JP4745191B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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Description
本発明は、温調機構を有する熱処理プレートによって半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)の熱処理を行う熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment of a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as “substrate”) using a heat treatment plate having a temperature control mechanism.
半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製造工程において、熱処理工程は欠かすことの出来ない重要な工程であり、従来より種々のタイプの熱処理装置が使用されている。それらのうちの典型的な熱処理装置としては、ホットプレートやクールプレートのような熱処理プレートによって基板の加熱処理または冷却処理を行う装置が挙げられる。すなわち、アルミニウム等の金属によって形成された熱処理プレートに加熱機構や冷却機構を内蔵し、その熱処理プレート上に基板を載置することによって熱処理を実行する熱処理装置である。このような熱処理装置において、金属製の熱処理プレートに直接基板を接触させて載置すると、基板とプレート上面との密着状態によって熱処理時の基板面内温度均一性が不安定になるだけでなく、熱処理プレートから基板への金属汚染が生じるという問題もあった。 In the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal displays and the like, the heat treatment process is an indispensable process, and various types of heat treatment apparatuses have been used conventionally. Among them, a typical heat treatment apparatus includes an apparatus that heats or cools a substrate using a heat treatment plate such as a hot plate or a cool plate. That is, it is a heat treatment apparatus that incorporates a heating mechanism or a cooling mechanism in a heat treatment plate formed of a metal such as aluminum, and performs heat treatment by placing a substrate on the heat treatment plate. In such a heat treatment apparatus, when the substrate is placed in direct contact with the metal heat treatment plate, not only the in-plane temperature uniformity during the heat treatment becomes unstable due to the close contact state between the substrate and the plate upper surface, There was also a problem that metal contamination from the heat treatment plate to the substrate occurred.
かかる問題を解決するために、基板を熱処理プレートに直接接触させるのではなく、プレート上面から微小間隔を隔てて基板を載置することにより熱処理を行う方式が行われている。例えば、特許文献1には、非伝熱性の球体を熱処理プレートの上面に形成された凹部に入れ、その球体によって基板を支持することにより、プレート上面と基板との間に微小間隔を隔てて基板を載置する技術が開示されている。このようにすれば、非伝熱性の球体によって点接触にて基板を支持することとなるため、基板の温度均一性を向上させることができる。
In order to solve such a problem, a method of performing a heat treatment by placing the substrate at a minute interval from the upper surface of the plate is used instead of directly contacting the substrate with the heat treatment plate. For example, in
ところで、従来においては、熱処理プレートの凹部と球体とをセラミックス系の接着剤を使用して接着していた。このため、熱処理プレートの上面から球体が離脱してしまうという問題が発生していた。このような球体の離脱が生じる原因としては、接着工程作業を行う作業者によって接着品質にばらつきがあることや熱処理プレートの材質によっては接着剤と馴染みにくいといった要因が考えられる。特に、熱処理プレートの設定温度を急速に変更する熱処理装置においては、熱膨張と熱収縮との繰り返しによって球体が離脱する確率が高いものとなっていた。 By the way, conventionally, the concave portion and the sphere of the heat treatment plate are bonded using a ceramic adhesive. For this reason, there has been a problem that the sphere is detached from the upper surface of the heat treatment plate. Possible causes of such detachment of the sphere include the fact that the quality of the adhesive varies depending on the worker performing the bonding process, and that it is difficult to become familiar with the adhesive depending on the material of the heat treatment plate. In particular, in a heat treatment apparatus that rapidly changes the set temperature of the heat treatment plate, there is a high probability that the sphere is detached due to repeated thermal expansion and contraction.
また、従来のように接着剤を使用して球体を固定すると、接着剤が完全に乾燥するまでに相応の時間を要するため、球体取り付け作業に長時間(約2日程度)を要するという問題もあった。さらには、球体の上端部の高さ調整が難しく、プレート上面と基板との間に微小間隔を均一に保つことが困難であるという問題もあった。 In addition, when the sphere is fixed using an adhesive as in the conventional case, it takes a considerable time for the adhesive to dry completely, so that the sphere mounting operation takes a long time (about 2 days). there were. Furthermore, it is difficult to adjust the height of the upper end portion of the sphere, and it is difficult to keep a uniform distance between the upper surface of the plate and the substrate.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡単な構造にて確実に球体を熱処理プレートに固定することができ、しかもプレートの上面と基板との間の間隔調整も容易な熱処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and is capable of reliably fixing a sphere to a heat treatment plate with a simple structure and easily adjusting the distance between the upper surface of the plate and the substrate. The purpose is to provide.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、温調機構を有する熱処理プレートによって基板の熱処理を行う熱処理装置において、前記熱処理プレートの上面に穿設された有底円筒形状の孔部の底面上に設置され、所定の厚さを有するスペーサと、前記孔部に入れられて前記スペーサの上面に載置される低伝熱性の球体と、前記球体を受け入れ可能な中空部および前記中空部に連通する上部開口を有し、前記孔部に螺合されることによって前記球体の上端部を前記上部開口から突出させつつ前記球体を前記スペーサ上に固定するキャップ部材と、を備え、前記孔部に前記キャップ部材が螺合されたときに、前記スペーサ上に固定された前記球体の上端部が前記熱処理プレートの上面から所定高さ突出することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is a heat treatment apparatus for performing heat treatment of a substrate by a heat treatment plate having a temperature control mechanism, and a bottom surface of a bottomed cylindrical hole formed in the upper surface of the heat treatment plate. A spacer having a predetermined thickness, a low heat transfer sphere placed in the hole and placed on the upper surface of the spacer, a hollow portion capable of receiving the sphere, and the hollow portion; A cap member that has an upper opening communicating therewith, and that is screwed into the hole to fix the sphere on the spacer while projecting the upper end of the sphere from the upper opening. When the cap member is screwed together, the upper end of the sphere fixed on the spacer protrudes a predetermined height from the upper surface of the heat treatment plate.
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理装置において、前記スペーサの硬度は前記熱処理プレートの硬度よりも高いことを特徴とする。 According to a second aspect of the invention, in the heat treatment apparatus according to the first aspect of the invention, the hardness of the spacer is higher than the hardness of the heat treatment plate.
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る熱処理装置において、前記スペーサはステンレス鋼にて形成されていることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the second aspect of the present invention, the spacer is made of stainless steel.
請求項1の発明によれば、熱処理プレートの上面に穿設された孔部に所定の厚さのスペーサと低伝熱性の球体とを入れ、キャップ部材を孔部に螺合させるだけという簡単な構造にて確実に球体を熱処理プレートに固定することができ、しかもスペーサの厚さを変えるだけでプレートの上面と基板との間の間隔調整も容易に行うことができる。 According to the first aspect of the present invention, a spacer having a predetermined thickness and a low heat transfer sphere are placed in the hole formed in the upper surface of the heat treatment plate, and the cap member is simply screwed into the hole. The sphere can be reliably fixed to the heat treatment plate by the structure, and the distance between the upper surface of the plate and the substrate can be easily adjusted only by changing the thickness of the spacer.
また、請求項2の発明によれば、スペーサの硬度は熱処理プレートの硬度よりも高いため、キャップ部材を孔部に螺合させたときにスペーサ、および球体により熱処理プレートが変形、損傷するのを防ぐことができる。 According to the invention of claim 2, since the hardness of the spacer is higher than the hardness of the heat treatment plate, the heat treatment plate is deformed and damaged by the spacer and the sphere when the cap member is screwed into the hole. Can be prevented.
また、請求項3の発明によれば、スペーサはステンレス鋼にて形成されているため、キャップ部材を孔部に螺合させたときに球体により熱処理プレートが変形、損傷するのを防ぐことができる。
According to the invention of
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明に係る熱処理装置1の概略構成を示す側断面図である。この熱処理装置1は、いわゆるヒートパイプ構造を採用することにより、熱容量を小さくして温度応答性を高めつつ温度分布の面内均一性を高めたものであり、中空構造の熱処理プレート11を備える。図2は、熱処理プレート11を上面から見た平面図である。
FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a
熱処理プレート11は、その上面に基板Wを載置して加熱処理するためのものであり、例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al)等の伝熱性が良好な金属を基材とする材料によって中空円筒状に形成されている。熱処理プレート11は内部に空洞を有する中空構造のため、昇温時に内部圧力が上昇することに対応して、縦方向の強度を補強するため複数本のリム12が形成されている。そして、熱処理プレート11の内部空間下方には作動液室13が形成されている。この作動液室13内には、作動液16(例えば、水)が貯留されるとともに、作動液16を加熱するためのヒータ17が浸漬配設されている。
The
熱処理装置1においては、ヒートパイプ構造を利用した加熱機構が実現されている。すなわち、ヒータ17を作動させて作動液16を加熱することにより、作動液16が蒸発してその蒸気が熱処理プレート11の内部空間を移動し、熱処理プレート11の表面との間で凝縮潜熱の授受を行うことにより、熱処理プレート11を加熱する。熱処理プレート11との間で凝縮潜熱の授受を実行した作動液16の蒸気は、液体の作動液16に戻って作動液室13に回収される。これを繰り返すことによって、熱処理プレート11は、その表面の温度分布が均一となるように加熱される。
In the
熱処理装置1における冷却構造としての冷却管19は、熱処理プレート11の内部空間のほぼ全域にわたって配設されている。冷却管19は、熱伝導性の材料(たとえば金属や合金)で形成されており、略水平にかつ熱処理プレート11表面のほぼ全域に対向するように配設されている。
The
冷却管19の一端は、供給配管22を介して冷却媒体供給源25と接続されている。供給配管22の経路途中には開閉弁26が介挿されている。また、冷却管19の他端は図示しないドレインと接続されている。したがって、冷却媒体供給源25から供給される冷却媒体は、開閉弁26を開放することにより供給配管22を介して冷却管19に供給され、冷却管19を介して熱処理プレート11の内部空間と熱交換を行った後、図示しないドレインへと排出される。これにより、作動液室13から蒸発した作動液16の蒸気は冷却管19によって冷却されることともなる。このように、本実施形態の熱処理装置1においては、ヒートパイプ構造を利用した加熱機構および冷却管19を使用した冷却機構からなる温調機構を熱処理プレート11に備えており、ヒータ17の発熱量および冷却管19への冷媒供給量を調整することによって熱処理プレート11の加熱・冷却を制御している。
One end of the
また、熱処理プレート11の上面には、複数個(本実施形態では3個)のプロキシミティボール30が配設されている。各プロキシミティボール30は、アルミナ(Al2O3)等の低伝熱性の部材にて構成された球体である。本実施形態では、直径2.38mmの3個のプロキシミティボール30が熱処理プレート11の上面の同一円周上に沿って120°間隔で配設されている。
A plurality of (three in this embodiment)
図3は、プロキシミティボール30の取り付け態様を説明するための模式図である。また、図4は、プロキシミティボール30が熱処理プレート11に固定された状態を示す断面図である。熱処理プレート11の上面に、有底円筒形状の孔部31が3箇所穿設されている。孔部31の円筒の直径はプロキシミティボール30の直径よりも大きく、底面31aは平面とされている。また、孔部31の円筒内周面31bには雌ネジが螺刻されている。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining an attachment mode of the
孔部31の底面31a上にはスペーサ32が設置されている。本実施形態のスペーサ32は、ステンレス鋼(SUS304)にて形成された円柱形状部材であり、所定厚さ(高さ)を有している。スペーサ32の厚さによって、基板Wと熱処理プレート11の上面との間に形成されるいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔の大きさが規定される。なお、スペーサ32の円柱直径が孔部31の直径よりも小さいことは勿論である。プロキシミティボール30は、孔部31に入れられ、孔部31の底面31a上に設置されたスペーサ32の上面に載置される。スペーサ32の上面は平面であるため、プロキシミティボール30とスペーサ32とは点接触にて接触する。
A
孔部31にスペーサ32とプロキシミティボール30とが順に入れられた状態にて、ガイドキャップ35が孔部31に螺合される。ガイドキャップ35は、アルムニウムにて形成されており、表面がアルマイト処理されている。図3に示すように、ガイドキャップ35の外観形状は概ね円筒形状であり、その外周面には孔部31の円筒内周面31bと螺合する雄ネジが螺刻されている。また、ガイドキャップ35の内側には円筒形状の中空部36が形成されている。中空部36の下端は完全に開放されるとともに、中空部36の直径はプロキシミティボール30の直径よりも大きい。つまり、ガイドキャップ35の下端からプロキシミティボール30の直径よりも大きい所定径および所定高さの円筒形状孔を穿孔したときの孔が中空部36を構成する。このため、ガイドキャップ35の下側から中空部36の内側にプロキシミティボール30を受け入れることが可能である。
The
さらに、ガイドキャップ35の上面には、開口部37が形成されている。開口部37は円形の開口であって、その直径はプロキシミティボール30の直径よりも小さい。開口部37は中空部36に連通している。なお、図3に示すように、ガイドキャップ35の上面には、螺合時にガイドキャップ35を回転させるための工具を嵌める溝が径方向に沿って刻設されている。
Further, an
孔部31にスペーサ32とプロキシミティボール30とを順に入れた後に、ガイドキャップ35を孔部31にねじ込んでいくと、ガイドキャップ35が徐々に孔部31内に没入するとともに、プロキシミティボール30が中空部36の内側に入り込んでいく。やがて、ガイドキャップ35が完全に孔部31に没入してガイドキャップ35の上面が熱処理プレート11の上面11aよりも若干低くなったときに、開口部37の周縁部下端がプロキシミティボール30の球面に当接する。このとき、開口部37の直径はプロキシミティボール30の直径よりも小さいため、プロキシミティボール30がガイドキャップ35を通り抜けることはないが、プロキシミティボール30の球体上端部が開口部37から上方に突出する。そして、ガイドキャップ35をねじ込むのに要するトルクが所定値に達したところで、ねじ込み作業を完了する。具体的には、作業者が所定のトルク値に設定した工具(例えば、トルクドライバー)を使用してガイドキャップ35のねじ込み作業を行えば良い。
When the
所定のトルク値にてガイドキャップ35が孔部31に締結されることにより、ガイドキャップ35からプロキシミティボール30に図4の矢印AR41にて示すような締結力が作用する。プロキシミティボール30は球形であり、ガイドキャップ35の上面に形成された開口部37は円形であるため、開口部37の周縁部下端はプロキシミティボール30と円環ラインにて線接触する。そして、その接触ラインの全体からプロキシミティボール30を下方へと押圧する締結力が作用するのである。
When the
プロキシミティボール30の下方には孔部31の底面31a上に設置されたスペーサ32が存在しており、プロキシミティボール30の高さ位置はスペーサ32によって規制されている。すなわち、プロキシミティボール30が下方へと押圧される締結力を受けると、それに対抗する矢印AR42にて示すような反力、つまりプロキシミティボール30を上方へと押圧する力がスペーサ32からプロキシミティボール30に作用する。この反力は直接的にはスペーサ32からプロキシミティボール30に作用するものであるが、熱処理プレート11がスペーサ32を介して間接的にプロキシミティボール30に作用させる力でもある。
Below the
孔部31にガイドキャップ35を所定のトルク値にて螺合させたときに生じる矢印AR41に示す締結力と矢印AR42にて示す反力とが均衡していることは勿論であり、これらの力によってプロキシミティボール30がスペーサ32上に固定される。プロキシミティボール30がスペーサ32上に固定されたときに、プロキシミティボール30の上端部は開口部37から上方に突出している。そして、プロキシミティボール30の上端部は熱処理プレート11の上面11aからも所定の高さだけ突出することとなる。
Of course, the fastening force indicated by the arrow AR41 and the reaction force indicated by the arrow AR42 that are generated when the
上記構成を有する熱処理装置1において基板Wの加熱処理を行うときには、熱処理プレート11の上面11aに基板Wを載置する。基板Wは3個のプロキシミティボール30によって下方から支持されることとなる。プロキシミティボール30の上端部は熱処理プレート11の上面11aから所定高さ突出しているため、基板Wと熱処理プレート11の上面11aとの間にもその所定高さに相当する微小間隔が形成される。このような微小間隔がいわゆるプロキシミティギャップと称されるものである。プロキシミティギャップを隔てて熱処理プレート11上に基板Wを載置しつつ加熱処理を行えば、直接載置に起因した基板Wの金属汚染および基板Wの面内温度分布が不均一になるのを防止することができる。特に、低伝熱性のアルミナにて形成されたプロキシミティボール30によって基板Wを点接触にて支持すれば、プロキシミティボール30による支持点のみが温度上昇することも抑制される。
When the heat treatment of the substrate W is performed in the
本実施形態の熱処理装置1のように、ヒートパイプ構造を採用する装置の場合には熱処理プレート11の温度を急速に変化させることが可能であり、そのような使われ方をすることも多い。本実施形態ではガイドキャップ35の螺合によってプロキシミティボール30を固定しているため、熱処理プレート11の急速昇温および急速降温を繰り返したとしても、プロキシミティボール30は孔部31に確実に固定されていて離脱するおそれはない。特に、熱処理プレート11が銅にて形成され、ガイドキャップ35がアルミニウムにて形成されているときは、銅よりもアルミニウムの方が熱膨張率が高いため、昇温時にガイドキャップ35がさらに強固に熱処理プレート11に嵌合することとなり、プロキシミティボール30がより確実に固定される。
In the case of an apparatus that employs a heat pipe structure, such as the
また、本実施形態のプロキシミティボール30自体は従来のものをそのまま使用することができ、スペーサ32およびガイドキャップ35も金属製であるため容易に加工することができる。そして、熱処理プレート11の孔部31に加工容易なスペーサ32とプロキシミティボール30とを入れてガイドキャップ35を螺合させるだけという極めて簡単な構造にて確実にプロキシミティボール30を熱処理プレート11に固定することができる。よって、プロキシミティボール30の取り付け作業も極めて容易なものとなり、ガイドキャップ35を孔部31にねじ込むときのトルク管理(例えば、トルクドライバーの設定値を一定にしておく)さえ行っておけば、誰でも簡単にかつ確実にプロキシミティボール30を取り付けることができ、しかも作業者の経験の有無にかかわらずガイドキャップ35の締結力を一定にすることができる。さらには、プロキシミティボール30の取り付けに接着剤を使用しないため、接着剤の乾燥工程が不要となり、従来約2日程度必要としていた取り付け作業時間を1つの熱処理プレート11につき1時間程度に短縮することができる。
Further, the
ところで、上述したように、プロキシミティボール30の高さ位置はスペーサ32によって規制されており、プロキシミティギャップ(プロキシミティボール30の上端部が熱処理プレート11の上面11aから突出する高さ)はスペーサ32の厚さによって規定されることとなる。スペーサ32を設けずに、プロキシミティボール30を直接孔部31の底面31a上に載置することも可能ではあるが、熱処理プレート11は比較的硬度の低い銅またはアルミニウムによって形成されているため、ガイドキャップ35をねじ込んだときに底面31aがプロキシミティボール30に押圧されて変形したり、傷がついたりすることがある。このようになると、所定量のプロキシミティギャップを確保することが出来なくなる。
By the way, as described above, the height position of the
本実施形態のスペーサ32は比較的硬度の高いステンレス鋼にて形成されており、ガイドキャップ35を所定のトルク値にてねじ込んだときにも熱処理プレート11は変形したり、損傷したりするおそれがない。その結果、所定量のプロキシミティギャップを確実に確保することができる。また、プロキシミティギャップを調整したいときにはスペーサ32の厚さを変更するだけで簡単に行うことができる。具体的には、何種類かの厚さのスペーサ32を予め用意しておき、所望のプロキシミティギャップに応じてスペーサ32を変更するようにすればよい。このような作業も、ガイドキャップ35を外してスペーサ32を取り替えて再度ガイドキャップ35をねじ込むだけであるため容易である。
The
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、スペーサ32をステンレス鋼にて形成していたが、これに限定されるものではなく、チタン合金等やセラミックスによって形成するようにしても良い。すなわち、ガイドキャップ35をねじ込んだときにプロキシミティボール30から受ける力によって変形しない程度の硬度を有する材料であって、少なくとも熱処理プレート11の材質の硬度よりも高いものにて形成すれば良い。もっとも、セラミックスは硬度は高いものの靱性が低く、ガイドキャップ35をねじ込んだときに破損するおそれもあるため、ステンレス鋼やチタン合金のような高い硬度と靱性とを兼ね備えた金属材料の方が好ましい。
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the
また、スペーサ32の形状は円柱形状に限定されるものではなく、所定の厚さを有するものであれば良く、例えば四角柱形状であっても良い。
The shape of the
また、プロキシミティボール30の材質はアルミナに限定されるものではなく、汚染の少ない低伝熱性の部材、例えば石英の如きセラミックスにて形成しても良い。また、プロキシミティボール30の設置個数は3個に限定されるものではなく、少なくとも基板Wを支持できる3個以上であれば良い。
Further, the material of the
また、上記実施形態においては、熱処理プレート11をヒートパイプ構造を有するものとしていたが、これに限定されるものではなく、例えば熱処理プレート11が抵抗発熱体によって基板Wを加熱するタイプ(例えば、マイカヒータ等)であっても本発明に係る技術を適用することができる。
In the above embodiment, the
また、熱処理装置1が載置した基板Wの冷却処理を行うクールプレートを備えるものであっても本発明に係る技術を適用することができる。すなわち、加熱機構および/または冷却機構からなる温調機構を有する熱処理プレートによって基板の熱処理を行う熱処理装置であれば本発明に係る技術を適用することができる。
Further, the technology according to the present invention can be applied even if the
また、本発明に係る熱処理装置によって加熱対象となる基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であっても良い。 The substrate to be heated by the heat treatment apparatus according to the present invention is not limited to a semiconductor wafer, and may be a liquid crystal glass substrate.
1 熱処理装置
11 熱処理プレート
30 プロキシミティボール
31 孔部
32 スペーサ
35 ガイドキャップ
36 中空部
37 開口部
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記熱処理プレートの上面に穿設された有底円筒形状の孔部の底面上に設置され、所定の厚さを有するスペーサと、
前記孔部に入れられて前記スペーサの上面に載置される低伝熱性の球体と、
前記球体を受け入れ可能な中空部および前記中空部に連通する上部開口を有し、前記孔部に螺合されることによって前記球体の上端部を前記上部開口から突出させつつ前記球体を前記スペーサ上に固定するキャップ部材と、
を備え、
前記孔部に前記キャップ部材が螺合されたときに、前記スペーサ上に固定された前記球体の上端部が前記熱処理プレートの上面から所定高さ突出することを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment apparatus for performing heat treatment of a substrate by a heat treatment plate having a temperature control mechanism,
A spacer installed on the bottom surface of a bottomed cylindrical hole bored in the upper surface of the heat treatment plate, and having a predetermined thickness;
A low heat transfer sphere placed in the hole and placed on the upper surface of the spacer;
A hollow portion that can receive the sphere and an upper opening that communicates with the hollow portion, and the upper end portion of the sphere protrudes from the upper opening by being screwed into the hole, so that the sphere is placed on the spacer. A cap member to be fixed to,
With
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein when the cap member is screwed into the hole, an upper end portion of the sphere fixed on the spacer protrudes from the upper surface of the heat treatment plate by a predetermined height.
前記スペーサの硬度は前記熱処理プレートの硬度よりも高いことを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein
A heat treatment apparatus, wherein the spacer has a hardness higher than that of the heat treatment plate.
前記スペーサはステンレス鋼にて形成されていることを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 2,
The heat treatment apparatus, wherein the spacer is made of stainless steel.
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