JP4721672B2 - 光インターコネクト装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光ファイバ技術に関し、特に光源からの光を光ファイバに結合するか、または光を光ファイバから離して検知器に結合するデバイスに関する。
LEDは、比較的安価であるために短距離光ファイバシステムに広く使用されているが、比較的低速度の用途、たとえば100〜300MHzの最高帯域幅での使用に限られている。光ファイバシステムに使用されているレーザダイオードの3種類の主なタイプは、ファブリーペロー(FP)レーザダイオード、分散フィードバック(DFB)レーザダイオードおよび垂直キャビティ表面発光レーザ(VCSEL)である。光ファイバシステムに使用される3種類の主なタイプの検知器は、PINフォトダイオード、集積検知器/前置増幅器(IDP)、およびアバランシェフォトダイオード(ADP)であるが、PINフォトダイオードは最も広く使用されている検知器である。
図1は、エッジエミッタ法を使用する従来の並列光ファイバインターコネクト装置10を示す。この装置は、セラミックサブマウント14に実装されて、光ファイバの1×4アレイ16と対向する4つの面(facet,ファセット)に配置される端面放射型レーザダイオードの1×4アレイ12を備えている。セラミックサブマウント14は、シリコンブロック18上に支持されている。一般に、X軸およびY軸の両方に沿って、5μmの範囲内における整列が要求される。光ファイバ16は、もう1つのシリコン支持ブロック22の上面にエッチングされて、上方が開放されているV形溝20内に並列して載置されている。ブロック22の高さ、ブロック22と相対的なV形溝20の位置、およびV形溝20内における光ファイバ16は、一般に非常に正確である。一般に、正確ではない点は、サブマウント14とシリコンブロック18との間、およびシリコンブロック18と溝20との間の隙間、並びに以下のパッケージ(図示しない)である。2本の軸を整列させるため、各部分は、高いコストをかけて高度に精密に製造するか、または多数の軸を能動的(デバイス上で)もしくは受動的(基準を使用して)に整列させる必要があり、これもコスト高となっている。
本発明により、一方ではエミッタまたは検知器、他方では光ファイバとの間における、信号損失を最小限にするために必要な整列を単純化する低コストの光インターコネクト装置を提供する。
本発明による実施態様の単一チャネル形態では、光ファイバシステムのための光インターコネクト装置は、適切な光透過性材料から製造されたペネトレータを備え、このペネトレータは、光電子デバイスに光学的に結合されて、プラスチック光ファイバ内に挿入され、光を光ファイバと光電子デバイスとの間で転送するように構成されている。
本発明によるもう1つの実施態様の多重チャネル形態では、光ファイバシステムのための光インターコネクト装置は、各々が光透過性の適切な材料から製造された複数のペネトレータであって、複数の光電子デバイスの対応する1つに光学的に結合されて、複数のプラスチック光ファイバの並列アレイの対応するプラスチック光ファイバの長さに沿って光を光ファイバと対応する光電子デバイスとの間で転送するように構成されたペネトレータを備えている。
本発明によると、光ファイバシステム内に光インターコネクト装置を形成する方法を提供する。この方法は、光電子デバイスを形成するステップと、プラスチック光ファイバを形成するステップとを含む。適切な光透過性材料から製造されるペネトレータは、光をペネトレータと光電子デバイスとの間で転送することを可能にするように、光電子デバイスと相対的に配置されている。ペネトレータは、光を光ファイバと光電子デバイスとの間でペネトレータを通って転送することを可能にするように、プラスチック光ファイバの長さに沿って光ファイバの側壁を通して挿入されている。
以下に記載する低コストの光インターコネクト装置は、従来のガラス光ファイバ(GOF)に代わるプラスチック光ファイバ(POF)に使用するように意図されている。近年の進歩によって、短距離から中距離の伝送経路に使用するのに魅力的な著しい性能を有するプラスチック光ファイバが製造されている。たとえば、比較的高帯域では、アクリル補強層で包囲された過フッ素化ポリマーで製造される低コストのグレーデッドインデックス光ファイバが使用されている。こうした光ファイバは、100mの長さ全体にわたって、1km当たり12dBという低い損失で、毎秒11ギガビットを超える伝送速度が実証されている。
プラスチック光ファイバは、一般に、ガラス光ファイバに比べて直径が非常に大きい。たとえば、プラスチック光ファイバは、200〜300μmのクラッド直径および120〜180μmのコア直径を有している。外側の保護ジャケットは、一般に、直径500〜1000μmである。このように直径が比較的大きいため、データの伝送は、プラスチック光ファイバの端部が破損するかまたは汚れた場合、またはファイバの軸がわずかに偏心している場合にも可能である。したがって、プラスチック光ファイバの光接続は、ガラス光ファイバを接続するために使用する対応物(counterparts)よりも単純かつ安価に行うことができる。プラスチック光ファイバは非常に強力で、比較的容易に屈曲する。レーザまたはその他の鋭利な手段(sharp implement)は、プラスチック光ファイバを切断して、同様に切断されたプラスチック光ファイバと嵌合可能で、この接合部を通過する光のたとえば約3dBの損失を導入する平坦な端部またはファセットを生成するために使用することができる。プラスチック光ファイバの端部は、加熱して軟化させてから鏡面に押し当てると、プラスチック光ファイバの架設をガラス光ファイバよりもはるかに単純にすることができる。プラスチック光ファイバは、一般に、半径25μmまで屈曲させた場合でも、損失は比較的少ない。したがって、プラスチック光ファイバは、家庭またはオフィスにおいてコンピュータと通信機器とを接続する場合に、壁部およびその他の堅固な領域に架設するのに良く適している。
本発明によると、プラスチック光ファイバは、あまり厳密な整列を必要としない。プラスチック光ファイバは、特にプラスチック光ファイバを加熱して軟化させた時に、容易に穿孔(突き通す、pierced)することができ、以下で詳細に述べるように、光電子デバイスに結合されるペネトレータ(penetrator)を挿入することが可能になる。ガラス光ファイバは、周囲温度で非常に硬質であり、プラスチック光ファイバを穿孔するという点で、異物を使って容易に穿孔することはできない。ガラス光ファイバは、軟化させるためには非常に高温まで加熱する必要があり、その後導入されるペネトレータが破損するか、および/またはペネトレータに結合される光変換デバイスも破損するであろう。ガラス光ファイバの軟化は、その低損失の伝送能力を損なう可能性がある。
図2および図3は、低コストの単一チャネル光インターコネクト装置30であって、光電子デバイス34に光学的に結合された一般に角錐または円錐状のペネトレータ32を備え、プラスチック光ファイバ36を穿孔して、光をプラスチック光ファイバ36と光電子デバイス34との間で伝送するように構成された光インターコネクト装置30を示す。光インターコネクト装置30と先行技術の光インターコネクト装置との間の重要な相違は、光インターコネクト装置30は、光電子デバイス34を光ファイバ36の端面またはファセット38ではなく光ファイバ36に沿って結合(couple)する点である。この方法は、Y軸に沿って正確に整列する必要を効果的になくし、低コストの受動整列法を可能にする。
光電子デバイス34は、プラスチック光ファイバ36に使用するのに最適なタイプのエミッタまたは光検知器で良い。したがって、「光電子デバイス」という用語は、LED、ファブリー−ペロー(FP)レーザダイオード、分散フィードバック(DFB)レーザダイオード、垂直キャビティ表面発光レーザ(VCSEL)、PIN光ダイオード、集積検知器/前置増幅器(LDP)、およびアバランシェフォトダイオード(ADP)を含んでおり、かつこれらに限定されない。図2および図3に示す光インターコネクト装置30の光電子デバイス34は、上面発光垂直キャビティ表面発光レーザ(VCSEL)である。ペネトレータ32は、VCSELの出力表面の上面に直接配置され、光ファイバ36に貫通するのみならず、VCSELと光ファイバ36とを光学的に結合する機能も果たしている。ペネトレータ32は、光電子デバイス34の基板に直接エッチングすることもできる。図3に矢印で示すように、光電子デバイス(VCSEL)34の出力表面からの光は、ペネトレータ32の傾斜側壁上のコーティング40から反射し、光ファイバ36内に射出されている。コーティング40は、金などの適切な材料によって製造することができる。コーティング40は必ずしも必要ではなく、その代わり、ペネトレータ32は、全内部反射(total internal reflection)のみによって、必要な光結合を生成するように製造することができる。光電子デバイス34が検知器である場合、反対の作用が生じ、光ファイバ36からの光は、光電子デバイス34の活性面に送られて電気信号に変換されている。ペネトレータ32は、別法によると、光電子デバイス34からの光を光ファイバ36に結合するのを促進する材料で被覆された少なくとも1個の壁部を有している。
ペネトレータ32(図2および図3)は、光ファイバ36への結合を促進し、VCSEL34内への後方反射をなくすために、特別に調整した側壁角度またはコーティングを有している。ペネトレータ32は、プラスチックまたはガラスなどの光透過性の適切な材料を用いて製造することができる。ペネトレータ32は、底面照明または底面発光光電子デバイスの基板内にエッチングされている。ペネトレータ32は、VCSEL34からペネトレータ32を通って光ファイバ36に至る光の伝送を不利に損なわないように、適切な接着剤、または2個のデバイスを確実に接続するその他の適切な方法により光電子デバイス34に結合されている。ペネトレータ32は、ペネトレータ32を周囲温度のプラスチック光ファイバ36に適切な深さまで押し入れることにより、好ましくは光ファイバ36を完全に貫通せずに、プラスチック光ファイバ36を穿孔するのに十分に鋭利に形成されている。好ましい実施態様では、ペネトレータ32は光ファイバ36の直径の少なくとも半分まで延在するようになっている。別法によると、プラスチック光ファイバ36は、プラスチック光ファイバ36を軟化させ、挿入過程を容易にして促進するのに十分な、周囲温度を超える予め決められた温度まで加熱される。ペネトレータ32もプラスチック材料から製造する場合、ペネトレータ32を軟化させないように注意するべきであり、そのため、プラスチック光ファイバ36を別個に加熱するか、および/または融点が非常に高いプラスチック材料からペネトレータ32を製造する。別法によると、ペネトレータ32は、挿入過程を容易にして促進するために加熱する場合がある。
単一チャネル光インターコネクト装置30は、装置を安定させるために、適切なゲル、ポッティング化合物(potting compound)またはその他の材料をカプセル化することができる。このカプセル化層は、図2に点線42で大まかに示されている。カプセル化層42は、光電子デバイス34とペネトレータ32との間の結合層としてのみ機能するか、またはこれらの2つの構成要素および結合された光ファイバ36上にも延在して、適切な整列の維持を促進し、光インターコネクト装置30内の破損またはその他の不具合の原因になりそうな応力を吸収することができる。カプセル化層42は、図2および図3に示す構造全体を包囲し、気密に封止して、低コストの堅牢なパッケージを形成することができる。
図4は、複数チャネルの並列光ファイバインターコネクト装置50であって、シリコンブロック54上に支持された共通のセラミック基板またはダイ52に取り付けられたVCSEL(図示しない)の1×4アレイを備えるインターコネクト装置50を示す。共通のセラミック基板またはダイ52は省略して、VCSELアレイをシリコンもしくはGaAs基板または熱電冷却機に直接実装することができる。シリコン基板は、集積回路でも良い。想像線で示す4つのペネトレータ56は、対応する1個のVCSEL上にそれぞれ実装される。各々のペネトレータ56は、プラスチック光ファイバ58の1×4アレイの対応する1本のプラスチック光ファイバを穿孔している。光ファイバ58は、もう1つのシリコン支持ブロック62の上面にエッチングされた上方に開放するV形溝60内に横に並べて配置され並列に延在している。光ファイバ58は、さもなければ高温でペネトレータ56上に圧迫されている。X軸に沿って許容可能な公差は、図1に示す従来の方法より大きい。図4に示す複数チャネルの並列光ファイバインターコネクト装置50では、Y軸に沿って正確に整列する必要性はなくなる。詳細には、シリコン支持ブロック54と相対的なダイ52の高さ、および/またはシリコン支持ブロック62と相対的なシリコン支持ブロック54の高さを調節するための高価な能動整列ステップが不要になる。インターコネクト装置50の選択した部分、または完全な外側は、耐衝撃性、気密性などを改善するために適切な材料(図示しない)中にカプセル化(封入、encapsulate)することができる。並列光インターコネクト装置50と図1に示す先行技術の並列光インターコネクト装置との重要な相違は、光インターコネクト装置50の場合、光インターコネクト装置50の端面またはファセット64を通してではなく、光ファイバ58に沿って光電子デバイスを結合する点である。この方法は、Y軸に沿った正確な整列という必要条件を効果的になくし、低コストの受動整列法を可能にする。図2および図3の単一チャネル光インターコネクト装置30と同様、図4の複数チャネル光ファイバインターコネクト装置50のペネトレータ56の形状は変えることができ、コーティングを塗布して、組立ての容易さ、および/または光ファイバ58と、セラミックサブマウント52に取り付けられた光電子デバイスとの間の光伝送効率を改善することができる。
単一チャネル光インターコネクト装置30に関する図2および図3を参照すると、光ファイバシステム内に光インターコネクト装置を提供する方法は、光電子デバイス34を提供するステップと、プラスチック光ファイバ36を提供するステップとを何れかの順序で含む。適切な光透過性材料から製造されたペネトレータ32は、光をペネトレータ32と光電子デバイス34との間で転送することを可能にするように、光電子デバイス34に対して配置する。やはり、最初の2つのステップに対するこのステップの順序は重要ではない。本発明の基本的な方法の最終的なステップにより、ペネトレータ32は、光を光ファイバ36と光電子デバイス34との間においてペネトレータ32を通して転送することを可能にするように、光ファイバ36の側壁を通り、プラスチック光ファイバ36の長さに沿って配置されている。挿入ステップでは、Xおよび/またはY軸に沿って最低限の様々な整列を行うことができるが、光ファイバ36の長手方向軸に沿った実際の整列は不要である。光インターコネクト装置30の全部または一部をカプセル化する任意のステップは、どの段階でも実施することができる。ペネトレータ32は、プラスチック光ファイバ36内に挿入してから、光電子デバイス34に隣接して配置することができる。本願の発明人は、同様に、複数チャネル光インターコネクト装置50を提供する類似の方法を発明した。
光ファイバシステム用の低コストの光インターコネクト装置の本発明によるいくつかの実施態様を説明したが、プラスチック光ファイバおよび光電子デバイスを相互接続する方法、その改良および変更は、当業者には容易に考えられるであろう。たとえば、ペネトレータ32は、その鋭利さにより、変更されていないプラスチック光ファイバ36を穿孔するか、または、刃、レーザまたはその他の適切な切断手段によりプラスチックファイバ内に以前に形成したスライスまたはその他の物理的な差込口に単に挿入することができる。後者の方法では、ペネトレータ32は、プラスチックファイバ36をスライスする器具ではないため、鋭利または先端が尖った構成を有する必要はない。その他の実施例では、ペネトレータ56は、光電子デバイスに物理的に結合する必要はなく、その他の構造で支持して、光電子デバイスに隣接して配置することができる。したがって、本発明による実施態様に与えられる保護は、以下の請求の範囲のみに従って制限されるべきである。
従来(先行技術)の並列光ファイバインターコネクト装置を示す拡大略部分斜視図である。 本発明による低コスト光インターコネクト装置の単一チャネル実施態様を示す拡大略端面図である。 図2の光インターコネクト装置の側立面図である。 本発明による低コストの並列光ファイバインターコネクト装置の多重チャネル実施態様を示す拡大略部分斜視図である。
符号の説明
30 光インターコネクト装置
32 ペネトレータ
34 光電子デバイス
36 光ファイバ
40 コーティング
42 カプセル化層

Claims (8)

  1. 上面発光垂直キャビティ表面発光レーザと、底面発光垂直キャビティ表面発光レーザとで成る群から選択される光電子デバイスと、
    前記光電子デバイスの基板内にエッチングされた光透過性材料からなり、光ファイバの長さに沿って挿入されて前記光ファイバと前記光電子デバイスとを光学的に結合して、それらの間で光を伝送するように構成されるペネトレータと
    を備えている光ファイバシステム用の光インターコネクト装置。
  2. 前記ペネトレータが角錐形に形成されている、請求項1に記載のインターコネクト装置。
  3. 前記ペネトレータが円錐形に形成されている、請求項1に記載のインターコネクト装置。
  4. 前記ペネトレータは、前記光電子デバイスへの光の後方反射を最低限に抑制するように角度調整した少なくとも1個の壁部を備えている、請求項1に記載のインターコネクト装置。
  5. 前記ペネトレータが、前記光電子デバイスから前記光ファイバへの光の結合を促進する材料で被覆された少なくとも1つの壁部を備えている、請求項1に記載のインターコネクト装置。
  6. 前記光電子デバイスを前記光ファイバに光学的に結合するために、前記ペネトレータにより前記光ファイバを穿孔した、請求項1に記載のインターコネクト装置。
  7. 前記光電子デバイス、ペネトレータおよび/または光ファイバを少なくとも部分的に包囲するカプセル化層をさらに備えている、請求項6に記載のインターコネクト装置。
  8. 前記光ファイバがプラスチック光ファイバであり、前記ペネトレータが、前記プラスチック光ファイバの直径を少なくとも半分横断して挿入され、前記プラスチック光ファイバの長さに沿って配置されている、請求項1に記載のインターコネクト装置。
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