JP4706115B2 - Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents
Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP4706115B2 JP4706115B2 JP2001084785A JP2001084785A JP4706115B2 JP 4706115 B2 JP4706115 B2 JP 4706115B2 JP 2001084785 A JP2001084785 A JP 2001084785A JP 2001084785 A JP2001084785 A JP 2001084785A JP 4706115 B2 JP4706115 B2 JP 4706115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- valve metal
- layer
- current collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に利用される固体電解コンデンサ及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来における固体電解コンデンサとしては、アルミニウムやタンタルなどの多孔質化された弁金属シート体の厚み方向の片面あるいは中間の芯部を電極部とし、この弁金属シート体の多孔質部の表面に誘電体酸化被膜を形成し、その表面に機能性高分子などの固体電解質層を設け、その固体電解質層の表面に集電体層、この集電体層上に金属による電極層を設けてコンデンサ素子を構成し、このコンデンサ素子を積層し、各コンデンサ素子の電極部または電極層をまとめて外部端子に接続し、この外部端子を表出するように外装を形成して構成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の固体電解コンデンサにおいては、大容量化と等価直列抵抗(以下ESRと称す)を下げることはできるが、一般的な固体電解コンデンサと同様に外部端子を介して回路基板上に実装しなければならない。
【0004】
このように半導体部品と同じように回路基板に表面実装される固体電解コンデンサでは、実際の回路を構成した状態でのESRや等価直列インダクタンス(以下ESLと称す)特性が端子長や配線長が存在するために大きくなり、高周波応答性に劣るといった課題を有するものであった。
【0005】
本発明は以上のような従来の欠点を除去し、半導体部品と直接接続でき、高周波応答性に優れた大容量の固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項1に記載の発明は、上面から下面にわたって多孔質化されていない電極部を必要数設けた多孔質化された弁金属シート体と、この弁金属シート体の多孔質化された部分に形成された誘電体被膜と、この誘電体被膜上に形成された固体電解質層と、この固体電解質層上に形成された集電体層と、上記電極部と集電体層とを電気的に絶縁する絶縁部、を有するコンデンサ素子を備え、電極部および集電体層にそれぞれ接続される接続端子をコンデンサ素子の両面に形成した固体電解コンデンサであり、表面に電極部と集電体層を有するため半導体部品を直接実装することができ、高周波応答性、接続配線性に優れた固体電解コンデンサとすることができる。
【0007】
請求項2に記載の発明は、弁金属シート体としてエッチングにより電極部を除いて多孔質化されたアルミニウム箔を用いた請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、生産性に優れた構造を実現することができる。
【0008】
請求項3に記載の発明は、弁金属シート体として弁金属粉末の焼結体を用い、電極部として焼結された弁金属粉末自体を表出させるか、焼結体に設けた貫通孔に弁金属導電体を充填して構成した請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、容量の大きなものを得ることができる。
【0009】
請求項4に記載の発明は、固体電解質として導電性高分子を用いた請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、より低ESRのものとすることができる。
【0010】
請求項5に記載の発明は、固体電解質として二酸化マンガンを用いた請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、確立された製造方法で安定した品質で量産することができる。
【0011】
請求項6に記載の発明は、電極部および集電体層にそれぞれ接続される接続端子をコンデンサ素子の同一面内に形成した請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、実装性に優れたものとすることができる。
【0012】
請求項7に記載の発明は、電極部および集電体層にそれぞれ接続される接続端子を交互に配列するように形成した請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、より低ESLな性能を有するものとすることができる。
【0013】
請求項8に記載の発明は、電極部の表出面に別の金属層を形成して一方の接続端子とした請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、この金属層を選択することにより接続端子としての電気的接続の信頼性を高めることができる。
【0014】
請求項9に記載の発明は、電極部の表出面を粗面化し、この表出面に別の金属層を形成して一方の接続端子とした請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、電極部に対する金属層の接続強度を高めることができる。
【0015】
請求項10に記載の発明は、集電体層上に金属層を形成して他方の接続端子とした請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、接続の信頼性の向上と、低ESLなものを得ることができる。
【0016】
請求項11に記載の発明は、集電体層上に開口部を形成した絶縁部を設け、この絶縁部の開口部に金属層を設けて他方の接続端子とした請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、電極部側と集電体層側の接続端子の絶縁の向上が図れるとともに他方の接続端子の大きさを一定のものとすることができる。
【0017】
請求項12に記載の発明は、電極部および集電体層の上に形成した接続端子を接続バンプとした請求項6、7のいずれか1つに記載の固体電解コンデンサであり、実装性に優れるとともに配線インピーダンスの低いものとすることができる。
【0018】
請求項13に記載の発明は、電極部の芯部の大きさが弁金属シート体の表面部の電極部寸法より小さい電極部形状を有した請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、電極部の体積を減少させることによって大きな容量のコンデンサを得ることができる。
【0019】
請求項14に記載の発明は、電極部が弁金属シート体の表面部にのみ形成された電極部形状を有した請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、電極部の占有率を更に減少させることによってさらに大きな容量のコンデンサを得ることができる。
【0020】
請求項15に記載の発明は、コンデンサ素子に外装を形成した請求項1に記載の固体電解コンデンサであり、実装性に優れ、外力に対して補強を図ることができる。
【0021】
請求項16に記載の発明は、アルミニウム箔の電極部を形成する部分にレジスト膜を形成した後エッチング処理して多孔質化されない電極部を有する多孔質化された弁金属シート体を形成し、この弁金属シート体の多孔質化された部分に誘電体被膜を形成し、その後レジスト膜の周囲に絶縁部を形成した後、上記誘電体被膜上に固体電解質層を形成し、さらにこの固体電解質層の上に集電体層を形成する固体電解コンデンサの製造方法であり、高周波応答性に優れたものを容易に生産することができる。
【0022】
請求項17に記載の発明は、弁金属粉末をシート状に焼結して弁金属シート体とし、この弁金属シート体に電極部となる部分を除いて誘電体被膜を形成するか、もしくは弁金属シート体にあらかじめ貫通孔を設けた部分に弁金属導電体を充填して電極部を形成し、この電極部を除いて他の部分に誘電体被膜を形成し、その後上記電極部の表出部分の周囲に絶縁部を形成した後誘電体被膜上に固体電解質層を形成し、さらにこの固体電解質層上に集電体層を形成してコンデンサ素子とする固体電解コンデンサの製造方法であり、大容量で高周波応答性に優れたものを容易に生産することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の固体電解コンデンサおよびその製造法について実施の形態および図面を用いて説明する。
【0024】
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1および図1〜図4により本発明を説明する。
【0025】
図1は本発明の実施の形態1における固体電解コンデンサの斜視図であり、図2は同断面図、図3は同要部の拡大断面図、図4は同じく要部の断面図である。
【0026】
図1〜図4において、1はシート状のコンデンサ素子であり、このコンデンサ素子1は上面から下面にわたって多孔質化されていない電極部2を複数個設けた多孔質化された弁金属シート体3と、この弁金属シート体3の多孔質化された部分の表面に誘電体被膜4を設け、この誘電体被膜4上に固体電解質層5を設け、この固体電解質層5上に集電体層6を設け、上記電極部2と誘電体被膜4、固体電解質層5、集電体層6との間に設けた絶縁部7とにより構成されている。
【0027】
なお、このコンデンサ素子1として上記構成であっても機能を発揮するが、上記電極部2の表出面に別の金属層を形成して第一の接続端子8とし、絶縁部7の周囲の集電体層6上に別の金属層を形成して第二の接続端子9とすることが好ましい。このように構成されたコンデンサ素子1の外周部にエポキシ樹脂などの外装11をモールド成形によって形成して固体電解コンデンサとしている。また下面の外装内に第一の引出し電極22、第二の引出し電極23が形成され、それぞれ外部端子24に接続される構成としている。この引出し電極、外部端子は必ずしも必要ではなく、回路設計、実装形態によって、最適な構造を採用することが可能である。
【0028】
上記弁金属シート体3としては、アルミニウム箔を用いて電極部2に相当する部分を除いてエッチングして多孔質化することで構成することができ、この弁金属シート体3の多孔質化された部分の表面に形成する誘電体被膜4は、エッチングされたアルミニウム箔を化成液中で陽極酸化することにより、表面及び孔表面に誘電体酸化被膜を形成して構成することができる。
【0029】
また、固体電解質層5はポリピロールやポリチオフェンなどの機能性高分子を化学重合や電解重合によって形成して導電性高分子層にしたものや、硝酸マンガン溶液を含浸させてから熱分解することにより二酸化マンガン層にしたもので構成することができる。
【0030】
さらに集電体層6としては、カーボン層単独あるいはカーボン層と銀ペースト層の積層構造とすることができる。また、絶縁部7としては、印刷性や撥水性などに優れたシリコン樹脂を用いることができ、この他にエポキシ樹脂、フッ素系樹脂を用いることもできる。
【0031】
第一、第二の接続端子8,9としては銅、半田、銀、金、ニッケルなどの金属を用いることができ、単層あるいはこれらの金属の積層構成としてもよい。
【0032】
又、電極部2の表出面に第一の接続端子8を形成する場合、図4に示すように電極部2の表出面に凹凸部12を設けた粗面加工を施すことにより、第一の接続端子8を強固に電極部2に結合でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【0033】
以上のように構成した固体電解コンデンサは、図1、図2に示すように上下面に第一の接続端子8と第二の接続端子9とが複数個ずつ設けられた構成となり、この片面に半導体部品を実装し、他面を回路基板のランドに接続して利用することができる。
【0034】
この時、第一、第二の接続端子8,9の数を半導体部品の接続バンプの数と一致させるか、それ以上の数となるように設定し、半導体部品の接続バンプの数より多い数としたときは、この固体電解コンデンサの片面上に半導体部品の他にチップ抵抗器、チップコンデンサ、チップインダクターなどのチップ部品を実装して回路モジュール化することもできる。
【0035】
(実施の形態2)
次に本発明の実施の形態2により本発明について説明する。図5は実施の形態2における固体電解コンデンサの上面図、図6は同断面図である。又、図7、図8は本実施の形態2の他の電極部の形状を示す断面図である。
【0036】
この実施の形態2において、基本的な構成は実施の形態1と同様であり、異なる点は第一の接続端子8および第二の接続端子9上に半導体部品との接続を容易にするため、金、半田あるいは錫から成る接続バンプ13,14を設けた構成とした点にある。
【0037】
この接続バンプ13,14はバンプピッチを一定に保つために接続バンプ13,14を形成する部分に開口部15を設けた絶縁膜16を設けてから形成される。
【0038】
このようにシート状の固体電解コンデンサの同じ面内に第一と第二の接続端子8,9を交互に配置することによって低ESR化とともに低ESL化が図れ、高周波でのインピーダンス特性を大きく改善でき、その結果高周波応答性の優れたものとすることができる。
【0039】
図6に示すものはシート状の固体電解コンデンサを示し、両面に接続バンプ13,14を設けた構成としている。これ以外にも上面にのみ接続バンプ13,14を設け、図2に示すように下面は外装11によって被覆された構成とすることも可能であり、配線パターンの高密度な回路基板上に絶縁された状態で実装することが可能となっている。
【0040】
さらに、陽極電極部の別の形状について図7、図8を用いて説明する。
【0041】
図7はシート状の両面にわたって多孔質化されていない構造の電極部2について示しており、弁金属シート体3表面付近の電極部2の寸法よりも弁金属シート体3の芯部における寸法形状を小さくすることで容量を大きくすることができる。その製造方法はエッチング条件を制御することによって可能である。又、図8における電極部2は、弁金属シート体3の表面部に構成した電極部を任意の深さまでとすることによって、さらに容量を大きくすることが可能である。
【0042】
このように実施の形態2の固体電解コンデンサは、第一、第二の接続端子8,9上に接続バンプ13,14を設けることにより、半導体部品の実装および回路基板への実装が容易になるとともに、より小型で容量の大きなコンデンサを得ることができるために、部品の小型化と実装の効率化を図ることができる。
【0043】
(実施の形態3)
次に本発明の実施の形態3により本発明について説明する。
【0044】
図9は実施の形態3のコンデンサ素子を示す要部の断面図である。
【0045】
この実施の形態3におけるコンデンサ素子1はタンタル粉末をシートに形成し、これを焼結して弁金属シート体3とし、この弁金属シート体3の電極部2とする部分に化成液が侵入しないようにして陽極酸化をして、他の部分に誘電体酸化被膜からなる誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜の上に導電性高分子あるいは二酸化マンガンなどの固体電解質層、さらにこの固体電解質層上にカーボンや銀ペーストの集電体層を形成し、上記電極部2の表出面の周囲に絶縁部7を設け、この絶縁部7内に電極部2と接続された第一の接続端子8を設け、絶縁部7の周囲に集電体層に接続された第二の接続端子9を設けた構成となっている。
【0046】
このようにして構成されたコンデンサ素子に外装11を形成して固体電解コンデンサを構成する。
【0047】
以上のように弁金属粉末を用いるのはエッチングによって多孔質化されたアルミニウム箔を弁金属シート体3としてコンデンサ素子1を構成するものに比べて固体電解コンデンサとしての容量を大きくできる効果が得られるためである。
【0048】
なお、このような弁金属の粉末を焼結した弁金属シート体3を構成するに当たって、電極部2を形成するのに上述のように陽極酸化して誘電体被膜を形成させないようにして形成する以外に、あらかじめ上下に貫通孔を設け、この孔内に誘電体被膜の形成されない壁面を形成し、この孔内に同種の弁金属粉末を圧入して形成することもできる。
【0049】
(実施の形態4)
次に本発明の固体電解コンデンサの製造方法について図10〜図21を用いて説明する。
【0050】
まず、図10に示すようにアルミニウム箔17を準備し、次に図11に示すようにアルミニウム箔17の両面に耐薬品性のフォトレジストやマスキングテープなどのレジスト膜18を電極部を形成する位置に形成し、レジスト膜18を硬化させる。
【0051】
次に図12に示すようにレジスト膜18を形成したアルミニウム箔17を化学エッチングによりエッチングしてレジスト膜18の形成されていない部分を多孔質化してレジスト膜18の形成された部分に電極部2を形成した弁金属シート体3を形成する。
【0052】
続いて図13に示すようにレジスト膜18を残した状態で弁金属シート体3を化成液中に陽極酸化させて電極部2を除く多孔質化された部分の表面に誘電体被膜4を形成する。次に図14に示すようにレジスト膜18の周囲に電極部2とこれから形成する集電体層6との短絡を防止するために絶縁部7を印刷などにより形成する。
【0053】
続いて図15に示すようにレジスト膜18、絶縁部7を形成し多孔質部に誘電体被膜4を形成した弁金属シート体をポリピロールを含む溶液に浸漬し、続いて酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合により誘電体被膜4上に薄くポリピロール層を形成し、このポリピロール層を形成したものをポリピロールを含む溶液に浸漬して、ポリピロール層を+側、溶液中の電極を−側として電解重合することにより、上記薄いポリピロール層上に十分な厚さのポリピロール層を形成して固体電解質層5を形成する。
【0054】
その後、この固体電解質層5上にカーボン層及び銀ペースト層などの集電体層6を形成した後、図16に示すようにレジスト膜18を除去し、続いて図17に示すように表出した電極部2および集電体層6上に金、銀、銅、ニッケルなどの電極材料を蒸着法、スパッタリング法、めっき法などによって形成して電極部2上に第一の接続端子8、集電体層6上に第二の接続端子9を形成してコンデンサ素子1を完成させる。
【0055】
次に図18に示すようにコンデンサ素子1の外周と下面に電気的絶縁膜としてエポキシ樹脂などを用いて外装11を形成する。その後図19に示すように引出し電極を形成するためにエッチング、あるいはレーザー加工などにより、ブラインドビア穴21を形成する。そして次に図20に示すようにブラインドビア穴21から第一の接続端子8および第二の接続端子9と電気的に接続する引出し電極22,23をめっき、薄膜プロセスなどにより形成する。そして図21に示すようにコンデンサ素子1の下面を電気的絶縁と外部応力から保護して信頼性を向上するために、さらにエポキシ樹脂などを射出成形によって外装11をさらに重ねて形成するとともに、外周部に形成された引出し電極の端子22,23と電気的に接続する外部端子24を形成して固体電解コンデンサの完成品とする。
【0056】
以上のように本実施の形態4による固体電解コンデンサの製造方法によれば、既に確立されているアルミニウム箔を用いた機能性高分子の固体電解コンデンサの製造プロセスに少しの工夫を加えることによって簡単に生産することができ、信頼性に富んだ固体電解コンデンサを得ることができる。
【0057】
(実施の形態5)
次に本発明の固体電解コンデンサの製造方法について図22〜図29を用いて説明する。まず、図22に示すように弁金属であるタンタル粉末をバインダーと混練したものをシート状に成型し、これを脱バイ処理後所定の温度で焼結してシート状の多孔質化されたタンタル焼結体19を得る。
【0058】
次に図23に示すように電極部2を形成する位置にエポキシ樹脂などの樹脂材20を含浸させ、しかも電極部2を形成する位置の外表面にレジスト膜18を印刷などにより形成し、これらを硬化させた後、図24に示すように化成液中にて陽極酸化処理をして電極部2を除く多孔質化された部分に誘電体被膜4を形成する。
【0059】
続いて図25に示すように上記レジスト膜18の周囲に絶縁部7を形成するために印刷などの手段で樹脂材を形成し、この状態のものをポリピロールを含む溶液に浸漬した後酸化剤溶液に浸漬して化学酸化重合により誘電体被膜4の表面に薄くポリピロール層を形成し、このポリピロール層を形成したものをポリピロールを含む溶液に浸漬してポリピロール層を+側、溶液中の電極を−側として電解重合することにより上記の薄いポリピロール層の上に十分な厚さのポリピロール層を形成して固体電解質層5を形成し、その固体電解質層5上にカーボン層、銀ペースト層などから成る集電体層6を形成して図26のようにする。
【0060】
次に図27に示すようにレジスト膜18を除去し、図28に示すように絶縁部7で絶縁分離された状態で電極部2の外表面と集電体層6の外表面上に金、銀、銅、ニッケルなどの電極材料を蒸着、スパッタリング、メッキなどの方法で形成して電極部2上に第一の接続端子8、集電体層6上に第二の接続端子9を形成してコンデンサ素子1を構成する。
【0061】
最後に図29に示すように、エポキシ樹脂などを射出成形によって外装11を形成して固体電解コンデンサの完成品とする。
【0062】
以上のようにシート状のタンタル焼結体19を用いる方法とすることで実施の形態4で示したアルミニウム箔を利用した固体電解コンデンサに比べて容量の大きな固体電解コンデンサを提供することができる。
【0063】
【発明の効果】
以上のように本発明の固体電解コンデンサは構成されるため、半導体部品を直接接続できることになり、高周波応答性に優れ、しかも容量の大きなものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1における固体電解コンデンサの斜視図
【図2】 同断面図
【図3】 同要部の拡大断面図
【図4】 同要部の拡大断面図
【図5】 本発明の実施の形態2における固体電解コンデンサの上面図
【図6】 同断面図
【図7】 他の電極部形状の断面図
【図8】 同他の電極部形状の断面図
【図9】 本発明の実施の形態3における固体電解コンデンサのコンデンサ素子を示す断面図
【図10】 本発明の実施の形態4における固体電解コンデンサの製造方法を示すアルミニウム箔の断面図
【図11】 同アルミニウム箔にレジスト膜を形成した状態の断面図
【図12】 同アルミニウム箔を多孔質化した弁金属シート体の断面図
【図13】 同弁金属シート体に誘電体被膜を形成した状態の断面図
【図14】 同弁金属シート体に絶縁部を形成した状態の断面図
【図15】 同弁金属シート体に固体電解質層を形成した状態の断面図
【図16】 同弁金属シート体からレジスト膜を除去した状態の断面図
【図17】 同弁金属シート体に第一、第二の接続端子を形成してコンデンサ素子とした状態の断面図
【図18】 同コンデンサ素子の外周と下面に外装を形成した状態の断面図
【図19】 同コンデンサ素子の下面の外装にブラインドビア穴を形成した状態の断面図
【図20】 同コンデンサ素子のブラインドビア穴に引出し電極と、下面の引出し電極を絶縁するための外装を追加形成した状態の断面図
【図21】 同コンデンサ素子に外部端子を形成して得られた固体電解コンデンサの断面図
【図22】 本発明の実施の形態5における固体電解コンデンサの製造方法を示すタンタル焼結体の断面図
【図23】 同タンタル焼結体に電極部を形成する工程の断面図
【図24】 同誘電体被膜を形成した状態の断面図
【図25】 同絶縁部を形成した状態の断面図
【図26】 同固体電解質層、集電体層を形成した状態の断面図
【図27】 同レジスト膜を除去した状態の断面図
【図28】 同コンデンサ素子とした状態の断面図
【図29】 同コンデンサ素子に外装を形成して固体電解コンデンサとした状態の断面図
【符号の説明】
1 コンデンサ素子
2 電極部
3 弁金属シート体
4 誘電体被膜
5 固体電解質層
6 集電体層
7 絶縁部
8 第一の接続端子
9 第二の接続端子
11 外装
12 凹凸部
13,14 接続バンプ
15 開口部
16 絶縁膜
17 アルミニウム箔
18 レジスト膜
19 タンタル焼結体
20 樹脂材
21 ブラインドビア穴
22 第一の引出し電極
23 第二の引出し電極
24 外部端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a solid electrolytic capacitor used in various electronic devices and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
As a conventional solid electrolytic capacitor, one side or middle core in the thickness direction of a porous valve metal sheet body such as aluminum or tantalum is used as an electrode part, and a dielectric is formed on the surface of the porous part of the valve metal sheet body. A body oxide film is formed, a solid electrolyte layer such as a functional polymer is provided on the surface thereof, a current collector layer is provided on the surface of the solid electrolyte layer, and a metal electrode layer is provided on the current collector layer to provide a capacitor element The capacitor elements are stacked, the electrode portions or electrode layers of the capacitor elements are collectively connected to external terminals, and an exterior is formed so as to expose the external terminals.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-mentioned conventional solid electrolytic capacitor, it is possible to increase the capacity and reduce the equivalent series resistance (hereinafter referred to as ESR), but it must be mounted on the circuit board via an external terminal in the same manner as a general solid electrolytic capacitor. I must.
[0004]
As described above, in a solid electrolytic capacitor that is surface-mounted on a circuit board in the same manner as a semiconductor component, the ESR and equivalent series inductance (hereinafter referred to as ESL) characteristics in a state where an actual circuit is configured have a terminal length and a wiring length. Therefore, there is a problem that it becomes large and inferior in high frequency response.
[0005]
The present invention removes the deficiencies of the prior art as described above, the semiconductor unit product and the direct connection, it is an object to provide a solid electrolytic capacitor and a manufacturing method thereof large with excellent high-frequency response.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
[0007]
The invention according to
[0008]
The invention according to
[0009]
The invention according to
[0010]
The invention according to
[0011]
Invention of
[0012]
The invention described in 請 Motomeko 7 is a solid electrolytic capacitor according to
[0013]
The invention according to
[0014]
The invention according to
[0015]
The invention according to
[0016]
The invention according to
[0017]
The invention according to
[0018]
The invention according to
[0019]
The invention according to
[0020]
The invention according to
[0021]
The invention according to claim 16 forms a porous valve metal sheet body having an electrode portion that is not made porous by etching after forming a resist film on a portion where the electrode portion of the aluminum foil is formed, A dielectric coating is formed on the porous portion of the valve metal sheet body, and then an insulating portion is formed around the resist film. Then, a solid electrolyte layer is formed on the dielectric coating, and the solid electrolyte is further formed. This is a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor in which a current collector layer is formed on a layer, and a capacitor excellent in high-frequency response can be easily produced.
[0022]
According to a seventeenth aspect of the present invention, a valve metal powder is sintered into a sheet shape to form a valve metal sheet body, and a dielectric coating is formed on the valve metal sheet body except for a portion serving as an electrode portion. Fill the part of the metal sheet previously provided with a through-hole with a valve metal conductor to form an electrode part. Except for this electrode part, form a dielectric coating on the other part, and then expose the electrode part. A method for producing a solid electrolytic capacitor in which an insulating portion is formed around a portion, a solid electrolyte layer is formed on a dielectric film, and a current collector layer is further formed on the solid electrolyte layer to form a capacitor element. Large capacity and high frequency response can be easily produced.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a solid electrolytic capacitor and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to embodiments and drawings.
[0024]
(Embodiment 1)
The present invention will be described with reference to
[0025]
1 is a perspective view of a solid electrolytic capacitor according to
[0026]
1-4, 1 is a sheet-like capacitor element, and this
[0027]
Even though the
[0028]
The valve
[0029]
The
[0030]
Furthermore, the
[0031]
As the first and
[0032]
Further, when the
[0033]
The solid electrolytic capacitor configured as described above has a configuration in which a plurality of
[0034]
At this time, the number of first and
[0035]
(Embodiment 2)
Next, the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a top view of the solid electrolytic capacitor in
[0036]
In the second embodiment, the basic configuration is the same as in the first embodiment, and the difference is to facilitate the connection with the semiconductor component on the
[0037]
The connection bumps 13 and 14 are formed after providing an insulating
[0038]
Thus, by alternately arranging the first and
[0039]
FIG. 6 shows a sheet-like solid electrolytic capacitor having connection bumps 13 and 14 on both sides. In addition to this, the connection bumps 13 and 14 may be provided only on the upper surface, and the lower surface may be covered with the exterior 11 as shown in FIG. 2, which is insulated on a high-density circuit board having a wiring pattern. It is possible to implement in the state.
[0040]
Further, another shape of the anode electrode portion will be described with reference to FIGS.
[0041]
FIG. 7 shows the
[0042]
As described above, in the solid electrolytic capacitor according to the second embodiment, by providing the connection bumps 13 and 14 on the first and
[0043]
(Embodiment 3)
Next, the present invention will be described with reference to a third embodiment of the present invention.
[0044]
FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part showing the capacitor element of the third embodiment.
[0045]
In the
[0046]
A solid electrolytic capacitor is configured by forming the
[0047]
As described above, the use of the valve metal powder has the effect of increasing the capacity of the solid electrolytic capacitor as compared with the case where the
[0048]
In constructing the valve
[0049]
(Embodiment 4)
Next the solid body electrolyte method of manufacturing the capacitor of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 21.
[0050]
First, an
[0051]
Next, as shown in FIG. 12, the
[0052]
Subsequently, as shown in FIG. 13, the valve
[0053]
Subsequently, as shown in FIG. 15, the valve metal sheet body in which the resist
[0054]
Thereafter, a
[0055]
Next, as shown in FIG. 18, the
[0056]
As described above, according to the method for manufacturing a solid electrolytic capacitor according to the fourth embodiment, it is easy to add a little ingenuity to the already established process for manufacturing a functional polymer solid electrolytic capacitor using an aluminum foil. Thus, a solid electrolytic capacitor with high reliability can be obtained.
[0057]
(Embodiment 5)
Next the solid body electrolyte method of manufacturing the capacitor of the present invention will be described with reference to FIGS. 22 to 29. First, as shown in FIG. 22, a tantalum powder, which is a valve metal, kneaded with a binder is formed into a sheet shape, and after debuy processing, it is sintered at a predetermined temperature to form a sheet-like porous tantalum. A
[0058]
Next, as shown in FIG. 23, a
[0059]
Subsequently, as shown in FIG. 25, a resin material is formed by printing or the like in order to form the insulating
[0060]
Next, the resist
[0061]
Finally, as shown in FIG. 29, the
[0062]
By using the method using the sheet-like tantalum sintered
[0063]
【The invention's effect】
As described above, since the solid electrolytic capacitor of the present invention is configured, semiconductor components can be directly connected, and high frequency response and excellent capacitance can be achieved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a solid electrolytic capacitor according to
DESCRIPTION OF
Claims (17)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001084785A JP4706115B2 (en) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
PCT/JP2002/002762 WO2002078026A1 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor |
CNB028007751A CN100377268C (en) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | Solid electrolytic capacitor and method of mfg. capacitor |
EP02705442A EP1372168A4 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor |
US10/296,258 US6775125B2 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-22 | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001084785A JP4706115B2 (en) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002289478A JP2002289478A (en) | 2002-10-04 |
JP4706115B2 true JP4706115B2 (en) | 2011-06-22 |
Family
ID=18940405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001084785A Expired - Fee Related JP4706115B2 (en) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4706115B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237520A (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Nec Tokin Corp | Thin-shaped multi-terminal capacitor, and manufacturing method therefor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5450139A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-19 | Toray Ind Inc | Floor heating system |
JPH10144573A (en) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacture |
JPH10289838A (en) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nitsuko Corp | Solid state electrolytic capacitor |
JPH11219861A (en) * | 1997-06-20 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrolytic capacitor and manufacture thereof |
WO2001008178A1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-02-01 | Avx Limited | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
-
2001
- 2001-03-23 JP JP2001084785A patent/JP4706115B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5450139A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-19 | Toray Ind Inc | Floor heating system |
JPH10144573A (en) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacture |
JPH10289838A (en) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nitsuko Corp | Solid state electrolytic capacitor |
JPH11219861A (en) * | 1997-06-20 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrolytic capacitor and manufacture thereof |
WO2001008178A1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-02-01 | Avx Limited | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002289478A (en) | 2002-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4479050B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
JP4432207B2 (en) | Capacitor | |
US20090116173A1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
CN100565737C (en) | Solid electrolytic capacitor And Manufacturing approach | |
JP4810772B2 (en) | Circuit module | |
JP5007677B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
KR100623804B1 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method for the same | |
US6775125B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor | |
WO2003005387A9 (en) | Method for producing solid electrolytic capacitor | |
EP1310966B1 (en) | Composite electronic components | |
JP2002289470A (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method therefor | |
JP2002237431A (en) | Solid-state electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
JP2002353073A (en) | Circuit module | |
JP4706115B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
WO2003023797A1 (en) | Method for manufacturing solid-state electrolytic capacitor | |
JPH08273983A (en) | Aluminum solid capacitor | |
JP4599653B2 (en) | Sheet capacitor | |
JP4337423B2 (en) | Circuit module | |
JP2002289469A (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method therefor | |
JP2002110458A (en) | Solid electrolytic chip capacitor | |
JP2002110459A (en) | Solid electrolytic chip capacitor | |
JP2003297702A (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
JP2002289472A (en) | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method therefor | |
JPH0693421B2 (en) | Method for manufacturing solid electrolytic capacitor | |
JP2002367866A (en) | Solid electrolytic capacitor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080324 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080414 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110228 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |