JP4764137B2 - Anti-reflection coating - Google Patents
Anti-reflection coating Download PDFInfo
- Publication number
- JP4764137B2 JP4764137B2 JP2005318762A JP2005318762A JP4764137B2 JP 4764137 B2 JP4764137 B2 JP 4764137B2 JP 2005318762 A JP2005318762 A JP 2005318762A JP 2005318762 A JP2005318762 A JP 2005318762A JP 4764137 B2 JP4764137 B2 JP 4764137B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractive index
- film thickness
- high refractive
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、反射防止膜に関し、特にカメラレンズ等の表面に設けられる反射防止膜の特性を改善するための膜構成に関するものであって、スパッタ法を用いて形成する反射防止膜に関するものである。 The present invention relates to an antireflection film, and more particularly to a film configuration for improving the characteristics of an antireflection film provided on the surface of a camera lens or the like, and to an antireflection film formed using a sputtering method. .
従来用いられている反射防止膜は、反射防止の波長域の中心波長をλとしたとき、光学膜厚が基板側からλ／４−λ／２−λ／４の３層整数基本構成を等価膜で置き換えた非整数６層、又は非整数７層膜が主流であった。
例えば、特許文献１のように、基板上に１層〜７層を積層してなる反射防止膜が提案されている。
近年においては、以上のような膜構成の反射防止膜に対して、さらに低反射率の高性能反射防止膜が求められており、例えば、特許文献２のように、基板上に１層〜９層を積層した９層の膜構成による反射防止膜が提案されている。
しかしながら、このような９層の膜構成のものにおいては、特許文献１の膜構成のものに比較して、総光学膜厚が約２倍となり成膜コスト上不利になる。
また、層数が増えるため品質のバラツキが多くなるという点にも問題を有している。
The conventional antireflection film is equivalent to a three-layer integer basic structure in which the optical film thickness is λ / 4−λ / 2−λ / 4 from the substrate side, where λ is the center wavelength of the antireflection wavelength region. A non-integer 6-layer film or a non-integer 7-layer film replaced with a film was mainstream.
For example, as in
In recent years, there has been a demand for a high-performance antireflection film having a lower reflectance than the antireflection film having the above-described film configuration. For example, as disclosed in
However, in such a nine-layer film structure, the total optical film thickness is about twice that of the film structure of
Another problem is that the number of layers increases, resulting in increased quality variations.
一方、以上の特許文献１、特許文献２のような反射防止膜の形成方法としては、従来においては、真空蒸着法（イオンプレーティング、イオンビームアシスト法を含む）によるのが一般的であった。
このような真空蒸着法は、大型装置により多量のレンズを同時加工（例えば、傘（レンズ）径Φ６００〜９００）して成膜コストを下げるには有効な方法である。
しかしながら、低コストの小型装置により小型で小量のレンズを加工（例えば、ホルダー径〜Φ１００）するには難点があった。
On the other hand, as a method for forming an antireflection film as in
Such a vacuum deposition method is an effective method for reducing the film formation cost by simultaneously processing a large amount of lenses (for example, umbrella (lens) diameter Φ600 to 900) with a large apparatus.
However, there is a difficulty in processing a small and small amount of lens (for example, holder diameter to Φ100) with a low-cost small-sized device.
このようなことから、例えば、特許文献３のように少量加工に適しているスパッタ法による反射防止膜が提案されている。
これにより、メカ機構が簡単で、小型の装置によって、少量加工に適した加工が可能とされる。
また、例えば、特許文献４では、スパッタ法により形成された１４〜１７層の多層膜構成による低反射率の反射防止膜が提案されている。
これにより、ＴｉＯ２とＳｉＯ２の交互層をベースにした１４〜１７層の多層膜により、波長４００〜７００ｎｍで反射率が０．１以下の反射防止膜が構成可能とされる。
As a result, the mechanical mechanism is simple, and processing suitable for a small amount of processing can be performed by a small device.
Further, for example, Patent Document 4 proposes an antireflection film having a low reflectance having a multilayer structure of 14 to 17 layers formed by sputtering.
As a result, an antireflection film having a reflectance of 0.1 or less at a wavelength of 400 to 700 nm can be formed by a multilayer film of 14 to 17 layers based on alternating layers of TiO 2 and SiO 2 .
上記したように、特許文献１、特許文献２の反射防止膜の形成方法に用いられる真空蒸着法は、小型装置により小型で小量のレンズを加工する際には難点があり、このような場合には特許文献３、特許文献４のようにスパッタ法によることとなる。
しかしながら、特許文献３のものでは、前述したようにメカ機構が簡単で、小型の装置によって少量加工とすることが可能となるが、近年において望まれている低反射率の反射防止特性の点で、必ずしも満足の得られるものではなかった。
また、特許文献４のものでは、前述したように反射率が０．１以下の反射防止膜が得られるが、成膜速度が遅く、成膜コスト上、必ずしも満足の得られるものではなかった。
As described above, the vacuum vapor deposition method used in the method for forming the antireflection film in
However, in the case of Patent Document 3, the mechanical mechanism is simple as described above, and it is possible to process a small amount by a small device, but in terms of antireflection characteristics with low reflectivity that have been desired in recent years. It was not always satisfactory.
Further, in the case of Patent Document 4, an antireflection film having a reflectance of 0.1 or less can be obtained as described above, but the film formation rate is slow and the film formation cost is not always satisfactory.
本発明は、上記課題に鑑み、スパッタ法によっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となる反射防止膜を提供することを目的とするものである。 An object of the present invention is to provide an antireflection film that has an antireflection characteristic with a low reflectance even by a sputtering method and that can be processed in a film formation time close to a vapor deposition method. To do.
本発明は上記課題を解決するため、つぎのように構成した反射防止膜を提供する。
本発明においては、反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成したことを特徴としている。
すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（１）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（２）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（３）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴としている。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．５５ ……（１）
但し、式（１）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．３、ｎＬ≦１．５……（２）
０．１５≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０２
０．１７≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０４
０．４３≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０２
０．３６≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．０５
０．２１≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０５
０．３９≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０９
０．２１≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０１
０．２５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０２
０．５０≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１４
０．２３≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
……（３）
また、本発明においては、前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜であり、低屈折率膜がＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴としている。
本発明においては、反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成したことを特徴としている。
すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（４）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（５）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（６）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴としている。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．４ ……（４）
但し、式（４）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．２、ｎＬ≦１．５……（５）
０．１０≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０１
０．２１≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０５
０．１１≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０１
０．５９≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．２９
０．０９≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０１
０．１３≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０１
０．２２≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０８
０．０５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０１
０．２７≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１１
０．２４≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
…………（６）
また、本発明においては、前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜、またはＮｂ２Ｏ５を主成分とする膜であり、前記低屈折率膜が、ＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴としている。
また、本発明においては、前記全層が、スパッタで形成されることを特徴としている。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides an antireflection film configured as follows.
In the present invention, when the reference wavelength of the antireflective film is λ0, an antireflective film in which ten layers of high refractive index films and low refractive index films are alternately laminated is started from the substrate side. It is characterized by being configured as described above.
That is, the total film thickness of the optical film thickness at λ0 of the high refractive index film and the total film thickness of the optical film thickness at λ0 of all the layers satisfy the following formula (1):
And when λ0 = 588 nm, the refractive index of the high refractive index film is nH, and the refractive index of the low refractive index film is nL, each refractive index satisfies the following formula (2):
And the optical film thickness of each layer is, meets the following formula (3), the reflectance at normal incidence in the visible range 450nm~650nm is equal to or less than 0.2%.
Total film thickness of optical film thickness in high refractive index film (d1 + d3 + d5 + d7 + d9) ≦ total film thickness of optical film thickness in all layers (d1 + d2 + d3 + d4 + d5 + d6 + d7 + d8 + d9 + d10) × 0.55 (1)
However, in Formula (1),
d1, d3, d5, d7, d9: Optical film thickness of each layer from the substrate side at λ0 of the high refractive index film d2, d4, d6, d8, d10: Each layer from the substrate side at λ0 of the low refractive index film Optical film thickness
nH ≧ 2.3, nL ≦ 1.5 (2)
0.15 ≧ nH × d1 / λ0 ≧ 0.02
0.17 ≧ nL × d2 / λ0 ≧ 0.04
0.43 ≧ nH × d3 / λ0 ≧ 0.02
0.36 ≧ nL × d4 / λ0 ≧ 0.05
0.21 ≧ nH × d5 / λ0 ≧ 0.05
0.39 ≧ nL × d6 / λ0 ≧ 0.09
0.21 ≧ nH × d7 / λ0 ≧ 0.01
0.25 ≧ nL × d8 / λ0 ≧ 0.02
0.50 ≧ nH × d9 / λ0 ≧ 0.14
0.23 ≧ nL × d10 / λ0 ≧ 0.19
...... (3)
In the present invention, the high refractive index film is a film containing TiO 2 as a main component, and the low refractive index film is a film containing SiO 2 as a main component.
In the present invention, when the reference wavelength of the antireflective film is λ0, an antireflective film in which ten layers of high refractive index films and low refractive index films are alternately laminated is started from the substrate side. It is characterized by being configured as described above.
That is, the total film thickness of the optical film thickness at λ0 of the high refractive index film and the total film thickness of the optical film thickness at λ0 of all layers satisfy the following formula (4):
And when λ0 = 588 nm, the refractive index of the high refractive index film is nH, and the refractive index of the low refractive index film is nL, each refractive index satisfies the following formula (5):
And the optical film thickness of each layer is, meets the following formula (6), the reflectivity at normal incidence in the visible range 450nm~650nm is equal to or less than 0.2%.
Total film thickness of optical film thickness in high refractive index film (d1 + d3 + d5 + d7 + d9) ≦ total film thickness of optical film thickness in all layers (d1 + d2 + d3 + d4 + d5 + d6 + d7 + d8 + d9 + d10) × 0.4 (4)
However, in Formula (4),
d1, d3, d5, d7, d9: Optical film thickness of each layer from the substrate side at λ0 of the high refractive index film d2, d4, d6, d8, d10: Each layer from the substrate side at λ0 of the low refractive index film Optical film thickness
nH ≧ 2.2, nL ≦ 1.5 (5)
0.10 ≧ nH × d1 / λ0 ≧ 0.01
0.21 ≧ nL × d2 / λ0 ≧ 0.05
0.11 ≧ nH × d3 / λ0 ≧ 0.01
0.59 ≧ nL × d4 / λ0 ≧ 0.29
0.09 ≧ nH × d5 / λ0 ≧ 0.01
0.13 ≧ nL × d6 / λ0 ≧ 0.01
0.22 ≧ nH × d7 / λ0 ≧ 0.08
0.05 ≧ nL × d8 / λ0 ≧ 0.01
0.27 ≧ nH × d9 / λ0 ≧ 0.11
0.24 ≧ nL × d10 / λ0 ≧ 0.19
………… (6)
In the present invention, the high refractive index film is a film containing TiO 2 as a main component or a film containing Nb 2 O 5 as a main component, and the low refractive index film contains SiO 2 as a main component. It is characterized by being a film that performs.
In the present invention, all the layers are formed by sputtering.
本発明によれば、スパッタによっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となる反射防止膜を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize an antireflection film that has an antireflection characteristic with a low reflectance even by sputtering and can be processed in a film formation time close to a vapor deposition method.
以上の構成によれば、スパッタ法によっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となるが、それは本発明者のつぎのような知見に基づくものである。
すなわち、本発明者は、鋭意研究した結果、高屈折率膜と低屈折率膜の１０層交互層において、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚を、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の所定以下とすることにより、成膜時間の短縮化が図り得ることを見出した。
このことは、例えば、後述する実施例１の硝子基板がＬａＳＦ０３のもにおいて、前述した式（１）、式（２）及び式（３）の関係を満たすことにより、特許文献１（比較例１）の蒸着法と略同等の成膜時間の比較例３の２倍弱まで、成膜時間が短縮可能となることからも明白である。
具体的には、表１に示されているように、硝子基板がＬａＳＦ０３での高屈折率膜ＴｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４８７であるのに対して、低屈折率膜ＳｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４２８である。
したがって、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚は、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の５０％以下の範囲にあり、前述した式（１）式（２）及び式（３）の関係を満たしている。
上記実施例１のものでは、このような膜厚関係のもとで、成膜時間の合計が１２５６秒（２０分５６秒）であり、比較例１の成膜時間１０分３０秒の２倍弱まで、成膜時間の短縮化が図られている。
According to the above configuration, even with the sputtering method, it has an antireflection characteristic with a low reflectance and can be processed in a film formation time close to that of the vapor deposition method. It is based on.
That is, as a result of earnest research, the present inventor has determined that the total optical film thickness at λ0 of the high refractive index film is the total thickness at λ0 of all the layers in the ten alternating layers of the high refractive index film and the low refractive index film. It has been found that the film formation time can be shortened by setting the total optical film thickness to a predetermined value or less.
This is because, for example, in the case where the glass substrate of Example 1 described later is LaSF03, the relationship of the above-described formulas (1) , (2), and (3) is satisfied. This is also clear from the fact that the film formation time can be shortened to nearly twice the film formation time of Comparative Example 3 which is substantially equivalent to the vapor deposition method of
Specifically, as shown in Table 1, the total thickness of the optical film at
Therefore, the total film thickness of the high refractive index film at λ0 is in the range of 50% or less of the total film thickness of the total optical film thickness at λ0 of all layers, and the above-described formulas (1) and (2) And the relationship of Formula (3) is satisfy | filled.
In the example 1, the total film formation time is 1256 seconds (20 minutes 56 seconds) under such a film thickness relationship, which is twice the film formation time 10 minutes 30 seconds of Comparative Example 1. The film formation time has been shortened until weak.
また、後述する実施例３の硝子基板がＬａＳＦ０３のもにおいて、前述した式（４）、式（５）及び式（６）の関係を満たすことにより、比較例３と略同じ成膜時間で、成膜が可能となることからも明白である。
具体的には、表３に示されているように、硝子基板がＬａＳＦ０３での高屈折率膜Ｎｂ２Ｏ５のλ０における光学膜厚の合計膜厚は２９２であるのに対して、低屈折率膜ＳｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４９３である。
したがって、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚は、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の４０％以下の範囲にあり、前述した式（４）、式（５）及び式（６）の関係を満たしている。
上記実施例３のものでは、このような膜厚関係のもとで、成膜時間の合計が７４９秒（１２分２９秒）であり、比較例１の成膜時間１０分３０秒と略同じ成膜時間まで、成膜時間の短縮化が図られている。
なお、上記した成膜はスパッタ法を用いて反射防止膜を形成する場合、特に有功であるが、必ずしもスパッタ法にかぎられるものではなく、真空蒸着法を用いることも勿論可能である。真空蒸着法による場合には、最終層をＭｇＦ２膜に置きかえることも、また可能である。
すなわち、低屈折率膜の材料として使用されるＭｇＦ２膜は、結合エネルギーが低く、スパッタ法では剥離してしまい、最終層をＭｇＦ２膜で形成することは困難であったが、真空蒸着法ではそれが可能となる。
Further, in the case where the glass substrate of Example 3 to be described later is LaSF03, by satisfying the relationship of the above-described formulas (4) , (5), and (6) , the film formation time is substantially the same as that of Comparative Example 3. It is clear from the fact that the film can be formed.
Specifically, as shown in Table 3, the total optical film thickness at
Therefore, the total thickness of the optical film thickness at λ0 of the high refractive index film has a total optical film total film range of 40% or less of the thickness of the thickness of λ0 of all layers, the aforementioned equation (4), (5 ) And formula (6) .
In the example 3, the total film formation time is 749 seconds (12 minutes 29 seconds) under such a film thickness relationship, which is substantially the same as the film formation time 10 minutes 30 seconds of the comparative example 1. The film formation time is shortened until the film formation time.
The above-described film formation is particularly effective when an antireflection film is formed using a sputtering method. However, the present invention is not necessarily limited to the sputtering method, and it is of course possible to use a vacuum evaporation method. In the case of vacuum evaporation, it is also possible to replace the final layer with an MgF 2 film.
That is, the MgF 2 film used as the material for the low refractive index film has a low binding energy and is peeled off by the sputtering method, and it was difficult to form the final layer with the MgF 2 film. Then it is possible.
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
まず、本発明の実施例を説明する前に、比較例について説明する。
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
First, before describing the examples of the present invention, comparative examples will be described.
（比較例１）
比較例１においては、前述した特許文献１の実施例２を参考として、真空蒸着法により硝子基板（ＳＫ１６）上に７層膜を形成した。
図１に、比較例１における７層膜の特性図を示す。図１において、縦軸は反射率％、横軸は波長を示す。垂直入射０Ｒ、４５度入射４５Ｒとも実用上は問題がない。
しかしながら、小量のレンズを加工（例えばホルダー径〜Φ１００）するための装置コストの低い小型装置を製作しようとした場合、つぎのような点に難点が見受けらける。
すなわち、電子銃蒸発源の大きさ、膜厚分布改善のための蒸発源と傘（レンズ）の間の距離、極薄膜に対する膜厚制御精度のバラツキ、等において難点が見受けらける。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, a seven-layer film was formed on a glass substrate (SK16) by vacuum vapor deposition with reference to Example 2 of
FIG. 1 is a characteristic diagram of the seven-layer film in Comparative Example 1. In FIG. 1, the vertical axis represents reflectance%, and the horizontal axis represents wavelength. There is no practical problem with both the normal incidence 0R and the 45
However, when trying to manufacture a small device with a low device cost for processing a small amount of lens (for example, holder diameter to Φ100), the following points can be found.
That is, there are difficulties in the size of the electron gun evaporation source, the distance between the evaporation source and the umbrella (lens) for improving the film thickness distribution, the variation in the film thickness control accuracy for the ultrathin film, and the like.
（比較例２）
比較例２においては、前述した特許文献２の実施例１を参考として、真空蒸着法により硝子基板（ＢＫ７）上に９層膜を形成した。
図２に、比較例２における７層膜の膜特性を示す。
図２に示すように、垂直入射０Ｒの特性は改善されており、４５度入射４５Ｒとも実用上は問題がない。
しかしながら、比較例２の９層膜においては、総光学膜厚が比較例１の場合に比較して約２倍となる。
そのため、成膜コスト上不利となり、また層数が増えるため品質のバラツキが多くなる。
また、小量のレンズを加工（例えばホルダー径〜Φ１００）するための装置コストの低い小型装置を製作しようとした場合の難点については、比較例１と同様である。
(Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, a nine-layer film was formed on a glass substrate (BK7) by a vacuum deposition method with reference to Example 1 of
FIG. 2 shows the film characteristics of the seven-layer film in Comparative Example 2.
As shown in FIG. 2, the characteristics of normal incidence 0R are improved, and there is no practical problem with 45
However, in the nine-layer film of Comparative Example 2, the total optical film thickness is about twice that of Comparative Example 1.
For this reason, it is disadvantageous in terms of film formation cost, and the number of layers increases, resulting in an increase in quality variation.
Further, the difficulty when trying to manufacture a small device with a low device cost for processing a small amount of lens (for example, holder diameter to Φ100) is the same as in Comparative Example 1.
（比較例３）
比較例３においては、前述した特許文献３を参考として、スパッタ法（ＤＣ反応性）により硝子基板（ＢＫ７）上にＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層による６層膜を形成した。
図３に、比較例３におけるＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層による６層膜の特性図を示す。
比較例３での波長５８８ｎｍにおけるＴｉＯ2膜の屈折率は２．４、ＳｉＯ2膜の屈折率は１．４６である。
図３から明らかなように、膜を形成する材料は異なっているものの、膜構成そのものは図１と同様であり、低反射率の反射防止特性の点で改善が望まれる。
特に、垂直入射０Ｒの特性においては、図２に近い特性が得られるように改善が望まれる。
(Comparative Example 3)
In Comparative Example 3, a six-layer film composed of alternating layers of TiO 2 and SiO 2 was formed on the glass substrate (BK7) by sputtering (DC reactivity) with reference to Patent Document 3 described above.
FIG. 3 shows a characteristic diagram of a six-layer film composed of alternating layers of TiO 2 and SiO 2 in Comparative Example 3.
In Comparative Example 3, the refractive index of the TiO 2 film at a wavelength of 588 nm is 2.4, and the refractive index of the SiO 2 film is 1.46.
As is clear from FIG. 3, although the materials for forming the film are different, the film configuration itself is the same as in FIG. 1, and improvement is desired in terms of antireflection characteristics with low reflectance.
In particular, with respect to the characteristic of normal incidence 0R, improvement is desired so as to obtain a characteristic close to that of FIG.
この比較例３の検討をはじめ、以下の比較例４、実施例１〜３の検討に用いたスパッタ装置の模式図を図８に示す。
図８において、８５は真空槽であり、カソード８２（１基のカソードの表と裏にターゲットを有する両面カソード）は基板ホルダー８４の回転中心軸からオフセット（カソード回転軸８３までの距離ΔＸ）して配置される。
カソード回転軸８３により、基板ホルダーへの向き（ターゲット面の法線と被成膜基板の法線とのなす角Θ）を制御する。カソード回転時は、基板ホルダーとの接触を避けるため基板ホルダーは上下動する。
ターゲットは片側Ｓｉで反対側はＴｉであり、その水冷、電力の供給は回転軸８３を通して行う。
基板はΦ１００の基板ホルダー８４に収容され公転（公転半径Ｒが０の場合は自転）する。
Ｔｉ、及びＳｉをＤＣ反応性スパッタで成膜（ΔＸ＝５０、カソードが水平な時のターゲット面と基板ホルダー面の距離ＳＴ＝６０、Ｒ＝０）した時、成膜速度はつぎのとおりであった。
すなわち、ＴｉＯ2膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は０．５２ｎｍ／ｓｅｃであり、ＳｉＯ2膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は１．３７ｎｍ／ｓｅｃであった。
６層膜の成膜時間は、ＴｉＯ2膜が約４９５秒、ＳｉＯ2膜が約１３５秒で合計１０分３０秒であった。これは、比較例１の真空蒸着法と略同等の成膜時間である。
また、このようなスパッタ装置によれば、メカ機構が簡単で、真空槽８５の容積を小さくすることができる（真空蒸着法の約１／５以下）。
そのため、排気タクト、装置コストが有利となる。
FIG. 8 shows a schematic diagram of the sputtering apparatus used for the examination of Comparative Example 3 and the following Comparative Example 4 and Examples 1-3.
In FIG. 8, 85 is a vacuum chamber, and the cathode 82 (double-sided cathode having targets on the front and back of one cathode) is offset from the rotation center axis of the substrate holder 84 (distance ΔX to the cathode rotation axis 83). Arranged.
The direction to the substrate holder (angle Θ formed by the normal of the target surface and the normal of the film formation substrate) is controlled by the
The target is Si on one side and Ti on the other side, and water cooling and power supply are performed through the rotating
The substrate is accommodated in a
When Ti and Si were deposited by DC reactive sputtering (ΔX = 50, distance ST = 60, R = 0 between the target surface and the substrate holder surface when the cathode was horizontal), the deposition rate was as follows. It was.
That is, the deposition rate of the TiO 2 film (optical film thickness at a wavelength of 588 nm) was 0.52 nm / sec, and the deposition rate of the SiO 2 film (optical film thickness at a wavelength of 588 nm) was 1.37 nm / sec. .
The film formation time for the six-layer film was about 495 seconds for the TiO 2 film and about 135 seconds for the SiO 2 film, for a total of 10 minutes and 30 seconds. This is a film formation time substantially equivalent to that of the vacuum vapor deposition method of Comparative Example 1.
In addition, according to such a sputtering apparatus, the mechanical mechanism is simple and the volume of the
Therefore, the exhaust tact and the apparatus cost are advantageous.
（比較例４）
比較例４においては、前述した特許文献４の実施例１を参考として、つぎのように１６層膜を形成した。
すなわち、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、硝子基板（ＢＫ７）上にＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により１６層膜を形成した。
図４に、比較例４における１６層膜の特性図を示す。
図４において、０Ｒは垂直入射、４５Ｒは４５度入射の場合を示す。比較例４によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４５０〜５５０ｎｍの反射が高くなる。
しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
１６層膜の成膜時間は、比較例３と同様、ＴｉＯ2膜が約１７２０秒、ＳｉＯ2膜が約３６７秒で合計３４分４７秒であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略３倍であり改善が望まれる。
また、スパッタ法の膜厚制御精度が蒸着に比較して安定しているとしても、層数が増えるため品質のバラツキが多くなるという欠点を有している。
(Comparative Example 4)
In Comparative Example 4, a 16-layer film was formed as follows with reference to Example 1 of Patent Document 4 described above.
That is, by sputtering (DC reactivity), TiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 2.4) and SiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 1.46) on the glass substrate (BK7). A 16-layer film was formed by alternating layers.
FIG. 4 is a characteristic diagram of the 16-layer film in Comparative Example 4.
In FIG. 4, 0R indicates normal incidence, and 45R indicates 45 degree incidence. According to the comparative example 4, the 0R perpendicular incidence reflectance characteristic is improved as compared with the comparative example 3, but the reflection at 450 to 550 nm is higher in the 45R reflectance characteristic of 45R.
However, the reflectance in the region of 600 to 650 nm is improved, and the appearance is good.
The film formation time for the 16-layer film was about 1720 seconds for the TiO 2 film and about 367 seconds for the SiO 2 film, a total of 34 minutes 47 seconds, as in Comparative Example 3.
This is approximately three times the vacuum deposition method of Comparative Example 1, and improvement is desired.
Further, even if the film thickness control accuracy of the sputtering method is stable as compared with the vapor deposition, there is a disadvantage that the quality variation increases because the number of layers increases.
［実施例１］
実施例１においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図５（ａ）、図５（ｂ）に、実施例１における１０層膜の特性図を示す。
図５（ａ）において、０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図５（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
[Example 1]
In Example 1, by sputtering method (DC reactivity), by using alternating layers of TiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 2.4) and SiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 1.46). A 10-layer film was formed.
FIG. 5A and FIG. 5B show characteristic diagrams of the 10-layer film in Example 1. FIG.
In FIG. 5A, 0R1 indicates normal incidence when the glass substrate is BK7, 0R2 indicates normal incidence when the glass substrate is SK16, and 0R3 indicates normal incidence when the glass substrate is BaSF08.
In addition, 0R4 indicates vertical incidence when the glass substrate is LaSF03, and 45R1 to 45R4 in FIG.
本実施例によれば、比較例３の０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４５０〜５５０ｎｍの反射が高くなる。
しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、比較例３同様、各種硝子についてＴｉＯ2膜が約８３０〜９４０秒、ＳｉＯ2膜が約３１０〜３５０秒で合計２０〜２１分であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略２倍の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略２／３倍の成膜時間であり、成膜時間の短縮に有効であった。
表１に各種硝子の膜構成を示す。
表１においてＴｉＯ2、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、各成膜速度は比較例３と同様である。
According to the present example, the 0R normal incidence reflectance characteristic of Comparative Example 3 is improved, but the 45R reflectance characteristic of 45R increases the reflection of 450 to 550 nm.
However, the reflectance in the region of 600 to 650 nm is improved, and the appearance is good.
The film formation time of the 10-layer film in this example was about 830 to 940 seconds for the TiO 2 film and about 310 to 350 seconds for the SiO 2 film, about 20 to 21 minutes in total for the various glasses. .
This film formation time is approximately twice as long as that of the vacuum deposition method of Comparative Example 1, but is approximately 2/3 times that of the sputtering method of Comparative Example 4, which is effective for shortening the film formation time. It was.
Table 1 shows various glass film configurations.
In Table 1, the total optical film thickness of TiO 2 and SiO 2 is a value at a wavelength of 588 nm, and each film formation rate is the same as in Comparative Example 3.
［実施例２］
実施例２においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図６（ａ）、図６（ｂ）に、実施例２における１０層膜の特性図を示す。
スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層で形成した１０層膜の特性例を図６（ａ）、６（ｂ）に示す。
図６（ａ）において０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図６（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４７０〜５７０ｎｍの反射が高くなる。しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、実施例１同様、各種硝子についてＴｉＯ2膜が約５００〜５１０秒、ＳｉＯ2膜が約３３０〜３７０秒で合計１４分〜１４分３０秒であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略１．５倍以下の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略１／２倍以下の成膜時間であり、成膜時間の短縮に有効であった。
表２に各種硝子の膜構成を示す。
表２において、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、各成膜速度は比較例３と同様である。
[Example 2]
In Example 2, the sputtering method (DC reactivity) is used to form alternating layers of TiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 2.4) and SiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 1.46). A 10-layer film was formed.
FIG. 6A and FIG. 6B show characteristic diagrams of the 10-layer film in Example 2. FIG.
Examples of characteristics of a 10-layer film formed by alternating layers of TiO 2 and SiO 2 by sputtering (DC reactivity) are shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).
In FIG. 6 (a), 0R1 indicates normal incidence when the glass substrate is BK7, 0R2 indicates normal incidence when the glass substrate is SK16, and 0R3 indicates normal incidence when the glass substrate is BaSF08.
In addition, 0R4 indicates vertical incidence when the glass substrate is LaSF03, and 45R1 to 45R4 in FIG.
According to the present example, the 0R perpendicular incidence reflectance characteristic is improved as compared with Comparative Example 3, but the reflection at 470 to 570 nm is higher in the 45R reflectance characteristic at 45R. However, the reflectance in the region of 600 to 650 nm is improved, and the appearance is good.
The film formation time of the 10-layer film in this example is about 14 to 14 minutes and 30 seconds in the same manner as in Example 1, with various glass being about 500 to 510 seconds for the TiO 2 film and about 330 to 370 seconds for the SiO 2 film. Met.
This is a film formation time approximately 1.5 times or less that of the vacuum vapor deposition method of Comparative Example 1, but is a film formation time of approximately ½ times or less that of the sputtering method of Comparative Example 4, which shortens the film formation time. It was effective.
Table 2 shows various glass film configurations.
In Table 2, the total optical film thickness of TiO 2 and SiO 2 is a value at a wavelength of 588 nm, and each film formation rate is the same as in Comparative Example 3.
［実施例３］
実施例３においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、Ｎｂ2Ｏ5（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．２５）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図７（ａ）、図７（ｂ）に、実施例３における１０層膜の特性図を示す。
本実施例でのＮｂ2Ｏ5膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は０．７５ｎｍ／ｓｅｃであった。
図７（ａ）において、０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図７（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４７０〜５７０ｎｍの反射が高くなる。しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、実施例１同様、各種硝子についてＮｂ2Ｏ5膜が約３６０〜３９０秒、ＳｉＯ2膜が約４９０〜５４０秒で合計〜１２分３０秒程度であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略１．３倍以下の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略１／３倍の成膜時間であり成膜時間の短縮に有効であった。
表３に各種硝子の膜構成を示す。
表３において、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、ＳｉＯ2の成膜速度は比較例３と同様である。
[Example 3]
In Example 3, by sputtering (DC reactivity), Nb 2 O 5 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 2.25) and SiO 2 (the refractive index of the film at a wavelength of 588 nm is 1.46) alternately. A 10-layer film was formed from the layers.
FIG. 7A and FIG. 7B show characteristic diagrams of the 10-layer film in Example 3. FIG.
The Nb 2 O 5 film deposition rate (optical film thickness at a wavelength of 588 nm) in this example was 0.75 nm / sec.
In FIG. 7A, 0R1 indicates a normal incidence when the glass substrate is BK7, and 0R2 indicates a normal incidence when the glass substrate is SK16.
In addition, 0R3 indicates normal incidence when the glass substrate is BaSF08, 0R4 indicates normal incidence when the glass substrate is LaSF03, and 45R1 to 45R4 in FIG.
According to the present example, the 0R perpendicular incidence reflectance characteristic is improved as compared with Comparative Example 3, but the reflection at 470 to 570 nm is higher in the 45R reflectance characteristic at 45R. However, the reflectance in the region of 600 to 650 nm is improved, and the appearance is good.
The film formation time for the 10-layer film in this example is about 360 minutes to 390 seconds for the Nb 2 O 5 film and about 490 to 540 seconds for the SiO 2 film for various glasses as in Example 1. It was about.
This film formation time is approximately 1.3 times or less that of the vacuum vapor deposition method of Comparative Example 1, but is approximately one third of the film formation time of the sputtering method of Comparative Example 4, which is effective for shortening the film formation time. Met.
Table 3 shows various glass film configurations.
In Table 3, the total optical film thickness of Nb 2 O 5 and SiO 2 is a value at a wavelength of 588 nm, and the film formation rate of SiO 2 is the same as in Comparative Example 3.
８２：カソード
８３：カソード回転軸
８４：基板ホルダー
８５：真空槽
82: cathode 83: cathode rotating shaft 84: substrate holder 85: vacuum chamber
Claims (5)
前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（１）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（２）を満たし、
かつ、
前記各層の光学膜厚が、つぎの式（３）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴とする反射防止膜。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．５５ ……（１）
但し、式（１）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．３、ｎＬ≦１．５……（２）
０．１５≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０２
０．１７≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０４
０．４３≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０２
０．３６≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．０５
０．２１≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０５
０．３９≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０９
０．２１≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０１
０．２５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０２
０．５０≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１４
０．２３≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
……（３） When the reference wavelength of the antireflective film is λ0, an antireflective film that starts with a high refractive index film from the substrate side and alternately stacks 10 layers of high refractive index films and low refractive index films,
The total film thickness of the optical film thickness at λ0 of the high refractive index film and the total film thickness of the optical film thickness at λ0 of all layers satisfy the following formula (1):
And when λ0 = 588 nm, the refractive index of the high refractive index film is nH, and the refractive index of the low refractive index film is nL, each refractive index satisfies the following formula (2):
And,
Optical film thickness of each layer is, meets the following formula (3), the antireflection film, wherein the reflectance at normal incidence in the visible range 450nm~650nm is 0.2% or less.
Total film thickness of optical film thickness in high refractive index film (d1 + d3 + d5 + d7 + d9) ≦ total film thickness of optical film thickness in all layers (d1 + d2 + d3 + d4 + d5 + d6 + d7 + d8 + d9 + d10) × 0.55 (1)
However, in Formula (1),
d1, d3, d5, d7, d9: Optical film thickness of each layer from the substrate side at λ0 of the high refractive index film d2, d4, d6, d8, d10: Each layer from the substrate side at λ0 of the low refractive index film Optical film thickness
nH ≧ 2.3, nL ≦ 1.5 (2)
0.15 ≧ nH × d1 / λ0 ≧ 0.02
0.17 ≧ nL × d2 / λ0 ≧ 0.04
0.43 ≧ nH × d3 / λ0 ≧ 0.02
0.36 ≧ nL × d4 / λ0 ≧ 0.05
0.21 ≧ nH × d5 / λ0 ≧ 0.05
0.39 ≧ nL × d6 / λ0 ≧ 0.09
0.21 ≧ nH × d7 / λ0 ≧ 0.01
0.25 ≧ nL × d8 / λ0 ≧ 0.02
0.50 ≧ nH × d9 / λ0 ≧ 0.14
0.23 ≧ nL × d10 / λ0 ≧ 0.19
...... (3)
前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（４）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（５）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（６）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴とする反射防止膜。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．４ ……（４）
但し、式（４）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．２、ｎＬ≦１．５……（５）
０．１０≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０１
０．２１≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０５
０．１１≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０１
０．５９≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．２９
０．０９≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０１
０．１３≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０１
０．２２≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０８
０．０５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０１
０．２７≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１１
０．２４≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
…………（６） When the reference wavelength of the antireflective film is λ0, an antireflective film that starts with a high refractive index film from the substrate side and alternately stacks 10 layers of high refractive index films and low refractive index films,
The total film thickness of the optical film thickness at λ0 of the high refractive index film and the total film thickness of the optical film thickness at λ0 of all layers satisfy the following formula (4):
And when λ0 = 588 nm, the refractive index of the high refractive index film is nH, and the refractive index of the low refractive index film is nL, each refractive index satisfies the following formula (5):
And the optical film thickness of each layer is, meets the following formula (6), the anti-reflection film, wherein the reflectance at normal incidence in the visible range 450nm~650nm is 0.2% or less.
Total film thickness of optical film thickness in high refractive index film (d1 + d3 + d5 + d7 + d9) ≦ total film thickness of optical film thickness in all layers (d1 + d2 + d3 + d4 + d5 + d6 + d7 + d8 + d9 + d10) × 0.4 (4)
However, in Formula (4),
d1, d3, d5, d7, d9: Optical film thickness of each layer from the substrate side at λ0 of the high refractive index film d2, d4, d6, d8, d10: Each layer from the substrate side at λ0 of the low refractive index film Optical film thickness
nH ≧ 2.2, nL ≦ 1.5 (5)
0.10 ≧ nH × d1 / λ0 ≧ 0.01
0.21 ≧ nL × d2 / λ0 ≧ 0.05
0.11 ≧ nH × d3 / λ0 ≧ 0.01
0.59 ≧ nL × d4 / λ0 ≧ 0.29
0.09 ≧ nH × d5 / λ0 ≧ 0.01
0.13 ≧ nL × d6 / λ0 ≧ 0.01
0.22 ≧ nH × d7 / λ0 ≧ 0.08
0.05 ≧ nL × d8 / λ0 ≧ 0.01
0.27 ≧ nH × d9 / λ0 ≧ 0.11
0.24 ≧ nL × d10 / λ0 ≧ 0.19
………… (6)
前記低屈折率膜が、ＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴とする請求項３に記載の反射防止膜。 The high refractive index film is a film mainly composed of TiO 2 or a film mainly composed of Nb 2 O 5 ,
The antireflection film according to claim 3, wherein the low refractive index film is a film containing SiO 2 as a main component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005318762A JP4764137B2 (en) | 2005-11-01 | 2005-11-01 | Anti-reflection coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005318762A JP4764137B2 (en) | 2005-11-01 | 2005-11-01 | Anti-reflection coating |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007127725A JP2007127725A (en) | 2007-05-24 |
| JP2007127725A5 JP2007127725A5 (en) | 2008-12-18 |
| JP4764137B2 true JP4764137B2 (en) | 2011-08-31 |
Family
ID=38150443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005318762A Active JP4764137B2 (en) | 2005-11-01 | 2005-11-01 | Anti-reflection coating |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4764137B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041580A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Nikon-Essilor Co., Ltd. | Optical component and manufacturing method of the optical component |
| CN104360422B (en) * | 2014-12-02 | 2016-12-07 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | A kind of preparation method of low-loss superelevation transmitance laser antireflection film |
| CN110691996A (en) * | 2017-05-26 | 2020-01-14 | 柯尼卡美能达株式会社 | Optical element and projection lens |
| KR102323720B1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-11-09 | (주)도 은 | Eyeglass lenses with anti-reflective layer for blocking near infrared rays |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113201A (en) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Article coated with optical multilayered film |
| JP3975242B2 (en) * | 1997-05-16 | 2007-09-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | Plastic optical component with antireflection film |
| JPH1130704A (en) * | 1997-05-16 | 1999-02-02 | Hoya Corp | Spectacle plastic lens |
| JP4166845B2 (en) * | 1997-05-16 | 2008-10-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | Glasses plastic lens with antireflection film |
| JP2001209038A (en) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Substrate for liquid crystal display element |
| JP2001264526A (en) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Canon Inc | Diffraction optical element and optical system and optical device having the element |
| JP4190773B2 (en) * | 2002-02-26 | 2008-12-03 | オリンパス株式会社 | Antireflection film, optical lens and optical lens unit |
| JP4645938B2 (en) * | 2003-07-10 | 2011-03-09 | コニカミノルタオプト株式会社 | Optical component and optical pickup device |
| JP2005292462A (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Konica Minolta Opto Inc | Optical element having dielectric multilayer film |
-
2005
- 2005-11-01 JP JP2005318762A patent/JP4764137B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007127725A (en) | 2007-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0933654B1 (en) | Anti-reflection coatings | |
| US7749622B2 (en) | Multilayer film-coated substrate and process for its production | |
| US9945983B2 (en) | Silicon titanium oxide coating, coated article including silicon titanium oxide coating, and method of making the same | |
| EP1557479A1 (en) | Substrate having multilayer film and method for manufacturing the same | |
| JP2007127681A (en) | Plastic lens | |
| JP4764137B2 (en) | Anti-reflection coating | |
| JP4255617B2 (en) | Multilayer conductive anti-reflective coating | |
| JPH1130703A (en) | Plastic optical parts having antireflection film | |
| JP2007310335A (en) | Front surface mirror | |
| JP3135010B2 (en) | Conductive anti-reflective coating | |
| Woo et al. | Wideband Antireflection Coatings of Porous MgF∼ 2 Films by Using Glancing Angle Deposition | |
| JP2006317603A (en) | Front surface mirror | |
| JPH11171596A (en) | Reflection preventing film | |
| CN108828697B (en) | Eimeria antioxidant anti-reflection corrosion-resistant lens and preparation method thereof | |
| JP7216471B2 (en) | Plastic lens for in-vehicle lens and manufacturing method thereof | |
| JP2566634B2 (en) | Multi-layer antireflection film | |
| JPH1067078A (en) | Optical element and multilayered laminate of fluoride material used in production thereof | |
| JP3560655B2 (en) | Manufacturing method of optical thin film | |
| WO2018043516A1 (en) | Antireflective film, optical element, and optical system | |
| JP5549342B2 (en) | Antireflection film and optical member having the same | |
| US20140170421A1 (en) | Low-E Panel with Improved Barrier Layer and Method for Forming the Same | |
| JP2007127725A5 (en) | ||
| JP7303496B2 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING TRANSPARENT SUBSTRATE WITH FILM | |
| JP2000171607A (en) | Highly dense multilayered thin film and its film forming method | |
| JPH10268107A (en) | Synthetic resin lens with antireflection film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081031 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110323 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110610 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4764137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |