JP4742041B2 - Liquid metal ion source and method for controlling a liquid metal ion source - Google Patents
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Description
[01] 本発明は、液体金属イオン源およびこれらの液体金属イオン源を制御する方法に関する。 The present invention relates to a liquid metal ion source and a method for controlling these liquid metal ion sources.
[02]集束イオンビーム(FIB)システムは、既知である。FIBシステムは、一般的に、型彫り(die milling)および切断(cross sectioning)に利用される。型彫り又は切断された対象物は、欠陥を検出する為に、通常、検査装置(走査型電子顕微鏡(SEM))により分析される。また、FIBシステムは、FIB画像を生成する為に利用可能である。 [02] Focused ion beam (FIB) systems are known. FIB systems are commonly used for die milling and cross sectioning. The object engraved or cut is usually analyzed by an inspection device (scanning electron microscope (SEM)) in order to detect defects. The FIB system can also be used to generate FIB images.
[03]電圧及び電極と同様にイオン源の様々な構成は、既知である。これらの構成のうち幾つかは、スギヤマ氏等の米国特許第6459082号、サカグチ氏の米国特許第6459082号、ヤサカ氏の米国特許第5153440号、スズキ氏の米国特許第5111053号に記載されている。前記特許は、参考として本願に組み込まれる。米国特許第6472881号は、液体金属イオン源と、液体イオン源のフローインピーダンスを測定する為の方法を記述する。米国特許第511053号は、アナログフィードバックおよびデジタルCPU制御により液体金属源を制御する方法を記述する。米国特許第5153440号は、液体金属イオン源用安定化動作の為の方法を記述する。米国特許第6459081号特許は、集束されたイオンビームシステムを記述する。 [03] Various configurations of ion sources as well as voltages and electrodes are known. Some of these configurations are described in U.S. Pat. No. 6,459,082 to Sugiama et al., U.S. Pat. No. 6,458,082 to Sakaguchi, U.S. Pat. No. 5,153,440 to U.S. Pat. . Said patent is incorporated herein by reference. US Pat. No. 6,472,881 describes a liquid metal ion source and a method for measuring the flow impedance of the liquid ion source. US Pat. No. 5,110,533 describes a method for controlling a liquid metal source with analog feedback and digital CPU control. US Pat. No. 5,153,440 describes a method for stabilizing operation for a liquid metal ion source. The US Pat. No. 6,458,081 describes a focused ion beam system.
[04]また、FIB画像を生成する為に有効なFIBシステムは、少なくとも一つの検出装置及び画像プロセッサを有する。通常、イオン源、FIBシステム、イオンビームデフレクタは、FIBカラムと通常呼ばれるカラム内に配置される。また、検出装置は、FIBカラム内に置くことができる。 [04] Also, an FIB system effective for generating an FIB image has at least one detection device and an image processor. Typically, the ion source, FIB system, and ion beam deflector are placed in a column commonly referred to as an FIB column. The detection device can also be placed in a FIB column.
[05]SEM画像は、電子ビームで対象物を照射し、その対象物の少なくとも一部で電子ビームの相互干渉から生じる信号を収集し、その収集された信号を処理する。FIB画像は、その対象物が集束イオンビームで照射されることを除き、同様のアナログ方式で生成される。 [05] The SEM image illuminates an object with an electron beam, collects signals resulting from electron beam mutual interference with at least a portion of the object, and processes the collected signals. FIB images are generated in a similar analog manner except that the object is illuminated with a focused ion beam.
[06]別個のSEM及びFIBツールは、かなり共通するが、FIB及びSEMシステムの両方を含むシステムも利用可能である。これらのハイブリッドシステムは、FIB/SEMシステムとして既知である。ハイブリッドツールのSEM部分は、検査対象物の表面(例えば、多層化されたダイの表面)の検査を容易にする。ハイブリッドシステムのFIB部分は、表面彫り及び内側層の検査露出を容易にする。通常、FIBがダイを彫った後、SEMは、顕現された層を検査する為、更に、検出の為に彫られたダイを更に分析する為に利用される。2つの従来技術FIB/SEMシステムは、FEIのXL860デュアルビームワークステーション、または、サンタクララのアプライドマテリアルズ社のSEMビジョンG2である。 [06] Separate SEM and FIB tools are quite common, but systems including both FIB and SEM systems are also available. These hybrid systems are known as FIB / SEM systems. The SEM portion of the hybrid tool facilitates inspection of the surface of the inspection object (eg, the surface of a multilayered die). The FIB portion of the hybrid system facilitates surface carving and inspection exposure of the inner layer. Usually, after the FIB has carved the die, the SEM is used to inspect the revealed layer and to further analyze the die carved for detection. Two prior art FIB / SEM systems are FEI's XL860 dual beam workstation or SEM Vision G2 from Applied Materials, Inc., Santa Clara.
[07]XL860は、FIBカラム及びSEMカラムを含み、これらは、互いに角張って配置されるが、SEMビジョンG2は、実質的に平行なSEMとFIBカラムを含む。 [07] XL860 includes FIB and SEM columns, which are angularly positioned with respect to each other, but SEM vision G2 includes substantially parallel SEM and FIB columns.
[08]典型的に、集束イオンビームは、互いに離間された一定間隔で対象物を彫る為に使用される。通常、いったんウエハが彫られるか更に特別に彫られると、SEMまたは他のツールにより検査される。 [08] Typically, focused ion beams are used to carve objects at regular intervals spaced apart from each other. Usually, once a wafer is carved or more specially carved, it is inspected by SEM or other tools.
[09]各々の液体金属イオン源は、供給する為に所定のイオン量を有する。そのため、その量が一旦供給されると、液体金属イオン源は、配置されるか、補充されなければならない。交換は、時間を浪費し、費用が高くなる。ある状況において、液体金属イオン源の交換または補充手続きは、FIBチャンバを開けることが必要になり、これは、そのチャンバの真空レベル(2以上の多くのレベル)が保たれなければならない期間の時間浪費である。また、開くことにより、FIBカラムは汚染物質に曝されるおそれがある。 [09] Each liquid metal ion source has a predetermined amount of ions to supply. Thus, once the amount is supplied, the liquid metal ion source must be placed or replenished. The exchange is time consuming and expensive. In certain situations, the replacement or refilling procedure of the liquid metal ion source requires that the FIB chamber be opened, which is the time period during which the chamber's vacuum level (many levels greater than 2) must be maintained. It is a waste. Also, opening the FIB column may expose it to contaminants.
[10]液体金属イオン源の改善された利用の為の効率的なシステムおよび方法を提要する必要がある。 [10] There is a need to provide efficient systems and methods for improved utilization of liquid metal ion sources.
[11]本発明は、アイドル期間中、イオン放射を減少させるシステム及び方法を提供する。 [11] The present invention provides a system and method for reducing ion emission during idle periods.
[12]本発明は、アイドルモードとアクティブモード間の移行が急速である一方、アイドル期間中、イオン放射を実質的に排除する為のシステム及び方法を提供する。 [12] The present invention provides a system and method for substantially eliminating ion emission during idle periods while the transition between idle and active modes is rapid.
[13]本発明の実施形態によると、イオン光学部品の特性は、アイドルモードとアクティブモード間の移行により、ほとんど影響されない(あるいは、全く影響されない)。 [13] According to embodiments of the present invention, the properties of the ion optics are hardly affected (or not at all) due to the transition between idle mode and active mode.
[14]本発明の一実施形態によると、一以上の対応する電極に供給される一以上の電圧は、モード移行の間、実質的に変更されないが、一以上の他の電極に供給される一以上の電圧が変更される。 [14] According to one embodiment of the present invention, one or more voltages supplied to one or more corresponding electrodes are substantially unchanged during mode transition, but supplied to one or more other electrodes. One or more voltages are changed.
[15]本発明は、液体金属イオン源を制御する為の方法を提供し、液体金属イオン源は、第1電極および第2電極の先端を備え、当該方法は、(i)第1電圧レベル範囲内で第1電極を維持し、第2電圧レベル範囲内で第2電極を維持し、液体金属イオン源のアクティブモード動作中、液体金属イオン源の先端に形成される金属イオンを抽出するステップと;
(ii)第3電圧レベル範囲内で第1電極を維持し、第4電圧レベル範囲内で第2電極を維持し、液体金属イオン源のアイドルモード動作中、先端からの金属イオンの抽出を実質的に減少させるステップと;を含む。第3電圧レベルの範囲と、代替え的あるいは追加的に、第4電圧レベルの範囲は、ゼロ電圧レベルを含まない。第1電圧レベルの範囲は、第3電圧レベルの範囲とは異なる。
[15] The present invention provides a method for controlling a liquid metal ion source, the liquid metal ion source comprising a tip of a first electrode and a second electrode, the method comprising: (i) a first voltage level Maintaining a first electrode within a range, maintaining a second electrode within a second voltage level range, and extracting metal ions formed at a tip of the liquid metal ion source during active mode operation of the liquid metal ion source When;
(Ii) maintaining the first electrode within the third voltage level range, maintaining the second electrode within the fourth voltage level range, substantially extracting metal ions from the tip during idle mode operation of the liquid metal ion source; And a step of reducing automatically. The third voltage level range and alternatively or additionally, the fourth voltage level range does not include a zero voltage level. The range of the first voltage level is different from the range of the third voltage level.
[16]本発明は、液体金属イオン源において:先端と;第1電極と第2電極と;コントローラであって、上記液体金属イオン源のアクティブモード動作中に上記液体金属イオン源の先端で形成される金属イオンを抽出するように第1電圧レベル範囲で上記第1電極を維持し第2電圧レベル範囲で上記第2電極を維持する為に、更に、上記液体金属イオン源のアイドルモード動作中に上記先端からの金属イオンの抽出を実質的に減少させるように第3電圧レベル範囲で上記第1電極を維持し第4電圧レベル範囲で上記第2電極を維持する為に少なくとも一つの電源に結合される、上記コントローラと;を備える。上記第3電圧レベル範囲および上記第4電圧レベル範囲のうち少なくとも一つはゼロ電圧レベルを含まず、上記第1電圧レベル範囲は、上記第3電圧レベル範囲とは異なる。 [16] The present invention relates to a liquid metal ion source: a tip; a first electrode and a second electrode; a controller, formed at the tip of the liquid metal ion source during active mode operation of the liquid metal ion source In order to maintain the first electrode in the first voltage level range and to maintain the second electrode in the second voltage level range so as to extract the metal ions to be extracted, the liquid metal ion source is further in idle mode operation. At least one power source to maintain the first electrode in a third voltage level range and to maintain the second electrode in a fourth voltage level range so as to substantially reduce extraction of metal ions from the tip. And coupled to the controller. At least one of the third voltage level range and the fourth voltage level range does not include a zero voltage level, and the first voltage level range is different from the third voltage level range.
[17]本発明の実施形態によると、第1電極は、抽出用または抑制用電極であってもよい。 [17] According to an embodiment of the present invention, the first electrode may be an extraction or suppression electrode.
[18]本発明の実施形態によると、上記第3電圧レベル範囲は、第1電圧差だけ非抽出電圧レベルより低い電圧レベルを含んでもよい。 [18] According to an embodiment of the present invention, the third voltage level range may include a voltage level lower than the non-extracted voltage level by a first voltage difference.
[19]本発明の様々な実施形態によると、一部の電圧レベル範囲は、互いに異なっている。例えば、上記第1電圧レベル範囲の上端は、第3電圧レベル範囲の上端より高いか、更に/又は、第4電圧レベル範囲の上端は、第2電圧レベル範囲の上端より高い。 [19] According to various embodiments of the present invention, some voltage level ranges are different from each other. For example, the upper end of the first voltage level range is higher than the upper end of the third voltage level range, and / or the upper end of the fourth voltage level range is higher than the upper end of the second voltage level range.
[20]本発明の実施形態によると、アイドルモードとアクティブモード間の移行は、液体金属イオン源の下流側に位置するイオン光学部品のイオン光学特性を実質的に変更しない。 [20] According to embodiments of the present invention, the transition between the idle mode and the active mode does not substantially change the ion optical properties of the ion optics located downstream of the liquid metal ion source.
[21]本発明の実施形態によると、アイドルモードとアクティブモード間の移行は急速である。1分より、更には数秒より短時間である。 [21] According to embodiments of the present invention, the transition between idle mode and active mode is rapid. It takes less than a minute and even a few seconds.
[22]本発明の実施形態によると、アイドルモード中、先端に提供されるイオンは、液体の形で維持される。 [22] According to an embodiment of the present invention, ions provided at the tip are maintained in liquid form during idle mode.
[23]本発明の実施形態によると、アイドルモードとアクティブモード間の移行後に、先端からのイオン抽出の安定化ステップが続く。安定化ステップは、先端から抽出されたイオンの流れを測定する工程、一以上の電極に供給される電圧の電圧レベルを変更する工程を含んでもよい。 [23] According to an embodiment of the present invention, the transition step between the idle mode and the active mode is followed by a stabilization step of ion extraction from the tip. The stabilizing step may include measuring a flow of ions extracted from the tip, and changing a voltage level of a voltage supplied to one or more electrodes.
[24]本発明の実施形態によると、アイドルモードとアクティブモード間の移行は、液体金属イオン源の再加熱を伴わない。 [24] According to embodiments of the present invention, the transition between idle mode and active mode does not involve reheating of the liquid metal ion source.
[25]本発明を理解し、実際に、どのように実行可能であるのかを知る為に、以下、限定されない実施例だけを用いて、添付図面を参照して、好ましい実施形態を説明する。 [25] In order to understand the present invention and know how it can actually be carried out, preferred embodiments will now be described with reference to the accompanying drawings, using only non-limiting examples.
[29]FIBシステム10は、図1に記述されている。FIBシステム10は、(i)イオンビームを生成する為のイオン源(例えば、液体金属イオン源20);(ii)複数の電極(例えば、液体金属イオン源20からイオンを抽出する為の抽出用電極30と、所望のイオンビーム電流が液体金属イオン源から放出されるように液体イオン源20の先端における集束電界強度を調整する抑制電極40);(iii)複数の電源ユニット(例えば、FIBシステム10の様々な構成要素に電圧を供給する為の抽出用電源32及び抑制用電源42FIBシステム10、および、それぞれの抽出用電極30および抑制用電極40);(iv)イオン光学部品(例えば、FIBレンズシステム50及びイオンビームデフレクタ60);を含む。FIBレンズシステム50は、集束されたイオンビームを提供する為にイオンビームを集束することができる。イオンビームデフレクタ60は、集束されたイオンビームを偏向することができる。通常、FIBシステムは、また、一以上の検出装置、アパーチャ等と、イオンビームブランカーを含む。
[29] The
[30]液体金属イオン源20は、液体金属を維持するリザーバ21、フィラメント電流供給装置23により提供されるフィラメント電流により加熱される先端22を含む。先端22、代替え的にリザーバ21も加熱される。金属は、液体の形で維持される。リザーバと先端は、液体金属の薄膜を先端22で形成するように配置される。抽出用電極30,40のような電極により誘発された電界は、先端22の頂点からイオンを抽出する。
[30] The liquid
[31]FIBシステム10は、また、先端22からプロセッサ104まで抽出されたイオンの電流概略値を提供する為に、抽出電極30に電気的に接続された電流計102を含む。電流計は、他の電源又はシステム10の一部に電気的に結合されてもよいことに留意されたい。プロセッサ104は、電流計102に電気的に接続され、液体金属イオン源20を制御することができる。
[31] The
[32]図2は、液体金属イオン源を制御する方法を例示する。方法120は、FIBシステムを開始するステップ122で始まる。ステップ122は、液体金属イオン源20を加熱する工程、液体金属イオン源20からのイオン放出を安定化する工程、イオン光学部品などを較正する工程などを含んでもよい。較正する工程は、光学収差の減少、イオン光学部品の配置を含んでもよい。
[32] FIG. 2 illustrates a method of controlling a liquid metal ion source. The
[33]説明を簡略化する為に、ステップ122の終わりで、液体金属イオン源20が(ステップ122とステップ124間に位置するボックス123により例示されるように)アクティブモード動作であることが仮定されている。したがって、イオンは、集束イオンビームを形成する為に抽出され、集束イオンビームは、交互に、対象物を彫ること、FIB画像を生成することのような様々な目的に使用可能である。
[33] To simplify the explanation, at the end of
[34]ステップ122の後に、動作モードをアイドルモードに変更する必要性を検出するステップ124が続く。検出は、FIBシステムの操作者からの要求に基づいてもよいが、FIBシステムの応答状態として生成されてもよい。例えば、モード処置より一定の時間間隔の間、液体金属イオン源が彫ることがFIB画像を生成することに使用されなかった場合に要求されてもよい。
[34]
[35]ステップ124の後に、アクティブモードとアイドルモード間の移行を実施するステップ126が続く。ステップ126は、自動ソース安定化プロセスを不活発にする工程、抽出用電極電圧レベルを保存する工程のような移行前のステップを含んでもよい。これらの移行前の措置の後に、抽出用電極電圧レベルを下げる工程が続く。都合の良いことに、抽出用電極電圧レベルは、第1電圧差だけ非抽出イオンレベル以下のレベルまで下げられる。本発明者は、非抽出イオンレベルが約6500Vであり、6300Vまで電圧レベルを下げられるFIBシステムを使用した。
[35]
[36]ステップ126において、ステップ126とステップ128間に位置するボックス留で例示されているように、システムはアイドルモード動作にある。
[36] At
[37]ステップ126の後に、アクティブモードに動作モードを変更する必要性を検出するステップ128が続く。
[37]
[38]ステップ128の後には、アクティブモードへの移行を実施するステップ130が続く。前記移行は、ステップ128で保存されたレベルまで抽出用電極の電圧を増加する工程を含む。ステップ130は、また、所定の電流レベルで抽出イオンの安定した流れを提供するように、抑制用電極の電圧レベルを変更するような移行後のステップを含んでもよい。本発明者は、2ミクロンアンペアレベルで液体金属イオン源を安定化させた。移行後のステップは、また、電圧の上限値または下限値に抑制電圧が到達することを防止する為に、抽出用電極の電圧レベルを変更する工程を含んでもよい。
[38]
[39]ステップ130の後にステップ124が続く。
[39]
[40]いったん、液体金属イオン源が、延長時間間隔の間、アクティブモードで維持されると、抑制電圧は、徐々に増加され、同一電流レベルを提供する。この増分は、抑制用電極に接続された電源の性能により制限される。いったん、これが生じると、FIBシステムは、遮断されなければならず、高電流消費の加熱プロセスが始まる。これは、液体金属イオン源の寿命を実質的に短くする。抑制電極の電圧レベルの上記変更は、抽出電圧の変更置き換えられるか、上記変更により達成される点に留意されたい。 [40] Once the liquid metal ion source is maintained in active mode for an extended time interval, the suppression voltage is gradually increased to provide the same current level. This increment is limited by the performance of the power supply connected to the suppression electrode. Once this occurs, the FIB system must be shut off and a high current consumption heating process begins. This substantially shortens the lifetime of the liquid metal ion source. It should be noted that the above change in the voltage level of the suppression electrode can be replaced by or achieved by a change in the extraction voltage.
[41]本発明者は、アイドルモードとアクティブモード間の移行は、また、良好な抽出電圧/放射電流レベル比を提供することを見つけ出した。移行は、実質的に抽出電圧レベルの増分をリセットするので、加熱プロセスに伴う電流浪費を排除する。 [41] The inventors have found that the transition between idle mode and active mode also provides a good extracted voltage / radiated current level ratio. The transition substantially resets the extraction voltage level increment, thus eliminating the current waste associated with the heating process.
[42]図3は、様々な動作モード("Ext.c"と記された最下部の曲線)、抽出電極電圧レベル("Ext. v"と記された上部の曲線)、抑制電極電圧レベル("Sp. v"と記された中間の曲線)中に抽出された電流を示す3つの曲線を例示する。上部の曲線は、アクティブモード期間中、抽出用電極電圧レベルが第1範囲内にあり、第1範囲は、アイドルモード中に提供される電圧レベルの第3範囲内に含まれる電圧レベルより高い電圧レベルを含むことを例示する。中間の曲線は、アクティブモード期間中、抑制用電極電圧レベルが第2範囲内にあり、第2範囲は、アイドルモード中に提供される電圧レベルの第4範囲内に含まれる電圧レベルより高い電圧レベルを含むことを例示する。 [42] FIG. 3 shows various operating modes (bottom curve labeled “Ext.c”), extracted electrode voltage level (upper curve labeled “Ext. V”), suppression electrode voltage level. 3 illustrates three curves showing the current extracted in (intermediate curve labeled “Sp. V”). The upper curve shows that during the active mode, the extraction electrode voltage level is in the first range, which is higher than the voltage level included in the third range of voltage levels provided during the idle mode. Illustrates including levels. The middle curve shows that during the active mode, the suppression electrode voltage level is in the second range, which is higher than the voltage level included in the fourth range of voltage levels provided during the idle mode. Illustrates including levels.
[43]当業者にとって明らかなことは、開示された主題が数多くの方法で変形可能であり、特別に記載され、説明された形式以外にも多くの実施形態を仮定してもよいことである。 [43] It will be apparent to those skilled in the art that the disclosed subject matter can be modified in many ways and many embodiments can be envisioned other than the specifically described and described forms. .
[44]したがって、上記開示主題は、例示的であり、限定的なものではなく、法により許容される最大範囲で、本発明の真の精神及び範囲内に該当する全ての変形例と他の実施形態をカバーするように、添付された請求項が意図されている。 [44] Accordingly, the above disclosed subject matter is exemplary, not limiting, and includes all variations and other modifications that fall within the true spirit and scope of the present invention, to the maximum extent permitted by law. The appended claims are intended to cover the embodiments.
[45]本発明の範囲は、添付された請求項および上記明細書というよりこれらの均等物の、可能な限り最も広い解釈により決定されるものである。 [45] The scope of the invention is to be determined by the broadest possible interpretation of the equivalents rather than the appended claims and the above specification.
20…液体金属イオン源、21…リザーバ、22…先端、23…フィラメント電流源、30…抽出用電極、32…抽出用電源、40…抑制用電極、42…抑制用電源、55…アパーチャ、60…イオンビームデフレクタ、102…電流計、104…プロセッサ。
DESCRIPTION OF
Claims (30)
第1電圧レベル範囲で第1電極を維持し、第2電圧レベル範囲で第2電極を維持し、前記液体金属イオン源のアクティブモード動作中、前記液体金属イオン源の先端に形成される金属イオンを抽出するステップと、
第3電圧レベル範囲で前記第1電極を維持し、第4電圧レベル範囲で前記第2電極を維持し、前記液体金属イオン源のアイドルモード動作中、前記先端からの金属イオンの抽出を実質的に減少させるステップと、
を含み、
前記第3電圧レベル範囲および前記第4電圧レベル範囲のうちの少なくとも一方はゼロ電圧レベルを含まず、
前記第1電圧レベル範囲は、前記第3電圧レベル範囲とは異なり、
前記第4電圧レベル範囲の上端が、絶対値において、前記第2電圧レベル範囲の上端より高い、
ことを特徴とする方法。A method for controlling a liquid metal ion source comprising a tip, a first electrode and a second electrode , comprising:
Metal ions formed at the tip of the liquid metal ion source while maintaining the first electrode in the first voltage level range and maintaining the second electrode in the second voltage level range and during the active mode operation of the liquid metal ion source the method comprising the steps of: extracting,
Maintaining the first electrode in a third voltage level range, maintaining the second electrode in a fourth voltage level range, and substantially extracting metal ions from the tip during idle mode operation of the liquid metal ion source and step be reduced to,
Including
At least one of the third voltage level range and said fourth voltage level range does not include the zero voltage level,
Wherein the first voltage level range Unlike the third voltage level range,
The upper end of the fourth voltage level range is higher in absolute value than the upper end of the second voltage level range;
A method characterized by that .
先端と、
第1電極及び第2電極と、
前記液体金属イオン源のアクティブモード動作中に前記液体金属イオン源の先端で形成される金属イオンを抽出するように第1電圧レベル範囲で前記第1電極を維持し第2電圧レベル範囲で前記第2電極を維持する為に、更に、前記液体金属イオン源のアイドルモード動作中に前記先端からの金属イオンの抽出を実質的に減少させるように第3電圧レベル範囲で前記第1電極を維持し第4電圧レベル範囲で前記第2電極を維持する為に、少なくとも1つの電源に結合されたコントローラと、
を備え、
前記第3電圧レベル範囲および前記第4電圧レベル範囲のうちの少なくとも一方がゼロ電圧レベルを含まず、
前記第1電圧レベル範囲が前記第3電圧レベル範囲とは異なり、
前記第4電圧レベル範囲の上端が、絶対値において、前記第2電圧レベル範囲の上端より高い、
ことを特徴とする液体金属イオン源。A liquid metal ion source ,
The tip ,
A first electrode and a second electrode ;
Wherein the second voltage level range to maintain said first electrode at a first voltage level range to extract metal ions formed during active mode operation at the tip of the liquid metal ion source before Symbol liquid metal ion source In order to maintain the second electrode, the first electrode is further maintained at a third voltage level range to substantially reduce metal ion extraction from the tip during idle mode operation of the liquid metal ion source. to maintain the second electrode at a fourth voltage level range, and a controller coupled to the at least one power supply,
With
Free of at least one of a zero voltage level of said third voltage level range and said fourth voltage level range,
The first voltage level range Unlike the third voltage level range,
The upper end of the fourth voltage level range is higher in absolute value than the upper end of the second voltage level range;
A liquid metal ion source.
Applications Claiming Priority (3)
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