by Formula (3) (hereinafter referred to as 3,5-D-HFA-ST) Was synthesized according to
第一工程:ベンゼン誘導体のエチル化
環流冷却管、滴下ロート、攪拌子を備えた3口フラスコに、式(15)に示すベンゼン誘導体(以下、1,3−Bis−HFABという)100gと無水塩化アルミニウム83gを入れ、50℃のオイルバスで加熱した。滴下ロートにはエチルブロミド133gを入れ、5時間かけて滴下した。反応終了後、反応溶液を500mlの氷水に投入した。下層に沈殿した黒色油状物質を取り出して水で洗浄した。これを減圧下で蒸留して30gの式(16)に示すエチルベンゼン誘導体を得た。
沸点: 80〜84℃/2mmHg、
NMR:1H−NMR(TMS、CDCl3): 1.28(t、7.2Hz、3H)、2.75(q、7.2Hz、2H)、7.66(s、2H)、7.92(S、1H)
第二工程:エチルベンゼン誘導体の臭素化
次に、環流冷却管、滴下ロート、攪拌子を備えた三口フラスコに、第一工程で得られたエチルベンゼン誘導体(式(16))を25g、臭素10g、AIBN0.1gを入れ、60℃のオイルバスで7時間加熱した。反応後、反応溶液を分液ロートに移し、5%のチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄した。これを減圧下で蒸留して22gの臭素化体(式(17))を得た。
沸点: 110〜115℃/2mmHg
1H−NMR(TMS、CDCl3): 2.07(d、6.8Hz、3H)、5.23(q、6.8Hz、1H)、7.92(s、2H)、8.00(S、1H)
第三工程:臭素化物の熱分解
セラミック製のラシヒリングを充填した内径20mmの石英管を、縦型の電気管状炉内に設置した。石英管の上方には滴下ロートを接続し、下方にはドライアイスとメタノールを混合した冷媒によって冷却したトラップを接続した。さらにトラップの出口は真空ポンプと接続した。滴下ロートには第二工程で得られた臭素化体(式(17))を10g入れ、装置内を約5mmHgまで減圧し、石英管部分を約500℃に加熱した。滴下ロートから臭素化体(式(17))を約0.5g/minの速度で滴下し、熱分解反応で生成した目的のスチレン誘導体(3,5−D−HFA−ST:式(3))を7gトラップに捕集した。1H−NMR(TMS、CDCl3): 3.56(s、2H)、5.40(d、11.2Hz、1H)、5.85(d、17.6Hz、1H)、6.76Hz(dd、17.6Hz、11.2Hz、1H)、7.84(s、2H)、7.96(S、1H)GC−MS(EI法):m/e 436(M+)、367(M+−CF3)。
First step: Ethylation reflux condenser tube of benzene derivative, dropping funnel, three-necked flask equipped with stirrer, 100 g of benzene derivative represented by formula (15) (hereinafter referred to as 1,3-Bis-HFAB) and anhydrous chloride 83 g of aluminum was added and heated in an oil bath at 50 ° C. In the dropping funnel, 133 g of ethyl bromide was added and dropped over 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 500 ml of ice water. The black oily substance precipitated in the lower layer was taken out and washed with water. This was distilled under reduced pressure to obtain 30 g of an ethylbenzene derivative represented by the formula (16).
Boiling point: 80-84 ° C./2 mmHg,
NMR: 1 H-NMR (TMS, CDCl 3 ): 1.28 (t, 7.2 Hz, 3H), 2.75 (q, 7.2 Hz, 2H), 7.66 (s, 2H), 7. 92 (S, 1H)
Second Step: Bromination of Ethylbenzene Derivative Next, in a three-necked flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, 25 g of ethylbenzene derivative (formula (16)) obtained in the first step, 10 g of bromine, AIBN0 0.1 g was added and heated in a 60 ° C. oil bath for 7 hours. After the reaction, the reaction solution was transferred to a separating funnel and washed with 5% aqueous sodium thiosulfate solution. This was distilled under reduced pressure to obtain 22 g of a brominated product (formula (17)).
Boiling point: 110-115 ° C / 2mmHg
1 H-NMR (TMS, CDCl 3 ): 2.07 (d, 6.8 Hz, 3H), 5.23 (q, 6.8 Hz, 1H), 7.92 (s, 2H), 8.00 ( S, 1H)
Third step: A quartz tube with an inner diameter of 20 mm filled with a broached pyrolytic ceramic Raschig ring was placed in a vertical electric tubular furnace. A dropping funnel was connected above the quartz tube and a trap cooled by a refrigerant mixed with dry ice and methanol was connected below. Furthermore, the trap outlet was connected to a vacuum pump. In the dropping funnel, 10 g of the brominated product (formula (17)) obtained in the second step was put, the pressure inside the apparatus was reduced to about 5 mmHg, and the quartz tube part was heated to about 500 ° C. The brominated product (formula (17)) is dropped from the dropping funnel at a rate of about 0.5 g / min, and the target styrene derivative (3,5-D-HFA-ST: formula (3)) produced by the thermal decomposition reaction is added. ) Was collected in a 7 g trap. 1 H-NMR (TMS, CDCl 3 ): 3.56 (s, 2H), 5.40 (d, 11.2 Hz, 1H), 5.85 (d, 17.6 Hz, 1H), 6.76 Hz ( dd, 17.6 Hz, 11.2 Hz, 1 H), 7.84 (s, 2 H), 7.96 (S, 1 H) GC-MS (EI method): m / e 436 (M + ), 367 (M + -CF 3).
「実施例2〜12」 実施例1で製造した3,5−D−HFA−STあるいはその誘導体を用いて、単独重合または共重合を行い、高分子化合物を製造した。結果を表1に示した。 “Examples 2 to 12” Using the 3,5-D-HFA-ST produced in Example 1 or a derivative thereof, homopolymerization or copolymerization was carried out to produce a polymer compound. The results are shown in Table 1.
「実施例2」
(3,5−D−HFA−STの単独重合)
環流冷却管、攪拌子を備えた三口フラスコに、3,5−D−HFA−STを10g入れ、重合開始剤としてAIBNを0.2gを入れ、重合溶媒として酢酸n−ブチルを40g入れた。このフラスコを60℃のオイルバスで加熱して20時間反応させた。反応後、反応溶液をn−ヘキサン1Lに投入して攪拌した。生成した沈殿を濾過してとり、50℃で18時間真空乾燥した。得られたポリマーの組成は1H−NMRおよび19F−NMRから、分子量に関して(Mw、Mn、Mw/Mn)はGPC分析(標準ポリスチレン)から求めた。結果を表1に示した。
"Example 2"
(Homopolymerization of 3,5-D-HFA-ST)
A 3-neck flask equipped with a reflux condenser and a stirrer was charged with 10 g of 3,5-D-HFA-ST, 0.2 g of AIBN as a polymerization initiator, and 40 g of n-butyl acetate as a polymerization solvent. The flask was heated in an oil bath at 60 ° C. and reacted for 20 hours. After the reaction, the reaction solution was added to 1 L of n-hexane and stirred. The resulting precipitate was filtered off and dried in vacuo at 50 ° C. for 18 hours. The composition of the obtained polymer was determined from 1 H-NMR and 19 F-NMR, and the molecular weight (Mw, Mn, Mw / Mn) was determined from GPC analysis (standard polystyrene). The results are shown in Table 1.
「実施例3」
(3,5−D−HFA−STと3,5−D−HFA−ST−BOCの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、3,5−D−HFA−ST−BOC(下図参照)を8.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 3"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST and 3,5-D-HFA-ST-BOC)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2 using 10 g of 3,5-D-HFA-ST and 8.0 g of 3,5-D-HFA-ST-BOC (see the following figure) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例4」
(3,5−D−HFA−STと3,5−D−HFA−ST−TFET、MA−MADの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、3,5−D−HFA−TFET−ST(下記参照)を7.5g、MA−MAD(下記参照)を6.5g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
Example 4
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST with 3,5-D-HFA-ST-TFET and MA-MAD)
Example 2 using 10 g of 3,5-D-HFA-ST as a monomer, 7.5 g of 3,5-D-HFA-TFET-ST (see below), and 6.5 g of MA-MAD (see below) Polymerization was carried out in the same manner as described above. The results are shown in Table 1.
「実施例5」
(3,5−D−HFA−STと4−HFA−STの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、4−HFA−ST(下図参照)を6.2g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 5"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST and 4-HFA-ST)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST and 6.2 g of 4-HFA-ST (see the figure below) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例6」
(3,5−D−HFA−STとMA−HFIPの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、MA−HFIP(下図参照)を5.4g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 6"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST and MA-HFIP)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST and 5.4 g of MA-HFIP (see the figure below) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例7」
(3,5−D−HFA−STとTFMA−Bの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、TFMA−B(下図参照)を5.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 7"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST and TFMA-B)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST and 5.0 g of TFMA-B (see the figure below) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例8」
(3,5−D−HFA−STとTFMA−MADの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、TFMA−MAD(下図参照)6.6g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 8"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST and TFMA-MAD)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST as a monomer and 6.6 g of TFMA-MAD (see the figure below). The results are shown in Table 1.
「実施例9」
(3,5−D−HFA−ST−TFETとTFMA−Bの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−ST−TFETを10g、TFMA−Bを9.0gを用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 9"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST-TFET and TFMA-B)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST-TFET and 9.0 g of TFMA-B as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例10」
(3,5−D−HFA−STとTFMA−BTHB−NB−BOCの共重合) モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、TFMA−BTHB−NB−BOC(下図参照)を5.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 10"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST and TFMA-BTHB-NB-BOC) As a monomer, 10 g of 3,5-D-HFA-ST and TFMA-BTHB-NB-BOC (see the figure below) are used. Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2 using 0 g. The results are shown in Table 1.
「実施例11」
(3,5−D−HFA−ST−BOCとTFMA−BTHB−NBの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−ST−BOCを10g、TFMA−BTHB−NB(下図参照)を5.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 11"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST-BOC and TFMA-BTHB-NB)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST-BOC and 5.0 g of TFMA-BTHB-NB (see the figure below) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例12」
(3,5−D−HFA−ST−BOC、TFMA−H−3,5−D−HFA−PH、H−HQ−VEの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−ST−BOCを10g、TFMA−H−3,5−D−HFA−PH(下図参照)を8.5g、H−HQ−VE(下図参照)3.0gを用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 12"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST-BOC, TFMA-H-3,5-D-HFA-PH, H-HQ-VE)
As a monomer, 10 g of 3,5-D-HFA-ST-BOC, 8.5 g of TFMA-H-3,5-D-HFA-PH (see below), 3.0 g of H-HQ-VE (see below) The polymerization was carried out in the same manner as in Example 2. The results are shown in Table 1.
「実施例13」
(3,5−D−HFA−ST−BOC、TFMA−BとTFE−VEの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−ST−BOCを10g、TFMA−BとTFE−VE(下図参照)を5.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 13"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST-BOC, TFMA-B and TFE-VE)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST-BOC and 5.0 g of TFMA-B and TFE-VE (see the figure below) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例14」
(3,5−D−HFA−ST、A−BとHFIBの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、A−B(下図参照)を6.0g、HFIB(下図参照)を5.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 14"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST, AB and HFIB)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST as a monomer, 6.0 g of AB (see the following figure), and 5.0 g of HFIB (see the following figure). The results are shown in Table 1.
「実施例15」
(3,5−D−HFA−ST−BOC、A−TFE、HFIBの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−ST−BOCを10g、A−TFE(下図参照)を9.0g、HFIBを5.0g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 15"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST-BOC, A-TFE, HFIB)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST-BOC, 9.0 g of A-TFE (see the following figure), and 5.0 g of HFIB as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例16」
(3,5−D−HFA−ST、A−CN、HFIBの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−STを10g、A−CN(下図参照)を7.2g、HFIBを4.8g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 16"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST, A-CN and HFIB)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST as a monomer, 7.2 g of A-CN (see the following figure), and 4.8 g of HFIB. The results are shown in Table 1.
「実施例17」
(3,5−D−HFA−ST−MOMとA−OFCPEの共重合)
モノマーとして3,5−D−HFA−ST−MOM(下図参照)を10gとA−OFCPE(下図参照)を10g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 17"
(Copolymerization of 3,5-D-HFA-ST-MOM and A-OFCPE)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-D-HFA-ST-MOM (see the lower figure) and 10 g of A-OFCPE (see the lower figure) as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例18」
(3,5−HFA−ST−MOM、HB−AE、A−OFCPEの共重合)
モノマーとして3,5−HFA−ST−MOMを10g、HB−AE(下図参照)を5.0g、A−OFCPEを10g用い、実施例2と同様の方法で重合を行った。結果を表1に示した。
"Example 18"
(Copolymerization of 3,5-HFA-ST-MOM, HB-AE, A-OFCPE)
Polymerization was carried out in the same manner as in Example 2, using 10 g of 3,5-HFA-ST-MOM, 5.0 g of HB-AE (see the figure below), and 10 g of A-OFCPE as monomers. The results are shown in Table 1.
「実施例19」
実施例4で得られた高分子化合物100重量部(以下、部という)をメチルイソブチルケトンに溶解させ約30%の固形分濃度になるように調整した。これらをガラス板上に展開させ、50ミクロンのフィルムを作製した。自然乾燥1時間後、100℃の熱風乾燥機で30分、強制乾燥し、架橋反応を促進させた。これらの屈折率をアッベ屈折計で測定したところ、1.376であった。次いで、上記の約30%の溶液に対し、さらに希釈を行いし約2%の濃度になるようにしてからスピンコート法にてガラス基板上に薄膜を形成し、100℃で3分間乾燥したところ膜厚が1030オングストロームであった。得られたガラス板の反射率を測定したところ、650nmの波長域に対し0.9%と高レベルな反射防止性能が見られた。
"Example 19"
100 parts by weight (hereinafter referred to as “parts”) of the polymer compound obtained in Example 4 was dissolved in methyl isobutyl ketone and adjusted to a solid content concentration of about 30%. These were spread on a glass plate to produce a 50 micron film. After 1 hour of natural drying, forced drying was performed for 30 minutes with a hot air dryer at 100 ° C. to promote the crosslinking reaction. When these refractive indexes were measured with the Abbe refractometer, it was 1.376. Next, the above 30% solution was further diluted to a concentration of about 2%, and then a thin film was formed on a glass substrate by spin coating and dried at 100 ° C. for 3 minutes. The film thickness was 1030 angstroms. When the reflectance of the obtained glass plate was measured, antireflection performance at a high level of 0.9% with respect to the wavelength range of 650 nm was observed.
「実施例20」
実施例5、6の高分子化合物をプロピレングリコールメチルアセテートに溶解させ、固形分14%になるように調整した。さらに高分子化合物100重量部に対して、酸発生剤としてみどり化学製トリフェニルスルフォニウムトリフレート(TPS105)を2重量部になるように溶解し、2種類のレジスト溶液を調整した。これらをスピンコートし、膜厚100ナノメータの光透過率を波長157nmにて測定したところ、実施例5、6に対しそれぞれ71%、69%であり、真空紫外域の波長で高い透明性を発現した。
"Example 20"
The polymer compounds of Examples 5 and 6 were dissolved in propylene glycol methyl acetate and adjusted to a solid content of 14%. Furthermore, Midori Chemical's triphenylsulfonium triflate (TPS105) was dissolved in 2 parts by weight as an acid generator with respect to 100 parts by weight of the polymer compound to prepare two types of resist solutions. When these were spin-coated and the light transmittance with a film thickness of 100 nanometers was measured at a wavelength of 157 nm, they were 71% and 69%, respectively, for Examples 5 and 6, and high transparency was exhibited at wavelengths in the vacuum ultraviolet region. did.
次いで、全レジスト溶液を孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過した後、各組成物溶液をシリコンウェハー上にスピンコートし膜厚250ナノメータのレジスト膜を得た。110℃でプリベークを行った後、KrFエキシマレーザー用マイクロスキャナーを用い、248nmでの露光を行ったのち、120℃でポストエクスポーザーベークを行った。その後、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、23℃で1分間現像したところ、高解像のパターン形状が得られ、現像欠陥もほとんど見られなかった。 Next, after filtering the entire resist solution through a membrane filter having a pore diameter of 0.2 μm, each composition solution was spin-coated on a silicon wafer to obtain a resist film having a thickness of 250 nanometers. After pre-baking at 110 ° C., using a KrF excimer laser microscanner, exposure was performed at 248 nm, followed by post-exposure baking at 120 ° C. Thereafter, development was performed at 23 ° C. for 1 minute using a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. As a result, a high-resolution pattern shape was obtained, and almost no development defects were observed.
Claims (2)
(式中、R3、R4は水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、アルコキシカルボニル基又はアセタール基である)
第一工程: 一般式(4)で示されるベンゼン誘導体
第二工程: 第一工程で得られた一般式(5)のエチルベンゼン誘導体をラジカル開始剤存在下、臭素と反応させて臭素化し、一般式(6)に示す化合物を製造する工程。
(式(4)〜(6)中、R3、R4の意味は、前記式(2)と同じ。) Fluorine-containing polymerizable monomer represented by the general formula (2) comprising the following three steps
(Wherein R 3 and R 4 are a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, a fluorinated alkyl group, an alkoxycarbonyl group or an acetal group)
First step: benzene derivative represented by the general formula (4)
Second step: A step of producing a compound represented by the general formula (6) by reacting the ethylbenzene derivative of the general formula (5) obtained in the first step with bromine in the presence of a radical initiator to form a bromine.
(In the formulas (4) to (6) , the meanings of R 3 and R 4 are the same as those in the formula (2) . )
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