JP4721101B2 - Piezoelectric device, method for manufacturing piezoelectric device, and electronic apparatus - Google Patents

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本発明は圧電デバイス並びに圧電デバイスの製造方法、及び当該圧電デバイスを搭載した電子機器に係り、特に小型・薄型化に好適な圧電デバイス並びに製造方法、及び電子機器に関する。 The present invention method for manufacturing a piezoelectric device and piezoelectric device, and the relates to an electronic device equipped with the piezoelectric device, particularly suitable piezoelectric device and a method of manufacturing the compact and thin, and an electronic apparatus.

従来より、弾性表面波発振器等の弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)デバイス(圧電デバイス)として、パッケージの内部にSAW素子片や、このSAW素子片の発振を制御する集積回路(IC:Integrated Circuit)等を収容する構成のものが知られている。 Conventionally, as a surface acoustic wave (SAW) device (piezoelectric device) such as a surface acoustic wave oscillator, a SAW element piece inside a package and an integrated circuit (IC: Integrated) for controlling oscillation of the SAW element piece Circuit) is known.

このような構成の圧電デバイスにおいて課題とされていることは大別して、SAWデバイスを小型・薄型化することと、パッケージ内に実装されたSAW素子片に対する熱や応力の影響を除去することとを挙げることができる。この両者は製造において相反する作用をもたらす場合が多く、両者を同時に実現することは難しい。 What is considered as a problem in the piezoelectric device having such a configuration is broadly divided into reducing the size and thickness of the SAW device and removing the influence of heat and stress on the SAW element piece mounted in the package. Can be mentioned. Both of these often have conflicting effects in manufacturing, and it is difficult to realize both at the same time.

例えば、圧電デバイスを小型・薄型化する上で非常に有効と考えられる技術としては、特許文献1に開示された技術を挙げることができる。特許文献1に開示されている技術によって製造される圧電デバイスは、SAW素子片とICとを縦方向に重ね合わせてパッケージに搭載する構成としたものである。具体的構成は次の通りである。まず、パッケージを構成するパッケージベースの底部に形成された電極パッドに対し、前記ICをフリップチップボンディングする。これにより、ICの能動面はパッケージベースの底部と対向することとなり、非能動面がパッケージベースの上部開口部側に晒されることとなる。次に、上部開口部側に晒されたICの非能動面に対して接着剤によりSAW素子片を搭載する。このような構成とすることにより、SAW素子片の能動面(電極形成面)がパッケージベースの上部開口部側に晒されることとなる。そして、上部開口部側に晒されたSAW素子片の電極と、パッケージベースに形成された電極パッドとをワイヤボンディングすることによりSAW素子片の実装を行う。このようにして製造される圧電デバイスは、ICとSAW素子片との隙間を小さくすることができ、パッケージ内に生じる厚さ方向(縦方向)のデッドスペースを減らすことができ、薄型化を実現することができる。また、ICとSAW素子片を縦方向に重ねたことより、パッケージ自体の実装面積を小型化することも実現できる。 For example, the technique disclosed in Patent Document 1 can be cited as a technique that is considered to be very effective in reducing the size and thickness of a piezoelectric device . The piezoelectric device manufactured by the technique disclosed in Patent Document 1 has a configuration in which a SAW element piece and an IC are vertically stacked and mounted on a package. The specific configuration is as follows. First, the IC is flip-chip bonded to an electrode pad formed on the bottom of a package base constituting the package. As a result, the active surface of the IC faces the bottom of the package base, and the non-active surface is exposed to the upper opening side of the package base. Next, a SAW element piece is mounted with an adhesive on the inactive surface of the IC exposed to the upper opening side. With this configuration, the active surface (electrode formation surface) of the SAW element piece is exposed to the upper opening side of the package base. Then, the SAW element piece is mounted by wire bonding the electrode of the SAW element piece exposed to the upper opening side and the electrode pad formed on the package base. Piezoelectric devices manufactured in this way can reduce the gap between the IC and SAW element pieces, reduce the dead space in the thickness direction (longitudinal direction) that occurs in the package, and achieve a reduction in thickness. can do. Further, since the IC and the SAW element piece are stacked in the vertical direction, the mounting area of the package itself can be reduced.

一方、SAW素子片に対する熱の影響を回避する技術としては、例えば特許文献2に開示されている技術がある。特許文献2に開示されている技術は、SAW素子片が、圧電デバイスの小型、薄型化に伴って薄型化されたパッケージ構成部材によって、熱の影響を受けやすくなったことに対する対策であり、SAW素子片を片持ち構造とし、片持ち時の支持部に台を備える構成とした圧電デバイスである。このような構成によれば、パッケージに対する設置面積が減るため、パッケージに与えられた熱や衝撃といった外力がSAW素子片に伝播する確率は低くなる。また、支持部に台を設けていることから、この部分に関しては外力の影響を受け難い構造となる。
特開2005−57577号公報 特開2003−298388号公報
On the other hand, as a technique for avoiding the influence of heat on the SAW element piece, there is a technique disclosed in Patent Document 2, for example. The technique disclosed in Patent Document 2 is a countermeasure against the fact that the SAW element piece is easily affected by heat due to the package constituent member that is thinned as the piezoelectric device becomes smaller and thinner. This is a piezoelectric device in which the element piece has a cantilever structure and a support is provided on the support portion when cantilevered. According to such a configuration, since the installation area for the package is reduced, the probability that an external force such as heat or impact applied to the package propagates to the SAW element piece is reduced. Moreover, since the base is provided in the support portion, this portion is not easily affected by external force.
JP 2005-57577 A JP 2003-298388 A

特許文献1に開示された技術は確かに、圧電デバイスの小型・薄型化に対して有効なものであるということができる。しかし、上記構成によれば、ICの重量とSAW素子片の重量とを、ICの能動面に形成された電極パッドによって支持する構造となる。そして、SAW素子片をパッケージベースに実装するに際しては、ワイヤボンディングが用いられているため、ワイヤ接続時に生じる衝撃もICへの負担となる可能性がある。 It can be said that the technique disclosed in Patent Document 1 is effective for reducing the size and thickness of a piezoelectric device . However, according to the above configuration, the weight of the IC and the weight of the SAW element piece are supported by the electrode pads formed on the active surface of the IC. When the SAW element piece is mounted on the package base, wire bonding is used. Therefore, an impact generated when the wire is connected may be a burden on the IC.

また、特許文献2に記載の技術を適用する場合には、パッケージ構造として必ず、SAW素子片の台となる部位を設ける必要があるため、パッケージ構造に制限が多くなり、圧電デバイス自体を小型・薄型化することが困難となる。 In addition, when applying the technique described in Patent Document 2, it is necessary to provide a part to be a base of the SAW element piece as a package structure. Therefore, there are many restrictions on the package structure, and the piezoelectric device itself is reduced in size and size. It becomes difficult to reduce the thickness.

本発明では、圧電デバイスを小型・薄型化することに適し、SAW素子片への応力の伝播を抑制し、ICを搭載する場合であってもICに物理的な負荷をかけることの無い構成の圧電デバイス並びにその圧電デバイスを製造する上での特定の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明では、前記構成の圧電デバイスを搭載した電子機器を提供することも目的とする。 In the present invention, the piezoelectric device is suitable for downsizing and thinning, suppresses the propagation of stress to the SAW element piece, and does not apply a physical load to the IC even when the IC is mounted. and to provide a specific manufacturing method for manufacture of piezoelectric devices and the piezoelectric device. Another object of the present invention is to provide an electronic apparatus equipped with the piezoelectric device having the above-described configuration.

上記目的を達成するためには、パッケージに対して弾性表面波素子片を直接搭載することを避け、集積回路を搭載する場合には、集積回路と弾性表面波素子片とを縦方向に重ねて配置し、かつ集積回路と弾性表面波素子片とが接触しないような構成とすることができれば良いと考えられる。そこで、本発明に係る圧電デバイスは、パッケージベース内に弾性表面波素子片を実装する圧電デバイスであって、板面に開口部を形成した基板と、前記基板に対して、前記開口部に励振電極を対向させて実装される弾性表面波素子片とを備え、前記基板を、前記弾性表面波素子片に形成された励振電極が前記パッケージベースの上部開口部側を向くように前記パッケージベース内に配置し、前記弾性表面波素子片は前記開口部に凸設したリードによって前記基板に支持される構成としたことを特徴とした。 In order to achieve the above object, avoid mounting the surface acoustic wave element piece directly on the package. When mounting an integrated circuit, the integrated circuit and the surface acoustic wave element piece are stacked vertically. It is considered that it is only necessary to arrange the integrated circuit and the surface acoustic wave element so as not to contact each other. Therefore, the piezoelectric device according to the present invention is a piezoelectric device that implements the surface acoustic wave element in a package base, a substrate formed with the openings in the plate surface, to the substrate, exciting the opening A surface acoustic wave element piece mounted with the electrodes facing each other, and the substrate is disposed inside the package base such that the excitation electrode formed on the surface acoustic wave element piece faces the upper opening side of the package base. arranged, the surface acoustic wave element is characterized in that a configuration in which the lead was convexly in the opening Ru is supported on the substrate.

このような構成とすることにより、パッケージに対して基板を介して弾性表面波素子片を実装する構成となるため、パッケージに付加される外部からの応力や熱といった外力が、前記弾性表面波素子片に直接伝播されなくなる。また、圧電デバイスの小型・薄型化も図ることができる。また、弾性表面波素子片を実装する基板に開口部を設け、この開口部と弾性表面波素子片に形成された励振電極を対向させ、かつパッケージベースへの実装の際に前記励振電極が上部開口部側を向くように配置したことにより、弾性表面波素子片をパッケージに実装した後に周波数調整を行うことが可能となる。 With such a configuration, since the structure of mounting the surface acoustic wave element via the substrate against the package, an external force such as stress or heat from the outside to be added to the package, the surface acoustic wave It does not propagate directly to the element piece. In addition, the piezoelectric device can be reduced in size and thickness. Also, an opening is provided in the substrate on which the surface acoustic wave element piece is mounted, and the excitation electrode formed on the surface acoustic wave element piece is opposed to the opening. By arranging so as to face the opening side, frequency adjustment can be performed after the surface acoustic wave element piece is mounted on the package.

また、本発明に係る圧電デバイスは、パッケージベース内の底部に電子部品を実装し、前記電子部品の上部に弾性表面波素子片を実装する圧電デバイスであって、前記電子部品の上部空間に掛け渡され、板面に開口部を形成した基板を備え、前記弾性表面波素子片は、励振電極を前記開口部に対向させた状態で前記基板に実装され、前記励振電極がパッケージベースの上部開口部側を向くように配置され、前記開口部に凸設したリードによって支持される構成としたことを特徴とするものであっても良い。 The piezoelectric device according to the present invention, an electronic component is mounted on the bottom of the package base, a piezoelectric device that implements upper surface acoustic wave element of the electronic component, subjected to the upper space of the electronic component passed, comprising a substrate formed with the openings in the plate surface, the surface acoustic wave element is mounted on the substrate in a state that the excitation electrode is opposed to the opening, wherein the excitation electrode package base of the upper opening It is disposed such that the section side may be characterized in that it has a structure which is supported by a lead that is convexly into the opening.

このような構成とすることにより弾性表面波素子片は、パッケージベースのキャビティ中に、基板を介して吊るされた状態となる。このため、パッケージに付加される応力や熱といった外力が前記弾性表面波素子片に直接伝播するということが無い。また、集積回路と弾性表面波素子片を縦方向に重ねる構成としつつ、パッケージ内部に双方を隔てる隔壁を設けることが無く、かつ双方が直接接触しないという構成を実現する。このため、圧電デバイスの小型・薄型化を実現し、かつ発振モジュールを構成する際に集積回路に余分な負荷をかけることが無い。よって、圧電デバイスとして、信頼性の高い製品を提供することができる。また、弾性表面波素子片を実装する基板に開口部を設け、この開口部と弾性表面波素子片に形成された励振電極を対向させ、かつパッケージベースへの実装の際に前記励振電極が上部開口部側を向くように配置したことにより、弾性表面波素子片をパッケージに実装した後に周波数調整を行うことが可能となる。 With such a configuration, the surface acoustic wave element piece is suspended in the cavity of the package base via the substrate . For this reason, external forces such as stress and heat applied to the package do not directly propagate to the surface acoustic wave element piece. In addition, a configuration is realized in which the integrated circuit and the surface acoustic wave element piece are stacked in the vertical direction, and no partition wall is provided inside the package, and the two are not in direct contact with each other. For this reason, the piezoelectric device is reduced in size and thickness, and an extra load is not applied to the integrated circuit when the oscillation module is configured. Therefore, a highly reliable product can be provided as a piezoelectric device . Also, an opening is provided in the substrate on which the surface acoustic wave element piece is mounted, and the excitation electrode formed on the surface acoustic wave element piece is opposed to the opening. By arranging so as to face the opening side, frequency adjustment can be performed after the surface acoustic wave element piece is mounted on the package.

また、本願発明に係る圧電デバイスは、キャビティを有するパッケージベースと、該パッケージベースの開口部を封止するリッドと、圧電部材に励振電極と引き出し電極とを形成した構成の素子片と、導電性のリードと開口部とを備えた絶縁性の基板と、電子部品と、を備え、前記リードと前記引き出し電極とを導通接続するよう前記基板に前記素子片を搭載し、前記キャビティ内の底部に前記電子部品を実装し、前記基板を前記キャビティ内の側壁間に掛け渡した状態となるよう前記パッケージベースに搭載し、前記リードと前記パッケージベースに形成した電極パッドとを導通接続した構成であり、前記パッケージベースと前記素子片とを非接触状態とし、前記励振電極を前記基板の開口部と前記パッケージベースの開口部から露出させたことを特徴とするものであっても良い。 The piezoelectric device according to the present invention includes a package base having a cavity, a lid for sealing the opening of the package base, an element piece having a piezoelectric member formed with an excitation electrode and a lead electrode, An insulating substrate having a lead and an opening, and an electronic component, wherein the element piece is mounted on the substrate so as to electrically connect the lead and the lead electrode, and is formed at the bottom of the cavity. The electronic component is mounted, the substrate is mounted on the package base so as to be in a state of being spanned between side walls in the cavity, and the leads and electrode pads formed on the package base are electrically connected. , said the package base and the element piece and a non-contact state, to expose the excitation electrode from the the opening package base of the opening of the substrate It may also be characterized in.

このような構成の圧電デバイスであっても、圧電デバイスを小型・薄型化することができる。また、素子片への応力の伝播を抑制し、電子部品としてICを搭載する場合であってもICに物理的な負荷をかけることを無くすことができる。また、素子片を実装する基板に開口部を設け、この開口部と素子片に形成された励振電極を対向させ、かつ前記励振電極が基板の開口部とパッケージベースの開口部から露出することにより、素子片をパッケージに実装した後に周波数調整を行うことが可能となる。 Even with such a piezoelectric device, the piezoelectric device can be reduced in size and thickness. Further, the propagation of stress to the element piece can be suppressed, and even when the IC is mounted as an electronic component, it is possible to eliminate the physical load on the IC. In addition, an opening is provided in the substrate on which the element piece is mounted, the opening is opposed to the excitation electrode formed on the element piece, and the excitation electrode is exposed from the opening of the substrate and the opening of the package base. The frequency adjustment can be performed after the element piece is mounted on the package.

また、上記のような特徴を有する圧電デバイスでは、前記電子部品の上方に前記素子片を配置すると良い。Further, in the piezoelectric device having the above-described characteristics, the element piece may be disposed above the electronic component.

また、上記のような特徴を有する圧電デバイスでは、前記基板は、前記側壁の各々の側において前記パッケージベースに接続固定されていると良い。In the piezoelectric device having the above-described characteristics, the substrate may be connected and fixed to the package base on each side of the side wall.

また、上記のような構成の圧電デバイスでは前記集積回路を、フリップチップボンディングにより実装する構成とすると良い。
このような構成とすることにより、キャビティとしてワイヤボンディングを行うための空間を確保する必要が無くなる。このため、圧電デバイスの低背化を図ることができる。
In the piezoelectric device having the above-described configuration, the integrated circuit is preferably mounted by flip chip bonding.
With such a configuration, it is not necessary to secure a space for performing wire bonding as a cavity. For this reason, it is possible to reduce the height of the piezoelectric device .

上記課題に挙げた電子機器は、上記構成を有する圧電デバイスを搭載することを特徴とするものである。上記構成の圧電デバイスを搭載することにより、電子機器の小型化・薄型化を図ることができ、かつ信頼性の高いものとすることができる。 The electronic device mentioned in the above problem is characterized by mounting a piezoelectric device having the above-described configuration. By mounting the piezoelectric device having the above-described configuration, the electronic apparatus can be reduced in size and thickness and can be highly reliable.

さらに、上記のような構成の圧電デバイスを製造するにあたっては、パッケージベースの開口部を封止するリッドに透光性材料を採用し、前記パッケージベースを封止した後に前記励振電極の厚さを調整して周波数調整を行うようにすると良い。 Moreover, in manufacturing the piezoelectric device of the above configuration, the light-transmitting material employed in the lid sealing the package base of the opening, the thickness of the excitation electrodes after sealing the package base It is better to adjust the frequency.

このような製造方法を採用することによれば、弾性表面波素子片を実装する際に生じる応力や、パッケージベースを封止する際に発生するガス等の影響により生ずる発振周波数のバラツキを、パッケージベース封止後に調整することが可能となる。   By adopting such a manufacturing method, the variation in the oscillation frequency caused by the influence of the stress generated when the surface acoustic wave element piece is mounted and the gas generated when the package base is sealed is reduced. It becomes possible to adjust after base sealing.

以下、本発明の圧電デバイス及びこれを搭載した電子機器について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明を実施する上での好適な形態の一部を示すものであり、本発明は以下の形態のみに拘束されるものでは無い。 Hereinafter, a piezoelectric device of the present invention and an electronic apparatus equipped with the same will be described with reference to the drawings. In addition, embodiment shown below shows a part of suitable form on implementing this invention, and this invention is not restrained only by the following form.

まず、図1を参照し、本発明の圧電デバイス(具体的には弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)デバイスに係る第1の実施形態について説明する。図1において、図1(A)はSAWデバイスの側面断面図を示し、図1(B)はSAWデバイスの平面図を示す。本実施形態のSAWデバイス10は、SAW素子片12と、このSAW素子片12を内部に実装するパッケージ14とを基本構成とする。 First, a first embodiment according to a piezoelectric device (specifically, a surface acoustic wave (SAW) device ) of the present invention will be described with reference to FIG. 1A is a side sectional view of a SAW device, and FIG. 1B is a plan view of the SAW device. The SAW device 10 of this embodiment has a basic configuration of a SAW element piece 12 and a package 14 in which the SAW element piece 12 is mounted.

上記のような基本構成部材において、前記パッケージ14は、SAW素子片12を収容するキャビティ16aを備えたパッケージベース(ベース)16と、前記キャビティ16aの上部開口部を封止するリッド18とより成る。本実施形態のパッケージ14では、ベース16とリッド18との接合をシールリング20を介するシーム溶接によって成す構成としている。前記ベース16は、例えばアルミナ等のセラミック材料を焼結生成すれば良く、リッド18には、前記ベース16と熱膨張係数が近い金属(例えばコバール)やガラス等を用いると良い。そして、前記シールリング20としては、ベース16やリッド18の構成部材と熱膨張係数が近い素材を用いると良く、上述した部材によりベース16、リッド18を構成した場合には、コバールを使用すると良い。なお、ベース16は通常、複数の基板を積層し、それらの基板を焼結することにより形成される。   In the basic constituent member as described above, the package 14 includes a package base (base) 16 having a cavity 16a for housing the SAW element piece 12, and a lid 18 for sealing the upper opening of the cavity 16a. . In the package 14 of this embodiment, the base 16 and the lid 18 are joined by seam welding via the seal ring 20. The base 16 may be formed by sintering a ceramic material such as alumina, and a metal (for example, kovar) or glass having a thermal expansion coefficient close to that of the base 16 may be used for the lid 18. As the seal ring 20, it is preferable to use a material having a thermal expansion coefficient close to that of the constituent members of the base 16 and the lid 18, and when the base 16 and the lid 18 are constituted by the above-described members, Kovar is preferably used. . The base 16 is usually formed by laminating a plurality of substrates and sintering the substrates.

SAW素子片12は、水晶(SiO)、タンタル酸リチウム(LiTaO)、ニオブ酸リチウム(LiNbO)等の圧電部材にアルミニウム等の電極部材によって形成された電極パターン12aを配したものである。圧電部材の板面に形成される電極パターン12aとしては、すだれ状電極(IDT:Inter Digital Transducer)やグレーティング反射器(反射器)等である。本実施形態のSAW素子12は、前記ベース16に対してTAB(Tape Automated Bonding)基板22を介して実装されている。TAB基板22は、ポリイミド等の樹脂によって構成されたフィルム上に銅メッキ等により形成されるリード(具体的形状は不図示)を配したものである。本実施形態に採用するTAB基板22は、図2に示すように、板面に開口部(デバイスホール)22aを有する。そして、図3に示すSAW素子片12は、TAB基板22の開口部22aに凸設されたリード(インナーリード)24に引き出し電極を接続することにより実装される。このとき、SAW素子片12に形成された励振電極(電極パターン)12aを前記TAB基板22の板面に形成された開口部22aと対向させる。 The SAW element piece 12 is obtained by arranging an electrode pattern 12a formed of an electrode member such as aluminum on a piezoelectric member such as quartz (SiO 2 ), lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or the like. . Examples of the electrode pattern 12a formed on the plate surface of the piezoelectric member include an interdigital transducer (IDT) and a grating reflector (reflector). The SAW element 12 of this embodiment is mounted on the base 16 via a TAB (Tape Automated Bonding) substrate 22. The TAB substrate 22 is obtained by arranging leads (specific shapes are not shown) formed by copper plating or the like on a film made of a resin such as polyimide. As shown in FIG. 2, the TAB substrate 22 employed in the present embodiment has an opening (device hole) 22a on the plate surface. The SAW element piece 12 shown in FIG. 3 is mounted by connecting a lead electrode to a lead (inner lead) 24 protruding from the opening 22 a of the TAB substrate 22. At this time, the excitation electrode (electrode pattern) 12 a formed on the SAW element piece 12 is opposed to the opening 22 a formed on the plate surface of the TAB substrate 22.

上記のようにしてSAW素子片12を実装したTAB基板22をベース16内に配された実装部(電極パッド)26に実装する。TAB基板22の実装に際しては、前記SAW素子片12の励振電極12aが、キャビティ16aの上部開口部側を向くように配置する。このような構成とすることにより励振電極12aは、SAW素子片12を実装した状態で外部に晒されることとなり、この状態での周波数調整が可能となる。なお、周波数調整は、レーザ等により励振電極12aの一部を削り取って厚さ調整を行うことによれば良い。   The TAB substrate 22 on which the SAW element piece 12 is mounted as described above is mounted on a mounting portion (electrode pad) 26 disposed in the base 16. When mounting the TAB substrate 22, the excitation electrode 12a of the SAW element piece 12 is disposed so as to face the upper opening side of the cavity 16a. With this configuration, the excitation electrode 12a is exposed to the outside in a state where the SAW element piece 12 is mounted, and frequency adjustment in this state is possible. The frequency may be adjusted by removing a part of the excitation electrode 12a with a laser or the like and adjusting the thickness.

また、TAB基板22をベース16へ実装した状態で、ベース16の底部と、SAW素子片12とが非接触状態となるように、SAW素子片12は前記リード24によって支持されるようにする。このような構成とすることにより、ベース16に与えられた熱や衝撃、応力といった外力が、TAB基板22によって緩衝、あるいは吸収されることとなり、SAW素子片12へ直接伝播することがなくなる。このため、応力等を原因とする発振周波数の変動を低減することができる。   In addition, the SAW element piece 12 is supported by the leads 24 so that the bottom portion of the base 16 and the SAW element piece 12 are in a non-contact state with the TAB substrate 22 mounted on the base 16. With such a configuration, external forces such as heat, impact, and stress applied to the base 16 are buffered or absorbed by the TAB substrate 22 and do not directly propagate to the SAW element piece 12. For this reason, fluctuations in the oscillation frequency caused by stress or the like can be reduced.

また、ベース16の底部を厚くして応力の発生や熱の伝播を防止する構成と異なり、薄型形成が可能なTAB基板22をベース16の側壁間に掛け渡し、SAW素子片12がキャビティ16a内に宙吊り状態で支持されるようにしたことで外力がSAW素子片12に直接伝播することを防止する構成とした。このため、パッケージ14を薄型としつつ、内部に実装したSAW素子片12への外力の伝播を防止することができる。このような構成を採用するSAWデバイス10によれば、SAW素子片として外部応力の影響に左右されやすいものを採用した場合であっても、頂点温度のバラツキなどを抑えることが可能となる。
また、前記リッド18としてガラスリッドを採用した場合には、ベース16(キャビティ16a)を封止した後に、SAW素子片12の周波数調整を行うことが可能となる。
Further, unlike the configuration in which the bottom portion of the base 16 is thickened to prevent generation of stress and heat propagation, a TAB substrate 22 that can be formed thin is spanned between the side walls of the base 16, and the SAW element piece 12 is placed in the cavity 16a. The external force is prevented from directly propagating to the SAW element piece 12 by being supported in a suspended state. For this reason, it is possible to prevent the external force from propagating to the SAW element piece 12 mounted inside, while making the package 14 thin. According to the SAW device 10 adopting such a configuration, even when a SAW element piece that is easily influenced by the influence of external stress is adopted, it is possible to suppress the variation in apex temperature.
When a glass lid is employed as the lid 18, the frequency of the SAW element piece 12 can be adjusted after the base 16 (cavity 16 a) is sealed.

次に、図4を参照して、本実施形態に係るSAWデバイス10の製造工程について説明する。まず、ベース16を形成する。なお、ベース16の形成は、上述したセラミックの焼結形成のみに限られるものでは無い(S100)。次に、ベース16の形成と同時に、あるいはベース16の形成と前後して、SAW素子片12をTAB基板22に実装する(S110)。その後、ベース16内に、SAW素子片12を実装したTAB基板22を実装する(S120)。TAB基板22を実装した後、ベース16とリッド18とをシールリング20を介して接合することにより、キャビティ16aの上部開口部を封止する(S130)。前記リッド18としてガラスリッドを採用した場合には、S130の工程後にレーザ等を用いてSAW素子片12の周波数調整を行う。このような製造工程によれば、SAW素子片10をTAB基板22に実装する工程とベース16の形成工程とを同時に行うことができるため、従来と変わらないサイクルタイム、スループットでSAWデバイス10を製造することができる。また、SAW素子片12の周波数調整を封止後に行った場合には、周波数のバラツキを抑えた高精度なSAWデバイス10を提供することが可能となる。   Next, with reference to FIG. 4, the manufacturing process of the SAW device 10 according to the present embodiment will be described. First, the base 16 is formed. The formation of the base 16 is not limited to the above-described ceramic sintering (S100). Next, the SAW element piece 12 is mounted on the TAB substrate 22 simultaneously with the formation of the base 16 or before and after the formation of the base 16 (S110). Thereafter, the TAB substrate 22 on which the SAW element pieces 12 are mounted is mounted in the base 16 (S120). After mounting the TAB substrate 22, the base 16 and the lid 18 are joined via the seal ring 20 to seal the upper opening of the cavity 16a (S130). When a glass lid is used as the lid 18, the frequency of the SAW element piece 12 is adjusted using a laser or the like after the step S130. According to such a manufacturing process, the SAW element piece 10 can be mounted on the TAB substrate 22 and the base 16 can be formed at the same time. Therefore, the SAW device 10 can be manufactured with the same cycle time and throughput as conventional. can do. In addition, when the frequency adjustment of the SAW element piece 12 is performed after sealing, it is possible to provide a highly accurate SAW device 10 with suppressed frequency variation.

次に、本発明のSAWデバイスに係る第2の実施形態について、図5を参照して説明する。なお、図5において図5(A)はSAWデバイスの断面図、図5(B)はSAWデバイスの平面図をそれぞれ示す。本実施形態のSAWデバイスは、SAW素子片と、前記SAW素子片の発振周波数を制御する集積回路(IC:Integrated Circuit)と、前記SAW素子片及び前記ICを内部に収容するパッケージとを基本構成とする。   Next, a second embodiment according to the SAW device of the present invention will be described with reference to FIG. 5A is a cross-sectional view of the SAW device, and FIG. 5B is a plan view of the SAW device. The SAW device according to the present embodiment basically includes a SAW element piece, an integrated circuit (IC) that controls the oscillation frequency of the SAW element piece, and a package that accommodates the SAW element piece and the IC therein. And

本実施形態のSAWデバイスは、上述した第1の実施形態に係るSAWデバイスと機能を同様とする構成要素を含むため、機能を同様とする構成部材に関しては、図面の符号に100を足した符号を附して、その詳細な説明は省略する。   Since the SAW device according to the present embodiment includes components having the same functions as those of the SAW device according to the first embodiment described above, components having the same functions are denoted by reference numerals obtained by adding 100 to the reference numerals in the drawings. The detailed description is omitted.

本実施形態のパッケージ114の構成は、上述した第1の実施形態におけるSAWデバイス10におけるパッケージ14の構成と殆ど同様であるが、前記IC128を収容する分だけ、ベース116のキャビティ116aを広くしている点が第1の実施形態におけるパッケージ14と異なる。   The configuration of the package 114 of this embodiment is almost the same as the configuration of the package 14 in the SAW device 10 in the first embodiment described above, but the cavity 116a of the base 116 is widened to accommodate the IC 128. This is different from the package 14 in the first embodiment.

本実施形態のベース116は、キャビティ116aの下部領域をIC128の収容領域とし、キャビティ116aの上部領域をSAW素子片112の収容領域としている。本実施形態では、前記IC128を、キャビティ116aの下部領域に、能動面を上側にした状態で、接着剤130等を介して搭載する。上側を向いた能動面に形成された電極パッド(不図示)は、ベース116に形成された電極パッド(不図示)と、ボンディングワイヤ132によって電気的に接続される。   In the base 116 of the present embodiment, the lower region of the cavity 116a is used as a storage region for the IC 128, and the upper region of the cavity 116a is used as a storage region for the SAW element piece 112. In the present embodiment, the IC 128 is mounted in the lower region of the cavity 116a with the active surface facing upward via the adhesive 130 or the like. An electrode pad (not shown) formed on the active surface facing upward is electrically connected to an electrode pad (not shown) formed on the base 116 by a bonding wire 132.

前記SAW素子片112は、第1の実施形態と同様に、ベース116に実装される前工程として、TAB基板122に実装される。そして、本実施形態では、前記SAW素子片112を実装したTAB基板122をキャビティ116aの上部領域に実装する。TAB基板122の実装は、TAB基板122をパッケージ114の側壁間に掛け渡し、TAB基板122に形成されたリードと、TAB基板122を掛け渡した側壁に形成した電極パッド(実装部)126とを電気的に接続することにより行う。実装状態において、前記SAW素子片12の励振電極12aは、第1の実施形態と同様に、キャビティ116aの開口部側を向くように配置される。そして、IC128を実装するボンディングワイヤ132と、SAW素子片112の非能動面とが接触しないように、SAW素子片112をリード124によって支持する。   As in the first embodiment, the SAW element piece 112 is mounted on the TAB substrate 122 as a pre-process to be mounted on the base 116. In this embodiment, the TAB substrate 122 on which the SAW element piece 112 is mounted is mounted on the upper region of the cavity 116a. The TAB substrate 122 is mounted by passing the TAB substrate 122 between the side walls of the package 114, and a lead formed on the TAB substrate 122 and an electrode pad (mounting part) 126 formed on the side wall across the TAB substrate 122. This is done by electrical connection. In the mounted state, the excitation electrode 12a of the SAW element piece 12 is arranged to face the opening side of the cavity 116a, as in the first embodiment. Then, the SAW element piece 112 is supported by the leads 124 so that the bonding wire 132 for mounting the IC 128 and the non-active surface of the SAW element piece 112 do not contact each other.

このような構成とすることにより、SAW素子片112は、TAB基板122を介してキャビティ中に配置される(吊るされる)こととなるため、パッケージ114に与えられた衝撃や熱がSAW素子片112に直接伝播することが無くなる。そして、SAW素子片112とIC128とを高さ方向に配置していることより、IC128を備えるSAWデバイス110自体を小型化することができる。また、SAW素子片112をIC128の上部に配置する構成としているが、従来技術とは異なり両者間の直接的な接点を無くしているため、実装時(モジュール構成時)などにIC128がダメージを受けるという虞も無い。よって、上記のような構成のSAWデバイス110によれば、SAWデバイス110の小型・薄型化と共に、IC128に余分な負荷をかけることが無い信頼性の高いSAWデバイス110とすることができる。その他の作用効果は、第1の実施形態に示したSAWデバイス10と同様である。   With such a configuration, the SAW element piece 112 is disposed (suspended) in the cavity via the TAB substrate 122, so that the shock and heat applied to the package 114 are affected by the SAW element piece 112. No longer propagates directly to Since the SAW element piece 112 and the IC 128 are arranged in the height direction, the SAW device 110 including the IC 128 can be downsized. Also, the SAW element piece 112 is arranged on the top of the IC 128, but unlike the conventional technique, the direct contact between the two is eliminated, so that the IC 128 is damaged during mounting (during module configuration). There is no fear. Therefore, according to the SAW device 110 having the above-described configuration, the SAW device 110 can be reduced in size and thickness, and the highly reliable SAW device 110 that does not apply an extra load to the IC 128 can be obtained. Other functions and effects are the same as those of the SAW device 10 shown in the first embodiment.

次に、図6を参照して本実施形態のSAWデバイス110の製造工程について説明する。まず、ベース116を形成する(S200)。次に、形成したベース116のキャビティ116a底部にIC128を実装する(S220)。ベース116の形成工程又はIC128の実装工程と同時に、あるいは前後して、SAW素子片112をTAB基板122に実装する(S210)。ベース116にIC128を実装し、SAW素子片112をTAB基板122に実装した後、ベース116にTAB基板122を実装する(S230)。なお、本実施形態では、TAB基板122がベース116の側壁間に掛け渡される状態となるように実装を行う。TAB基板122をベース116に実装した後、ベース116とリッド118を接合し、キャビティ116aの上部開口部を封止する(S240)。このような製造工程によれば、SAW素子片112をTAB基板122に実装する工程をベース116の形成工程あるいはベース116にIC128を実装する工程と同時に行うことができるため、従来と変わらないサイクルタイム、スループットでSAWデバイス110を製造することができる。   Next, the manufacturing process of the SAW device 110 of this embodiment will be described with reference to FIG. First, the base 116 is formed (S200). Next, the IC 128 is mounted on the bottom of the cavity 116a of the formed base 116 (S220). The SAW element piece 112 is mounted on the TAB substrate 122 simultaneously with or before or after the formation process of the base 116 or the IC 128 mounting process (S210). After the IC 128 is mounted on the base 116 and the SAW element piece 112 is mounted on the TAB substrate 122, the TAB substrate 122 is mounted on the base 116 (S230). In this embodiment, the mounting is performed so that the TAB substrate 122 is stretched between the side walls of the base 116. After the TAB substrate 122 is mounted on the base 116, the base 116 and the lid 118 are joined, and the upper opening of the cavity 116a is sealed (S240). According to such a manufacturing process, since the process of mounting the SAW element piece 112 on the TAB substrate 122 can be performed simultaneously with the process of forming the base 116 or the process of mounting the IC 128 on the base 116, the cycle time is the same as the conventional cycle time. The SAW device 110 can be manufactured with a high throughput.

次に、本発明の弾性表面波デバイスに係る第3の実施形態について、図7を参照して説明する。
本実施形態のSAWデバイスの基本的構成は、上述した第2の実施形態におけるSAWデバイス110と同様である。よって、その機能を同様とする箇所に関しては、図面に同一符号を附してその詳細な説明は省略する。
Next, a third embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the SAW device of this embodiment is the same as that of the SAW device 110 in the second embodiment described above. Therefore, the same reference numerals are given to the portions having the same functions, and the detailed description thereof is omitted.

本実施形態のSAWデバイス110は、ベース116の底部(キャビティ116aの下部領域)に収容するIC128の実装方式を、バンプ134によるフリップチップボンディングとしたことを特徴とするものである。このような構成とすることにより、キャビティ116aにワイヤボンディング用のボンディングワイヤ132(図5参照)を張り渡す領域を確保する必要が無くなる。このため、ベース116に必要とされるキャビティ116aの深さが浅くなり、その分だけSAWデバイス110の低背化を図ることが可能となる。
その他の構成及び作用効果に関しては、第2の実施形態に示したSAWデバイスの構成と同様である。
The SAW device 110 according to the present embodiment is characterized in that the mounting method of the IC 128 housed in the bottom portion of the base 116 (the lower region of the cavity 116a) is flip chip bonding using bumps 134. By adopting such a configuration, it is not necessary to secure an area where the bonding wire 132 (see FIG. 5) for wire bonding is stretched over the cavity 116a. For this reason, the depth of the cavity 116a required for the base 116 becomes shallow, and the SAW device 110 can be reduced in height accordingly.
Other configurations and operational effects are the same as those of the SAW device shown in the second embodiment.

次に、上記実施形態に示したSAWデバイス10,110を実装した電子機器について、図8に示す携帯電話装置を一例に挙げて説明する。
携帯電話装置200では、送信者からの音声信号は、マイクロフォン202によって電気信号に変換され、デモジュレータ・コーデック等を備える信号切替部206で変調等され、送信部208にて周波数変換等され、アンテナ212を介して基地局(不図示)に送信される。
Next, an electronic device in which the SAW devices 10 and 110 shown in the above embodiment are mounted will be described by taking the cellular phone device shown in FIG. 8 as an example.
In the mobile phone device 200, the audio signal from the transmitter is converted into an electric signal by the microphone 202, modulated by the signal switching unit 206 including a demodulator / codec, etc., frequency-converted, etc. by the transmission unit 208, and the antenna. It is transmitted to a base station (not shown) via 212.

これに対し、基地局から送信された信号は、アンテナ212を介して受信し、受信部214にて周波数変換され、信号切替部206にて音声信号に変換されて、スピーカ204から出力される。
このような信号制御が成される携帯電話装置200の動作は、CPU(Central Processing Unit)216によって全体が制御されている。CPU216は、液晶画面やキーボード等の入出力部218や、制御プログラムや電話帳等を記録するメモリ220をはじめ、信号の送受信を制御する切替スイッチ210の動作も制御している。
On the other hand, a signal transmitted from the base station is received via the antenna 212, converted in frequency by the receiving unit 214, converted into an audio signal by the signal switching unit 206, and output from the speaker 204.
The operation of the cellular phone device 200 in which such signal control is performed is entirely controlled by a CPU (Central Processing Unit) 216. The CPU 216 also controls the operation of the input / output unit 218 such as a liquid crystal screen and a keyboard, the memory 220 that records a control program, a telephone directory, and the like, and the changeover switch 210 that controls transmission and reception of signals.

上記のような基本構成を有する携帯電話装置200において、上述したSAWデバイス10,110は特に、CPU216に接続され、CPU216の基本クロック等の役割を果たす。なお、上述したSAWデバイスは、送信部208や受信部214におけるフィルタや局部発振器として用いることもできる。   In the mobile phone device 200 having the basic configuration as described above, the above-described SAW devices 10 and 110 are particularly connected to the CPU 216 and serve as a basic clock of the CPU 216 and the like. The above-described SAW device can also be used as a filter or a local oscillator in the transmission unit 208 or the reception unit 214.

上記実施形態に示したSAWデバイスでは、パッケージ内に実装する電子部品としてICのみを示したが、他の電子部品を実装した場合であっても、本発明に係るSAWデバイスを逸脱するものでは無い。また、上記実施形態では、TAB基板に形成した開口部と、SAW素子片との大きさを等しく示したが、開口部は少なくともSAW素子片に形成された励振電極がキャビティの開口部側に晒される状態となるものであれば良い。また、実施形態では、SAW素子片は2ポートの励振電極を有する旨図面に示したが、当然に他の構成を有するものであっても良い。   In the SAW device shown in the above embodiment, only the IC is shown as the electronic component to be mounted in the package, but even when other electronic components are mounted, it does not depart from the SAW device according to the present invention. . In the above embodiment, the size of the opening formed in the TAB substrate is equal to the size of the SAW element piece, but at least the excitation electrode formed in the SAW element piece is exposed to the opening side of the cavity. As long as it is in a state in which it can be achieved. In the embodiment, the SAW element piece is shown in the drawing as having a two-port excitation electrode, but it may naturally have another configuration.

本発明の圧電デバイスに係る第1の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 1st Embodiment which concerns on the piezoelectric device of this invention. 本発明の実施形態に用いられるTAB基板の形状を示す平面図である。It is a top view which shows the shape of the TAB board | substrate used for embodiment of this invention. SAW素子片単体を示す平面図である。It is a top view which shows a SAW element piece single-piece | unit. 第1の実施形態に係る圧電デバイスを製造する工程の概略を示すフローである。It is a flow which shows the outline of the process of manufacturing the piezoelectric device which concerns on 1st Embodiment. 本発明の圧電デバイスに係る第2の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment based on the piezoelectric device of this invention. 第2の実施形態に係る圧電デバイスを製造する工程の概略を示すフローである。It is a flow which shows the outline of the process of manufacturing the piezoelectric device which concerns on 2nd Embodiment. 本発明の圧電デバイスに係る第3の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 3rd Embodiment which concerns on the piezoelectric device of this invention. 本発明の圧電デバイスを搭載する電子機器の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the electronic device carrying the piezoelectric device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10,110………弾性表面波デバイス(SAWデバイス)、12,112………弾性表面波素子片(SAW素子片)、14,114………パッケージ、16,116………パッケージベース(ベース)、16a,116a………キャビティ、18,118………リッド、20,120………シールリング、22,122………TAB基板、128………集積回路(IC)。   10, 110 ......... Surface acoustic wave device (SAW device), 12, 112 ......... Surface acoustic wave element (SAW element), 14, 114 ......... Package, 16, 116 ......... Package base (base) ), 16a, 116a ......... cavity, 18, 118 ......... lid, 20, 120 ......... seal ring, 22, 122 ...... TAB substrate, 128 ...... integrated circuit (IC).

Claims (8)

パッケージベース内に弾性表面波素子片を実装する圧電デバイスであって、
板面に開口部を形成した基板と、
前記基板に対して、前記開口部に励振電極を対向させて実装される弾性表面波素子片とを備え、
前記基板を、前記弾性表面波素子片に形成された励振電極が前記パッケージベースの上部開口部側を向くように前記パッケージベース内に配置し、前記弾性表面波素子片は前記開口部に凸設したリードによって前記基板に支持される構成としたことを特徴とする圧電デバイス。
A piezoelectric device in which a surface acoustic wave element is mounted in a package base,
A substrate having an opening formed on the plate surface;
A surface acoustic wave element piece mounted with the excitation electrode opposed to the opening with respect to the substrate,
The substrate is disposed in the package base such that the excitation electrode formed on the surface acoustic wave element piece faces the upper opening side of the package base, and the surface acoustic wave element piece is projected from the opening part. A piezoelectric device characterized in that the piezoelectric device is supported on the substrate by a lead.
パッケージベース内の底部に電子部品を実装し、前記電子部品の上部に弾性表面波素子片を実装する圧電デバイスであって、
前記電子部品の上部空間に掛け渡され、板面に開口部を形成した基板を備え、
前記弾性表面波素子片は、励振電極を前記開口部に対向させた状態で前記基板に実装され、前記励振電極がパッケージベースの上部開口部側を向くように配置され、前記開口部に凸設したリードによって支持される構成としたことを特徴とする圧電デバイス。
A piezoelectric device in which an electronic component is mounted on the bottom in a package base, and a surface acoustic wave element piece is mounted on the electronic component,
A board that spans the upper space of the electronic component and has an opening formed on the plate surface,
The surface acoustic wave element piece is mounted on the substrate in a state where the excitation electrode faces the opening, and is disposed so that the excitation electrode faces the upper opening side of the package base. A piezoelectric device characterized in that the piezoelectric device is supported by a lead.
キャビティを有するパッケージベースと、該パッケージベースの開口部を封止するリッドと、圧電部材に励振電極と引き出し電極とを形成した構成の素子片と、
導電性のリードと開口部とを備えた絶縁性の基板と、
電子部品と、を備え、
前記リードと前記引き出し電極とを導通接続するよう前記基板に前記素子片を搭載し、
前記キャビティ内の底部に前記電子部品を実装し、
前記基板を前記キャビティ内の側壁間に掛け渡した状態となるよう前記パッケージベースに搭載し、
前記リードと前記パッケージベースに形成した電極パッドとを導通接続した構成であり、
前記パッケージベースと前記素子片とを非接触状態とし、前記励振電極を前記基板の開口部と前記パッケージベースの開口部から露出させたことを特徴とする圧電デバイス。
A package base having a cavity; a lid for sealing the opening of the package base; an element piece having a configuration in which an excitation electrode and an extraction electrode are formed on a piezoelectric member;
An insulating substrate with conductive leads and openings ;
An electronic component,
The element piece is mounted on the substrate so as to electrically connect the lead and the lead electrode,
Mounting the electronic component on the bottom of the cavity;
The substrate is mounted on the package base so as to be spanned between the side walls in the cavity,
The lead and the electrode pad formed on the package base are electrically connected,
A piezoelectric device, wherein the package base and the element piece are brought into a non-contact state, and the excitation electrode is exposed from the opening of the substrate and the opening of the package base .
前記電子部品の上方に前記素子片を配置したことを特徴とする請求項3に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 3, wherein the element piece is disposed above the electronic component. 前記基板は、前記側壁の各々の側において前記パッケージベースに接続固定されていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の圧電デバイス。   5. The piezoelectric device according to claim 3, wherein the substrate is connected and fixed to the package base on each side of the side wall. 前記電子部品を、フリップチップボンディングにより実装したことを特徴とする請求項2乃至請求項のいずれかに記載の圧電デバイス。 Said electronic component, a piezoelectric device according to any one of claims 2 to 5, characterized in that mounted by flip chip bonding. 請求項1乃至請求項のいずれかに記載の圧電デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the piezoelectric device according to any one of claims 1 to 6 . 請求項1乃至請求項のいずれかに記載の圧電デバイスのパッケージベースの開口部を封止するリッドに透光性材料を採用し、
前記パッケージベースを封止した後に前記励振電極の厚さを調整して周波数調整を行うことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
A translucent material is used for the lid that seals the opening of the package base of the piezoelectric device according to any one of claims 1 to 6 .
A method of manufacturing a piezoelectric device, wherein the frequency is adjusted by adjusting the thickness of the excitation electrode after sealing the package base.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151346A (en) * 1998-10-30 2000-05-30 Thomson Csf Module parts stacked in one same container
JP2002290200A (en) * 2001-03-26 2002-10-04 Seiko Epson Corp Surface acoustic wave device and its manufacturing method
JP2003229720A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Seiko Epson Corp Method of manufacturing piezoelectric oscillator, and the piezoelectric oscillator
JP2004153408A (en) * 2002-10-29 2004-05-27 Seiko Epson Corp Piezoelectric device and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151346A (en) * 1998-10-30 2000-05-30 Thomson Csf Module parts stacked in one same container
JP2002290200A (en) * 2001-03-26 2002-10-04 Seiko Epson Corp Surface acoustic wave device and its manufacturing method
JP2003229720A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Seiko Epson Corp Method of manufacturing piezoelectric oscillator, and the piezoelectric oscillator
JP2004153408A (en) * 2002-10-29 2004-05-27 Seiko Epson Corp Piezoelectric device and its manufacturing method

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