JP4713334B2

JP4713334B2 - 半透過型液晶表示装置及びその製造方法

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Publication number: JP4713334B2
Application number: JP2005377049A
Authority: JP
Inventors: ビュンホパク
Original assignee: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
Priority date: 2005-06-29
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2011-06-29
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Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に、反射モード及び透過モードで動作できる半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、バックライトユニットを光源として利用する透過型液晶表示装置と、バックライトユニットを光源として利用せずに、外部光（例えば、自然光、人造光等）を利用する反射型液晶表示装置とに分類できる。

透過型液晶表示装置は、バックライトユニットの光を利用することによって、暗い外部環境でも所定の画像を具現するが、電力消費が大きいという問題点がある。

これに対し、反射型液晶表示装置は、バックライトユニットを使用しないため、消費電力が小さいが、外部光が存在しない環境（夜間など)では使用できないという限界がある。
このような限界を克服するために、半透過型液晶表示装置が提案された。

半透過型液晶表示装置は、単位画素領域内に反射部と透過部とを共に備えて、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の機能を兼ね備えたものである。したがって、半透過型液晶表示装置は、バックライトユニットの光と外部光を全て利用できるので、周辺環境の影響を受けずに電力消費を低減できるという長所がある。

図１は、従来の半透過型液晶表示装置を示す分解斜視図であり、図２は、従来の半透過型液晶表示装置を示す断面図である。図１及び図２に示しているように、従来の半透過型液晶表示装置１１は、ブラックマトリックス１６とサブカラーフィルター１７との上に透明な共通電極１３が形成された上部基板１５と、画素領域Ｐにスイッチング素子Ｔとアレイライン２５、３９とが形成された下部基板２１と、上部基板１５と下部基板２１との間に充填された液晶１４と、下部基板２１の下部に配置されたバックライトユニット４１とからなる。

画素領域Ｐは、透過部Ｂと反射部Ｄとを有する。反射電極４９と透明電極６１とにより、透過部Ｂと反射部Ｄとが定義される。透過部Ｂには、反射電極４９が存在しない透過孔Ａが形成される。反射部Ｄには、反射電極４９が存在する。

以下、反射モード及び透過モードとなる時それぞれの液晶表示装置の動作を説明する。

反射モードで動作する場合、外部光が光源として用いられる。このような場合、上部基板１５に入射された光Ｆ２は、反射電極４９に反射されて、反射電極４９と共通電極１３との間の電界に沿って配列された液晶１４を通過するようになり、液晶１４の配列条件に応じて、液晶１４を通過した光Ｆ２の量が調節されて、所定の画像を具現する。

これに対し、透過モードで動作する場合には、下部基板２１の下部に配置されたバックライトユニット４１が光源として用いられる。バックライトユニット４１から出射した光Ｆ１は、透明電極６１を経て透過孔Ａを介して液晶１４に入射し、透明電極６１と共通電極１３との間の電界に沿って配列された液晶１４を通過し、液晶１４の配列条件に応じて液晶１４を通過した光Ｆ１の量が調節されて、所定の画像を具現する。

図３は、従来の半透過型液晶表示装置の下部基板の一部領域を示す拡大平面図である。
下部基板２１は、アレイ基板とも呼ばれる。下部基板２１は、複数のゲートライン２５と複数のデータライン３９とが垂直に交差し、ゲートライン２５とデータライン３９との交差点に、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタＴが配置される。ゲートライン２５とデータライン３９との交差により、画素領域Ｐが定義される。

ゲートライン２５の一端には、ゲートパッド電極２７が形成されており、ゲートパッド電極２７は、ゲートライン２５に比べて、その幅が広めとなるように形成される。

データライン３９の一端には、データパッド電極４１が形成されており、データパッド電極４１もまた、データライン３９に比べて幅が広めとなるように形成される。

ゲートパッド電極２７とデータパッド電極４１とは、それぞれ外部の信号が直接印加される透明なゲートパッド端子電極６３とデータパッド端子電極６５と電気的に接続される。

ゲートライン２５の一部領域の上部に、ストレージキャパシタＣが構成される。

薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２３、ソース／ドレイン電極３５、３７、及びゲート電極２３上に形成されたアクティブ層３１からなる。

画素領域Ｐには、透明電極６１と透過孔Ａを含む反射電極４９とが形成され、このような透明電極６１と反射電極４９とにより、透過部Ｂと反射部Ｄとが定義される。

上述した構成において、ストレージキャパシタＣは、ゲートライン２５の一部領域を第１キャパシタ電極とし、ゲートライン２５の一部領域に対向し、ドレイン電極３７と同一層に形成した金属層４３を第２キャパシタ電極とする。

金属層４３は、コンタクト孔５５を介して透明電極６１と接続させることもできる。また、金属層４３は、反射電極４９の下部を介してゲートライン２５の上部に伸びて、ドレイン電極３７の中に形成することもできる。この場合、コンタクト孔５５を必要としない。

図４は、図３に示した線II-II’、線III-III’、及び線IV-IV’のそれぞれに沿って切断した断面図である。

基板２１上に、ゲート電極２３、ゲートライン２５及びゲートパッド電極２７を形成する。ゲートパッド電極２７は、ゲートライン２５の一端に接続される。

ゲートライン２５を含む基板２１の全面に、第１絶縁層であるゲート絶縁層２９を形成する。

ゲート電極２３の上部のゲート絶縁層２９上に、島状のアクティブ層３１とオーミックコンタクト層３３とを形成する。

オーミックコンタクト層３３を含む基板２１の全面に、オーミックコンタクト層３３と接触するソース／ドレイン電極３５、３７と、ソース電極３５と接続されたデータライン３９と、データライン３９の一端に接続されたデータパッド電極４１を形成する。
これと同時に、画素領域Ｐを定義するゲートライン２５の一部領域の上部に島状の金属層４３を形成する。

データライン３９を含む基板２１の全面に、第２絶縁層である保護層４５を形成する。保護層４５は、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を蒸着して形成した無機絶縁層である。

保護層４５の上部にベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂とを含む透明な誘導絶縁物質のグループの中から選択されたいずれかを塗布して、第３絶縁層である誘導絶縁層４７を形成する。

誘導絶縁層４７の上部の反射部には、凹凸型パターン４７Ｂが形成されている。

画素領域Ｐの一部領域には、ゲート絶縁層２９、保護層４５、誘導絶縁層４７をエッチングして、エッチング溝４８を形成する。
エッチング溝４８は、以後の工程で形成する反射電極の透過孔に対応する部分である。

一方、ドレイン電極３７と、金属層４３と、データパッド電極４１の上部の保護層４５、誘導絶縁層４７と、ゲートパッド電極２７の上部のゲート絶縁層２９、保護層４５、誘導絶縁層４７をエッチングして、ドレイン電極３７の一部領域を露出させるドレインコンタクト孔５３と、金属層４３の一部領域を露出させるストレージコンタクト孔５５と、ゲートパッド電極２７の一部領域を露出させるゲートパッドコンタクト孔５７と、データパッド電極４１の一部領域を露出させるデータパッドコンタクト孔５９とを形成する。

複数のコンタクト孔５３、５５、５７、５９を含む基板２１の全面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）とを含む透明導電性金属グループの中から選択されたいずれかを蒸着しパターニングして、ドレイン電極３７と金属層４３とを同時に接触させながら画素領域Ｐを構成する透明電極６１と、ゲートパッド電極２７と接触するゲートパッド端子電極６３と、データパッド電極４１と接触するデータパッド端子電極６５とを形成する。

透明電極６１もまた、反射部Ｄで誘導絶縁層４７の凹凸型パターン４７ｂに応じて、凹凸構造で形成される。

透明電極６１を含む基板２１の全面に、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金のように反射率が良好な金属を蒸着しパターニングして、エッチング溝４８に対応する透過孔Ａを含む反射電極４９を形成する。反射電極４９は、透過孔Ａには形成されない。
反射電極４９は、反射部Ｄで誘導絶縁層４７と透明電極６１との凹凸構造に沿って凹凸をなす。

上述したような方法により、従来の半透過型液晶表示装置の下部基板を製造できる。
しかし、従来の半透過型液晶表示装置の下部基板で、反射電極４９形成するためにエッチング工程を行う場合、エッチング液が透明導電性金属である透明電極６１、ゲートパッド端子電極６３、データパッド端子電極６５に浸透して、不良を誘発させるという問題点があった。

また、反射部Ｂに形成された凹凸型パターン４７ｂにより、凹凸型パターン４７ｂと透明電極６１との間の粘着不良の問題があった。

また、透過孔Ａを形成するために、ゲート絶縁層２９、保護層４５、誘導絶縁層４７をエッチングすることになるが、このような場合、過度なエッチングにより、基板２１までエッチングされ得るので、透過孔Ａの領域に透明電極６１を形成する場合、透明電極６１が基板２１に正しく蒸着されないという問題点があった。

本発明は、上述した従来技術の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、保護層及び凹凸を形成する前に、透明電極を先に形成することによって、マスク工程を低減し、従来の様々な不良を防止することのできる半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明の半透過型液晶表示装置によれば、反射部と透過部とを有する画素領域が定義された基板と、基板上に交差配置されて、画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、ゲートラインとデータラインとの交差点に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのドレイン電極と接続され、画素領域に形成された透明電極と、ゲートライン上に形成されたストレージ電極と、反射部に形成された反射電極と、反射部に形成された凹凸型パターンを有する絶縁層とを含み、透明電極と反射電極とは、反射部で絶縁層により離隔されて配置されることを特徴とする。

また、本発明の半透過型液晶表示装置の製造方法によれば、反射部と透過部とを有する画素領域が定義された基板を提供するステップと、基板上にゲートライン及びゲートラインと接続されたゲート電極を形成するステップと、ゲートラインを含む基板の全面に、第１絶縁層を形成するステップと、ゲート電極の上部の第１絶縁層上の半導体層と、半導体層と接触するソース／ドレイン電極と、ソース電極と接続され、ゲートラインと交差するデータラインと、ゲートライン上のストレージ電極と、ゲートライン及びデータラインの一端に第１及び第２パッド電極をそれぞれ形成するステップと、ドレイン電極とストレージ電極との間の第１絶縁層上に、透明電極と、第１及び第２パッド電極とに電気的に接続された第１及び第２パッド端子電極とを形成するステップと、反射部に第２絶縁層を形成するステップと、反射部の第２絶縁層上に、凹凸型パターンを有する第３絶縁層を形成するステップと、反射部の反射電極、及びゲートラインと第１パッド電極とを接続するためのジャンプ電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。

本発明は、保護層及び凹凸パターンを形成する前に、透明電極を先に形成することによって、マスク工程を低減し、製造費用を低減し、製造歩留まりを向上させるという効果がある。
また、本発明は、透明電極、ゲートパッド端子電極、及びデータパッド端子電極の各々の終端フレームが外部に露出されないため、反射電極を形成するためにエッチング工程を行う場合、エッチング液が透明電極に浸透しなくなるので、透明電極がリフトオフされるのを防止して、製品不良を低減して信頼性を向上させるという効果がある。

以下、本発明に係る具体的な実施の形態を添付の図面を参照しつつ説明する。

図５は、本発明に係る半透過型液晶表示装置の下部基板の一部領域を示す拡大平面図である。

下部基板１２１は、アレイ基板と言う。下部基板１２１は、複数のゲートライン１２５と複数のデータライン１３９とが垂直に交差し、ゲートライン１２５とデータライン１３９との交差点に、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタＴが配置される。ゲートライン１２５とデータライン１３９との交差により、画素領域Ｐが定義される。

ゲートライン１２５の一端には、ゲートパッド電極１２７が形成されており、ゲートパッド電極１２７は、ゲートライン１２５に比べて幅が広めとなるように構成される。

ゲートパッド電極１２７は、ゲートライン１２５と第１、２ジャンプコンタクト孔１５３、１５５とを介して、ジャンプ電極１６９と接触し、電気的に接続されるジャンプ構造からなる。

データライン１３９の一端には、データパッド電極１４１が形成されており、データパッド電極１４１もまた、データライン１３９に比べて幅が広めとなるように形成される。

ゲートパッド電極１２７とデータパッド電極１４１とは、それぞれ外部の信号を直接印加される手段である透明なゲートパッド端子電極１６３とデータパッド端子電極１６５と電気的に接触される。

ゲートライン１２５の一部領域の上部に、ストレージキャパシタＣが構成される。

薄膜トランジスタＴは、ゲート電極１２３、ソース／ドレイン電極１３５、１３７、及びゲート電極１２３上に形成された半導体層１３１からなる。半導体層１３１は、アクティブ層とオーミックコンタクト層とを含む。

画素領域Ｐには、透明電極１６１と透過孔Ａを含む反射電極１４９とが形成され、このような透明電極１６１と反射電極１４９とにより、透過部Ｂと反射部Ｄとが定義される。

ドレイン電極１３７は、透明電極１６１と接触し、透明電極１６１は、透過孔Ａの境界で反射電極１４９の一部領域と接触する。反射電極１４９と透明電極１６１とは、共に画素電極をなす。

一方、画素領域Ｐの透過部Ｂには、透明電極１６１のみが露出されている。

上述した構成において、ストレージキャパシタＣは、ゲートライン１２５の一部領域を第１キャパシタ電極１４３とし、ゲートライン１２５の一部領域の上部に対向し、ドレイン電極１３７と同一層に形成した金属層１４３を第２キャパシタ電極とする。
金属層１４３は、透明電極１６１と直接接触されている。

以下、図６Ａ〜図６Ｄを参照して、本発明に係る半透過型液晶表示装置の下部基板の製造工程を説明する。

図６Ａ〜図６Ｄは、図５の半透過型液晶表示装置の下部基板で線Ｖ-Ｖ’、線VI-VI’、線VII-VII’に沿って切断して、工程順序に応じて示す工程断面図である。

まず、図６Ａに示しているように、基板１２１上にゲート電極１２３及びゲートライン１２５を形成する。

ゲートライン１２５を含む基板１２１の全面に第１絶縁層であるゲート絶縁層１２９を形成する。
ゲート絶縁層１２９は、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ_２）とを含む無機絶縁物質グループの中から選択されたいずれかを蒸着して形成する。

ゲート電極１２３の上部のゲート絶縁層１２９上に、アクティブ層１３２及びオーミックコンタクト層１３３を含む半導体層１３１を形成する。

アクティブ層１３２は、純粋な非晶質シリコン（ａ‐Ｓｉ:Ｈ)で形成し、オーミックコンタクト層１３３は、不純物が含まれた非晶質シリコン（ｎ＋ａ‐Ｓｉ:Ｈ）で形成する。

基板１２１上にフォトレジストを塗布し、光遮断領域、透過領域及び反透過領域を有するハーフトーンマスクを配置した後、光を照射する。反透過領域は、通常、複数のスリットからなる。

マスクの反透過領域を、チャネル領域に対応させ、ゲート電極１２３上のオーミックコンタクト層１３３を除去して、アクティブ層１３２を露出させる。
これにより、ゲート電極１２３の上部のゲート絶縁層１２９上に、島状のアクティブ層１３２とオーミックコンタクト層１３３とを形成する。

基板上に金属物質を塗布してパターニングして、オーミックコンタクト層１３３と接触するソース／ドレイン電極１３５、１３７と、ソース電極１３５と接続されたデータライン１３９と、データライン１３９の一端に接続されたデータパッド電極１４１と、ゲートライン１２５の一端と接続するためのゲートパッド電極１２７とを形成する。すなわち、ゲートパッド電極１２７は、データライン１３９と同一層に同一物質で形成される。
同時に、画素領域Ｐを定義するゲートライン１２５の一部領域の上部に、島状の金属層１４３を形成する。

上記金属物質は、クロム（Ｃｒ)、モリブデン（Ｍｏ)、チタニウム（Ｔｉ)、タングステン（Ｗ)、アルミニウム（Ａｌ)、アルミニウム合金を含む導電性金属グループの中から何れかを選択して使用する。

データライン１３９、データパッド電極１４１、ゲートパッド電極１２７、及び金属層１４３の下部には、アクティブ層パターン１３２ａとオーミックコンタクト層パターン１３３ａとが形成されている。

図６Ｂに示しているように、ＩＴＯとＩＺＯとを含む透明導電性金属グループの中から選択されたいずれかを蒸着しパターニングして、透明電極１６１を形成する。

透明電極１６１は、ドレイン電極１３７から金属層１４３まで形成され、ドレイン電極１３７及び金属層１４３に電気的に接続される。金属層１４３は、透明電極１６１により完全に覆われる。

また、透明導電性金属グループの中から選択されたいずれかを利用して、ゲートパッド電極１２７と接触させるゲートパッド端子電極１６３と、データパッド電極１４１と接触させるデータパッド端子電極１６５とを形成する。

このように、ゲートパッド電極１２７及びデータパッド電極１４１上に、透明導電性金属でゲートパッド端子電極１６３、データパッド端子電極１６５を形成することによって、以後の工程で発生するパッド部の電食による不良誘発を防止できる。

図６Ｃに示しているように、透明電極１６１を含む基板１２１の全面に、第２絶縁層である保護層１４５を形成する。
保護層１４５は、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を蒸着して形成したシリコン絶縁層である。
シリコン絶縁層は、アクティブ層１３２との界面特性に優れているので、界面に電子を捕獲する捕獲準位が存在しないようにする。
したがって、アクティブ層１３２を流れるキャリアの移動度を改善できる。

保護層１４５の上部に、ベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）とフォトアクリル系樹脂とを含む透明な感光性誘導絶縁物質グループの中から選択されたいずれかを塗布して、第３絶縁層である誘導絶縁層１４７を形成する。

誘導絶縁層１４７の反射部Ｄには、凹凸型パターンが形成されている。
凹凸型パターンの形成方法について詳細に説明すれば、感光性誘導絶縁層１４７上に、マスクを使用して光を照射する写真エッチング工程を行って、反射部Ｄに四角形状の凹凸形状である感光性誘導パターンが形成される。

これと同時に、下部基板の透過部Ｂに対応する部分の感光性誘導絶縁層１４７も共に除去されたことが分かる。この時、透過部Ｂと反射部Ｄとを除外した基板１２１上のその他の領域に対応する感光性誘導絶縁層１４７も共に除去される。

次に、四角形状の凹凸形状であるパターンに対して、溶融及び硬化処理をすれば、凸部の上部面が丸い形状になるエンボシング形状の凹凸型パターン１４７Ｂが反射部Ｄに形成される。

一方、上記のように凹凸型パターンを形成する方法は、これに限定されるものではなく、様々な方法により形成され得る。
誘導絶縁層１４７及び保護層１４５をエッチングして、画素領域Ｐの一部領域をエッチングして、エッチング溝１４８を形成し、ゲートパッド電極１２７の上部のゲートパッド端子電極１６３の一部領域を露出させるゲートパッドコンタクト孔１５７と、データパッド電極１４１の上部のデータパッド端子電極１６５の一部領域を露出するデータパッドコンタクト孔１５９を形成する。

そして、ゲートライン１２５の一端の一部領域を露出させる第１ジャンプコンタクト孔１５３と、ゲートパッド電極１２７の一部領域を露出させる第２ジャンプコンタクト孔１５５とを形成する。

複数のコンタクト孔１５３、１５５、１５７、１５９を形成する工程と誘導絶縁層１４７にエンボシングパターンを形成する工程は、１つのマスク工程により行われる。

図６Ｄに示しているように、複数のコンタクト孔１５３、１５５、１５７、１５９を含む基板１２１の全面に、アルミニウム（Ａｌ)またはアルミニウム合金のように反射率が良好な金属を蒸着しパターニングして、エッチング溝１４８に対応する領域に透過孔Ａを有する反射電極１４９を形成する。すなわち、透過孔Ａには、反射電極１４９が形成されない。したがって、透過孔Ａには、光が透過されるが、反射電極１４９が存在する反射部Ｄには、光が透過されず、反射電極１４９により反射される。

反射電極１４９は、反射部Ｄ上に形成された凹凸型パターン１４７ｂを有する誘導絶縁層１４７により凹凸型構造を有する。

反射電極１４９は、反射部Ｄと透過部Ｂとの境界で、透明電極１６１とある程度接触する。
したがって、ドレイン電極１３７を介して印加された画素信号は、透明電極１６１に伝達されて、反射電極１４９に印加される。したがって、反射電極１４９と透明電極１６１とは、１つの画素電極を形成する。

また、アルミニウム（Ａｌ)またはアルミニウム合金のような物質を利用して、第１及び２ジャンプコンタクト孔１５３、１５５を介して、ゲートライン１２５の一端とゲートパッド電極１２７とを接続させるためのジャンプ電極１６９を形成する。したがって、反射電極１４９とジャンプ電極１６９とは、同一物質で同一層に同時に形成される。

尚、本発明は、上述した本実施の形態に限られるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更して実施することが可能である。

従来の半透過型液晶表示装置を示す分解斜視図である。従来の半透過型液晶表示装置を示す断面図である。従来の半透過型液晶表示装置の下部基板の一部領域を示す拡大平面図である。図３の従来の半透過型液晶表示装置の下部基板で線II-II’、線III-III’、及び線IV-IV’に沿って切断した断面図である。本発明に係る半透過型液晶表示装置の下部基板の一部領域を示す拡大平面図である。図５の半透過型液晶表示装置の下部基板で線Ｖ-Ｖ’、線VI-VI’、及び線VII-VII’に沿って切断して、工程順序に応じて示す工程断面図である。図５の半透過型液晶表示装置の下部基板で線Ｖ-Ｖ’、線VI-VI’、及び線VII-VII’に沿って切断して、工程順序に応じて示す工程断面図である。図５の半透過型液晶表示装置の下部基板で線Ｖ-Ｖ’、線VI-VI’、及び線VII-VII’に沿って切断して、工程順序に応じて示す工程断面図である。図５の半透過型液晶表示装置の下部基板で線Ｖ-Ｖ’、線VI-VI’、及び線VII-VII’に沿って切断して、工程順序に応じて示す工程断面図である。

符号の説明

１２１下部基板
１２５ゲートライン１２５
１３９データライン
Ｔ薄膜トランジスタ

Claims

反射部と透過部とを有する画素領域が定義された基板と、
前記基板上に互いに交差して配置され、画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインとの間で前記基板上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲートラインと前記データラインとの交差点に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続され、前記画素領域に形成された透明電極と、
前記ゲートライン上に形成されたストレージ電極と、
前記反射部に形成された反射電極と、
前記ゲート絶縁層上で前記データラインの一端に形成された第１パッド電極と、
前記第１パッド電極を覆い、前記第１パッド電極と接触し、及び透明導電性物質を使って形成された第１パッド端子電極と、
前記反射部に形成された凹凸型パターンを有し、前記第１パッド電極上で前記第１パッド端子電極を露出するコンタクト孔を有する絶縁層と、
前記ゲートラインと前記第１パッド電極とを接続するためのジャンプ電極と
を含み、
前記反射部での前記絶縁層は、前記透明電極と前記反射電極との間に配置され、
前記反射電極と前記ジャンプ電極は、同一層及び同一物質で形成されることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
前記ゲート絶縁層に形成され、前記ゲートラインの一端から離れている第２パッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
半導体層パターンは、前記第１及び第２パッド電極の下部に形成されることを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第１及び第２パッド電極は、同一層及び同一物質で形成されることを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
前記ジャンプ電極は、前記反射電極と同一層及び同一物質で形成されることを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第２パッド電極上に形成された第２パッド端子電極をさらに含み、前記第２パッド端子電極は前記第２パッド電極を覆うことを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第２パッド端子電極及び前記透明電極は、同一層及び同一物質で形成されることを特徴とする請求項６に記載の半透過型液晶表示装置。
前記透明電極は、前記絶縁層の下部に配置され、前記反射電極は、前記絶縁層の上部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記絶縁層は、感光性誘導絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記ゲートラインと前記ストレージ電極との間にストレージキャパシタが形成されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記凹凸パターンは、前記反射部の前記絶縁層の表面上で前記絶縁層と一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記透明電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ電極とにそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記ストレージ電極と前記データラインとは、同一層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記透明電極は、透明な導電性物質からなることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記反射電極は、前記透過部と前記反射部との境界で前記透明電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
反射部と透過部とを有する画素領域が定義された基板を提供するステップと、
前記基板上にゲートライン、及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極を形成するステップと、
前記ゲートラインを含む基板の全面に、第１絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート電極の上部の前記第１絶縁層上の半導体層と、前記半導体層と接触するソース／ドレイン電極と、前記ソース電極と接続され、前記ゲートラインと交差するデータラインと、前記ゲートライン上のストレージ電極と、前記第１絶縁層上で前記データラインの一端に形成された第１パッド電極と、前記第１絶縁層に形成され、前記ゲートラインの一端から一定間隔離れている第２パッド電極とをそれぞれ形成するステップと、
前記ドレイン電極と前記ストレージ電極との間の前記第１絶縁層上に、透明電極と、前記第１及び第２パッド電極とに電気的に接続された第１及び第２パッド端子電極とを形成するステップと、
前記反射部に第２絶縁層を形成するステップと、
前記反射部の前記第２絶縁層上に、凹凸型パターンを有する第３絶縁層を形成するステップと、
前記透過部に透過孔と、前記第１パッド電極上に前記第１パッド端子電極を露出する第１パッド端子コンタクト孔と、前記第２パッド電極上に前記２パッド端子電極を露出する第２パッド端子コンタクト孔と、前記第１パッド電極及びゲートラインを露出させた第１及び第２ジャンプコンタクト孔とをそれぞれ形成するステップと、
前記第１及び第２ジャンプコンタクト孔を通して、前記反射部の反射電極、及び前記ゲートラインと前記第２パッド電極とを接続するためのジャンプ電極を形成するステップと
を含み、
前記反射電極と前記ジャンプ電極は、同一層及び同一物質で形成されることを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記第１パッド電極、前記第２パッド電極及び前記ストレージ電極の下に半導体層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記第２絶縁層はシリコン窒化物（ＳｉＮ_２）又は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）で形成されることを特徴とする請求項１７に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記透過部で第２絶縁層及び第３絶縁層が除去されることを特徴とする請求項１７に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記第３絶縁層は、感光性誘導絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記ゲートラインと前記ストレージ電極との間にストレージキャパシタが形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記透明電極は、前記ドレイン電極と前記ストレージ電極との間の前記第１絶縁層上に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記透明電極は、前記ドレイン電極と前記ストレージ電極とにそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記透明電極は、透明な導電性物質からなることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記反射電極は、前記透過部で前記透明電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記反射部で前記透明電極は、前記第２絶縁層の下部に形成され、前記反射電極は、前記第３絶縁層の上部に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記凹凸型パターンを有する第３絶縁層を形成するステップは、前記第２絶縁層上に前記第３絶縁層を形成するステップと、前記第３絶縁層上にマスクを形成するステップと、前記マスクを使ってフォトリソグラフィ処理を実行することによって、前記反射部で前記第３絶縁層の表面に絶縁パターンを形成するステップと、前記反射部で前記第３絶縁層の表面に溶融及び硬化処理を実行することによって、前記凹凸パターンを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記第１及び第２パッド端子コンタクト孔と、前記第１及び第２ジャンプコンタクト孔とは前記マスクを使って前記第３絶縁層に前記凹凸パターンを形成するステップの間に形成されることを特徴とする請求項２７に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。